Die Erfindung betrifft eine Transpondervorrichtung zur Speicherung von Daten. Die Daten können eine Information in Bezug auf einen Gegenstand enthalten, auf dem die Transpondervorrichtung angebracht ist. Die Erfindung betrifft des Weiteren ein Transponderetikett, das die Transpondervorrichtung enthält. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Feststellen eines Zustands der Transpondervorrichtung.The invention relates to a transponder device for storing data. The data may include information regarding an item on which the transponder device is mounted. The invention further relates to a transponder tag containing the transponder device. The invention further relates to a method for detecting a state of the transponder device.
Zur Kennzeichnung von Produkten werden in vielen Bereichen Aufkleber beziehungsweise Etiketten verwendet, auf denen eine Information, die das Produkt kennzeichnet, aufgedruckt ist. Die Information kann beispielsweise in Form von Buchstaben, zahlen oder einem Strichcodemuster auf dem Etikett aufgebracht sein. Zur Speicherung einer größeren Informationsmenge, die zudem nicht für jedermann von außen sichtbar ist, können Etiketten verwendet werden, in denen eine Transpondervorrichtung enthalten ist.For the labeling of products labels or labels are used in many areas, on which information indicating the product is printed. The information may be in the form of letters, numbers or a bar code pattern applied to the label, for example. To store a larger amount of information, which is also not visible to anyone from the outside, labels can be used, in which a transponder device is included.
Da die Transpondervorrichtung oftmals lediglich von einer Schutzfolie des Etiketts überzogen ist, lässt sich ein Dateninhalt, der in einem Transponderchip der Transpondervorrichtung gespeichert ist, mit einfachen Mitteln manipulieren. Eine Manipulation der gespeicherten Daten kann erfolgen, indem die Transpondervorrichtung beispielsweise mit UV-Licht bestrahlt wird. Zu Manipulationszwecken kann auch versucht werden, das Etikett von dem damit gekennzeichneten Gegenstand abzulösen, um den Transponderchip in einer Schreibeinheit mit einem geänderten Datensatz zu beschreiben. Das Ablösen des Etiketts kann physikalisch, beispielsweise durch ein Erwärmen des Etiketts, oder chemisch, zum Beispiel durch einen Lösemittelangriff, erfolgen. Es besteht die Gefahr, dass eine Manipulation oder ein Manipulationsversuch unentdeckt bleibt, da sich oftmals durch eine äußerliche Betrachtung eine Veränderung an der Transpondervorrichtung beziehungsweise dem Etikett nicht feststellen lässt.Since the transponder device is often only covered by a protective film of the label, a data content that is stored in a transponder chip of the transponder device can be manipulated in a simple manner. A manipulation of the stored data can be done by the transponder device, for example, is irradiated with UV light. For manipulation purposes, it may also be attempted to detach the label from the item marked therewith in order to describe the transponder chip in a writing unit with a changed data record. The detachment of the label can be done physically, for example by heating the label, or chemically, for example by a solvent attack. There is a risk that a manipulation or a manipulation attempt remains undetected, since a change to the transponder device or the label can often not be determined by external observation.
Die Druckschrift WO 03/044521 A1 betrifft ein auslesbares Sensorelement mit einem Schwingkreis mit einem veränderlichen Widerstand, der auf einen zu bestimmenden Parameter empfindlich reagiert.The publication WO 03/044521 A1 relates to a readable sensor element with a resonant circuit with a variable resistor that is sensitive to a parameter to be determined.
Die Druckschrift DE 10 2005 017 299 A1 betrifft einen RFID-Tag, bei dem zur Erzeugung einer Betriebsspannung ein Empfangsschwingkreis für Hochfrequenzenergie vorhanden ist und bei dem durch Überschreiten von Grenzen bestimmter Umweltbedingungen eine dauerhafte Verstimmung oder Deaktivierung erfolgt.The publication DE 10 2005 017 299 A1 relates to an RFID tag, in which for generating an operating voltage, a receiving resonant circuit for high-frequency energy is present and in which by exceeding certain environmental limits, a permanent detuning or deactivation takes place.
Die Druckschrift DE 10 2006 046 229 A1 gibt einen RFID-Tag mit einer technologischen Komponente an, die das Antwortverhalten des RFID-Tags beeinflusst.The publication DE 10 2006 046 229 A1 specifies an RFID tag with a technological component that influences the response behavior of the RFID tag.
Die Druckschrift DE 10 2006 040 723 A1 betrifft einen RFID-Transponder mit Sensorelementen, wobei der Transponder durch die Sensorelemente beim Vorliegen einer Umgebungsbedingung aktiviert oder deaktiviert wird.The publication DE 10 2006 040 723 A1 relates to an RFID transponder with sensor elements, wherein the transponder is activated or deactivated by the sensor elements in the presence of an environmental condition.
Die Druckschrift DE 10 2005 007 194 A1 gibt ein Etikett mit einem Transponder an, wobei ein Zerstörungsmechanismus bei einem Ablösen des Etiketts von einem Gegenstand zu einer nahezu irreparablen Zerstörung des Transponders führt.The publication DE 10 2005 007 194 A1 indicates a label with a transponder, wherein a destruction mechanism results in a detachment of the label from an object to a nearly irreparable destruction of the transponder.
Keine der genannten Druckschriften zeigt ein Transponderetikett mit zwei Antennenstrukturen, die sich gegenseitig beeinflussen.None of the cited documents shows a transponder label with two antenna structures that influence each other.
Es ist wünschenswert, eine Transpondervorrichtung anzugeben, mit der sich feststellen lässt, ob an der Transpondervorrichtung eine Manipulation durchgeführt wurde oder ein Manipulationsversuch erfolgt ist. Des Weiteren besteht Bedarf daran, ein Transponderetikett anzugeben, bei dem sich feststellen lässt, ob an dem Transponderetikett eine Manipulation oder ein Manipulationsversuch stattgefunden hat. Es ist weiter wünschenswert, ein verfahren zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung, insbesondere zum Feststellen einer Manipulation oder eines Manipulationsversuchs an der Transpondervorrichtung, anzugeben.It is desirable to specify a transponder device which can be used to determine whether manipulation has been carried out on the transponder device or whether a manipulation attempt has been made. Furthermore, there is a need to provide a transponder label which can be used to determine whether a manipulation or a manipulation attempt has taken place on the transponder label. It is further desirable to specify a method for determining a state of a transponder device, in particular for detecting a manipulation or a manipulation attempt on the transponder device.
Die Aufgabe wird durch die Ansprüche gelöst.The problem is solved by the claims.
Die Transpondervorrichtung umfasst ein Sensorelement, das ein Material aufweist, wobei ein Zustand des Sensorelements in Abhängigkeit von einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf das Material verändert wird. Ein Zustand des Sensorelements kann zum Beispiel durch eine Wärmeeinwirkung, eine Strahlungseinwirkung oder durch einen Kontakt des Materials mit einem Lösemittel zum Lösen einer Klebeschicht, mit der die Transpondervorrichtung auf einem Gegenstand angebracht ist, verändert werden. Bei einer Ansteuerung der Transpondervorrichtung mit einem Lesesignal wird von der Transpondervorrichtung ein Signal ausgekoppelt, wobei ein Pegel des ausgekoppelten Signals, von dem Zustand des Sensorelements abhängig ist.The transponder device comprises a sensor element comprising a material, wherein a state of the sensor element is changed in dependence on a physical or chemical action on the material. A condition of the sensor element may be changed by, for example, exposure to heat, exposure to radiation or contact of the material with a solvent for dissolving an adhesive layer with which the transponder device is mounted on an object. When the transponder device is activated with a read signal, a signal is coupled out by the transponder device, a level of the coupled-out signal being dependent on the state of the sensor element.
Bei der angegebenen Transpondervorrichtung bleibt die Funktionalität der Transpondervorrichtung trotz einer physikalischen oder chemischen Einwirkung erhalten, so dass beim Auslesen der Transpondervorrichtung das ausgekoppelte Signal weiterhin eine Information bezüglich des in der Transpondervorrichtung gespeicherten Datums enthält. Die Information, ob ein Manipulationsversuch erfolgt ist, ist in den Zuständen des Sensorelements gespeichert. Das Sensorelement ist mit der Antennenanordnung gekoppelt, indem das Sensorelement an die Leiterbahn der Antennenanordnung angeschlossen ist. Das Sensorelement kann beispielsweise an eine Primär-Antenne oder an eine Sekundär-Antenne angeschlossen sein. Dadurch ändert sich bei einer Änderung des Zustands des Sensorelements auch der Zustand der Antennenanordnung. Beispielsweise wird die Impedanz oder die Resonanzfrequenz der Antennenanordnung verändert. Durch die damit verbundene Verstimmung oder Dämpfung der Antennenanordnung wird beim Auslesen des Datums, das in einem Transponderchip gespeichert ist, das aus der Antennenanordnung ausgekoppelte Signal mit einem geänderten Pegel abgestrahlt. Weil der Pegel des ausgekoppelten Signals vom Zustand des Sensorelements abhängig ist, enthält der Signalpegel eine Information, ob eine Einwirkung auf die Transpondervorrichtung stattgefunden hat.In the case of the specified transponder device, the functionality of the transponder device is retained despite a physical or chemical action, so that when the transponder device is read, the decoupled signal also contains information regarding the date stored in the transponder device. The information as to whether a manipulation attempt has occurred is in the states of the sensor element saved. The sensor element is coupled to the antenna arrangement by the sensor element is connected to the conductor track of the antenna arrangement. The sensor element can be connected, for example, to a primary antenna or to a secondary antenna. As a result, the state of the antenna arrangement changes as the state of the sensor element changes. For example, the impedance or the resonance frequency of the antenna arrangement is changed. Due to the associated detuning or damping of the antenna arrangement, when the data is stored in a transponder chip, the signal coupled out of the antenna arrangement is emitted at a changed level. Because the level of the decoupled signal is dependent on the state of the sensor element, the signal level contains information as to whether an impact on the transponder device has occurred.
Das Sensorelement kann irreversibel oder reversibel ausgeführt sein. Bei der irreversiblen Ausführungsform wird der Zustand des Sensorelements bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf das Sensorelement dauerhaft verändert. Dadurch kann zu einem späteren Zeitpunkt noch festgestellt werden, dass eine äußere Einwirkung auf die Transpondervorrichtung stattgefunden hat. Ein irreversibel ausgebildetes Sensorelement kann dazu verwendet werden, einen Nutzer auf eine an der Transpondervorrichtung erfolgte Datenmanipulation hinzuweisen. Wenn das Sensorelement derart ausgebildet ist, dass die Zustandsänderung reversibel erfolgt, ändert sich der Zustand des Sensorelements zunächst aufgrund der Fremdeinwirkung. Nach Ablauf einer Zeit nimmt das Sensorelement wieder den ursprünglichen Zustand an. In der reversiblen Ausgestaltungsform kann das Sensorelement beispielsweise eingesetzt werden, um einem Benutzer eine vorübergehende Störung, die beispielsweise durch Witterungseinflüsse, zum Beispiel durch das Eindringen von Feuchtigkeit in die Transpondervorrichtung bedingt ist, anzuzeigen.The sensor element may be irreversible or reversible. In the irreversible embodiment, the state of the sensor element is permanently changed in the case of a physical or chemical action on the sensor element. As a result, it can still be determined at a later time that an external action on the transponder device has taken place. An irreversibly designed sensor element can be used to point a user to a data manipulation carried out on the transponder device. If the sensor element is designed such that the state change is reversible, the state of the sensor element initially changes due to the external influence. After a period of time, the sensor element returns to the original state. For example, in the reversible embodiment, the sensor element may be used to indicate to a user a transient condition caused by, for example, weathering, for example, due to the ingress of moisture into the transponder device.
Die Änderung des Zustands des Sensorelements erfolgt durch eine Veränderung des Materials des Sensorelements. Da das Sensorelement an die Leiterbahnstruktur der Antennenanordnung angeschlossen ist und sich somit in Abhängigkeit von dem Zustand des Sensorelements auch die Antenneneingenschaften ändern, ist es nicht erforderlich, den Zustand des Sensorelements in einer Speichereinheit zu speichern und die Speichereinheit bei Ansteuerung der Transpondervorrichtung mit einem Lesesignal auszulesen. Eine Energieversorgung, wie sie beispielsweise zum Betreiben einer Speichervorrichtung notwendig wäre, ist zum Betreiben des passiven Sensorelements nicht erforderlich.The change of the state of the sensor element is effected by a change of the material of the sensor element. Since the sensor element is connected to the interconnect structure of the antenna arrangement and thus the antenna properties change depending on the state of the sensor element, it is not necessary to store the state of the sensor element in a memory unit and to read out the memory unit with a read signal when the transponder device is actuated , A power supply, as would be necessary, for example, for operating a memory device, is not required for operating the passive sensor element.
Ebenso ändert sich durch das Anschließen des Sensorelements an die Leiterbahn der Antennenanordnung der Zustand der Antenne, ohne dass zur Änderung des Zustands der Antenne eine Energieversorgung erforderlich ist, wie sie beispielsweise zum Zu- oder Abschalten von Leiterbahnabschnitten einer Antenne über ein Schaltwerk notwendig wäre.Likewise, by connecting the sensor element to the track of the antenna arrangement, the state of the antenna changes without requiring a power supply to change the state of the antenna, as would be necessary, for example, to connect or disconnect track sections of an antenna via a switching mechanism.
Des Weiteren erfolgt die Änderung des Zustands des Sensorelements bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf das Sensorelement kontinuierlich. Somit ändert sich auch die Lesereichweite beziehungsweise des aus der Transpondervorrichtung ausgekoppelten Signals kontinuierlich. In einem Lesegerät, das das aus der Transpondervorrichtung ausgekoppelte Signal empfängt, kann somit eine Schwelle festgelegt werden, ab der der Zustand der Transpondervorrichtung als kritisch angesehen wird. Die Bewertung des Zustands des Transponders wird somit nicht von der Transpondervorrichtung selbst festgelegt, sondern erfolgt bei der Datennachverarbeitung.Furthermore, the change in the state of the sensor element takes place continuously in the case of a physical or chemical action on the sensor element. Thus, the reading range or the decoupled from the transponder device signal continuously changes. In a reading device which receives the signal coupled out of the transponder device, a threshold can thus be defined, from which the state of the transponder device is regarded as critical. The evaluation of the state of the transponder is thus not determined by the transponder device itself, but takes place in the data post-processing.
Bei Ausbildung des Sensorelements als veränderlicher Widerstand oder als veränderlicher Kondensator wird die Zustandsänderung in dem Sensorelement gespeichert, ohne dass der Transponder ständig in Betriebsbereitschaft sein muss. Ein Transponderchip und eine Antennenvorrichtung der Transpondervorrichtung wirken somit lediglich als Schnittstelle zwischen dem Sensorelement, das die Manipulationsinformation trägt, und einem Lesegerät.When the sensor element is designed as a variable resistor or as a variable capacitor, the state change is stored in the sensor element without the transponder having to be constantly ready for operation. A transponder chip and an antenna device of the transponder device thus act only as an interface between the sensor element carrying the manipulation information and a reader.
Ein Transponderetikett, in das die Transpondervorrichtung integriert ist, ist im Patentanspruch 17 angegeben.A transponder label, in which the transponder device is integrated, is specified in claim 17.
Im Patentanspruch 23 ist ein Verfahren zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung angegeben.In claim 23, a method for determining a state of a transponder device is specified.
Zur Ausführung des Verfahrens wird eine Transpondervorrichtung zur Speicherung eines Datums mit einem Sensorelement bereitgestellt, wobei das Sensorelement einen von einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung abhängigen Zustand aufweist. Ein erstes Signal wird erzeugt und in die Transpondervorrichtung eingekoppelt. Von der Transpondervorrichtung wird ein zweites Signal zum Ausgeben des Datums erzeugt, wenn das erste Signal mit einem Pegel in die Transpondervorrichtung eingekoppelt wird. Der Pegel des zweiten Signals wird in Abhängigkeit von dem Zustand des Sensorelements erzeugt. Das zweite Signal wird aus der Transpondervorrichtung ausgekoppelt. Das zweite Signal wird empfangen. Der Zustand der Transpondervorrichtung wird durch Auswerten des Pegels des ersten Signals oder des Pegels des zweiten Signals festgestellt.To implement the method, a transponder device is provided for storing a datum with a sensor element, wherein the sensor element has a state dependent on a physical or chemical action on the transponder device. A first signal is generated and coupled into the transponder device. The transponder device generates a second signal for outputting the date when the first signal is coupled to the transponder device at a level. The level of the second signal is generated depending on the state of the sensor element. The second signal is decoupled from the transponder device. The second signal is received. The state of the transponder device is detected by evaluating the level of the first signal or the level of the second signal.
Das erste Signal ist beispielsweise ein Lesesignal, das von einem Lesegerät erzeugt wird. Das zweite Signal ist ein Antwortsignal, das von der Transpondervorrichtung nach Empfang des Lesesignals erzeugt wird. Das Antwortsignal wird im Vergleich zum nicht manipulierten Zustand der Transpondervorrichtung mit einem erhöhten oder erniedrigten Pegel erzeugt. Dadurch ist die Lesereichweite der Transpondervorrichtung verändert worden. Da der Pegel des Antwortsignals jedoch weiterhin von der Transpondervorrichtung mit einem ausreichend hohen Pegel erzeugt wird, der von dem Lesegerät detektiert werden kann, ist es weiterhin ermöglicht, das in dem Transponderchip gespeicherte Datum auszulesen. The first signal is, for example, a read signal generated by a reader. The second signal is a response signal generated by the transponder device upon receipt of the read signal. The response signal is generated at an increased or decreased level compared to the un-manipulated state of the transponder device. As a result, the reading range of the transponder device has been changed. However, since the level of the response signal is still generated by the transponder device at a sufficiently high level that can be detected by the reader, it is further possible to read out the data stored in the transponder chip.
Zum Festellen, ob eine physikalische oder chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist, kann der Pegel des empfangenen Antwortsignals von dem Lesegerät ausgewertet werden. Der Pegel des Antwortsignals kann beispielsweise mit dem Pegel eines Referenzsignals verglichen werden. Zur Erzeugung des Referenzsignals kann eine weitere Transpondervorrichtung verwendet werden, die nicht durch eine äußere Einwirkung gestört worden ist und als Referenztransponder dient. Die weitere Transpondervorrichtung kann zum Vergleich des Pegels des Referenzsignals mit dem zu bewertenden Pegel des Antwortsignale in unmittelbarer Nähe der manipulierten Transpondervorrichtung angebracht werden.To determine whether a physical or chemical action has occurred on the transponder device, the level of the received response signal can be evaluated by the reader. The level of the response signal may, for example, be compared to the level of a reference signal. To generate the reference signal, a further transponder device can be used which has not been disturbed by an external influence and serves as a reference transponder. The further transponder device can be mounted in the immediate vicinity of the manipulated transponder device for comparison of the level of the reference signal with the level of the response signal to be evaluated.
Da die Lesereichweite der Transpondervorrichtung infolge der physikalischen oder chemischen Einwirkung verändert worden ist, ist es auch möglich, dass ein Lesegerät unterschiedliche Pegel eines Lesesignals erzeugt und in Richtung auf die Transpondervorrichtung abstrahlt. Durch Auswertung des Lesesignalpegels, infolge dessen ein Antwortsignal der Transpondervorrichtung empfangen worden ist, lässt sich ermitteln, ob eine Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist. Eine Einwirkung kann insbesondere dann festgestellt werden, wenn der Pegel des Lesesignals, von einem Normpegel des Lesesignals, bei dessen Empfang eine nichtmanipulierte Transpondervorrichtung ein Antwortsignal erzeugen würde, abweicht.Since the reading range of the transponder device has been changed as a result of the physical or chemical action, it is also possible that a reading device generates different levels of a read signal and emits in the direction of the transponder device. By evaluating the read signal level, as a result of which a response signal of the transponder device has been received, it is possible to determine whether an effect on the transponder device has occurred. In particular, an action may be detected when the level of the read signal deviates from a standard level of the read signal upon receipt of which a non-manipulated transponder device would generate a response signal.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand von Figuren, die Ausführungsbeispiele der Erfindung zeigen, näher erläutert. Es zeigen:The invention will be explained in more detail below with reference to figures showing embodiments of the invention. Show it:
1 eine Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 1 an embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
2 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 2 a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
3A eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 3A a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
3B eine Ausführungsform eines kapazitiv wirkenden Sensorelements, 3B an embodiment of a capacitive sensor element,
3C eine weitere Ausführungsform eines kapazitiv wirkenden Sensorelements, 3C a further embodiment of a capacitive sensor element,
4 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 4 a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
5 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 5 a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
6 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 6 a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
7 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 7 a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
8 eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung mit Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 8th a further embodiment of a transponder device with storage of a state of the transponder device,
9A eine Ausführungsform eines Sensorelements zur Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung infolge einer Einwirkung auf die Transpondervorrichtung, 9A an embodiment of a sensor element for storing a state of the transponder device as a result of an effect on the transponder device,
9B eine weitere Ausführungsform eines Sensorelements zur Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung infolge einer Einwirkung auf die Transpondervorrichtung, 9B a further embodiment of a sensor element for storing a state of the transponder device as a result of an action on the transponder device,
10A eine Ausführungsform eines Transponderetiketts mit einer Transpondervorrichtung zur Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 10A an embodiment of a transponder label with a transponder device for storing a state of the transponder device,
10B eine weitere Ausführungsform eines Transponderetiketts mit einer Transpondervorrichtung zur Speicherung eines Zustands der Transpondervorrichtung, 10B a further embodiment of a transponder label with a transponder device for storing a state of the transponder device,
11A eine Ausführungsform eines Verfahrens zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung, 11A an embodiment of a method for determining a state of a transponder device,
11B eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung, 11B a further embodiment of a method for determining a state of a transponder device,
11C eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung, 11C a further embodiment of a method for determining a state of a transponder device,
11D eine weitere Ausführungsform eines Verfahrens zum Feststellen eines Zustands einer Transpondervorrichtung. 11D a further embodiment of a method for detecting a state of a transponder device.
Eine Transpondervorrichtung weist einen integrierten Schaltkreis, den so genannten Transponderchip, auf, der an eine Antennenstruktur gekoppelt ist. Der integrierte Schaltkreis enthält ein Speicherelement, in dem eine Informationen in Bezug auf den Gegenstand, auf dem das Etikett angebracht ist, gespeichert ist. Zum Auslesen von in dem Transponderchip gespeicherten Produktspezifika wird eine Leseeinheit verwendet, die in eine Antennenanordnung der Transpondervorrichtung ein Lesesignal einkoppelt. Das eingekoppelte Signal bewirkt, dass von der Transpondervorrichtung über die Antennenanordnung ein Antwortsignal abgegeben wird, das die in dem Transponderchip gespeicherten Daten enthält. Somit ist ein berührungsloses Auslesen der in dem Transponderchip gespeicherten Information möglich.A transponder device has an integrated circuit, the so-called transponder chip, which is coupled to an antenna structure. The integrated circuit includes a memory element in which information relating to the article on which the label is mounted is stored. For reading out product specifics stored in the transponder chip, a reading unit is used which couples a read signal into an antenna arrangement of the transponder device. The coupled signal causes the transponder device via the antenna array, a response signal is emitted, which contains the data stored in the transponder chip. Thus, a contactless reading of the information stored in the transponder chip is possible.
1 zeigt eine Ausführungsform einer Transpondervorrichtung 100. Die Transpondervorrichtung weist einen integrierten Schaltkreis 1, der den Transponderchip bildet, und eine Antennenanordnung 2 auf. Der integrierte Schaltkreis 1 kann in einem Gehäuse untergebracht sein oder, beispielsweise in der Ausgestaltungsform eines Flip-Chips, nicht von einem Gehäuse umgeben sein, sondern unmittelbar mit seinen Anschlüssen an die Antennenanordnung angeschlossen sein. Die Antennenanordnung 2 weist eine innere Antennenspule 11 auf, die von einer äußeren Antennenspule 12 umgeben ist. Die innere Antennenspule 11 umfasst eine spulenförmig angeordnete Leiterbahn. 1 shows an embodiment of a transponder device 100 , The transponder device has an integrated circuit 1 , which forms the transponder chip, and an antenna array 2 on. The integrated circuit 1 may be housed in a housing or, for example in the embodiment of a flip-chip, not be surrounded by a housing, but be connected directly with its terminals to the antenna assembly. The antenna arrangement 2 has an inner antenna coil 11 on, from an outer antenna coil 12 is surrounded. The inner antenna coil 11 comprises a coil-shaped conductor track.
Ein Ende der Leiterbahn ist mit einem Anschluss des Transponderchips verbunden. Die Leiterbahn ist spiralförmig um den Transponderchip herum angeordnet und umgibt den Transponderchip in mehreren Schleifen. Die Schleifen sind aus einer zusammenhängenden Leiterbahn gebildet. Jede der Schleifen umgibt den Transponderchip in einem größeren Abstand. Dadurch entsteht eine Antennenspule. Der bei der Spulenanordnung außen liegende Leiterbahnabschnitt wird über eine Antennenbrücke 4 in das Innere der Antennenspule 11 geführt und mit einem weiteren Anschluss des Transponderchips verbunden. Somit sind beide Enden der Leiterbahn der Antennenspule 11 an den Transponderchip angeschlossen. Die Anordnung lässt sich insbesondere für eine Kommunikation mit induktiver Kopplung, typischerweise im Hochfrequenzbereich, einsetzen.One end of the track is connected to a terminal of the transponder chip. The conductor is arranged spirally around the transponder chip and surrounds the transponder chip in several loops. The loops are formed from a continuous track. Each of the loops surrounds the transponder chip at a greater distance. This creates an antenna coil. The outside in the coil assembly track section is via an antenna bridge 4 into the interior of the antenna coil 11 guided and connected to another terminal of the transponder chip. Thus, both ends of the track of the antenna coil 11 connected to the transponder chip. The arrangement can be used in particular for communication with inductive coupling, typically in the high-frequency range.
Die spiralförmig um den Transponderchip 1 angeordnete Leiterbahn bildet die Primär-Antenne 11 der Transpondervorrichtung. Die Primär-Antenne 11 ist von einer Sekundär-Antenne 12 umgeben. Die Sekundär-Antenne 12 wird von einer Leiterbahnschleife gebildet, an die ein Sensorelement 3 angeschlossen ist. Bei einem Stromfluss in den beiden Antennenspulen sind die Primär-Antenne 11 und die Sekundär-Antenne 12 über ein magnetisches Feld gekoppelt.The spiral around the transponder chip 1 arranged conductor forms the primary antenna 11 the transponder device. The primary antenna 11 is from a secondary antenna 12 surround. The secondary antenna 12 is formed by a conductor loop, to which a sensor element 3 connected. With a current flow in the two antenna coils are the primary antenna 11 and the secondary antenna 12 coupled via a magnetic field.
Die Primär-Antenne 11 stellt die Kommunikation des Transponderchips 1 mit einer Lesevorrichtung her. Zum Auslesen des in einem Speicherelement eines integrierten Schaltkreises des Transponderchips gespeicherten Datums wird ein Lesesignal von einer Lesevorrichtung in die Antennenanordnung 2 eingekoppelt. Bei der in 1 gezeigten passiven Transpondervorrichtung wird die Energie des in die Antennenanordnung 2 eingekoppelten Signals von der Transpondervorrichtung zur Erzeugung eines Antwortsignals verwendet. Das in dem Speicherelement des integrierten Schaltkreises gespeicherte Datum wird infolge einer Auskopplung des Antwortsignals durch die Primär-Antenne 11 an die Lesevorrichtung übertragen. Nach einem Empfang des Antwortsignals lässt sich durch eine Auswertung des Antwortsignals in der Lesevorrichtung das in der Transpondervorrichtung gespeicherte Datum ermitteln.The primary antenna 11 Represents the communication of the transponder chip 1 with a reading device. For reading out the data stored in a memory element of an integrated circuit of the transponder chip, a read signal from a reading device is inserted into the antenna arrangement 2 coupled. At the in 1 The passive transponder device shown, the energy of the in the antenna assembly 2 coupled signal from the transponder device used to generate a response signal. The data stored in the memory element of the integrated circuit becomes due to a coupling out of the response signal by the primary antenna 11 transferred to the reading device. After receiving the response signal, the data stored in the transponder device can be determined by evaluating the response signal in the reading device.
Die Transpondervorrichtung weist eine Lesereichweite auf. Die Lesereichweite gibt die Entfernung von der Transpondervorrichtung an, bis zu der das von der Antennenanordnung der Transpondervorrichtung ausgekoppelte Antwortsignal von einer Lesevorrichtung detektierbar ist und das in der Transpondervorrichtung gespeicherte Datum durch Auswertung des detektierten Antwortsignals ermittelt werden kann. Die Lesereichweite ist von der zur Auskopplung des Antwortsignals benötigten Energie und den Eigenschaften der Antennenanordnung abhängig.The transponder device has a reading range. The reading range indicates the distance from the transponder device up to which the response signal decoupled from the antenna arrangement of the transponder device can be detected by a reading device and the data stored in the transponder device can be determined by evaluating the detected response signal. The reading range depends on the energy required to extract the response signal and the characteristics of the antenna arrangement.
Das Sensorelement 3 ist in der Weise ausgebildet, dass es mindestens zwei verschiedene Zustände annehmen kann. Das Sensorelement verändert seinen Zustand beispielsweise bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf das Sensorelement und damit auf die Transpondervorrichtung. Eine physikalische Einwirkung kann das Einwirken einer Temperaturänderung auf die Transpondervorrichtung oder eine Bestrahlung der Transpondervorrichtung mit einem Licht einer bestimmten Wellenlänge oder eines Wellenlängenbereichs, beispielsweise mit UV-Licht, sein. Des Weiteren kann das Sensorelement zusätzlich oder alternativ zur Sensibilität gegenüber einer physikalischen Einwirkung derart ausgeführt sein, dass das Sensorelement beim Einwirken von chemischen Substanzen, beispielsweise beim Einwirken von Flüssigkeiten oder Gasen, auf die Transpondervorrichtung seinen Zustand ändert. Insbesondere kann das Sensorelement in der Weise ausgeführt sein, dass es bei einem Angriff mit einem Lösungsmittel, beispielsweise einer chemischen Substanz zum Ablösen einer Klebeschicht, mit der die Transponderanordnung beziehungsweise ein Transponderetikett auf einem Gegenstand angebracht ist, den Zustand ändert.The sensor element 3 is designed in such a way that it can assume at least two different states. The sensor element changes its state, for example, during a physical or chemical action on the sensor element and thus on the transponder device. A physical effect may be the application of a temperature change to the transponder device or an irradiation of the transponder device with a light of a specific wavelength or a wavelength range, for example with UV light. Furthermore, the sensor element can be designed in addition to or as an alternative to the sensitivity to a physical action such that the sensor element changes its state when chemical substances, for example, the action of liquids or gases on the transponder device, are affected. In particular, the sensor element in the Be carried out manner that it changes the state in an attack with a solvent, such as a chemical substance for detaching an adhesive layer with which the transponder assembly or a transponder label is attached to an object.
Bei der in 1 gezeigten Ausführungsform der Transpondervorrichtung 100 ist das Sensorelement 3 beispielsweise als ein veränderbarer Widerstand 31 ausgebildet. Vor einer äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung weist der veränderbare Widerstand einen ersten Widerstandswert auf. Beim Einkoppeln eines Lesesignals von einem Lesegerät zum Auslesen des Transponderchips fließt sowohl in der Primär-Antenne 11 als auch in der Sekundär-Antenne 12 ein Strom. Der Stromfluss durch das Widerstandselement 3 bewirkt, dass dem von dem Lesegerät in die Primär-Antenne 11 eingekoppelten Feld Energie entnommen wird. Somit steht zum Auskoppeln des Antwortsignals Energie zur Verfügung, die gegenüber einer Antennenanordnung ohne die Sekundär-Antenne 12, die lediglich die Primär-Antenne 11 enthält, reduziert ist. Durch den Stromfluss über das Widerstandselement 3 in der sekundären Antenne 12 wird somit die Lesereichweite der Transpondervorrichtung gegenüber einer Transpondervorrichtung, die lediglich die Primär-Antenne 11 aufweist, verringert.At the in 1 shown embodiment of the transponder device 100 is the sensor element 3 for example, as a variable resistor 31 educated. Before an external effect on the transponder device, the variable resistor has a first resistance value. When coupling a read signal from a reader for reading the transponder chip flows both in the primary antenna 11 as well as in the secondary antenna 12 a stream. The current flow through the resistor element 3 causes that from the reader into the primary antenna 11 coupled field energy is taken. Thus, for decoupling of the response signal, energy is available, which is opposite to an antenna arrangement without the secondary antenna 12 that only the primary antenna 11 contains, is reduced. By the flow of current through the resistor element 3 in the secondary antenna 12 Thus, the reading range of the transponder device relative to a transponder device, which is only the primary antenna 11 has decreased.
Bei einer äußeren physikalischen oder chemischen Einwirkung auf das Sensorelement 3 ändert der veränderbare Widerstand 31 seinen Wert. Der Widerstand wird im Vergleich zu seinem Zustand vor der Einwirkung entweder niederohmiger oder hochohmiger. Die Änderung des Widerstandswertes des veränderbaren Widerstandes 31 führt dazu, dass die Impedanz der Antennenanordnung 2 verändert wird.In the case of an external physical or chemical action on the sensor element 3 changes the variable resistor 31 its value. The resistance becomes either low-ohmic or high-ohmic compared to its state prior to exposure. The change in the resistance of the variable resistor 31 causes the impedance of the antenna array 2 is changed.
Beim Einkoppeln eines Lesesignals von einem Lesegerät bewirkt die Kopplung zwischen der Primär-Antenne 11 und der Sekundär-Antenne 12, dass die Dämpfung des von der Primär-Antenne 11 ausgekoppelten Signals durch den veränderten Widerstand in der Sekundär-Antenne 12 verändert wird. Das Antwortsignal wird somit mit einem Pegel ausgekoppelt, der im Vergleich zu dem Pegel, der vor der Änderung des Zustands des Sensorelements 3 ausgekoppelt worden ist, verändert ist. Die Pegeländerung kann in der Weise erfolgen, dass das Antwortsignal mit einem höheren oder niedrigeren Pegel gegenüber dem vor der Veränderung des Zustands des Sensorelements ausgekoppelten Signalpegel erzeugt wird.When coupling a read signal from a reader causes the coupling between the primary antenna 11 and the secondary antenna 12 that the attenuation of the primary antenna 11 decoupled signal due to the changed resistance in the secondary antenna 12 is changed. The response signal is thus coupled out at a level that is compared to the level prior to the change in the state of the sensor element 3 has been decoupled, is changed. The level change may be made by generating the response signal at a higher or lower level than the signal level coupled out prior to the change in the state of the sensor element.
Da das Antwortsignal mit einem veränderten Pegel ausgekoppelt wird, ist die Lesereichweite der Transpondervorrichtung nach der äußeren Einwirkung auf das Sensorelement 3 kleiner oder größer als die Lesereichweite der Transpondervorrichtung vor der Veränderung des Zustands des Sensorelements 3. Das Sensorelement ist allerdings derart ausgeführt, dass das Antwortsignal trotz Änderung des Pegels weiterhin mit einem Pegel ausgekoppelt wird, der von dem Lesegerät detektierbar ist. Das Antwortsignal wird dadurch bei jedem möglichen Zustand des Sensorelements mit einem von Null verschiedenen, von einem Lesegerät detektierbaren Pegel erzeugt. Somit wird es trotz einer Manipulationseinwirkung auf die Transpondervorrichtung ermöglicht, dass das in dem Transponderchip gespeicherte Datum von einem Lesegerät ermittelt werden kann. Ob eine äußere Einwirkung, beispielsweise eine Manipulation, auf die Transpondervorrichtung stattgefunden hat, lässt sich beispielsweise durch eine Auswertung des übertragenen Signalpegels des Antwortsignals in der Lesevorrichtung ermitteln.Since the response signal is coupled out with a changed level, the reading range of the transponder device is after the external action on the sensor element 3 less than or greater than the reading range of the transponder device prior to changing the state of the sensor element 3 , However, the sensor element is designed in such a way that, despite the change in the level, the response signal is further decoupled at a level that can be detected by the reading device. The response signal is thereby generated in each possible state of the sensor element with a nonzero, detectable by a reader level. Thus, despite a manipulation effect on the transponder device, it is possible for the data stored in the transponder chip to be determined by a reading device. Whether an external effect, for example a manipulation, has taken place on the transponder device can be determined, for example, by an evaluation of the transmitted signal level of the response signal in the reading device.
2 zeigt eine weitere Ausführungsform einer Transpondervorrichtung 100, deren Aufbau in Bezug auf den Transponderchip 1 und die Primär-Antenne 11 der in 1 gezeigten Anordnung entspricht. Die äußere Antenne 12 der Antennenanordnung stellt die Sekundär-Antenne dar. Sie weist ein Sensorelement 3 auf, das als ein veränderlicher Kondensator 32 ausgebildet ist. Die Sekundär-Antenne 12 ist als eine Leiterbahn ausgebildet, die mit einem Ende mit einer Platte 321 und mit ihrem anderen Ende mit einer weiteren Platte 323 des veränderlichen Kondensators verbunden ist. Zwischen den beiden Kondensatorplatten ist ein Dielektrikum 322 angeordnet. Der Kondensator 32 kann beispielsweise eine Kapazitätsgröße von über 100 pF aufweisen. 2 shows a further embodiment of a transponder device 100 , their structure in relation to the transponder chip 1 and the primary antenna 11 the in 1 corresponds to the arrangement shown. The outer antenna 12 the antenna arrangement represents the secondary antenna. It has a sensor element 3 on that as a variable capacitor 32 is trained. The secondary antenna 12 is formed as a conductor track, with one end with a plate 321 and with her other end with another record 323 the variable capacitor is connected. Between the two capacitor plates is a dielectric 322 arranged. The capacitor 32 may for example have a capacity size of over 100 pF.
Bei der in 2 gezeigten Ausführungsform weist die Zwischenschicht 322 des Kondensators 32 ein veränderliches Dielektrikum auf. Die Dielektrizitätszahl des Dielektrikums verändert sich bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung beziehungsweise auf das Sensorelement. Die Dielektrizitätszahl kann sich beispielsweise infolge einer Bestrahlung der Transpondervorrichtung, insbesondere des Transponderchips und des darin enthaltenen Speicherelements, mit Licht einer bestimmten Wellenlänge oder eines Wellenlängenbereichs, beispielsweise mit UV-Licht, verändern. Die Dielektrizitätszahl kann sich zusätzlich oder alternativ bei Einwirken einer Temperaturänderung auf die Transpondervorrichtung, beispielsweise bei einer Erwärmung des Transponderchips und des Sensorelements, ändern. Des Weiteren kann sich das Dielektrikum zusätzlich oder alternativ bei Kontakt mit Flüssigkeiten oder Gasen, beispielsweise bei Kontakt mit einem Lösemittel zum Ablösen einer Klebeschicht, mit der die Transpondervorrichtung auf einem Gegenstand gehalten wird, verändern.At the in 2 embodiment shown has the intermediate layer 322 of the capacitor 32 a variable dielectric. The dielectric constant of the dielectric changes in the case of a physical or chemical action on the transponder device or on the sensor element. The dielectric constant may change, for example as a result of irradiation of the transponder device, in particular of the transponder chip and of the memory element contained therein, with light of a specific wavelength or of a wavelength range, for example with UV light. The dielectric constant may additionally or alternatively change upon the action of a temperature change on the transponder device, for example during a heating of the transponder chip and the sensor element. Furthermore, the dielectric may additionally or alternatively change upon contact with liquids or gases, for example when in contact with a solvent for detaching an adhesive layer with which the transponder device is held on an object.
Die Primär-Antenne stellt mit dem Chip 1, der Antennenstruktur 11 sowie Streukapazitäten einen Resonanzkreis dar. Die Sekundär-Antenne bildet mit dem veränderbaren Kondensator 32 und der Induktivität der Leiterschleife der Leiterbahn 12 ebenfalls einen Schwingkreis. Bei einer äußeren Einwirkung, beispielsweise beim Versuch einer Manipulation durch Wärmeeinwirkung oder durch einen Lösemittelangriff, bewirkt die Veränderung des Dielektrikums eine Veränderung der Kapazität des Kondensators 32 und somit eine Änderung der Resonanzfrequenz des Schwingkreises der Sekundär-Antenne 12. Da die Sekundär-Antenne magnetisch in die Primär-Antenne 11 einkoppelt, wird die Resonanzfrequenz der gesamten Antennenanordnung 2 verändert.The primary antenna poses with the chip 1 , the antenna structure 11 As well as stray capacitances a resonant circuit. The secondary antenna forms with the variable capacitor 32 and the inductance of the conductor loop of the conductor track 12 also a resonant circuit. In an external exposure, for example, when attempting manipulation by heat or by a solvent attack, the change in the dielectric causes a change in the capacitance of the capacitor 32 and thus a change in the resonant frequency of the resonant circuit of the secondary antenna 12 , Because the secondary antenna is magnetic in the primary antenna 11 coupled, the resonance frequency of the entire antenna array 2 changed.
Durch die Kopplung zwischen der Leiterbahnschleife der Sekundär-Antenne 12 und der Antennenspule der Primär-Antenne 11 wird die Primär-Antenne 11 gegenüber einer Anordnung, die lediglich die Primär-Antenne 11 aufweist, verstimmt. In Abhängigkeit von der Kapazität des veränderbaren Kondensators wird die Verstimmung der Primär-Antenne geändert. Die Veränderung des Dielektrikums bewirkt zunächst eine Änderung der Kapazität des Kondensators 32. Als Folge der Veränderung der Kapazität wird die Verstimmung der Primär-Antenne 11 geändert. Die Verstimmung der Primär-Antenne bewirkt, dass beim Auslesen der Transpondervorrichtung ein Signal von der Sekundär-Antenne 11 ausgekoppelt wird, dessen Pegel gegenüber demjenigen Pegel, der von der Transpondervorrichtung vor der Manipulationseinwirkung ausgekoppelt worden ist, vergrößert oder reduziert ist. Somit ändert sich nach einer erfolgten Manipulationseinwirkung auch die Lesereichweite der Transpondervorrichtung.By the coupling between the track loop of the secondary antenna 12 and the antenna coil of the primary antenna 11 becomes the primary antenna 11 compared to an arrangement that only the primary antenna 11 has, detuned. Depending on the capacitance of the variable capacitor, the detuning of the primary antenna is changed. The change in the dielectric initially causes a change in the capacitance of the capacitor 32 , As a result of the change in capacitance, the detuning becomes the primary antenna 11 changed. The detuning of the primary antenna causes, when reading the transponder device, a signal from the secondary antenna 11 is decoupled whose level compared to that level which has been decoupled from the transponder device before the manipulation action, increased or reduced. Thus, the reading range of the transponder device also changes after manipulation has taken place.
3A zeigt eine weitere Ausführungsform der Transpondervorrichtung 100. Die Transpondervorrichtung umfasst einen integrierten Schaltkreis 1, der den Transponderchip der Transponderanordnung bildet. Der Transponderchip ist mit seinen Anschlüssen an eine Antennenanordnung 2 angeschlossen. Die Antennenanordnung 2 weist lediglich eine Primär-Antenne 11 auf. Die Primär-Antenne 11 ist als eine spulenförmige Antenne ausgeführt. Die Leiterbahn der Antenne 11 wird ausgehend von einem der Anschlüsse des Transponderchips spiralförmig in Schleifen um den Transponderchip angeordnet. Ein in der Antennenspule 11 außen angeordneter Leiterbahnabschnitt wird über eine Antennenbrücke 4 nach innen geführt und ist mit einem weiteren Anschluss des Transponderchips verbunden. In die Primär-Antennenspule 11 ist ein Sensorelement 3 integriert. Das Sensorelement 3 kann als ein Kondensator 32 ausgeführt sein, der mindestens eine Kondensatorplatte 321, 323 und ein veränderbares Dielektrikum 322 umfasst. 3A shows a further embodiment of the transponder device 100 , The transponder device comprises an integrated circuit 1 which forms the transponder chip of the transponder assembly. The transponder chip is with its connections to an antenna arrangement 2 connected. The antenna arrangement 2 has only one primary antenna 11 on. The primary antenna 11 is designed as a coil-shaped antenna. The trace of the antenna 11 is spirally arranged starting from one of the terminals of the transponder chip in loops around the transponder chip. One in the antenna coil 11 externally arranged conductor track section is via an antenna bridge 4 guided inwards and is connected to another terminal of the transponder chip. In the primary antenna coil 11 is a sensor element 3 integrated. The sensor element 3 can as a capacitor 32 be executed, the at least one capacitor plate 321 . 323 and a variable dielectric 322 includes.
3B zeigt eine mögliche Ausgestaltung des kapazitiven Sensorelements 32 im Querschnitt. Die Leiterbahn der Primär-Antenne 11 ist zwischen einer Schichtenfolge, die aus den Kondensatorplatten 321, 323 und den dielektrischen Schichten 322 gebildet sind, angeordnet. Die dielektrischen Schichten sind über- und unterhalb der Leiterbahn 11 aufgebracht. Die oberseitig angeordnete Kondensatorplatte 321 kann an einer Position durch eine Stichleitung mit der Inneren der Leiterbahnen der Primär-Antenne 11 verbunden sein. Die unterseitig angeordnete Kondensatorplatte 323 kann über eine Stichleitung 324 an die äußere Leiterbahn der Primär-Antennenspule 11 angeschlossen sein. Es besteht auch die Möglichkeit die Kondensatorplatten 321 und 323 nicht über eine Stichleitung an die Leiterbahnen der Primär-Antenne anzuschließen. 3B shows a possible embodiment of the capacitive sensor element 32 in cross section. The trace of the primary antenna 11 is between a layer sequence consisting of the capacitor plates 321 . 323 and the dielectric layers 322 are formed, arranged. The dielectric layers are above and below the conductor track 11 applied. The upper side arranged capacitor plate 321 may be at a position through a stub with the inside of the tracks of the primary antenna 11 be connected. The bottom side arranged capacitor plate 323 can via a stub line 324 to the outer trace of the primary antenna coil 11 be connected. There is also the possibility of the capacitor plates 321 and 323 not to be connected via a spur line to the tracks of the primary antenna.
3C zeigt eine weitere Ausführungsform des kapazitiven Sensorelements 32 im Querschnitt. Über- und unterhalb der Leiterbahn der Primär-Antenne 11 sind die dielektrischen Schichten 322 angeordnet. Das dielektrische Material kann auch zwischen den Leiterbahnen der Primär-Antenne 11 aufgetragen sein. Die bei der Ausführungsform der 3B vorhandenen Kondensatorplatten entfallen. Bei der Ausführungsform der 3C entsteht der kapazitive Effekt durch eine Wechselwirkung zwischen der spuleneigenen Kapazität und den dielektrischen Schichten 322. 3C shows a further embodiment of the capacitive sensor element 32 in cross section. Above and below the track of the primary antenna 11 are the dielectric layers 322 arranged. The dielectric material may also be between the tracks of the primary antenna 11 be applied. In the embodiment of the 3B existing capacitor plates omitted. In the embodiment of the 3C the capacitive effect arises through an interaction between the coil's own capacitance and the dielectric layers 322 ,
Die Dielektrizitätszahl des Dielektrikums des veränderbaren Kondensators ändert sich bei einer physikalischen und/oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung. Die Veränderung der Dielektrizitätszahl bewirkt eine Veränderung der Kapazität des Kondensators. Die Kapazität des Kondensators ändert sich beispielsweise, wenn die Transponderanordnung einer Strahlung ausgesetzt ist. Die Strahlung kann von einer unbefugten Person dazu verwendet werden, das in den Transponderchip eingeschriebene Datum zu ändern oder zu löschen. Zusätzlich oder alternativ dazu kann sich die Kapazität des veränderbaren Kondensators 32 durch Wärmeeinwirkung ändern. Weiter kann sich die Kapazität durch Kontakt mit einer Flüssigkeit oder einem Gas, beispielsweise durch Kontakt mit einem Lösemittel zum Ablösen der Transpondervorrichtung von einer Unterlage, verändern.The dielectric constant of the dielectric of the variable capacitor changes upon physical and / or chemical action on the transponder device. The change in the dielectric constant causes a change in the capacitance of the capacitor. The capacitance of the capacitor changes, for example, when the transponder assembly is exposed to radiation. The radiation may be used by an unauthorized person to change or erase the date inscribed in the transponder chip. Additionally or alternatively, the capacitance of the variable capacitor 32 change by heat. Further, the capacitance may change by contact with a liquid or gas, for example, by contact with a solvent to detach the transponder device from a pad.
Im Unterschied zu einer Antennenspule, die an den Transponderchip angeschlossen ist und lediglich aus der Leiterbahn 11 gebildet ist und das Sensorelement 3 nicht enthält, bewirkt das Vorsehen eines Sensorelements, insbesondere das Vorsehen eines veränderlichen Kondensators in der Schleife 11, eine Verstimmung der Antennenanordnung. Wenn das Sensorelement vor einer Manipulationseinwirkung beispielsweise eine hohe Kapazität hat, verstimmt das Sensorelement 3 die Primär-Antenne 11, wobei eine Kopplung über elektrische Felder erfolgt. Dadurch ist die Lesereichweite im unmanipulierten Zustand des Sensorelements im Vergleich zu einer Antennenanordnung, die lediglich die Antennenspule 11, nicht jedoch das Sensorelement 32 umfasst, verändert, das heißt reduziert oder erhöht.In contrast to an antenna coil which is connected to the transponder chip and only from the conductor track 11 is formed and the sensor element 3 does not provide causes the provision of a sensor element, in particular the provision of a variable capacitor in the loop 11 , a detuning of the antenna arrangement. If, for example, the sensor element has a high capacitance before a manipulation action, the sensor element is detuned 3 the primary antenna 11 , wherein a coupling takes place via electric fields. As a result, the reading range in the unmanipulated state of the sensor element is compared to an antenna arrangement comprising only the antenna coil 11 but not the sensor element 32 includes, changes, that is reduced or increased.
Durch physikalische oder chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung wird die Kapazität des veränderbaren Kondensators gegenüber dem Zustand der Transpondervorrichtung vor dem Einwirken verändert. Dadurch ändert sich die Verstimmung der Primär-Antenne 11. Beim Auslesen des in der Transpondervorrichtung gespeicherten Datums ist der Pegel des von der Antennenanordnung 2 ausgekoppelten Signals gegenüber einem Pegel, der von der Antennenanordnung vor der äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung und somit vor der Veränderung des Kapazitätswertes des Kondensators ausgekoppelt wird, erhöht oder erniedrigt. Dadurch weist die Transpondervorrichtung im manipulierten Zustand bei richtiger Auslegung eine veränderte Lesereichweite auf.By physical or chemical action on the transponder device, the capacitance of the variable capacitor is changed from the state of the transponder device before being acted upon. This will change the detuning of the primary antenna 11 , When reading out the data stored in the transponder device, the level of the antenna arrangement is 2 decoupled signal from a level which is coupled out of the antenna arrangement before the external action on the transponder device and thus before the change of the capacitance value of the capacitor increases or decreases. As a result, the transponder device in the manipulated state with a correct design to a changed reading range.
Die in 4 gezeigte Ausführungsform der Transpondervorrichtung weist einen Aufbau aus einer Antennenanordnung 2 mit einer Primär-Antenne 11, die an einen Transponderchip 1 angeschlossen ist, auf der ähnlich dem in 3A gezeigten Aufbau ausgeführt ist. Anstelle des kapazitiven Sensorelements ist an eine der Leiterbahnen der Primär-Antennenstruktur 11 ein veränderbarer Widerstand 31 angeschlossen.In the 4 shown embodiment of the transponder device has a structure of an antenna arrangement 2 with a primary antenna 11 attached to a transponder chip 1 is connected, similar to the one in 3A is executed construction shown. Instead of the capacitive sensor element is to one of the conductor tracks of the primary antenna structure 11 a variable resistor 31 connected.
Der veränderbare Widerstand ist derart ausgeführt, dass bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung der Widerstandswert des Widerstands 31 verändert wird. Durch die Erhöhung oder Erniedrigung des Widerstandswert verändert sich die Impedanz der Antennenstruktur 11, so dass das von der Transpondervorrichtung ausgekoppelte Signal im Vergleich zu dem Zustand des Widerstands vor der Einwirkung mehr oder weniger stark gedämpft wird.The variable resistor is designed such that, in a physical or chemical action on the transponder device, the resistance value of the resistor 31 is changed. Increasing or decreasing the resistance changes the impedance of the antenna structure 11 so that the signal decoupled from the transponder device is more or less attenuated compared to the state of the resistor before the action.
Die 5 und 6 zeigen weitere Ausführungsformen der Transpondervorrichtung 100. Die Transpondervorrichtung weist in beiden Ausgestaltungsformen einen Transponderchip 1 und eine Antennenanordnung 2 auf. Die Antennenanordnung 2 umfasst eine Antennenstruktur 21 für magnetische oder elektromagnetische Kopplung, zum Beispiel im UHF- oder Mikrowellenfrequenzbereich, an die der Transponderchip angeschlossen ist. Die Antennenstruktur 21 stellt die Primär-Antenne der Transponderanordnung dar, die die Kommunikation mit einem Lesegerät herstellt. Die Antennenanordnung 2 umfasst weiter eine Antennenstruktur 22, die dominant magnetisch an die Antennenstruktur 21 gekoppelt ist. Zur magnetischen Kopplung der beiden Antennenstrukturen sind die Leiterbahnen der Primär-Antenne 21 und der Sekundär-Antenne 22 in geringem Abstand zueinander angeordnet. Die Primär-Antenne 21 weist beispielhaft zusätzlich eine Leiterbahn mit einer kapazitiven Struktur 5 und eine induktive Struktur 61 auf. Die Sekundär-Antenne enthält eine induktive Struktur 62. Die kapazitive Struktur der Primär-Antenne entsteht durch eine Verzweigung der Enden der Leiterbahn der Primär-Antenne. Die induktiven Strukturen der beiden Antennen 21 und 22 werden durch die in den 5 und 6 gezeigte Formung der Leiterbahnen der Antennenstrukturen gebildet, wodurch die Induktivität der beiden Antennenstrukturen in Bezug auf ihre geometrische Länge verstärkt wird.The 5 and 6 show further embodiments of the transponder device 100 , The transponder device has a transponder chip in both embodiments 1 and an antenna arrangement 2 on. The antenna arrangement 2 includes an antenna structure 21 for magnetic or electromagnetic coupling, for example in the UHF or microwave frequency range, to which the transponder chip is connected. The antenna structure 21 represents the primary antenna of the transponder assembly which establishes communication with a reader. The antenna arrangement 2 further includes an antenna structure 22 that is dominant magnetically to the antenna structure 21 is coupled. For magnetic coupling of the two antenna structures are the tracks of the primary antenna 21 and the secondary antenna 22 arranged at a small distance from each other. The primary antenna 21 exemplarily additionally has a conductor track with a capacitive structure 5 and an inductive structure 61 on. The secondary antenna contains an inductive structure 62 , The capacitive structure of the primary antenna is created by a branching of the ends of the conductor track of the primary antenna. The inductive structures of the two antennas 21 and 22 be through the in the 5 and 6 formed forming the tracks of the antenna structures, whereby the inductance of the two antenna structures is reinforced in terms of their geometric length.
An die Leiterbahn der Sekundär-Antenne 22 ist ein Sensorelement 3 angeschlossen, das mindestens zwei verschiedene Zustände aufweist. Der Zustand des Sensorelementes 3 kann sich infolge einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung verändern. Das Sensorelement 3 ist bei beiden der in den 5 und 6 gezeigten Ausführungsformen der Transpondervorrichtung derart ausgebildet, dass die Impedanz der Antennenanordnung 2 in Abhängigkeit von dem Zustand des Sensorelementes 3 geändert wird.To the track of the secondary antenna 22 is a sensor element 3 connected, which has at least two different states. The condition of the sensor element 3 may change due to a physical or chemical action on the transponder device. The sensor element 3 is in both the in the 5 and 6 shown embodiments of the transponder device formed such that the impedance of the antenna assembly 2 depending on the condition of the sensor element 3 will be changed.
Durch die Anordnung der Sekundär-Antenne 22 in unmittelbarer Nähe der Primär-Antenne 21 wird die Primär-Antenne 21 bezüglich ihrer Resonanzfrequenz und Impedanz am Chipanschlusspunkt verstimmt. Des Weiteren bewirkt die Antennenstruktur 22, dass ein Pegel eines von der Primär-Antenne 21 ausgekoppelten Signals geändert wird. Die Antennenstruktur 22 bewirkt somit eine Dämpfung des Antennensignals oder eine Impedanzanpassung der Antennenstruktur 21.By the arrangement of the secondary antenna 22 in the immediate vicinity of the primary antenna 21 becomes the primary antenna 21 detuned with regard to their resonance frequency and impedance at the chip connection point. Furthermore, the antenna structure causes 22 that a level of one of the primary antenna 21 is changed out of the decoupled signal. The antenna structure 22 thus causes an attenuation of the antenna signal or an impedance matching of the antenna structure 21 ,
Bei der in 5 gezeigten Ausführungsform ist das Sensorelement 3 beispielsweise als ein veränderbarer Widerstand 31 ausgebildet. Der Widerstandswert wird bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung verändert. Der Widerstandswert des veränderbaren Widerstands kann sich bei einer physikalischen Einwirkung, beispielsweise bei einem Erwärmen der Transpondervorrichtung oder einem Bestrahlen der Transpondervorrichtung ändern. Ferner kann sich der Widerstandswert infolge einer chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung, beispielsweise beim Einwirken von Lösemitteln auf die Transpondervorrichtung, um die Transpondervorrichtung von einem Untergrund abzulösen, ändern.At the in 5 the embodiment shown is the sensor element 3 for example, as a variable resistor 31 educated. The resistance value is changed during a physical or chemical action on the transponder device. The resistance of the variable resistor may change upon physical impact, such as heating of the transponder device or irradiation of the transponder device. Furthermore, the resistance may change due to a chemical effect on the transponder device, such as exposure to solvents on the transponder device to detach the transponder device from a substrate.
Vor einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung kann der veränderliche Widerstand 31 beispielsweise niederohmig ausgebildet sein. Durch die magnetische Kopplung zwischen der Antennenstruktur 21 und der Antennenstruktur 22 dämpft und verstimmt die Sekundär-Antenne 22 die Primär-Antenne 21. Dadurch ist die Lesereichweite der in 5 gezeigten Antennenanordnung gegenüber einer Antennenanordnung, die lediglich die Antennenstruktur der Primär-Antenne 21 umfasst, reduziert oder erhöht. Wenn infolge einer Manipulation der veränderbare Widerstand seinen Wert ändert und beispielsweise hochohmig wird, ändert sich die Dämpfung beziehungsweise Verstimmung der Primär-Antenne 21. Beim Einkoppeln eines Lesesignals zum Auslesen des in dem Transponderchip 1 gespeicherten Datums wird aus der Antennenstruktur 21 somit eine Signal ausgekoppelt, dessen Pegel gegenüber einem Signalpegel, der vor einer Manipulation ausgekoppelt worden ist, erniedrigt oder erhöht ist. Dadurch ändert sich die Lesereichweite der Transpondervorrichtung.Before a physical or chemical action on the transponder device, the variable resistance 31 be designed, for example, low impedance. Due to the magnetic coupling between the antenna structure 21 and the antenna structure 22 dampens and detunes the secondary antenna 22 the primary antenna 21 , This is the reading range of in 5 shown antenna arrangement with respect to a Antenna arrangement that only the antenna structure of the primary antenna 21 includes, reduces or increases. If, as a result of manipulation, the variable resistor changes its value and becomes, for example, high-impedance, the attenuation or detuning of the primary antenna changes 21 , When coupling a read signal to read the in the transponder chip 1 stored date is from the antenna structure 21 thus coupled out a signal whose level is lowered or increased compared to a signal level which has been decoupled before a manipulation. This changes the reading range of the transponder device.
Im Unterschied zur Ausgestaltung der Transpondervorrichtung der 5 ist bei der in 6 gezeigten Ausführungsform der Transpondervorrichtung ein kapazitiv wirkendes Sensorelement 3 an die Sekundär-Antenne 22 angeschlossen. Das Sensorelement 3 umfasst einen veränderbaren Kondensator 32 und gegebenenfalls einen weiteren veränderbaren Kondensator 33. Der veränderbare Kondensator 32 weist eine Kondensatorplatte 321 und eine Kondensatorplatte 323 auf, zwischen denen eine veränderbare dielektrische Schicht 322 angeordnet ist. Der veränderbare Kondensator 33 umfasst Kondensatorplatten 331, 333, zwischen denen ein Dielektrikum 332 angeordnet ist. Die Kondensatorplatte 321 beziehungsweise 331 kann an die Leiterbahn der Sekundär-Antenne 22 angeschlossen sein, wohingegen die Kondensatorplatte 323 beziehungsweise 333 von der Leiterbahn durch das Dielektrikum 322 beziehungsweise 332 beabstandet angeordnet sein kann. Die Dielektrika 322 und 332 können auch leitend ausgebildet sein, wodurch die Flächen der Kondensatoren 321 und 331 elektrisch vergrößert werden.In contrast to the embodiment of the transponder device of 5 is at the in 6 shown embodiment of the transponder device, a capacitive sensor element 3 to the secondary antenna 22 connected. The sensor element 3 includes a variable capacitor 32 and optionally another variable capacitor 33 , The variable capacitor 32 has a capacitor plate 321 and a capacitor plate 323 on, between which a variable dielectric layer 322 is arranged. The variable capacitor 33 includes capacitor plates 331 . 333 between which a dielectric 332 is arranged. The capacitor plate 321 respectively 331 can connect to the track of the secondary antenna 22 be connected, whereas the capacitor plate 323 respectively 333 from the trace through the dielectric 322 respectively 332 can be arranged spaced. The dielectrics 322 and 332 may also be conductive, whereby the surfaces of the capacitors 321 and 331 be electrically enlarged.
Die Kapazitäten der beiden Kondensatoren verändern sich infolge einer physikalischen Einwirkung, beispielsweise infolge einer Temperaturänderung oder einer Bestrahlung der Transpondervorrichtung, oder infolge einer chemischen Einwirkung, beispielsweise bei einem Kontakt der Transpondervorrichtung mit einem flüssigen oder gasförmigen Stoff, insbesondere beim Einwirken eines Lösemittels auf die Transpondervorrichtung zum Ablösen einer Klebeschicht, mit der die Transpondervorrichtung auf einem Untergrund fixiert ist. Die Änderung der Kapazitätswerte der Kondensatoren erfolgt dadurch, dass durch die physikalische oder chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung die Dielektrizitätszahl des Dielektrikums 322, 332 geändert wird.The capacitances of the two capacitors change as a result of a physical effect, for example as a result of a temperature change or irradiation of the transponder device, or as a result of a chemical effect, for example when the transponder device is in contact with a liquid or gaseous substance, in particular when a solvent acts on the transponder device Peeling off an adhesive layer with which the transponder device is fixed on a substrate. The change in the capacitance values of the capacitors takes place in that the dielectric constant of the dielectric due to the physical or chemical action on the transponder device 322 . 332 will be changed.
Durch die magnetische Kopplung zwischen der Sekundär-Antenne 22 und der Primär-Antenne 21 ändert sich die Resonanzfrequenz der Primär-Antenne 21. Die Primär-Antenne 21 wird durch die Ankopplung an die Sekundär-Antenne 22 verstimmt. Wenn die an die Sekundär-Antenne angeschlossenen Kondensatoren beispielsweise vor einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung eine hohe Kapazität aufweisen, wird die Primär-Antenne 21 durch die Sekundär-Antenne 22 infolge einer magnetischen Kopplung in einer Weise verstimmt, dass die Lesereichweite der Antennenanordnung reduziert oder erhöht ist.Due to the magnetic coupling between the secondary antenna 22 and the primary antenna 21 the resonance frequency of the primary antenna changes 21 , The primary antenna 21 is through the coupling to the secondary antenna 22 tune. For example, if the capacitors connected to the secondary antenna have a high capacitance prior to a physical or chemical action on the transponder device, the primary antenna becomes 21 through the secondary antenna 22 detuned due to a magnetic coupling in such a way that the reading range of the antenna array is reduced or increased.
Infolge einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung verändern sich die Kapazitäten der Kondensatoren 32 und 33. Die Veränderung der Kapazität der Sekundär-Antenne 22 bewirkt, dass die Primär-Antenne gegenüber ihrem Zustand vor der Änderung der Kapazitäten nochmals verstimmt wird. Ferner kann sich die Dämpfung des Primär-Antennesignals ändern, wodurch sich auch die Lesereichweite der Transpondervorrichtung verändert. Dadurch wird beim Auslesen eines Datums aus der Transpondervorrichtung ein Signal mit einem höheren oder niedrigeren Pegel im Vergleich zu demjenigen Pegel, den das ausgekoppelte Signal vor einer äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung aufgewiesen hat, ausgekoppelt.As a result of a physical or chemical action on the transponder device, the capacitances of the capacitors change 32 and 33 , The change in the capacity of the secondary antenna 22 causes the primary antenna to be detuned from its state before the capacitance changes. Furthermore, the attenuation of the primary antenna signal may change, which also changes the reading range of the transponder device. Thereby, when reading a date from the transponder device, a signal with a higher or lower level compared to the level that the decoupled signal has exhibited before an external effect on the transponder device, coupled out.
7 zeigt eine Ausführungsform der Transpondervorrichtung 100, bei der der Transponderchip 1 mit seinen Anschlüssen an eine Antennenanordnung 2 angeschlossen ist, die lediglich die Primär-Antenne 21 umfasst. Die Primär-Antenne 21 umfasst eine Leiterbahn, die eine kapazitive Struktur 5 und eine induktive Struktur 6 aufweist. Die kapazitive Struktur entsteht durch eine Verzweigung der Enden der Leiterbahn der Primär-Antenne. Die induktive Struktur wird durch eine ähnlich der in 6 gezeigten Formung der Leiterbahn gebildet. An die Primär-Antennenstruktur 21 ist ein Sensorelement 3 angeschlossen. Das Sensorelement 3 kann beispielsweise ein kapazitiver Sensor 32 sein, der eine Platte 321, eine Platte 323 und ein zwischen den Platten angeordnetes Dielektrikum 322 umfasst. 7 shows an embodiment of the transponder device 100 in which the transponder chip 1 with its connections to an antenna arrangement 2 connected, which is only the primary antenna 21 includes. The primary antenna 21 includes a trace having a capacitive structure 5 and an inductive structure 6 having. The capacitive structure is created by a branching of the ends of the conductor track of the primary antenna. The inductive structure is characterized by a similar to that in 6 formed forming the conductor track formed. To the primary antenna structure 21 is a sensor element 3 connected. The sensor element 3 For example, a capacitive sensor 32 its a plate 321 , a plate 323 and a dielectric disposed between the plates 322 includes.
Das kapazitive Sensorelement 32 ist derart ausgebildet, dass die Kapazität bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung verändert wird. Gegenüber einer Antennenanordnung, die lediglich die kapazitiven Strukturen 5 und die induktiven Strukturen 6 der Leiterbahn umfasst, bewirkt der kapazitive Sensor 32, dass die Primär-Antenne über elektrische Antennenfelder verstimmt ist. Dadurch ist die Lesereichweite der in 7 gezeigten Transpondervorrichtung gegenüber einer Transpondervorrichtung, die den kapazitiven Sensor 32 nicht enthält, sondern lediglich aus der Leiterbahn der Primär-Antenne und den kapazitiven Strukturen 5 und den induktiven Strukturen 6 gebildet ist, bei richtiger elektrischer Dimensionierung reduziert oder erhöht.The capacitive sensor element 32 is designed such that the capacitance is changed during a physical or chemical action on the transponder device. Compared to an antenna arrangement, only the capacitive structures 5 and the inductive structures 6 the conductor path comprises causes the capacitive sensor 32 in that the primary antenna is detuned by electrical antenna fields. This is the reading range of in 7 shown transponder device relative to a transponder device, the capacitive sensor 32 does not contain, but only from the trace of the primary antenna and the capacitive structures 5 and the inductive structures 6 is formed, reduced or increased with proper electrical dimensioning.
Eine äußere Einwirkung auf die Transpondervorrichtung durch einen physikalischen oder chemischen Prozess verändert die Kapazität des veränderbaren Kondensators 32. Dadurch verstimmt das Sensorelement 32 die Primär-Antenne 21 gegenüber dem Zustand vor der äußeren Einwirkung. Durch die Verstimmung wird beim Auslesen eines Datums aus dem Transponderchip 1 von der Primär-Antenne 21 ein Signal ausgekoppelt, dessen Pegel gegenüber einem Pegel eines Signals, das von der Antennenanordnung beim Auslesen des in der Transpondervorrichtung gespeicherten Datums vor einer Manipulation ausgekoppelt wurde, erhöht oder erniedrigt ist.An external effect on the transponder device by a physical or chemical process changes the capacity of the variable capacitor 32 , This detunes the sensor element 32 the primary antenna 21 opposite to the state before the external action. The detuning becomes when reading a date from the transponder chip 1 from the primary antenna 21 a signal whose level is increased or decreased in relation to a level of a signal which was decoupled from the antenna arrangement when reading the data stored in the transponder device before a manipulation, coupled out.
Bei der in 8 gezeigten Ausgestaltung ist anstelle eines kapazitiv wirkenden Sensorelements an die Leiterbahn der Primär-Antenne 21 ein veränderbarer Widerstand 31 angeschlossen. Bei einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung verändert der veränderbare Widerstand seinen Wert. Dadurch tritt eine Impedanzänderung der Antennenstruktur auf, wodurch ein Pegel des von der Antennenstruktur 21 ausgekoppelten Signals verändert wird. Somit ändert sich auch bei der in 8 gezeigten Ausführungsform die Lesereichweite der Transpondervorrichtung.At the in 8th embodiment shown is instead of a capacitive sensor element to the trace of the primary antenna 21 a variable resistor 31 connected. In the case of a physical or chemical action on the transponder device, the variable resistor changes its value. As a result, an impedance change of the antenna structure occurs, whereby a level of the antenna structure 21 decoupled signal is changed. Thus changes also in the in 8th the embodiment shown, the reading range of the transponder device.
Neben den in den 1 bis 8 gezeigten Ausführungsformen des Sensorelements kann das Sensorelement auch in der Weise ausgebildet sein, dass nach einer Zustandsänderung des Sensorelements eine Modulation des von der Antennenanordnung abgestrahlten Signals erfolgt.In addition to those in the 1 to 8th In embodiments of the sensor element shown, the sensor element may also be designed in such a way that, after a change in state of the sensor element, a modulation of the signal emitted by the antenna arrangement takes place.
Die 9A und 9B zeigen jeweils Ausführungen des Sensorelements 3, das als ein veränderbarer Widerstand 31 ausgebildet ist. Der veränderbare Widerstand ist mittels der Anschlüsse A1 und A2 bei den Ausführungsformen der 1 und 5 mit der Leiterbahn der Sekundär-Antenne und bei den in den 4 und 8 gezeigten Ausführungsformen mit der Leiterbahn der Primär-Antenne verbunden.The 9A and 9B each show versions of the sensor element 3 as a variable resistor 31 is trained. The variable resistor is by means of the terminals A1 and A2 in the embodiments of 1 and 5 with the track of the secondary antenna and in the in the 4 and 8th shown embodiments connected to the conductor track of the primary antenna.
Bei der in 9A gezeigten Ausführungsform des veränderbaren Widerstands 3 weist das Sensorelement ein Trägermaterial 310 auf, in dem leitfähige Partikel 311, beispielsweise Metallpartikel, enthalten sind. Das Trägermaterial 310 ist nicht leitend. Durch die Metallpartikel 311 entsteht eine leitfähige Verbindung zwischen den Anschlüssen A1 und A2. Das Trägermaterial kann beispielsweise Wachs enthalten. Vor einer äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung sind die leitfähigen Partikel in dem Trägermaterial in der Weise angeordnet, dass zwischen den Anschlüssen A1 und A2 eine leitfähige Verbindung mit einem Widerstandswert gebildet wird. Infolge einer physikalischen Einwirkung, beispielsweise einer Erwärmung der Transpondervorrichtung, beginnt das Wachsmaterial 310 zu schmelzen. Durch den Schmelzvorgang verteilen sich die leitfähigen Partikel 311, die vor der Erwärmung in dem Wachsmaterial eine Leiterbahn zwischen den Anschlüssen A1 und A2 bilden, derart, dass sich der Widerstand der leitfähigen Verbindung zwischen den Anschlüssen A1 und A2 verändert. In Abhängigkeit von der Erwärmung kann die leitfähige Verbindung zwischen den Anschlüssen A1 und A2 auch vollständig unterbrochen sein.At the in 9A shown embodiment of the variable resistor 3 the sensor element has a carrier material 310 in which conductive particles 311 , For example, metal particles are included. The carrier material 310 is not conductive. Through the metal particles 311 creates a conductive connection between the terminals A1 and A2. The carrier material may contain wax, for example. Before an external action on the transponder device, the conductive particles are arranged in the carrier material in such a way that a conductive connection with a resistance value is formed between the terminals A1 and A2. As a result of physical action, such as heating of the transponder device, the wax material begins 310 to melt. The melting process distributes the conductive particles 311 which form, prior to heating in the wax material, a conductor between the terminals A1 and A2, such that the resistance of the conductive connection between the terminals A1 and A2 changes. Depending on the heating, the conductive connection between the terminals A1 and A2 may also be completely interrupted.
Als Trägermaterial kann neben dem Material aus Wachs beispielsweise eine Farbe verwendet werden, die die Metallpartikel enthält. Die Metallpartikel können in der Farbe in einer Weise angeordnet werden, dass der Widerstand einer leitfähigen Verbindung zwischen den Anschlüssen A1 und A2 infolge einer physikalischen oder chemischen Einwirkung auf die Transpondervorrichtung und somit auf den veränderbaren Widerstand 31 reduziert oder erhöht wird.As a carrier material, for example, a color may be used in addition to the material of wax, which contains the metal particles. The metal particles can be arranged in the color in such a way that the resistance of a conductive connection between the terminals A1 and A2 due to a physical or chemical action on the transponder device and thus on the variable resistor 31 reduced or increased.
9B zeigt eine weitere Ausführungsform des Sensorelementes 3, das als ein veränderbarer Widerstand 31 ausgebildet ist. Der veränderbare Widerstand kann beispielsweise eine Silberleitpaste enthalten. Die Silberleitpaste enthält ein Grundmaterial 312, in das leitfähige Partikel 313 eingemischt sind. Das Grundmaterial 312 und die leitfähigen Partikel 313 können in einer Weise aufeinander abgestimmt werden, dass der veränderbare Widerstand 31 beispielsweise als ein physikalisch sensibler Widerstand, als ein chemisch sensibler Widerstand oder ein wellenlängensensibler Widerstand ausgebildet ist. Bei einer entsprechenden Einwirkung auf den Widerstand 31 ändert sich beispielsweise die Verteilung von Metallpartikeln 313 in einer Weise, dass der Widerstandswert des veränderbaren Widerstands 31 verändert wird. 9B shows a further embodiment of the sensor element 3 as a variable resistor 31 is trained. The variable resistor may include, for example, a silver conductive paste. The silver conductive paste contains a base material 312 into the conductive particle 313 are mixed. The basic material 312 and the conductive particles 313 can be matched in a way that the variable resistor 31 for example, as a physically sensitive resistor, as a chemically sensitive resistor or a wavelength-sensitive resistor is formed. With a corresponding effect on the resistance 31 For example, the distribution of metal particles changes 313 in a way that the resistance of the variable resistor 31 is changed.
Die 9A und 9B zeigen Ausführungsformen des Sensorelements 3, bei denen eine Änderung des Zustands des Sensorelements irreversibel ist. Der veränderte Zustand des Sensorelements bleibt nach einer äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung dauerhaft erhalten. Alternativ zu dem Anschließen eines Sensorelements mit irreversibler Zustandsäänderung an die Antennenanordnung kann ein Sensorelement mit reversibler Zustandsänderung an die Antennenanordnung angeschlossen werden. Es können beispielsweise Widerstände mit reversibler Änderung des Widerstandswertes oder kapazitive Sensorelemente mit reversibler Änderung des Kapazitätswertes verwendet werden. Bei der Verwendung von Sensorelementen mit reversibler Zustandsänderung können vorübergehende Einwirkungen auf eine Transpondervorrichtung, die die Funktionsfähigkeit der Transpondervorrichtungen kurzzeitig beeinflussen können, angezeigt werden. Derartige Zustandsänderungen können beispielsweise bei Witterungseinflüssen, zum Beispiel beim Eindringen von Feuchtigkeit in die Transpondervorrichtung, auftreten.The 9A and 9B show embodiments of the sensor element 3 in which a change in the state of the sensor element is irreversible. The changed state of the sensor element is permanently retained after an external action on the transponder device. As an alternative to connecting a sensor element with an irreversible change in state to the antenna arrangement, a sensor element with reversible state change can be connected to the antenna arrangement. For example, resistors with a reversible change of the resistance value or capacitive sensor elements with a reversible change in the capacitance value can be used. When using sensor elements with a reversible change of state, temporary effects on a transponder device, which can influence the functionality of the transponder devices for a short time, can be displayed. Such state changes can occur, for example, in the event of weathering, for example when moisture penetrates into the transponder device.
Bei den in den 1 bis 8 gezeigten Ausführungsformen der Transpondervorrichung beziehungsweise den in den 9A und 9B gezeigten Ausführungsformen des Sensorelements kann durch Änderung eines Materials des Sensorelements eine Änderung des Zustands der Transpondervorrichtung, beispielsweise eine Änderung der Transpondervorrichtung infolge einer Manipulation, durch eine Zustandsänderung des Sensorelements, beispielsweise eine Änderung der Leitfähigkeit eines veränderbaren Widerstands oder eine Kapazitätsänderung eines veränderbaren Kondensators gespeichert werden, ohne dass zur Speicherung der Zustandsänderung eine Energieversorgung erforderlich ist. Das Sensorelement ist an die Leiterbahn der Primär- oder Sekundärantenne angeschlossen, so dass sich eine Änderung des Zustands des Sensorelements unmittelbar auf eine Zustandsänderung der Antenne auswirkt. Zum Verändern des Zustands der Antenne ist keine eigene Spannungsversorgung erforderlich. In the in the 1 to 8th shown embodiments of the transponder Vorrichung or in the 9A and 9B shown embodiments of the sensor element can be stored by changing a material of the sensor element, a change in the state of the transponder device, such as a change in the transponder device due to manipulation, by a change in state of the sensor element, such as a change in the conductivity of a variable resistor or a capacitance change of a variable capacitor without requiring a power supply to store the state change. The sensor element is connected to the conductor track of the primary or secondary antenna, so that a change in the state of the sensor element has a direct effect on a change of state of the antenna. To change the state of the antenna no separate power supply is required.
10A zeigt eine Ausführungsform eines Transponderetiketts 1000, das auf einem Untergrund 2000 angebracht ist. Das Transponderetikett umfasst einen Folienaufbau aus einer Folienlage 200 und einer Folienlage 400. An der Folienlage 200 ist unterseitig eine Klebeschicht 300 angeordnet. Die Transpondervorrichtung 100 ist auf der Folienlage 200 aufgebracht. 10A shows an embodiment of a transponder label 1000 on a background 2000 is appropriate. The transponder label comprises a film structure of a film layer 200 and a film layer 400 , At the film layer 200 is an adhesive layer on the underside 300 arranged. The transponder device 100 is on the foil layer 200 applied.
Die Folienlage 200 kann beispielsweise als eine transparente Schicht aus einem Material aus Polyester gebildet sein. Die Antennenanordnung 2 kann durch eine Verbundherstellung aus einer Kupferfolie, die auf der Folienschicht 200 aufgebracht ist, gefertigt sein. Die Kupferfolie kann mittels Ätztechnik strukturiert werden. Der Transponderchip 1 wird leitfähig mit der Kupferfolie verbunden und kann auf die Folienschicht 200 aufgeklebt sein. Über der Transpondervorrichtung wird eine Folienschicht 400 als Schutzfolie angeordnet. Die Folienschicht 400 kann beschriftbar sein.The film layer 200 For example, it may be formed as a transparent layer of a polyester material. The antenna arrangement 2 can be produced by a composite of a copper foil, which is on the foil layer 200 is applied, be made. The copper foil can be structured by means of etching technology. The transponder chip 1 is conductively connected to the copper foil and can be applied to the foil layer 200 be glued on. Above the transponder device is a foil layer 400 arranged as a protective film. The foil layer 400 can be labeled.
Eine weitere Ausführungsform eines Transponderetiketts ist in 10B gezeigt. Die Transpondervorrichtung 100 ist von einem thermoplastischen Material 500 oder einem aushärtenden Material 501 umgeben, wobei das aushärtende Material auch ein nicht thermoplastisches Material sein kann. Durch eine an dem thermoplastischen Material unterseitig angebrachte Klebeschicht ist das Transponderetikett auf einem Untergrund 2000 befestigt.Another embodiment of a transponder label is in 10B shown. The transponder device 100 is of a thermoplastic material 500 or a hardening material 501 surrounded, wherein the curing material may also be a non-thermoplastic material. By an adhesive layer attached to the underside of the thermoplastic material, the transponder label is on a substrate 2000 attached.
Der in den 10A und 10B gezeigte Folienaufbau kann mit flexiblen oder starren Folien- beziehungsweise Materiallagen ausgeführt sein. Ein flexibler Folienaufbau erlaubt das Anbringen des Transponderetiketts auch auf einem unebenen Untergrund.The in the 10A and 10B shown film structure can be performed with flexible or rigid foil or material layers. A flexible film structure allows the attachment of the transponder label even on an uneven surface.
Anhand der 11A, 11B, 11C und 11D werden Verfahren erläutert, mit denen sich feststellen lässt, ob eine Einwirkung, beispielsweise eine Manipulation, an der Transpondervorrichtung erfolgt ist. 11A zeigt das Transponderetikett 1000, das auf einem Untergrund 2000, beispielsweise einem mit dem Etikett zu kennzeichnenden Gegenstand, aufgeklebt ist. In einem bestimmten Abstand zu dem Transponderetikett ist ein Lesegerät 3000 positioniert. Zum Auslesen des in dem Transponderchip der Transpondervorrichtung gespeicherten Datums sendet das Lesegerät 3000 ein Lesesignal LS in Richtung auf die Transpondervorrichtung aus. Nach dem Einkoppeln des Lesesignals in die Antennenanordnung der Transpondervorrichtung erzeugt die Transpondervorrichtung ein Antwortsignal AS, das von der Antennenanordnung der Transpondervorrichtung ausgesendet wird. Die zur Erzeugung des Antwortsignals AS notwendige Energie wird üblicherweise dem eingekoppelten Feld des Lesesignals entnommen.Based on 11A . 11B . 11C and 11D Methods are explained with which it can be determined whether an action, such as a manipulation, has been made on the transponder device. 11A shows the transponder label 1000 on a background 2000 , For example, an item to be labeled with the label, is glued. At a certain distance from the transponder label is a reader 3000 positioned. For reading out the date stored in the transponder chip of the transponder device, the reader sends 3000 a read signal LS in the direction of the transponder device. After the coupling of the read signal into the antenna arrangement of the transponder device, the transponder device generates a response signal AS, which is emitted by the antenna arrangement of the transponder device. The energy required to generate the response signal AS is usually taken from the coupled-in field of the read signal.
Die Transpondervorrichtung erzeugt das Antwortsignal AS mit einem Pegel, der von dem Zustand des Sensorelementes der Transpondervorrichtung abhängig ist. Wenn keine physikalische oder chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist, strahlt die Transpondervorrichtung das Antwortsignal AS mit einem Sollpegel ab. Nach einer physikalischen oder chemischen Einwirkung zum Ablösen des Transponderetiketts von einem Untergrund oder zur Manipulation des in der Transpondervorrichtung gespeicherten Datums ändert das Sensorelement seinen Zustand. Dadurch ändert sich die Impedanz der Antennenanordnung 2. Das Antwortsignal AS wird daher mit einem im Vergleich zu dem Sollpegel erhöhten oder erniedrigten Pegel abgegeben. Das Sensorelement 3 ist derart ausgebildet, dass die Impedanz der Antennenanordnung 2 und somit auch der Pegel des ausgekoppelten Signals verändert wird, der Pegel des Antwortsignals jedoch weiterhin von dem Lesegerät 3000 detektiert werden kann. Nach Empfang des Antwortsignals lässt sich das in dem Transponderchip der Transpondervorrichtung gespeicherte Datum von dem Lesegerät 3000 ermitteln.The transponder device generates the response signal AS at a level which depends on the state of the sensor element of the transponder device. If not physical or chemical action has occurred on the transponder device, the transponder device emits the response signal AS with a desired level. After a physical or chemical action to detach the tag from a substrate or to manipulate the date stored in the tag device, the sensor element changes state. This changes the impedance of the antenna arrangement 2 , The response signal AS is therefore delivered with a level which is increased or decreased in comparison to the desired level. The sensor element 3 is formed such that the impedance of the antenna arrangement 2 and thus also the level of the decoupled signal is changed, the level of the response signal but still from the reader 3000 can be detected. Upon receipt of the response signal, the date stored in the transponder chip of the transponder device can be read by the reader 3000 determine.
Das Lesegerät enthält eine Vergleichseinrichtung 3100. Nach Empfang des Antwortsignals AS wird der empfangene Pegel von dem Lesegerät 3000 mit dem Sollpegel des Antwortsignals verglichen. Bei einer Abweichung zwischen dem empfangenen Pegel und dem Sollpegel kann auf eine Änderung des Zustands des Sensorelements und damit auf ein physikalisches oder chemisches Einwirken auf die Transpondervorrichtung geschlossen werden. Das Lesegerät kann in diesem Fall ein Warnsignal ausgeben, das einem Benutzer anzeigt, dass das von dem Lesegerät ausgelesene Datum möglicherweise manipuliert wurde beziehungsweise dass eine physikalische oder chemische Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist.The reader contains a comparison device 3100 , Upon receipt of the response signal AS, the received level is read by the reader 3000 compared with the desired level of the response signal. In the event of a deviation between the received level and the nominal level, it is possible to deduce a change in the state of the sensor element and thus a physical or chemical action on the transponder device. In this case, the reader may issue a warning signal indicating to a user that the date read by the reader may have been tampered with or that a physical or chemical action has been applied to the transponder device.
Bei der in 11B gezeigten Ausführungsform des Verfahrens wird das Verändern der Lesereichweite einer Transpondervorrichtung zum Festellen einer äußeren Einwirkung auf die Transpondervorrichtung genutzt. Aufgrund einer Manipulation an der Transpondervorrichtung verändert das Sensorelement seinen Zustand, wodurch auch die Lesereichweite der Transpondervorrichtung geändert wird. Um festzustellen, ob eine äußere Einwirkung auf die Transpondervorrichtung stattgefunden hat, sendet ein Lesegerät 3000 ein Lesesignal LS in Richtung der Transpondervorrichtung. Das Lesesignal LS wird mit dem gleichen Pegel bei unterschiedlichen Abständen D zwischen dem Lesegerät 3000 und dem Transponderetikett 1000 erzeugt. Wenn eine Manipulation an dem Transponderetikett erfolgt ist, sendet die Transpondervorrichtung 100 sendet ein Antwortsignal AS bei einem Abstand zwischen Lesegerät und Transpondervorrichtung aus, der gegenüber dem Abstand, bei dem eine nicht manipulierte Transpondervorrichtung ein Antwortsignal auskoppelt, erhöht oder erniedrigt ist. Somit lässt sich durch eine Abstandsvariation zwischen Lesegerät und Transpondervorrichtung und dem Detektieren des Antwortsignals in einem bestimmten Abstand feststellen, ob eine äußere Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist.At the in 11B In the embodiment of the method shown, changing the reading range of a transponder device is used to detect an external influence on the transponder device. Due to a manipulation on the transponder device, the sensor element changes its state, as a result of which the reading range of the transponder device is also changed. To determine if an external impact has occurred on the transponder device, send a reader 3000 a read signal LS in the direction of the transponder device. The read signal LS is at the same level at different distances D between the reader 3000 and the transponder label 1000 generated. If a tampering with the transponder label has occurred, the transponder device transmits 100 sends out a response signal AS at a distance between the reader and the transponder device, which is increased or decreased in relation to the distance at which a non-manipulated transponder device decouples a response signal. Thus, it can be determined by a distance variation between the reader and transponder device and the detection of the response signal at a certain distance, whether an external effect on the transponder device has taken place.
11C zeigt eine weitere Ausführungsform des Verfahrens zum Feststellen eines äußeren Einwirkens auf die Transpondervorrichtung. Auf einem Untergrund 2000, beispielsweise einem zu kennzeichnenden Gegenstand, ist das Transponderetikett 1000 mit einer Transponderanordnung 100 angeklebt. Zum Auslesen der Transpondervorrichtung wird in unmittelbarer Nähe zu dem Transponderetikett 1000 eine weitere Transpondervorrichtung 101 angeordnet, die als Referenztransponder verwendet wird. Ein Lesegerät 3000, das sich in einem Abstand von den beiden Transpondervorrichtungen befindet, sendet ein Lesesignal LS in Richtung auf die beiden Transpondervorrichtungen aus. 11C shows a further embodiment of the method for detecting an external impact on the transponder device. On a surface 2000 , for example, an object to be marked, is the transponder label 1000 with a transponder arrangement 100 glued. To read the transponder device is in close proximity to the transponder label 1000 another transponder device 101 arranged, which is used as a reference transponder. A reader 3000 located at a distance from the two transponder devices sends out a read signal LS towards the two transponder devices.
Beim Empfang des Lesesignals LS antwortet die Transpondervorrichtung 100 als auch die Transpondervorrichtung 101 jeweils mit einem Antwortsignal AS1 beziehungsweise AS2. Wenn an der Transpondervorrichtung 100 eine Manipulation erfolgt ist, weist das von der Transpondervorrichtung 100 abgegebene Antwortsignal AS1 einen zu dem von der Referenztranspondervorrichtung 101 ausgesendeten Antwortsignal AS2 geänderten Pegel auf. Aufgrund einer Antikollisionseigenschaft der beiden Antwortsignale können beide Signale AS1 und AS2 von dem Lesegerät 3000 empfangen werden. Das Lesegerät 3000 enthält eine Vergleichseinheit 3100, in der die Pegel des Antwortsignals AS1 und des Antwortsignals AS2 ausgewertet und miteinander verglichen werden. Wenn die empfangenen Pegel der Antwortsignale voneinander abweichen, kann eine Einwirkung auf die Transpondervorrichtung 100 festgestellt werden. Das Lesegerät kann in diesem Fall beispielsweise ein Warnsignal ausgeben und somit einen Benutzer auf eine Manipulation an der Transpondervorrichtung 100 aufmerksam machen.Upon receipt of the read signal LS, the transponder device responds 100 as well as the transponder device 101 each with a response signal AS1 or AS2. If at the transponder device 100 a manipulation has taken place, that of the transponder device 100 delivered response signal AS1 one to that of the Referenztranspondervorrichtung 101 emitted response signal AS2 changed level. Due to an anti-collision property of the two response signals, both signals AS1 and AS2 can be read by the reader 3000 be received. The reader 3000 contains a comparison unit 3100 in which the levels of the response signal AS1 and the response signal AS2 are evaluated and compared with each other. If the received levels of the response signals differ from each other, an effect on the transponder device 100 be determined. The reader may in this case, for example, issue a warning signal and thus a user to a manipulation of the transponder device 100 to draw attention.
11D zeigt eine weitere Ausführungsform zum Feststellen eines unerwünschten Einwirkens auf die Transpondervorrichtung 100. Die Transpondervorrichtung 100 ist in ein Transponderetikett integriert, das an einem Gegenstand 2000 befestigt ist. Ein Lesegerät 3000 umfasst eine Steuereinrichtung 3200, die ein Lesesignal LS mit unterschiedlichen Signalpegeln erzeugen kann. Wenn an der Transpondervorrichtung 100 keine physikalische oder chemische Einwirkung stattgefunden hat, wird die Transpondervorrichtung beim Einkoppeln eines Sollpegels in die Antennenanordnung 2 mit dem Auskoppeln eines Antwortsignals AS reagieren. Um festzustellen, ob eine Einwirkung auf die Transpondervorrichtung erfolgt ist, wird die Stärke des Lesesignals LS von dem Lesegerät 3000 ausgehend von einem Anfangspegel erhöht und die Detektion eines von der Transpondervorrichtung ausgegebenen Antwortsignals von dem Lesegerät überwacht. 11D shows another embodiment for detecting undesirable effects on the transponder device 100 , The transponder device 100 is integrated into a transponder label attached to an object 2000 is attached. A reader 3000 comprises a control device 3200 which can generate a read signal LS with different signal levels. If at the transponder device 100 no physical or chemical action has taken place, the transponder device is in the coupling of a desired level in the antenna assembly 2 react with the coupling out of a response signal AS. In order to determine whether an action has been made on the transponder device, the strength of the read signal LS is determined by the reader 3000 increases from an initial level and monitors the detection of a response signal output by the transponder device from the reader.
Wenn das Lesegerät 3000 das Antwortsignal AS infolge des Abstrahlens des Lesesignals mit dem Sollpegel detektiert, kann festgestellt werden, dass auf die Transpondervorrichtung keine physikalische oder chemische Einwirkung stattgefunden hat. Wenn hingegen das Antwortsignal beim Abstrahlen des Lesesignals mit einem Pegel unterhalb oder oberhalb des Sollpegels empfangen wird, kann festgestellt werden, dass eine äußere Einwirkung auf die Transponderanordnung erfolgt ist. In diesem Fall kann das Lesegerät 3000 ein Warnsignal ausgeben.If the reader 3000 detects the response signal AS due to the emission of the read signal to the target level, it can be determined that no physical or chemical action has taken place on the transponder device. If, on the other hand, the response signal is received when the read signal is emitted at a level below or above the desired level, it can be determined that an external effect on the transponder arrangement has taken place. In this case, the reader can 3000 to issue a warning signal.
Die anhand der 11A, 11B, 11C und 11D erläuterten Verfahren zum Feststellen eines äußeren Einwirkens auf die Transpondervorrichtung lassen sich sowohl bei passiven Transpondern, bei denen die Energie zum Betreiben der Transponder aus dem eingekoppelten Signal entnommen wird, als auch bei aktiven Transpondervorrichtungen, bei denen die Energie zum Betreiben der Transponder von einer Stützbatterie bereitgestellt wird, einsetzen. Die Verfahren ermöglichen es, dass charakteristische Parameter einer Transpondervorrichtung, beispielsweise der Speicherumfang, Luftschnittstellen-Standards, Übertragunsprotokolle sowie die Hardware- und Softwareumgebung nahezu unverändert ausgewählt werden können. Das Feststellen eines äußeren Einwirkens auf die Transpondervorrichtung wird lediglich durch Auswertung der Signalstärken des Lesesignals oder des Antwortsignals ermittelt. Bei einer Manipulation an dem Transponderetikett bleibt die Funktionalität der Transpondervorrichtung erhalten, so dass der Dateninhalt des Transponderchips wie üblich weiterhin ausgelesen werden kann.The basis of the 11A . 11B . 11C and 11D explained methods for detecting an external impact on the transponder device can be used both in passive transponders, in which the energy for operating the transponder is removed from the injected signal, as well as in active transponder devices in which the energy to operate the transponder provided by a backup battery will use. The methods enable characteristic parameters of a transponder device, such as the memory size, air interface standards, transmission protocols, and the hardware and software environment, to be selected virtually unchanged. The detection of an external effect on the transponder device is determined only by evaluating the signal strengths of the read signal or the response signal. In the case of a manipulation on the transponder label, the functionality of the transponder device is retained so that the data content of the transponder chip can continue to be read as usual.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
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11
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Transponderchiptransponder chip
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22
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Antennenanordnungantenna array
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33
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Sensorelementsensor element
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44
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Antennenbrückeantenna bridge
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55
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kapazitive Strukturcapacitive structure
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66
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induktive Strukturinductive structure
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1111
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Primär-AntennePrimary antenna
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1212
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Sekundär-AntenneSecondary antenna
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2121
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Primär-AntennePrimary antenna
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2222
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Sekundär-AntenneSecondary antenna
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3131
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veränderbarer Widerstandvariable resistance
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3232
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veränderbarer Kondensatorvariable capacitor
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310310
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Trägermaterialsupport material
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311311
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leitfähige Partikelconductive particles
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312312
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Trägermaterialsupport material
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313313
-
leitfähige Partikelconductive particles
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100100
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Transpondervorrichtungtransponder device
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200200
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Folienlagefilm layer
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300300
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Klebeschichtadhesive layer
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400400
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Folienlagefilm layer
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10001000
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Transponderetiketttransponder tag
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20002000
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Untergrundunderground
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30003000
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Lesegerätreader
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31003100
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Vergleichseinheitcomparing unit
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32003200
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Steuerungseinheit für LesesignalpegelControl unit for read signal level
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LSLS
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Lesesignalread signal
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ASAS
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Antwortsignalanswer signal
