DE102008035846A1 - Method for production of semiconductor structures on silicon germanium base, involves bringing germanium ions in volume of single crystal silicon wafer by ion implantation with high dose - Google Patents

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Abstract

The method involves bringing germanium ions in a volume of a single crystal silicon wafer by ion implantation with high dose, and exposing created arrangement to an intensive light pulse. The created arrangement is implanted with boron ions with energy, so that a positive negative transition is produced in the center germanium.

Description

Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren von Halbleiterstrukturen auf Silizium-Germanium-Basis.The The invention relates to a manufacturing method of semiconductor structures based on silicon germanium.

Silizium besitzt bekanntlich eine relativ große Bandlücke von 1,12 eV, wodurch im infraroten Wellenlängenbereich des Solarspektrums ein direktes Anheben von Elektronen in das Leitungsband des Halbleiters durch Absorption von Lichtquanten, als Voraussetzung für die Entstehung von Photostrom, relativ unwahrscheinlich ist. Germanium besitzt dagegen einen wesentlich geringeren Bandabstand von 0,67 eV, wodurch eine Absorption von Lichtquanten bereits bei wesentlich geringerer Photonenenergie erfolgen kann. In [ Abedrabbo, S. und Arafak, D. E.: Ion beam mixing of silicon-germanium thin films. Journal of Electrochemical Society, 34 (2005) 468 ], werden Lösungen zur Steigerung der Effizienz von Solarzellen beschrieben. Dabei kann durch eine nacheinander erfolgende Abscheidung von dünnen Si(x)Ge(1-x)-Schichten, das heißt Silizium-Germanium-Mischschichten mit unterschiedlicher Stöchiometrie und unterschiedlich großer Bandlücke, im Silizium eine vertikale Schichtfolge erzeugt werden. Diese Schichtfolge absorbiert einen Großteil des Solarspektrums und trägt zur Erzeugung freier Ladungsträger bei. In Richtung Halbleiterinneres sollte dabei die Breite der Bandlücke abnehmen.Silicon is known to have a relatively large bandgap of 1.12 eV, which makes it relatively unlikely to directly raise electrons into the conduction band of the semiconductor by absorbing light quanta in the infrared wavelength range of the solar spectrum, as a prerequisite for the generation of photocurrent. Germanium, on the other hand, has a much smaller band gap of 0.67 eV, which means that absorption of light quanta can take place even at significantly lower photon energy. In [ Abedrabbo, S. and Arafak, DE: Ion beam mixing of silicon-germanium thin films. Journal of Electrochemical Society, 34 (2005) 468 ], solutions for increasing the efficiency of solar cells are described. In this case, a vertical layer sequence can be produced in the silicon by successively depositing thin Si (x) Ge (1-x) layers, that is to say silicon-germanium mixed layers having different stoichiometry and a different band gap. This layer sequence absorbs a large part of the solar spectrum and contributes to the generation of free charge carriers. In the direction of the semiconductor interior, the width of the band gap should decrease.

Die Herstellung solcher Stapelstrukturen über mehrere Schichtabscheidungen ist allerdings sehr energie- und zeitaufwendig, wodurch die Zellen nur für Spezialanwendungen, wie beispielsweise in der Raumfahrt, in Frage kommen.The Production of such stack structures over several layer deposits However, it is very energy and time consuming, causing the cells only for special applications, such as space travel, come into question.

Die Erzeugung von Strukturen mit verspanntem Silizium erfolgt üblicherweise durch eine aufeinander erfolgende Abscheidung der SixGey-Schicht und der obenliegenden Si-Schicht.The production of structures with strained silicon is usually carried out by a successive deposition of the Si x Ge y layer and the top Si layer.

Die Aufgabe der Erfindung ist es, ein effektives Verfahren für die Herstellung von oberflächennahen Silizium-Halbleiterschichten mit einem hohen Wirkungsgrad auf der Basis von Silizium-Germanium-Stapelstrukturen anzubieten.The The object of the invention is to provide an effective method for the production of near-surface silicon semiconductor layers with a high efficiency based on silicon germanium stacking structures offer.

Erfindungsgemäß wird die Aufgabe mit dem im Patentanspruch 1 dargelegten Merkmalen gelöst. Vorteilhafte Ausführungen sind in den Unteransprüchen angegeben.According to the invention solved the problem with the features set out in claim 1. advantageous Embodiments are given in the subclaims.

Zunächst erfolgt das Einbringen der Germanium-Atome in das Innere des Silizium-Wafers (Si-Wafers) über das Verfahren der Ionenimplantation. Im Ergebnis der Ionenimplantation ergibt sich in einer bestimmten Tiefe des Si-Wafers ein annähernd Gaußförmiges Implantationsprofil in Abhängigkeit von der verwendeten Ionenenergie und Ionendosis. Neben dem Vorteil der präzisen Vorausbestimmbarkeit der erzeugten Fremdatomprofile verfügt die Ionenimplantation allerdings über einen entscheidenden Nachteil, welcher darin besteht, dass die eingeschossenen Ionen einen relativ großen Schaden in Form von Gitterdefekten im einkristallinen Silizium erzeugen. Befinden sich diese zum Beispiel in der Raumladungszone des pn-Überganges der Wafers, kann ein Teil der erzeugten Ladungsträger an den Defekten rekombinieren, wodurch die Effektivität der Zelle maßgeblich vermindert wird.First the introduction of the germanium atoms into the interior of the silicon wafer (Si wafer) via the method of ion implantation. As a result of ion implantation results in a certain depth of the Si wafer, an approximately Gaussian Implantation profile depending on the used Ion energy and ion dose. Besides the advantage of precise Predictability of generated impurity profiles However, the ion implantation has a decisive Disadvantage, which is that the injected ions a relatively large damage in the form of lattice defects produce in monocrystalline silicon. These are for example in the space charge zone of the pn junction of the wafer, can recombine part of the generated charge carriers at the defects, which determines the effectiveness of the cell is reduced.

In der vorliegenden Erfindung wird die Ausheilung der Defekte dadurch realisiert, dass der mit Germanium implantierte Silizium-Wafer dem kurzzeitigen Lichtimpuls aus einer Blitzlampenapparatur, die in [ McMahon, R. A.; Smith, M. P.; Seffen, K. A.; Voelskow, M.; Anwand, W.; Skorupa, W.: Flash-lamp annealing of semiconductor materials – Application and process models. Vacuum 81 (2007) 10, S. 1301 bis 1305 ] beschrieben ist, ausgesetzt wird. Dabei wird die Impulslänge so gewählt, dass die Scheibendicke etwa gleich oder kleiner, als die Wärmediffusionslänge während der Impulszeit ist und sich somit die Scheibe über die gesamte Dicke annähernd gleichmäßig schnell erwärmt. Die erreichte Maximaltemperatur im Wafer hängt dabei von der eingestrahlten Energiedichte ab.In the present invention, defect healing is realized by using the germanium-implanted silicon wafer with the short-time light pulse from a flash lamp apparatus described in US Pat. McMahon, RA; Smith, MP; Nephews, KA; Voelskov, M .; Anwand, W .; Skorupa, W .: Flash-annealing of semiconductor materials - Application and process models. Vacuum 81 (2007) 10, pp. 1301 to 1305 ] is suspended. In this case, the pulse length is selected so that the disk thickness is about the same or smaller than the heat diffusion length during the pulse time and thus the disk over the entire thickness heats almost uniformly fast. The maximum temperature reached in the wafer depends on the irradiated energy density.

Erfindungsgemäß wird eine Energiedichte verwendet, welche das Wafer-Volumen auf eine Temperatur aufheizt, welche zwar unter der Schmelztemperatur von Silizium, die bei = 1412°C liegt, aber höher ist, als die aktuelle Schmelztemperatur im Konzentrationsmaximum der Silizium-Germanium-Mischschicht (SixGey-Mischschicht), denn die Schmelztemperatur von Silizium nimmt mit steigendem Germanium-Gehalt stark ab. Das hat zur Folge, dass die vergrabene Mischschicht aufschmilzt, ohne dass die Silizium-Oberfläche bzw. tiefere Bereiche mit anschmelzen. Nachdem der Energieimpuls vorüber ist, kühlt sich der Wafer aufgrund von Wärmestrahlung ab, wodurch die Temperatur der vergrabenen, flüssigen und Germanium reichen Zwischenschicht unter deren Schmelztemperatur absinkt. Dadurch beginnt die Schicht von den Rändern her zu kristallisieren. Bei der epitaktische Kristallisation wird dabei ein annähernd perfekter, einkristalliner SixGey-Mischkristall gebildet, in dem Silizium und Germanium gleichzeitig in das Gitter eingebaut werden.According to the invention, an energy density is used which heats the wafer volume to a temperature which, although below the melting temperature of silicon, which is at = 1412 ° C, but higher than the current melting temperature in the concentration maximum of the silicon-germanium mixed layer (Si x Ge y mixed layer), because the melting temperature of silicon decreases sharply with increasing germanium content. As a result, the buried mixed layer melts without melting the silicon surface or deeper areas. After the energy pulse is over, the wafer cools due to thermal radiation, whereby the temperature of the buried, liquid and germanium rich intermediate layer drops below its melting temperature. As a result, the layer begins to crystallize from the edges. During epitaxial crystallization, an approximately perfect, monocrystalline Si x Ge y mixed crystal is formed, in which silicon and germanium are simultaneously incorporated into the lattice.

Der wesentliche Vorteil der Blitzlampenbestrahlung gegenüber konventionellen Temperverfahren besteht jedoch darin, dass die Breite des aufgeschmolzenen Tiefenbereiches und damit die Höhe der resultierenden Germanium-Legierung bzw. damit auch die Breite der Bandlücke über die Höhe der eingestrahlten Blitzlampen-Energiedichte eingestellt werden kann.Of the substantial advantage of the flash lamp irradiation opposite However, conventional annealing process is that the width the melted depth range and thus the height of the resulting germanium alloy or thus the width of the Band gap over the height of the irradiated Flash lamp energy density can be adjusted.

Das vorgeschlagene Verfahren hat gegenüber den bekannten Verfahren außerdem die Vorteile: Aufgrund der hohen Temperatur erfolgt in einem einzigen Schritt 1. die Gitterausheilung an den Flanken des implantierten Germanium-Profils, also im nicht geschmolzenen Bereich, womit die Rekombinationsverluste der Ladungsträger in diesem Gebiet stark reduziert werden, und 2. wird in Abhängigkeit von der Höhe der eingestrahlte Energiedichte und von der Form des implantierten Germanium-Profils während dieses einzigen Schrittes die Breite der geschmolzenen Schicht und damit die Breite und Höhe des resultierenden Germanium-Profils eingestellt, wodurch wiederum das Absorbtionsvermögen für das Lichtspektrum optimiert wird.The proposed method has over the known methods In addition, the advantages: Due to the high temperature takes place in a single step 1. the lattice annealing on the flanks of the implanted germanium profile, ie in the non-molten area, with which the recombination losses of the charge carriers in this Area will be greatly reduced, and 2. will depend on from the height of the irradiated energy density and the shape of the implanted germanium profile during this single Step the width of the molten layer and thus the width and height of the resulting germanium profile, which in turn the Absorbtionsvermögen for the Light spectrum is optimized.

Die Einstellung einer bestimmten, vorgegebenen Profilbreite alleine durch Ionenimplantation und konventionelle Temperschritte ist mit den üblichen Technologien nur unter hohem Aufwand, das heißt durch Mehrfachimplantationen bei unterschiedlichen Implantationsenergien, möglich.The Setting a specific, predetermined profile width alone by ion implantation and conventional annealing steps is with the usual technologies only at great expense, that is by multiple implantations at different implantation energies, possible.

Für die Solarzellenproduktion erlaubt das vorgestellte Verfahren die Herstellung hocheffizienter Zellen auf Siliziumbasis unter Einbeziehung vergrabener SixGey Bereiche ohne die Zuhilfenahme kosten- und zeitaufwendiger Mehrfachabscheidungen von SixGey-Schichten oder Mehrfachimplantationsschritten mit Germanium.For solar cell production, the proposed process allows the production of highly efficient silicon-based cells incorporating buried Si x Ge y regions without the aid of costly and time-consuming multiple depositions of Si x Ge y layers or multiple implantation steps with germanium.

Eine weitere Möglichkeit der Verbesserung der Effizienz von Halbleiterstrukturen kann durch das Verspannen der oberen Silizium-Schicht über der SixGey-Schicht in der Abkühlphase nach der Bestrahlung mit einem Lichtimpuls aufgrund der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten von Silizium und Germanium erreicht werden, wo durch die Ladungsträgerbeweglichkeit in der oberen Schicht vergrößert wird. Damit lassen sich Bauelementstrukturen mit kürzeren Schaltzeiten realisieren.Another way to improve the efficiency of semiconductor structures can be achieved by straining the top silicon layer over the Si x Ge y layer in the cooling phase after irradiation with a light pulse due to the different expansion coefficients of silicon and germanium, where by the charge carrier mobility in the upper layer is increased. This makes it possible to realize component structures with shorter switching times.

Die Erfindung wird an zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den zugehörigen Zeichungen zeigtThe The invention will be closer to two embodiments explained. In the accompanying drawings shows

1: den Vertikalaufbau einer Solarzelle mit einer Silizium-Germanium-Schicht 1 : the vertical structure of a solar cell with a silicon germanium layer

2: den Vertikalaufbau einer Halbleiterstruktur mit einer verspannten Silizium-Schicht. 2 : the vertical structure of a semiconductor structure with a strained silicon layer.

Der in 1 dargestellte Aufbau der Solarzelle besteht aus einem lichtdurchlässigen ITO-Frontkontakt 1, einer mit Bor-implantierten Silizium-Schicht 2, einer Silizium-Germanium-Schicht 3, einer Silizium-Schicht 4, und einem in der Regel aus Aluminium bestehenden Rückkontakt 5.The in 1 shown construction of the solar cell consists of a translucent ITO front contact 1 , one with boron-implanted silicon layer 2 , a silicon germanium layer 3 , a silicon layer 4 , and a generally made of aluminum back contact 5 ,

Der in 2 dargestellte Aufbau einer Halbleitervertikalstruktur mit einer verspannten Silizium-Schicht besteht aus einer verspannten Silizium-Schicht 6, einer implantierten Silizium-Germanium-Schicht 7 und einer Silizium-Schicht 8.The in 2 illustrated construction of a semiconductor vertical structure with a strained silicon layer consists of a strained silicon layer 6 , an implanted silicon germanium layer 7 and a silicon layer 8th ,

Ausführungsbeispiel 1Embodiment 1

Die Anwendung der Erfindung soll am Beispiel der Herstellung einer hocheffizienten Silizium-Germanium-Solarzelle erläutert werden. Die entsprechende Vertikalstruktur ist in der 1 dargestellt, wobei deren Herstellung im Wesentlichen folgende Schritte beinhaltet.

  • 1. Implantation von Germanium-Ionen mit einer Energie von 300 keV und einer Dosis von 3·1017 cm–2 in (100) n-Silizium. Dadurch wird eine Gaußförmige, vergrabene, Germanium reiche Schicht 3 mit dem Schwerpunkt in 0,21 mkm Tiefe, einer Breite von 0,09 mkm und einer maximalen Germanium-Konzentration von ca. 30% erzeugt, was zu einer lokalen Reduzierung der Schmelztemperatur um ca. 35 grd führt.
  • 2. Blitzlampenbestrahlung der Scheibe mit Lichtimpulsen, die eine Länge von 20 ms und eine Energiedichte oberhalb 130 Jcm–2 besitzen, welche zur Ausbildung einer vergrabenen Schmelze in der Schicht 3 mit anschließender epitaktischer Rekristallisation und Bildung einer vergrabenen SixGe1-x-Mischschicht führt. Die Breite der geschmolzenen Schicht und damit auch die Höhe der Germanium-Legierung und folglich die Breite der Bandlücke wird dabei durch die verwendete Energiedichte bestimmt. Außerdem erfolgt gleichzeitig, aufgrund der hohen Temperatur, eine Ausheilung der Implantationsschäden an den nicht geschmolzenen Flanken des Germanium-Profils.
  • 3. Implantation von Bor-Ionen mit einer Energie von ca. 30 keV und einer Dosis von 1·1015 cm–2 in die Schicht 2. Damit wird eine p-Dotierung mit dem Konzentrationsmaximum bei ca. 115 nm, also vor der Germanium reichen Schicht, erzeugt. Die Energie- und Ionendosis ist dabei so gewählt, dass sich der pn-Übergang etwa in der Mitte der Germanium reichen Schicht befindet, was für eine optimale Sammlung der erzeugten Ladungsträger in der SixGey-Schicht sorgt. Die Bor-Dotierung erfolgt durch Diffusion von der Oberfläche her.
  • 4. Ausheilung der Implantationsschäden infolge der Bor-Implantation entweder durch eine weitere Blitzlampenbestrahlung (Lichtimpulsdauer ca. 20 ms) bei einer Energiedichte unterhalb von 130 Jcm–2, wobei die Schmelztemperatur, selbst im Germanium reichen Gebiet, nicht überschritten wird oder durch eine konventionelle Ofenausheilung (z. B. 1000°C, 30 Minuten)
  • 5. Herstellung des lichtdurchlässigen ITO-Frontkontaktes 1 und des in der Regel aus Aluminium bestehenden Rückkontaktes 5.
The application of the invention will be explained using the example of the production of a highly efficient silicon germanium solar cell. The corresponding vertical structure is in the 1 the production of which essentially comprises the following steps.
  • 1. Implantation of germanium ions with an energy of 300 keV and a dose of 3 · 10 17 cm -2 in (100) n-silicon. This results in a Gaussian, buried, germanium rich layer 3 with a center of gravity of 0.21 mkm depth, a width of 0.09 mkm and a maximum germanium concentration of about 30%, which leads to a local reduction of the melting temperature by about 35 grd.
  • 2. Flash lamp irradiation of the disk with light pulses having a length of 20 ms and an energy density above 130 Jcm -2 , which is used to form a buried melt in the layer 3 followed by epitaxial recrystallization and formation of a buried Si x Ge 1-x mixed layer leads. The width of the molten layer and thus also the height of the germanium alloy and consequently the width of the band gap is determined by the energy density used. In addition, at the same time, due to the high temperature, an annealing of the implantation damage to the unmelted flanks of the germanium profile.
  • 3. Implantation of boron ions with an energy of about 30 keV and a dose of 1 × 10 15 cm -2 in the layer 2 , This produces a p-type doping with the concentration maximum at approximately 115 nm, ie before the germanium-rich layer. The energy and ion dose is chosen so that the pn junction is located approximately in the middle of the germanium rich layer, which ensures optimal collection of the generated charge carriers in the Si x Ge y layer. Boron doping occurs by diffusion from the surface.
  • 4. Healing of the implantation damage as a result of the boron implantation either by further flash lamp irradiation (light pulse duration approx. 20 ms) at an energy density below 130 Jcm -2 , whereby the melting temperature, even in germanium rich area, is not exceeded or by a conventional furnace annealing (eg 1000 ° C, 30 minutes)
  • 5. Preparation of the translucent ITO front contact 1 and the usually made of aluminum back contact 5 ,

Im Ergebnis des beschriebenen Verfahrens wird eine Solarzelle hergestellt, welche mit Hilfe der Germanium-Implantation und der lokalen, vergrabenen Schmelze bei der Blitzlampenbestrahlung eine, in Bezug auf das Wellenlängenspektrum des einfallenden Lichtes, justierbare Bandlücke besitzt. Durch das höhere Absorptionsvermögen gegenüber langwelligen Lichtanteilen wird damit eine, im Verhältnis zu konventionellen Solarzellen, höhere Effizienz erreicht.As a result of the method described For example, a solar cell is produced which, with the aid of the germanium implantation and the local, buried melt, has a band gap which can be adjusted with respect to the wavelength spectrum of the incident light during flash lamp irradiation. Due to the higher absorption capacity compared to long-wave light components, a higher efficiency is achieved compared to conventional solar cells.

Ausführungsbeispiel 2Embodiment 2

Zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf der Basis von verspanntem Silizium (strained silicon) wird folgendes Verfahren vorgeschlagen:

  • 1. In das Kristallgitter des Siliziums wird zunächst zusätzlich eine größere Menge von Germanium-Atomen durch Ionenimplantation mit einer Energie von 200 keV und einer Dosis von 3·1017 cm–2 in den Bereich 7 eingebracht.
  • 2. Die Struktur wird anschließend einem Blitzlampenimpuls mit einer Energiedichte ausgesetzt, so dass zwar die Schmelztemperatur der Germanium reichen, vergrabenen Schicht 7 überschritten wird, jedoch das reine Silizium der Bereiche 6 und 8 nicht schmilzt. Nachdem der Impuls vorüber ist und die Schmelztemperatur der Germanium reichen Schicht wieder unterschritten wird, kristallisiert die flüssige Germanium reiche Schicht an den fest gebliebenen Rändern epitaktisch und spannungsfrei. Da jedoch die obenliegende Silizium-Schicht 6 einen um den Faktor drei höheren Wärmeausdehnungskoeffizienten besitzt, als die Silizium-Germanium-Schicht 7, wird diese bei der folgenden Abkühlung in horizontaler Richtung gestreckt, was zu einem tensilen Stress in vertikaler Richtung führt.
For the production of strained silicon semiconductor structures, the following method is proposed:
  • 1. In the crystal lattice of silicon is first additionally a larger amount of germanium atoms by ion implantation with an energy of 200 keV and a dose of 3 · 10 17 cm -2 in the range 7 brought in.
  • 2. The structure is then exposed to a flashlamp pulse with an energy density so that, although the melting temperature of the germanium rich, buried layer 7 is exceeded, but the pure silicon of the areas 6 and 8th does not melt. After the momentum is over and the melt temperature of the germanium-rich layer is again fallen below, the liquid germanium-rich layer crystallizes on the fixed edges epitaxially and stress-free. However, because the top silicon layer 6 has a coefficient of thermal expansion which is three times higher than that of the silicon-germanium layer 7 , this is stretched in the subsequent cooling in the horizontal direction, which leads to a tensile stress in the vertical direction.

Dadurch ändert sich die Bandstruktur des Materials derart, dass die Ladungsträgerbeweglichkeit in der Silizium-Schicht 6 erhöht wird und damit können beispielsweise in der Silizium-Schicht Transistorstrukturen mit höheren Schaltgeschwindigkeiten realisiert werden.As a result, the band structure of the material changes such that the charge carrier mobility in the silicon layer 6 is increased, and thus can be realized with higher switching speeds, for example, in the silicon layer transistor structures.

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Zitierte Nicht-PatentliteraturCited non-patent literature

  • - Abedrabbo, S. und Arafak, D. E.: Ion beam mixing of silicon-germanium thin films. Journal of Electrochemical Society, 34 (2005) 468 [0002] - Abedrabbo, S. and Arafak, DE: Ion beam mixing of silicon-germanium thin films. Journal of Electrochemical Society, 34 (2005) 468 [0002]
  • - McMahon, R. A.; Smith, M. P.; Seffen, K. A.; Voelskow, M.; Anwand, W.; Skorupa, W.: Flash-lamp annealing of semiconductor materials – Application and process models. Vacuum 81 (2007) 10, S. 1301 bis 1305 [0008] McMahon, RA; Smith, MP; Nephews, KA; Voelskov, M .; Anwand, W .; Skorupa, W .: Flash-annealing of semiconductor materials - Application and process models. Vacuum 81 (2007) 10, pp. 1301 to 1305 [0008]

Claims (5)

Verfahren zur Herstellung von Halbleiterstrukturen auf Silizium-Germanium-Basis mit erhöhter Effizienz, dadurch gekennzeichnet, dass Germanium-Ionen mit dem Verfahren der Ionenimplantation mit hoher Dosis in das Volumen einer einkristallinen Silizium-Scheibe eingebracht werden und die Anordnung anschließend einem intensiven Lichtimpuls ausgesetzt wird.A process for the production of semiconductor structures based on silicon-germanium with increased efficiency, characterized in that germanium ions are introduced by the method of ion implantation at high dose in the volume of a monocrystalline silicon wafer and the assembly is then exposed to an intense light pulse. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend Bor-Ionen mit einer Energie implantiert werden, so dass ein pn-Übergang in der Mitte der Germanium reichen geschmolzenen Schicht erzeugt wird.Method according to claim 1, characterized in that subsequently implanting boron ions with energy be, leaving a pn junction in the middle of germanium rich molten layer is generated. Verfahren nach Anspruch 1 bis 2 dadurch gekennzeichnet, dass die Ausheilung der Bor-Implantationsschäden durch eine weitere Blitzlampenbestrahlung oder durch eine konventionelle Ofenausheilung erfolgt.A method according to claim 1 to 2, characterized that the healing of boron implant damage by another flash lamp irradiation or by a conventional Furnace annealing takes place. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass anschließend ein transparenter ITO Front- 1 und Rückseitenkontakt 5 aufgebracht werden.Method according to claim 3, characterized in that subsequently a transparent ITO front 1 and backside contact 5 be applied. Verfahren nach Anspruch 1 dadurch gekennzeichnet, dass die oberflächennahe, nicht geschmolzene Silizium-Schicht 6 nach der Erstarrung der vergrabenen geschmolzenen Germanium reichen Schicht 7 mechanisch verspannt wird.A method according to claim 1, characterized in that the near-surface, not molten silicon layer 6 after the solidification of the buried molten germanium rich layer 7 is mechanically clamped.
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US20050272229A1 (en) * 2004-06-03 2005-12-08 Min Cao Strained Si formed by anneal

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Abedrabbo, S. und Arafak, D. E.: Ion beam mixing of silicon-germanium thin films. Journal of Electrochemical Society, 34 (2005) 468
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