DE102008049779A1

DE102008049779A1 - Optoelectronic device for use as e.g. window, has LEDs arranged at two opposite side surfaces of support body, and support body and electrodes are partially radiation-permeable with respect to radiation emitted from LEDs

Info

Publication number: DE102008049779A1
Application number: DE200810049779
Authority: DE
Inventors: Arndt Dr. Jaeger
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2008-09-30
Filing date: 2008-09-30
Publication date: 2010-04-01

Abstract

The device has LEDs (2) arranged at two opposite side surfaces of a support body (1) i.e. glass panel. An electrode (3a) is arranged at a main surface (6) of the support electrode. A liquid crystal layer (4) is arranged on an electrode side that is turned away from the supporting body. Another electrode (3b) is arranged on a liquid crystal layer side that is turned away from the former electrode. The radiation emitted from the LEDs is supplied to the support body. The support body and the electrodes are partially radiation-permeable with respect to the radiation emitted from the LEDs. An independent claim is also included for a method for operating an optoelectronic device.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine optoelektronische Vorrichtung mit einem Trägerkörper, einer Vielzahl von Licht emittierenden Dioden und einer Flüssigkristallschicht. Weiterhin betrifft die Erfindung Verfahren zum Betrieb einer solchen optoelektronischen Vorrichtung.The The present invention relates to an optoelectronic device with a carrier body, one Plurality of light emitting diodes and a liquid crystal layer. Furthermore, the invention relates to methods for operating such optoelectronic device.

Es sind unter anderem optoelektronische Vorrichtungen bekannt, die eine aktive organische Schicht aufweisen, die zwischen zwei mit semitransparenten Elektroden versehenen Trägerkörpern angeordnet und elektrisch zum Leuchten angeregt ist. Die aktive organische Schicht ist dabei jedoch nachteilig anfällig gegen Umwelteinflüsse, wie beispielsweise Feuchtigkeit.It Among other things, optoelectronic devices are known which have an active organic layer, which between two with arranged semitransparent electrodes provided carrier bodies and electrically is excited to shine. The active organic layer is included however disadvantageously prone against environmental influences, such as moisture.

Nichttransparente optische Vorrichtungen, beispielsweise Flächenlichtquellen, weisen herkömmlicherweise eine Streuscheibe und eine Leuchtstofflampe beziehungsweise ein LED-Array auf. Diese optischen Vorrichtungen weisen jedoch nicht die Eigenschaft der Transparenz auf. Die optischen Vorrichtungen sind demnach lediglich als Flächenlichtquellen nutzbar.not Transparent Optical devices, for example, surface light sources, conventionally a diffuser and a fluorescent lamp or a LED array on. However, these optical devices do not have the property of transparency. The optical devices are therefore only as surface light sources available.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine optoelektronische Vorrichtung anzugeben, die insbesondere eine verlängerte Lebensdauer aufweist und gleichzeitig vielfältig einsetzbar ist. Ferner ist es Aufgabe der Erfindung, Verfahren zum Betrieb einer solchen optoelektronischen Vorrichtung anzugeben.Of the Invention is based on the object, an optoelectronic device Specify, in particular, has a prolonged life and at the same time diverse can be used. It is another object of the invention to provide methods for To specify operation of such an optoelectronic device.

Diese Aufgaben werden unter anderem durch eine optoelektronische Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und Verfahren zum Betrieb einer solchen optoelektronischen Vorrichtung mit den Merkmalen der Patentansprüche 13 bis 15 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und bevorzugte Weiterbildungen der Vorrichtung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These Tasks are inter alia by an optoelectronic device with the features of claim 1 and method of operation Such an optoelectronic device with the features of claims 13 to 15 solved. Advantageous embodiments and preferred developments of the device are the subject of dependent Claims.

Erfindungsgemäß ist eine optoelektronische Vorrichtung vorgesehen, die einen Trägerkörper, eine Vielzahl von Licht emittierenden Dioden, eine Flüssigkristallschicht, eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode aufweist. Die Licht emittierenden Dioden sind an zumindest einer Seitenfläche des Trägerkörpers angeordnet. Die erste Elektrode ist auf einer Hauptfläche des Trägerkörpers angeordnet. Die Flüssigkristallschicht ist auf der von dem Trägerkörper abgewandten Seite der ersten Elektrode angeordnet. Die zweite Elektrode ist auf der von der ersten Elektrode abgewandten Seite der Flüssigkristallschicht angeordnet. Ferner sind der Trägerkörper, die erste und die zweite Elektrode für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung zumindest teilweise strahlungsdurchlässig.According to the invention is a Optoelectronic device provided, which has a carrier body, a plurality of light emitting diodes, a liquid crystal layer, a first one Having electrode and a second electrode. The light-emitting Diodes are arranged on at least one side surface of the carrier body. The first Electrode is on a major surface arranged the carrier body. The liquid crystal layer is on the side facing away from the carrier body Side of the first electrode arranged. The second electrode is on the side of the liquid crystal layer facing away from the first electrode arranged. Furthermore, the carrier body, the first and the second electrode for the radiation emitted by the light-emitting diodes at least partially radiation-permeable.

Die optoelektronische Vorrichtung ist als so genannte Flächenlichtquelle ausgebildet. Insbesondere ist eine Flächenlichtquelle eine Lichtquelle, bevorzugt eine Beleuchtungsvorrichtung, die sich durch eine im Verhältnis zur Tiefe große Hauptfläche und gleichzeitig insbesondere durch eine möglichst geringe Tiefe auszeichnet. Die optoelektronische Vorrichtung ist demnach möglichst flächig ausgebildet, beispielsweise vergleichbar mit einer Fensterscheibe.The Optoelectronic device is called a surface light source educated. In particular, a surface light source is a light source, preferably a lighting device, which is characterized by a relative to Deep big main area and at the same time characterized in particular by the lowest possible depth. The optoelectronic device is accordingly formed as flat as possible, for example comparable to a windowpane.

Durch Kombination eines Trägerkörpers und einer Vielzahl von Licht emittierenden Dioden mit einer Flüssigkristallschicht ist es nicht notwendig, wie herkömmlicherweise eine aktive organische Schicht über der Hauptfläche in der optoelektronischen Vorrichtung anzuordnen. Dadurch lassen sich Nachteile, die durch die organische Schicht entstehen können, wie beispielsweise die Gefahr der Schädigung der organischen Schicht durch Umwelteinflüsse, wie beispielsweise Feuchtigkeit, reduzieren. Durch die Verwendung einer Flüssigkristallschicht anstelle der aktiven organischen Schicht kann so eine optoelektronische Vorrichtung erzielt werden, die vergleichsweise zu herkömmlichen Vorrichtungen widerstandsfähig gegen beispielsweise Umwelteinflüsse ist. Dadurch verbessert sich, insbesondere verlängert sich, die Lebensdauer einer solchen optoelektronischen Vorrichtung.By Combination of a carrier body and a Variety of light-emitting diodes with a liquid crystal layer it is not necessary, as usual an active organic layer over the main surface to be arranged in the optoelectronic device. Leave it disadvantages that can arise through the organic layer, such as for example, the risk of damage to the organic layer by environmental influences, such as moisture, reduce. By use a liquid crystal layer instead of the active organic layer can thus be an optoelectronic Device are achieved, compared to conventional Devices resistant against, for example, environmental influences is. This improves, in particular, extends the life such an optoelectronic device.

Ferner erfolgt mit Vorteil durch die Vielzahl von Licht emittierenden Dioden, die an zumindest einer Seitenfläche des Trägerkörpers angeordnet sind, eine verbesserte Effizienz der optoelektronischen Vorrichtung. Die optoelektronische Vorrichtung kann durch die Anordnung der Vielzahl von Licht emittierenden Dioden effizient, insbesondere intensiv, Licht abstrahlen, wobei insbesondere die von der Vorrichtung emittierte Flächenstrahlung den Betrachter mit Vorteil nicht nachteilig beeinflusst, wie beispielsweise blendet.Further takes advantage of the plurality of light-emitting diodes, the at least one side surface arranged the carrier body are, an improved efficiency of the optoelectronic device. The optoelectronic device may be characterized by the arrangement of the plurality of light-emitting diodes efficiently, in particular intensively, Emitting light, in particular those emitted by the device surface radiation the viewer with advantage not adversely affected, such as dazzles.

Dieser Vorteil wird durch die Verteilung der von der Vielzahl von Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung, die sich über eine große Hauptfläche des Trägerkörpers erstreckt, erzielt. Optoelektronische Vorrichtungen, die beispielsweise zur Strahlungserzeugung Punktlichtquellen, wie beispielsweise Glühlampen, aufweisen, üben nachteilig eine erhebliche Blendwirkung auf den Betrachter aus. Dieser Nachteil kann durch eine optoelektronische Vorrichtung mit einer Vielzahl von Licht emittierenden Dioden, die zumindest an einer Seitenfläche des Trägerkörpers angeordnet sind, reduziert werden.This Advantage is due to the distribution of the variety of light emitting diodes emit radiation that spreads over a size main area extends the carrier body, achieved. Optoelectronic devices, for example, the Radiation generation point light sources, such as incandescent lamps, have, practice disadvantageous a significant glare on the viewer. This disadvantage can be achieved by an optoelectronic device a plurality of light-emitting diodes, at least at a side surface arranged the carrier body are to be reduced.

Ferner kann durch die optoelektronische Vorrichtung, bei der die Vielzahl von Licht emittierenden Dioden an zumindest einer Seitenfläche des Trägerkörpers angeordnet sind, eine großflächige Beleuchtungsvorrichtung erzielt werden, die sich insbesondere durch eine effiziente und bevorzugt möglichst homogene Abstrahlcharakteristik auszeichnet. Die Vielzahl der Licht emittierenden Dioden sind dabei so an zumindest einer Seitenfläche des Trägerkörpers angeordnet, dass der Trägerkörper auf der Hauptfläche, auf der die Flüssigkristallschicht und die Elektroden angeordnet sind, eine im Wesentlichen homogene Abstrahlcharakteristik aufweist. Die Strahlungsaustrittsseite der von der optoelektronischen Vorrichtung emittierten Strahlung ist vorzugsweise die Hauptfläche des Trägerkörpers, auf der die erste Elektrode, die Flüssigkristallschicht und die zweite Elektrode angeordnet sind.Further, by the optoelectronic device, in which the plurality of light-emitting diodes are arranged on at least one side surface of the carrier body, a large-area lighting device can be achieved, which in particular by an efficient and preferably pos as homogeneous as possible. The plurality of light-emitting diodes are arranged on at least one side surface of the carrier body such that the carrier body has a substantially homogeneous emission characteristic on the main surface on which the liquid-crystal layer and the electrodes are arranged. The radiation exit side of the radiation emitted by the optoelectronic device is preferably the main surface of the carrier body, on which the first electrode, the liquid crystal layer and the second electrode are arranged.

Der Trägerkörper, die erste und die zweite Elektrode sind für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung zumindest teilweise strahlungsdurchlässig. Insbesondere weisen der Trägerkörper, die erste und die zweite Elektrode einen geringen Absorptionsgrad für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung auf. Bevorzugt ist der Absorptionsgrad des Trägerkörpers, der ersten und der zweiten Elektrode weniger als 40%, besonders bevorzugt weniger als 20%.Of the Carrier body, the First and second electrodes are for those emitting from the light Diodes emitted radiation at least partially transparent to radiation. Especially show the carrier body, the first and the second electrode a low degree of absorption for from radiation emitted by the light emitting diodes. Prefers is the degree of absorption of the carrier body, the First and second electrode less than 40%, more preferably less than 20%.

Durch die zumindest teilweise Strahlungsdurchlässigkeit des Trägerkörpers, der ersten und der zweiten Elektrode ist die optoelektronische Vorrichtung vielfältig einsetzbar. Im Vergleich zu herkömmlichen nichttransparenten Flächenlichtquellen ist so die erfindungsgemäße optoelektronische Vorrichtung mit Vorteil sowohl als beispielsweise strahlungsdurchlässige Vorrichtung, wie beispielsweise ein Fenster, als auch als strahlungsundurchlässige Vorrichtung, wie beispielsweise als Raumteiler, geeignet.By the at least partially radiation permeability of the carrier body, the first and second electrodes is the optoelectronic device diverse used. Compared to conventional non-transparent area light sources so the optoelectronic invention Device with advantage both as a radiation-transmissive device, such as a window, as well as a radiopaque device, such as a room divider, suitable.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung sind die Licht emittierenden Dioden an zwei sich gegenüberliegenden Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnet.at In a preferred embodiment, the light emitting diodes on two opposite ones faces arranged the carrier body.

Bevorzugt sind dabei die Licht emittierenden Dioden so an den Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnet, dass sich jeweils zwei Licht emittierende Dioden gegenüberliegen.Prefers are the light emitting diodes on the side surfaces of the Carrier body arranged, that in each case two light-emitting diodes face each other.

Durch die gegenüberliegende Anordnung der Licht emittierenden Dioden an den Seitenflächen des Trägerkörpers wird eine möglichst homogene Abstrahlcharakteristik der von den optoelektronischen Vorrichtungen emittierten Strahlung an der Strahlungsaustrittsseite erzielt.By the opposite Arrangement of light-emitting diodes on the side surfaces of the Carrier body is one possible homogeneous radiation characteristic of the optoelectronic devices emitted radiation at the radiation exit side achieved.

Der Trägerkörper wirkt dabei als Lichtleiter für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung. Durch eine sich gegenüberliegende Anordnung der Licht emittierenden Dioden kann so die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung besonders gleichmäßig in den Trägerkörper eingekoppelt und darin geleitet werden. Eine nahezu homogene Auskopplung an der Hauptfläche des Trägerkörpers, auf der die Elektroden und die Flüssigkristallschicht angeordnet sind, wird somit ermöglicht.Of the Carrier body acts as a light guide for the radiation emitted by the light-emitting diodes. By an opposite one Arrangement of light-emitting diodes can be that of the light emitting diodes emitted radiation particularly evenly in the Carrier body coupled and be guided in it. A nearly homogeneous extraction at the main area of the carrier body, on the electrodes and the liquid crystal layer are arranged, is thus possible.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist der Trägerkörper eine Glasscheibe.at In another preferred embodiment, the carrier body is a Glass pane.

Eine Glasscheibe zeichnet sich vor allem als stabiler und für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung strahlungsdurchlässiger Trägerkörper aus. Insbesondere ist eine Glasscheibe mit Vorteil zur Lichtleitung im sichtbaren Bereich besonders geeignet.A Glass pane stands out above all as more stable and for those of the radiation emitted by the light-emitting diodes radiation-permeable carrier body. In particular, a glass pane with advantage to the light pipe in visible area particularly suitable.

Zur Erzielung einer nahezu homogenen Lichtabstrahlung über die Hauptfläche der Vorrichtung ist eine möglichst verlustfreie Lichtleitung in dem Trägerkörper notwendig. Das setzt eine geringe Absorption der Strahlung in dem Trägerkörper voraus. Eine Glasscheibe als Trägerkörper erfüllt mit Vorteil diese Eigenschaften.to Achieving a nearly homogeneous light emission over the main area the device is one possible lossless light pipe in the carrier body necessary. That sets one low absorption of the radiation in the carrier body ahead. A glass pane as a carrier body met with Advantage of these properties.

Bevorzugt basieren die Licht emittierenden Dioden auf einem Nitrid-, einem Phosphid- oder einem Arsenid-Verbindungshalbleiter. ”Auf Nitrid-, Phosphid- oder Arsenid-Verbindungshalbleiter basierend” bedeutet im vorliegenden Zusammenhang, dass die aktive Epitaxieschichtenfolge oder zumindest eine Schicht davon ein III/V-Halbleitermaterial mit der Zusammensetzung In_xGa_yAl_1-x-yP oder In_xGa_yAl_1-x-yN oder In_xGa_yAl_1-x-yAs, jeweils mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1, umfasst.Preferably, the light-emitting diodes are based on a nitride, a phosphide or an arsenide compound semiconductor. "Based on nitride, phosphide or arsenide compound semiconductor" in the present context means that the active epitaxial layer sequence or at least one layer thereof is a III / V semiconductor material having the composition In _x Ga _y Al _1-xy P or In _x Ga _y Al _1-xy N or In _x Ga _y Al _1-xy As, each with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1.

Bevorzugt emittieren die Licht emittierenden Dioden jeweils Strahlung im farbigen oder im weißen Wellenlängenbereich. Besonders bevorzugt emittieren die Licht emittierenden Dioden jeweils Strahlung in einem ähnlichen Wellenlängenbereich.Prefers The light-emitting diodes emit radiation in each case in color or in the white wavelength range. Particularly preferably, the light-emitting diodes emit each Radiation in a similar Wavelength range.

Insbesondere liegt die Abweichung der Wellenlängenbereiche der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung bei weniger als 100 nm.Especially is the deviation of the wavelength ranges the radiation emitted by the light-emitting diodes at less than 100 nm.

Alternativ können die Licht emittierenden Dioden jeweils Strahlung in unterschiedlichen Wellenlängenbereichen emittieren. Durch Farbmischung der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung kann so eine optoelektronische Vorrichtung erzielt werden, die beispielsweise weißes Licht oder farbiges Licht in einem gewünschten Spektralbereich emittiert.alternative can the light emitting diodes each radiation in different Wavelength ranges emit. By color mixing of the light emitting diodes emitted radiation can be such an optoelectronic device achieved, for example, white light or colored light in a desired Spectral range emitted.

Die Licht emittierenden Dioden weisen jeweils eine aktive Schicht auf, die einen pn-Übergang, eine Doppelheterostruktur, eine Einfachquantentopfstruktur oder eine Mehrfachquantentopfstruktur zur Strahlungserzeugung aufweist.The Light emitting diodes each have an active layer, the one pn junction, one Double heterostructure, a single quantum well structure or a Having multiple quantum well structure for generating radiation.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung sind die Licht emittierenden Dioden jeweils mit einer Strahlungsaustrittsseite an dem Trägerkörper befestigt.In a preferred embodiment the light-emitting diodes are each attached to the carrier body with a radiation exit side.

Bevorzugt koppelt jeweils die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung in den Trägerkörper ein.Prefers each couples the emitted from the light-emitting diodes Radiation in the carrier body.

Besonders bevorzugt sind die Licht emittierenden Dioden mit einer Strahlungsaustrittsseite an zumindest einer Seitenfläche des Trägerkörpers befestigt, wobei jeweils die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung in den Trägerkörper einkoppelt. Die in den Trägerkörper eingekoppelte Strahlung wird in dem Trägerkörper vorzugsweise so geleitet, dass eine möglichst homogene Abstrahlung an der Hauptfläche des Trägerkörpers, auf der die Elektroden und die Flüssigkristallschicht angeordnet sind, ausgekoppelt wird.Especially preferred are the light-emitting diodes with a radiation exit side on at least one side surface attached to the carrier body, each of which emitted by the light-emitting diodes Radiation couples into the carrier body. The radiation coupled into the carrier body is preferably in the carrier body so that one as possible homogeneous radiation on the main surface of the carrier body, on which the electrodes and the liquid crystal layer are arranged, is decoupled.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung ist an den Seitenflächen des Trägerkörpers jeweils eine Licht reflektierende Schicht angeordnet. Dabei weisen die Licht reflektierende Schicht oder die Licht reflektierenden Schichten, die an der oder an den Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnet sind, an denen Licht emittierende Dioden angeordnet sind, Aussparungen in Bereichen der Licht emittierenden Dioden auf. Insbesondere weisen diese Licht reflektierenden Schichten jeweils eine Aussparung im Bereich jeweils einer Licht emittierenden Diode auf.at a preferred embodiment is on the side surfaces of Carrier body respectively arranged a light-reflecting layer. This is shown by the light reflective layer or the light reflecting layers, those on or on the side surfaces arranged the carrier body are at which light-emitting diodes are arranged, recesses in areas of light-emitting diodes. In particular, show these light-reflecting layers each have a recess in the Each area of a light-emitting diode.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung weist der Trägerkörper eine Hauptfläche von mindestens 0,5 m² auf. Beispielsweise weist der Trägerkörper eine Hauptfläche in einem Bereich von einschließlich 0,8 m × 0,8 m bis 1,2 m × 1,2 m auf. Vorzugsweise beträgt die Hauptfläche mindestens 1 m².In a preferred embodiment, the carrier body has a main area of at least 0.5 m ² . For example, the support body has a major surface in a range of 0.8 mx 0.8 m to 1.2 mx 1.2 m inclusive. Preferably, the main area is at least 1 m ² .

Die Hauptfläche des Trägerkörpers muss nicht zwingend eine quadratische Fläche sein. Alternativ kann die Hauptfläche des Trägerkörpers rechteckigförmig ausgebildet sein. Ebenso ist eine kreisförmige oder ellipsenförmige Hauptfläche möglich.The main area the carrier body does not have to Mandatory a square area be. Alternatively, the main surface of the carrier body may be rectangular in shape be. Likewise is a circular or elliptical main area possible.

Ein Trägerkörper, der eine Hauptfläche in dem oben genannten Bereich aufweist, kann beispielsweise als Fenster oder als Raumteiler Verwendung finden. Insbesondere ist eine optische Vorrichtung mit einem Trägerkörper in dem oben genannten Bereich als Flächenlichtquelle geeignet.One Carrier body, the a main surface in the above-mentioned range, for example, as Use windows or as a room divider. In particular an optical device having a support body in the above-mentioned range as a surface light source suitable.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der optoelektronischen Vorrichtung sind die Licht emittierenden Dioden an vier Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnet, wobei jeweils die Licht emittierenden Dioden einen Abstand zueinander von weniger als 20 cm, bevorzugt zwischen einschließlich 1 cm und einschließlich 20 cm, besonders bevorzugt zwischen einschließlich 5 cm und einschließlich 15 cm, aufweisen.at a preferred embodiment of the optoelectronic device are the light emitting diodes on four side surfaces of the Carrier body arranged, wherein each of the light emitting diodes at a distance from each other less than 20 cm, preferably between 1 inclusive cm and including 20 cm, more preferably between 5 cm inclusive and 15 inclusive cm.

Beispielsweise weist der Trägerkörper eine Hauptfläche in einem Bereich zwischen 0,8 m × 0,8 m und 1,2 m × 1,2 m auf, wobei an vier Seitenflächen des Trägerkörpers die Licht emittierenden Dioden angeordnet sind, die jeweils einen Abstand zueinander in einem Bereich zwischen einschließlich 8 cm und einschließlich 12 cm aufweisen.For example the carrier body has a main surface in one Range between 0.8 m × 0.8 m and 1.2 m × 1.2 m on, with four sides of the Carrier body the Light emitting diodes are arranged, each having a distance to each other in a range between 8 cm inclusive and 12 inclusive cm.

Eine so ausgebildete optoelektronische Vorrichtung weist mit Vorteil eine homogene Abstrahlcharakteristik der von der Vorrichtung emittierten Strahlung auf.A thus formed optoelectronic device has an advantage a homogeneous radiation characteristic emitted by the device Radiation on.

An der Strahlungsaustrittsseite der optoelektronischen Vorrichtung ist eine Flüssigkristallschicht zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode, die beide bevorzugt semitransparent für die von der Vorrichtung emittierten Strahlung ist, angeordnet.At the radiation exit side of the optoelectronic device is a liquid crystal layer between a first electrode and a second electrode, both preferred semitransparent for the radiation emitted by the device is arranged.

Eine Flüssigkristallschicht enthält Flüssigkristalle, die aus lang gestreckten Molekülen bestehen. Ohne anliegendes elektrisches Feld sind die Flüssigkristalle mit ihren Längsachsen willkürlich zueinander angeordnet. Wird dagegen ein elektrisches Feld an die Flüssigkristallschicht angelegt, richten sich die Flüssigkristalle relativ zueinander aus.A liquid crystal layer contains liquid crystals those from elongated molecules consist. Without applied electric field are the liquid crystals with their longitudinal axes arbitrarily arranged to each other. If, however, an electric field to the liquid crystal layer applied, the liquid crystals align themselves relative to each other.

Befinden sich die Flüssigkristalle in einem ungeordneten Zustand, d. h. liegt kein elektrisches Feld an, so weist die Flüssigkristallschicht blickundurchlässige Eigenschaften auf, insbesondere stellt sich ein milchig-trüber Zustand ein. Die blickundurchlässigen Eigenschaften werden durch einen hohen Streugrad von Strahlung in der Flüssigkristallschicht erzielt. In die Flüssigkristallschicht eintretende Strahlung wird an den willkürlich zueinander angeordneten Flüssigkristallen mit hoher Wahrscheinlichkeit gestreut. Insbesondere beträgt der Streugrad an den willkürlich zueinander angeordneten Flüssigkristallen mehr als 80%.Are located itself the liquid crystals in a disordered state, i. H. There is no electric field on, so has the liquid crystal layer blickundurchlässige Properties, in particular, turns a milky-dull state one. The opaque ones Properties are characterized by a high degree of spreading of radiation in achieved the liquid crystal layer. In the liquid crystal layer Incoming radiation is at the arbitrarily arranged liquid crystals with high probability scattered. In particular, the degree of spreading is to the arbitrary more liquid crystal arranged to each other than 80%.

Befinden sich die Flüssigkristalle dagegen in einem relativ zueinander geordneten Zustand, d. h. liegt ein elektrisches Feld an, so weist die Flüssigkristallschicht blickdurchlässige Eigenschaften auf, insbesondere stellt sich ein transparenter Zustand ein. Der transparente Zustand ergibt sich durch einen niedrigen Streugrad von Strahlung in der Flüssigkristallschicht. Insbesondere wird in die Flüssigkristallschicht eintretende Strahlung mit niedriger Wahrscheinlichkeit an den ausgerichteten Flüssigkristallen gestreut. Insbesondere beträgt der Streugrad an den zueinander ausgerichteten Flüssigkristallen weniger als 10%.Are located itself the liquid crystals while in a relatively ordered state, i. H. lies an electric field, so the liquid crystal layer has translucent properties in particular, a transparent state arises. Of the transparent state results from a low degree of spreading of radiation in the liquid crystal layer. In particular, in the liquid crystal layer incoming radiation with low probability at the aligned Liquid crystals scattered. In particular, amounts the spreading wheel on the aligned liquid crystals less than 10%.

Nach Abschalten des elektrischen Feldes stellt sich der ursprünglich ungeordnete Zustand der Moleküle der Flüssigkristalle wieder ein, d. h. die Flüssigkristallschicht weist wieder blickundurchlässige Eigenschaften auf.After switching off the electric field, the originally disordered state of Molecules of liquid crystals again, ie, the liquid crystal layer has again opaque properties.

Insbesondere weist die Flüssigkristallschicht sowohl im Zustand der willkürlich zueinander angeordneten Flüssigkristalle als auch im Zustand der zueinander ausgerichteten Flüssigkristalle eine Lichtdurchlässigkeit von Strahlung bevorzugt im sichtbaren Wellenlängenbereich, d. h. eine Strahlungstransmission, von vorzugsweise über 70%, besonders bevorzugt von etwa 77% auf. Der blickundurchlässige Zustand, beziehungsweise der transparente Zustand, der Flüssigkristallschicht wird demnach nicht mittels des Transmissionsgrades dieser Schicht, sondern mittels des Streugrades an den Flüssigkristallen der Flüssigkristallschicht erzielt.Especially has the liquid crystal layer both in the state of arbitrary arranged liquid crystals to each other as well as in the state of aligned liquid crystals a translucency of radiation preferably in the visible wavelength range, d. H. a radiation transmission, preferably above 70%, more preferably about 77%. The opaque state, or the transparent state, the liquid crystal layer becomes accordingly not by means of the transmittance of this layer, but by means of of the spreading wheel on the liquid crystals of liquid crystal layer achieved.

Insbesondere ist unter Streugrad von Strahlung in einer Schicht das Verhältnis des Anteils der in der Schicht gestreuten Strahlung zu der auftreffenden Gesamtstrahlung zu verstehen.Especially is the degree of dispersion of radiation in a layer Proportion of the radiation scattered in the layer to the impinging To understand total radiation.

Bei einer bevorzugten Ausgestaltung der Vorrichtung sind die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht so ausrichtbar, dass die Flüssigkristallschicht für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung einen Streugrad von weniger als 10% aufweist. Der Transmissionsgrad der Flüssigkristallschicht in dem Wellenlängenbereich der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung beträgt bevorzugt mehr als 70%, besonders bevorzugt 77% oder mehr.at A preferred embodiment of the device are the liquid crystals the liquid crystal layer so alignable that the liquid crystal layer for the Radiation emitted by the light-emitting diodes has a spreading degree of less than 10%. The transmittance of the liquid crystal layer in the wavelength range the radiation emitted by the light-emitting diodes is preferred more than 70%, more preferably 77% or more.

Sind die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht wie oben beschrieben ausgerichtet, ist die Streuung der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung an den Flüssigkristallen gering. Der größte Teil der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung bleibt somit in dem Trägerkörper gefangen, ohne eine Streuung an Flüssigkristallen der Flüssigkristallschicht zu erfahren. Die optische Vorrichtung ist in diesem Fall für sichtbare Strahlung zumindest größtenteils transparent.are the liquid crystals the liquid crystal layer aligned as described above, the dispersion of the Light emitting diodes emitted radiation to the liquid crystals low. The biggest part the radiation emitted by the light-emitting diodes remains thus trapped in the carrier body, without a scattering of liquid crystals the liquid crystal layer to experience. The optical device in this case is visible radiation at least for the most part transparent.

An die Licht emittierenden Dioden kann dabei keine elektrische Spannung angelegt sein, sodass die Licht emittierenden Dioden keine Strahlung emittieren.At the light-emitting diodes can not generate electrical voltage so that the light-emitting diodes do not emit radiation.

In diesem Fall kann die optoelektronische Vorrichtung als Fenster verwendet werden.In In this case, the optoelectronic device can be used as a window become.

Alternativ kann an die Licht emittierenden Dioden eine elektrische Spannung angelegt sein, sodass die Licht emittierenden Dioden Strahlung emittieren.alternative can be an electrical voltage to the light-emitting diodes be applied so that the light emitting diodes emit radiation.

Auch in diesem Fall fungiert die optoelektronische Vorrichtung als Fenster. Die zumindest teilweise Transparenz der optoelektronischen Vorrichtung wird hierbei durch Anlegen einer Spannung an die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht erreicht.Also In this case, the optoelectronic device acts as a window. The at least partial transparency of the optoelectronic device This is done by applying a voltage to the liquid crystals the liquid crystal layer reached.

In dem Trägerkörper geführte Moden der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung werden dabei in dem Trägerkörper so geleitet, dass in diesem Fall nur ein geringer Teil der Strahlung aus der optoelektronischen Vorrichtung ausgekoppelt wird.In the carrier body guided modes become the radiation emitted by the light-emitting diodes radiation doing so in the carrier body Guided that in this case only a small part of the radiation is decoupled from the optoelectronic device.

Bei einer weiteren Ausgestaltung der optoelektronischen Vorrichtung sind die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht so ausrichtbar, dass die Flüssigkristallschicht für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung einen Streugrad von mehr als 80% aufweist. Der Transmissionsgrad der Flüssigkristallschicht beträgt auch in diesem Fall bevorzugt mehr als 70%, besonders bevorzugt 77% oder mehr.at a further embodiment of the optoelectronic device are the liquid crystals the liquid crystal layer so alignable that the liquid crystal layer for the Radiation emitted by the light-emitting diodes has a spreading degree of more than 80%. The transmittance of the liquid crystal layer is also in this case preferably more than 70%, particularly preferred 77% or more.

In diesem Betriebszustand ist demnach die Flüssigkristallschicht zumindest blickundurchlässig.In Accordingly, the liquid crystal layer is at least in this operating state blickundurchlässig.

Dabei kann an die Licht emittierenden Dioden keine elektrische Spannung angelegt sein, sodass die Licht emittierenden Dioden keine Strahlung emittieren. In diesem Fall fungiert die optoelektronische Vorrichtung beispielsweise als Wand, als Sichtschutz oder als Raumteiler.there can not apply electrical voltage to the light-emitting diodes so that the light-emitting diodes do not emit radiation. In this case, the optoelectronic device functions, for example as a wall, as a privacy screen or as a room divider.

Alternativ kann an die Licht emittierenden Dioden eine elektrische Spannung angelegt sein, sodass die Licht emittierenden Dioden Strahlung emittieren. In diesem Fall findet die optoelektronische Vorrichtung unter anderem als Flächenlichtquelle Verwendung.alternative can be an electrical voltage to the light-emitting diodes be applied so that the light emitting diodes emit radiation. In this case, the optoelectronic device finds among others as surface light source use.

Daneben ist die optoelektronische Vorrichtung blickundurchlässig. Die Licht emittierenden Dioden sind elektrisch angeschlossen und emittieren somit Strahlung. Die emittierte Strahlung wird in den Trägerkörper eingekoppelt und dort geleitet, wodurch mit Vorteil eine nahezu homogene Verteilung der Strahlung in dem Trägerkörper entsteht. Die in dem Trägerkörper geleitete Strahlung kann über die Hauptfläche des Trägerkörpers, auf der die Elektroden und die Flüssigkristallschicht aufgebracht sind, ausgekoppelt werden. Eine Verwendung der optischen Vorrichtung als Flächenlichtquelle wird so ermöglicht.Besides the optoelectronic device is opaque. The Light emitting diodes are electrically connected and emit thus radiation. The emitted radiation is coupled into the carrier body and passed there, which advantageously provides a nearly homogeneous distribution the radiation is generated in the carrier body. The guided in the carrier body Radiation can over the main surface of the carrier body, on the electrodes and the liquid crystal layer are applied, be decoupled. A use of the optical Device as a surface light source is made possible.

Um eine möglichst homogen leuchtende Abstrahlfläche der optoelektronischen Vorrichtung zu erzielen, ist eine möglichst verlustfreie Lichtleitung im Trägerkörper notwendig. Das setzt eine möglichst geringe Absorption im Trägerkörper und hohe Reflexionsgrade an der Trägerkörper/Luft-Grenzfläche, die der Hauptfläche mit darauf angeordneten Elektroden und Flüssigkristallschicht gegenüberliegt voraus. Die Strahlungsauskopplung findet dabei im Wesentlichen an der Trägerkörper/Flüssigkristallschicht-Grenzfläche statt, so dass die Trägerkörper/Flüssigkristallschicht-Grenzfläche einen geringeren Reflektionsgrad aufweist als die Trägerkörper/Luft-Grenzfläche.In order to achieve as homogeneous a luminous emission surface of the optoelectronic device, a possible lossless light conduction in the carrier body is necessary. This requires the lowest possible absorption in the support body and high reflectivities at the support body / air interface, which is opposite to the main surface with electrodes and liquid crystal layer disposed thereon. The radiation decoupling takes place essentially at the carrier body / liquid crystal layer interface, so that the carrier body / liquid crystal layer interface has a lower degree of reflection than the carrier body / air interface.

Eine optoelektronische Vorrichtung kann sich mit Vorteil abhängig vom Anlegen eines elektrischen Feldes an die Flüssigkristallschicht und/oder abhängig vom Anlegen eines elektrischen Feldes an die Licht emittierenden Dioden in verschiedenen Betriebszuständen befinden. Dadurch kann mit Vorteil durch eine Änderung des elektrischen Feldes und/oder der Spannung somit der Betriebszustand der Vorrichtung geändert werden. Eine optoelektronische Vorrichtung, die vielfältig einsetzbar ist, kann so ermöglicht werden.A Optoelectronic device can be advantageous depending on Applying an electric field to the liquid crystal layer and / or depending on Applying an electric field to the light-emitting diodes in different operating states are located. This can advantageously by changing the electric field and / or the voltage thus the operating state of the device to be changed. An optoelectronic device that can be used in a variety of ways can thus be made possible.

Ein Verfahren zum Betrieb einer optoelektronischen Vorrichtung zeichnet sich vorzugsweise dadurch aus, dass die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht so ausgerichtet werden, dass die Flüssigkristallschicht blickundurchlässig ist.One Method for operating an optoelectronic device records Preferably, characterized in that the liquid crystals of the liquid crystal layer be aligned so that the liquid crystal layer is opaque.

Alternativ können die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht so ausgerichtet werden, dass die Flüssigkristallschicht transparent ist.alternative can the liquid crystals the liquid crystal layer be aligned so that the liquid crystal layer is transparent is.

An die Licht emittierenden Dioden kann dabei eine elektrische Spannung angelegt werden, so dass die Licht emittierenden Dioden Strahlung emittieren oder keine elektrische Spannung angelegt werden, so dass die Licht emittierenden Dioden keine Strahlung emittieren.At the light-emitting diodes can be an electrical voltage be applied so that the light-emitting diode radiation emit or no electrical voltage can be applied, so that the light-emitting diodes do not emit radiation.

Eine Vorrichtung, die abhängig von dem temporären Betriebszustand für unterschiedliche Anwendungen einsetzbar ist, kann so erzielt werden. Beispielsweise kann so eine Vorrichtung, abhängig von dem temporären Betriebszustand, als Fenster, als Flächenlichtquelle und als Raumteiler/Sichtschutz Verwendung finden.A Device that is dependent from the temporary Operating condition for different applications can be used, can be achieved. For example, such a device, depending on the temporary operating state, as a window, as a surface light source and used as a room divider / privacy screen.

Weitere Merkmale, Vorteile, bevorzugte Ausgestaltungen und Zweckmäßigkeiten der optoelektronischen Vorrichtung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:Further features, advantages, preferred embodiments and expediencies of the optoelectronic device will become apparent from the following in connection with the 1 to 4 explained embodiments. Show it:

1A eine schematische Aufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Vorrichtung, 1A a schematic plan view of an embodiment of a device according to the invention,

1B einen schematischen Querschnitt des Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Vorrichtung aus 1A, 1B a schematic cross section of the embodiment of the device according to the invention from 1A .

2 eine schematische Ansicht eines ersten Betriebszustands der erfindungsgemäßen Vorrichtung aus 1A, 2 a schematic view of a first operating state of the device according to the invention from 1A .

3 eine schematische Ansicht eines zweiten Betriebszustands der erfindungsgemäßen Vorrichtung aus 1A, und 3 a schematic view of a second operating state of the device according to the invention 1A , and

4 eine schematische Ansicht eines weiteren Betriebszustands der erfindungsgemäßen Vorrichtung aus 1A. 4 a schematic view of another operating state of the device according to the invention from 1A ,

Gleich oder gleich wirkende Bestandteile sind jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen.Equal or equivalent components are always the same Provided with reference numerals. The illustrated components as well as the proportions the constituents are not to be considered as true to scale.

1A stellt eine optoelektronische Vorrichtung dar, die einen Trägerkörper 1 und an Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnete Licht emittierende Dioden 2 aufweist. Die Licht emittierenden Dioden 2 weisen jeweils eine aktive Schicht zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung auf. Ferner weisen die Licht emittierenden Dioden 2 jeweils Kontaktschichten zur elektrischen Kontaktierung auf. Die Licht emittierenden Dioden 2 können vorzugsweise über elektrische Leiterbahnen, beispielsweise über eine Platine, elektrisch leitend miteinander verbunden sein. Insbesondere können die Licht emittierenden Dioden parallel oder seriell miteinander elektrisch leitend verbunden sein. Ferner können die Licht emittierenden Dioden elektrisch leitend miteinander mittels einer Kombination aus Parallelschaltung und Serienschaltung verbunden sein. 1A represents an optoelectronic device, which is a carrier body 1 and arranged on side surfaces of the carrier body light-emitting diodes 2 having. The light-emitting diodes 2 each have an active layer for generating electromagnetic radiation. Furthermore, the light-emitting diodes 2 each contact layers for electrical contacting. The light-emitting diodes 2 can preferably be electrically connected to one another via electrical conductor tracks, for example via a circuit board. In particular, the light-emitting diodes can be connected in parallel or in series with each other in an electrically conductive manner. Further, the light-emitting diodes may be electrically conductively connected to each other by means of a combination of parallel connection and series connection.

Die Licht emittierenden Dioden 2 sind in dem Ausführungsbeispiel der 1A an zwei gegenüberliegenden Seitenflächen des Trägerkörpers 1 angeordnet. Insbesondere sind die Licht emittierenden Dioden 2 so an den Seitenflächen des Trägerkörpers angeordnet, dass sich jeweils zwei Licht emittierende Dioden 2 gegenüberliegen.The light-emitting diodes 2 are in the embodiment of 1A on two opposite side surfaces of the carrier body 1 arranged. In particular, the light emitting diodes 2 arranged on the side surfaces of the carrier body, that in each case two light-emitting diodes 2 are opposite.

Durch eine gegenüberliegende Anordnung der Licht emittierenden Dioden 2 an den Seitenflächen des Trägerkörpers 1 ergibt sich mit Vorteil eine nahezu homogene Abstrahlcharakteristik der optischen Vorrichtung.By an opposite arrangement of the light-emitting diodes 2 on the side surfaces of the carrier body 1 advantageously results in a nearly homogeneous emission characteristic of the optical device.

Die Anordnung der Licht emittierenden Dioden 2 an dem Trägerkörper 1 ist nicht auf zwei gegenüberliegende Seitenflächen des Trägerkörpers 1 beschränkt. Insbesondere können die Licht emittierenden Dioden 2 an allen vier Seitenflächen des Trägerkörpers 1 angeordnet sein. Dadurch ergibt sich mit Vorteil eine verbesserte homogene Abstrahlcharakteristik der optoelektronischen Vorrichtung.The arrangement of light-emitting diodes 2 on the carrier body 1 is not on two opposite side surfaces of the carrier body 1 limited. In particular, the light emitting diodes 2 on all four side surfaces of the carrier body 1 be arranged. This advantageously results in an improved homogeneous emission characteristic of the optoelectronic device.

Bevorzugt sind jeweils an den Seitenflächen des Trägerkörpers 1 Licht reflektierende Schichten angeordnet (nicht dargestellt). Dabei weisen die Licht reflektierenden Schichten, die an den Seitenflächen des Trägerkörpers 1 angeordnet sind, an denen auch die Licht emittierenden Dioden 2 angeordnet sind, jeweils in Bereichen der Licht emittierenden Dioden 2 Aussparungen auf. Die Licht emittierenden Dioden 2 weisen jeweils eine Strahlungsaustrittsseite auf. Bevorzugt sind die Licht emittierenden Dioden 2 jeweils mit der Strahlungsaustrittsseite an der Seitenfläche des Trägerkörpers 1 befestigt. Die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung koppelt so in den Trägerkörper 1 ein.Preferably, in each case on the side surfaces of the carrier body 1 Light reflecting layers arranged (not shown). This is shown by the light reflective layers attached to the side surfaces of the carrier body 1 are arranged, in which also the light-emitting diodes 2 are arranged, respectively in areas of light-emitting diodes 2 Recesses on. The light-emitting diodes 2 each have a radiation exit side. The light-emitting diodes are preferred 2 each with the radiation exit side on the side surface of the carrier body 1 attached. The radiation emitted by the light-emitting diodes thus couples into the carrier body 1 one.

Bevorzugt ist zwischen der Strahlungsaustrittsseite der Licht emittierenden Dioden 2 und der Seitenfläche des Trägerkörpers 1, an der die Licht emittierenden Dioden 2 angeordnet sind, ein Index-matching-Gel, beispielsweise Epoxydharz, angeordnet (nicht dargestellt). Besonders bevorzugt ist das Index-matching-Gel jeweils in der Licht emittierenden Diode angeordnet, beispielsweise mittels eines Gehäuses, dass die Licht emittierende Diode und das Index-matching-Gel enthält.It is preferred between the radiation exit side of the light-emitting diodes 2 and the side surface of the carrier body 1 at which the light-emitting diodes 2 arranged, an index-matching gel, such as epoxy resin, arranged (not shown). Particularly preferably, the index-matching gel is in each case arranged in the light-emitting diode, for example by means of a housing which contains the light-emitting diode and the index-matching gel.

Durch das Index-matching-Gel kann die Einkopplung der von den Licht emittierenden Dioden emittierten Strahlung in den Trägerkörper verbessert werden. Insbesondere wird durch das Index-matching-Gel der Brechungsindexunterschied des Materials der Licht emittierenden Diode, beispielsweise ein Halbleitermaterial, und des Materials des Trägerkörpers, beispielsweise Glas, reduziert. Insbesondere reduzieren sich so mit Vorteil Reflexionsverluste, die an der Grenzfläche zwischen der Licht emittierenden Diode und dem Trägerkörper auftreten können.By the index-matching gel can be the coupling of the light-emitting Diodes emitted radiation can be improved in the carrier body. Especially The refractive index difference is differentiated by the index-matching gel the material of the light-emitting diode, for example a Semiconductor material, and the material of the carrier body, for example glass, reduced. In particular, reflection losses are thus advantageously reduced at the interface occur between the light-emitting diode and the carrier body can.

Die Licht emittierenden Dioden 2 emittieren bevorzugt Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich, bevorzugt farbiges oder weißes Licht. Es ist nicht zwingend notwendig, dass alle Licht emittierenden Dioden 2 Strahlung im gleichen Wellenlängenbereich emittieren. Die Licht emittierenden Dioden 2 können auch Strahlung in verschiedenen Wellenlängenbereichen emittieren, sodass sich insgesamt die von der optoelektronischen Vorrichtung emittierte Strahlung aus einer Farbmischung der von den Licht emittierenden Dioden 2 emittierten Strahlung ergibt. So kann mit Vorteil eine optoelektronische Vorrichtung erzielt werden, die beispielsweise weißes Licht oder Licht in einer gewünschten Mischfarbe emittiert.The light-emitting diodes 2 preferably emit radiation in the visible wavelength range, preferably colored or white light. It is not mandatory that all light-emitting diodes 2 Emit radiation in the same wavelength range. The light-emitting diodes 2 can also emit radiation in different wavelength ranges, so that the total of the radiation emitted by the optoelectronic device radiation from a color mixture of the light-emitting diodes 2 emitted radiation results. Thus, an optoelectronic device can advantageously be achieved which emits, for example, white light or light in a desired mixed color.

Der Trägerkörper 1 dient bevorzugt als Lichtleiter für die von den Licht emittierenden Dioden 2 emittierte Strahlung. Dazu weist der Trägerkörper 1 bevorzugt ein Material mit einem höheren Brechungsindex als das Umgebungsmedium auf, so dass die von den Licht emittierenden Dioden 2 emittierte Strahlung an der Grenzfläche zwischen Trägerkörper 1 und umgebenden Medium, beispielsweise Luft, totalreflektiert wird. Vorzugsweise ist der Trägerkörper 1 eine Glasscheibe.The carrier body 1 preferably serves as a light guide for the light-emitting diodes 2 emitted radiation. For this purpose, the carrier body 1 prefers a material with a higher refractive index than the surrounding medium, so that the light emitting diodes 2 emitted radiation at the interface between carrier body 1 and surrounding medium, for example air, is totally reflected. Preferably, the carrier body 1 a glass pane.

Die in 1A dargestellte optoelektronische Vorrichtung weist eine rechteckige Hauptfläche auf. Alternativ kann die Hauptfläche des Trägerkörpers 1 unter anderem beispielsweise quadratisch, rund, oval oder elliptisch ausgebildet sein.In the 1A The optoelectronic device shown has a rectangular main surface. Alternatively, the main surface of the carrier body 1 be designed, for example, square, round, oval or elliptical.

Die optoelektronische Vorrichtung weist bevorzugt als Strahlungsaustrittsseite 6 eine der Hauptflächen des Trägerkörpers 1 auf.The optoelectronic device preferably has a radiation exit side 6 one of the main surfaces of the carrier body 1 on.

Wie in 1B dargestellt ist auf der Strahlungsaustrittsseite 6 des Trägerkörpers 1 zwischen zwei Elektroden 3a, 3b eine Flüssigkristallschicht 4 angeordnet. Insbesondere ist auf einer Hauptfläche des Trägerkörpers 1 eine erste Elektrode 3a angeordnet. Der ersten Elektrode 3a nachfolgend ist eine Flüssigkristallschicht 4 angeordnet. Auf der von der ersten Elektrode 3a abgewandten Seite der Flüssigkristallschicht 4 ist eine zweite Elektrode 3b angeordnet.As in 1B is shown on the radiation exit side 6 of the carrier body 1 between two electrodes 3a . 3b a liquid crystal layer 4 arranged. In particular, on a major surface of the carrier body 1 a first electrode 3a arranged. The first electrode 3a below is a liquid crystal layer 4 arranged. On the from the first electrode 3a opposite side of the liquid crystal layer 4 is a second electrode 3b arranged.

Bevorzugt ist die erste Elektrode 3a, die direkt auf der Hauptfläche des Trägerkörpers 1 angeordnet ist, sehr dünn ausgebildet. Dadurch verbessert sich mit Vorteil die Einkopplung der Strahlung, die in dem Trägerkörper 1 geführt ist, in die Flüssigkristallschicht 4. Die Strahlungsauskoppeleffizienz aus der optoelektronischen Vorrichtung verbessert sich mit Vorteil.The first electrode is preferred 3a placed directly on the main surface of the carrier body 1 is arranged, very thin. This advantageously improves the coupling of the radiation in the carrier body 1 is guided into the liquid crystal layer 4 , The radiation extraction efficiency from the optoelectronic device improves with advantage.

Ferner sind zwischen der ersten Elektrode 3a und der zweiten Elektrode 3b Abstandshalter 5a, 5b angeordnet. Die Abstandshalter 5a, 5b legen einen festen Abstand zwischen der ersten Elektrode 3a und der zweiten Elektrode 3b fest. Dadurch wird bevorzugt die Gefahr der Schädigung der Flüssigkristallschicht 4, die sich aufgrund eines zu geringen Abstands zwischen den Elektroden 3a und 3b ergeben könnte, reduziert.Further, between the first electrode 3a and the second electrode 3b spacer 5a . 5b arranged. The spacers 5a . 5b set a fixed distance between the first electrode 3a and the second electrode 3b firmly. As a result, the danger of damage to the liquid crystal layer is preferred 4 due to a too small distance between the electrodes 3a and 3b could result, reduced.

Ferner verbessert sich die Homogenität der Auskoppeleffizienz der Strahlung aus der optoelektronischen Vorrichtung durch die Abstandshalter 5a, 5b. Insbesondere ergibt sich durch die Abstandshalter 5a, 5b eine vorgegebene Schichtdicke der Flüssigkristallschicht 4, so dass ein vorgegebener lateral homogener Streugrad in der Flüssigkristallschicht 4 erzielt werden kann.Furthermore, the homogeneity of the coupling-out efficiency of the radiation from the optoelectronic device by the spacers improves 5a . 5b , In particular, results from the spacers 5a . 5b a predetermined layer thickness of the liquid crystal layer 4 such that a given laterally homogeneous spreading degree in the liquid crystal layer 4 can be achieved.

Die Flüssigkristallschicht 4 weist bevorzugt Flüssigkristalle auf, die aus lang gestreckten Molekülen bestehen. Bei Anlegen eines elektrischen Feldes an der ersten Elektrode 3a und der zweiten Elektrode 3b sind die Flüssigkristalle mit ihren Längsachsen ausgerichtet. Dadurch stellt sich größtenteils ein blickdurchlässiger Zustand, insbesondere ein transparenter Zustand der Flüssigkristallschicht 4 ein. Bei Abschalten des elektrischen Feldes dagegen sind die Flüssigkristalle willkürlich ausgerichtet und es stellt sich ein blickundurchlässiger Zustand in der Flüssigkristallschicht 4 ein.The liquid crystal layer 4 preferably has liquid crystals consisting of elongate molecules. Upon application of an electric field to the first electrode 3a and the second electrode 3b the liquid crystals are aligned with their longitudinal axes. As a result, a largely translucent state, in particular a transparent state of the liquid-crystal layer, arises for the most part 4 one. On the other hand, when the electric field is turned off, the liquid crystals are arbitrarily aligned and an opaque state is established in the liquid crystal layer 4 one.

Die erste Elektrode 3a und die zweite Elektrode 3b sind ebenso wie der Trägerkörper 1 für die von den Licht emittierenden Dioden emittierte Strahlung zumindest teilweise strahlungsdurchlässig. Insbesondere ist der Absorptionsgrad des Trägerkörpers, der ersten und der zweiten Elektrode für die von den Licht emittierenden Dioden 2 emittierte Strahlung möglichst gering, bevorzugt weniger als 40%, besonders bevorzugt weniger als 20%.The first electrode 3a and the second electrode 3b are as well as the carrier body 1 at least partially transparent to radiation emitted by the light-emitting diodes radiation. In particular, the degree of absorption of the carrier body, the first and the second electrode for the light-emitting diodes 2 emitted radiation as low as possible, preferably less than 40%, more preferably less than 20%.

Die von den Licht emittierenden Dioden 2 emittierte Strahlung ist in 1B durch Pfeile schematisch angedeutet.The light emitting diodes 2 emitted radiation is in 1B indicated schematically by arrows.

Zur Erzeugung einer nahezu homogenen Strahlungsauskopplung aus der optoelektronischen Vorrichtung ist eine möglichst verlustfreie Lichtleitung im Trägerkörper 1 notwendig. Das setzt eine geringe Absorption der Strahlung im Trägerkörper 1 und einen hohen Reflexionsgrad an der Trägerkörper/Umgebung-Grenzfläche 7a voraus. Der Reflexionsgrad an der Trägerkörper/Flüssigkristallschicht-Grenzfläche 7b ist vorzugsweise geringer als der Reflexionsgrad an der Trägerkörper/Umgebung-Grenzfläche 7a, wodurch die gewünschte Lichtauskopplung im Wesentlichen über die Trägerkörper/Flüssigkristallschicht-Grenzfläche 7b erfolgt.To produce a nearly homogeneous radiation extraction from the optoelectronic device is a possible lossless light pipe in the carrier body 1 necessary. This sets a low absorption of radiation in the carrier body 1 and a high reflectance at the carrier body / environment interface 7a ahead. The reflectance at the carrier body / liquid crystal layer interface 7b is preferably less than the reflectance at the carrier body / environment interface 7a , whereby the desired light outcoupling substantially over the carrier body / liquid crystal layer interface 7b he follows.

Die optoelektronische Vorrichtung der 1A kann sich, abhängig vom Anlegen eines elektrischen Feldes an die Flüssigkristallschicht und/oder abhängig vom Anlegen einer elektrischen Spannung an die Licht emittierenden Dioden, in verschiedenen Betriebszuständen befinden. Die Flüssigkristallschicht 4, insbesondere die Moleküle der Flüssigkristalle, zeigen abhängig von dem elektrischen Feld unterschiedliche transparente Eigenschaften. Bei Anlegen eines elektrischen Feldes richten sich die Moleküle der Flüssigkristalle mit ihren Längsachsen aus, sodass die Flüssigkristallschicht 4 blickdurchlässige Eigenschaften aufweist. Nach Abschalten des elektrischen Feldes stellt sich ein ungeordneter Zustand der Flüssigkristalle in der Flüssigkristallschicht 4 ein, wodurch die Flüssigkristallschicht 4 blickundurchlässige Eigenschaften aufweist.The optoelectronic device of 1A may be in different operating states depending on the application of an electric field to the liquid crystal layer and / or depending on the application of an electrical voltage to the light emitting diodes. The liquid crystal layer 4 , in particular the molecules of liquid crystals, show different transparent properties depending on the electric field. When an electric field is applied, the molecules of the liquid crystals align with their longitudinal axes, so that the liquid crystal layer 4 has translucent properties. After switching off the electric field, a disordered state of the liquid crystals in the liquid crystal layer 4 a, whereby the liquid crystal layer 4 has opaque properties.

Dadurch ermöglichen sich mit derselben optischen Vorrichtung, abhängig von der elektrischen Spannung an der Flüssigkristallschicht 4, vielfältige Anwendungsbereiche. In dem blickdurchlässigen Zustand der Flüssigkristallschicht kann die optische Vorrichtung beispielsweise als Fenster verwendet werden. In einem dagegen blickundurchlässigen Zustand der Flüssigkristallschicht kann die optische Vorrichtung beispielsweise als Raumteiler, als Sichtschutz, als Wand oder als Flächenlichtquelle verwendet werden.This makes it possible with the same optical device, depending on the voltage at the liquid crystal layer 4 , diverse applications. In the view-transmitting state of the liquid crystal layer, the optical device may be used as a window, for example. On the other hand, in a non-transparent state of the liquid crystal layer, the optical device can be used, for example, as a space divider, as a privacy screen, as a wall, or as an area light source.

Mit Vorteil ist die Leistungsaufnahme der Flüssigkristallschicht 4 gering. Beispielsweise beträgt die Leistungsaufnahme etwa 0,1 μW/cm². Die erforderlichen Feldstärken liegen dabei beispielsweise bei etwa 0,1 V/μm, sodass bei Verwendung von Abstandshaltern 5a, 5b, die zwischen der ersten und zweiten Elektrode 3a, 3b angeordnet sind und eine Dicke von etwa 10 μm aufweisen, die Spannungen bei etwa 1 V liegen.Advantageously, the power consumption of the liquid crystal layer 4 low. For example, the power consumption is about 0.1 μW / cm ² . The required field strengths are, for example, about 0.1 V / μm, so when using spacers 5a . 5b between the first and second electrodes 3a . 3b are arranged and have a thickness of about 10 microns, the voltages are about 1 V.

Bei Temperaturen in einem Bereich zwischen 5°C und 65°C weisen die Flüssigkristallschicht 4, insbesondere die Moleküle der Flüssigkristalle, mit Vorteil Schaltzeiten von weniger als 10 msek auf und können so in einem derartigen Temperaturbereich effektiv genutzt werden.At temperatures in a range between 5 ° C and 65 ° C have the liquid crystal layer 4 , in particular the molecules of the liquid crystals, advantageously switching times of less than 10 ms and can be used effectively in such a temperature range.

Ausführungsbeispiele verschiedener Betriebszustände der optoelektronischen Vorrichtung aus 1A sind in den 2 bis 4 gezeigt.Embodiments of various operating conditions of the optoelectronic device 1A are in the 2 to 4 shown.

Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel sind die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht 4 so ausgerichtet, dass die Flüssigkristallschicht 4 blickdurchlässige, insbesondere transparente Eigenschaften aufweist.At the in 2 illustrated embodiment, the liquid crystals of the liquid crystal layer 4 aligned so that the liquid crystal layer 4 has translucent, especially transparent properties.

Eine so ausgebildete optoelektronische Vorrichtung fungiert bevorzugt als Fenster. Die Blickdurchlässigkeit der Flüssigkristallschicht 4 wird durch Anlegen einer Spannung an die erste und zweite Elektrode 3a, 3b, und damit an die Flüssigkristallschicht 4, erreicht. Insbesondere richten sich die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht 4 durch Anlegen einer Spannung relativ zueinander aus. Dadurch reduziert sich mit Vorteil der Streugrad von Strahlung in der Flüssigkristallschicht 4. Insbesondere liegt der Streugrad von Strahlung in dem Ausführungsbeispiel der 2 bei weniger als 10%. Die Strahlungstransmission der Flüssigkristallschicht 4 beträgt in diesem Fall mehr als 70%.An optoelectronic device formed in this way preferably functions as a window. The eye transmittance of the liquid crystal layer 4 is done by applying a voltage to the first and second electrodes 3a . 3b , and thus to the liquid crystal layer 4 , reached. In particular, the liquid crystals of the liquid crystal layer are directed 4 by applying a voltage relative to each other. This advantageously reduces the amount of radiation scattering in the liquid-crystal layer 4 , In particular, the spreading of radiation in the embodiment of the 2 at less than 10%. The radiation transmission of the liquid crystal layer 4 in this case is more than 70%.

Bei dem in 2 dargestellten Ausführungsbeispiel ist an die Licht emittierenden Dioden 2 eine elektrische Spannung angelegt, sodass die Licht emittierenden Dioden 2 jeweils Strahlung eines bestimmten Wellenlängenbereichs emittieren (angedeutet als Pfeile). Die Strahlung wird dabei zum größten Teil in dem Trägerkörper 1 geführt. Lediglich ein geringer Teil der Strahlung wird wegen dem geringen Streugrad von Strahlung in der Flüssigkristallschicht 4 aus der optischen Vorrichtung ausgekoppelt.At the in 2 illustrated embodiment is to the light-emitting diodes 2 an electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes 2 each emitting radiation of a certain wavelength range (indicated as arrows). The radiation is for the most part in the carrier body 1 guided. Only a small part of the radiation is due to the low degree of dispersion of radiation in the liquid crystal layer 4 decoupled from the optical device.

Alternativ können die Licht emittierenden Dioden 2 ausgeschaltet sein (nicht dargestellt). Das bedeutet, dass an die Licht emittierenden Dioden 2 keine elektrische Spannung angelegt ist, sodass die Licht emittierenden Dioden 2 keine Strahlung emittieren. Auch in diesem Fall fungiert die optoelektronische Vorrichtung als Fenster.Alternatively, the light emitting diodes 2 be turned off (not shown). That means that to the light-emitting diodes 2 no electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes 2 do not emit radiation. Also in this case, the optoelectronic device functions as a window.

Der Betriebzustand des in 3 dargestellten Ausführungsbeispiels unterscheidet sich von dem Betriebzustand des Ausführungsbeispiels aus 2 dadurch, dass an die Licht emittierenden Dioden 2 keine elektrische Spannung angelegt ist, sodass die Licht emittierenden Dioden 2 keine Strahlung emittieren.The operating state of the in 3 illustrated embodiment differs from the operating state of the embodiment 2 in that to the light-emitting diodes 2 no electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes 2 do not emit radiation.

Ferner unterscheidet sich das in 3 dargestellte Ausführungsbeispiel von dem Ausführungsbeispiel aus 2 dadurch, dass die Flüssigkristalle der Flüssigkristallschicht 4 so ausgerichtet sind, dass die Flüssigkristallschicht 4 für sichtbares Licht größtenteils blickundurchlässig ist.Furthermore, this differs in 3 illustrated embodiment of the embodiment 2 in that the liquid crystals of the liquid crystal layer 4 are aligned so that the liquid crystal layer 4 is largely opaque to visible light.

Die Blickundurchlässigkeit wird mittels Abschaltung der Spannung an den Flüssigkristallen der Flüssigkristallschicht 4 erzielt. Die Flüssigkristallschicht weist nach Abschalten des elektrischen Feldes einen vergleichsweise milchigtrüben Zustand auf. Insbesondere stellt sich nach Abschalten der Spannung an den Flüssigkristallen der Flüssigkristallschicht 4 ein ungeordneter Zustand der Flüssigkristalle relativ zueinander ein. Dadurch erhöht sich im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel aus 2 der Streugrad von sichtbarer Strahlung in der Flüssigkristallschicht 4. Insbesondere beträgt der Streugrad von sichtbarer Strahlung in der Flüssigkristallschicht 4 mehr als 80%. Die Strahlungstransmission der Flüssigkristallschicht 4 beträgt auch in diesem Fall mehr als 70%.The opacity is achieved by switching off the voltage on the liquid crystals of the liquid crystal layer 4 achieved. The liquid crystal layer has a comparatively milky-turbid state after switching off the electric field. In particular, after switching off the voltage to the liquid crystals of the liquid crystal layer 4 a disordered state of the liquid crystals relative to each other. This increases in comparison to the embodiment 2 the spread of visible radiation in the liquid crystal layer 4 , In particular, the degree of diffusion of visible radiation in the liquid crystal layer is 4 more than 80%. The radiation transmission of the liquid crystal layer 4 is more than 70% in this case as well.

Der Betriebszustand des Ausführungsbeispiels der 4 unterscheidet sich von dem Betriebszustand des Ausführungsbeispiels der 3 dadurch, dass an den Licht emittierenden Dioden 2 eine elektrische Spannung angelegt ist, sodass die Licht emittierenden Dioden 2 jeweils Strahlung emittieren.The operating state of the embodiment of the 4 differs from the operating state of the embodiment of the 3 in that at the light emitting diodes 2 an electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes 2 each emitting radiation.

Eine optoelektronische Vorrichtung, die sich in dem Betriebszustand des Ausführungsbeispiels aus 4 befindet, kann beispielsweise als Lampe fungieren. Dabei wird die Strahlung der Licht emittierenden Dioden 2 im Trägerkörper 1 geleitet, wodurch eine nahezu homogene Verteilung der Strahlung in dem Trägerkörper 1 entsteht. Durch Abschalten der Spannung an der Flüssigkristallschicht 4 verliert die Flüssigkristallschicht 4 ihre Blickdurchlässigkeit, wobei die im Trägerkörper 1 geleitete Strahlung über die Hauptfläche 6, auf der die Flüssigkristallschicht 4 aufgebracht ist, ausgekoppelt wird. Mit Vorteil wird dabei ein Großteil der Strahlung wegen dem hohen Streugrad von Strahlung in der Flüssigkristallschicht 4 aus der optischen Vorrichtung ausgekoppelt.An optoelectronic device, which is in the operating state of the embodiment of 4 can act as a lamp, for example. In this case, the radiation of the light-emitting diodes 2 in the carrier body 1 directed, whereby a nearly homogeneous distribution of the radiation in the carrier body 1 arises. By switching off the voltage on the liquid crystal layer 4 loses the liquid crystal layer 4 their eye-perviousness, whereby in the carrier body 1 guided radiation over the main surface 6 on which the liquid crystal layer 4 is applied, is decoupled. Advantageously, a large part of the radiation is due to the high degree of dispersion of radiation in the liquid crystal layer 4 decoupled from the optical device.

Beispielsweise ist bei einer optoelektronischen Vorrichtung mit einem Trägerkörper 1, der eine Hauptfläche von 1 m × 1 m aufweist, ein Gesamtlichtstrom der Licht emittierenden Dioden von beispielsweise etwa 3142 lm erforderlich, um eine Leuchtdichte der optoelektronischen Vorrichtung von beispielsweise etwa 1000 cd/m² zu erzeugen. Dazu ist jedoch eine verlustfreie Einkopplung in den Trägerkörper 1, eine verlustfreie Lichtleitung im Trägerkörper 1 und eine vollständige Auskopplung über die Flüssigkristallschicht 4 notwendig. Ein in einem derartigen Bereich liegender Gesamtlichtstrom kann beispielsweise bereits mit etwa 39 weißen Licht emittierenden Dioden erreicht werden, die bei einem Betriebsstrom von beispielsweise etwa 350 mA einen Lichtstrom von beispielsweise etwa 81 lm emittieren. Beispielsweise können die Licht emittierenden Dioden 2 gleichmäßig an den vier Seitenflächen des Trägerkörpers 1 angeordnet sein und einen gegenseitigen Abstand von beispielsweise etwa 10 cm aufweisen.For example, in an optoelectronic device with a carrier body 1 having a main area of 1 m × 1 m, a total luminous flux of the light emitting diodes of, for example, about 3142 lm is required to produce a luminance of the optoelectronic device of, for example, about 1000 cd / m ² . However, this is a lossless coupling into the carrier body 1 , a lossless light pipe in the carrier body 1 and complete outcoupling across the liquid crystal layer 4 necessary. An overall luminous flux lying in such a range can already be achieved, for example, with about 39 white light-emitting diodes which emit a luminous flux of, for example, about 81 lm at an operating current of, for example, about 350 mA. For example, the light-emitting diodes 2 evenly on the four side surfaces of the carrier body 1 be arranged and have a mutual distance of, for example, about 10 cm.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt, sondern umfasst jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these, but includes every new feature as well as every combination of features, which particularly includes any combination of features in the claims, even if this feature or this combination itself is not explicit in the claims or embodiments is specified.

Claims

Optoelectronic device with a carrier body ( 1 ), a plurality of light emitting diodes ( 2 ), a liquid crystal layer ( 4 ), a first electrode ( 3a ) and a second electrode ( 3b ), wherein - the light emitting diodes ( 2 ) on at least one side surface of the carrier body ( 1 ), - the first electrode ( 3a ) on a main surface of the carrier body ( 1 ), - the liquid crystal layer ( 4 ) on the of the carrier body ( 1 ) facing away from the first electrode ( 3a ), - the second electrode ( 3b ) on the first electrode ( 3a ) facing away from the liquid crystal layer ( 4 ), and - the carrier body ( 1 ), the first and second electrodes ( 3a . 3b ) for the light-emitting diodes ( 2 ) emitted radiation are at least partially transparent to radiation.

Optoelectronic device according to claim 1, wherein the light-emitting diodes ( 2 ) on two opposite side surfaces of the carrier body ( 1 ) are arranged.

Optoelectronic device according to claim 2, wherein the light-emitting diodes ( 2 ) so on the side surfaces of the carrier body ( 1 ) are arranged so that in each case two light-emitting diodes ( 2 ) are opposite.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the carrier body ( 1 ) is a glass sheet.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the light-emitting diodes ( 2 ) each with a radiation exit side on the carrier body ( 1 ) are attached.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein in each case the light emitting diodes ( 2 ) emitted radiation in the carrier body ( 1 ).

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the carrier body ( 1 ) has a major area of at least 0.5 m ² .

Optoelectronic device according to claim 7, wherein - the light-emitting diodes ( 2 ) on four side surfaces of the carrier body ( 1 ), and - in each case the light-emitting diodes ( 2 ) have a distance of less than 20 cm.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the liquid crystals of the liquid crystal layer ( 4 ) are alignable so that the degree of diffusion of radiation in the liquid crystal layer ( 4 ) is less than 20%.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the liquid crystals of the liquid crystal layer ( 4 ) are alignable so that the degree of diffusion of radiation in the liquid crystal layer ( 4 ) is more than 80%.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims, wherein the light-emitting diodes ( 2 ) no electrical voltage is applied, so that the light-emitting diodes ( 2 ) do not emit radiation.

Optoelectronic device according to one of the preceding claims 1 to 10, wherein the light-emitting diodes ( 2 ) an electrical voltage is applied, so that the light-emitting diodes ( 2 ) Emit radiation.

Method for operating an optoelectronic device according to one of the preceding claims 1 to 12, wherein - the liquid crystals of the liquid crystal layer ( 4 ) are aligned so that the degree of diffusion of radiation in the liquid crystal layer ( 4 ) is more than 80%, and - to the light-emitting diodes ( 2 ) an electrical voltage is applied, so that the light-emitting diodes ( 2 ) Emit radiation.

Method for operating an optoelectronic device according to one of the preceding claims 1 to 12, wherein - the liquid crystals of the liquid crystal layer ( 4 ) are aligned so that the degree of diffusion of radiation in the liquid crystal layer ( 4 ) is less than 20%, and - to the light-emitting diodes ( 2 ) no electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes ( 2 ) do not emit radiation.

Method for operating an optoelectronic device according to one of the preceding claims 1 to 12, wherein - the liquid crystals of the liquid crystal layer ( 4 ) are aligned so that the degree of diffusion of radiation in the liquid crystal layer ( 4 ) is more than 80%, and - to the light-emitting diodes ( 2 ) no electrical voltage is applied so that the light-emitting diodes ( 2 ) do not emit radiation.