DE102008025693A1 - Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components - Google Patents

Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components Download PDF

Info

Publication number
DE102008025693A1
DE102008025693A1 DE200810025693 DE102008025693A DE102008025693A1 DE 102008025693 A1 DE102008025693 A1 DE 102008025693A1 DE 200810025693 DE200810025693 DE 200810025693 DE 102008025693 A DE102008025693 A DE 102008025693A DE 102008025693 A1 DE102008025693 A1 DE 102008025693A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor device
carrier
semiconductor
contact layer
bridge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE200810025693
Other languages
German (de)
Inventor
Siegfried Herrmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE200810025693 priority Critical patent/DE102008025693A1/en
Publication of DE102008025693A1 publication Critical patent/DE102008025693A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N9/00—Details of colour television systems
    • H04N9/12—Picture reproducers
    • H04N9/31—Projection devices for colour picture display, e.g. using electronic spatial light modulators [ESLM]
    • H04N9/3141—Constructional details thereof
    • H04N9/315—Modulator illumination systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Abstract

The device has a radiation-emitting arrangement (21) with two semiconductor components (311, 312) and a bar (41) arranged on a carrier (1) i.e. printed circuit board. The bar is arranged between the semiconductor components. The bar has two side surfaces (411, 412) that are turned towards the respective semiconductor components. Two electrical conductors (511, 512) are arranged on the respective side surfaces of the bar for electrically contacting the respective semiconductor components. The bar exhibits a polygonal cross section.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement.The The invention relates to an optoelectronic component.

In komplexen LED-Matrixsystemen, wie sie in LED-Headlamps oder Projektionssystemen Verwendung finden können, stellt sich die Frage der Ansteuerung oder der Kontaktierung der LED-Chips, die in der Mitte des Systems liegen. Die LEDs sollen ausreichend mit Strom versorgt werden, ohne dass es zu einer merklichen Lichtabschattung kommt. Zudem soll eine ausreichende Wärmeabfuhr des Systems gewährleistet werden.In complex LED matrix systems, as used in LED headlamps or projection systems Can be used, the question of control arises or the contacting of the LED chips, which are in the middle of the system lie. The LEDs should be sufficiently supplied with power without that there is a noticeable light shading. In addition, a should ensures adequate heat dissipation of the system become.

Eine Aufgabe zumindest einer Ausführungsform ist es, ein optoelektronisches Bauelement mit einem ersten und einem zweiten Halbleiterbauelement anzugeben. Diese Aufgabe wird durch den Gegenstand des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen des Gegenstands sind in abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung hervor. Der Offenbarungsgehalt der Patentansprüche wird hiermit explizit durch Rückbezug in die Beschreibung aufgenommen.A Object of at least one embodiment is an optoelectronic Specify device with a first and a second semiconductor device. This task is governed by the subject matter of the independent Patent claim solved. Advantageous embodiments of the subject matter are in dependent claims and continue to be understood from the description below out. The disclosure of the claims is hereby explicitly incorporated by reference into the description.

Ein optoelektronisches Bauelement gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst insbesondere.

  • – einen Träger und
  • – zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung mit einem ersten Halbleiterbauelement, einem zweiten Halbleiterbauelement und einem ersten Steg auf dem Träger, wobei
  • – der erste Steg zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem zweiten Halbleiterbauelement angeordnet ist,
  • – der erste Steg eine dem ersten Halbleiterbauelement zugewandte erste Seitenfläche und eine dem zweiten Halbleiterbauelement zugewandte zweite Seitenfläche aufweist und
  • – auf der ersten Seitenfläche des ersten Stegs zumindest eine erste Leiterbahn zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbauelements und auf der zweiten Seitenfläche des ersten Stegs zumindest eine zweite Leiterbahn zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbauelements angeordnet ist.
An optoelectronic component according to at least one embodiment comprises in particular.
  • - a carrier and
  • - At least one radiation-emitting device having a first semiconductor device, a second semiconductor device and a first ridge on the carrier, wherein
  • The first bridge is arranged between the first semiconductor component and the second semiconductor component,
  • - The first web has a first semiconductor device facing the first side surface and a second semiconductor device facing the second side surface and
  • - On the first side surface of the first web at least a first conductor for electrically contacting the first semiconductor device and on the second side surface of the first web at least one second conductor for electrical contacting of the second semiconductor device is arranged.

Dass ein Element oder eine Fläche „auf” einem weiteren Element oder einer weiteren Fläche angeordnet ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass das eine Element oder die eine Fläche unmittelbar in direktem mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf dem weiteren Element oder auf der weiteren Fläche angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass das eine Element oder die eine Fläche mittelbar auf dem weiteren Element oder der weiteren Fläche angeordnet ist. Dabei können weitere Elemente oder Flächen zwischen dem einen oder dem weiteren Element oder der Fläche angeordnet sein.That an element or area "on" one arranged further element or another surface is here and below can mean that that is one element or the one surface directly in direct mechanical and / or electrical contact on the further element or on the further surface is arranged. It can also continue mean that the one element or the one surface indirectly arranged on the further element or the further surface is. It can be more elements or surfaces between one or the other element or the surface be arranged.

Die Bezeichnungen „Strahlung”, „elektromagnetische Strahlung” und „Licht” bedeuten hier und im Folgenden elektromagnetische Strahlung mit zumindest einer Wellenlänge beziehungsweise einer spektralen Komponente in einem infraroten bis ultravioletten Wellenlängenbereich. Insbesondere kann dabei infrarote, sichtbare und/oder ultraviolette elektromagnetische Strahlung bezeichnet sein.The Designations "radiation", "electromagnetic Radiation "and" light "mean here and hereinafter electromagnetic radiation having at least one Wavelength or a spectral component in an infrared to ultraviolet wavelength range. In particular, it can be infrared, visible and / or ultraviolet be designated electromagnetic radiation.

Dadurch, dass der erste Steg zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem zweiten Halbleiterbauelement angeordnet ist, kann gleichzeitig eine elektrische Ankontaktierung des ersten Halbleiterbauelements über die zumindest eine erste Leiterbahn und des zweiten Halbleiterbauelements über die zumindest eine zweite Leiterbahn erfolgen, die auf den Seitenflächen des ersten Stegs angeordnet sind.Thereby, that the first land between the first semiconductor device and the second semiconductor device is arranged, can simultaneously a electrical Ankontaktierung of the first semiconductor device via the at least one first conductor track and the second semiconductor component via the at least a second trace made on the side surfaces of the first web are arranged.

Eine derartige Ausführung zur elektrischen Kontaktierung der beiden Halbleiterbauelemente über die jeweiligen Leiterbahnen, die entlang der Seitenflächen des bevorzugt mittig zwischen den beiden Halbleiterbauelementen angeordneten ersten Stegs aufgebracht sind, kann somit dazu dienen, zum einen eine von außen an die strahlungsemittierende Anordnung herangeführte elektrische Kontaktierung der Halbleiterbauelemente mit einem großen Platzbedarf zu vermeiden und eine Platz sparende elektrische Ansteuerung der beiden Halbleiterbauelemente zu ermöglichen.A Such an embodiment for electrical contacting of both semiconductor devices via the respective interconnects, which is preferably centered along the side surfaces of the applied to the two semiconductor devices arranged first ridge can thus serve, on the one hand from the outside electrical supplied to the radiation-emitting arrangement Contacting the semiconductor devices with a large To avoid space and a space-saving electrical control to allow the two semiconductor devices.

Weiterhin kann der erste Steg eine Breite von kleiner oder gleich 200 μm aufweisen. Die Breite beziehungsweise die Dicke des ersten Stegs entspricht dabei dem Abstand zwischen der ersten Seitenfläche und der zweiten Seitenfläche des ersten Stegs. Weiterhin kann der erste Steg in einem Zwischenraum zwischen dem ersten und dem zweiten Halbleiterbauelement auf dem Träger angeordnet sein, wobei die Breite des ersten Stegs kleiner oder gleich dem Abstand ist, in dem das erste Halbleiterbauelement und das zweite Halbleiterbauelement voneinander entfernt angeordnet sind. Dabei kann der erste Steg den Zwischenraum zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem zweiten Halbleiterbauelement vollständig ausfüllen, was bedeuten kann, dass die erste Seitenfläche des ersten Stegs unmittelbar an das erste Halbleiterbauelement und die zweite Seitenfläche des ersten Stegs unmittelbar an das zweite Halbleiterbauelement angrenzt. Eine solche Ausführung ermöglicht eine möglichst dichte Anordnung des ersten und des zweiten Halbleiterbauelements auf dem Träger. Dabei können die erste und die zweite Leiterbahn beispielsweise jeweils über dem ersten beziehungsweise zweiten Halbleiterbauelement angeordnet sein, sodass durch die erste Leiterbahn die dem Träger abgewandte Oberseite des ersten Halbleiterbauelements und durch die zweite Leiterbahn die dem Träger abgewandte Oberseite des zweiten Halbleiterbauelements elektrisch kontaktiert werden kann. In einer solchen Ausführung kann der erste Steg eine Breite von kleiner oder gleich 200 μm, bevorzugt kleiner oder gleich 100 μm und besonders bevorzugt von kleiner oder gleich 50 μm aufweisen.Furthermore, the first web may have a width of less than or equal to 200 microns. The width or the thickness of the first web corresponds to the distance between the first side surface and the second side surface of the first web. Furthermore, the first web may be arranged in a gap between the first and the second semiconductor component on the carrier, wherein the width of the first web is less than or equal to the distance in which the first semiconductor device and the second semiconductor device are arranged away from each other. In this case, the first web can completely fill the intermediate space between the first semiconductor component and the second semiconductor component, which may mean that the first side surface of the first web directly adjoins the first semiconductor component and the second side surface of the first web directly adjoins the second semiconductor component. Such an embodiment allows a dense arrangement of the first and the second semiconductor device on the carrier. In this case, the first and the second conductor track can each be above the first or second half lead, for example Be arranged terbauelement so that the carrier remote from the top of the first semiconductor device and through the second conductor, the carrier remote from the top of the second semiconductor device can be electrically contacted by the first conductor. In such an embodiment, the first web may have a width of less than or equal to 200 μm, preferably less than or equal to 100 μm, and particularly preferably less than or equal to 50 μm.

Weiterhin kann der erste Steg alternativ auch eine geringere Breite als den Abstand des ersten Halbleiterbauelements vom zweiten Halbleiterbauelement aufweisen, so dass der Zwischenraum zwischen den Halbleiterbauelementen breiter als der erste Steg ist. Diese Ausführung kann mit Vorteil zur Folge haben, dass der Träger jeweils einen Zwischenraum zwischen dem ersten beziehungsweise dem zweiten Halbleiterbauelement und dem ersten Steg aufweist, in dem jeweils die erste Leiterbahn beziehungsweise die zweite Leiterbahn angeordnet sein können. In einer solchen Ausführung kann der erste Steg eine Breite von größer oder gleich 10 μm, größer oder gleich 20 μm oder von größer oder gleich 50 μm aufweisen, wobei der erste Steg eine bevorzugte Breite von 20 μm bis 50 μm und eine besonders bevorzugte Breite von etwa 30 μm aufweisen kann.Farther Alternatively, the first bridge may have a smaller width than the first bridge Distance of the first semiconductor device from the second semiconductor device have, so that the gap between the semiconductor devices wider than the first jetty is. This version can with Advantage to have the fact that the carrier each one Interspace between the first and the second semiconductor device and the first land, in each of which the first trace or the second conductor track can be arranged. In such an embodiment, the first web may have a width greater than or equal to 10 μm, larger or equal to 20 μm or larger or equal to 50 microns, wherein the first web a preferred Width of 20 microns to 50 microns and a particularly preferred Width of about 30 microns may have.

Weiterhin kann der erste Steg ein transparentes oder ein nicht-transparentes elektrisch isolierendes Material aufweisen, das beispielsweise ausgewählt ist aus Glas, Keramik und/oder Kunststoffen. Bevorzugt kann der erste Steg mit einer Klebeschicht versehen auf den Träger aufgebracht werden. Dabei ist beispielsweise ein Besprühen oder ein Bestreichen des ersten Stegs mit einem Klebstoff oder einem Haftvermittler und anschließendes Verbinden des ersten Stegs mit dem Träger im Zuge eines Laminationsprozesses denkbar. Des Weiteren kann der erste Steg je nach Materialeigenschaften auch durch Nieten, Stanzen oder Schrauben mit dem Träger verbunden werden.Farther The first bridge may be a transparent or a non-transparent one having electrically insulating material selected, for example is made of glass, ceramics and / or plastics. Preferably, the first bridge with an adhesive layer provided on the support be applied. This is, for example, a spraying or painting the first web with an adhesive or a Adhesive and then connecting the first Bridge with the wearer in the course of a lamination process conceivable. Furthermore, the first bridge depending on the material properties also by riveting, punching or screwing with the carrier get connected.

Insbesondere im Falle eines nicht-transparenten Materials kann der erste Steg eine optische Trennung des ersten Halbleiterbauelements vom zweiten Halbleiterbauelement ermöglichen, sodass das als „Crosstalking” bezeichnete optische Übersprechen von elektromagnetischer Strahlung von einem strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement in ein benachbart angeordnetes, ausgeschaltetes Halbleiterbauelement verhindert oder zumindest vermindert werden kann.Especially in the case of a non-transparent material, the first bridge an optical separation of the first semiconductor device from the second Semiconductor device allow, so called the "Crosstalking" optical crosstalk from electromagnetic radiation from a radiation-emitting semiconductor device into an adjacent one arranged, switched off semiconductor device prevents or at least can be reduced.

Ein derartiges optisches Übersprechen könnte ohne den ersten Steg etwa dann auftreten, wenn beispielsweise das erste Halbleiterbauelement im Betrieb Licht emittiert, das in das zweite, gleichzeitig ausgeschaltete Halbleiterbauelement eingekoppelt werden kann, so dass das zweite Halbleiterbauelement ebenfalls zur Lichtemission, dem so genannten Nebenleuchten, angeregt werden kann. Als Folge des optischen Übersprechens würde das Kontrastverhältnis zwischen einem Licht emittierenden ersten Halbleiterbauelement und einem ausgeschalteten zweiten Halbleiterbauelement durch das Auftreten des so genannten „Nebenleuchtens” verringert werden.One Such optical crosstalk could be without the first bridge about occur when, for example, the first Semiconductor device in operation emits light that is in the second, simultaneously switched off semiconductor device can be coupled can, so that the second semiconductor device also for light emission, the so-called secondary lights, can be stimulated. As a result of the Optical crosstalk would increase the contrast ratio between a light-emitting first semiconductor device and a switched off second semiconductor device by the occurrence of the so-called "side lights" are reduced.

Um ein solches Nebenleuchten durch das optische Übersprechen elektromagnetischer Strahlung in einem beispielsweise ausgeschalteten zweiten Halbleiterbauelement zu verhindern oder zumindest zu vermindern, kann der erste Steg mindestens so hoch wie das erste Halbleiterbauelement und/oder das zweite Halbleiterbauelement sein. Bevorzugt überragt der erste Steg die beiden Halbleiterbauelemente.Around such secondary lighting by the optical crosstalk electromagnetic radiation in an example off second semiconductor device to prevent or at least reduce For example, the first land may be at least as high as the first semiconductor device and / or the second semiconductor device. Preferably surmounted the first bridge the two semiconductor devices.

Weiterhin kann der erste Steg einen polygonalen Querschnitt aufweisen. Dies kann bedeuten, dass der erste Steg beispielsweise einen dreieckigen, viereckigen oder n-eckigen Querschnitt mit n größer oder gleich fünf aufweisen kann. Bevorzugt kann der erste Steg dabei eine Prismen-artige Form mit einem polygonalen Querschnitt aufweisen und kann besonders bevorzugt als Rechteckprisma ausgeführt sein.Farther the first web may have a polygonal cross-section. This may mean that the first bridge, for example, a triangular, quadrangular or n-shaped cross-section with n larger or equal to five. Preferably, the first The bridge has a prismatic shape with a polygonal cross section and can particularly preferably be designed as a rectangular prism be.

Die als Stromleiterstrukturen ausgebildete erste und zweite Leiterbahn können beispielsweise in Dünnschichttechnik auf den ersten Steg aufgebracht oder bevorzugt aufgedampft sein und sich entlang einer Haupterstreckungsrichtung des ersten Stegs senkrecht zum oben genannten Querschnitt auf der ersten Seitenfläche und auf der zweiten Seitenfläche erstrecken. Dabei können die erste und die zweite Leiterbahn ein Metall aufweisen und beispielsweise aus Gold ausgeführt sein.The formed as Stromleiterstrukturen first and second conductor track can be used, for example, in thin-film technology the first web applied or preferably vapor-deposited and along a main extension direction of the first web perpendicular to the above-mentioned cross section on the first side surface and extend on the second side surface. It can the first and the second conductor track have a metal and, for example, made Gold be executed.

Weiterhin kann der erste Steg in einer Öffnung im Träger angeordnet sein. In einer Ausführungsform kann die Öffnung als Vertiefung oder auch als Aussparung im Träger ausgeführt sein. Dies kann bedeuten, dass der erste Steg vertieft in einer Öffnung im Träger angeordnet ist.Farther may be the first bridge in an opening in the carrier be arranged. In one embodiment, the opening executed as a recess or as a recess in the carrier be. This may mean that the first bridge is recessed in an opening is arranged in the carrier.

Weiterhin kann sich die Öffnung durch den Träger hindurch erstrecken und sich der erste Steg zu einer von dem ersten Halbleiterbauelement und dem zweiten Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche des Trägers erstrecken. Dies kann bedeuten, dass sich die Öffnung von der Hauptoberfläche, auf der die Halbleiterbauelemente angeordnet sind, zur einer weiteren, den Halbleiterbauelementen gegenüberliegenden Oberfläche durch den Träger hindurch erstreckt. Weiterhin kann dies bedeuten, dass sich der erste Steg in der Öffnung durch den Träger hindurch erstreckt, sodass der erste Steg zum einen über die Öffnung mit der Hauptoberfläche des Trägers, auf der die beiden Halbleiterbauelemente angeordnet sind und zum anderen mit der den beiden Halbleiterbauelementen abgewandten Oberfläche des Trägers in Verbindung steht.Furthermore, the opening may extend through the carrier and the first web extend to a surface of the carrier facing away from the first semiconductor component and the second semiconductor component. This may mean that the opening extends from the main surface, on which the semiconductor components are arranged, to a further surface, which faces the semiconductor components, through the carrier. Furthermore, this may mean that the first web extends through the support in the opening, so that the first web to the one via the opening with the main surface of the carrier, on which the two semiconductor components are arranged and on the other hand with the surface facing away from the two semiconductor devices of the carrier is in communication.

Bevorzugt kann die Öffnung den ersten Steg umschließen, was bedeuten kann, dass der erste Steg in der Öffnung im Träger eingebettet sein kann, um eine stabile Anordnung des ersten Stegs und der darauf angeordneten Leiterbahnen zu ermöglichen.Prefers the opening can surround the first bridge, which may mean that the first bridge in the opening in the Carrier can be embedded to a stable arrangement allow the first bridge and the conductor tracks arranged thereon.

Eine Führung des Stegs durch eine im Träger angeordnete Öffnung hindurch kann zudem eine Segmentierung des Trägers ermöglichen. Dies kann beispielsweise bedeuten, dass der Träger zumindest zwei voneinander getrennte Trägersegmente umfasst und auf jeweils einem Trägersegment ein Halbleiterbauelement angeordnet ist und sich zwischen den zwei Trägersegmenten der erste Steg erstreckt. Dabei kann der Steg auch die zumindest zwei Trägersegmente trennen, sodass die Trägersegmente mittels des Stegs verbunden oder auf einem gemeinsamen Träger angeordnet sein können.A Guide the web through an opening arranged in the carrier can also allow a segmentation of the carrier. This may mean, for example, that the carrier at least two includes separate carrier segments and on each a carrier segment arranged a semiconductor device is and between the two carrier segments of the first Footbridge extends. In this case, the bridge and the at least two carrier segments separate, so that the carrier segments connected by means of the web or may be arranged on a common carrier.

Weiterhin kann sich die zumindest eine erste Leiterbahn und/oder die zumindest eine zweite Leiterbahn durch die Öffnung zu der von dem ersten Halbleiterbauelement und dem zweiten Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche des Trägers hindurch erstrecken, wobei sich die erste und/oder die zweite Leiterbahn insbesondere entlang des Steges durch den Träger hindurch erstrecken können.Farther The at least one first conductor track and / or the at least a second trace through the opening to that of the first semiconductor device and the second semiconductor device extend away from the surface of the wearer, wherein the first and / or the second conductor track in particular extend along the web through the carrier can.

Der Träger kann beispielsweise transparent oder nicht-transparent und dabei flexibel oder unelastisch sein und Materialien enthalten wie beispielsweise Glas, Quarz, Silikon und/oder Keramik. Alternativ oder zusätzlich sind auch Kunststoffe wie Polyestercarbonate, Polyestersulphonate, Polyethylennaphtalat, Polyethylenterephtalat und Polyimide denkbar. Der Träger kann beispielsweise als Leiterplatte ausgeführt sein. Weiterhin kann der Träger als Wärmesenke ausgeführt sein, was bedeuten kann, dass die Halbleiterbauelemente ganzflächig auf einer Wärmesenke aufliegen. In einer solchen Ausführung kann der Träger bevorzugt als Metallkern-Platine ausgeführt sein.Of the Carrier can be transparent or non-transparent, for example and be flexible or inelastic and contain materials such as glass, quartz, silicone and / or ceramic. alternative or in addition, plastics such as polyester carbonates, Polyester sulphonates, polyethylene naphthalate, polyethylene terephthalate and polyimides conceivable. The carrier may, for example, as Be executed circuit board. Furthermore, the carrier be designed as a heat sink, which may mean that the semiconductor devices over a whole area on a heat sink rest. In such an embodiment, the carrier preferably be designed as a metal core board.

Weiterhin kann eine erste Kontaktschicht zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem Träger angeordnet sein und die erste Kontaktschicht kann das erste Halbleiterbauelement elektrisch an die zumindest eine erste Leiterbahn anschließen. Dabei können die erste Kontaktschicht und das erste Halbleiterbauelement verschiedene Abmessungen haben, sodass beispielsweise die erste Kontaktschicht unter dem ersten Halbleiterbauelement hinausragt und sich zur ersten Leiterbahn hinerstreckt. Dabei kann dann die erste Kontaktschicht die erste Leiterbahn auf dem ersten Steg kontaktieren, während das erste Halbleiterbauelement beabstandet vom ersten Steg auf der ersten Kontaktschicht angeordnet sein kann.Farther may be a first contact layer between the first semiconductor device and the carrier can be arranged and the first contact layer the first semiconductor device electrically to the at least one connect first trace. The can first contact layer and the first semiconductor device different Have dimensions such that, for example, the first contact layer protrudes below the first semiconductor device and to the first Ladder stretched out. In this case, then, the first contact layer contact the first trace on the first bridge while the first semiconductor device spaced from the first land on the first contact layer may be arranged.

Zumindest eins oder mehrere der hier beschriebenen Merkmale zur ersten Kontaktschicht zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem Träger sind alternativ oder zusätzlich für ein zweites Halbleiterbauelement möglich, wobei in diesem Fall eine weitere erste Kontaktschicht zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement und dem Träger angeordnet sein kann und die weitere erste Kontaktschicht das zweite Halbleiterbauelement an die zumindest eine zweite Leiterbahn elektrisch anschließen kann.At least one or more of the features described herein for the first contact layer between the first semiconductor device and the carrier are alternative or additionally for a second semiconductor device possible, in which case a further first contact layer between the second semiconductor device and the carrier may be arranged and the further first contact layer, the second Semiconductor device to the at least one second conductor electrically can connect.

Weiterhin kann eine zweite Kontaktschicht zwischen dem ersten Halbleiterbauelement und dem Träger elektrisch getrennt von der ersten Kontaktschicht angeordnet sein. Dabei können die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht beispielsweise an ein Isolatorelement angrenzen, das zwischen der ersten Kontaktschicht und der zweiten Kontaktschicht auf dem Träger angeordnet sein kann. Das Isolatorelement kann beispielsweise ein Hohlraum sein. Alternativ kann das Isolatorelement auch ein elektrisch nicht-leitendes Material wie beispielsweise ein Photoresist, ein Polyimid, ein Metall- oder ein Halbmetalloxid oder -nitrid oder -oxinitrid oder eine Kombination daraus aufweisen, besonders bevorzugt beispielsweise Siliziumoxid oder Siliziumnitrid. Weiterhin kann das Isolatorelement elektrisch nicht-leitende Materialien, die darüber hinaus beispielsweise auch transparent sein können, wie beispielsweise Siloxane, Epoxide, Acrylate, Methylmetacrylate, Carbonate, Olephine, Styrole, Urethane, oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren, sowie Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen.Farther may be a second contact layer between the first semiconductor device and the carrier electrically separated from the first contact layer be arranged. In this case, the first contact layer and the second contact layer, for example, to an insulator element adjacent, between the first contact layer and the second contact layer can be arranged on the support. The insulator element For example, it can be a cavity. Alternatively, the insulator element can also an electrically non-conductive material such as a photoresist, a polyimide, a metal or a semi-metal oxide or nitride or oxynitride or a combination thereof, more preferred for example, silicon oxide or silicon nitride. Furthermore, can the insulator element is electrically non-conductive materials that over it for example, can also be transparent, such as For example, siloxanes, epoxides, acrylates, methyl methacrylates, carbonates, Olephines, styrenes, urethanes, or derivatives thereof in the form of monomers, Oligomers or polymers, as well as mixtures, copolymers or compounds have it.

Weiterhin kann es möglich sein, dass die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht voneinander verschiedene Abmessungen oder andere Abmessungen als das erste Halbleiterbauelement aufweisen, sodass die erste oder die zweite Kontaktschicht über das erste Halbleiterbauelement herausragen können. Dabei ist es insbesondere möglich, dass nur die erste oder die zweite Kontaktschicht direkt an den ersten Steg angrenzt.Farther It may be possible for the first contact layer and the second contact layer from each other different dimensions or have different dimensions than the first semiconductor device, so that the first or the second contact layer over the first semiconductor device can protrude. It is it is especially possible that only the first or the second Contact layer directly adjacent to the first bridge.

Weiterhin kann eine derartige zweite Kontaktschicht auch zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement und dem Träger angeordnet sein, wobei die zweite Kontaktschicht elektrisch getrennt von der oben genannten weiteren ersten Kontaktschicht zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement und dem Träger angeordnet sein kann.Farther Such a second contact layer can also be between the second Semiconductor device and the carrier to be arranged, wherein the second contact layer electrically separated from the above another first contact layer between the second semiconductor device and the carrier can be arranged.

Weiterhin kann die zweite Kontaktschicht mit einem Rückseitenkontakt auf einer von dem ersten Halbleiterbauelement abgewandten Oberfläche des Trägers elektrisch verbunden sein. Dabei kann der Rückseitenkontakt mit der zweiten Kontaktschicht über ein elektrisches Kontaktelement verbunden sein, das sich in einer Öffnung im Träger angeordnet durch den Träger hindurch erstreckt. Dabei können die zweite Kontaktschicht und das elektrische Kontaktelement auch einstückig ausgebildet sein. So kann die Öffnung im Träger beispielsweise beim Aufbringen der zweiten Kontaktschicht mit der zweiten Kontaktschicht gefüllt und so mit einem elektrischen Kontaktelement versehen werden. Bevorzugt kann das derart in der Öffnung im Träger angeordnete elektrische Kontaktelement als Durchkontaktierung ausgeführt sein. Durchkontaktierungen, die den Wärmetransport senkrecht zum Träger verbessern können, können auch als thermale Vias bezeichnet sein, die beispielsweise aus Kupfer ausgeformt sind und damit die hohe Wärmeleitfähigkeit von Kupfer zu Wärmeableitungen nutzen können.Furthermore, the second contact layer may have a backside contact on one of the first Semiconductor component facing away from the surface of the carrier to be electrically connected. In this case, the rear-side contact may be connected to the second contact layer via an electrical contact element which extends through the carrier in an opening in the carrier. In this case, the second contact layer and the electrical contact element may also be formed in one piece. Thus, the opening in the carrier, for example, when applying the second contact layer filled with the second contact layer and thus provided with an electrical contact element. Preferably, the electrical contact element arranged in the opening in the carrier can be designed as a plated-through hole. Through-connections, which can improve the heat transfer perpendicular to the carrier, can also be referred to as thermal vias, which are formed, for example, from copper and can thus use the high thermal conductivity of copper to dissipate heat.

Alternativ zu den als Durchkontaktierungen beschriebenen elektrischen Kontaktelementen kann die zweite Kontaktschicht mit dem Rückseitenkontakt auch über eine erste Leiterbahn elektrisch verbunden sein. Dabei kann sich dann die erste Leiterbahn entlang des ersten Stegs innerhalb einer wie oben beschriebenen im Träger angeordneten Öffnung durch den Träger hindurch erstrecken.alternative to the electrical contact elements described as plated-through holes the second contact layer with the back contact can also over a first conductor be electrically connected. It can be then the first trace along the first land within one as described above in the carrier arranged opening extend through the carrier.

Während in einer derartigen Ausführung der Rückseitenkontakt elektrisch mit der zweiten Kontaktschicht verbunden sein kann, kann die erste Kontaktschicht mit einer entlang des ersten Stegs angeordneten ersten Leiterbahn verbunden sein. Dabei können die erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht jeweils unterschiedliche Halbleiterschichten innerhalb des ersten Halbleiterbauelements, das auf der ersten Kontaktschicht und auf der zweiten Kontaktschicht angeordnet ist, kontaktieren. So kann beispielsweise die zweite Kontaktschicht die p-dotierte Schicht der Halbleiterschichtenfolge des ersten Halbleiterbauelements kontaktieren, während die erste Kontaktschicht die n-dotierte Schicht der Halbleiterschichtenfolge über eine Durchkontaktierung in der p-dotierten Schicht kontaktieren kann. Eine solche Kontaktierung unterschiedlicher Halbleiterschichten ist auch durch die weitere erste Kontaktschicht und die zweite Kontaktschicht des zweiten Halbleiterbauelementes denkbar.While in such an embodiment, the back contact can be electrically connected to the second contact layer can the first contact layer having a along the first ridge arranged be connected to the first interconnect. It can be the first Contact layer and the second contact layer each different Semiconductor layers within the first semiconductor device, that on the first contact layer and on the second contact layer is arranged, contact. For example, the second Contact layer, the p-doped layer of the semiconductor layer sequence while contacting the first semiconductor device the first contact layer over the n-doped layer of the semiconductor layer sequence Contact a via in the p-doped layer can. Such a contacting of different semiconductor layers is also due to the further first contact layer and the second contact layer the second semiconductor device conceivable.

Das erste Halbleiterbauelement und das zweite Halbleiterbauelement können bevorzugt als Leuchtdioden mit einer Halbleiterschichtenfolge ausgeführt sein. Innerhalb der Halbleiterschichtenfolge können dabei alle dem Fachmann bekannten Nitrid- und/oder Phosphid-III/V- Verbindungshalbleiter, vorzugsweise AlnGamIn1-n-mN und AlnGamIn1-n-mP mit 0 ≤ n ≤ 1, 0 ≤ m ≤ 1 und n + m ≤ 1, sowie II/VI-Verbindungshalbleiter und alternativ oder zusätzlich auch Halbleiter basierend auf AlGaAs verwendet werden, die hier nicht näher ausgeführt werden.The first semiconductor component and the second semiconductor component may preferably be embodied as light-emitting diodes with a semiconductor layer sequence. Within the semiconductor layer sequence, all nitride and / or phosphide III / V compound semiconductors known to the person skilled in the art, preferably Al n Ga m In 1 nm N and Al n Ga m In 1 nm P with 0 ≦ n ≦ 1.0, can be used ≤ m ≤ 1 and n + m ≤ 1, as well as II / VI compound semiconductors and alternatively or additionally also semiconductors based on AlGaAs are used, which are not detailed here.

Weiterhin kann die Halbleiterschichtenfolge ein Aufwachssubstrat oder ein Trägersubstrat aus einem Halbleitermaterial aufweisen. Im letzteren Fall können die Halbleiterbauelemente beispielsweise in der dem Fachmann bekannten Dünnfilm-Technik als Dünnfilm-Halbleiterchips hergestellt sein. Weiterhin können das erste und/oder das zweite Halbleiterbauelement auch ohne Halbleitersubstrat mit einer Halbleiterschichtenfolge auf einem oder zwischen zwei Kunststoffträgern und/oder -folien ausgeführt sein, wie beispielsweise in der DE 10 2005 055 293 A1 beschrieben ist, deren Offenbarungsgehalt hiermit ebenfalls durch Rückbezug aufgenommen wird.Furthermore, the semiconductor layer sequence may comprise a growth substrate or a carrier substrate made of a semiconductor material. In the latter case, the semiconductor components can be produced as thin-film semiconductor chips, for example in the thin-film technique known to those skilled in the art. Furthermore, the first and / or the second semiconductor component can also be embodied without a semiconductor substrate having a semiconductor layer sequence on one or between two plastic carriers and / or foils, such as, for example, in US Pat DE 10 2005 055 293 A1 is described, the disclosure of which is hereby also incorporated by reference.

Dabei können des erste Halbleiterbauelement und/oder das zweite Halbleiterbauelement beispielsweise einen aktiven, strahlungsemittierenden Bereich mit einem herkömmlichen pn-Übergang, einer Doppelheterostruktur, einer Einfachquantentopfstruktur (SQW-Struktur) oder einer Mehrfachquantentopfstruktur (MQW-Struktur) aufweisen. Die Bezeichnung Quantentopfstruktur umfasst im Rahmen der Anmeldung insbesondere jegliche Struktur der Ladungsträger, die durch Einschluss (confinement) eine Quantisierung ihrer Energiezustände erfahren können. Insbesondere beinhaltet die Bezeichnung Quantentopfstruktur keine Angabe über die Dimensionalität der Quantisierung. Sie umfasst somit unter anderem Quantentröge, Quantendrähte und Quantenpunkte und jede Kombination dieser Strukturen.there may be the first semiconductor device and / or the second Semiconductor device, for example, an active, radiation-emitting area with a conventional pn junction, a double heterostructure, a single quantum well structure (SQW structure) or a multiple quantum well structure (MQW structure). The term quantum well structure includes in the context of the application, in particular any structure of the charge carriers, by confinement quantization of their energy states can learn. In particular, the term includes quantum well structure no indication of the dimensionality of the quantization. It thus includes, among other things, quantum wells, quantum wires and quantum dots and any combination of these structures.

Weiterhin kann die zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung eine Mehrzahl von ersten Halbleiterbauelementen entlang der ersten Seitenfläche des ersten Stegs und eine Mehrzahl von zweiten Halbleiterbauelementen entlang der zweiten Seitenfläche des ersten Stegs aufweisen. Mehrzahl kann hier und im Folgenden eine Anzahl bezeichnen, die größer oder gleich zwei ist.Farther the at least one radiation-emitting arrangement can have a plurality of first semiconductor devices along the first side surface of the first land and a plurality of second semiconductor devices along the second side surface of the first web. Plural may here and hereinafter denote a number that is greater than or equal to two.

Dabei können die Mehrzahl erster Halbleiterbauelemente und die Mehrzahl zweiter Halbleiterbauelemente jeweils in Zeilen entlang der ersten Seitenfläche beziehungsweise entlang der zweiten Seitenfläche des ersten Stegs auf dem Träger angeordnet sein. Dies kann weiterhin bedeuten, dass sich der erste Steg in einer Haupterstreckungsrichtung auf dem Träger erstreckt.there For example, the plurality of first semiconductor devices and the Plural second semiconductor devices each along lines the first side surface or along the second Side surface of the first web arranged on the carrier be. This may further mean that the first bridge in a main extension direction on the carrier extends.

Dabei können auf den Seitenflächen des ersten Stegs jeweils zumindest eine erste und eine zweite Leiterbahn angeordnet sein. Dies kann beispielsweise bedeuten, dass lediglich eine erste Leiterbahn auf der ersten Seitenfläche des ersten Stegs aufgebracht wird, sodass die ersten Halbleiterbauelemente der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente gemeinsam über die eine erste Leiterbahn elektrisch angeschlossen sind. Eine solche gemeinsame elektrische Kontaktierung ist auch für die zweiten Halbleiterbauelemente der Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelemente durch lediglich eine zweite Leiterbahn möglich.In each case at least one first and one second conductor track can be arranged on the side surfaces of the first web. This may mean, for example, that only a first conductor track is applied to the first side surface of the first bridge, so that the first semiconductor components of the plurality of first semiconductor components together via the first conductor track electrically are connected. Such a common electrical contacting is also possible for the second semiconductor components of the plurality of second semiconductor components by only one second conductor track.

Weiterhin kann der erste Steg entlang der ersten Seitenfläche eine Mehrzahl von ersten Leiterbahnen aufweisen und jeweils eine der Mehrzahl der ersten Leiterbahn kann jeweils eins der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente kontaktieren. Eine solche Ausführung kann alternativ zur zuvor beschriebenen gemeinsamen elektrischen Kontaktierung der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente durch eine einzige, gemeinsame erste Leiterbahn jedem der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente eine einzelne erste Leiterbahn zuordnen. Dies kann insbesondere bedeuten, dass jedes der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente einzeln durch eine jeweils erste Leiterbahn separat elektrisch angesteuert werden kann.Farther The first bridge along the first side surface can be a Have a plurality of first interconnects and each one of A plurality of the first conductor track can each be one of the plurality of the first Contact semiconductor devices. Such an execution may alternatively to the previously described common electrical Contacting the plurality of the first semiconductor devices by a single, common first trace of each of the plurality of the first Assign a single first conductor to semiconductor devices. This may in particular mean that each of the plurality of first semiconductor devices individually electrically controlled by a respective first trace separately can.

Eine solche individuelle elektrische Kontaktierung ist auch für jedes einzelne der Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelemente denkbar, indem der erste Steg entlang der zweiten Seitenfläche eine Mehrzahl von zweiten Leiterbahnen aufweist und jeweils eine der Mehrzahl der zweiten Leiterbahnen jeweils eins der Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelemente elektrisch kontaktiert.A Such individual electrical contact is also for each of the plurality of second semiconductor devices is conceivable by the first web along the second side surface a plurality of second conductor tracks and each one of the plurality the second interconnects each one of the plurality of second semiconductor devices electrically contacted.

Weiterhin kann auf dem Träger eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Anordnungen mit jeweils einem ersten Halbleiterbauelement, einem zweiten Halbleiterbauelement und einem ersten Steg angeordnet sein, wobei die ersten Stege der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Anordnungen parallel zueinander angeordnet sein können. Eine solche Anordnung kann beispielsweise bedeuten, dass im Anschluss auf jeweils zwei Zeilen der Mehrzahl erster und zweiter Halbleiterbauelemente ein erster Steg angeordnet ist.Farther may be on the carrier a plurality of radiation-emitting Arrangements each having a first semiconductor device, a second Semiconductor device and a first web to be arranged, wherein the first lands of the plurality of radiation-emitting devices can be arranged parallel to each other. Such Arrangement may mean, for example, that following each two rows of the plurality of first and second semiconductor devices a first bridge is arranged.

Dadurch, dass sich zwischen den jeweils in Zeilen angeordneten ersten und zweiten Halbleiterbauelementen jeweils der erste Steg mit Leiterbahnen zur elektrischen Kontaktierung der Mehrzahl der ersten und zweiten Halbleiterbauelemente erstreckt, können insbesondere solche Zeilen der ersten und/oder zweiten Halbleiterbauelemente elektrisch kontaktiert werden, die mittig in einem solchen mehrzeiligen optoelektronischen Bauelement mit einer Mehrzahl strahlungsemittierender Anordnungen angeordnet sind. Somit kann auf die Anwendung der herkömmlichen SMT-Technologie zur elektrischen Aasschließung von Halbleiterbauelementen, die mittig in einem mehrzeiligen optoelektronisches Bauelement angeordnet sind, verzichtet werden. Ebenso kann sich die Anwendung der als Compact Planar High Flux bezeichneten Technologie, bei der die Kontaktierung des Halbleiterbauelements wie in der WO2006/034671 beschrieben über Stromkontakte auf einer transparenten Kunststofffolie erfolgt und die nur eine zweizeilige Anordnung von Halbleiterbauelementen ermöglicht, erübrigen.By virtue of the fact that in each case the first land with printed conductors for electrically contacting the plurality of first and second semiconductor components extends between the first and second semiconductor components arranged in rows, in particular those rows of the first and / or second semiconductor components can be contacted electrically such a multi-line optoelectronic component having a plurality of radiation-emitting arrangements are arranged. Thus, the application of the conventional SMT technology for the electrical closure of semiconductor devices, which are arranged centrally in a multi-line optoelectronic device, can be dispensed with. Likewise, the application of the technology known as Compact Planar High Flux, in which the contacting of the semiconductor device as in WO2006 / 034671 described via current contacts on a transparent plastic film takes place and allows only a two-line arrangement of semiconductor devices, unnecessary.

Weiterhin kann die zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung ein drittes Halbleiterbauelement aufweisen und zwischen dem zweiten und dem dritten Halbleiterbauelement kann ein zweiter Steg angeordnet sein. Eine solche Anordnung kann beispielsweise auch die elektrische Versorgung von Halbleiterbauelementen, die in einer mehrzeiligen Matrixform mit einer ungeraden Anzahl von Zeilen auf einem Träger angeordnet sind, ermöglichen.Farther the at least one radiation-emitting arrangement may be a third one Have semiconductor device and between the second and the third semiconductor device may be arranged a second ridge. Such an arrangement may, for example, the electrical supply of Semiconductor devices in a multi-line matrix form with an odd number of lines arranged on a support are possible.

Das hier beschriebene optoelektronische Bauelement kann beispielsweise in Projektionssystemen, in einem LED-Beamer mit einer aktiven Matrix oder als Scheinwerferanwendung, wie beispielsweise als Autoheadlampelement verwendet werden.The For example, described here optoelectronic device in projection systems, in an LED projector with an active matrix or as a headlamp application, such as as Autoheadlampelement be used.

Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des optoelektronischen Bauelementes ergeben sich aus den im Folgenden und in Verbindung mit den Figuren erläuterten Ausführungsbeispielen.Further Advantages, preferred embodiments and developments of the optoelectronic component result from the below and in conjunction with the figures explained embodiments.

Es zeigenIt demonstrate

1 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, 1 FIG. 2 a schematic sectional view of an optoelectronic component according to an exemplary embodiment, FIG.

2A bis 5 schematische Schnittdarstellungen von optoelektronischen Bauelementen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen, 2A to 5 schematic sectional views of optoelectronic components according to further embodiments,

6 und 7 schematische räumliche Darstellungen von optoelektronischen Bauelementen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen und 6 and 7 schematic spatial representations of optoelectronic components according to further embodiments and

8 eine schematische Schnittdarstellung eines optoelektronischen Bauelementes gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel. 8th a schematic sectional view of an optoelectronic component according to another embodiment.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren sind gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die dargestellten Bestandteile sowie die Größenverhältnisse der Bestandteile untereinander sind nicht als maßstabsgerecht anzusehen. Vielmehr sind einige Details der Figuren zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt.In The embodiments and figures are the same or like-acting components each with the same reference numerals Mistake. The illustrated components as well as the size ratios the components among each other are not to scale to watch. Rather, some details of the figures are for the better Understanding shown exaggeratedly large.

1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements mit einem Träger 1 und einer strahlungsemittierenden Anordnung 21 mit einem ersten Halbleiterbauelement 311, einem zweiten Halbleiterbauelement 312 und einem ersten Steg 41 auf dem Träger 1. Der erste Steg 41 ist zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem zweiten Halbleiterbauelement 312 auf dem Träger 1 angeordnet. Weiterhin ist der erste Steg 41, wie in der 1 dargestellt, bevorzugt mittig zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem zweiten Halbleiterbauelement 312 angeordnet, was bedeutet, dass das erste Halbleiterbauelement 311 und das zweite Halbleiterbauelement 312 gleichmäßig beabstandet zu dem ersten Steg 41 auf dem Träger 1 angeordnet sind. 1 shows an embodiment of an optoelectronic component with a carrier 1 and a radiation-emitting device 21 with a first semiconductor device 311 , a second semiconductor device 312 and a first jetty 41 on the carrier 1 , The first jetty 41 is between the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 on the carrier 1 arranged. Furthermore, the first jetty 41 , like in the 1 illustrated, preferably centrally between the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 arranged, which means that the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 evenly spaced from the first web 41 on the carrier 1 are arranged.

Weiterhin weist der erste Steg 41 eine dem ersten Halbleiterbauelement 311 zugewandte erste Seitenfläche 411 und eine dem zweiten Halbleiterbauelement 312 zugewandte zweite Seitenfläche 412 auf.Furthermore, the first bridge 41 a the first semiconductor device 311 facing first side surface 411 and a second semiconductor device 312 facing second side surface 412 on.

Weiterhin ist auf der ersten Seitenfläche 411 des ersten Stegs 41 eine erste Leiterbahn 511 zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbauelements 311 und auf der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 eine zweite Leiterbahn 512 zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbauelements 312 angeordnet. Die erste Leiterbahn 511 und die zweite Leiterbahn 512 können dabei in verschiedenen Höhen auf der ersten Seitenfläche 411, beziehungsweise auf der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 angeordnet sein. Auf dem ersten Steg 41 und/oder dem Träger 1 können weitere Leiterbahnen zur vollständigen elektrischen Kontaktierung des ersten und zweiten Halbleiterbauelements 311, 312 angeordnet sein, die aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht gezeigt sind. Dasselbe gilt auch für die nachfolgenden Ausführungsbeispiele, auch wenn dort nicht explizit darauf hingewiesen wird.Furthermore, on the first side surface 411 of the first footbridge 41 a first trace 511 for electrically contacting the first semiconductor component 311 and on the second side surface 412 of the first footbridge 41 a second trace 512 for electrically contacting the second semiconductor component 312 arranged. The first trace 511 and the second trace 512 can do so at different heights on the first side surface 411 , or on the second side surface 412 of the first footbridge 41 be arranged. On the first jetty 41 and / or the wearer 1 can further strip conductors for complete electrical contacting of the first and second semiconductor device 311 . 312 be arranged, which are not shown for reasons of clarity. The same applies to the following embodiments, even if it is not explicitly pointed out.

Wie die 1 zeigt, weisen das erste Halbleiterbauelement 311 und das zweite Halbleiterbauelement 312 jeweils eine geringere Höhe 91 als der erste Steg 41 auf. Dadurch kann eine optische Trennung des ersten Halbleiterbauelements 311 vom zweiten Halbleiterbauelement 312 wie im allgemeinen Teil beschrieben zur Verhinderung oder zumindest zur Verminderung eines möglichen „Crosstalks” ermöglicht werden.As the 1 shows, the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 each a lower height 91 as the first jetty 41 on. As a result, an optical separation of the first semiconductor device 311 from the second semiconductor device 312 as described in the general part, to prevent or at least reduce a possible "crosstalk".

Weiterhin weist der erste Steg 41 eine Breite 7 von etwa 30 μm auf. Dabei entspricht die Breite 7 des ersten Stegs 41 dem Abstand der ersten und der zweiten Seitenfläche 411, 412. Wie die 1 zeigt, entspricht die Breite 7 des ersten Stegs 41 maximal dem Abstand 71, in dem das erste Halbleiterbauelement 311 und das zweite Halbleiterbauelement 312 voneinander entfernt auf dem Träger 1 angeordnet sind.Furthermore, the first bridge 41 a width 7 of about 30 microns. The width corresponds to this 7 of the first footbridge 41 the distance of the first and the second side surface 411 . 412 , As the 1 shows corresponds to the width 7 of the first footbridge 41 maximum the distance 71 in which the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 away from each other on the support 1 are arranged.

Weiterhin ist der erste Steg 41 als Rechteckprisma und aus Glas mit der ersten und zweiten Leiterbahn 511, 512 aus Gold ausgeführt. Der Träger 1 ist im gezeigten Ausführungsbeispiel als Metallkern-Platine ausgeführt und dient gleichzeitig als Wärmesenke zur Ableitung der im ersten und zweiten Halbleiterbauelement 311, 312 im Betrieb erzeugten Abwärme.Furthermore, the first jetty 41 as rectangular prism and glass with the first and second trace 511 . 512 made of gold. The carrier 1 is executed in the embodiment shown as a metal core board and also serves as a heat sink for the derivation of the first and second semiconductor device 311 . 312 waste heat generated during operation.

Das erste Halbleiterbauelement 311 und das zweite Halbleiterbauelement 312 sind als Leuchtdioden mit einer Halbleiterschichtenfolge ausgeführt und auf dem Träger 1 angeordnet. Insbesondere sind das erste Halbleiterbauelement und das zweite Halbleiterbauelement ohne Halbleitersubstrat mit einer Halbleiterschichtenfolge auf einem oder zwischen zwei Kunststoffträgern und/oder -folien ausgeführt, wie beispielsweise in der DE 10 2005 055 293 A1 beschrieben ist.The first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 are designed as light-emitting diodes with a semiconductor layer sequence and on the support 1 arranged. In particular, the first semiconductor component and the second semiconductor component without a semiconductor substrate with a semiconductor layer sequence are embodied on one or between two plastic carriers and / or foils, such as in the US Pat DE 10 2005 055 293 A1 is described.

Die 2A und 2B zeigen jeweils Ausschnitte weiterer Ausführungsbeispiele von optoelektronischen Bauelementen mit der strahlungsemittierenden Anordnung 21, einem ersten Halbleiterbauelement und einem ersten Steg 41 auf dem Träger 1. Die im Folgenden im Zusammenhang mit dem ersten Halbleiterbauelement 311 und den zugehörigen Elementen beschriebenen Ausführungen sind ebenfalls für das zweite Halbleiterbauelement 312 und für die zumindest eine zweite Leiterbahn 512 denkbar.The 2A and 2 B each show sections of further embodiments of optoelectronic components with the radiation-emitting arrangement 21 , a first semiconductor device and a first land 41 on the carrier 1 , The following in connection with the first semiconductor device 311 and the associated elements described embodiments are also for the second semiconductor device 312 and for the at least one second trace 512 conceivable.

Der erste Steg 41 ist wie in den 2A und 2B dargestellt, in einer Öffnung 8 im Träger 1 angeordnet. Die Öffnung 8 ist dabei als Vertiefung ausgeführt.The first jetty 41 is like in the 2A and 2 B shown in an opening 8th in the carrier 1 arranged. The opening 8th is designed as a recess.

Wie in der 2A dargestellt, füllt der erste Steg 41 die Öffnung 8 vollständig aus. Eine solche Ausführung der Öffnung 8 kann eine größtmögliche Stabilität des vertieft angeordneten ersten Stegs 41 in der Öffnung 8 ermöglichen. Alternativ ist es jedoch auch möglich, den ersten Steg 41 so in der Öffnung 8 anzuordnen, dass der erste Steg 41 nur mit der Bodenfläche 81 der Öffnung 8 in Kontakt steht, die Randflächen 82 und 83 der Öffnung 8 aber nicht kontaktiert, so daß der erste Steg 41 beabstandet zu den Randflächen 82 und 83 der Öffnung 8 in der Öffnung 8 angeordnet ist.Like in the 2A shown, the first bridge fills 41 the opening 8th completely off. Such an embodiment of the opening 8th can maximize the stability of the recessed first bridge 41 in the opening 8th enable. Alternatively, however, it is also possible to use the first bridge 41 so in the opening 8th to arrange that the first bridge 41 only with the bottom surface 81 the opening 8th is in contact, the edge surfaces 82 and 83 the opening 8th but not contacted, so the first bridge 41 spaced from the edge surfaces 82 and 83 the opening 8th in the opening 8th is arranged.

Weiterhin ist die erste Leiterbahn 511 zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und der ersten Seitenfläche 411 des ersten Stegs 41 angeordnet. Dabei ist die erste Leiterbahn 511 auf derselben Höhe wie das erste Halbleiterbauelement 311 auf dem Träger 1 angeordnet und ermöglicht damit eine direkte elektrische Kontaktierung des ersten Halbleiterbauelements 311.Furthermore, the first conductor track 511 between the first semiconductor device 311 and the first side surface 411 of the first footbridge 41 arranged. Here is the first trace 511 at the same height as the first semiconductor device 311 on the carrier 1 arranged and thus allows a direct electrical contacting of the first semiconductor device 311 ,

Alternativ dazu ist die erste Leiterbahn 511 in dem in 2B dargestellten Ausführungsbeispiel entlang der ersten Seitenfläche 411 des ersten Stegs 41 in der Öffnung 8 angeordnet. Der erste Steg 41 und die erste Leiterbahn 511 sind demnach beide vertieft in der Öffnung 8 im Träger 1 angeordnet und füllen die Öffnung 8 vollständig aus.Alternatively, the first trace is 511 in the 2 B illustrated embodiment along the first side surface 411 of the first footbridge 41 in the opening 8th arranged. The first jetty 41 and the first track 511 Both are therefore engrossed in the opening 8th in the carrier 1 arranged and fill the opening 8th completely off.

Die 3A und 3B zeigen jeweils Ausschnitte weiterer Ausführungsbeispiele von optoelektronischen Bauelementen mit der strahlungsemittierenden Anordnung 21, mit dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem ersten Steg 41 auf dem Träger 1. Die im Zusammenhang mit dem ersten Halbleiterbauelement 311 und den zugehörigen weiteren Elementen beschriebenen Ausführungen sind ebenfalls für das zweite Halbleiterbauelement 312 und für die zumindest eine zweite Leiterbahn 512 denkbar.The 3A and 3B each show sections of further embodiments of optoelectronic components with the radiation-emitting arrangement 21 , with the first semiconductor device 311 and the first jetty 41 on the carrier 1 , The in connection with the first semiconductor device 311 and the associated further elements described embodiments are also for the second semiconductor device 312 and for the at least one second trace 512 conceivable.

Die Öffnung 8 erstreckt sich, wie in den 3A und 3B dargestellt, durch den Träger 1 hindurch. Dies bedeutet, dass sich der erste Steg 41 zu einer von dem ersten Halbleiterbauelement 311 abgewandten Oberfläche 12 des Trägers erstreckt.The opening 8th extends, as in the 3A and 3B represented by the carrier 1 therethrough. This means that the first jetty 41 to one of the first semiconductor device 311 remote surface 12 the carrier extends.

Weiterhin erstreckt sich, wie in der 3B dargestellt, ebenfalls die erste Leiterbahn 511 durch die Öffnung 8 zu der von dem ersten Halbleiterbauelement 311 abgewandten Oberfläche 12 des Trägers 1 hindurch. Dabei erstreckt sich die erste Leiterbahn 511 entlang der ersten Seitenfläche 411 des ersten Stegs 41 durch die im Träger angeordnete Öffnung 8 hindurch, sodass der erste Steg 41 und die erste Leiterbahn 511 seitlich von der Öffnung 8 umschlossen werden.Furthermore, as in the 3B represented, also the first trace 511 through the opening 8th to that of the first semiconductor device 311 remote surface 12 of the carrier 1 therethrough. In this case, the first conductor extends 511 along the first side surface 411 of the first footbridge 41 through the opening arranged in the carrier 8th through, so the first jetty 41 and the first track 511 laterally from the opening 8th be enclosed.

4 zeigt in einer Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement mit einer strahlungsemittierenden Anordnung 21 umfassend ein erstes Halbleiterbauelement 311, ein zweites Halbleiterbauelement 312 und einen ersten Steg 41 auf dem Träger 1. Zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem Träger 1 ist eine erste Kontaktschicht 611 auf dem Träger 1 angeordnet. Eine weitere erste Kontaktschicht 612 ist zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement 312 und dem Träger 1 angeordnet. 4 shows in a sectional view a further embodiment of an optoelectronic component with a radiation-emitting arrangement 21 comprising a first semiconductor device 311 , a second semiconductor device 312 and a first jetty 41 on the carrier 1 , Between the first semiconductor device 311 and the carrier 1 is a first contact layer 611 on the carrier 1 arranged. Another first contact layer 612 is between the second semiconductor device 312 and the carrier 1 arranged.

Kontaktschichten, wie die erste Kontaktschicht 611 und die weitere erste Kontaktschicht 612 können eine verbesserte elektrische Versorgung der Halbleiterschichtenfolge des ersten Halbleiterbauelements 311 und des zweiten Halbleiterbauelements 312 durch ihre stromaufweitenden Eigenschaften ermöglichen.Contact layers, such as the first contact layer 611 and the further first contact layer 612 can an improved electrical supply of the semiconductor layer sequence of the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 through their stream-spreading properties.

Die erste Kontaktschicht 611 schließt das erste Halbleiterbauelement 311 elektrisch an die erste Leiterbahn 511 an. Bevorzugt wird dazu die erste Kontaktschicht 611 in direktem Kontakt an die erste Leiterbahn 511 angeschlossen, die sich entlang des ersten Stegs 41 durch die Öffnung 8 im Träger 1 hindurch erstreckt. Dabei erstreckt sich die erste Leiterbahn 511 zu einer von dem ersten Halbleiterbauelement 311 abgewandten Oberfläche 12 des Trägers 1.The first contact layer 611 closes the first semiconductor device 311 electrically to the first conductor track 511 at. Preference is given to the first contact layer 611 in direct contact with the first track 511 connected, stretching along the first jetty 41 through the opening 8th in the carrier 1 extends through. In this case, the first conductor extends 511 to one of the first semiconductor device 311 remote surface 12 of the carrier 1 ,

Ebenfalls schließt die weitere erste Kontaktschicht 612 das zweite Halbleiterbauelement 312 elektrisch an die zweite Leiterbahn 512 an, die sich entlang der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 durch die Öffnung 8 durch den Träger 1 hindurch zu einer von den Halbleiterbauelementen 311, 312 abgewandten Oberfläche 12 des Träger 1 erstreckt. Eine solche symmetrische Ausführung des ersten Halbleiterbauelements 311 und des zweiten Halbleiterbauelements 312 kann eine effizientere Fertigung des optoelektronischen Bauelements ermöglichen.Also closes the further first contact layer 612 the second semiconductor device 312 electrically to the second conductor track 512 on, extending along the second side surface 412 of the first footbridge 41 through the opening 8th through the carrier 1 through to one of the semiconductor devices 311 . 312 remote surface 12 of the carrier 1 extends. Such a symmetrical design of the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 can enable a more efficient production of the optoelectronic component.

Demgegenüber ist jedoch auch eine alternative Anordnung des zweiten Halbleiterbauelements 312, der weiteren ersten Kontaktschicht 612 und der zweiten Leiterbahn 512 denkbar, die sich von der Anordnung des ersten Halbleiterbauelements 311, der ersten Kontaktschicht 611 und der ersten Leiterbahn 511 unterscheidet und sich aus den Figuren und dem allgemeinen Teil der Beschreibung ergibt.In contrast, however, is also an alternative arrangement of the second semiconductor device 312 , the further first contact layer 612 and the second conductor 512 conceivable, differing from the arrangement of the first semiconductor device 311 , the first contact layer 611 and the first trace 511 differs and results from the figures and the general part of the description.

5 zeigt einen Ausschnitt eines Ausführungsbeispiels für ein optoelektronisches Bauelement mit der strahlungsemittierenden Anordnung 21 mit einem ersten Halbleiterbauelement 311, einem ersten Steg 41 auf dem Träger 1 und einer ersten Kontaktschicht 611 zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem Träger 1. Die im Folgenden im Zusammenhang mit dem ersten Halbleiterbauelement 311 und den zugeordneten weiteren Elementen beschriebenen Ausführungen sind ebenfalls für das zweite Halbleiterbauelement 312 denkbar. 5 shows a section of an embodiment of an optoelectronic device with the radiation-emitting device 21 with a first semiconductor device 311 , a first jetty 41 on the carrier 1 and a first contact layer 611 between the first semiconductor device 311 and the carrier 1 , The following in connection with the first semiconductor device 311 and the associated further elements described embodiments are also for the second semiconductor device 312 conceivable.

Im gezeigten Ausführungsbeispiel ist eine zweite elektrische Kontaktschicht 62 zwischen dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem Träger 1 angeordnet. Dabei ist zwischen der ersten Kontaktschicht 611 und der zweiten Kontaktschicht 62 ein Isolatorelement, wie beispielsweise ein Dielektrikum, zur elektrischen Isolierung der ersten Kontaktschicht 611 von der zweiten Kontaktschicht 62 angeordnet.In the exemplary embodiment shown, a second electrical contact layer 62 between the first semiconductor device 311 and the carrier 1 arranged. It is between the first contact layer 611 and the second contact layer 62 an insulator element, such as a dielectric, for electrically insulating the first contact layer 611 from the second contact layer 62 arranged.

Weiterhin ist die zweite Kontaktschicht 62 mit einem Rückseitenkontakt 100 auf einer von dem ersten Halbleiterbauelement 311 abgewandten Oberfläche 12 des Trägers 1 elektrisch verbunden. Dazu weist die zweite Kontaktschicht 62 ein elektrisches Kontaktelement 621 auf, das als Ausläufer ausgeführt ist und in einer Öffnung 80 im Träger 1 angeordnet ist. Während die zweite Kontaktschicht 62 durch das elektrische Kontaktelement 621 elektrisch mit dem Rückseitenkontakt 100 verbunden ist, schließt die erste Kontaktschicht 611 das erste Halbleiterbauelement 311 elektrisch an die erste Leiterbahn 511 an.Furthermore, the second contact layer 62 with a backside contact 100 on one of the first semiconductor device 311 remote surface 12 of the carrier 1 electrically connected. For this purpose, the second contact layer 62 an electrical contact element 621 on, which is designed as an extension and in an opening 80 in the carrier 1 is arranged. While the second contact layer 62 through the electrical contact element 621 electrically with the backside contact 100 is connected, closes the first contact layer 611 the first semiconductor device 311 electrically to the first conductor track 511 at.

Über die erste Kontaktschicht 611 und die zweite Kontaktschicht 62 kann das erste Halbleiterbauelement 311 im dem Fachmann bekannten Flip-Chip-Design ausgeführt sein.About the first contact layer 611 and the second contact layer 62 may be the first semiconductor device 311 be executed in the flip-chip design known in the art.

Weiterhin kann der Rückseitenkontakt 100 auch als Wärmesenke ausgeführt sein, der die Ableitung von Wärme von einer Trägervorderseite 11 auf die von dem ersten Halbleiterbauelement 311 und dem zweiten Halbleiterbauelement 312 abgewandte Oberfläche 12 des Trägers 1 ermöglicht. Dazu kann das elektrische Kontaktelement 621 als thermales Via ausgeführt sein.Furthermore, the backside contact 100 Also be designed as a heat sink, the dissipation of heat from a carrier front 11 to the one of the first semiconductor device 311 and the second semiconductor device 312 remote surface 12 of the carrier 1 allows. For this purpose, the electrical contact element 621 be designed as a thermal via.

6 zeigt in einer räumlichen Ansicht ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement mit einer strahlungsemittierenden Anordnung 21 mit einer Mehrzahl von ersten Halbleiterbauelementen 311 und einer Mehrzahl von zweiten Halbleiterbauelementen 312. Dabei sind die Mehrzahl von ersten Halbleiterbauelementen 311 entlang der ersten Seitenfläche 411 des ersten Stegs 41 und die Mehrzahl von zweiten Halbleiterbauelementen 312 entlang der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 auf dem Träger 1 angeordnet. 6 shows in a three-dimensional view an embodiment of an optoelectronic component with a radiation-emitting arrangement 21 with a plurality of first semiconductor devices 311 and a plurality of second semiconductor devices 312 , In this case, the plurality of first semiconductor devices 311 along the first side surface 411 of the first footbridge 41 and the plurality of second semiconductor devices 312 along the second side surface 412 of the first footbridge 41 on the carrier 1 arranged.

Ebenfalls entlang der ersten Seitenfläche 411 und der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 sind jeweils eine erste Leiterbahn 511 und eine zweite Leiterbahn 512 zur elektrischen Kontaktierung der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente 311, beziehungsweise der zweiten Halbleiterbauelemente 312 angeordnet. Dies bedeutet, dass die Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelement 311 und die Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelement 312 jeweils gemeinsam über die eine erste Leiterbahn 511, beziehungsweise gemeinsam über die zweite Leiterbahn 512 elektrisch kontaktiert wird.Also along the first side surface 411 and the second side surface 412 of the first footbridge 41 are each a first trace 511 and a second trace 512 for electrically contacting the plurality of first semiconductor components 311 , or the second semiconductor devices 312 arranged. This means that the majority of the first semiconductor device 311 and the plurality of second semiconductor devices 312 each together via a first trace 511 , or together via the second interconnect 512 is contacted electrically.

Alternativ dazu kann eine Mehrzahl von ersten Leiterbahnen 511 angeordnet sein, sodass jedes der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente 311 einzeln durch jeweils eine der Mehrzahl der ersten Leiterbahnen 511 kontaktiert werden kann. Eine solche separate elektrische Kontaktierung ist auch für jedes der Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelemente 312 durch jeweils eine der Mehrzahl von zweiten Leiterbahnen 512 möglich. Durch eine Mehrzahl erster und/oder zweiter Leiterbahn 511, 512 kann eine individuelle elektrische Ansteuerung der einzelnen Halbleiterbauelemente 311, 312 ermöglicht werden.Alternatively, a plurality of first conductor tracks 511 be arranged so that each of the plurality of first semiconductor devices 311 individually through in each case one of the plurality of first conductor tracks 511 can be contacted. Such a separate electrical contact is also for each of the plurality of second semiconductor devices 312 by in each case one of the plurality of second conductor tracks 512 possible. By a plurality of first and / or second conductor track 511 . 512 can be an individual electrical control of the individual semiconductor devices 311 . 312 be enabled.

7 zeigt in einer räumlichen Ansicht ein Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement, das beispielhaft für eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Anordnungen zwei strahlungsemittierende Anordnungen 21, 22 mit jeweils einem ersten Halbleiterbauelement 311, 321, einem zweiten Halbleiterbauelement 312, 322 und einem ersten Steg 41, 42 auf dem Träger 1 aufweist. Dabei sind die ersten Halbleiterbauelemente 311, 321, sowie die zweiten Halbleiterbauelemente 312, 322 jeweils mehrzahlig in jeweils einer Reihe entlang der durch den Pfeil A angedeuteten Haupterstreckungsrichtung der ersten Stegs 41, 42 angeordnet. Weiterhin sind die ersten Stege 41, 42 der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 parallel zueinander angeordnet. 7 shows in a three-dimensional view of an embodiment of an optoelectronic device, the exemplary of a plurality of radiation-emitting devices, two radiation-emitting devices 21 . 22 each with a first semiconductor device 311 . 321 , a second semiconductor device 312 . 322 and a first jetty 41 . 42 on the carrier 1 having. Here are the first semiconductor devices 311 . 321 , as well as the second semiconductor devices 312 . 322 in each case in multiples in each case along the direction indicated by the arrow A main direction of extension of the first web 41 . 42 arranged. Furthermore, the first bridges 41 . 42 the majority of the radiation-emitting arrangements 21 . 22 arranged parallel to each other.

Die in einer Mehrzahl von Reihen entlang der Haupterstreckungsrichtung der parallel zueinander verlaufenden erste Stege 41, 42 angeordnete Mehrzahl erster Halbleiterbauelemente 311 und zweiter Halbleiterbauelemente 312 können in einer derartigen Ausführung auch als Matrix strahlungsemittierender Anordnungen 21, 22 bezeichnet werden. In einer solchen Matrixform können die strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 in Projektionssystemen, wie in einem LED Beamer mit aktiver Matrix oder als LED-Headlamp, zum Beispiel als Autoheadlamp-Element, verwendet werden.The in a plurality of rows along the main extension direction of the mutually parallel first webs 41 . 42 arranged plurality of first semiconductor devices 311 and second semiconductor devices 312 In such an embodiment, they can also be used as a matrix of radiation-emitting arrangements 21 . 22 be designated. In such a matrix form, the radiation-emitting arrangements 21 . 22 in projection systems, such as in an active-matrix LED projector or as an LED headlamp, for example as an auto-headlamp element.

Dabei kann eine solche Matrixform der strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 vorteilhaft ermöglichen, dass die Reihen erster Halbleiterbauelemente 311 und zweiter Halbleiterbauelement 312 von oben und unten über die ersten Stege 41, 42 elektrisch kontaktiert werden können. Dazu sind an den jeweiligen ersten Seitenflächen 411, 421 und zweiten Seitenflächen 412, 422 der ersten Stege 41, 42 erste Leiterbahnen 511, 521, beziehungsweise zweite Leiterbahn 512, 522 aufgebracht.In this case, such a matrix form of the radiation-emitting arrangements 21 . 22 advantageously allow the rows of first semiconductor devices 311 and second semiconductor device 312 from above and below over the first bridges 41 . 42 can be contacted electrically. These are at the respective first side surfaces 411 . 421 and second side surfaces 412 . 422 the first bridges 41 . 42 first tracks 511 . 521 , or second conductor track 512 . 522 applied.

Um eine möglichst hohe Packungsdichte der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 in einer Matrix zu erzielen, sind zum einen die strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 in möglichst geringem Abstand zueinander angeordnet. Bevorzugt grenzen die strahlungsemittierenden Anordnungen 21, 22 daher, wie in der 7 dargestellt, unmittelbar aneinander an. Zum anderen weisen die ersten Stege 41, 42 eine Breite 7 von etwa 30 μm auf,In order to achieve the highest possible packing density of the majority of the radiation-emitting arrangements 21 . 22 in a matrix, on the one hand are the radiation-emitting arrangements 21 . 22 arranged as close to each other as possible. The radiation-emitting arrangements preferably adjoin 21 . 22 therefore, as in the 7 shown, directly to each other. On the other hand, the first bridges 41 . 42 a width 7 of about 30 μm,

8A zeigt in einer Schnittdarstellung ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Bauelements mit einer strahlungsemittierenden Anordnung 21 mit einem dritten Halbleiterbauelement 313 auf dem Träger 1. Dabei ist zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement 312 und dem dritten Halbleiterbauelement 313 ein zweiter Steg 43 angeordnet. Dabei wird das zweite Halbleiterbauelement 312 zum einen durch die zweite Leiterbahn 512 an der zweiten Seitenfläche 412 des ersten Stegs 41 elektrisch kontaktiert. Zum anderen ist eine alternative elektrische Versorgung des zweiten Halbleiterbauelement 312 über die auf der ersten Seitenfläche 421 des zweiten Stegs 43 angeordnete erste Leiterbahn 531 möglich. 8A shows a sectional view of an embodiment of an optoelectronic component with a radiation-emitting arrangement 21 with a third semiconductor device 313 on the carrier 1 , It is between the second semiconductor device 312 and the third semiconductor device 313 a second jetty 43 arranged. In this case, the second semiconductor component 312 on the one hand through the second track 512 on the second side surface 412 of the first footbridge 41 electrically contacted. On the other hand, an alternative electrical supply of the second semiconductor device 312 over on the first side surface 421 of the second bridge 43 arranged first conductor track 531 possible.

Eine solche wie in der 8A dargestellte Ausführung ermöglicht demnach eine elektrische Kontaktierung einer ungeraden Anzahl von Reihen, in denen die Mehrzahl erster Halbleiterbauelemente 311, zweiter Halbleiterbauelement 312 und dritter Halbleiterbauelement 313 angeordnet ist. Demgegenüber dienen die in der 7 dargestellten ersten Stege 41, 42, die im Abstand von zwei Reihen einer Mehrzahl erster 321 und zweiter Halbleiterbauelement 312 angeordnet sind, zur elektrischen Kontaktierung einer jeweils geraden Anzahl von Reihen, in denen die Halbleiterbauelemente 312, 321 auf dem Träger 1 angeordnet sind.Such as in the 8A illustrated embodiment thus allows an electrical Contacting an odd number of rows, in which the plurality of first semiconductor devices 311 , second semiconductor device 312 and third semiconductor device 313 is arranged. In contrast, serve in the 7 illustrated first webs 41 . 42 spaced by two rows of a plurality of first 321 and second semiconductor device 312 are arranged for electrically contacting a respective even number of rows in which the semiconductor components 312 . 321 on the carrier 1 are arranged.

Um daher eine strahlungsemittierende Anordnungen mit einer ungeraden Anzahl in Reihen angeordneter Halbleiterbauelemente elektrisch anzusteuern, ist daher eine Mischform der in den 7 und 8 dargestellten Ausführungsbeispiele zu bevorzugen. Ein solches Ausführungsbeispiel für ein optoelektronisches Bauelement ist in der 8B gezeigt, das in einer Aufsicht eine ungerade Anzahl von in Reihen angeordneten Halbleiterbauelementen 310, 311, 312, 313, 314 zeigt. Neben der bereits in der 8A gezeigten strahlungsemittierenden Anordnung 21 sind noch zwei weitere Mehrzahlen von Halbleiterbauelementen 310 und 314 gezeigt, die an die erste Halbleiterbauelemente 311 und an die dritten Halbleiterbauelemente 313 angrenzen. Zur elektrischen Versorgung ist ein erster Steg 41 zwischen den ersten Halbleiterbauelementen 311 und den zweiten Halbleiterbauelementen 312 angeordnet, während der zweite Steg 43 zwischen den zweiten Halbleiterbauelementen 312 und den dritten Halbleiterbauelementen 313 angeordnet ist. Die elektrische Versorgung der Mehrzahl der Halbleiterbauelemente 310 und 314 kann über außerhalb der strahlungsemittierenden Anordnung 21 durch auf dem Träger 1 aufgebrachte Leiterbahnen (nicht bezeichnet) erfolgen.Therefore, in order to electrically drive a radiation-emitting device having an odd number of semiconductor devices arranged in rows, therefore, a mixed form of the devices shown in FIGS 7 and 8th illustrated embodiments to be preferred. Such an exemplary embodiment of an optoelectronic component is shown in FIG 8B 11 shows, in a plan view, an odd number of semiconductor devices arranged in rows 310 . 311 . 312 . 313 . 314 shows. In addition to the already in the 8A shown radiation-emitting arrangement 21 are two more multiple numbers of semiconductor devices 310 and 314 shown attached to the first semiconductor devices 311 and to the third semiconductor devices 313 adjoin. For electrical supply is a first bridge 41 between the first semiconductor devices 311 and the second semiconductor devices 312 arranged while the second bridge 43 between the second semiconductor devices 312 and the third semiconductor devices 313 is arranged. The electrical supply of the majority of the semiconductor components 310 and 314 can be outside of the radiation-emitting arrangement 21 through on the carrier 1 applied conductor tracks (not labeled) take place.

Weiterhin zeigt die 8B, dass sich der erste Steg 41 und der zweite Steg 43 nicht entlang aller Halbleiterbauelemente 311, 312, 313 auf dem Träger 1 erstrecken müssen, da eine Kontaktierung des am Rand der Halbleiterbauelement-Matrix angeordneten ersten Halbleiterbauelements 311, zweiten Halbleiterbauelements 312 und dritten Halbleiterbauelements 313 über die jeweiligen Vorderseiten 410, 430 des ersten Stegs 41 und des zweiten Stegs 43 möglich ist.Furthermore, the shows 8B that is the first bridge 41 and the second bridge 43 not along all semiconductor devices 311 . 312 . 313 on the carrier 1 must extend, since a contacting of the arranged at the edge of the semiconductor device matrix first semiconductor device 311 , second semiconductor device 312 and third semiconductor device 313 over the respective front sides 410 . 430 of the first footbridge 41 and the second bridge 43 is possible.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch, wenn diese Merkmale oder diese Kombination von Merkmalen selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention comprises each new feature as well as any combination of features, which in particular any combination of features in the claims includes, even if these features or this combination of Features themselves not explicitly in the claims or embodiments is given.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 102005055293 A1 [0032, 0056] - DE 102005055293 A1 [0032, 0056]
  • - WO 2006/034671 [0040] WO 2006/034671 [0040]

Claims (15)

Optoelektronisches Bauelement, umfassend – einen Träger (1) und – zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung (21) mit einem ersten Halbleiterbauelement (311), einem zweiten Halbleiterbauelement (312) und einem ersten Steg (41) auf dem Träger (1), wobei – der erste Steg (41) zwischen dem ersten Halbleiterbauelement (311) und dem zweiten Halbleiterbauelement (312) angeordnet ist, – der erste Steg (41) eine dem ersten Halbleiterbauelement (311) zugewandte erste Seitenfläche (411) und eine dem zweiten Halbleiterbauelement (312) zugewandte zweite Seitenfläche (412) aufweist und – auf der ersten Seitenfläche (411) des ersten Stegs (41) zumindest eine erste Leiterbahn (511) zur elektrischen Kontaktierung des ersten Halbleiterbauelements (311) und auf der zweiten Seitenfläche (412) des ersten Stegs (41) zumindest eine zweite Leiterbahn (512) zur elektrischen Kontaktierung des zweiten Halbleiterbauelements (312) angeordnet ist.Optoelectronic component comprising - a carrier ( 1 ) and - at least one radiation-emitting arrangement ( 21 ) with a first semiconductor device ( 311 ), a second semiconductor device ( 312 ) and a first bridge ( 41 ) on the support ( 1 ), where - the first bridge ( 41 ) between the first semiconductor device ( 311 ) and the second semiconductor device ( 312 ), - the first bridge ( 41 ) a the first semiconductor device ( 311 ) facing first side surface ( 411 ) and a second semiconductor device ( 312 ) facing the second side surface ( 412 ) and - on the first side surface ( 411 ) of the first bridge ( 41 ) at least one first conductor track ( 511 ) for electrically contacting the first semiconductor component ( 311 ) and on the second side surface ( 412 ) of the first bridge ( 41 ) at least one second conductor track ( 512 ) for electrically contacting the second semiconductor component ( 312 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 1, wobei – der erste Steg (41) eine Breite (7) von kleiner oder gleich 200 μm aufweist.Optoelectronic component according to claim 1, wherein - the first web ( 41 ) a width ( 7 ) of less than or equal to 200 microns. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – der erste Steg (41) einen polygonalen Querschnitt aufweist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - the first web ( 41 ) has a polygonal cross-section. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – der erste Steg (41) in einer Öffnung (8) im Träger (1) angeordnet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - the first web ( 41 ) in an opening ( 8th ) in the carrier ( 1 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 4, wobei – sich die Öffnung (8) durch den Träger (1) hindurch erstreckt und – sich der erste Steg (41) zu einer von dem ersten Halbleiterbauelement (311) und dem zweiten Halbleiterbauelement (312) abgewandten Oberfläche (12) des Trägers (1) erstreckt.Optoelectronic component according to claim 4, wherein - the opening ( 8th ) by the carrier ( 1 ) extends through and - the first bridge ( 41 ) to one of the first semiconductor device ( 311 ) and the second semiconductor device ( 312 ) facing away from the surface ( 12 ) of the carrier ( 1 ). Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 5, wobei – sich die zumindest eine erste Leiterbahn (511) und/oder die zumindest eine zweite Leiterbahn (512) durch die Öffnung (8) zu einer von dem ersten Halbleiterbauelement (311) und dem zweiten Halbleiterbauelement (312) abgewandten Oberfläche (12) des Trägers (1) hindurch erstrecken.Optoelectronic component according to claim 5, wherein - the at least one first conductor track ( 511 ) and / or the at least one second conductor track ( 512 ) through the opening ( 8th ) to one of the first semiconductor device ( 311 ) and the second semiconductor device ( 312 ) facing away from the surface ( 12 ) of the carrier ( 1 ) extend therethrough. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – eine erste Kontaktschicht (611) zwischen dem ersten Halbleiterbauelement (311) und dem Träger (1) angeordnet ist und – die erste Kontaktschicht (611) das erste Halbleiterbauelement (311) an die zumindest eine erste Leiterbahn (511) elektrisch anschließt.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - a first contact layer ( 611 ) between the first semiconductor device ( 311 ) and the carrier ( 1 ) and - the first contact layer ( 611 ) the first semiconductor device ( 311 ) to the at least one first conductor track ( 511 ) electrically connected. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 7, wobei – eine zweite Kontaktschicht (62) zwischen dem ersten Halbleiterbauelement (311) und dem Träger (1) elektrisch getrennt von der ersten Kontaktschicht (611) angeordnet ist.Optoelectronic component according to claim 7, wherein - a second contact layer ( 62 ) between the first semiconductor device ( 311 ) and the carrier ( 1 ) electrically separated from the first contact layer ( 611 ) is arranged. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 8, wobei – die zweite Kontaktschicht (62) mit einem Rückseitenkontakt (100) auf einer von dem ersten Halbleiterbauelement (311) abgewandten Oberfläche (12) des Trägers (1) elektrisch verbunden ist.Optoelectronic component according to claim 8, wherein - the second contact layer ( 62 ) with a backside contact ( 100 ) on one of the first semiconductor device ( 311 ) facing away from the surface ( 12 ) of the carrier ( 1 ) is electrically connected. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – eine weitere erste Kontaktschicht (612) zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement (312) und dem Träger (1) angeordnet ist und – die weitere erste Kontaktschicht (612) das zweite Halbleiterbauelement (312) an die zumindest eine zweite Leiterbahn (512) elektrisch anschließt.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - a further first contact layer ( 612 ) between the second semiconductor device ( 312 ) and the carrier ( 1 ) and - the further first contact layer ( 612 ) the second semiconductor device ( 312 ) to the at least one second conductor track ( 512 ) electrically connected. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – die zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung (21) eine Mehrzahl von ersten Halbleiterbauelementen (311) entlang der ersten Seitenfläche (411) des ersten Stegs (41) und eine Mehrzahl von zweiten Halbleiterbauelementen (312) entlang der zweiten Seitenfläche (412) des ersten Stegs (41) aufweist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - the at least one radiation-emitting arrangement ( 21 ) a plurality of first semiconductor devices ( 311 ) along the first side surface ( 411 ) of the first bridge ( 41 ) and a plurality of second semiconductor devices ( 312 ) along the second side surface ( 412 ) of the first bridge ( 41 ) having. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 11, wobei – der erste Steg (41) entlang der ersten Seitenfläche (411) eine Mehrzahl von ersten Leiterbahnen (511) aufweist und – jeweils eine der ersten Leiterbahnen (511) jeweils eines der Mehrzahl der ersten Halbleiterbauelemente (311) elektrisch kontaktiert.Optoelectronic component according to claim 11, wherein - the first web ( 41 ) along the first side surface ( 411 ) a plurality of first tracks ( 511 ) and - in each case one of the first conductor tracks ( 511 ) each one of the plurality of first semiconductor devices ( 311 ) contacted electrically. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 11 oder 12, wobei – der erste Steg (41) entlang der zweiten Seitenfläche (412) eine Mehrzahl von zweiten Leiterbahnen (512) aufweist und – jeweils eine der zweiten Leiterbahnen (512) jeweils eines der Mehrzahl der zweiten Halbleiterbauelemente (312) elektrisch kontaktiert.Optoelectronic component according to claim 11 or 12, wherein - the first web ( 41 ) along the second side surface ( 412 ) a plurality of second tracks ( 512 ) and - in each case one of the second conductor tracks ( 512 ) each one of the plurality of second semiconductor devices ( 312 ) contacted electrically. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – auf dem Träger (1) eine Mehrzahl von strahlungsemittierenden Anordnungen (21, 22) mit jeweils einem ersten Halbleiterbauelement (311, 321), einem zweiten Halbleiterbauelement (312, 322) und einem ersten Steg (41, 42) angeordnet ist und – die ersten Stege (41, 42) der Mehrzahl der strahlungsemittierenden Anordnungen (21, 22) parallel zueinander angeordnet sind.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - on the support ( 1 ) a plurality of radiation-emitting arrangements ( 21 . 22 ) each having a first semiconductor device ( 311 . 321 ), one two th semiconductor device ( 312 . 322 ) and a first bridge ( 41 . 42 ) is arranged and - the first webs ( 41 . 42 ) of the plurality of radiation-emitting arrangements ( 21 . 22 ) are arranged parallel to each other. Optoelektronisches Bauelement nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei – die zumindest eine strahlungsemittierende Anordnung (21) ein drittes Halbleiterbauelement (313) aufweist und – zwischen dem zweiten Halbleiterbauelement (312) und dritten Halbleiterbauelement (313) ein zweiter Steg (43) angeordnet ist.Optoelectronic component according to one of the preceding claims, wherein - the at least one radiation-emitting arrangement ( 21 ) a third semiconductor device ( 313 ) and - between the second semiconductor device ( 312 ) and third semiconductor device ( 313 ) a second bridge ( 43 ) is arranged.
DE200810025693 2008-05-29 2008-05-29 Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components Withdrawn DE102008025693A1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810025693 DE102008025693A1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE200810025693 DE102008025693A1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008025693A1 true DE102008025693A1 (en) 2009-12-03

Family

ID=41253852

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE200810025693 Withdrawn DE102008025693A1 (en) 2008-05-29 2008-05-29 Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102008025693A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8497517B2 (en) 2009-03-27 2013-07-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Arrangement of optoelectronic components

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006034671A2 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with a wireless contacting
DE102005055293A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips and thin-film semiconductor chip

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006034671A2 (en) 2004-09-30 2006-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component with a wireless contacting
DE102005055293A1 (en) 2005-08-05 2007-02-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing semiconductor chips and thin-film semiconductor chip

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8497517B2 (en) 2009-03-27 2013-07-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Arrangement of optoelectronic components

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10051159C2 (en) LED module, e.g. White light source
DE102007041896A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device
DE202015009890U1 (en) led
DE112011101981T5 (en) Surface-emitting LED with high voltage and low current
DE102007011123A1 (en) Light-emitting module and method of manufacturing a light-emitting module
DE102006015117A1 (en) Electromagnetic radiation emitting optoelectronic headlights, has gallium nitride based light emitting diode chip, which has two emission areas
DE102014011893A1 (en) led
DE112016002072B4 (en) EMISSION DEVICE FOR ULTRAVIOLET RAYS
WO2009132618A1 (en) Surface-mounted led module and method for producing a surface-mounted led module
EP3642878B1 (en) Semiconductor display
DE112016000731T5 (en) LIGHT OUTDOOR ELEMENT AND LUMINAIRE DIODE
DE102008051048A1 (en) Optoelectronic semiconductor body
DE112017006062T5 (en) LIGHT-EMITTING DIODES WITH A VARIETY OF LIGHT-EMITTING CELLS
DE102008049188A1 (en) Optoelectronic module with a carrier substrate and a plurality of radiation-emitting semiconductor components and method for its production
DE102008049398A1 (en) Headlamp with a plurality of Lumineszenzdiodenemitern
DE19603444C2 (en) LED device with at least two LEDs
DE102009015963A1 (en) Optoelectronic component
DE102017111706A1 (en) Light emitting device
DE102016119539A1 (en) Light-emitting semiconductor chip and light-emitting device
DE112019004265T5 (en) LIGHT ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
WO2018234119A1 (en) Arrangement having a plurality of light-emitting modules and method for producing an arrangement having a plurality of light-emitting modules
DE102008047579B4 (en) Lamp
DE102015107526A1 (en) Optoelectronic semiconductor chip and optoelectronic module
DE102018125281A1 (en) Optoelectronic semiconductor component
DE102008025693A1 (en) Optoelectronic device for use in projection system in e.g. LED Beamer, has two electrical conductors that are arranged on respective side surfaces of bar for electrically contacting respective semiconductor components

Legal Events

Date Code Title Description
OR8 Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law
8105 Search report available
R005 Application deemed withdrawn due to failure to request examination