DE102008001114A1 - Control circuit for heater plugs of vehicle for protection against polarity reversal, has switching unit provided for activating FET, so that current flow is released in directions of current path that corresponds to polarity of glow plug - Google Patents

Control circuit for heater plugs of vehicle for protection against polarity reversal, has switching unit provided for activating FET, so that current flow is released in directions of current path that corresponds to polarity of glow plug Download PDF

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Abstract

The circuit (10) has a control unit (30) for controlling a glow plug (20), where the control unit has a FET, which is interconnected with the glow plug in a common current path (P). Another FET is connected with the former FET in opposite directions such that current flow is blocked in the current path in both directions (D), where the transistors are designed as P-channel or N-channel FETs. A switching unit (40) is provided for activating the latter FET, so that the current flow is released in the directions of the current path that corresponds to prescribed polarity of the glow plug. An independent claim is also included for a method for controlling heater plugs for protection against polarity reversal.

Description

Stand der TechnikState of the art

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Steuerschaltung für Glühstiftkerzen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Steuerverfahren für Glühstiftkerzen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 10 und die spezifische Verwendung eines ASICs nach Anspruch 12 in der Schaltung und dem Verfahren.The The present invention relates to a control circuit for glow plugs according to the preamble of claim 1. The invention further relates a tax procedure for glow plugs according to the preamble of claim 10 and the specific use an ASIC according to claim 12 in the circuit and method.

Ein aktuelles Glühzeitsteuergerät der vier Weltmarktführer Nagarez, Bosch, BERU und NGK mit erheblichem Stückzahlanteil ist mit dem ASIC L9524 der Firma STM ausgerüstet. Dieser ASIC ist ein stand-alone ASIC, der von der EDC (Electronic Data Control) mit eigener Spannungsversorgung im Master-Slave Prinzip gesteuert wird. Ein solches Glühzeitsteuergerät kann selbst beschädigt werden oder Schäden verursachen, wenn es z. B. beim Verbau in ein Fahrzeug durch den Kunden falsch angeschlossen wird.One current glow time control unit of the four world market leaders Nagarez, Bosch, BERU and NGK with a significant number of parts is with the ASIC L9524 equipped by STM. This ASIC is a stand-alone ASIC developed by the EDC (Electronic Data Control) with its own power supply in the master-slave principle is controlled. Such a glow time control device can itself damaged be or damage cause, if it z. B. when installed in a vehicle by the Customer is connected incorrectly.

Immer mehr Kunden fordern deshalb einen Verpolschutz, um bei falsch angeschlossener Batterie in dem Fahrzeug die angeschlossenen Kerzen und das Steuergerät nicht durch einen Stromfluss über die parasitäre Diode in einem Ansteuer-FET (Feldeffekttransistor) zu schädigen.always Therefore, more customers are calling for polarity reversal protection in order to prevent incorrect connection Battery in the vehicle, the connected candles and the control unit is not through a current flow over the parasitic Diode damage in a drive FET (field effect transistor).

Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Verpolschutz für Steuerschaltungen von Glühstiftkerzen bereitzustellen, der zuverlässig, einfach realisierbar und kostengünstig ist. Grundsätzlich gibt es verschiedene Möglichkeiten, einen solchen Verpolschutz zu realisieren.It Object of the present invention, a reverse polarity protection for control circuits of glow plugs to provide the reliable, easy to implement and inexpensive is. in principle there are different ways to realize such reverse polarity protection.

So kann der Einbau eines Relais im Hauptpfad der Steuerschaltung für Glühstiftkerzen erwogen werden. Dadurch entsteht aber bei hohen Strömen ein erhöhter Platzbedarf durch ein großes Relais. Zudem bestehen Grenzen der Schüttelbelastbarkeit, und die Wärmeableitung ist problematisch.So can be the installation of a relay in the main path of the control circuit for glow plugs be considered. However, this results in high currents increased Space required by a large Relay. In addition, there are limits of the Schüttelbelastbarkeit, and the heat dissipation is problematic.

Andererseits ist auch der Einbau einer Diode im Hauptpfad möglich. Der Spannungsverlust durch die Diode beträgt aber bis zu 1 V, womit Funktionseinschränkungen bei tiefen Spannungen entstehen. Außerdem ist die Diodengröße und -leistung bei hohen Strömen problematisch.on the other hand it is also possible to install a diode in the main path. The voltage loss through the diode but up to 1 V, which limits the function at low voltages arise. Furthermore is the diode size and power at high currents problematic.

Abweichend davon wird die gestellte Aufgabe aber durch eine Steuerschaltung für Glühstiftkerzen nach dem kennzeichnenden Teil der Anspruchs 1 gelöst.deviant However, this task is by a control circuit for glow plugs solved according to the characterizing part of claim 1.

Ein wesentlicher Punkt der Erfindung besteht dabei in dem einfachen Aufbau der Steuerschaltung, nach der lediglich ein zweiter Feldeffekttransistor vorgesehen ist, der gegenläufig mit dem ersten Transistor verbunden ist, so dass der Stromfluss in dem Strompfad in beiden Richtungen blockiert ist, und eine Schalteinheit vorgesehen ist, die zum Aktivieren des zweiten Transistors ausgebildet ist, so dass der Stromfluss in der Richtung des Strompfads freigegeben werden kann, die der vorgeschriebenen Polung der Glühkerze entspricht. Durch ihren unkomplizierten Aufbau ist eine solche Verpolschutzschaltung besonders zuverlässig und zudem kostengünstig realisierbar.One essential point of the invention consists in the simple Structure of the control circuit, after only a second field effect transistor is provided, the opposite connected to the first transistor, so that the current flow is blocked in the current path in both directions, and a switching unit is provided, which is designed to activate the second transistor is, so that the current flow is released in the direction of the current path which corresponds to the prescribed polarity of the glow plug. Their uncomplicated structure is such a polarity reversal protection circuit especially reliable and also inexpensive realizable.

Bevorzugte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Steuerschaltung sind in den Ansprüchen 2 bis 9 angegeben.preferred Further developments of the control circuit according to the invention are in the claims 2 to 9 indicated.

In einer vorteilhaften Ausführungsform ist dabei vorgesehen, dass die zwei Feldeffekttransistoren als jeweilige P-Kanal- oder als jeweilige N-Kanal-Transistoren ausgeführt sind. Der Einbau von P-Kanal FETs lässt dabei die einfache Aktivierung des Transistors ohne Ladungspumpe zu. Gleichzeitig ist eine gute Wärmeableitung realisierbar.In an advantageous embodiment is provided that the two field effect transistors as respective P-channel or as respective N-channel transistors are executed. The installation of P-channel FETs leaves doing the simple activation of the transistor without charge pump to. At the same time is a good heat dissipation realizable.

In einer weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist es vorgesehen, dass die Schalteinheit eine Ladungspumpe umfasst, insbesondere in dem Fall, in dem die Feldeffekttransistoren als N-Kanal-Transistoren ausgeführt sind. Auch dadurch lässt sich eine gute Wärmeableitung realisieren. Zudem ist der Einbau von N-Kanal FETs deutlich günstiger als der von vergleichbaren P-Kanal FETS.In a further preferred embodiment The invention provides that the switching unit is a charge pump comprises, in particular in the case where the field effect transistors designed as N-channel transistors are. Also lets it through a good heat dissipation realize. In addition, the installation of N-channel FETs is much cheaper than that of comparable P-channel FETS.

In einer noch weiteren bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Schutzeinheit vorgesehen, die zum Überwachen der Schalteinheit und zum Deaktivieren des ersten Feldeffekttransistors ausgebildet ist, wenn ein Deaktivierungskriterium erfüllt ist. Dadurch kann ein Stromfluss unter definierten Bedingungen blockiert werden.In a still further preferred embodiment of the invention a protection unit is provided for monitoring the switching unit and designed to deactivate the first field effect transistor is when a deactivation criterion is met. This can cause a current flow be blocked under defined conditions.

Das Deaktivierungskriterium ist dabei in vorteilhafter Weise dann erfüllt, wenn der Aktivierungswert einer elektrischen Kenngröße der Schalteinheit kleiner oder gleich einem vorgegebenen Grenzwert dieser Größe ist. Dadurch kann z. B. ein Fehler der Schalteinheit auf besonders einfache Art und Weise erkannt und eine Fehlfunktion der Steuerschaltung ausgeschlossen werden.The Deactivation criterion is satisfied in an advantageous manner, if the activation value of an electrical characteristic of the switching unit smaller or equal to a predetermined limit of this size. As a result, z. B. a fault of the switching unit to a particularly simple Detected way and excluded a malfunction of the control circuit become.

Die elektrische Kenngröße ist dabei bevorzugt eine Spannung, die besonders leicht messbar ist bzw. als Steuergröße schon einer Überwachung unterliegt.The electrical characteristic is included preferably a voltage that is particularly easy to measure or as Control size already a surveillance subject.

Wenn der vorgegebene Grenzwert der Spannung wenigstens 3,5 Volt über einer Versorgungsspannung der Schaltung liegt ist zudem eine besonders zuverlässige Deaktivierung möglich.If the preset voltage limit is at least 3.5 volts above a supply voltage of the circuit is also a particularly reliable deactivation possible.

Unter Gesichtspunkten der Platzersparnis ist es von Vorteil, wenn die Steuereinheit einen elektrischen oder elektronischen Baustein umfasst, der zum anwendungsspezifischen Steuern des ersten Feldeffekttransistors angepasst ist, und die Schutzeinheit einheitlich mit diesem Baustein ausgebildet ist.Under Considering the space savings, it is advantageous if the Control unit comprises an electrical or electronic component, for application-specific control of the first field effect transistor is adjusted, and the protection unit is consistent with this building block is trained.

Besonders bevorzugt ist es dabei, wenn die Ladungspumpe einheitlich mit dem Baustein ausgeführt ist. Dadurch wird diese als separates Bauteil überflüssig, was den Aufbau der Steuerschaltung vereinfacht und zudem Kosten spart.Especially it is preferred if the charge pump unitary with the Block executed is. As a result, this is superfluous as a separate component, which simplifies the structure of the control circuit and also saves costs.

Die vorstehend gestellt Aufgabe wird auch durch ein Steuerverfahren für Glühstiftkerzen nach dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 10 gelöst.The The task set out above is also governed by a tax procedure for glow plugs solved according to the characterizing part of claim 10.

Ein wesentlicher Punkt des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht dabei in dem einfachen Steuerungsablauf, nach dem ein zweiter Feldeffekttransistors in dem Strompfad verschaltet wird, so dass dieser gegenläufig mit dem ersten Transistor verbunden ist, und ein Stromfluss in diesem Strompfad in beiden Richtungen blockiert ist, und der zweite Transistor aktiviert wird, so dass der Stromfluss in der Richtung des Strompfads freigegeben ist, die der vorgeschriebenen Polung der Glühkerzen entspricht. Auch hier gewährleistet der einfache Verfahrensablauf einen zuverlässigen und kostengünstigen Schutz vor Verpolung.One essential point of the method according to the invention consists in the simple control flow, after which a second field effect transistor is connected in the current path, so that this in opposite directions with the first transistor is connected, and a current flow in this Current path is blocked in both directions, and the second transistor is activated so that the current flow in the direction of the current path is released, the prescribed polarity of the glow plugs equivalent. Also guaranteed here the simple procedure a reliable and cost-effective Protection against reverse polarity.

Bevorzugte Weiterbildungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind im Unteranspruch 11 angegeben.preferred Further developments of the method according to the invention are in the dependent claim 11 indicated.

Danach wird der Aktivierungswert einer elektrischen Kenngröße am zweiten Feldeffekttransistor bevorzugt überwacht, und der erste Feldeffekttransistor deaktiviert, wenn dieser Wert einem vorgegebenem Grenzwert dieser Größe entspricht oder darunter fällt. Dadurch kann ein Stromfluss zuverlässig blockiert werden, selbst wenn die Steuerschaltung einen Fehler aufweisen sollte.After that is the activation value of an electrical characteristic on the second Field effect transistor preferably monitored, and the first field effect transistor turns off when that value a predetermined limit of this size or below falls. As a result, a current flow can be reliably blocked, even if the control circuit should have an error.

Ein besonders einfacher und dadurch zuverlässiger sowie platzsparender Aufbau der erfindungsgemäßen Steuerschaltung ergibt sich, indem die Ladungspumpe eines ASICs in einer Schalteinheit zum Aktivieren des zweiten Feldeffekttransistors verwendet wird.One Especially simple and therefore more reliable and space-saving Structure of the control circuit according to the invention arises by the charge pump of an ASIC in a switching unit is used to activate the second field effect transistor.

Die erfindungsgemäße Steuerschaltung und das Steuerverfahren werden im Folgenden anhand eines Beispiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren erläutert. Gleiche oder gleichwirkende Teile sind mit gleichen Bezugsziffern versehen. Es zeigen:The Control circuit according to the invention and the control method will be described below by way of example with reference to the attached Figures explained. The same or equivalent parts are given the same reference numbers Mistake. Show it:

Kurze Beschreibung der ZeichnungenBrief description of the drawings

1 eine erfindungsgemäße Steuerschaltung für Glühstiftkerzen in einer standardmäßigen (vorgeschriebenen) Polung, mit einer Schalt- und Schutzeinheit, die weitgehend in die Steuereinheit integriert ist; 1 a control circuit according to the invention for glow plugs in a standard (prescribed) polarity, with a switching and protection unit, which is largely integrated into the control unit;

2 die erfindungsgemäße Steuerschaltung der 1 in einer nicht standardmäßigen (umgekehrten) Polung, bei der die Schalt- und Schutzeinheit nicht dargestellt sind; 2 the control circuit of the invention 1 in a non-standard (reverse) polarity, in which the switching and protection unit are not shown;

3 eine bekannte Steuerschaltung für Glühstiftkerzen in einer standardmäßigen (vorgeschriebenen) Polung, und 3 a known control circuit for glow plugs in a standard (prescribed) polarity, and

4 die bekannte Steuerschaltung der 3 in einer nicht standardmäßigen (umgekehrten) Polung. 4 the known control circuit of 3 in a non-standard (reverse) polarity.

Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention

Die 1 zeigt eine erfindungsgemäße Steuerschaltung 10 für Glühstiftkerzen 20 in einer standardmäßigen (vorgeschriebenen) Polung, mit einer Schalt- und Schutzeinheit 40 bzw. 50, die weitgehend in eine Steuereinheit 30 der Schaltung 10 integriert ist. Im Hauptstrompfad P (Path) der Schaltung 10 sind erfindungsgemäß zwei gegenläufig verschaltete Feldeffekttransistoren FET1 und FET2 angeordnet, die polungsgemäß von einem Strom in Richtung D (Direction) durchflossen werden. Ohne Aktivierung des Transistors FET2 fließt dabei der Strom durch dessen parasitäre Diode (dargestellt durch die gepunktete Linie), wodurch der Transistor FET2 überladen wird. Um den Transistor FET2 zu aktivieren, wird eine Spannung U > Ubatt + 3,5 V am Gattereingang angelegt, die eine zuverlässige Aktivierung gewährleistet. Dies wird durch eine separate Ladungspumpe der Schalteinheit 40 oder – wie hier gezeigt – durch Verwendung einer schon vorhandenen Ladungspumpe 41 eines elektronischen Bausteins A (ASIC) realisiert, in diesem Beispiel einem ASIC L9524. Die Ladungspumpe 41 ist dabei über einen Schalttransistor 42 mit dem Transistor FET2 verbunden. Ist die Spannung der Ladungspumpe 41 zu niedrig, wenn die Transistoren FET1 und FET2 im aktiven Zustand arbeiten, wird dies durch die Schutzeinheit 50 zur Überwachung der Ladungspumpe detektiert und der Transistor FET1 über das Signal GTx (General Timer) deaktiviert. Die Schutzeinheit 50 ist hier wie die Schalteinheit 40 in dem Baustein A integriert, womit diese Lösung jegliche zusätzliche Teile vermeidet und somit besonders platzsparend aufgebaut ist. Bei Überladung des Transistors FET2 kann dadurch kein Strom fließen und die Schaltung 10 ist auf einfache und zuverlässige Weise geschützt.The 1 shows a control circuit according to the invention 10 for glow plugs 20 in a standard (prescribed) polarity, with a switching and protection unit 40 respectively. 50 , which is largely in a control unit 30 the circuit 10 is integrated. In the main current path P (Path) of the circuit 10 According to the invention, two oppositely connected field-effect transistors FET1 and FET2 are arranged, which, according to polarity, are traversed by a current in direction D (direction). Without activation of the transistor FET2, the current flows through its parasitic diode (represented by the dotted line), whereby the transistor FET2 is overloaded. To activate the transistor FET2, a voltage U> Ubatt +3.5 V is applied to the gate input, which ensures reliable activation. This is done by a separate charge pump of the switching unit 40 or - as shown here - by using an already existing charge pump 41 of an electronic component A (ASIC), in this example an ASIC L9524. The charge pump 41 is via a switching transistor 42 connected to the transistor FET2. Is the voltage of the charge pump 41 too low, when the transistors FET1 and FET2 operate in the active state, this is done by the protection unit 50 to monitor the charge pump detected and the transistor FET1 via the signal GTx (General Timer) disabled. The protection unit 50 is here like the switching unit 40 integrated in the module A, so this solution avoids any additional parts and thus is designed to save space. If the transistor FET2 is overcharged, no current can flow through it and the circuit 10 is protected in a simple and reliable way.

2 zeigt die erfindungsgemäße Steuerschaltung 10 der 1 in einer nicht standardmäßigen (umgekehrten) Polung, bei der die Schalt- und Schutzeinheit 40 bzw. 50 nicht dargestellt sind. Diese sind grundsätzlich auch als separate Einheiten oder in andere geeignete Funktionsgruppen der Fahrzeugelektronik integriert ausführbar. Unter der Bedingung umgekehrter Polung der 2 wird der Stromfluss durch den gegenläufig verschalteten Transistor FET2 verhindert. Seine parasitäre Diode und der gesperrte, d. h abgeschaltete Transistor blockieren den Stromfluss in Richtung D des Strompfads P. Damit erfüllt FET2 seine Funktion und eine Beschädigung der Glühstiftkerze 20 und/oder der Transistoren FET1, FET2 ist einfach und zuverlässig ausgeschlossen. 2 shows the control circuit according to the invention 10 of the 1 in a non-standard (reverse) polarity in which the switching and protection unit 40 respectively. 50 are not shown. In principle, these can also be implemented as separate units or integrated into other suitable functional groups of the vehicle electronics. Under the condition of reverse polarity of 2 the current flow is prevented by the counter-connected transistor FET2. Its parasitic diode and the locked, d. h switched off transistor block the flow of current in the direction D of the current path P. Thus, FET2 fulfills its function and damage the glow plug 20 and / or the transistors FET1, FET2 is simply and reliably excluded.

3 zeigt dagegen eine bekannte Steuerschaltung 10 für Glühstiftkerzen 20 in einer standardmäßigen (vorgeschriebenen) Polung. Im Gegensatz zur erfindungsgemäßen Ausführung einer Steuerschaltung ist in dem Hauptstrompfad P der Steuerschaltung 10' allein der Feldeffekttransistor FET1 angeordnet. Eine Steuereinheit 30' umfasst hier neben dem Transistor FET1 auch einen elektronischen Baustein A' (ASIC), ebenfalls einen ASIC L9524. Dieser steuert den Transistor FET1 über das Signal GTx an, worauf dieser wiederum die Glühstiftkerze 20 lädt. 3 on the other hand shows a known control circuit 10 for glow plugs 20 in a standard (prescribed) polarity. In contrast to the inventive design of a control circuit is in the main current path P of the control circuit 10 ' only the field effect transistor FET1 arranged. A control unit 30 ' In addition to the transistor FET1, this also includes an electronic component A '(ASIC), likewise an ASIC L9524. This controls the transistor FET1 via the signal GTx, whereupon this in turn the glow plug 20 invites.

4 zeigt die bekannte Steuerschaltung 10 der 3 in einer nicht standardmäßigen (umgekehrten) Polung. Bei einer solchen Fehlschaltung fließt der Strom in Richtung D des Strompfads P und damit durch die parasitäre Diode des Transistors FET1. Dadurch werden entweder die Glühkerze oder der Transistor beschädigt, was durch die erfindungsgemäße Gestaltung einer Steuerschaltung auf einfache, zuverlässige und kostengünstige Art und Weise ausgeschlossen wird. 4 shows the known control circuit 10 of the 3 in a non-standard (reverse) polarity. In such a fault circuit, the current flows in the direction D of the current path P and thus by the parasitic diode of the transistor FET1. As a result, either the glow plug or the transistor are damaged, which is excluded by the inventive design of a control circuit in a simple, reliable and cost-effective manner.

Claims (12)

Steuerschaltung (10) für Glühstiftkerzen zum Schutz vor Verpolung, mit einer Steuereinheit (30) zum Ansteuern einer Glühkerze (20), wobei die Steuereinheit einen ersten Feldeffekttransistor (FET1) umfasst, der mit der Glühkerze in einem gemeinsamen Strompfad (P) verschaltet ist, dadurch gekennzeichnet, dass ein zweiter Feldeffekttransistor (FET2) vorgesehen ist, der gegenläufig mit dem ersten Transistor (FET1) verbunden ist, so dass der Stromfluss in dem Strompfad (P) in beiden Richtungen blockiert ist, und eine Schalteinheit (40) vorgesehen ist, die zum Aktivieren des zweiten Transistors (FET2) ausgebildet ist, so dass der Stromfluss in der Richtung (D) des Strompfads (S) freigegeben werden kann, die der vorgeschriebenen Polung der Glühkerze (20) entspricht.Control circuit ( 10 ) for glow plugs for protection against reverse polarity, with a control unit ( 30 ) for driving a glow plug ( 20 ), wherein the control unit comprises a first field effect transistor (FET1), which is connected to the glow plug in a common current path (P), characterized in that a second field effect transistor (FET2) is provided which is connected in opposite directions with the first transistor (FET1) is so that the flow of current in the current path (P) is blocked in both directions, and a switching unit ( 40 ) is provided, which is designed to activate the second transistor (FET2), so that the current flow in the direction (D) of the current path (S) can be released, the prescribed polarity of the glow plug ( 20 ) corresponds. Schaltung (10) nach Anspruch 1, bei der die zwei Feldeffekttransistoren (21, FET2) als jeweilige P-Kanal- oder als jeweilige N-Kanal-Transistoren ausgeführt sind.Circuit ( 10 ) according to claim 1, wherein the two field effect transistors ( 21 , FET2) are designed as respective P-channel or as respective N-channel transistors. Schaltung (10) nach Anspruch 1 oder 2, bei der die Schalteinheit (40) eine Ladungspumpe (41) umfasst, insbesondere in dem Fall, in dem die Feldeffekttransistoren (FET1, FET2) als N-Kanal-Transistoren ausgeführt sind.Circuit ( 10 ) according to claim 1 or 2, wherein the switching unit ( 40 ) a charge pump ( 41 ), in particular in the case where the field-effect transistors (FET1, FET2) are designed as N-channel transistors. Schaltung (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei der eine Schutzeinheit (50) vorgesehen ist, die zum Überwachen der Schalteinheit (40) und zum Deaktivieren des ersten Feldeffekttransistors (FET1) ausgebildet ist, wenn ein Deaktivierungskriterium erfüllt ist.Circuit ( 10 ) according to one of the preceding claims, in which a protective unit ( 50 ) is provided for monitoring the switching unit ( 40 ) and for deactivating the first field effect transistor (FET1) is formed when a deactivation criterion is met. Schaltung (10) nach Anspruch 4, bei der das Deaktivierungskriterium erfüllt ist, wenn der Aktivierungswert einer elektrischen Kenngröße der Schalteinheit (40) kleiner oder gleich einem vorgegebenen Grenzwert dieser Größe ist.Circuit ( 10 ) according to claim 4, wherein the deactivation criterion is met when the activation value of an electrical characteristic of the switching unit ( 40 ) is less than or equal to a predetermined limit of this size. Schaltung (10) nach Anspruch 5, bei der die elektrische Kenngröße eine Spannung ist.Circuit ( 10 ) according to claim 5, wherein the electrical characteristic is a voltage. Schaltung (10) nach Anspruch 6, bei welcher der vorgegebene Grenzwert der Spannung wenigstens 3,5 Volt über einer Versorgungsspannung der Schaltung (10) liegt.Circuit ( 10 ) according to claim 6, wherein the predetermined limit value of the voltage is at least 3.5 volts above a supply voltage of the circuit ( 10 ) lies. Schaltung (10) nach einem der Ansprüche 4 bis 7, bei der die Steuereinheit (30) einen elektrischen oder elektronischen Baustein (A) umfasst, der zum anwendungsspezifischen Steuern des ersten Feldeffekttransistors (FET1) angepasst ist, und die Schutzeinheit (50) einheitlich mit diesem Baustein (A) ausgebildet ist.Circuit ( 10 ) according to one of claims 4 to 7, in which the control unit ( 30 ) comprises an electrical or electronic component (A) adapted for application-specific control of the first field-effect transistor (FET1), and the protective unit ( 50 ) is formed uniformly with this module (A). Schaltung (10) nach Anspruch 8, bei der die Ladungspumpe (41) einheitlich mit dem Baustein (A) ausgeführt ist.Circuit ( 10 ) according to claim 8, wherein the charge pump ( 41 ) is executed uniformly with the module (A). Steuerverfahren für Glühstiftkerzen zum Schutz vor Verpolung, mit einer Steuereinheit (30) zum Ansteuern einer Glühkerze (20), wobei die Steuereinheit einen ersten Feldeffekttransistor (FET1) umfasst, der mit der Glühkerze (20) in einem gemeinsamen Strompfad (P) verschaltet ist, gekennzeichnet durch folgende Schritte: Verschalten eines zweiten Feldeffekttransistors (FET2) in dem Strompfad (S), so dass dieser gegenläufig mit dem ersten Transistor (FET1) verbunden ist, und ein Stromfluss in diesem Strompfad (S) in beiden Richtungen blockiert ist, und Aktivieren des zweiten Transistors (FET2), so dass der Stromfluss in der Richtung (D) des Strompfads (S) freigegeben ist, die der vorgeschriebenen Polung der Glühkerzen (20) entspricht.Control method for glow plugs for protection against reverse polarity, with a control unit ( 30 ) for driving a glow plug ( 20 ), wherein the control unit comprises a first field effect transistor (FET1) connected to the glow plug ( 20 ) is connected in a common current path (P), characterized by the following steps: connecting a second field effect transistor (FET2) in the current path (S) so that it is connected in opposite directions to the first transistor (FET1), and a current flow in this current path (S) is blocked in both directions, and activating the second transistor (FET2), so that the current flow in the direction (D) of the current path (S) is released, the prescribed polarity of the glow plugs ( 20 ) corresponds. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem der Aktivierungswert einer elektrischen Kenngröße am zweiten Feldeffekttransistor (FET2) überwacht wird, und der erste Feldeffekttransistor (FET1) deaktiviert wird, wenn dieser Wert einem vorgegebenem Grenzwert dieser Größe entspricht oder darunter fällt.The method of claim 10, wherein the Ak tivierungswert an electrical characteristic at the second field effect transistor (FET2) is monitored, and the first field effect transistor (FET1) is deactivated when this value is equal to or falls below a predetermined limit of this size. Verwendung der Ladungspumpe (41) eines ASICs in einer Schalteinheit (40) zum Aktivieren des zweiten Feldeffekttransistors (FET2) nach einem der vorstehenden Ansprüche.Use of the charge pump ( 41 ) of an ASIC in a switching unit ( 40 ) for activating the second field effect transistor (FET2) according to any one of the preceding claims.
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