DE102009010276A1

DE102009010276A1 - Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem und Verfahren zum Modifizieren desselben

Info

Publication number: DE102009010276A1
Application number: DE102009010276A
Authority: DE
Inventors: Vlad Temchenko; Jens Schneider
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2008-03-14
Filing date: 2009-02-24
Publication date: 2009-09-17
Also published as: US7910265B2; US20090233239A1

Abstract

Ein Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem umfasst zumindest zwei getrennte Retikelteile. Jeder Teil umfasst ein Muster, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll. Zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile ist unabhängig ersetzbar.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht auf Halbleiterlithografie und insbesondere auf ein Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem und ein Verfahren zum Modifizieren dieses Retikels.
Es ist die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem, ein Verfahren zur Halbleiterbearbeitung und eine Vorrichtung zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem mit verbesserten Charakteristika zu schaffen.
Die Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Weiterbildungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung ist zu beachten, dass aus Vereinfachungsgründen in den unterschiedlichen Figuren für funktional identische oder ähnlich wirkende oder funktional gleiche, äquivalente Elemente überall in der Beschreibung die gleichen Bezugszeichen verwendet werden.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend Bezug nehmend auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
1 eine schematische Draufsicht eines Retikels zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem gemäß einem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
2 eine weitere schematische Draufsicht eines Retikels zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem gemäß einem alternativen Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
3a–c das Ersetzen von einem getrennten Retikelteil des Retikels durch einen anderen getrennten Retikelteil gemäß einem Ausführungsbeispiel für das Verfahren zum Modifizieren eines Retikels, das bei einem Halbleiterlithografiesystem verwendet wird.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sehen ein Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem mit zumindest zwei getrennten Retikelteilen vor, die jeweils eine Struktur bzw. ein Muster umfassen, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll. Vorzugsweise ist zumindest einer der zwei Retikelteile unabhängig ersetzbar. Bei Ausführungsbeispielen der Erfindung kann das Retikel einen Träger umfassen, wobei zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile austauschbar befestigt ist. Bei einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das Retikel einen Retikelrahmen aufweisen, wobei der zumindest eine der zwei getrennten Retikelteile austauschbar befestigt ist.
Unter Bezugnahme auf 1 bis 3c werden im Detail Ausführungsbeispiele erläutert, die sich auf ein Retikel zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem und das Verfahren zum Modifizieren desselben beziehen. Es ist klar, dass zusätzliche Ausführungsbeispiele sich innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung befinden.
1 zeigt eine schematische Draufsicht eines Ausführungsbeispiels eines Retikels zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. das Retikel 100 umfasst zumindest zwei getrennte Retikelteile 101a, 101b. Die Retikelteile umfassen ein Muster 102a (für den Teil 101a) und 102b (für den Teil 101b), das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden kann. Der Begriff getrennte Retikelteile kann implizieren, dass die getrennten Retikelteile nicht physisch verbunden sind. Zumindest einer der zwei Retikelteile 101a, 101b kann in dem Retikel ersetzt werden.
Das Retikel 100 kann einen Träger, z. B. einen Retikelrahmen 105, aufweisen, in dem zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile 101a, 101b austauschbar befestigt ist. Das bedeutet, dass zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile unabhängig von einem verbleibenden Retikelteil ersetzbar ist. Anders ausgedrückt kann derselbe entfernt werden, ohne den Bedarf danach, einen verbleibenden Retikelteil ebenfalls zu entfernen. Der Retikelteil, der nicht ersetzt wird, kann für eine weitere Verwendung geeignet sein, und der Retikelteil, der ersetzt wird, kann durch einen „guten” bzw. „geeigneten” oder neuen ersetzt werden.
Die Verwendung hoch entwickelter Retikelverbesserungstechnologien, die von Höchstintegrationshalbleitertechnologien (VLSI-Halbleitertechnologien, VLSI = very large-scale integrated) gefordert werden, führt zu einem dramatischen Anstieg bei Maskenproduktionskosten. Das Retikel 100 könnte ein so genanntes Mehrebenenretikel sein, dessen Verwendung, so wird erwartet, aufgrund von wesentlichen Kosteneinsparungen gegenüber einem Einzelebenenansatz steigt. Die getrennten Retikelteile 100a, 100b bei einem derartigen Mehrebenenretikel könnten das Muster für unterschiedliche Maskenebenen einer bestimmten integrierten Schaltung oder eines bestimmten Mikrochips aufweisen. Das bedeutet beispielsweise, dass das Muster einer Ebene eines aktiven Bereichs (RX-Ebene), der polyleitenden Ebene (PC-Ebene, PC = poly-conducting), der Metallschicht 1 (M1) und der Metallschicht 2 (M2) zusammen in einem Retikel in einer derartigen Weise kombiniert sein kann, dass die getrennten Retikelteile, die das Retikel bilden, die entsprechenden Maskenebenen für eine bestimmte Prozesstechnologie aufweisen. Die Prozesstechnologie, die das oben be schriebene Mehrebenenretikel 100 einsetzt, könnte beispielsweise eine herkömmliche Logikprozesstechnologie sein.
Dies ist exemplarisch in 2 gezeigt, wobei das Retikel 100 vier getrennte Retikelteile 101a bis 101d aufweist, wobei jeder der Retikelteile ein unterschiedliches Muster für eine unterschiedliche Maskenebene für eine integrierte Schaltung oder im Allgemeinen für irgendein Halbleiterelement aufweisen kann. Exemplarisch heißt dies, dass der getrennte Retikelteil 101a das Muster 102a für die RX-Maskenebene für ein Halbleiterbauelement aufweisen könnte, das in einer herkömmlichen Logiktechnologie gefertigt wird, das Muster 102b die Maskenebene für die polyleitende Ebene (PC-Ebene) aufweisen könnte und die Muster 102c und 102d der getrennten Retikelteile 101c und 101d die Maskenebenen Metall 1 und Metall 2 aufweisen könnten.
Gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel kann ein Retikelteil auch eine Mehrzahl von identischen oder unterschiedlichen Mustern für verschiedene Maskenebenen einer integrierten Schaltung oder im Allgemeinen für irgendein Halbleiterelement aufweisen.
Bei dem in 2 gezeigten alternativen Ausführungsbeispiel kann der Träger, z. B. der Retikelrahmen 105, exemplarisch vier getrennte Retikelteile (101a bis 101d) aufweisen, die beispielsweise durch einen mechanischen Mechanismus 112 fixiert sein können, der ausgebildet ist, um die getrennten Retikelteile austauschbar in dem Retikelrahmen zu befestigen. Der gezeigte mechanische Aufbau 112 ist mehr veranschaulichend als real. Das bedeutet, dass es einen höher entwickelten Mechanismus zum austauschbaren Fixieren der einzelnen getrennten Retikelteile in dem Retikelrahmen geben kann, so dass eine Struktur oder ein Muster eines getrennten Retikelteils lithografisch auf ein Substrat in einem Halbleiterlithografiesystem übertragen werden kann. Ein derartiger hoch entwickelter Fixiermechanismus könnte sich beispielsweise auf mechanische, elektrische, magnetische oder elektromagnetische Kräfte stützen, um die getrennten Retikelteile in dem Retikelrahmen austauschbar zu fixieren. Es ist aber auch möglich, die getrennten Retikelteile durch andere Einrichtungen und Kräfte zu fixieren.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel kann das Muster der unterschiedlichen getrennten Retikelteile, die austauschbar in dem Retikelrahmen befestigt sind, das gleiche Muster aufweisen. Es ist auch möglich, dass ein Retikel getrennte Retikelteile mit dem gleichen Muster aufweist.
Während der Entwicklung einer integrierten Schaltung, bzw. eines Mikrochips, kann es nötig sein, eines der Muster aufgrund einer Entwurfsänderung zu aktualisieren oder zu ändern. Falls ein Retikel 100 mit getrennten Retikelteilen verwendet wird, die austauschbar befestigt sind, wie es in Verbindung mit 1 und 2 beschrieben ist, kann ein jeweiliger getrennter Retikelteil ohne weiteres durch einen aktualisierten oder optimierten Retikelteil ersetzt werden, ohne ein völlig neues und teures Retikel fertigen zu müssen. Tatsächlich kann das andere Muster der getrennten Retikelteile, die nicht geändert werden müssen, weiterhin verwendet werden.
Falls beispielsweise in 2 eines der vier Muster 102a bis 102d in den jeweiligen getrennten Retikelteilen 101a bis 101d beispielsweise aufgrund einer Entwurfsaktualisierung, einer Schlitz- oder Ritzlinienaktualisierung, einer Optisch-Näherungskorrektur-Aktualisierung (OPC-Aktualisierung, OPC = optical proximity correction) und vieler anderer Gründe einer Aktualisierung bedarf, muss kein vollständig neues Retikel 100 bestellt werden, sondern lediglich der jeweilige Retikelteil. Das bedeutet, dass das Retikel 100, das bisher beschrieben wurde, zu einer wesentlichen Maskenfertigungskosteneinsparung für eine Halbleiterherstellung beitragen kann.
Es sind Maskenfehlerkorrekturverfahren bekannt. Das Retikel jedoch, das im Zusammenhang mit den Ausführungsbeispielen von 1 und 2 beschrieben wurde, sieht eine weitere Möglichkeit für eine einfache Reparatur auf allen Ebenen an beispielsweise 1/2, 1/4 oder 1/6 eines derartigen Retikels vor. Das bedeutet, dass ein Aktualisieren einer Maskenebene, bzw. einer Ebene in einem Mehrebenenretikel, lediglich ein Überarbeiten des Bereichs eines entsprechenden Bilds an einer zusammengesetzten Maske erfordern wird. Das oben beschriebene Retikel kann als eine zusammengefügte Maske betrachtet werden. Durch ein Zusammenfügen eines Mehrebenenretikels 100 aus beispielsweise zwei, vier, sechs Teilen ist es möglich, einen Retikelteil des Mehrebenenretikels 100 herauszuziehen und denselben mit einem neuen, aktualisierten oder geänderten Retikelteil zu ersetzen.
Eine Ausrichtung und Nivellierung der unterschiedlichen getrennten Retikelteile des Retikels 100 stellt eventuell kein Problem dar, weil jeder Retikelteil, der eine lithografische Ebene darstellen kann, in einem Fotolithografiesystem getrennt mit eigener Dosierung, Fokus, Neigungsversätzen und Überlagerungskorrekturen getrennt ausgerichtet werden kann. Das zusammengefügte Mehrebenenretikel 100 kann ein Ersetzen eines Retikelteils, der ein falsches Muster für eine Maske umfasst, um eine Ebene bei einer Halbleiterprozesstechnologie zu modifizieren, mit einem aktualisierten ermöglichen, ohne die anderen korrekten Ebenen des „Mehrebenen”-Retikels ersetzen zu müssen.
Die getrennten Retikelteile können herkömmliche Materialien zum Bilden einer Maske für ein Halbleiterlithografiesystem aufweisen. Die getrennten Retikelteile können beispielsweise ein Glassubstrat und eine Schicht aus Chrom (Cr), Chromoxid (CrO), Eisenoxid (FeO) und/oder Molybdänsilizid (MoSi₂) an dem Glassubstrat aufweisen, worin das Muster gebildet ist, das auf das Substrat übertragen werden soll. Alternativ kann das Muster der getrennten Retikelteile, das auf ein Substrat übertragen werden soll, beispielsweise durch geätzte Gräben in einem Glassubstrat gebildet sein, das das Retikel darstellt. Das bedeutet, dass das Retikel als eine Phasenmaske gebildet sein kann.
Die getrennten Retikelteile sind ausgebildet, um das Muster auf das Substrat durch ein Durchlassen bzw. Transmittieren eines Strahls von dem Lithografiesystem zu übertragen, so dass die Muster durch den transmittierten Strahl auf das Substrat übertragen werden. Der Strahl von dem Lithografiesystem kann eine Strahlung aus dem elektromagnetischen Spektrum oder Partikel aufweisen.
Bei Ausführungsbeispielen der Erfindung sind das Retikel und die zumindest zwei getrennten Retikelteile derart ausgebildet, dass dieselben in einem Halbleiterlithografiesystem ausgerichtet werden können, so dass das Muster oder die Struktur an den getrennten Retikelteilen lithografisch auf ein Substrat übertragen werden kann.
Im Allgemeinen kann es sich bei dem Substrat beispielsweise um eine Halbleiterschicht, einen Wafer, der mit einem Fotoresist bedeckt ist, oder eine Maske handeln, die danach verwendet wird, um die Struktur des Musters der getrennten Retikelteile auf ein Substrat zu übertragen. Aspekte der Erfindung können jedoch auch auf Nichthalbleiter-Lithografie-Ausführungsbeispiele angewandt werden.
Die getrennten Retikelteile, die in Verbindung mit 1 und 2 beschrieben sind, können bei einem Ausführungsbeispiel ausgebildet sein, um das Muster auf das Substrat durch ein Transmittieren eines Strahls von dem Lithografiesystem zu übertragen, so dass das Muster durch den transmittierten Strahl auf das Substrat kopiert wird. Das bedeutet, dass die getrennten Retikelteile des Retikels an bestimmten Teilen eine elektromagnetische Strahlung in dem sichtbaren, dem ultravioletten (UV) oder Röntgenspektrum transmittieren können.
Das Fotolithografiesystem und das Retikel können derart ausgebildet sein, dass das Muster an den getrennten Retikelteilen in einem bestimmten Maßstab auf das Substrat übertragen wird, beispielsweise in einem Verhältnis von 4:1 oder 5:1. Das bedeutet, dass das Retikelbild größenmäßig entweder 1:1 oder beispielsweise um 4:1 oder 5:1 verkleinert übertragen werden kann.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel können die getrennten Retikelteile des Retikels als Schattenmasken ausgebildet sein, wobei jeweilige Öffnungen das Muster bilden, das in der Lage ist, einen Partikelstrahl, beispielsweise einen Elektronenstrahl, zu transmittieren.
Bei einem anderen Ausführungsbeispiel sind die getrennten Retikelteile des Retikels ausgebildet, um das Muster durch Reflektieren eines Strahls von dem lithografischen System auf das Substrat zu übertragen, so dass das Muster durch den reflektierten Strahl an dem Substrat abgebildet wird. Im Gegensatz zu dem vorhergehenden Ausführungsbeispiel sind die getrennten Retikelteile beispielsweise in der Lage, beispielsweise elektromagnetische Strahlung oder einen Partikelstrahl auf eine derartige Weise zu reflektieren, dass das Muster, das an dem Retikelteil abgebildet ist, auf ein Substrat, oder beispielsweise auf ein Fotoresist an einem Substrat, übertragen wird.
Bei einem alternativen Ausführungsbeispiel weist das Muster der getrennten Retikelteile des Retikels zumindest einen Abstand von näherungsweise 5 mm zueinander auf. Das heißt, die getrennten Retikelteile können eine Kantenregion bzw. Randregion ohne Muster aufweisen. Bei diesem Ausführungsbeispiel kann der minimale Abstand zwischen den Mustern benachbarter Retikelteile in etwa 5 mm betragen.
Eine Vorrichtung zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem kann eine erste Einrichtung zum Definieren eines Musters, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll, eine zweite Einrichtung zum Definieren eines Musters, das ebenfalls lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll, aufweisen. Die erste und die zweite Einrichtung können beispielsweise die oben beschriebenen Retikelteile sein, und die Vorrichtung folglich das Retikel. Das heißt, die erste und/oder die zweite Einrichtung ist ersetzbar. Die Vorrichtung weist eine dritte Einrichtung auf, um die erste und die zweite Einrichtung austauschbar in der Vorrichtung zu fixieren. Dies könnte beispielsweise ein mechanischer Mechanismus sein, um die erste oder die zweite Einrichtung in der Vorrichtung austauschbar zu fixieren.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Modifizieren eines Retikels 100, das bei einem Halbleiterlithografiesystem verwendet wird, das zumindest zwei getrennte Retikelteile 101a, 101b, die jeweils ein Muster 102a, 102b aufweisen, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll, und einen Retikelrahmen 105 aufweist, in dem die zumindest zwei getrennten Retikelteile 101a, 101b austauschbar befestigt sind, wobei das Verfahren ein Ersetzen 120 zumindest eines der zwei Retikelteile 101a, 101b mit einem modifizierten Retikelteil aufweist.
In 3a–c ist ein Ausführungsbeispiel für das Verfahren zum Modifizieren eines Retikels, das bei einem Halbleiterlithografiesystem verwendet wird, gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt.
Wie es schematisch in 3a gezeigt ist, kann einer 101d von beispielsweise vier getrennten Retikelteilen 101a bis 101d als ein Retikel identifiziert werden, das modifiziert werden soll. Nach dem Identifizieren eines Retikels, das ersetzt werden sollte, kann das Verfahren ferner ein öffnen einer Fixierung für den getrennten Retikelteil, der modifiziert werden soll, aufweisen. Das Öffnen einer Fixierung könnte beispielsweise ein Öffnen eines mechanischen Mechanismus an dem Retikelrahmen sein. Zudem kann das Verfahren, wie es in 3b gezeigt ist, ein Entfernen des Retikelteils 101d, der modifiziert werden soll, aufweisen, wohingegen die übrigen getrennten Retikelteile 101a bis 101c nicht geändert werden. Das bedeutet, dass der getrennte Retikelteil 101d mit einem modifizierten, aktualisierten oder geänderten Retikelteil 101e ersetzt werden kann (siehe 3c). Der ausgetauschte Retikelteil 101e kann wiederum austauschbar in dem Retikelrahmen befestigt oder fixiert werden. Bei dem oben beschriebenen Verfahren wurde gezeigt, dass beispielsweise eine Ebene eines zusammengefügten Vierfach-Mehrebenenretikels ohne weiteres ersetzt werden kann. Falls eine Ebene einer Aktualisierung bedarf, wird der entsprechende Teil des Retikels einfach entfernt und kann die aktualisierte Platte eingesetzt werden.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können unter anderem eine Anzahl von Vorteilen für die Verwendung eines Retikels, wie es in Ausführungsbeispielen dieser Erfindung beschrieben ist, und durch ein Durchführen des Verfahrens zum Modifizieren eines Retikels, wie es oben beschrieben ist, liefern. Ausführungsbeispiele zeigen beispielsweise, dass ein Verwenden des oben beschriebenen Retikels eine Kosteneinsparung bei einer Maskenproduktion zeigen kann. Dies kann durch ein Reparieren lediglich „schlechter” Retikelteile oder Ebenen eines Mehrebenenretikels erreicht werden, ohne ein vollständiges neues Retikel zu bestellen. Aufgrund der austauschbaren getrennten Retikelteile ist es auch möglich, eine schnellere Retikelausstoßzeit zu erreichen, und zwar in der Weise, dass bestimmte Maskenebenen einer integrierten Schaltung durch einen getrennten Retikelteil bereits zu einem Zeitpunkt bearbeitet werden können, zu dem andere fotolithografische Ebenen für eine bestimmte integrierte Schaltung eventuell noch nicht endgültig definiert sind. Das heißt, ein Wafer für eine jeweilige integrierte Schaltung kann bereits bis zu einer bestimmten Maskenebene gefertigt werden, wenn lediglich grobe Schätzungen zukünftiger Kosten und Anforderungen verfügbar sind. Zu Beginn der Fertigung einer integrierten Schaltung an einem Wafer sind eventuell nicht alle Maskenebenen, bzw. die getrennten Retikelteile, verfügbar. Dennoch kann die Herstellung bereits begonnen werden und fehlende Maskenebenen mit den jeweiligen Retikelteilen können zu einem späteren Zeitpunkt in das Retikel eingesetzt werden. Dies kann vorteilhaft sein, um die anspruchsvollen „Produkteinführungszeit”- bzw. „Vorlaufzeit”-Anforderungen an Halbleiterprodukte zu erfüllen.
Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung können ferner die Möglichkeit bieten, Prozessvariationen für die Fertigung einer integrierten Schaltung zu verringern oder zu beseitigen, indem lediglich „gute” Ebenen oder Retikelteile für eine Herstellung verwendet werden. Ferner unterbricht ein Retikelteil, der modifiziert werden soll, die Produktion nicht, da der modifizierte Retikelteil produktionsseitig befestigt werden kann.

Claims

Retikel (100) zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem, wobei das Retikel (100) folgende Merkmale aufweist: zumindest zwei getrennte Retikelteile (101), wobei jeder Retikelteil (101) ein Muster (102) aufweist, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll, wobei zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile (101) bezüglich des anderen der zwei getrennten Retikelteile (101) unabhängig ersetzbar ist.
Retikel (100) gemäß Anspruch 1, wobei das Retikel (100) ferner einen Träger aufweist, wobei der zumindest eine der zwei getrennten Retikelteile (101) austauschbar an dem Träger befestigt ist.
Retikel (100) gemäß Anspruch 2, bei dem der Träger einen Retikelrahmen (105) aufweist.
Retikel (100) gemäß Anspruch 2 oder 3, bei dem der Träger ferner eine Einrichtung aufweist, um den zumindest einen der zwei getrennten Retikelteile (101) austauschbar zu fixieren.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) Muster (102) unterschiedlicher lithografischer Ebenen eines Halbleiterelements aufweisen.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) Chrom, Chromoxid, Eisenoxid oder Molybdänsilizid aufweisen.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, bei dem jeder der zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) ausge bildet ist, um getrennt in dem Halbleiterlithografiesystem ausgerichtet sein zu können.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, bei dem die zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) ausgebildet sind, um das Muster (102) durch ein Transmittieren eines Strahls von dem Lithografiesystem auf das Substrat zu übertragen, so dass die Muster (102) durch den transmittierten Strahl auf das Substrat übertragen werden.
Retikel (100) gemäß Anspruch 8, bei dem der Strahl von dem Lithografiesystem eine Strahlung aus dem elektromagnetischen Spektrum aufweist.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, bei dem die zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) ausgebildet sind, um das Muster (102) durch ein Reflektieren eines Strahls von dem Lithografiesystem auf das Substrat zu übertragen, so dass die Muster (102) durch den reflektierten Strahl auf das Substrat übertragen werden.
Retikel (100) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 10, bei dem die Muster (102) der zumindest zwei getrennten Retikelteile (101) einen Abstand von zumindest etwa 5 mm zueinander aufweisen.
Verfahren zur Halbleiterbearbeitung, wobei das Verfahren folgende Schritte aufweist: Bereitstellen eines Halbleiterlithografiesystems, das zumindest zwei getrennte Retikelteile (101) aufweist, wobei jeder Teil (101) ein Muster (102) aufweist, das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll; und Ersetzen von zumindest einem der zwei getrennten Retikelteile (101) mit einem Ersetzungsretikelteil.
Verfahren gemäß Anspruch 12, bei dem das Halbleiterlithografiesystem ferner einen Retikelrahmen (105) aufweist, in dem zumindest einer der zwei getrennten Retikelteile (101) austauschbar an dem Retikelrahmen (105) befestigt ist.
Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, das ferner folgende Schritte aufweist: Identifizieren zumindest eines von getrennten Retikelteilen (101), der ersetzt werden soll; Öffnen einer Fixierung des getrennten Retikelteils (101), der ersetzt werden soll, an dem Retikel (100); und Befestigen des Ersetzungsretikelteils an dem Retikelrahmen (105), um zumindest einen der zwei Retikelteile (101) mit dem Ersetzungsretikelteil zu ersetzen.
Verfahren gemäß einem der Ansprüche 12 bis 14, bei dem der Ersetzungsretikelteil einen modifizierten Retikelteil aufweist, der ein Muster (102) aufweist, das sich von dem Muster (102) von einem der zwei getrennten Retikelteile (101) unterscheidet.
Vorrichtung zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem, wobei die Vorrichtung folgende Merkmale aufweist: eine erste Einrichtung zum Definieren eines ersten Musters (102), das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll; eine zweite Einrichtung zum Definieren eines zweiten Musters (102), das lithografisch auf ein Substrat übertragen werden soll, wobei zumindest eine der ersten und der zweiten Einrichtung ersetzbar ist; und eine dritte Einrichtung zum austauschbaren Fixieren der ersten Einrichtung und der zweiten Einrichtung in der Vorrichtung.
Retikel (100) zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem, wobei das Retikel (100) folgende Merkmale aufweist: zumindest einen ersten Retikelteil (101), der ein erstes Muster (102) aufweist, das lithografisch übertragen werden soll; und einen zweiten Retikelteil (101), der ein zweites Muster (102) aufweist, das lithografisch übertragen werden soll, wobei der zweite Retikelteil (101) ersetzbar ist, ohne den ersten Retikelteil (101) ersetzen zu müssen.
Retikel (100) gemäß Anspruch 17, das ferner einen Träger aufweist, wobei der erste Retikelteil (101) entfernbar an dem Träger angebracht ist.
Retikel (100) gemäß Anspruch 18, bei dem der Träger einen Retikelrahmen (105) aufweist.
Retikel (100) zur Verwendung bei einem Halbleiterlithografiesystem, wobei das Retikel (100) folgende Merkmale aufweist: einen Träger; einen ersten Retikelteil (101), der ein Muster (102) aufweist, das lithografisch übertragen werden soll, wobei der erste Retikelteil (101) an dem Träger angebracht ist; und einen zweiten Retikelteil (101), der ein Muster (102) aufweist, das lithografisch übertragen werden soll, wobei der zweite Retikelteil (101) entfernbar an dem Träger angebracht ist, derart, dass der zweite Retikelteil (101) von dem Träger entfernt werden und ersetzt werden kann, ohne den ersten Retikelteil (101) entfernen zu müssen.
Retikel (100) gemäß Anspruch 20, bei dem der erste Retikelteil (101) entfernbar an dem Träger angebracht ist, derart, dass der erste Retikelteil (101) ersetzt werden kann, ohne den zweiten Retikelteil (101) entfernen zu müssen.
Retikel (100) gemäß Anspruch 20 oder 21, bei dem der Träger einen Retikelrahmen (105) aufweist.