DE102008020783A1 - Filter chip with different conductive layers and method of manufacture - Google Patents

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Abstract

Auf einem Piezosubstrat (PS) sind zumindest zwei strukturierte Leitschichten (LS) nebeneinander ausgebildet, die je ein SAW-Filter realisieren. Die Leitschichten umfassen Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen und weisen jeweils ein Metallisierungssystem auf, dem eine Schichtdicke zugeordnet ist. Zumindest zwei Schichtdicken unterschiedlicher Leitschichten weichen voneinander ab.On a piezo substrate (PS) at least two structured conductive layers (LS) are formed side by side, each realize a SAW filter. The conductive layers comprise transducer structures, reflectors and printed conductors and each have a metallization system to which a layer thickness is assigned. At least two layer thicknesses of different conductive layers deviate from one another.

Description

Die Erfindung betrifft einen Filterchip mit SAW-Strukturen, die aus unterschiedlichen Leitschichten ausgebildet sind, und ein Verfahren zur Herstellung.The The invention relates to a filter chip with SAW structures consisting of different conductive layers are formed, and a method for the production.

Eine beispielhafte Verwendung finden SAW-Filter in Endgeräten der mobilen Kommunikation. Moderne Handys müssen heute eine Vielzahl diverser Bänder bedienen können, für die zumeist jeweils ein eigenes Filter erforderlich ist. Jedes Filter ist dabei in der Regel auf einem eigenen Chip aufgebaut. Mehrere gehäuste Filter können aber zu einer Filterbank auf einem Modul vereinigt sein. Möglich ist es auch, mehrere Filterchips ungehäust auf einem Modul zu montieren und das Modul gemeinsam zu verkapseln. Bekannt sind auch Duplexer, die zwei Filterchips in einem gemeinsamen Package aufweisen.A Exemplary use find SAW filter in terminals of mobile communication. Modern mobile phones today have a variety of diverse bands can serve, for the usually each own filter is required. Every filter is usually built on a separate chip. Several packaged Filters can but be united to a filter bank on a module. It is possible also, several filter chips unheated to mount on a module and to encapsulate the module together. Also known are duplexers, the two filter chips in a common Package have.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einfachere Lösungen für solche Anwendungen anzugeben, die mehrere Filter erfordern.task the present invention is to provide simpler solutions for such applications, which require multiple filters.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen Filterchip nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sowie ein Verfahren zur Herstellung des Filterchips sind weiteren Ansprüchen zu entnehmen.These The object is achieved by a Filter chip solved according to claim 1. Advantageous embodiments of the invention and a method for Production of the filter chip can be found in further claims.

Es wird vorgeschlagen, zumindest zwei SAW-Filter auf einem gemeinsamen Piezosubstrat zu realisieren. Jedes Filter ist dabei aus einer eigenen strukturierten, auf dem Piezosubstrat ausgebildeten Leitschicht ausgebildet, die jeweils Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen umfasst. Eine Leitschicht weist dabei ein Metallisierungssystem aus einer oder mehreren Schichten von Metallen oder Legierungen auf. Auf dem Filterchip sind zwei zumindest in einem Parameter unterschiedliche Leitschichten vorgesehen, die unterschiedlichen Filtern zugeordnet sind. Dies kann die Schichtdicke der Leitschicht oder einer der Teilschichten oder auch der Aufbau und die verwendeten Metalle der Leitschichten oder einer deren Teilschichten sein.It It is proposed to have at least two SAW filters on a common Piezo substrate to realize. Each filter is from its own structured, formed on the piezoelectric substrate conductive layer formed, each transducer structures, reflectors and conductors includes. A conductive layer has a metallization system one or more layers of metals or alloys on. On the filter chip two are different at least in one parameter Conductive layers provided, the different filters assigned are. This may be the layer thickness of the conductive layer or one of the Partial layers or even the structure and the metals used Be conductive layers or their sublayers.

Es ist bekannt, dass ein in seinen Eigenschaften optimiertes SAW-Filter eine auf das Passband und damit auf die Resonanzfrequenz des Filters ausgerichtete relative Metallisierungshöhe, also eine entsprechende Schichtdicke der Leitschicht aufweist. Bei SAW-Filtern, die in unterschiedlichen Frequenzbereichen arbeiten, können sich die optimalen Parameter der jeweiligen Leitschicht wie insbesondere deren Schichtdicken unterscheiden.It is known to have a SAW filter optimized in its properties one aimed at the passband and thus at the resonant frequency of the filter relative metallization height, So has a corresponding layer thickness of the conductive layer. at SAW filters that work in different frequency ranges, can the optimum parameters of the respective conductive layer, in particular their Differentiate between layer thicknesses.

Bisher war es aber nicht bekannt, mehr al ein optimiertes SAW-Filter mit jeweils angepasster Leitschicht auf einem gemeinsamen Piezosubstrat zu realisieren. Mit der Erfindung wird vorgeschlagen, unterschiedliche jeweils optimierte Leitschichten für die zumindest zwei SAW-Filter zu verwenden und dazu jedes der Filter mit einer an die Durchlassfrequenz des Filters angepassten Schichtdicke der Leitschicht auszubilden. Außerdem erlaubt die Erfindung, das gesamte Metallisierungssystem an die jeweiligen Filtererfordernisse anzupassen und entsprechend auszubilden. Daher können sich auch die Metallisierungssysteme der zumindest zwei Leitschichten in weiteren Parametern unterscheiden.So far it was not known, however, with more than one optimized SAW filter respectively adapted conductive layer on a common piezosubstrate to realize. The invention proposes different respectively optimized conductive layers for the at least two SAW filters to use and to each of the filters with a to the pass frequency of the filter adapted layer thickness of the conductive layer form. Furthermore allows the invention, the entire metallization to the adapt to respective filter requirements and train accordingly. Therefore, you can also the metallization of the at least two conductive layers in other parameters differ.

Im vorgeschlagenen Filterchip können sich die Metallisierungssysteme und die Schichtdicken der Leitschichten beliebig stark unterscheiden, ebenso die Durchlassfrequenzen der dadurch realisierten SAW-Filter. Die zumindest zwei SAW-Filter können völlig unabhängig voneinander optimiert werden und beeinflussen sich gegenseitig nicht.in the proposed filter chip can the metallization systems and the layer thicknesses of the conductive layers arbitrarily strong, as well as the transmission frequencies of the realized by SAW filters. The at least two SAW filters can be completely independent of each other be optimized and do not influence each other.

Der Filterchip kann in ein Package eingebaut und darin verkapselt werden, so dass der Aufwand zur Verkapselung eines zweiten und gegebenenfalls weiteren auf dem einen Filterchip realisierten SAW-Filter entfällt, da nur noch der eine Filterchip verkapselt werden muss. Auf dem gleichen Filterchip können auch drei, vier oder mehr SAW-Filter nebeneinander realisiert sein.Of the Filter chip can be built into a package and encapsulated in it, so that the effort to encapsulate a second and possibly further on the one filter chip realized SAW filter is omitted since only one filter chip has to be encapsulated. On the same Filter chip can also be realized three, four or more SAW filters next to each other.

Der Filterchip hat den Vorteil, dass er gegenüber einer Mehrzahl separater Filterchips, die jeweils nur ein SAW-Filter aufweisen, einfacher zu handhaben ist. Anstelle der entsprechenden Anzahl unterschiedlicher Filterchips muss nur noch ein Filterchip montiert werden. Ebenso reduziert sich der Verkapselungsaufwand, die für die SAW-Filter erforderliche Oberfläche an Piezosubstrat und insgesamt die Dimension des Filterchips. Gleichzeitig werden mit dem Filterchip auch Kosten gegenüber der Mehrchiplösung eingespart.Of the Filter chip has the advantage that it is compared to a plurality of separate Filter chips, each with only one SAW filter, easier to handle is. Instead of the corresponding number of different filter chips only one filter chip has to be mounted. Likewise reduced the encapsulation effort required for the SAW filter required surface on piezosubstrate and total the dimension of the filter chip. At the same time with the filter chip also costs compared the multi-chip solution saved.

In einer Ausgestaltung der Erfindung kann der Filterchip einen Masseanschluss aufweisen, der elektrisch mit zumindest zwei der SAW-Filter verbunden ist. Ein solcher gemeinsamer Masseanschluss spart weitere Chipfläche ein und vermindert gegenüber einer Lösung mit mehreren Filterchips auch den Verdrahtungsaufwand auf dem Trägersubstrat oder der Leiterplatte, auf dem oder der der Filterchip zu montieren ist.In According to an embodiment of the invention, the filter chip has a ground connection which is electrically connected to at least two of the SAW filters is. Such a common ground connection saves additional chip area and diminished over a solution with multiple filter chips and the wiring on the carrier substrate or the circuit board to mount on the filter chip or the is.

Die Leitschichten der unterschiedlichen SAW-Filter auf dem Filterchip können unterschiedliche Metallisierungssysteme umfassen. Dies können sich bezüglich der verwendeten Materialien unterscheiden. Es können auch Leitschichten sein, bei denen die Schichtdicken oder die Schichtdickenverhältnisse unterschiedlicher Teilschichten in den unterschiedlichen Leitschichten unterschiedlich gewählt sind. Unterschiedliche Leitschichten können auch eine unterschiedliche Anzahl von Teilschichten umfassen.The conductive layers of the different SAW filters on the filter chip may include different metallization systems. These may differ with respect to the materials used. It may also be conductive layers in which the layer thicknesses or the layer thickness ratios of different partial layers in the different conductive layers are chosen differently. Different conductive layers can also handle a different number of sublayers believe it.

Die Mittenfrequenzen der zumindest zwei SAW-Filter weichen vorzugsweise voneinander ab und sind jeweils auf ein eigenes Frequenzband ausgerichtet. Möglich sind jedoch auch unterschiedliche SAW-Filter, die zwar bei gleicher Mittenfrequenz arbeiten, jedoch unterschiedliche Spezifikationen aufweisen, beispielsweise bezüglich der Bandbreite des Durchlassbereichs.The Center frequencies of the at least two SAW filters preferably differ from each other and are each aligned to a separate frequency band. Possible However, there are also different SAW filters, although the same Center frequency work, but different specifications have, for example, with respect the bandwidth of the passband.

In einem Package kann der Filterchip vorzugsweise in Flip-Chip-Anordnung auf der Oberseite eines Mehrschichtsubstrats montiert sein. Letzteres weist dann auf seiner Unterseite lötbare Außenanschlüsse auf, die über eine im Inneren des Mehrschichtsubstrats realisierte Verdrahtung mit Anschlussflächen auf der Oberseite des Mehrschichtsubstrats und diese wiederum über Bumps mit dem Filterchip verbunden sein können.In a package, the filter chip preferably in a flip-chip arrangement be mounted on the top of a multilayer substrate. The latter points then solderable on its underside Outdoor connections, the above a wiring realized inside the multilayer substrate with connection surfaces on the top of the multilayer substrate and these in turn via bumps can be connected to the filter chip.

Ein auf einem Trägersubstrat in Flip-Chip-Anordnung montierter Filterchip kann daher mit einer auf der Rückseite des Filterchips und der benachbarten Oberfläche des Trägersubstrats eng anliegenden Abdeckung abgedichtet sein, die ein- oder mehrschichtig ausgebildet sein kann. Die Abdeckung kann eine auflaminierte ein- oder mehrschichtige Folie sein, die Kunststoff umfasst. Alternativ oder zusätzlich kann die Abdeckung eine Metallisierung umfassen. Über dieser ein- oder mehrschichtigen Abdeckung kann darüber hinaus der Filterchip noch mit einer Vergussmasse abgedeckt sein. Auf dem Trägersubstrat können auch weitere Chips montiert sein, die mit dem Filterchip zusammen ein Modul ergeben. Der Filterchip und die weiteren Chips können zusammen im Modul verkapselt sein, beispielsweise durch eine gemeinsame über allen Chips aufliegende Abdeckung, die dicht mit dem Trägersubstrat abschließt.One on a carrier substrate in flip-chip assembly mounted filter chip can therefore with a on the back side of the filter chip and the adjacent surface of the carrier substrate Be sealed cover that formed one or more layers can be. The cover can be a laminated single or multi-layered Be film that includes plastic. Alternatively or additionally the cover include a metallization. About this single or multi-layered Cover can over it In addition, the filter chip still be covered with a potting compound. On the carrier substrate can Also, other chips may be mounted together with the filter chip result in a module. The filter chip and the other chips can work together be encapsulated in the module, for example, by a common over all Chips overlying cover that is tight with the carrier substrate concludes.

Es sind auch andere Abdeckungen möglich, z. B. mit einer Vergussmasse, die direkt auf den Filterchip aufgebracht ist.It Other covers are possible, for. B. with a potting compound applied directly to the filter chip is.

Die Herstellung eines Filterchips mit unterschiedlichen SAW-Filtern mit unterschiedlichen Leitschichten gelingt in einem Verfahren, bei dem die unterschiedlichen Leitschichten sequenziell hintereinander und unabhängig voneinander hergestellt werden. Dazu wird auf einem Piezosubstrat zunächst eine erste strukturierte Leitschicht erzeugt, die ein erstes SAW-Filter ausbildet. Dieses umfasst Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen. Für diese erste Leitschicht für das erste SAW-Filter können beliebige Metallisierungs- und Strukturierungstechniken eingesetzt werden.The Production of a filter chip with different SAW filters with different Conductive layers succeed in a process in which the different Conductive layers sequentially one behind the other and independently getting produced. For this purpose, a piezo substrate is first a first structured conductive layer which produces a first SAW filter formed. This includes transducer structures, reflectors and printed conductors. For this first conductive layer for the first SAW filter can be any Metallization and structuring techniques are used.

Anschließend wird die Leitschicht für das zweite SAW-Filter aufgebracht. Dazu wird in einer ersten Variante gemäß einer Abhebetechnik zunächst ganzflächig eine Fotoresistschicht aufgebracht und strukturiert. Anschließend wird die zweite Leitschicht ganzflächig über der strukturierten Resistschicht aufgebracht und insbesondere aufgedampft. Im nächsten Schritt wird der strukturierte Fotoresist samt den Bereichen der aufgebrachten Leitschicht, der direkt auf dem Fotoresist aufliegt, vom Piezosubstrat abgehoben, daher spricht man hier auch von Abhebetechnik. Die dabei nicht abgehobenen auf dem Piezosubstrat verbleibenden Leitschichtstrukturen bilden die Strukturen des zweiten SAW-Filters, welches ebenfalls Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen umfasst.Subsequently, will the conductive layer for applied the second SAW filter. This is done in a first variant according to a Lift-off technology first the whole area a photoresist layer is applied and patterned. Subsequently, will the second conductive layer over the entire surface of the structured resist layer applied and in particular vapor-deposited. in the next Step is the structured photoresist including the areas of applied conductive layer, which rests directly on the photoresist, lifted from the piezosubstrate, so we speak here of lift-off. The not lifted off remaining on the piezo substrate Leitschichtstrukturen form the structures of the second SAW filter, which also includes transducer structures, reflectors and tracks.

In einem weiteren später ausgeführten Schritt können Anschlusspads, die auch gemeinsame Anschlusspads für die zumindest zwei SAW-Filter sein können, erzeugt werden. Für die Anschlusspads kann dabei ein Metallisierungssystem verwendet werden, welches sich von dem der Leitschichten für erstes und zweites SAW-Filter unterscheidet. Insbesondere werden die Anschlusspads vorzugsweise in größerer Schichtdicke als die Wandlerstrukturen und Leiterbahnen erzeugt. Vorzugsweise werden dabei zumindest die Anschlusspads für Masse – die Massepads – so aufgebracht, dass sie über Leiterbahnen gleichzeitig mit den Masseanschlüssen von erstem und zweitem SAW-Filter verbunden sind.In another later executed step can Pads, which are also common connection pads for the at least two SAW filters can be, be generated. For the connection pads can be used a metallization system, which differs from that of the first and second SAW filter layers different. In particular, the connection pads are preferably in larger layer thickness as the transducer structures and tracks produced. Preferably at least the connection pads for ground - the ground pads - so applied, that they over Tracks at the same time as the ground connections of the first and second SAW filters are connected.

In ähnlicher oder gleicher Weise wie die zweite Leitschicht können auf dem Piezosubstrat noch weitere Leitschichten aufgebracht und zu weiteren SAW-Filtern strukturiert werden. Grundsätzlich erlaubt es das vorgeschlagene Verfahren, eine beliebige Anzahl von SAW-Filtern auf einem gemeinsamen Piezosubstrat zu realisieren.In similar or the same as the second conductive layer can still on the piezoelectric substrate applied further Leitschichten and structured to other SAW filters become. Basically allowed It's the proposed method, any number of SAW filters to realize on a common piezosubstrate.

Für das Abhebeverfahren ist es vorteilhaft, wenn die abzuhebenden Resiststrukturen einen nach oben, also vom Piezosubstrat weg sich erweiternden Querschnitt aufweisen. Ein solcher z. B. konischer Querschnitt verhindert bei anisotroper Aufbringung der Leitschicht, dass sich Metall an den dann überhängenden Seitenflächen der abzuhebenden Resiststrukturen niederschlägt. Dies führt dazu, dass zwischen den nicht abzuhebenden direkt auf dem Piezosubstrat abgeschiedenen Flächenbereichen der Leitschicht einerseits und andererseits den Flächenbereichen, die auf den Resiststrukturen abgeschieden sind, keine metallischen Verbindungen bestehen. Damit ist ein sauberes Ablösen der Resiststrukturen samt darauf abgeschiedener Flächenbereiche der Leitschicht möglich. Auf dem Substrat verbleibende nicht abgehobenen Strukturen werden dabei nicht beschädigt und weisen daher bereits nch dem Abheben saubere und glatte Kanten auf.For the lift-off procedure it is advantageous if the resist structures to be removed have a to the top, so away from the piezoelectric substrate away cross-section exhibit. Such z. B. conical cross section prevents anisotropic deposition of the conductive layer that attaches to the metal then overhanging faces the resigned resist structures precipitates. This causes that between the not To be lifted directly deposited on the piezo substrate surface areas the conductive layer on the one hand and on the other hand the surface areas, which are deposited on the resist structures, not metallic Connections exist. This is a clean peel off the Resist structures along with deposited surface areas of the conductive layer possible. Become non-lifted structures remaining on the substrate not damaged and therefore have clean and smooth edges even after lifting on.

Fotoresiststrukturen mit konischem sich nach oben erweitendem Querschnitt können mit Hilfe einer geeigneten Phototechnik erzeugt werden. Es kann dazu ein gegebenenfalls mehrstufiger Prozess mit gegebenenfalls mehreren Resistsystemen oder -Schichten eingestzt werden, so dass die verbleibenden Strukturen einen konischen Querschnitt annehmen oder zumindest eine überhängende Struktur aufweisen.Photoresist structures with conical upwardly extending cross-section can help with a suitable phototechnology can be generated. For this purpose, an optionally multi-stage process with possibly several resist systems or layers may be used so that the remaining structures assume a conical cross-section or at least have an overhanging structure.

In einer Variante werden zur Aufbringung der Leitschicht nacheinander eine erste T und eine zweite Teilschicht der Leitschicht aufgebracht, z. B. aufgedampft. Die erste Teilschicht kann insbesondere eine die Haftung vermittelnde Teilschicht sein.In a variant of the application of the conductive layer successively a first T and a second sub-layer of the conductive layer applied, z. B. vapor-deposited. The first sub-layer can in particular a the Liability intermediary layer be.

Für jedes SAW-Filter wird die Schichtdicke der jeweiligen Teil- oder Leitschicht beim Aufbringen kontrolliert und auf einen jeweiligen individuellen, dem SAW-Filter zugeordneten Wert eingestellt und so optimiert. Dies kann mit einem Schwingquarz erfolgen, der im Abscheidungsbereich der Metallabscheidung angeordnet ist und dessen Resonanzfrequenz von der aufgebrachten Metallschichtdicke abhängig ist. Gegebenenfalls kann auch zusätzlich oder alternativ ein Trimmprozess eingesetzt werden, um die Schichtdicke nach dem Aufbringen noch zu reduzieren.For each SAW filter becomes the layer thickness of the respective partial or conductive layer controlled during application and to a respective individual, the SAW filter assigned value and thus optimized. This can be done with a quartz crystal, in the deposition area the metal deposition is arranged and its resonance frequency depends on the applied metal layer thickness. If necessary, can also in addition or Alternatively, a trim process can be used to determine the layer thickness reduce after application.

Das Aufbringen der Leitschichten kann das Aufbringen mehrerer Teilschichten umfassen, die in unterschiedlichen Schichterzeugungsverfahren aufgebracht werden, die ausgewählt sein können aus Aufsputtern und Aufdampfen. Bei unterschiedlichen Leitschichten unterscheiden sich die Teilschichten in zumindest einem Merkmal, ausgewählt aus Abfolge der Teilschichten, Material der Teilschichten und Schichtdicke der Teilschichten.The Application of the conductive layers can be the application of several partial layers include that applied in different layer forming processes be selected could be from sputtering and vapor deposition. For different conductive layers the sub-layers differ in at least one feature, selected from sequence of partial layers, material of the partial layers and layer thickness the sublayers.

Bei der Abhebetechnik kann das Abheben des Fotoresists samt der darauf aufliegenden Bereiche der Leitschicht durch Behandeln mit einem Lösungsmittel erfolgen, welches die Resiststrukturen ab- oder auflösen kann.at the lift-off technique can be the lifting of the photoresist including the on it Overlying areas of the conductive layer by treating with a solvent take place, which can dissolve or dissolve the resist structures.

Das vorgeschlagene Abhebeverfahren erlaubt die Herstellung einer zweiten, dritten und gegebenenfalls weiterer Leitschichten in analoger Weise, wobei die Materialsysteme und Materialstärken für die Leitschichten für jede Leitschicht unterschiedlich gewählt werden können. Eine bereits aufgebrachte und strukturierte Leitschicht stört dabei die Erzeugung der weiteren Leitschichten nicht, so dass unterschiedliche Leitschichten beziehungsweise daraus strukturierte SAW-Filter völlig unabhängig voneinander hergestellt werden können.The proposed lifting method allows the production of a second, third and optionally further conductive layers in an analogous manner, wherein the material systems and material thicknesses for the conductive layers for each conductive layer chosen differently can be. An already applied and structured conductive layer disturbs this the generation of the other conductive layers not so that different Conductive layers or SAW filters structured from them are completely independent of each other can be produced.

Die Anschlusspads für Signalanschlüsse und Masseanschlüsse werden abschließend nach der Herstellung der letzten Leitschicht erzeugt. Dazu kann ebenfalls eine Abhebetechnik verwendet werden. Einzelne Anschluss- und Massepads können gleichzeitig mit mehreren SAW-Filtern beziehungsweise mit Strukturen mehrerer SAW-Filter verbunden sein.The Connection pads for Signal connections and ground terminals be final produced after the production of the last conductive layer. This can also a lift-off technique can be used. Single connection and ground pads can simultaneously with several SAW filters or with structures of several SAW filter be connected.

Zur Herstellung eines gemeinsamen Anschlusspads für zwei unterschiedliche SAW-Filter können die mit den SAW-Filtern verbundenen Leiterbahnen so strukturiert werden, dass deren Enden nahe zusammengeführt sind. Über die beiden Enden lässt sich dann ein Anschlusspad so aufbringen, dass es beide Leiterbahnen überlappt und einen elektrischen Kontakt zu den beiden damit verbundenen SAW-Strukturen herstellt.to Making a common connection pad for two different SAW filters can be the structured with the SAW filters interconnects are structured so that their ends are brought close together. About the two ends can be then apply a connection pad so that it overlaps both tracks and an electrical contact to the two associated SAW structures manufactures.

Im Folgenden wird die Erfindung anhand von Ausführungsbeispielen und der dazu gehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren dienen allein der Veranschaulichung der Erfindung und sind daher nur schematisch und nicht maßstabsgetreu ausgeführt. Den Figuren können daher weder absolute noch relative Maßangaben entnommen werden.in the Below, the invention will be described with reference to embodiments and the related Figures closer explained. The figures are solely illustrative of the invention and are therefore designed only schematically and not true to scale. The Figures can therefore neither absolute nor relative measurements are taken.

1 zeigt im Querschnitt ein Piezosubstrat mit zwei darauf aufgebrachten, strukturierten, unterschiedlichen Leitschichten, 1 shows in cross-section a piezosubstrate with two structured, different conductive layers applied thereto,

2 zeigt in schematischer Draufsicht auf einen Filterchip angedeutete Strukturen für hier drei auf dem Substrat realisierte SAW-Filter, 2 shows a schematic plan view of a filter chip indicated structures for here three realized on the substrate SAW filter,

3 zeigt im schematischen Querschnitt die Herstellung eines Filterchips mit zwei unterschiedlichen strukturierten Leitschichten während verschiedener Verfahrensstufen, 3 shows in schematic cross section the production of a filter chip with two different structured conductive layers during different process stages,

4 zeigt ein alternatives Verfahren zur Herstellung der ersten Leitschicht. 4 shows an alternative method of making the first conductive layer.

1 zeigt schematisch ein erstes Ausführungsbeispiel für einen erfindungsgemäßen Filterchip, auf dem zwei unterschiedliche Leitschichten zu zwei SAW-Filtern strukturiert sind. Auf dem Piezosubstrat PS, welche vorzugsweise monokristallin ist, ist eine erste Leitschicht LS1 zu einem ersten SAW-Filter strukturiert. Die Strukturen sind in einem ersten Filterbereich FB1 auf dem Piezosubstrat PS angeordnet. Eine zweite Leitschicht LS2, die hier mit einer von der ersten Leitschicht abweichenden Schichtdicke dargestellt ist, ist in einem zweiten Filterbereich FB2 auf dem gleichen Piezosubstrat PS angeordnet und strukturiert. 1 schematically shows a first embodiment of a filter chip according to the invention, are structured on the two different conductive layers to two SAW filters. On the piezo substrate PS, which is preferably monocrystalline, a first conductive layer LS1 is patterned into a first SAW filter. The structures are arranged in a first filter area FB1 on the piezo substrate PS. A second conductive layer LS2, which is shown here with a layer thickness differing from the first conductive layer, is arranged and structured in a second filter region FB2 on the same piezo substrate PS.

2 zeigt in Draufsicht und nur schematisch angedeutet eine beispielhafte Struktur dreier SAW-Filter, die erfindungsgemäß gemeinsam auf dem selben Piezosubstrat PS erzeugt werden können. Je ein SAW-Filter ist in einem eigenen Filterbereich FB angeordnet. Die relative Anordnung der unterschiedlichen SAW-Filter zueinander ist vorzugsweise so, dass Signalanschlüsse und Masseanschlüsse gemeinsam genutzt werden können, ohne dass dazu eine aufwendige oder lange Leiterbahnführung auf der Oberfläche des Piezosubstrats erforderlich ist. Jedes SAW-Filter weist hier beispielsweise interdigitale Wandler W auf, die in einer akustischen Spur angeordnet sind. Jede akustische Spur ist beidseitig mit zwei Reflektoren R abgeschlossen und kann jeweils einen oder mehrere Wandler aufweisen. Die interdigitalen Wandler W sind mit Signalanschlüssen SA und/oder Masseanschlüssen MA und/oder untereinander verbunden. Einer der Masseanschlüsse MP ist als gemeinsames Massepad für zwei unterschiedliche, hier direkt nebeneinander angeordnete SAW-Filter ausgebildet. So dient beispielsweise das gemeinsame Massepad MP12 als Masseanschluss für Strukturen von zweitem und drittem SAW-Filter, die im zweien und dritten Filterbereich FB2, FB3 angeordnet sind. Das Massepad MP23 dient als gemeinsamer Masseanschluss für Strukturen des zweiten und dritten SAW-Filters im zweiten und dritten Filterbereich FB2, FB3. 2 shows in plan view and only schematically indicated an exemplary structure of three SAW filters that can be generated according to the invention together on the same piezo substrate PS. Each SAW filter is arranged in a separate filter area FB. The relative arrangement of the different SAW filters to each other is preferably such that signal terminals and ground can be used together without the need for an elaborate or long trace guidance on the surface of the piezosubstrate. Each SAW filter here has, for example, interdigital transducers W which are arranged in an acoustic track. Each acoustic track is terminated on both sides with two reflectors R and can each have one or more transducers. The interdigital transducers W are connected to signal connections SA and / or ground connections MA and / or to each other. One of the ground connections MP is designed as a common ground pad for two different, directly juxtaposed SAW filters. For example, the common ground pad MP12 serves as a ground terminal for structures of second and third SAW filters arranged in the second and third filter areas FB2, FB3. The ground pad MP23 serves as a common ground terminal for structures of the second and third SAW filters in the second and third filter area FB2, FB3.

Das erste SAW-Filter ist beispielsweise aus einer ersten DMS-Spur ausgebildet, bei der sechs interdigitale Wandler W zwischen zwei Reflektoren R angeordnet sind. Zwei als Eingang dienende Wandler sind parallel verschaltet, ebenso jeweils zwei als Ausgang dienende Wandler, so dass das Filter symmetrisch/unsymmetrisch und somit als BALUN betrieben werden kann. Elektrisch in Serie zu der DMS-Spur ist eine weitere akustische Spur geschaltet, die als Zweitorresonator ausgebildet ist. Die beiden Ausgänge der DMS-Spur sind mit je einem interdigitalen Wandler des Zweitorresonators verbunden. Die beiden Ausgänge des ersten SAW-Filters sind am jeweiligen Busbar der Wandler des Zweitorresonators angeordnet.The first SAW filter is formed for example from a first strain gauge track, at the six interdigital transducers W between two reflectors R are arranged. Two transducers serving as input are parallel interconnected, as well as two each serving as an output converter, so that the filter is symmetrical / unbalanced and thus operated as a BALUN can be. Electrically in series with the DMS track is another acoustic track, which formed as a two-port resonator is. The two exits the DMS track are each equipped with an interdigital transducer of the two-port resonator connected. The two exits of the first SAW filter are at the respective busbar of the converter of Two-OR resonator arranged.

Wie in der Figur dargestellt, kann auch das zweite SAW-Filter eine ähnliche oder sogar gleiche Struktur aufweisen, wobei jedoch vorzugsweise Fingerabstände der Wandler und die Leitschichten von erstem und zweitem SAW-Filter unterschiedlich ausgebildet sind. Auch das dritte SAW-Filter kann eine ähnliche Struktur aufweisen, wobei hier ein DMS-Filter in Serie zu einem Eintorresonator geschaltet ist, während ein weiterer Eintorresonator parallel zu dem seriellen Resonator geschaltet ist. An das gemeinsam genutzte Massepad MP23 können Reflektoren und mit Masse verbundene Busbars der Wandler aus beiden SAW-Filtern angeschlossen sein. Darüber hinaus können nur dem jeweiligen SAW-Filter zugeordnete Massepads vorgesehen sein.As Shown in the figure, the second SAW filter can be a similar or even the same structure, but preferably finger pitches the transducer and the conductive layers of the first and second SAW filters are formed differently. Also the third SAW filter can a similar Structure, in which case a DMS filter in series with a One-port resonator is switched while another one-port resonator is connected in parallel with the serial resonator. To the common used mass pad MP23 can Reflectors and grounded busbars of the converters of both Be connected to SAW filters. In addition, only be provided to the respective SAW filter associated with Massepads.

Prinzipiell ist es möglich, auf dem Filterchip SAW-Filter unterschiedlicher Filtertypen zu realisieren. So können beispielsweise DMS-Filter und Reaktanzfilter, die beispielsweise aus Eintorresonatoren ausgebildet sind, nebeneinander auf einem gemeinsamen Filterchip realisiert werden. Das erfindungsgemäße Verfahren erlaubt es, Strukturen für unterschiedliche Filtertypen auf dem gemeinsamen Chip zu erzeugen und ist diesbezüglich daher nicht beschränkt.in principle Is it possible, to realize SAW filters of different filter types on the filter chip. So, for example DMS filters and reactance filters, which are formed, for example, of one-port resonators are realized side by side on a common filter chip become. The inventive method allows structures for create different filter types on the common chip and is in this regard therefore not limited.

3 zeigt anhand schematischer Querschnitte durch ein Piezosubstrat verschiedene Verfahrensstufe bei der Herstellung eines Filterchips mit zumindest zwei Leitschichten, die zwei SAW-Filtern zugeordnet sind. 3 shows by means of schematic cross sections through a piezoelectric substrate different process stage in the production of a filter chip with at least two conductive layers, which are associated with two SAW filters.

Auf einem Piezosubstrat PS wird zunächst eine erste Leitschicht LS1 aufgebracht und zu Strukturen eines ersten SAW-Filters strukturiert. Die erste Leitschicht kann mit Abhebetechnik strukturiert sein. Möglich ist es jedoch auch, eine großflächige erste Leitschicht zu erzeugen und über eine Resistmaske durch Ätzen zu strukturieren.On a piezo substrate PS is first a first conductive layer LS1 applied and to structures of a first Structured SAW filters. The first conductive layer can be structured with lift-off technology. Is possible However, it also, a large-scale first conductive layer to generate and over a resist mask by etching to structure.

Über dem Piezosubstrat PS mit der ersten Leitschicht LS1 wird anschließend ganzflächig eine Schicht eines Fotoresists PR2 aufgebracht, beispielsweise durch Aufschleudern. (siehe 3B).Over the piezosubstrate PS with the first conductive layer LS1, a layer of a photoresist PR2 is subsequently applied over the whole area, for example by spin-coating. (please refer 3B ).

3C zeigt die Fotoresistschicht nach der Fotostrukturierung, bestehend aus Belichtungs-, Temperatur- und Entwicklerprozessen. Es verbleiben Resiststrukturen, die im oberen Schichtbereich einen größeren Querschnitt als im unteren Schichtbereich aufweisen. 3C shows the photoresist layer after the photopatterning, consisting of exposure, temperature and developer processes. Resist structures remain which have a larger cross section in the upper layer region than in the lower layer region.

Anschließend werden ganzflächig eine oder mehrere gegebenenfalls unterschiedliche, metallische Teilschichten MS2 für die zweite Leitschicht aufgebracht. Dies kann wieder durch Aufdampfen der metallischen Teilschicht erfolgen.Then be the whole area one or more optionally different, metallic sublayers MS2 for applied the second conductive layer. This can be done by vapor deposition take the metallic sublayer.

Wie die 3D zeigt, sind die auf dem Resist aufliegenden Schichtbereiche der Metallschicht MS2 und die auf anderen Oberflächen wie z. B. dem dem Piezosubstrat PS aufliegenden Schichtbereiche der Metallschicht voneinander getrennt und nicht durch seitlich an den Resiststrukturen anhaftende Metallstrukturen verbunden. Dies ermöglicht es, im nächsten Schritt die komplette Struktur der Fotoresistschicht PR2 samt darauf aufliegender Schichtbereiche der Metallschicht MS2 sauber zu entfernen, beispielsweise durch Behandeln mit Lösungsmittel.As the 3D shows, resting on the resist layer areas of the metal layer MS2 and on other surfaces such. B. the piezosubstrat PS lying layer portions of the metal layer separated from each other and not connected by laterally adhering to the resist structures metal structures. In the next step, this makes it possible to cleanly remove the complete structure of the photoresist layer PR2 together with the layer regions of the metal layer MS2 resting thereon, for example by treatment with solvent.

3E zeigt die Anordnung mit fertig strukturierter zweiter Leitschicht LS2, die in einen zweiten Filterbereich FB2 neben dem ersten Filterbereich FB1 auf dem Piezosubstrat ausgebildet ist. Erste und zweite Leitschicht unterscheiden sich in zumindest einem Merkmal, ausgewählt aus Schichtdicke, Material oder Schichtenfolge. 3E shows the arrangement with ready-structured second conductive layer LS2, which is formed in a second filter area FB2 next to the first filter area FB1 on the piezoelectric substrate. First and second conductive layers differ in at least one feature selected from layer thickness, material or layer sequence.

Ein alternatives Verfahren, mit dem die erste Leitschicht für das erste SAW-Filter aufgebracht und strukturiert werden kann, wird im Folgenden anhand von 4 erläutert. Hier wird zunächst auf der Oberseite des Piezosubstrats PS eine Metallschicht MS1 aufgebracht. Dies kann mittels Sputtern und/oder Aufdampfen erfolgen. Die Leitschicht kann mehrere gegebenenfalls unterschiedliche Teilschichten umfassen. Eine oder mehrere der Teilschichten können Aluminium und/oder Kupfer umfassen. Möglich ist es auch, Mehrschichtaufbauten zu realisieren, bei denen Aluminium oder aluminiumhaltige Schichten und Schichten eines härteren und/oder schwereren Metalls alternieren. Vorteilhaft ist es beispielsweise, im Mehrschichtaufbau zumindest eine Kupferschicht vorzusehen.An alternative method by which the first conductive layer for the first SAW filter can be applied and patterned is described below from 4 explained. Here, first of all, a metal layer MS1 is applied to the upper side of the piezo substrate PS. This can be done by sputtering and / or vapor deposition. The conductive layer may comprise a plurality of optionally different partial layers. One or more of the sublayers may comprise aluminum and / or copper. It is also possible to realize multi-layer constructions in which aluminum or aluminum-containing layers and layers of a harder and / or heavier metal alternate. It is advantageous, for example, to provide at least one copper layer in the multi-layer structure.

Mit Hilfe einer ganzflächig aufgebrachten Fotoresistschicht, die ein positiv oder negativ arbeitender Lack sein kann, und einer anschließenden Fotolithographie wird anschließend eine Ätzmaske erzeugt, wie sie beispielsweise in 4B dargestellt ist. Die von der Resistmaske ERST abgedeckten Bereiche der Metallschicht bleiben im anschließenden Ätzschritt, der beispielsweise mit einem Trockenätzverfahren durchgeführt wird, vom Abtrag verschont. Anschließend wird die Fotoresistschicht entfernt und gegebenenfalls die Oberfläche von weiteren Lackresten gereinigt.With the aid of a photoresist layer applied over the entire surface, which may be a positive or negative-working lacquer, and a subsequent photolithography, an etching mask is then produced, as used, for example, in US Pat 4B is shown. The regions of the metal layer which are covered by the resist mask ERST remain free of erosion in the subsequent etching step, which is carried out, for example, by means of a dry etching process. Subsequently, the photoresist layer is removed and optionally cleaned the surface of other paint residues.

4C zeigt die so entstandene erste Leitschicht LS1 direkt auf dem Piezosubstrat. 4C shows the resulting first conductive layer LS1 directly on the piezo substrate.

Nach dem Strukturieren der ersten Leitschicht LS1 mittels eines Ätzverfahrens kann die nächste und gegebenenfalls weitere folgende Leitschichten mit dem bereits beschriebenen Abhebeverfahren erzeugt werden. Prinzipiell ist es jedoch auch möglich, weitere Leitschichten ebenfalls nach dem Ätzverfahren zu erzeugen. Dazu ist es erforderlich, nach der in 4C dargestellten Verfahrensstufe eine Ätzstoppschicht zumindest im Bereich der ersten Leitschicht LS1 abzuscheiden und zu strukturieren. Das mit einer Ätzstoppschicht über der ersten Leitschicht versehene Piezosubstrat PS wird anschließend in dem nicht von der Ätzstoppschicht bedeckten Bereich als Substrat für die Erzeugung der zweiten Leitschicht eingesetzt. Dazu wird ganzflächig eine weitere Metallschicht erzeugt und über eine Fotolithographie und einen weiteren Ätzschritt strukturiert. Die Ätzstoppschicht über der ersten Leitschicht LS1 verhindert, dass beim Ätzen der Struktur der zweiten Leitschicht LS2 die erste Leitschicht beschädigt wird.After the structuring of the first conductive layer LS1 by means of an etching process, the next and possibly further subsequent conductive layers can be produced using the lifting method already described. In principle, however, it is also possible to also produce further conductive layers by the etching process. For this it is necessary, after the in 4C process step shown to deposit an etch stop layer at least in the region of the first conductive layer LS1 and to structure. The piezosubstrate PS provided with an etching stop layer over the first conductive layer is then used as substrate for the production of the second conductive layer in the region not covered by the etching stop layer. For this purpose, a further metal layer is generated over the entire surface and structured by means of a photolithography and a further etching step. The etch stop layer over the first conductive layer LS1 prevents the first conductive layer from being damaged when the structure of the second conductive layer LS2 is etched.

Weitere Leitschichten können in gleicher Weise durch Wiederholung der beschriebenen Verfahrensschritte aufgebracht und strukturiert werden. Nach dem Erzeugen der letzten Leitschicht auf dem Piezosubstrat PS erfolgt auch hier in einem gemeinsamen Schritt die Erzeugung der Anschlusspads, die zur elektrischen Kontaktierung einzelner oder gemeinsamer Kontaktierungen mehrerer Leitschichten eingesetzt werden können.Further Conductive layers can in the same way by repeating the described process steps be applied and structured. After creating the last Conductive layer on the piezo substrate PS is also here in a common step is the generation of connection pads that are used for electrical Contacting individual or common contacts of several Leitschichten can be used.

In der Variante mit Strukturierung durch Ätzung wird dazu zunächst fotolithographisch die Ätzstoppschicht so strukturiert, dass sie im Bereich der herzustellenden Anschlusspads entfernt wird. Die Anschlusspads selbst können mittels Ätztechnik erzeugt und strukturiert werden. Dazu wird zunächst ganzflächig eine Metallschicht aufgebracht und fotolithographisch zum gewünschten Pad strukturiert. Bei der Strukturierung ist es möglich, dass die Anschlusspads nur teilweise auf dem Piezosubstrat und den freigelegten Leiterbahnen, die mit den Leitschichten LS verbunden sind, aufgebracht werden. Für das Erzeugen der Metallisierung für die Anschlüsse werden vorzugsweise zwei Teilschichten aufgebracht, wobei eine überwiegend Aluminium umfasst. Möglich ist die Herstellung der Anschlusspads jedoch auch durch die Abhebetechnik, wie sie anhand des ersten Ausführungsbeispiels und gemäß 3 erläutert wurde.In the variant with patterning by etching, the etching stop layer is first photolithographically structured in such a way that it is removed in the region of the connection pads to be produced. The connection pads themselves can be generated and patterned by means of etching technology. For this purpose, a metal layer is first applied over the entire surface and patterned photolithographically to the desired pad. In structuring, it is possible for the connection pads to be applied only partially to the piezosubstrate and to the exposed conductor tracks which are connected to the conductive layers LS. For producing the metallization for the connections, preferably two partial layers are applied, one comprising predominantly aluminum. However, the preparation of the connection pads is also possible by the lift-off, as they are based on the first embodiment and according to 3 was explained.

Zusammen mit den Anschlusspads können weitere passive Strukturen auf der Oberfläche des Piezosubstrats PS erzeugt werden. So ist es insbesondere möglich, zur Anpassung der SAW-Filter genutzte passive Strukturen zu erzeugen und über bereits vorhandene oder noch zu strukturierende Leiterbahnen mit den Leitschichten beziehungsweise den daraus realisierten Filterstrukturen elektrisch zu verbinden. Solche passiven Strukturen weisen eine Funktion oder eine Eigenschaft auf, die über die einer Leiterbahn hinausgeht. Sie können Kapazitäten, Induktivitäten, Interdigitalwandler oder Reflektoren umfassen.Together with the connection pads can more passive structures on the surface of the piezoelectric substrate PS generated become. So it is possible in particular to create passive structures used to adapt the SAW filters and over existing ones or to be structured tracks with the conductive layers or the filter structures realized therefrom electrically connect to. Such passive structures have a function or a property over that which goes out of a track. You can use capacitors, inductors, interdigital transducers or reflectors.

Möglich ist es jedoch auch, solche Matching-Elemente zusammen mit den strukturierten Leitschichten in einem gemeinsamen Prozess zu erzeugen. Dabei können Matching-Elemente für ein erstes SAW-Filter auch zusammen mit der Leitschicht eines zweiten davon verschiedenen SAW-Filters erzeugt werden, wobei die entsprechende Leitschicht zur Herstellung der Matching-Elemente verwendet werden kann. Maßgeblich für die Auswahl ist die Schichtdicke oder Zusammensetzung der jeweiligen Leitschicht, wobei diejenige Leitschicht zur Realisierung der Matching-Elemente ausgewählt wird, die bezüglich der Leitschicht am Besten dazu geeignet ist. Maßgeblich für die Auswahl ist die Schichtdicke/Zusammensetzung oder die minimal realisierbare Strukturbreite.Is possible however, such matching elements together with the structured conductive layers in a common process. It can be matching elements for a first SAW filter also together with the conductive layer of a second of them different SAW filters are generated, with the corresponding Conductive layer can be used to produce the matching elements. decisive for the Selection is the layer thickness or composition of the respective Conductive layer, wherein that conductive layer for the realization of the matching elements selected that's going to be the conductive layer is best suited. Decisive for the selection is the layer thickness / composition or the minimum realizable structure width.

Jede Leitschicht wird vorzugsweise auf Waferebene für eine Vielzahl von auf dem Wafer zu erzeugenden Filterstrukturen unterschiedlicher Filter/Filterchips gleichzeitig aufgebracht. Im auch zeitlich gesehen letzten Schritt wird abschließend auf die Anschlusspads oder im Bereich der Anschlusspads eine Underbump-Metallisierung (UBM) als weitere Metallisierung erzeugt. Anschließend erfolgt entweder die Vereinzelung der einzelnen Filterchips aus dem Wafer, oder es wird auf Waferebene eine für alle Filterchips parallel vorgenommene Verkapselung erzeugt.Each conductive layer is preferably deposited simultaneously at the wafer level for a plurality of filter structures of different filters / filter chips to be formed on the wafer. In the last step, which is also considered in terms of time, an underbump metallization (UBM) is finally produced on the connection pads or in the area of the connection pads as further metallization. Subsequently, entwe the singulation of the individual filter chips from the wafer, or it is produced at wafer level a parallel made for all filter chips encapsulation.

Auf Waferebene sind dazu Verfahren geeignet, bei denen vorzugsweise starre Abdeckmaterialien über dem Wafer beziehungsweise über den einzelnen Filterchips aufgebracht werden. Ein direkter Kontakt zu den Leitschichten wird vermieden, wenn vorher Abstandselemente zwischen den Filterbereichen oder am Rand der Filterchips erzeugt werden. Diese Abstandselemente können beispielsweise in Form von die Leitschichten umschließenden Rahmen und insbesondere in Form von Metallrahmen erzeugt sein. Die Metallrahmen können sämtliche Leitschichten und daraus strukturierte Elemente eines Filterchips umschließen. Möglich ist es jedoch auch, die als Rahmen ausgebildeten Abstandselemente nur um mechanisch empfindliche Bereiche zu führen und insbesondere die Anschlusspads freizulassen.On Wafer level are suitable for this process, in which preferably rigid cover materials over the wafer or over the individual filter chips are applied. A direct contact to the conductive layers is avoided if previously spacer elements generated between the filter areas or at the edge of the filter chips become. These spacers can for example in the form of the conductive layers enclosing frame and in particular be produced in the form of metal frames. The metal frame can all Conductive layers and elements of a filter chip structured therefrom enclose. Possible However, it is also, the frame formed as spacers only to guide mechanically sensitive areas and in particular the connection pads release.

Anschließend wird das Abdeckelement, welches aus Glas, Keramik oder einem anderen ausreichend starren Material besteht, auf die Abstandsstrukturen aufgesetzt und mit diesen verbunden. Anschließend kann die Abdeckschicht strukturiert und gegebenenfalls durch weitere Maßnahmen insbesondere durch weitere Schichterzeugung gegen das Piezosubstrat PS abgedichtet werden.Subsequently, will the cover, which is made of glass, ceramic or another sufficiently rigid material exists on the spacer structures put on and connected to these. Subsequently, the cover layer structured and, where appropriate, by further measures, in particular by sealed further layer generation against the piezoelectric substrate PS become.

Möglich ist es jedoch auch, nach der Herstellung der Leitschichten, Anschlusspads und UBMs die Filterchips zu vereinzeln und einzeln auf großflächigen Trägersubstraten mit integrierter Metallisierung und Verdrahtung aufzubringen. Geeignet Trägersubstrate umfassen mehrschichtige integrierte Verdrahtung und gegebenenfalls integrierte passive Komponenten aufweisende Substrate aus LTCC, HTCC oder ein PCB, beispielsweise aus Laminat.Is possible however, it also, after the production of the conductive layers, connection pads and UBMs to separate the filter chips and individually on large-area carrier substrates with integrated metallization and wiring. Suitable carrier substrates include multilayer integrated wiring and optionally integrated passive component substrates from LTCC, HTCC or a PCB, for example made of laminate.

Wird als Montageverfahren Flip-Chip-Technik eingesetzt, so sind die Leitschichten zum Trägersubstrat gewandt und nach der Montage in einem Hohlraum zwischen Piezosubstrat und Trägersubstrat geschützt. Das Trägersubstrat mit darauf in Flip-Chip-Anordnung montierten Filterchips kann anschließend großflächig mit einer Abdeckung versehen werden. Da die Rückseiten der Filterchips gegen eine Massenbelastung unempfindlich sind, kann dazu eine Laminiertechnik in Kombination mit weiteren Schichtabscheideverfahren eingesetzt werden. Möglich ist es jedoch auch, die Filterchips durch Schichtabscheidung geeigneter Schichten, insbesondere metallischer und anorganischer Isolationsschichten abzudecken. Möglich ist es jedoch auch, Isolationsschichten aus organischen Materialien und insbesondere aus Kunststofffolien oder Vergussmassen aufzubringen und diese organischen Materialien ebenfalls mit Schichtabscheidungen anorganischer isolierender Materialien zu kombinieren.Becomes used as a mounting method flip-chip technology, so are the conductive layers to the carrier substrate turned and after mounting in a cavity between piezosubstrate and carrier substrate protected. The carrier substrate with it mounted in flip-chip assembly filter chips can then with a large area be provided a cover. Since the backs of the filter chips against a Mass stress are insensitive, this can be a lamination technique used in combination with other Schichtabscheideverfahren become. Possible However, it is also the filter chips by layer deposition suitable Layers, in particular metallic and inorganic insulation layers cover. Possible However, it is also insulating layers of organic materials and in particular of plastic films or potting compounds and these organic materials also with layer deposits to combine inorganic insulating materials.

Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Filterchips erzeugt werden, die eine Mehrzahl von SAW-Filtern auf einem Chip vereinen. Solche Filterchips können als Filterbänke für all die Anwendungen eingesetzt werden, die eine größere Anzahl von Filtern erfordern. Insbesondere sind solche als Filterbänke genutzten Filterchips für Frontendmodule von Endgeräten der mobilen Kommunikation geeignet, insbesondere für Endgeräte zellgebundenen Mobilfunks.With the method according to the invention can Filter chips are generated, which has a plurality of SAW filters to unite a chip. Such filter chips can be used as filter banks for all those Applications are used that require a larger number of filters. In particular, such filter banks used as filter banks are front-end modules of terminals mobile communication suitable, especially for terminal cell-bound Mobile communications.

Der vorgeschlagene Filterchip kann jedoch auch ein Duplexer, Triplexer, Multiplexer oder ein anderer integrierter Baustein sein, bei dem die unterschiedlichen auf dem Filterchip realisierten SAW-Filter elektrisch miteinander verbunden sind. So ist es mit dem Filterchip möglich, ein Hochfrequenzsignal an einen Anschluss anzulegen und in Abhängigkeit von dessen Frequenz einem bestimmten Signalpfad zuzuweisen, so dass das Signal so über ein bestimmtes SAW-Filter gefiltert wird.Of the However, the proposed filter chip can also be a duplexer, triplexer, Be multiplexer or other integrated device in which the different SAW filters realized on the filter chip electrically connected to each other. This is the case with the filter chip possible, to apply a radio frequency signal to a terminal and in response to it To assign frequency to a specific signal path, so that the signal so over a particular SAW filter is filtered.

Die Erfindung ist nicht auf die in den Figuren näher beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Insbesondere können die beschriebenen Verfahrensschritte und Strukturelemente beliebig miteinander kombiniert werden. Maßgeblich ist stets, einen Filterchip mit unterschiedlichen Leitschichten bereitzustellen, die sich zumindest bezüglich eines wesentlichen Parameters und insbesondere bezüglich der Schichtdicke der Leitschicht unterscheiden.The The invention is not limited to the exemplary embodiments described in the figures limited. In particular, you can the described process steps and structural elements arbitrarily with each other be combined. decisive is always to provide a filter chip with different conductive layers, at least with regard to an essential parameter and in particular with regard to Different layer thickness of the conductive layer.

FCFC
Filterchipfilter chip
FBFB
Filterbereichfilter area
PSPS
Piezosubstratpiezosubstrate
MSMS
Metallschichtmetal layer
LSLS
Leitschichtconductive layer
WW
Wandlerconverter
LBLB
Leiterbahnconductor path
RR
Reflektorreflector
PRPR
FotoresistschichtPhotoresist layer
PRSPRS
FotoresiststrukturenPhotoresist structures
MAMA
Masseanschlussground connection
MPMP
gemeinsame Masse-Padscommon Mass Pads
SASA
Signalanschlusssignal connection

Claims (19)

Filterchip – mit einem Piezosubstrat (PS), auf dem zumindest zwei strukturierte Leitschichten (LS) nebeneinander ausgebildet sind, die je ein SAW Filter realisieren – wobei die Leitschichten Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen (LB) umfassen – wobei jeder Leitschicht ein Metallisierungssystem und eine Schichtdicke zugeordnet ist, – wobei sich zumindest zwei Schichtdicken unterschiedlicher Leitschichten voneinander unterscheiden.Filter chip - with a piezo substrate (PS) on which at least two structured conductive layers (LS) are formed side by side, each realize a SAW filter - wherein the conductive layers transducer structures, reflectors and interconnects (LB) comprise - each conductive layer, a metallization and a layer thickness assigned, - At least two layer thicknesses of different conductive layers differ from each other. Filterchip nach Anspruch 1, welcher Masseanschlüsse (MP) aufweist, die mit zumindest zwei SAW Filtern verbunden sind.Filter chip according to claim 1, which ground connections (MP) which are connected to at least two SAW filters. Filterchip nach Anspruch 1 oder 2, bei dem sich zumindest zwei Metallisierungssysteme unterschiedlicher Leitschichten (LS) voneinander unterscheiden.Filter chip according to claim 1 or 2, wherein at least two metallization systems of different conductive layers (LS) differ from each other. Filterchip nach einem der Ansprüche 1–3, bei dem die zumindest zwei SAW Filter unterschiedliche Mittenfrequenzen aufweisen.A filter chip according to any one of claims 1-3, wherein the at least two SAW filters have different center frequencies. Filterchip nach einem der Ansprüche 1–4, welcher in Flip-Chip Anordnung auf der Oberseite eines Mehrschichtsubstrat montiert ist, das auf seiner Unterseite lötbare Außenanschlüsse aufweist, wobei im Inneren des Mehrschichtsubstrats eine Mehrlagenverdrahtung angeordnet ist, die den Filterchip (FC) und die darauf realisierten SAW Filter elektrisch mit den Außenanschlüssen verbindet.Filter chip according to one of claims 1-4, which in flip-chip arrangement mounted on top of a multilayer substrate that is on its bottom solderable Has external connections, wherein in the interior of the multi-layer substrate, a multi-layer wiring is arranged, the filter chip (FC) and the realized thereon SAW filter electrically connects to the external connections. Verfahren zur Herstellung eines Filterchips mit zumindest zwei SAW Filtern – bei dem auf einem Piezosubstrat (PS) eine erste Leitschicht (LS) aufgebracht wird, die zu – einem ersten SAW Filter zugeordneten – Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen strukturiert ist oder wird, – bei dem anschließend auf dem Piezosubstrat ganzflächig eine Schicht eines Fotoresists (PRS) aufgebracht und strukturiert wird – bei dem eine zweite Leitschicht ganzflächig aus der Gasphase über der strukturierten Resistschicht und dem freiliegenden Piezosubstrat aufgebracht wird, – bei dem der Fotoresist samt direkt darauf aufliegender Bereiche der zweiten Leitschicht in einer Abhebetechnik vom Piezosubstrat abgehoben wird, wobei einem zweiten SAW Filter zugeordnete Wandlerstrukturen, Reflektoren und Leiterbahnen auf dem Piezosubstrat verbleiben.Method for producing a filter chip with at least two SAW filters - at on a piezo substrate (PS) applied a first conductive layer (LS) that becomes - one first associated with SAW filters - transducer structures, reflectors and tracks is or is structured, - in which subsequently on the piezosubstrat over the entire surface a layer of a photoresist (PRS) applied and patterned becomes - at a second conductive layer over the entire surface of the gas phase over the structured resist layer and the exposed piezosubstrate is applied, - at the photoresist with directly on top of lying areas of the lifted second Leitschicht in a lift-off from the piezoelectric substrate is, with a second SAW filter associated transducer structures, Reflectors and traces remain on the piezosubstrate. Verfahren nach Anspruch 6, bei dem gemeinsame elektrische Anschluss-Pads (MPA) für die zumindest zwei SAW Filter erzeugt werden.Method according to claim 6, in which common electrical Connection Pads (MPA) for the at least two SAW filters are generated. Verfahren nach Anspruch 6 oder 7, – bei dem der Fotoresist über eine aufliegende Maske (PM) oder ein Retikel belichtet wird, – bei dem gegebenenfalls mehrstufige Belichtungs-, Temper- und Entwicklungsschritte so durchgeführt werden, dass die nach der Entwicklung verbleibenden Photoresiststrukturen im oberen Schichtbereich eine größere Strukturbreite aufweisen als im unteren Schichtbereich.Method according to claim 6 or 7, - in which the photoresist over an overlying mask (PM) or a reticle is exposed, - in which optionally multi-stage exposure, tempering and development steps be done so that after development remaining photoresist structures in the upper layer area a larger structure width have as in the lower layer region. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–8, bei dem zur Aufbringung der Leitschicht (LS) oder anderer metallischer Schichten eine oder mehrere Teilschichten aufgedampft werden.A method according to any one of claims 6-8, wherein for application the conductive layer (LS) or other metallic layers one or several partial layers are evaporated. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem als eine Teilschicht eine Aluminium, Titan oder Kupfer umfassende Schicht aufgedampft wird.A method according to claim 9, wherein as a sub-layer a layer comprising aluminum, titanium or copper is vapor-deposited becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–10, – bei dem das Abheben des Fotoresists (PRS) samt direkt darauf aufliegender Bereiche der Leitschicht durch Behandeln mit einem Lösungsmittel erfolgt.Method according to one of claims 6-10, - in which the lifting of the photoresist (PRS) along with directly lying on top of the conductive layer Treat with a solvent he follows. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–11, bei dem nach dem Herstellen der zweiten Leitschicht (LS) eine dritte strukturierte Leitschicht erzeugt wird, wobei die Verfahrensschritte zur Erzeugung der zweiten Leitschicht wiederholt werden.A method according to any one of claims 6-11, wherein after manufacturing the second conductive layer (LS) a third structured conductive layer is generated, wherein the method steps for generating the second Conductor be repeated. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem eine vierte und gegebenenfalls weitere Leitschichten (LS) in gleicher Weise wie zweite und dritte Leitschicht hergestellt werden, die einem vierten oder weiteren SAW Filtern zugeordnet sind.The method of claim 12, wherein a fourth and optionally further conductive layers (LS) in the same way how to make second and third conductive layers, one associated with fourth or further SAW filters. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–13, bei dem auch die erste Leitschicht (LS) ähnlich wie die zweite Leitschicht in Abhebetechnik hergestellt und strukturiert wird.Method according to one of claims 6-13, wherein also the first Similar to conductive layer (LS) as the second conductive layer produced and structured in lift-off becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–14, bei dem nach der Herstellung einer gewünschten Anzahl von Leitschichten (LS) für eine entsprechende Anzahl von nebeneinander angeordneten SAW Filtern die elektrischen Anschluss-Pads für die SAW Filter in einem Schritt erzeugt werden, wobei auch hierfür die Abhebetechnik eingesetzt wird, wobei die Anschluss-Pads so erzeugt werden, dass sie zumindest teilweise mit den Enden von Leiterbahnen überlappen, die elektrisch mit den Wandlerstrukturen der SAW Filter verbunden sind.Method according to one of claims 6-14, in the after the Production of a desired Number of conductive layers (LS) for a corresponding number of juxtaposed SAW filters the electrical connection pads for the SAW filters in one step be generated, and for this purpose the lift-off technique is used, being the connection pads be generated so that they at least partially with the ends of Overlap conductor tracks, which are electrically connected to the transducer structures of the SAW filters are. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–15, bei dem die Schichtdicke der jeweiligen Leitschicht beim Aufbringen kontrolliert und auf einen individuellen, dem jeweiligen SAW Filter zugeordneten Wert eingestellt wird.Method according to one of claims 6-15, wherein the layer thickness the respective conductive layer during application controlled and on set an individual value assigned to the respective SAW filter becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–16, bei dem zur Herstellung der Leitschichten mehrere Teilschichten aufgebracht werden, bei dem sich zumindest ein Merkmal ausgewählt aus Zusammensetzung der Teilschichten, Abfolge der Teilschichten und Schichtdicke der Teilschichten bei zwei unterschiedlichen SAW Filtern unterscheidet.A method according to any one of claims 6-16, wherein for the manufacture the conductive layers are applied several sub-layers, at at least one characteristic selected from the composition of Partial layers, sequence of partial layers and layer thickness of the partial layers differentiates between two different SAW filters. Verfahren nach einem der Ansprüche 6–17, bei dem zumindest zwei, unterschiedlichen SAW Filtern zugeordnete Leiterbahnen mit einem gemeinsamen Anschlusspad verbunden werden, indem die zwei Leiterbahnen nahe zusammen geführt werden und das Anschlusspad dann so aufgebracht wird, dass es beide Leiterbahnen überlappt.Method according to one of claims 6-17, wherein at least two, different SAW filters associated conductor tracks with a common m connecting pad by the two tracks are brought together close together and the connection pad is then applied so that it overlaps both tracks. Verfahren nach Anspruch 6–18, bei dem eine Leitschicht, die einem ersten Filter zugeordnet ist, im Bereich eines zweiten Filters zur Realisierung von passiven Elementen genutzt wird.Method according to claims 6-18, wherein a conductive layer, which is assigned to a first filter, in the range of a second one Filter is used for the realization of passive elements.
DE200810020783 2008-04-25 2008-04-25 Filter chip with different conductive layers and method of manufacture Ceased DE102008020783A1 (en)

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