DE102008036050A1 - Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions - Google Patents
Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions Download PDFInfo
- Publication number
- DE102008036050A1 DE102008036050A1 DE102008036050A DE102008036050A DE102008036050A1 DE 102008036050 A1 DE102008036050 A1 DE 102008036050A1 DE 102008036050 A DE102008036050 A DE 102008036050A DE 102008036050 A DE102008036050 A DE 102008036050A DE 102008036050 A1 DE102008036050 A1 DE 102008036050A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- takes place
- iras
- concentration measurement
- radicals
- process chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 55
- 238000005259 measurement Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 title claims abstract 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims abstract 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 title description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 3
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 33
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000012625 in-situ measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001285 laser absorption spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000029058 respiratory gaseous exchange Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000041 tunable diode laser absorption spectroscopy Methods 0.000 description 2
- BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N (2r,3r,4s,5r)-2-[6-[[2-(3,5-dimethoxyphenyl)-2-(2-methylphenyl)ethyl]amino]purin-9-yl]-5-(hydroxymethyl)oxolane-3,4-diol Chemical compound COC1=CC(OC)=CC(C(CNC=2C=3N=CN(C=3N=CN=2)[C@H]2[C@@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)C=2C(=CC=CC=2)C)=C1 BUHVIAUBTBOHAG-FOYDDCNASA-N 0.000 description 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010978 in-process monitoring Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000000050 ionisation spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
- G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
- G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
- G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
- G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
- G01F1/704—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow using marked regions or existing inhomogeneities within the fluid stream, e.g. statistically occurring variations in a fluid parameter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N2021/8411—Application to online plant, process monitoring
- G01N2021/8416—Application to online plant, process monitoring and process controlling, not otherwise provided for
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
Description
Die Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Steuerung von Gasflüssen in Prozesskammern, das auf der Konzentrationsmessung von Molekülen mittels Methoden der Infrarot-Absorptionsspektroskopie beruht und eine höhere Genauigkeit der Gaszufuhr erlaubt.The The invention describes a method for controlling gas flows in process chambers, that on the concentration measurement of molecules based on methods of infrared absorption spectroscopy and a higher accuracy of the gas supply allowed.
[Stand der Technik][State of the art]
Die Steuerung von Gasflüssen spielt in einer Reihe von Industriezweigen eine wichtige Rolle. Die Volumenstrom- und Geschwindigkeitsmessung von Gasen kann nach unterschiedlichen Prinzipien, wie die Coriolis-Massendurchflussmessung, die Wirbelzählerdurchflussmessung, die Wirkdruckmessung oder die thermische Massedurchflussmessung, erfolgen. Die Steuerung von Gasflüssen in Prozesskammern, wie sie z. B. für die Oberflächenbearbeitung oder Beschichtung mittels Plasmen in der Halbleiterindustrie Verwendung finden, wird im Allgemeinen mittels Massendurchflussregler (MFC) sichergestellt. Bei rein thermischen Abscheideprozessen werden MFCs ebenfalls zur Steuerung benutzt. Weitere wichtige Anwendungen betreffen die Motorenüberwachung oder die Überwachung der Atemluft von Patienten. Moderne MFCs verwenden auf Infrarotquellen beruhende thermische Sensormessbrücken, die die Flussrichtung und Flussgeschwindigkeit von Gasen bestimmen und zu deren Regelung beitragen. Vielfach wird optische Messtechnik in MFCs eingesetzt, um die Genauigkeit und Stabilität zu erhöhen. MFCs werden eingesetzt, um die Flüsse einer Vielzahl unterschiedlicher Gase zu steuern. Neben atomaren und homonuklearen Molekülgasen werden vielfach gerade heteronukleare Molekülgase für verschiedenste Anwendungen eingesetzt.The Control of gas flows plays in a number of industries an important role. The volumetric flow and speed measurement of gases can be based on different principles, such as the Coriolis mass flow measurement, the vortex meter flow measurement, the differential pressure measurement or the thermal mass flow measurement, done. The control of Gas flows in process chambers, as z. For example the surface treatment or coating by means of plasmas used in the semiconductor industry, is generally by means of Mass flow controller (MFC) ensured. For purely thermal Separation processes are also used to control MFCs. Other important applications concern engine monitoring or monitoring the breathing air of patients. modern MFCs use infrared sensor based thermal sensor bridges, which determine the flow direction and flow velocity of gases and contribute to their regulation. In many cases, optical measurement technology used in MFCs to increase accuracy and stability increase. MFCs are used to control the rivers to control a variety of different gases. In addition to atomic and Homonuclear molecular gases are often just heteronuclear Molecular gases used for a wide variety of applications.
Die
Laserabsorptionsspektroskopie im infraroten Spektralbereich ist
eine sehr effektive Methode zur Messung von Konzentrationen molekularer
Gase. Damit besteht mittels des Einsatzes der Laserabsorptionsspektroskopie
die Möglichkeit auch Gasflüsse zu beurteilen.
Die nachgewiesene Empfindlichkeit dieser Technik reicht bis in den
ppb-Bereich. Die Einsetzbarkeit der Methode in der spektroskopisch
wichtigen Region des mittleren Infrarot im Bereich zwischen 3 und
20 μm (MIR) hängt von der Verfügbarkeit
geeigneter schmalbandiger durchstimmbarer Strahlungsquellen oder
vom Einsatz dispersiver Verfahren mit breitbandigen Strahlungsquellen ab.
Breite Spektralbereiche abdeckende Fourier-Transform-Infrarotspektrometer
(FTIR) werden in Gaszuleitungen eingesetzt, wie z. B. das Produkt
InDuct der Fa. mks. In
Die bisherigen Optionen schmalbandiger durchstimmbarer Strahlungsquellen betrafen (a) die Nutzung von stark gekühlten (20–100 K) Bleisalzdiodenlasern (TDLAS) und (b) von Strahlungsquellen, die auf dem Prinzip der Differenzfrequenzerzeugung (DFG) beruhen. TDLAS-Meßsysteme sind typischerweise relativ groß und erfordern im Allgemeinen geschlossene Helium-Kühlsysteme oder flüssigen Stickstoff zur Kühlung der Laserdioden und der Detektoren, da diese bei Temperaturen unterhalb von 100 K arbeiten. DFG-Systeme können sehr robust gebaut werden, nur ist die emittierte Infrarotleistung sehr gering. DFG-Systeme sind z. B. für Anwendungen in der Atmosphärenuntersuchung geeignet. Allerdings ist es gegenwärtig nicht möglich, Wellenlängenbereiche oberhalb von 5 μm zu erfassen, da keine geeigneten nichtlinearen optischen Kristalle zur Verfügung stehen.The previous options of narrowband tunable radiation sources concerned (a) the use of highly refrigerated (20-100 K) lead salt diode lasers (TDLAS) and (b) radiation sources, the based on the principle of difference frequency generation (DFG). TDLAS measurement systems are typically relatively large and generally require closed helium cooling systems or liquid nitrogen for cooling the laser diodes and the detectors, since these work at temperatures below 100K. DFG systems can be built very sturdy, only the emitted infrared power is very low. DFG systems are z. B. for applications in the atmosphere investigation suitable. However, it is currently not possible Detect wavelength ranges above 5 μm, because no suitable nonlinear optical crystals are available stand.
Die aktuelle Entwicklung von Quanten- und Interbandkaskadenlasern (QCL, ICL) eröffnet neue attraktive Optionen für die auf Infrarot-Spektroskopie beruhende Konzentrationsmessung molekularer Gase. Bei den QCL und ICL handelt es sich um eine neue Generation von durchstimmbaren Halbleiterlasern, die Strahlung im mittleren bis fernen Infrarotbereich (MIR – FIR) emittieren. Im Gegensatz zu den bisher im MIR verfügbaren Laserquellen haben QCL und ICL wesentliche technische und wirtschaftliche Vorteile, da sie ohne aufwändige Kühlung betrieben werden können und höhere Strahlungsleistungen aufweisen.The current development of quantum and interband cascade lasers (QCL, ICL) opens new attractive options for the based on infrared spectroscopy concentration measurement molecular Gases. The QCL and ICL are a new generation of tunable semiconductor lasers, the radiation in the middle to far infrared (MIR - FIR) emission. In contrast to the laser sources available so far in the MIR have QCL and ICL has significant technical and economic benefits as it can be operated without expensive cooling and have higher radiant powers.
Im Vergleich zu Bleisalzlasern werden QCL und ICL den Aufbau sehr kompakter Systeme erlauben. Vorteile der QCL- bzw. ICL-Absorptionsspektroskopie (QCLAS, ICLAS) sind hohe Messgenauigkeit und Messgeschwindigkeit, die mit den üblicherweise eingesetzten Nicht-Dispersiven-Infrarot (NDIR) Messsystemen nicht erreicht werden.in the Compared to lead salt lasers, QCL and ICL become more compact in design Allow systems. Advantages of QCL or ICL absorption spectroscopy (QCLAS, ICLAS) are high measurement accuracy and measurement speed, those with the commonly used non-dispersive infrared (NDIR) measuring systems can not be achieved.
[Nachteile des Standes der Technik][Disadvantages of the Prior Art]
Üblicherweise wird die Regelgröße für die Regelung des Gasflusses direkt am MFC gewonnen. In der Prozesskammer wird der Totaldruck gemessen, nicht aber der Partialdruck spezieller Gase. Somit können bisher die Einflüsse der Prozesskammer und des Prozesses selbst in der Kammer sowie Abweichungen der Regelcharakteristik des MFC, die sowohl technisch bedingt sein oder durch auftretende Defekte hervorgerufen werden können, auf die Gaskonzentration nicht berücksichtigt werden.Usually becomes the controlled variable for the regulation of the gas flow obtained directly at the MFC. In the process chamber will the total pressure measured, but not the partial pressure more specific Gases. Thus far, the influences of the process chamber and the process itself in the chamber and deviations of the control characteristics the MFC, which may be due to technical reasons or by occurring Defects can be caused on the gas concentration not considered.
Das bedeutet, dass bezüglich der Konzentration in der Kammer ein offener Regelkreis gebildet wird, d. h. die tatsächliche Gaskonzentration ist nicht bekannt und steht als Regelgröße zur Flussregelung nicht zur Verfügung.The means that in terms of concentration in the chamber an open loop is formed, d. H. the actual Gas concentration is unknown and is available as a controlled variable not available for flow control.
Die Änderungen molekularer Konzentrationen z. B. durch Defragmentations- und Syntheseprozesse z. B. in Plasmareaktoren werden nicht erfasst. Eine Anpassung des Gasflusses an den aktuellen Prozesszustand ist nicht möglich.The changes molecular concentrations z. B. by defragmentation and synthesis processes z. B. in plasma reactors are not recorded. An adaptation of the Gas flow to the current process state is not possible.
Mit
Regelungen, die auf Konzentrationsmessungen unmittelbar vor der
Prozessammer (z. B.
[Aufgabe der Erfindung]OBJECT OF THE INVENTION
Die erfindungsgemäße Aufgabe besteht darin, eine höhere Präzision bei der Bereitstellung molekularer Gasgemische, z. B. in Prozesskammern der plasmagestützten Oberflächenbearbeitung, zu erreichen, die eine höhere Qualität der Produktionsprozesse und einen effektiveren Einsatz von Prozessgasen zur Folge hat. Dies gilt für Abscheideprozesse (PECVD) als auch für Trockenätzprozesse (z. B. RIE) und rein thermische Abscheideprozesse. Ätz- und Reinigungsverfahren (z. B. Lackverascher), die auf der Erzeugung von Radikalen beruhen, wobei die Erzeugung der Radikale oft in separaten Reaktionsräumen realisiert ist und über eine separate Zuleitung and den eigentliche Reaktor angeschlossen werden, können ebenfalls durch die erfindungsgemäße Anwendung gesteuert werden. Die Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe erfolgt durch die aktive Steuerung von MFCs, die auf der on-line und in-situ durchgeführten Messung von Konzentrationen molekularer Gaskomponenten mittels Infrarotspektroskopie auf der Basis von QCL oder ICL beruht.The The object of the invention is to provide a higher Precision in the provision of molecular gas mixtures, z. B. in process chambers of plasma-assisted surface processing, to achieve a higher quality of production processes and result in a more effective use of process gases. This applies to deposition processes (PECVD) as well as for Dry etching processes (eg RIE) and purely thermal deposition processes. caustic and cleaning processes (eg paint incinerators) that are based on production are based on radicals, with the generation of radicals often in separate Reaction spaces is realized and has a separate Supply line to the actual reactor can be connected also by the application according to the invention to be controlled. The solution of the invention Task is done through the active control of MFCs, which are based on the On-line and in-situ measurement of concentrations Molecular gas components by means of infrared spectroscopy on the Based on QCL or ICL.
[Vorteile der Erfindung][Advantages of the invention]
Die vorteilhaften Eigenschaften der mittels QCL und ICL realisierbaren sehr kompakten QCL- und ICL-Systeme, die zur Bestimmung der Konzentrationen molekularer Gase eingesetzt werden können, eröffnen in Kombination mit MFCs neue Anwendungsgebiete in der Prozessüberwachung industrieller Plasmaanlagen, wie z. B. in der plasmagestützten Oberflächenbearbeitung, in der Motorenüberwachung und in der Überwachung von Atemluft von Patienten.The advantageous properties of the realizable by means of QCL and ICL very compact QCL and ICL systems used to determine concentrations molecular gases can be used open in combination with MFC's new application areas in process monitoring industrial plasma systems, such. B. in the plasma-assisted surface treatment, in engine monitoring and monitoring of breathing air from patients.
Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt die deutliche Verbesserung in der Genauigkeit der Bereitstellung molekularer Gasgemische z. B. für die plasmagestützte Oberflächenbearbeitung. Durch die aktive, zeitaufgelöste Messung von Molekülkonzentrationen im Reaktionsraum und die Nutzung dieser Messdaten zur Feinsteuerung von MFCs können Fehler in der Bereitstellung von Gaskomponenten korrigiert werden und auftretende Defragmentations- oder Syntheseprozesse Berücksichtigung finden.The inventive method allows the clear Improvement in the accuracy of providing molecular gas mixtures z. B. for the plasma-assisted surface treatment. Through the active, time-resolved measurement of molecule concentrations in the reaction room and the use of these measurement data for fine control MFCs can correct errors in the provision of gas components be considered and occurring Defragmentations- or synthesis processes Find.
[Ausführungsbeispiel][Embodiment]
Das hauptsächliche Anwendungsgebiet der Erfindung wird in der Kopplung von Ausrüstungen der Gasflusskontrolle mit kompakten Quanten- und Interbandkaskadenlaser-Systemen gesehen, die für die Infrarot-Absorptionsspektroskopie verwendet werden, z. B. an Reaktoren der plasmagestützten Bearbeitung von Oberflächen, wie sie in der Halbleiterindustrie zur Waferbearbeitung mittels Ätzen und Beschichten eingesetzt werden und in der Automobilindustrie und bei deren Zulieferern, wo z. B. Teile von Motoren standardmäßig mittels Plasma behandelt werden.The main application of the invention is in the Coupling of gas flow control equipment with compact Quantum and interband cascade laser systems seen for the infrared absorption spectroscopy can be used, e.g. B. on Reactors of plasma assisted processing of surfaces, as in the semiconductor industry for wafer processing by means of etching and coating are used and in the automotive industry and at their suppliers, where z. B. parts of engines by default be treated by plasma.
Die Erfindung wird anhand eines Beispiels näher erläutert. Dazu zeigtThe The invention will be explained in more detail with reference to an example. In addition shows
Die
- 11
- Absorptionskurve bei Sollflussabsorption curve at nominal flow
- 22
- Absorptionskurve bei zu großem Gasflussabsorption curve if the gas flow is too high
- 33
- Absorptionskurve bei zu geringem Gasflussabsorption curve if the gas flow is too low
- 44
- Strahlungsquelle (QCL oder ICL)radiation source (QCL or ICL)
- 55
- Messvolumen (Plasmakammer)measuring volume (Plasma Chamber)
- 66
- IR-Detektion und RegelgrößenberechnungIR detection and controlled variable calculation
- 77
- Massendurchflussregler (MFC)Mass Flow Controller (MFC)
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - WO 93/17304 [0003, 0010] WO 93/17304 [0003, 0010]
Claims (18)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008036050A DE102008036050A1 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102008036050A DE102008036050A1 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE102008036050A1 true DE102008036050A1 (en) | 2010-02-04 |
Family
ID=41461609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE102008036050A Withdrawn DE102008036050A1 (en) | 2008-08-01 | 2008-08-01 | Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| DE (1) | DE102008036050A1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170016859A1 (en) * | 2014-02-26 | 2017-01-19 | Aixtron Se | Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993017304A1 (en) | 1992-02-27 | 1993-09-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical-absorption method for measuring the mass rate of flow of gases, and use of the method |
| EP1195450A2 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein |
| US6599253B1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-07-29 | Oak Crest Institute Of Science | Non-invasive, miniature, breath monitoring apparatus |
| DE102006018862A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | Charité - Universitätsmedizin Berlin | Device for the spectroscopic analysis of a gas |
-
2008
- 2008-08-01 DE DE102008036050A patent/DE102008036050A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993017304A1 (en) | 1992-02-27 | 1993-09-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Optical-absorption method for measuring the mass rate of flow of gases, and use of the method |
| EP1195450A2 (en) * | 2000-10-03 | 2002-04-10 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Semiconductor processing system and method for controlling moisture level therein |
| US6599253B1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-07-29 | Oak Crest Institute Of Science | Non-invasive, miniature, breath monitoring apparatus |
| DE102006018862A1 (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-20 | Charité - Universitätsmedizin Berlin | Device for the spectroscopic analysis of a gas |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170016859A1 (en) * | 2014-02-26 | 2017-01-19 | Aixtron Se | Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor |
| US10267768B2 (en) * | 2014-02-26 | 2019-04-23 | Aixtron Se | Device and method for determining the concentration of a vapor by means of an oscillating body sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE69628623T3 (en) | A method for detecting gaseous molecular species in the chamber exhaust gases of a semiconductor process chamber, and semiconductor processing system equipped therewith | |
| US10495570B2 (en) | Measurement of hydrocarbon fuel gas composition and properties from tunable diode laser absorption spectrometry | |
| US10175661B2 (en) | System, method and apparatus for determining properties of product or process streams | |
| WO2017084118A1 (en) | Method for correcting measuring-point-free temperature compensation model during online application of near infrared spectrum analyzer | |
| JP6981817B2 (en) | Spectroscopic analyzer and spectroscopic analysis method | |
| EP3577328A1 (en) | Method and assembly for measuring a gas temperature distribution in a combustion chamber | |
| Kostrin et al. | Optical spectrometry in the diagnosis of ion‐plasma processes: Control of the coating deposition process and thickness | |
| Buldakov et al. | Raman gas-analyzer for analyzing environmental and technogenic gas media | |
| Guodong et al. | A feature selection method combined with ridge regression and recursive feature elimination in quantitative analysis of laser induced breakdown spectroscopy | |
| WO2009153099A1 (en) | Silicon-based microflow sensor for gas analysis and method for production thereof silizium-basierter mikroströmungsfühler für die gasanalyse und verfahren zu dessen herstellung | |
| Rawlins et al. | Quantum cascade laser sensor for SO 2 and SO 3 for application to combustor exhaust streams | |
| DE102008036050A1 (en) | Method for controlling gas flow in process chamber for e.g. surface processing, in semiconductor industry, involves actively controlling mass flow controller in-situ based on concentration measurement of molecules, atoms, radicals and ions | |
| CN110398488B (en) | Nonlinear quantitative analysis method applied to laser-induced breakdown spectroscopy | |
| EP3104163A1 (en) | Process gas analyser and method for analyzing a process gas | |
| DE102009017932A1 (en) | Continuous quantitative determination of oxidizable chemical compound, preferably hydrocarbons and other chemical ingredients in various areas of industry and research, involves taking sample from experimental media | |
| WO2015121017A1 (en) | Device and method for determining the concentration of at least one gas in a sample gas stream by means of infrared absorption spectroscopy | |
| JP6446457B2 (en) | Method and apparatus for determining the siloxane content of a gas | |
| Zilberman et al. | Use telecommunications for real-time process control | |
| DE102007062651A1 (en) | Molecule concentration measuring method for molecular gas in e.g. infrared absorption spectroscopy, involves selecting source so that radiations of selected source lies in absorption range and radiations of other sources lies outside range | |
| US20210255098A1 (en) | System and method for improving precision in optical measurements | |
| Cięszczyk | A local model and calibration set ensemble strategy for open-path FTIR gas measurement with varying temperature | |
| US10627344B2 (en) | Spectral analysis through model switching | |
| EP3771900A1 (en) | Method for determining a gas concentration and measuring device | |
| Zhou et al. | Determination of ethanol content in ethanol-gasoline based on derivative absorption spectrometry and information fusion | |
| DE4032962A1 (en) | USE OF A MASS FLOW DETECTING DEVICE WORKING ON THE BASIS OF OPTICAL ABSORPTION FOR DOSING SUBSTANCES |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| OM8 | Search report available as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
| 8122 | Nonbinding interest in granting licences declared | ||
| R005 | Application deemed withdrawn due to failure to request examination |