DE102008015452A1 - Corrosion protection layer for semiconductor devices - Google Patents

Corrosion protection layer for semiconductor devices Download PDF

Info

Publication number
DE102008015452A1
DE102008015452A1 DE102008015452A DE102008015452A DE102008015452A1 DE 102008015452 A1 DE102008015452 A1 DE 102008015452A1 DE 102008015452 A DE102008015452 A DE 102008015452A DE 102008015452 A DE102008015452 A DE 102008015452A DE 102008015452 A1 DE102008015452 A1 DE 102008015452A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
corrosion protection
protection layer
semiconductor element
diffusion barrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE102008015452A
Other languages
German (de)
Inventor
Andreas Dr. Krause
Bernd Dr. Bitnar
Holger Dr. Neuhaus
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Deutsche Cell GmbH
Original Assignee
Deutsche Cell GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Deutsche Cell GmbH filed Critical Deutsche Cell GmbH
Priority to DE102008015452A priority Critical patent/DE102008015452A1/en
Priority to PCT/EP2009/001933 priority patent/WO2009118118A1/en
Publication of DE102008015452A1 publication Critical patent/DE102008015452A1/en
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Ein Halbleiter-Bauelement (1) weist eine Korrosions-Schutzschicht (6) auf, welche zumindest teilweise aus Nickel ist.A semiconductor device (1) has a corrosion protection layer (6) which is at least partially made of nickel.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiter-Element mit einer Korrosions-Schutzschicht sowie ein Verfahren zum Herstellen desselben.The The invention relates to a semiconductor element having a corrosion protection layer and a method for producing the same.

Der prinzipielle Aufbau und ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements mit einer Leitungsschicht aus Kupfer ist in der DE 10 2007 031 958.6 beschrieben.The basic structure and a method for producing a semiconductor device with a conductive layer of copper is in the DE 10 2007 031 958.6 described.

Kupfer weist eine gute elektrische Leitfähigkeit auf und ist relativ kostengünstig. Nachteilig ist, dass Kupfer sehr leicht oxidiert und sich dann nicht mehr gut verlöten lässt. Außerdem wird durch die Oxidation die Leitfähigkeit von Kupfer vermindert. Aus diesem Grund muss eine Leitungsschicht aus Kupfer im Allgemeinen mit einer Korrosions-Schutzschicht abgedeckt werden. Als Korrosions-Schutz werden üblicherweise Zinn oder Silber eingesetzt. Während Silber sehr teuer ist, hat eine Korrosions-Schutzschicht aus Zinn eine typische Dicke von mindestens 3 μm. Wenn es sich bei dem Halbleiter-Bauelement um eine Solarzelle handelt und die Korrosionsschutzschicht auf den Frontkontakt aufgebracht wird, würde eine 3 μm dicke Zinnschicht zu einer erhöhten Abschattung und somit zu einer Verminderung des Wirkungsgrades der Solarzelle führen.copper has good electrical conductivity and is relative inexpensive. The disadvantage is that copper is very light oxidized and then can not be soldered well. In addition, the oxidation is the conductivity reduced by copper. For this reason, a conductor layer must be made of copper generally covered with a corrosion protection layer become. As corrosion protection are usually tin or silver used. While silver is very expensive, has a corrosion protection layer of tin a typical thickness of at least 3 μm. If the semiconductor device is a Solar cell acts and the corrosion protection layer on the front contact is applied, would a 3 micron thick tin layer to an increased shading and thus to a reduction the efficiency of the solar cell lead.

Es ist daher Aufgabe der Erfindung, eine verbesserte Korrosions-Schutzschicht zu schaffen.It It is therefore an object of the invention to provide an improved corrosion protection layer to accomplish.

Diese Aufgabe wird durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 9 gelöst. Der Kern der Erfindung besteht darin, die Korrosions-Schutzschicht zumindest anteilsweise aus Nickel auszubilden. Eine derartige Schutzschicht kann wesentlich dünner als eine Korrosions-Schutzschicht aus Zinn ausgebildet sein, was im Falle eines Solarzellen Frontkontaktes zu einer geringeren Abschattung und somit zu einem erhöhten Wirkungsgrad der Solarzelle führt. Im Vergleich zu Silber sind die Materialkosten von Nickel deutlich geringer. Außerdem ist die Nickel-Oberfläche auch nach längerer Lagerung an Luft noch gut lötbar. Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.These The object is solved by the features of claims 1 and 9. The essence of the invention is the corrosion protection layer at least partly made of nickel. Such a protective layer can much thinner than a corrosion protective layer Tin be formed, which in the case of a solar cell front contact to a lower shadowing and thus to an increased Efficiency of the solar cell leads. Compared to silver the material costs of nickel are significantly lower. Furthermore is the nickel surface even after prolonged storage In the air still good solderable. Further advantages of the invention emerge from the dependent claims.

Zusätzliche Merkmale und Einzelheiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung mehrerer Ausführungsbeispiele anhand der Zeichnungen. Es zeigen:additional Features and details of the invention will become apparent from the following Description of several embodiments with reference to the drawings. Show it:

1 eine schematische Darstellung eines Schnitts durch ein Halbleiter-Bauelement mit einem Frontkontakt und 1 a schematic representation of a section through a semiconductor device with a front contact and

2 eine schematische Darstellung eines Schnitts durch ein Halbleiter-Bauelement mit einem Rückkontakt. 2 a schematic representation of a section through a semiconductor device with a back contact.

Rein vorsorglich wird darauf hingewiesen, dass die Figuren nicht maßstabsgerecht sind.Purely As a precaution, it should be noted that the figures are not to scale are.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 1 ein Halbleiter-Bauelement 1 beschrieben. Bei dem Halbleiter-Bauelement 1 kann es sich insbesondere um eine Solarzelle handeln. Das Halbleiter-Bauelement 1 umfasst mehrere Schichten, insbesondere ein Halbleiter-Substrat 2, eine in direktem Kontakt mit diesem stehende Keimschicht 3, eine darauf angeordnete Diffusionsbarriere 4, eine darauf angeordnete Leitungs-Schicht 5 sowie eine auf dieser angeordnete Korrosions-Schutzschicht 6. Die Keim schicht 3, die Diffusionsbarriere 4, die Leitungs-Schicht 5 und die Korrosions-Schutzschicht 6 bilden zusammen eine Kontakt-Struktur 9.The following is with reference to the 1 a semiconductor device 1 described. In the semiconductor device 1 it may in particular be a solar cell. The semiconductor device 1 includes multiple layers, in particular a semiconductor substrate 2 , one in direct contact with this germ layer 3 , a diffusion barrier disposed thereon 4 , a line layer disposed thereon 5 and a corrosion protection layer disposed thereon 6 , The germ layer 3 , the diffusion barrier 4 , the line layer 5 and the corrosion protection layer 6 together form a contact structure 9 ,

Als Halbleiter-Substrat 2 dient insbesondere ein Siliziumsubstrat. Als Halbleiter-Substrat 2 kann jedoch ebenso ein anderes Halbleiter-Substrat dienen. Das Halbleiter-Substrat 2 ist im Wesentlichen flächig ausgebildet mit einer ersten Seite und einer dieser gegenüberliegenden zweiten Seite. Die erste Seite bildet hierbei eine Vorderseite 7, während die zweite Seite eine Rückseite 8 des Halbleiter-Substrats 2 bildet.As a semiconductor substrate 2 in particular, a silicon substrate is used. As a semiconductor substrate 2 however, it may serve another semiconductor substrate as well. The semiconductor substrate 2 is substantially flat with a first side and one of these opposite second side. The first page forms a front side 7 while the second side has a back 8th of the semiconductor substrate 2 forms.

Die Keimschicht 3, welche auf der Vorderseite 7 des Halbleiter-Substrats 2 angeordnet ist, steht in elektrischem Kontakt mit dem Halbleiter-Substrat 2. Sie ist aus einem elektrisch leitenden Material, insbesondere aus einem Metall, welches einen äußerst geringen Diffusionskoeffizienten in Bezug auf das Material des Halbleiter-Substrats 2 aufweist. Die Keimschicht weist insbesondere einen hohen Silberanteil auf. Sie kann auch vollständig aus reinem Silber bestehen. Bei der Keimschicht 3 handelt es sich insbesondere um im Siebdruck-Verfahren auf die Vorderseite 7 des Halbleiter-Substrats 2 aufgebrachte Leiterbahnen. Die Keimschicht 3 hat eine Höhe von höchstens 50 μm, insbesondere höchstens 15 μm.The germ layer 3 , which on the front 7 of the semiconductor substrate 2 is disposed in electrical contact with the semiconductor substrate 2 , It is made of an electrically conductive material, in particular of a metal, which has an extremely low diffusion coefficient with respect to the material of the semiconductor substrate 2 having. In particular, the seed layer has a high silver content. It can also be made entirely of pure silver. At the germ layer 3 in particular, it is in the screen-printing process on the front 7 of the semiconductor substrate 2 applied conductor tracks. The germ layer 3 has a height of at most 50 microns, especially at most 15 microns.

Die Diffusionsbarriere 4, welche die Keimschicht 3 vollständig abdeckt, ist aus einem Material, insbesondere einem Metall, welches einen vernachlässigbaren Diffusionskoeffizienten und eine vernachlässigbare Mischbarkeit in Bezug auf das Material der Keimschicht 3 besitzt. Die Diffusionsbarriere 4 weist insbesondere zumindest einen Anteil Nickel oder Kobalt auf. Die Diffusionsbarriere 4 hat eine Dicke von weniger als 5 μm, insbesondere weniger als 2 μm.The diffusion barrier 4 , which is the germ layer 3 is completely covered, is made of a material, in particular a metal, which has a negligible diffusion coefficient and a negligible miscibility with respect to the material of the seed layer 3 has. The diffusion barrier 4 has in particular at least one nickel or cobalt. The diffusion barrier 4 has a thickness of less than 5 microns, especially less than 2 microns.

Die Leitungs-Schicht 5 ist aus einem elektrisch leitenden, insbesondere gut leitenden Material. Die Leitungs-Schicht 5 ist insbesondere aus Kupfer. Sie kann jedoch auch teilweise aus einem anderen Material mit hoher elektrischer Leitfähigkeit ausgebildet sein.The line layer 5 is made of an electrically conductive, especially good conductive material. The line layer 5 is in particular made of copper. However, it may also be partially formed of another material with high electrical conductivity.

Die Leitungs-Schicht 5 ist vollständig von einer lötbaren, insbesondere gut lötbaren Korrosions-Schutzschicht 6 abgedeckt. Sie verhindert somit den Zugriff korrodierender Medien auf die Leitungs-Schicht 5. Sie bildet daher einen passiven Korrosions-Schutz. Die Korrosions-Schutzschicht 6 ist insbesondere aus einem Material mit höherer Elektronegativität als das Material der Leitungs-Schicht 5. Sie dient somit vorzugsweise auch als aktiver kathodischer Korrosions-Schutz.The line layer 5 is completely made of a solderable, especially well solderable corrosion protection layer 6 covered. It thus prevents the access of corrosive media to the line layer 5 , It therefore forms a passive corrosion protection. The corrosion protection layer 6 is in particular of a material with higher electronegativity than the material of the conductive layer 5 , It thus preferably also serves as an active cathodic corrosion protection.

Die Korrosions-Schutzschicht 6 ist vorteilhafterweise aus einem spontan selbstpassivierenden Material. Hierdurch wird der Korrosions-Schutz weiter verbessert. Die Korrosions-Schutzschicht 6 ist insbesondere auch im passivierten Zustand gut verlötbar.The corrosion protection layer 6 is advantageously of a spontaneously self-passivating material. As a result, the corrosion protection is further improved. The corrosion protection layer 6 is easy to solder, especially in the passivated state.

Die Korrosions-Schutzschicht 6 hat eine Dicke D im Bereich von 0,2 μm bis 3 μm, insbesondere im Bereich von 0,3 bis 2 μm, insbesondere im Bereich von 0,5 μm bis 1 μm.The corrosion protection layer 6 has a thickness D in the range of 0.2 .mu.m to 3 .mu.m, in particular in the range of 0.3 to 2 .mu.m, in particular in the range of 0.5 .mu.m to 1 .mu.m.

Die Korrosions-Schutzschicht 6 weist einen Anteil Nickel auf. Der Nickel-Anteil beträgt vorzugsweise mindestens 50%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere mindestens 99%.The corrosion protection layer 6 has a nickel content. The nickel content is preferably at least 50%, in particular at least 90%, in particular at least 99%.

Vorteilhafterweise weist die Diffusionsbarriere 4 die gleiche chemische Zusammensetzung wie die Korrosions-Schutzschicht 6 auf. Selbstverständlich kann die Diffusionsbarriere 4 auch eine andere chemische Zusammensetzung als die Korrosions-Schutzschicht 6 aufweisen.Advantageously, the diffusion barrier 4 the same chemical composition as the corrosion protection layer 6 on. Of course, the diffusion barrier 4 also a different chemical composition than the corrosion protection layer 6 exhibit.

Im Folgenden wird ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiter-Bauelements 1 beschrieben. In einem ersten Schritt wird die Keimschicht 3 auf das Halbleiter-Substrat 2 aufgebracht.The following is a method of manufacturing the semiconductor device 1 described. In a first step, the germ layer becomes 3 on the semiconductor substrate 2 applied.

In einem ersten Verfahrensschritt wird das Halbleiter-Substrat 2 bereitgestellt und mittels eines Siebdruck-Verfahrens auf der Vorderseite 7 mit der Keimschicht 3 versehen.In a first method step, the semiconductor substrate 2 provided and by means of a screen printing process on the front 7 with the germ layer 3 Mistake.

In einem weiteren Verfahrensschritt einer ersten elektrolytischen Abscheidung wird das Halbleiter-Substrat 2 mit der darauf aufgebrachten Keimschicht 3 mit der Diffusionsbarriere 4 überzogen. Dies kann insbesondere durch elektrolytische Abscheidung von Kobalt oder Nickel oder einer Legierung aus beiden Metallen geschehen. Für Details wird auf die DE 10 2007 031 958 verwiesen.In a further method step of a first electrolytic deposition, the semiconductor substrate becomes 2 with the germ layer applied to it 3 with the diffusion barrier 4 overdrawn. This can be done in particular by electrolytic deposition of cobalt or nickel or an alloy of both metals. For details will be on the DE 10 2007 031 958 directed.

Insbesondere wird die elektrolytische Abscheidung der Diffusionsbarriere 4 in Wattstype-Badern, die einen moderat sauren pH-Wert, insbesondere pH 3 bis 5 aufweisen, durchgeführt. Die elektrolytische Abscheidung der Diffusionsbarriere 4 ist im Falle einer Solarzelle durch Bestrahlung mit Licht geeigneter Intensität und Wellenlänge unterstützbar (Lichtinduzierte Galvanik).In particular, the electrolytic deposition becomes the diffusion barrier 4 in Wattstype-bathers, which have a moderately acidic pH, in particular pH 3 to 5 carried out. The electrolytic deposition of the diffusion barrier 4 is in the case of a solar cell by irradiation with light of suitable intensity and wavelength supported (light-induced electroplating).

In einem weiteren Verfahrensschritt, einer zweiten elektrolytischen Abscheidung, wird die Leitungs-Schicht 5 auf die Diffusionsbarriere 4 aufge bracht. Hierzu wird das Halbleiter-Bauelement 1 in ein saures Kupfer-Bad eingetaucht. Die elektrolytische Abscheidung der Leitungs-Schicht 5 ist im Falle einer Solarzelle durch Bestrahlung mit Licht geeigneter Intensität und Wellenlänge unterstützbar (Lichtinduzierte Galvanik).In a further process step, a second electrolytic deposition, the conductive layer becomes 5 on the diffusion barrier 4 brought up. For this purpose, the semiconductor device 1 immersed in an acidic copper bath. The electrolytic deposition of the line layer 5 is in the case of a solar cell by irradiation with light of suitable intensity and wavelength supported (light-induced electroplating).

Schließlich wird auf der Leitungs-Schicht 5 eine gut verlötbare Korrosions-Schutzschicht 6 aufgebracht. Der hierfür vorgesehene Verfahrensschritt entspricht vorzugsweise zumindest weitestgehend dem Verfahrensschritt zur Aufbringung der Diffusionsbarriere 4.Finally, on the conduction layer 5 a good solderable corrosion protection layer 6 applied. The process step provided for this purpose preferably corresponds at least as far as possible to the method step for applying the diffusion barrier 4 ,

In einem weiteren – nicht in den Figuren dargestellten – Beispiel entfällt die Trennung in Keimschicht 3 und Diffusionsbarriere 4. Die Diffusionsbarriere 4 wird in diesem Ausführungsbeispiel direkt auf das Halbleiter-Substrat 2 abgeschieden. In gleicher Weise wie beim oben dargestellten Beispiel kann die Korrosions-Schutzschicht 6 aus demselben Material wie die Diffusionsbarriere 4, insbesondere aus Nickel bestehen. Die Leitungs-Schicht 5 ist somit vorzugsweise komplett durch Schichten 4, 6 ummantelt, welche zumindest einen Anteil an Nickel aufweisen.In another example, not shown in the figures, the separation into seed layer is omitted 3 and diffusion barrier 4 , The diffusion barrier 4 is in this embodiment directly on the semiconductor substrate 2 deposited. In the same way as in the example presented above, the corrosion protection layer 6 of the same material as the diffusion barrier 4 , in particular consist of nickel. The line layer 5 is thus preferably completely by layers 4 . 6 encased, which have at least a nickel content.

Im Folgenden wird unter Bezugnahme auf die 2 ein weiteres Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben. Identische Teile erhalten dieselben Bezugszeichen wie bei dem Beispiel gemäß 1, auf dessen Beschreibung hiermit verwiesen wird. Der zentrale Unterschied gegenüber dem Halbleiter-Bauelement 1 gemäß 1 besteht darin, dass die Kontakt-Struktur 9 aus den Schichten 3, 4, 5 und 6 auf der Rückseite 8 des Halbleiter-Substrats 2 angeordnet ist. Zwischen dem Substrat 2 und der Keimschicht 3 kann sich insbesondere noch eine dielektrische Passivierungsschicht 10 befinden.The following is with reference to the 2 a further embodiment of the invention described. Identical parts are given the same reference numerals as in the example according to FIG 1 , to the description of which reference is hereby made. The key difference compared to the semiconductor device 1 according to 1 is that the contact structure 9 from the layers 3 . 4 . 5 and 6 on the back side 8th of the semiconductor substrate 2 is arranged. Between the substrate 2 and the germ layer 3 In particular, a dielectric passivation layer may be present 10 are located.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Keimschicht 3 insbesondere aus Aluminium.In this embodiment, the seed layer is 3 in particular of aluminum.

In einem weiteren, nicht in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispiel entfällt die Diffusionsbarriere 4. Weiter sind in diesem Ausführungsbeispiel die Keimschicht 3 und die Leitungs-Schicht 5 als eine einzige Schicht ausgebildet, insbesondere aus Aluminium. Die Schichtfolge in diesem Ausführungsbeispiel ist somit Aluminium und Nickel.In a further embodiment, not shown in the figures, the diffusion barrier is eliminated 4 , Further, in this embodiment, the seed layer 3 and the line layer 5 formed as a single layer, in particular of aluminum. The layer sequence in this embodiment is thus aluminum and nickel.

Selbstverständlich ist es möglich, die Ausführungsformen gemäß 1 und gemäß 2 miteinander zu kombinieren, um ein Halbleiter-Bauelement 1 mit Kontakt-Strukturen 9 sowohl auf der Vorderseite 7 als auch auf der Rückseite 8 zu erhalten.Of course, it is possible, the embodiments according to 1 and according to 2 combine with each other to form a semiconductor device 1 with contact structures 9 both on the pros the side 7 as well as on the back 8th to obtain.

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.

Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • - DE 102007031958 [0002, 0022] - DE 102007031958 [0002, 0022]

Claims (11)

Halbleiter-Element (1) mit a. einem Halbleiter-Substrat (2), b. mindestens einer darauf angeordneten, elektrisch leitenden ersten Schicht (5) und c. einer auf der ersten Schicht (5) angeordneten lötbaren Korrosions-Schutzschicht (6), d. wobei die Korrosions-Schutzschicht (6) zumindest einen Anteil Nickel aufweist.Semiconductor element ( 1 ) with a. a semiconductor substrate ( 2 b. at least one electrically conductive first layer ( 5 ) and c. one on the first layer ( 5 ) arranged solderable corrosion protective layer ( 6 ), d. the corrosion protection layer ( 6 ) has at least a nickel content. Halbleiter-Element (1) gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosions-Schutzschicht (6) einen Anteil Nickel von mindestens 50%, insbesondere mindestens 90%, insbesondere mindestens 99 % aufweist.Semiconductor element ( 1 ) according to claim 1, characterized in that the corrosion protection layer ( 6 ) has a nickel content of at least 50%, in particular at least 90%, in particular at least 99%. Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die erste Schicht (5) einen Anteil Kupfer und/oder Aluminium aufweist.Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the first layer ( 5 ) has a proportion of copper and / or aluminum. Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der ersten Schicht (5) und dem Halbleiter-Substrat (2) eine Diffusionsbarriere (4) angeordnet ist.Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that between the first layer ( 5 ) and the semiconductor substrate ( 2 ) a diffusion barrier ( 4 ) is arranged. Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Diffusionsbarriere (4) die gleiche chemische Zusammensetzung aufweist wie die Korrosions-Schutzschicht (6).Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the diffusion barrier ( 4 ) has the same chemical composition as the corrosion protection layer ( 6 ). Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosions-Schutzschicht (6) aus einem selbstpassivierenden Material ist.Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the corrosion protection layer ( 6 ) is made of a self-passivating material. Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosions-Schutzschicht (6) eine Dicke (D) im Bereich von 0,2 μm bis 3 μm, insbesondere im Bereich von 0,3 μm bis 2 μm, insbesondere zwischen 0,5 μm und 1 μm aufweist.Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the corrosion protection layer ( 6 ) has a thickness (D) in the range of 0.2 .mu.m to 3 .mu.m, in particular in the range of 0.3 .mu.m to 2 .mu.m, in particular between 0.5 .mu.m and 1 .mu.m. Halbleiter-Element (1) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosions-Schutzschicht (6) galvanisch abgeschieden ist.Semiconductor element ( 1 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the corrosion protection layer ( 6 ) is electrodeposited. Verfahren zum Herstellen einer Kontakt-Struktur für ein Halbleiter-Element (1) umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Halbleiter-Substrats (2), – Aufbringen mindestens einer Leitungs-Schicht (5) auf das Halbleiter-Substrat (2) und – Aufbringen einer verlötbaren Korrosions-Schutzschicht (6) auf der Leitungs-Schicht (5), – wobei die Korrosions-Schutzschicht (6) zumindest einen Anteil Nickel aufweist.Method for producing a contact structure for a semiconductor element ( 1 ) comprising the following steps: - providing a semiconductor substrate ( 2 ), - applying at least one line layer ( 5 ) on the semiconductor substrate ( 2 ) and - applying a solderable corrosion protective layer ( 6 ) on the line layer ( 5 ), - wherein the corrosion protection layer ( 6 ) has at least a nickel content. Verfahren gemäß Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Korrosions-Schutzschicht (6) galvanisch abgeschieden wird.A method according to claim 9, characterized in that the corrosion protection layer ( 6 ) is electrodeposited. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Halbleiter-Substrat (2) und der Leitungs-Schicht (5) eine Diffusionsbarriere (4) galvanisch oder chemisch oder durch eine Kombination beider Verfahren abgeschieden wird, wobei die Diffusionsbarriere (4) insbesondere die gleiche chemische Zusammensetzung wie die Korrosions-Schutzschicht (6) aufweist.Method according to one of claims 9 or 10, characterized in that between the semiconductor substrate ( 2 ) and the line layer ( 5 ) a diffusion barrier ( 4 ) is deposited galvanically or chemically or by a combination of both methods, wherein the diffusion barrier ( 4 ) in particular the same chemical composition as the corrosion protection layer ( 6 ) having.
DE102008015452A 2008-03-22 2008-03-22 Corrosion protection layer for semiconductor devices Ceased DE102008015452A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008015452A DE102008015452A1 (en) 2008-03-22 2008-03-22 Corrosion protection layer for semiconductor devices
PCT/EP2009/001933 WO2009118118A1 (en) 2008-03-22 2009-03-17 Corrosion protection layer for semiconductor components

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008015452A DE102008015452A1 (en) 2008-03-22 2008-03-22 Corrosion protection layer for semiconductor devices

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102008015452A1 true DE102008015452A1 (en) 2009-09-24

Family

ID=40732112

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102008015452A Ceased DE102008015452A1 (en) 2008-03-22 2008-03-22 Corrosion protection layer for semiconductor devices

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102008015452A1 (en)
WO (1) WO2009118118A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031836A1 (en) 2008-07-05 2010-01-21 Deutsche Cell Gmbh solder contact

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258077A (en) * 1991-09-13 1993-11-02 Solec International, Inc. High efficiency silicon solar cells and method of fabrication
US6479744B1 (en) * 1997-12-22 2002-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device module
DE102007031958A1 (en) 2007-07-10 2009-01-15 Deutsche Cell Gmbh Contact structure for a semiconductor device and method for producing the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4557037A (en) * 1984-10-31 1985-12-10 Mobil Solar Energy Corporation Method of fabricating solar cells
US5118362A (en) * 1990-09-24 1992-06-02 Mobil Solar Energy Corporation Electrical contacts and methods of manufacturing same
GB2260220B (en) * 1991-09-10 1996-01-03 Sanyo Electric Co An amorphous silicon solar cell and method of the solar cell manufacture
US5591565A (en) * 1992-03-20 1997-01-07 Siemens Solar Gmbh Solar cell with combined metallization and process for producing the same
DE19525720C2 (en) * 1995-07-14 1998-06-10 Siemens Solar Gmbh Manufacturing process for a solar cell without front-side metallization
US5923955A (en) * 1998-05-28 1999-07-13 Xerox Corporation Fine flip chip interconnection
DE102005029784A1 (en) * 2005-06-24 2007-01-11 Siemens Ag Electronic assembly and method of making an electronic assembly

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5258077A (en) * 1991-09-13 1993-11-02 Solec International, Inc. High efficiency silicon solar cells and method of fabrication
US6479744B1 (en) * 1997-12-22 2002-11-12 Canon Kabushiki Kaisha Photovoltaic device module
DE102007031958A1 (en) 2007-07-10 2009-01-15 Deutsche Cell Gmbh Contact structure for a semiconductor device and method for producing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031836A1 (en) 2008-07-05 2010-01-21 Deutsche Cell Gmbh solder contact

Also Published As

Publication number Publication date
WO2009118118A1 (en) 2009-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1965546C3 (en) Semiconductor component
EP1430489B1 (en) Electroceramic component comprising a plurality of contact surfaces
DE2036139A1 (en) Thin-film metallization process for microcircuits
DE102007031958A1 (en) Contact structure for a semiconductor device and method for producing the same
EP2151869A2 (en) Semiconductor component
DE102009010816B4 (en) Method for producing a semiconductor device
WO2009021713A1 (en) Method for producing a semiconductor component, a semiconductor component, and an intermediate product in the production thereof
DE102008030725A1 (en) electroplating mask
DE102018202513A1 (en) Method for metallizing a component
DE112008002043T5 (en) A method of providing a contact on the back of a solar cell and a solar cell with contacts provided in accordance with the method
DE3700912C2 (en)
DE1614306B2 (en) Process for producing electrical connections on a surface of an electronic component and component produced by using this process
DE2620998A1 (en) METHOD FOR MANUFACTURING CARRIERS FOR PROCESSING IC CHIPS
DE2438870C3 (en) Electrolyte capacitor
WO2014079657A1 (en) Method for producing a connection region of an optoelectronic semiconductor chip
DE102014103293B4 (en) Semiconductor device and manufacturing method therefor
DE102008015452A1 (en) Corrosion protection layer for semiconductor devices
DE102013219342A1 (en) Process for structuring layers of oxidizable materials by means of oxidation and substrate with structured coating
DE102012208681A1 (en) Tin coating, associated contact element and method for applying a tin coating
DE102009038141A1 (en) Process for producing an emitter electrode on a crystalline silicon solar cell and corresponding silicon solar cell
DE102019120051A1 (en) Package with selective corrosion protection of an electrical connection structure
WO2015067792A1 (en) Lead frame and use thereof
DE102019119348B4 (en) Coated carrier tape and use of the same for bonding power electronics
EP2028686B1 (en) Method for electrodepositing a metal, especially copper, and use of said method
DE102008031836A1 (en) solder contact

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R002 Refusal decision in examination/registration proceedings
R003 Refusal decision now final

Effective date: 20130806