DE102008047465A1 - Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing - Google Patents
Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008047465A1 DE102008047465A1 DE102008047465A DE102008047465A DE102008047465A1 DE 102008047465 A1 DE102008047465 A1 DE 102008047465A1 DE 102008047465 A DE102008047465 A DE 102008047465A DE 102008047465 A DE102008047465 A DE 102008047465A DE 102008047465 A1 DE102008047465 A1 DE 102008047465A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- housing
- connection elements
- semiconductor module
- distance
- module according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 33
- 239000004033 plastic Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 31
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002318 adhesion promoter Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N oxazine, 1 Chemical compound C([C@@H]1[C@H](C(C[C@]2(C)[C@@H]([C@H](C)N(C)C)[C@H](O)C[C@]21C)=O)CC1=CC2)C[C@H]1[C@@]1(C)[C@H]2N=C(C(C)C)OC1 AICOOMRHRUFYCM-ZRRPKQBOSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49548—Cross section geometry
- H01L23/49551—Cross section geometry characterised by bent parts
- H01L23/49555—Cross section geometry characterised by bent parts the bent parts being the outer leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
- H01L21/4842—Mechanical treatment, e.g. punching, cutting, deforming, cold welding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49586—Insulating layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
TECHNISCHES GEBIETTECHNICAL AREA
Die Erfindung betrifft ein elektronisches Bauteilmodul, welches durch Umspritzen mindestens eines auf einem Leadframe angeordneten und damit kontaktierten Halbleiterchips oder eines auf dem Leadframe angeordneten Trägersubstrates mit einem oder mehreren Halbleiterchips gebildet ist.The The invention relates to an electronic component module, which by Encapsulating at least one arranged on a leadframe and contacted semiconductor chips or one on the leadframe arranged carrier substrate with one or more semiconductor chips is formed.
HINTERGRUNDBACKGROUND
Ein Leadframe (eine mögliche Übersetzung in die deutsche Sprache lautet ”Leiterrahmen” oder ”Anschlussrahmen”) ist eine zumindest annähernd ebene Blechfläche, typischerweise aus einer Kupferlegierung, welche an von den Außenrändern entfernt liegenden Bereichen derart mit Ausstanzungen versehen ist, dass die verbleibenden Flächenbereiche Kontaktelemente, z. B. in Form von Anschlussleitungen („Leads”) zur elektrischen Kontaktierung eines Halbleiterchips, der auf dem Leadframe direkt oder indirekt befestigt ist.One Leadframe (a possible translation into German Language is "leadframe" or "leadframe") is an at least approximately flat sheet surface, typically made of a copper alloy, which from on the outer edges removed areas is provided in such a punched, that the remaining surface areas contact elements, z. B. in the form of leads ("leads") for electrically contacting a semiconductor chip which is located on the Leadframe is attached directly or indirectly.
Zur Herstellung eines beispielhaften elektronischen Halbleitermoduls wird üblicherweise ein Halbleiterchip auf bzw. an dem Leadframe in passender Ausrichtung aufgelegt. Alternativ kann der Halbleiterchip auch auf einem speziellen Substrat, beispielsweise einem DCB-Substrat, angeordnet sein, und das Substrat seinerseits auf dem Leadframe. Die erforderlichen elektrischen Verbindungen zwischen Anschlussflächen (”Pads”), die auf dem Halbleiterchip und/oder dem Substrat angeordnet sein können, und Kontaktelementen (z. B. Anschlussstifte bzw. ”Pins”) des Leadframes werden üblicherweise mittels Bonddrähten oder durch Löten hergestellt. Dann wird die so gebildete Anordnung zwischen die beiden Formhälften eines Werkzeuges einer Kunststoffspritzgussmaschine eingebracht und die Form wird geschlossen. Das Formnest, also der Hohlraum zwischen den Formhälften, erstreckt sich um den Halbleiterchip sowie um die an diesen heran ragenden Bereiche des Leadframes sowie um die Bonddrähte herum. Neben den beiden Formhälften bilden auch weiter vom Halbleiterchip entfernt liegende Bereiche des Leadframes, welcher zwischen den Formhälften eingeklemmt ist, eine Abdichtung des Formnestes.to Production of an exemplary electronic semiconductor module is usually a semiconductor chip on or on the leadframe in a suitable orientation. Alternatively, the semiconductor chip also on a special substrate, for example a DCB substrate, be arranged, and the substrate in turn on the leadframe. The required electrical connections between connection surfaces ("Pads") on the semiconductor chip and / or the substrate can be arranged, and contact elements (eg pins or "pins") of the leadframe are usually by means of bonding wires or made by soldering. Then the arrangement thus formed between the two mold halves of a tool one Plastic injection molding machine introduced and the mold is closed. The mold cavity, ie the cavity between the mold halves, extends around and around the semiconductor chip protruding areas of the leadframe and around the bonding wires around. In addition to the two mold halves also form further from the semiconductor chip remote areas of the leadframe, which between the Mold halves is trapped, a seal of the mold cavity.
Im nächsten Arbeitsgang wird der verbliebene freie Hohlraum des Formnestes durch eine Kunststoffmasse – typischerweise ein schnell aushärtendes Epoxidharz – ausgespritzt, die Form nach dem Erstarren der Masse geöffnet und das darin gebildete Zwischenprodukt entformt.in the next operation will be the remaining free cavity mold cavity by a plastic mass - typically a fast-curing epoxy resin - injected, open the mold after solidifying the mass and that demoulded intermediate formed in it.
In weiteren, miteinander kombinierbaren Arbeitsgängen werden Teile des Leadframes weggestanzt, sodass die einzelnen verbleibenden Anschlussleitungen an das Bauelementmodul nicht mehr elektrisch miteinander verbunden sind und die Anschlussleitungen werden in eine gewünschte Richtung gebogen.In other, combinable operations are Parts of the leadframe punched out, leaving each one remaining Connecting cables to the component module no longer electrically are connected together and the connecting cables are in bent a desired direction.
Da man das Formnest üblicherweise annähernd symmetrisch beidseits des Leadframes anordnet und da das gegossene Gehäuses eine Entformungsschräge aufweisen soll, ist die typische äußere Form des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses die eines Plättchens welches parallel zum Leadframe ausgerichtet liegt und bei welchem die Seitenflächen (Stirnflächen) etwas nach außen geknickt sind. An den Stellen größter Ausknickung der Stirnflächen treten die Anschlussleitungen an das Bauteilmodul durch die Vergussmasse nach außen.There usually the mold cavity is approximately symmetrical arranges on both sides of the leadframe and there the cast housing is to have a Entformungsschräge is the typical outer Shape of the housing formed by the potting compound the a tile which is aligned parallel to the leadframe lies and at which the side surfaces (faces) something outwardly kinked. In the places greatest Bending of the end surfaces occur the connection lines to the component module through the potting compound to the outside.
Die Anschlussleitungen an das Bauteilmodul treten damit in einer einzigen Ebene des etwa plättchenförmigen, durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses aus der Vergussmasse und sie sind von den beiden großen Hauptflächen dieses Gehäuses weniger als dessen Dicke (Höhe) des Bauteilmoduls entfernt. Mit „Hauptflächen” sind im Sinne dieser Beschreibung jene beiden Flächen eines plättchen- oder plattenförmigen Gehäuses gemeint, welche die beiden größten, ebenen, zueinander parallelen Begrenzungsflächen dieses Gehäuses bilden.The Connecting cables to the component module thus come in a single Level of the approximately platelike, through the potting compound formed housing from the potting compound and they are of the two major major surfaces of this housing less as the thickness (height) of the component module removed. With "main surfaces" are in the sense of this description those two surfaces of a platelet or plate-shaped housing meant which the two largest, even, to each other parallel boundary surfaces of this housing form.
Bei
Bauteilmodulen mit großer Nennspannung und kleinen Abmessungen
oder vielen Anschlussleitungen kann es schwierig sein, die erforderliche
Mindestlänge von Luft- und Kriechstromstrecken zwischen
einzelnen Anschlussleitungen untereinander bzw. zwischen Anschlussleitungen
und Kühlkörper – welcher üblicherweise
an einer der beiden Hauptflächen angeordnet ist – einzuhalten.
Beispielsweise ist bei einer Nennspannung von 1700 V, einem CTI
(”Comparative Tracking Index”, Maß für die
Kriechstromfestigkeit) von 600 und bei einem Verschmutzungsgrad
von 2 eine Mindestkriechstrecke von 6.3 mm erforderlich (vgl.
Es besteht daher der Wunsch danach, elektronische Bauteilmodule, welche durch Umspritzen eines auf einem Leadframe angeordneten und damit kontaktierten elektronische Bauteils zu bilden sind, gegenüber dem Stand der Technik dahingehend geändert auszuführen, dass bei Anwendungen mit hohen Nennspannungen, ohne Vergrößerung der Gesamtabmessungen, längere Abstands- und Kriechstrecken zwischen Anschlussleitungen und Kühlkörper möglich sind.It There is therefore a desire for electronic component modules, which by encapsulating a arranged on a leadframe and thus contacted electronic component to form, compared to the state to change the technique so that that in applications with high nominal voltages, without magnification the overall dimensions, longer distance and creepage distances between connecting cables and heat sink possible are.
ÜBERSICHTOVERVIEW
Ein Beispiel der Erfindung betrifft ein Halbleitermodul, das Folgendes aufweist: zumindest einen Halbleiterchip; einen Leadframe mit Anschlusselementen Kontaktierung des Halbleiterchips; und ein zwei parallele Hauptflächen und Seitenflächen aufweisendes Modulgehäuse aus Kunststoffmasse, das den Halbleiterchip umschließt, wobei die Anschlusselemente des Leadframes aus dem Modulgehäuse herausragen und an einer der Hauptflächen in einem ersten Abstand von einer der Seitenflächen aus diesem austreten, sodass die Anschlusselemente zumindest teilweise nicht mehr von der Kunststoffmasse des Gehäuses umgeben sind.An example of the invention relates to a semiconductor module comprising: at least one semiconductor chip; a leadframe with connection elements contacting the semiconductor chip; and a two parallel main surfaces and side surfaces exhibiting module housing made of plastic material, which surrounds the semiconductor chip, wherein the connection elements of the leadframe protrude from the module housing and emerge at one of the main surfaces at a first distance from one of the side surfaces of this, so that the connection elements at least partially no longer from the Plastic compound of the housing are surrounded.
KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGENBRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS
Die folgenden Figuren und die weitere Beschreibung soll helfen, die Erfindung besser zu verstehen. Die Elemente in den Figuren sind nicht unbedingt als Einschränkung zu verstehen, vielmehr wird Wert darauf gelegt, das Prinzip der Erfindung darzustellen. In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen korrespondierende Teile.The following figures and the further description should help, the To understand the invention better. The elements in the figures are not necessarily as a limitation, rather it is important to illustrate the principle of the invention. In the figures, like reference numerals designate corresponding ones Parts.
DETAILLIERTE BESCHREIBUNGDETAILED DESCRIPTION
Entsprechend
der Erfindung treten die aus einem Leadframe hervorgegangenen Anschlusselemente
In einem Beispiel der Erfindung sind die Anschlusselemente mit ihrem ersten Längenbereich mit welchem sie außerhalb der Oberfläche des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses liegen parallel zu einer Hauptebene des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses ausgerichtet und die Vergussmasse erstreckt sich in diesem Längenbereich nicht zwischen die Anschlusselemente. Bei dieser Bauweise kommt man mit sehr wenig Vergussmasse aus.In an example of the invention are the connecting elements with their first length range with which they outside the surface of the housing formed by the potting compound lie parallel to a main plane of the formed by the potting compound Housing aligned and the potting compound extends in this length range, not between the connection elements. In this construction, one comes with very little potting compound.
In einem Beispiel der Erfindung sind die Anschlusselemente mit ihrem ersten Längenbereich mit welchem sie außerhalb der Oberfläche des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses liegen parallel zu einer Hauptebene des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses ausgerichtet und die Vergussmasse erstreckt sich in diesem Längenbereich schon zwischen die Anschlusselemente. Für diese Bauweise kann eine der beiden Formhälften der Spritzgussform sehr einfach ausgeführt sein.In an example of the invention are the connecting elements with their first length range with which they outside the surface of the housing formed by the potting compound lie parallel to a main plane of the formed by the potting compound Housing aligned and the potting compound extends in this length range already between the connection elements. For this construction, one of the two mold halves the injection mold be very simple.
In einem Beispiel der Erfindung sind die Anschlusselemente mit ihrem ersten Längenbereich, mit welchem sie außerhalb der Oberfläche des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses liegen parallel zu einer Hauptebene des durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses ausgerichtet und bevor sie eine Stirnfläche erreichen normal zur Hauptebene von dieser weg gebogen. An den Oberflächenbereichen der Anschlusselemente, welche bei dem Biegevorgang vom Kontakt mit der Verbundmasse getrennt werden, sind diese Anschlusselemente mit einem schon vor dem Vergießen aufgebrachten Trennmittel versehen, welches Haftung an der Vergussmasse zumindest stark vermindert.In an example of the invention are the connecting elements with their first length range with which they are outside the surface of the housing formed by the potting compound lie parallel to a main plane of the formed by the potting compound Housing aligned and before she has a face reach normal to the main plane bent away from this. At the surface areas the connection elements, which in the bending process from contact with the composite mass are separated, these connection elements with an applied before pouring release agent provided which adhesion to the potting compound at least greatly reduced.
Durch das Hochbiegen wird die Kriechstrecke zum Kühlkörper um die Entfernung zur nächsten Stirnseite verlängert. Indem die Anschlusselemente nicht direkt an der Austrittsstelle aus dem durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses gebogen werden sondern erst in einem Abstand dazu, wird die Gefahr von Delamination im Bereich der Austrittsstelle vermindert. Dieser Vorteil ist dann besonders wesentlich, wenn die Anschlusselemente bestimmungsgemäß mit erheblichen Kräften beaufschlagt werden, beispielsweise dann, wenn sie zwecks elektrischer Kontaktierung als Presskontakt ausgeführt sind oder wenn sie durch elastische Vorspannung einen Einlegeteil in einer Mulde des durch Vergussmasse gebildeten Gehäuses halten sollen.By the bending up becomes the creepage distance to the heat sink extended by the distance to the next front. By not connecting the connection elements directly at the exit point bent from the housing formed by the potting compound But only at a distance, the risk of delamination reduced in the region of the exit point. This advantage is then particularly important if the connection elements as intended with considerable forces are applied, for example then if they are for the purpose of electrical contacting as a press contact are executed or if they are by elastic preload an insert in a trough of the potting compound formed by Housing should hold.
In einem Beispiel der Erfindung sind die Flankenflächen der Anschlusselemente – das sind die beim Stanzen des Leadframes aus einem Blech gebildeten Schnittflächen –, nach Art einer Entformungsschräge schräg ausgebildet. Das erleichtert in jenen Längenbereichen der Anschlusselemente in denen diese beim Vergießen mit Vergussmasse in Kontakt gebracht werden und in einem späteren Arbeitsvorgang wieder davon weg gebogen werden, das zerstörungsfreie Lösen von der Vergussmasse.In one example of the invention, the flank surfaces of the connecting elements - these are the cut surfaces formed when punching the leadframe from a metal sheet - are in the manner of an Entfor mung slope formed obliquely. This facilitates in those length ranges of the connection elements in which they are brought into contact with potting compound during casting and are bent away from it in a later operation, the non-destructive release of the potting compound.
In einem Beispiel der Erfindung können an den Austrittsstellen der Anschlusselemente aus dem durch die Vergussmasse gebildeten Gehäuses dünnwandige, aus der betreffenden Hauptfläche emporragende Vorsprünge aus Vergussmasse zwischen benachbarten Anschlusselementen ausgebildet sein. Diese Vorsprünge bilde ”Wälle”, die die Anschlusselemente zumindest teilweise umgeben, um die Kriechstromstrecken zwischen benachbarten Anschlusselementen zu verlängern.In An example of the invention may be at the exit points the connection elements from the formed by the potting compound Housing thin-walled, from the main area concerned protruding projections of potting compound between adjacent Be formed connecting elements. These projections form "ramparts", which at least partially surround the connection elements around the leakage current paths extend between adjacent connection elements.
In einem Beispiel der Erfindung können besagte Vorsprünge mit vorstehenden Fortsätzen versehen sein an denen umgebogene Anschlusselemente in einer bestimmten, definierten Stellung anliegen und gehalten werden.In An example of the invention may be said projections be provided with protruding projections on which bent Abutment elements in a specific, defined position and kept.
In
Alle
Anschlusselemente
In
Das
Hochbiegen eines Anschlusselements
Bei
einem standardmäßigen Stanzvorgang entsteht zwangsweise
an einer Seite der Schnittfläche ein etwas empor stehender
Stanzgrat
In
Besonders
vorteilhaft ist es, die Vorsprünge
In
Bei
bekannten Modulen werden üblicherweise die Anschlusselemente
immer an den Seitenflächen
In
Gemäß
Ein weiterer Aspekt der Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung des oben beschriebenen Halbleitermoduls. ein derartiges Verfahren umfasst zumindest die folgenden Schritte:
- – Bereitstellen eines Anschlusselemente aufweisenden Leadframes mit zumindest einem elektrisch damit kontaktiertem Halbleiterchip, und
- – Formen eines den Halbleiterchip umgebendes plättchenförmigen
Gehäuses
1 mit zwei parallelen Hauptflächen und Seitenflächen durch Umspritzen oder Gießen mit einer Kunststoffmasse (Vergussmasse). Dieses Umspritzen wird auch oft als ”injection molding” bezeichnet. Das Gehäuse1 wird durch eine entsprechende Wahl der Form (z. B. Gussform, Spritzgussform) so geformt, dass die Anschlusselemente2 des Leadframes aus dem Modulgehäuse1 herausragen und an einer Hauptfläche1.1 in einem ersten Abstand y von einer Seitenfläche1.3 aus diesem austreten.
- - Providing a connection elements having lead frames with at least one electrically contacted so semiconductor chip, and
- - Forming of the semiconductor chip surrounding platelet-shaped housing
1 with two parallel major surfaces and side surfaces by molding or casting with a plastic compound (potting compound). This overmolding is also often referred to as "injection molding". The housing1 is formed by an appropriate choice of the form (eg., Mold, injection mold) so that the connection elements2 of the leadframe from the module housing1 sticking out and on a main surface1.1 at a first distance y from a side surface1.3 exit from this.
In
einem weiteren Schritt können die Anschlusselemente von
der Hauptfläche weg gebogen werden, wobei die Stelle der
Biegung in einem zweiten Abstand x zu der Seitenfläche
liegt, der kleiner ist als der erste Abstand y. Die Differenz y – x
zwischen erstem und zweiten Abstand ist jene Länge, die
das Anschlusselement
Damit
sich der vom Gehäuse
Um
Toleranzen des Leadframes auszugleichen, die gegebenenfalls zum Übermolden
des Leadframes führen, sollte auf der der der Hauptfläche
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.
Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature
- - IEC 60664-1 [0008] - IEC 60664-1 [0008]
Claims (20)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008047465A DE102008047465A1 (en) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008047465A DE102008047465A1 (en) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102008047465A1 true DE102008047465A1 (en) | 2010-03-25 |
Family
ID=41693700
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102008047465A Ceased DE102008047465A1 (en) | 2008-09-17 | 2008-09-17 | Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102008047465A1 (en) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1022435A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
US5834831A (en) * | 1994-08-16 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with improved heat dissipation efficiency |
DE10251248A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
-
2008
- 2008-09-17 DE DE102008047465A patent/DE102008047465A1/en not_active Ceased
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5834831A (en) * | 1994-08-16 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Semiconductor device with improved heat dissipation efficiency |
JPH1022435A (en) * | 1996-07-02 | 1998-01-23 | Hitachi Ltd | Semiconductor device and manufacture thereof |
DE10251248A1 (en) * | 2002-03-08 | 2003-10-02 | Mitsubishi Electric Corp | Power semiconductor device |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
IEC 60664-1 |
JP 10-022 435 A (Abstract) |
JP 10022435 A In: Patent Abstracts of Japan * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2163145B1 (en) | Electronic module and method for producing an electronic module | |
DE102008035911B4 (en) | Method for manufacturing an integrated circuit module | |
DE102015116152B4 (en) | Electronic device with packaging structure with improved electrical accessibility and method of manufacturing the electronic device | |
DE102015210603B4 (en) | Method for producing a semiconductor device | |
DE102008029829B4 (en) | Vertical upwardly contacting semiconductor and method of making the same | |
DE10129388A1 (en) | Electronic component and method for its production | |
DE69534483T2 (en) | Leadframe and semiconductor device | |
DE112006003372T5 (en) | Apparatus and method for mounting a top and bottom exposed semiconductor | |
DE102006032073B4 (en) | Electrically conductive composite of a component and a carrier plate | |
WO2017032772A1 (en) | Laser component and method for producing same | |
DE112005003614T5 (en) | Semiconductor module for a switching power supply and method for its assembly | |
DE102013202807B4 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device | |
DE102017203361A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A FORM PRODUCT AND FORM PRODUCT | |
DE102008045615C5 (en) | Method for producing a power semiconductor module | |
DE102019119371A1 (en) | COMPONENT AND METHOD OF MANUFACTURING A COMPONENT | |
DE112006003664B4 (en) | Making a QFN package for an integrated circuit and QFN package made using it, and using a leadframe | |
DE102008058003A1 (en) | Semiconductor module and method for its production | |
DE102015118631B4 (en) | Method for forming and processing lead frame strips with molding compound channels and housing arrangements comprising these | |
DE112015006115T5 (en) | Leadframe and chip package with leadframe | |
DE102015104956A1 (en) | Printed circuit board with a lead frame with inserted packaged semiconductor chips | |
DE102005001151B4 (en) | Component arrangement for series connection in high-voltage applications | |
DE102008047465A1 (en) | Semiconductor module, has connection elements passing out from module housing at one of main surfaces at specific distance from one of side surfaces so that elements are partially not surrounded by plastic compound of housing | |
DE102020117341A1 (en) | HOUSING LADDER DESIGN WITH GROOVES FOR IMPROVED ROCK BEAM SEPARATION | |
DE102017202345A1 (en) | LADDER FRAME, SEMICONDUCTOR HOUSING COMPRISING A LADDER FRAME AND METHOD FOR MAKING A SEMICONDUCTOR HOUSING | |
DE102020117766A1 (en) | Cast semiconductor package with double-sided cooling |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |