DE102007062052A1 - Layer thickness measurement on transparent layers - Google Patents

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Abstract

Der Prüfling wird mit Hilfe mindestens eines Laserstrahls beleuchtet. An dem zumindest teilweise transparenten Material werden zumindest zwei Strahlen reflektiert; ein Strahl, der von der obersten Oberfläche reflektiert wird und ein zweiter Strahl, der aus der Reflexion an der Schichtunterseite resultiert oder von einem optischen Übergang innerhalb des Prüflings oder von einem der Beleuchtungsseite des Objektes gegenüberliegenden Spiegel. Beide Strahlen sind Bestandteil des reflektierten Strahlenbündels. Beide Strahlen unterscheiden sich in der Vorzugsrichtung der Polarisation und in der Phase. Die Phasenlage wird im Referenzbereich gezielt variiert. Der Referenzstrahl interferiert mit dem reflektierten Strahlenbündel. Das reflektierte Strahlenbündel wird allgemein über Polarisatoren in Teilstrahlen getrennt, wobei die Polarisationsebenen von entstehenden Teilstrahlen senkrecht aufeinander stehen. Opto-elektronische Wandler generieren Signale, die in einer Auswerteeinheit in Abhängigkeit der Phasenlage Schichtdicken ermitteln.The test object is illuminated by means of at least one laser beam. At least two rays are reflected at the at least partially transparent material; a beam reflected from the topmost surface and a second beam resulting from reflection at the bottom of the sheet or from an optical transition within the specimen or from a mirror opposite the illumination side of the specimen. Both beams are part of the reflected beam. Both beams differ in the preferred direction of polarization and in phase. The phase position is selectively varied in the reference range. The reference beam interferes with the reflected beam. The reflected beam is generally separated by polarizers into sub-beams, wherein the polarization planes of resulting sub-beams are perpendicular to each other. Opto-electronic converters generate signals which determine layer thicknesses in an evaluation unit as a function of the phase position.

Description

Die Erfindung betrifft die Schichtdickenmessung von transparenten Schichten, insbesondere von transparenten Trägern mit elektronischen Bauelementen.The Invention relates to the layer thickness measurement of transparent layers, in particular of transparent carriers with electronic components.

Für gedruckte elektronische Schaltungen oder für den Aufbau von OLEDs (Optical Light Emitting Diodes) sind extrem dünne Schichten auf ein Trägermaterial aufzubringen. Die Qualität des elektronischen Bauelements hängt sehr von der Homogenität und Dicke der aufgebrachten Beschichtung bzw. des Trägers ab. Im vorliegenden Fall wird der Träger mit einem Transportband bewegt oder ist sogar Teil des Bandes. Die Schichtdicken liegen etwa im Bereich von 10 nm bis 1 μm; die Messauflösung sollte bezüglich der Schichtdicke im Nanometerbereich liegen; die laterale Auflösung kann bei ca. 10 μm liegen.For printed electronic circuits or for The construction of OLEDs (Optical Light Emitting Diodes) are extreme thin layers on a carrier material applied. The quality of the electronic component hangs very much of the homogeneity and thickness of the applied coating or of the carrier. In the present case, the carrier becomes moved with a conveyor or is even part of the tape. The Layer thicknesses are approximately in the range of 10 nm to 1 μm; the measurement resolution should be in terms of the layer thickness are in the nanometer range; the lateral resolution can at about 10 microns lie.

Eine Möglichkeit zur Messung einer Schichtstärke existiert im Stillstand von Träger und Bauelement, d. h. im stabilen Aufbau und wird zum Beispiel mit den Prinzipien der Ellipsometrie ausgeführt.A possibility for measuring a layer thickness exists at standstill of carrier and component, d. H. in stable construction and is, for example, with executed according to the principles of ellipsometry.

Eine andere Möglichkeit ist die gängige Dünnschichtinterferometrie zur Beurteilung der Schichtdicke. Allerdings können sich bei ultradünnen Schichten keine Interferenzen ausbilden und eine Auflösung von etwa 10 nm ist bei nicht vorhandenen Interferenzen aufgrund zu geringer Schichtdicken und bestehender Umwelteinflüsse nicht zu erwarten.A different possibility is the common thin-layer interferometry for assessing the layer thickness. However, ultrathin layers can work form no interference and a resolution of about 10 nm is at lack of interference due to low layer thicknesses and existing environmental influences not to be expected.

Durch die Anforderung eine sehr große Anzahl von Prüfpunkten in annehmbarer Zeit zu bearbeiten kommen Systeme nach dem Stand der Technik schnell an die Kapazitätsgrenze.By the request is a huge one Number of checkpoints In a reasonable time to work systems come to the state technology quickly reaches its capacity limit.

Es sind keine Online-Messsysteme für schnell bewegte Objekte bekannt, mit denen deren Schichtdicken online, beispielsweise bei Geschwindigkeiten von etwa 1 m/s quer Erfassungsrichtung des Sensors, messbar sind.It are not online measuring systems for fast Moving objects known, with their layer thicknesses online, for example, at Velocities of about 1 m / s transverse sensing direction of the sensor, are measurable.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde ein Verfahren zur Schichtdickenmessung von einer oder mehreren transparenten Schichten bei hohem Durchsatz zu beschreiben, insbesondere von transparenten Trägern mit elektronischen Bauelementen, die schnell am aufnehmenden Sensor passieren.Of the Invention is the object of a method for coating thickness measurement one or more transparent layers at high throughput to describe, in particular of transparent carriers with electronic components that are fast on the receiving sensor happen.

Die Lösung dieser Aufgabe geschieht anhand der jeweiligen Merkmalskombination von Anspruch 1, 2 bzw. 3. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprüchen zu entnehmen.The solution This task is done on the basis of the respective feature combination of claim 1, 2 and 3. Advantageous embodiments are the dependent claims refer to.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass sich kleinste Schichtdicken von zumindest teilweise transparenten Schichten ermitteln lassen, auch wenn sich der Prüfling gegenüber der Messapparatur bewegt. Aufgrund einer definierten Phasenverschiebung durch gezielte Variation einer Phasenlage eines Referenzstrahls können auch Schichtdicken ermittelt werden, die größer als der Wellenlängenbereich des verwendeten Laserlichtes sind.Of the The invention is based on the finding that the smallest layer thicknesses can be determined by at least partially transparent layers, too when the examinee across from the measuring apparatus moves. Due to a defined phase shift by targeted variation of a phase angle of a reference beam can Also, layer thicknesses are determined which are greater than the wavelength range the laser light used are.

Der Prüfling wird mit Hilfe mindestens eines Laserstrahls beleuchtet. An dem zumindest teilweise transparenten Material werden zumindest zwei Strahlen reflektiert; ein Strahl, der von der obersten Oberfläche reflektiert wird und ein zweiter Strahl, der aus der Reflexion an der Schichtunterseite resultiert oder von einem optischen Übergang innerhalb des Prüflings oder von einem der Beleuchtungsseite des Objektes gegenüberliegenden Spiegel. Beide Strahlen sind Bestandteil des reflektierten Strahlenbündels. Beide Strahlen unterscheiden sich in der Vorzugsrichtung der Polarisation und in der Phase. Die Phasenlage ist ein Maß für die Schichtdicke.Of the examinee is illuminated with the help of at least one laser beam. To the At least partially transparent material will be at least two beams reflected; a ray that reflects off the topmost surface and a second beam resulting from the reflection at the bottom of the layer results or from an optical transition within the specimen or from one of the lighting side of the object opposite Mirror. Both beams are part of the reflected beam. Both Rays differ in the preferred direction of polarization and in phase. The phase angle is a measure of the layer thickness.

Einem Beleuchtungsstrahl wird jeweils ein Referenzstrahl zugemischt. An den opto-elektrischen Sensoren werden nur polarisierte Strahlen gemessen.a Illumination beam is mixed in each case a reference beam. At The opto-electrical sensors are only polarized beams measured.

Je nach Phasenlage interferiert der Referenzstrahl mit dem reflektierten Strahlenbündel. Das reflektierte Strahlenbündel wird allgemein über Polarisatoren in Teilstrahlen getrennt, wobei die Polarisationsebenen von entstehenden Teilstrahlen senkrecht aufeinander stehen.ever after phasing the reference beam interferes with the reflected Beam. The reflected beam is generally over Polarizers separated into sub-beams, the polarization planes arising from subjets perpendicular to each other.

Idealerweise wird für die Ablenkung eine Optik verwendet, mit der das Laserlicht so auf die Probe gerichtet ist, dass es ungefähr im Polarisationswinkel, auch Brewster'scher Winkel genannt, auf die Probenoberfläche auftritt.Ideally is for The deflection uses an optic with which the laser light so on the sample is directed that it is approximately at the polarization angle, also Brewster'scher Called angle, occurs on the sample surface.

Der Erfindung liegt weiterhin die Erkenntnis zugrunde, dass zur Erzeugung besserer Abbildungen der Beleuchtungsstrahl mit Hilfe der Polarisation in zwei Strahlen zerlegt werden kann. Die Polarisationsebenen der beiden Beleuchtungsstrahlen stehen senkrecht aufeinander.Of the Invention is further based on the finding that for the production better pictures of the illumination beam with the help of polarization in two rays can be decomposed. The polarization planes of the two Illuminating rays are perpendicular to each other.

Ein Strahlenbündel, welches zwei Reflektionsstrahlen enthält, weist bereits eine wesentliche Polarisierung auf. Nach der Mischung mit Referenzstrahlen werden erzeugte Teilstrahlen nochmals Polarisiert.One Beam which contains two reflection beams already exhibits a substantial polarization on. After mixing with reference beams, partial beams are generated again polarized.

Anhand der begleitenden schematischen Figuren werden vorteilhafte, die Erfindung nicht einschränkende Ausgestaltungen beschrieben.Based the accompanying schematic figures become advantageous, the Invention not limiting Embodiments described.

Die schematischen Figuren stellen jeweils Folgendes dar:The schematic figures each represent the following:

1 zeigt eine Ausgestaltung der Erfindung mit einer Polarisierung von Strahlen unmittelbar vor der Erzeugung einer Abbildung auf einem Sensor, 1 shows an embodiment of the invention with a polarization of beams immediately prior to the generation of an image on a sensor,

2 zeigt eine Ausgestaltung der Erfindung mit einer Polarisierung eines Beleuchtungsstrahles vor dessen Zweiteilung. 2 shows an embodiment of the invention with a polarization of an illumination beam before its division into two parts.

Beide Reflektionsstrahlen B1 und B2 sind Bestandteil des reflektierten Strahlenbündels Bo. Dem Strahlenbündel Bo wird ein Referenzstrahl BR zugemischt. Wobei BR entsprechend der Messgenauigkeit die gleiche Wellenlänge besitzt. Der Referenzstrahl BR wird hierzu über einen Strahlteiler ST2 aus Bi abgesplittet und wird anschließend von einem in der Position variierten Spiegel M so reflektiert, dass dieser mit Teilen des an der Probe reflektierten Strahlenbündels Bo zumindest teilweise überlappt. Durch Bewegung dieses Spiegels M in axialer Richtung wird die Phase von Br während des Messvorgangs gezielt variiert.Both Reflection beams B1 and B2 are part of the reflected beam Bo. The bundle of rays Bo is mixed with a reference beam BR. Where BR accordingly the measurement accuracy has the same wavelength. The reference beam BR is about this splits a beam splitter ST2 from Bi and is then followed by a in the position varied mirror M is reflected so that this with parts of the beam Bo reflected on the sample at least partially overlapped. By moving this mirror M in the axial direction, the phase from Br during of the measuring process varies.

Die Strahlen Bro1 und Bro2 werden auf zwei unterschiedliche Messkameras oder optische Sensoren projiziert. Bei den Messsensoren handelt es sich um Fotodetektoren oder geeignete Kameras. Die Sensoren sind so mit dem Strahl Br synchronisiert, dass je erzeugter Phase die hiermit erzeugte Helligkeit oder die Abbildung aufgenommen wird. Durch Vergleich der Intensitäten über die variierte Phasenlage wird die Schichtdicke der teilweise transparenten Schicht der Probe ermittelt.The Beams Bro1 and Bro2 are placed on two different measurement cameras or optical sensors projected. The measuring sensors act they are photodetectors or suitable cameras. The sensors are synchronized with the beam Br so that each generated phase the this produces brightness or image recorded. By comparing the intensities over the varied phase position is the layer thickness of the partially transparent Layer of the sample determined.

Anstelle des Fotoelements können auch schnelle Kameras eingesetzt werden; so würden mit einer schnell laufenden Zeilenkamera jeweils relativ zur erzeugten Phase und relativ zum Referenzstrahl zugehörige Abbildungen aufgenommen werden.Instead of of the photo element also fast cameras are used; so would with a fast-running Line camera respectively relative to the generated phase and relative to Reference beam associated Pictures are taken.

Die Phasenänderung des Strahls BR kann synchron mit dem Refreshzyklus der Kameras sein. Bei Einsatz einer Zeilenkamera wird die Zeile mindestens 1-mal je Spiegelposition des Spiegels M ausgelesen, so dass zu jedem erzeugten Phasenzustand des Strahls Br ein Helligkeitssignal bzw. Zeilensignal zur Verfügung steht.The phase change of the beam BR may be synchronous with the refresh cycle of the cameras. at Using a line scan camera will line up at least once per mirror position of the mirror M read out, so that for each phase state generated of the beam Br, a brightness signal or line signal is available.

Durch Vergleich der Abbildungen und der synchronisierten Reihenfolge der Abbildungen kann auf die die Schichtdicke der Probe geschlossen werden.By Comparison of the pictures and the synchronized sequence of the Illustrations may be based on the thickness of the sample become.

Zur Erzeugung optimaler Abbildungen kann der Eingangs strahl/Beleuchtungsstrahl Bi mit Hilfe der Polarisators P3 geteilt und jeweils polarisiert werden, so dass zwei Beleuchtungsstrahlen BiOB vorliegen, die das Objekt OB beleuchten.to Generation of optimal images can be the input beam / illumination beam Bi divided with the help of polarizers P3 and each polarized be so that there are two illumination beams BiOB, the Illuminate object OB.

Die Wellen der beiden Strahlen stehen senkrecht aufeinander. In diesem Fall wird der Messaufbau sich wie folgt gestalten:

  • – Aus dem Beleuchtungsstrahl Bi wird ein Referenzstrahl Br ausgekoppelt.
  • – Br wird in dem Strahlteiler ST1 den Strahlantworten bzw. dem reflektierten Strahlenbündel Bo zugemischt bzw. überlagert, so dass sich die Teilstrahlen Bo1, Bo2 ergeben und nach einer Polarisierung die polarisierten Teilstrahlen Bro1, Bro2 ergeben,
  • – Br und Bo1 erzeugen an opto-elektrischen Wandlern ein erstes Bild bzw. ein Sensorsignal; Br und Bo2 erzeugen entsprechend ein zweites Bild bzw. ein Sensorsignal,
  • – die Auswertung erfolgt wie in anderen Ausführungen,
  • – Idealerweise wird für die Strahl-Ablenkung eine Optik O5 verwendet, mit der das Laserlicht so auf die Probe gerichtet ist, dass es ungefähr in einem Polarisationswinkel auf die Probenoberfläche auftrifft.
The waves of the two rays are perpendicular to each other. In this case, the measurement setup will be as follows:
  • - From the illumination beam Bi, a reference beam Br is coupled out.
  • Br is mixed or superposed in the beam splitter ST1 to the beam responses or to the reflected beam Bo, so that the partial beams Bo1, Bo2 result and after polarization result in the polarized partial beams Bro1, Bro2,
  • Br and Bo1 generate a first image or a sensor signal at opto-electrical converters; Br and Bo2 respectively generate a second image or a sensor signal,
  • - the evaluation is carried out as in other versions,
  • - Ideally, the beam deflection uses an optic O5, which directs the laser light onto the sample in such a way that it strikes the sample surface at approximately a polarization angle.

Mit der oben beschriebenen Lösung lassen sich dünnste Schichtdicken von teilweise transparenten Proben ermitteln, wobei sich die Probe gegenüber der Messapparatur bewegen darf, beispielsweise in 90°-Richtung zur Beobachtungsrichtung. Aufgrund der definierten Schiebung der Phase können auch Schichtdicken ermittelt werden, die größer als der Wellenlängenbereich des verwendeten Laserlichtes sind.With the solution described above can be thinnest Determine layer thicknesses of partially transparent samples, wherein facing the sample the measuring apparatus is allowed to move, for example in a 90 ° direction to the direction of observation. Due to the defined shift of Phase can Also, layer thicknesses are determined which are greater than the wavelength range the laser light used are.

1 zeigt eine Ausgestaltung der Erfindung die eine Polarisierung von reflektierten Strahlenbündeln, die mit einem Referenzstrahl gemischt sind, unmittelbar vor der Erzeugung einer Abbildung auf einem Sensor vorsieht. 1 shows an embodiment of the invention, which provides a polarization of reflected beams, which are mixed with a reference beam, immediately prior to the generation of an image on a sensor.

Entsprechend der gezielten Einstellung der Phasenlage interferiert der Strahl Br mit dem Strahlenbündel Bo.Corresponding the targeted adjustment of the phase position of the beam interferes Br with the beam Bo.

Das Strahlenbündel wird über Polarisatoren getrennt in die Strahlen Bro1 und Bro2, wobei die Polarisationsebenen von Bro1 und Bro2 senkrecht aufeinander stehen.The ray beam will over Polarizers separated into the rays Bro1 and Bro2, where the Polarization planes of Bro1 and Bro2 are perpendicular to each other.

An dem teilweise transparenten Probenmaterial werden zwei Strahlen reflektiert; der Strahl B1 ist der von der Oberfläche reflektierte Strahl und der Strahl B2 resultiert aus der Reflexion an der Probenunterseite oder vom optischen Übergang innerhalb der Probe. Weitere Reflexionen innerhalb der Probe werden nicht berücksichtigt. Einschränkend kommt hinzu, dass die Strahlen, die an der Probenoberseite reflektiert werden, genügend polarisiert sind. Beide Strahlen B1 und B2 unterscheiden sich in der Vorzugsrichtung der Polarisation und der Phase. Die Phase ist ein Maß für die Schichtdicke.At the partially transparent sample material becomes two beams reflected; the beam B1 is the one reflected from the surface Beam and the beam B2 results from the reflection at the bottom of the sample or from the optical transition within the sample. More reflections will be made within the sample not considered. restrictive Add to that the rays that reflect on the top of the sample be enough are polarized. Both beams B1 and B2 differ in the preferred direction of polarization and phase. The phase is a measure of the layer thickness.

Dem Strahl Bo wird ein weiterer Referenzstrahl Br zugemischt. Wobei Br entsprechend der Messgenauigkeit die gleiche Wellenlänge besitzt. Br wird hierzu über einen Strahlteiler aus Bi abgesplittet und wird anschließend von einem in der Position variierten Spiegel so reflektiert, dass dieser mit Teilen des an der Probe reflektierten Strahl Bo überlappt. Durch Bewegung des Spiegels in S1 wird die Phase von Br während des Messvorgangs gezielt variiert.the Beam Bo is mixed with another reference beam Br. In which Br has the same wavelength according to the measurement accuracy. Br is about this splits off a beam splitter of Bi and is then followed by a mirror that is varied in position so that it reflects overlapped with parts of the beam Bo reflected on the sample. By Movement of the mirror in S1 becomes the phase of Br during the Measurement process specifically varied.

Die Strahlen BRo1 und Bro2 werden auf zwei unterschiedliche Messkameras oder optische Sensoren projiziert. Hierbei fällt Bro1 auf einen Messsensor und Bro2 auf den anderen Messsensor.The Beams BRo1 and Bro2 are placed on two different measuring cameras or optical sensors projected. Here, Bro1 falls on a measuring sensor and Bro2 on the other measuring sensor.

Neben dem Fotoelement können auch schnelle Kameras eingesetzt werden; so würde mit einer schnell laufenden Zeilenkamera je mit Br erzeugter Phase eine hierdurch erzeugte Abbildung aufgenommen werden. Die Phasenänderung des Strahls Br ist synchron mit dem Refreshzyklus der Kameras. Bei Einsatz einer Zeilenkamera ist die Zeile n mal je Messung auszulesen, so dass zu jedem erzeugten Phasenzustand des Strahls Br ein Helligkeitssignal bzw. Zeilensignal zur Verfügung steht.Next the photo element can also fast cameras are used; so would with a fast running Line camera ever Br generated with phase generated thereby a picture become. The phase change of the beam Br is synchronous with the refresh cycle of the cameras. at Using a line scan camera, read the line n times per measurement, such that for each generated phase state of the beam Br, a luminance signal or line signal available stands.

Durch Vergleich der Bilder und der synchronisierten Reihenfolge der Abbildungen kann auf die Schichtdicke der Probe geschlossen werden.By Comparison of the images and the synchronized sequence of the pictures can be concluded on the layer thickness of the sample.

Zur Erzeugung besserer Abbildungen kann der Eingangsstrahl Bi mit Hilfe der Polarisation in zwei Strahlen Bi zerlegt werden. Die Wellen der Beleuchtungsstrahlen BiOB stehen senkrecht aufeinander.to Generation of better images can be done with the input beam Bi the polarization be decomposed into two beams Bi. The waves the illumination beams BiOB are perpendicular to each other.

Mit der oben beschriebenen Lösung lassen sich dünnste Schichtdicken von teilweise transparenten Proben ermitteln, wobei sich die Probe gegenüber der Messapparatur bewegen darf. Aufgrund der definierten Schiebung der Phase können auch Schichtdicken ermittelt werden, die größer als der Wellenlängenbereich des verwendeten Laserlichtes sind.With the solution described above can be thinnest Determine layer thicknesses of partially transparent samples, wherein facing the sample the measuring apparatus is allowed to move. Due to the defined shift the phase can Also, layer thicknesses are determined which are greater than the wavelength range the laser light used are.

2 zeigt eine Ausgestaltung, die bereits eine Polarisierung eines Beleuchtungsstrahles vor dessen Zweiteilung vorsieht, bevor dieser auf die Schicht trifft, und bevor ein Anteil zur Erzeugung eines Referenzstrahls ausgekoppelt ist. 2 shows an embodiment that already provides a polarization of an illumination beam before it is bisected before it hits the layer, and before a portion is coupled out to produce a reference beam.

Claims (11)

Verfahren zur Schichtdickenmessung an zumindest teilweise transparenten dünnen Schichten, bestehend aus folgenden Schritten: – Beleuchtung einer Schicht mit einem Beleuchtungslaser (L) unter einem Winkel, der etwa dem Brewster'schen Winkel entspricht unter Einsatz einer Optik (O5) zur Führung des Beleuchtungsstrahls (BiOB) auf eine oder mehrere übereinanderliegende teilweise transparente Schicht/Schichten, – Strahlreflexion sowohl an einer Schichtoberseite und einer Schichtunterseite, als auch an einem Schichtübergang oder von einem der Beleuchtungsseite des Objektes gegenüberliegenden Spiegel zur Erzeugung reflektierter Strahlen (B1, B2, ..., Bn) mit n = Summe aller reflektierten Strahlen, – Überlagerung eines sämtliche reflektierten Strahlen (B1, B2, ..., Bn) enthaltenden Strahlenbündels (BO), mittels eines Strahlteilers (ST1), mit einem Referenzstrahl (Br), der über einen Strahlteiler (ST2) vom Beleuchtungsstrahl (Bi) abgetrennt ist und eine Referenzeinheit (RE) unter Aufbringung einer Modulierung durchlaufen hat und dessen Phasenlage gezielt variiert wird, – Aufspaltung eines Strahlenbündels (BO) in die Teilstrahlen (Bo1, Bo2), welche durch einen jeweiligen Polarisator (P1, P2) geführt werden, so dass die Polarisationsebenen beider entstehenden Strahlenbündel (Bro1, Bro2) senkrecht aufeinander stehen, – Projizierung der polarisierten Strahlenbündel (Bro1, Bro2) auf unterschiedliche opto-elektrische Sensoren (OES1, OES2), welche derart mit dem Referenzstrahl (Br) synchronisiert sind, dass für jede an der Referenzeinheit (RE) erzeugte Phasenlage die zugehörige Helligkeit bzw. eine Abbildung aufgenommen wird, – Vergleich der Intensitäten beider Sensorsignale in Abhängigkeit von der Phasenverschiebung in der Auswerteeinheit (AE), wobei die Schichtdicke der zumindest einen teilweise transparenten Schicht des Prüflings berechenbar ist.Method for coating thickness measurement on at least partially transparent thin Layers consisting of the following steps: - Lighting a layer with an illumination laser (L) at an angle, the Brewster's Angle corresponds to using an optic (O5) to guide the Illumination beam (BiOB) on one or more superimposed partial transparent layer / layers, - Beam reflection both on a layer top and a layer bottom, as well a layer transition or from one of the lighting side of the object opposite Mirror for generating reflected beams (B1, B2, ..., Bn) with n = Sum of all reflected rays, - Overlapping one all reflected beams (B1, B2, ..., Bn) containing beam (BO), by means of a beam splitter (ST1), with a reference beam (Br) passing over a Beam splitter (ST2) from the illumination beam (Bi) is separated and pass through a reference unit (RE) applying a modulation has and whose phase position is selectively varied, - splitting a bundle of rays (BO) in the partial beams (Bo1, Bo2), which by a respective polarizer (P1, P2) led so that the planes of polarization of both emerging beams (Bro1, Bro2) are perpendicular to each other, - Projecting the polarized ray beam (Bro1, Bro2) to different opto-electrical sensors (OES1, OES2), which thus synchronizes with the reference beam (Br) are that for each phase position generated at the reference unit (RE) the associated brightness or a picture is taken, - Comparison of the intensities of both Sensor signals in dependence from the phase shift in the evaluation unit (AE), wherein the Layer thickness of the at least one partially transparent layer of the test piece is calculable. Verfahren nach Anspruch 1, wobei mittels eines Polarisators (P3) der Beleuchtungsstrahl (Bi) polarisiert wird.The method of claim 1, wherein by means of a polarizer (P3) the illumination beam (Bi) is polarized. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei mittels eines Polarisators (P3) der Beleuchtungsstrahl (Bi) getrennt wird und beide entstehenden Strahlen (Bi1, Bi2) zueinander senkrecht polarisiert sind.Method according to claim 1 or 2, wherein by means of a Polarisators (P3) of the illumination beam (Bi) is separated and both resulting beams (Bi1, Bi2) polarized perpendicular to each other are. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Beleuchtungsstrahl (Bi) unter einem Winkel, der etwa dem Brewster'schen Winkel entspricht unter Einsatz einer Optik (O5) auf eine oder mehrere übereinanderliegende teilweise transparente Objektschicht/-schichten auftrifft.The method of claim 1, wherein the illumination beam (Bi) at an angle approximately equal to Brewster's angle using a Optics (O5) on one or more superimposed partial transparent object layer / layers impinges. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Beleuchtungsstrahl (Bi) sich aus den Strahlen von mindestens zwei Lasern unterschiedlicher Wellenlänge zusammensetzt, zur Erzeugung einer Lichtschwebung zur Vergrößerung des Schichtdickenmessbereichs.The method of claim 1, wherein the illumination beam (Bi) different from the rays of at least two lasers Wavelength is composed, for generating a Lichtswwebung to increase the Schichtdickenmessbereichs. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei in der Referenzeinheit (RE) ein axial schwingender Spiegel (M) zur gezielten Modulation des Referenzstrahls® vorgesehen istMethod according to one of the preceding claims, wherein in the reference unit (RE) an axially oscillating mirror (M) for targeted Modu lation of the reference beam ® is provided Verfahren nach Anspruch 6, wobei anstelle des Spiegels (M) der Referenzeinheit (RE) eine teilweise transparente Oberfläche verwendet wird, sodass nur ein Teil eines auftreffenden Strahls reflektiert wird.The method of claim 6, wherein instead of the mirror (M) the reference unit (RE) uses a partially transparent surface so that only part of an incident beam is reflected becomes. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem als optische Sensoren Messkameras eingesetzt werden.Method according to one of the preceding claims, in used as optical sensors measuring cameras. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Modulation in einer Referenzeinheit (RE) für den Referenzstrahl (BR) durch einen in Strahlrichtung schwingenden Spiegel (M) realisiert wird und eine Strahlreflexion derart erfolgt, dass der Referenzstrahl zumindest partiell mit dem am Prüfling reflektierten Strahlenbündel (Bo) überlappt.Method according to one of the preceding claims, in the modulation in a reference unit (RE) for the reference beam (BR) realized by a vibrating in the beam direction mirror (M) and a beam reflection takes place in such a way that the reference beam at least partially with the test specimen reflected beams (Bo) overlaps. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Schwingung des Spiegels die Phase des Referenzstrahls (BR) während des Messvorgangs gezielt variiert wird.Method according to one of the preceding claims, in the one oscillation of the mirror the phase of the reference beam (BR) while the measuring process is varied specifically. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Phasenänderung des Referenzstrahls Br synchron mit einem Refreshzyklus von Kameras ist.Method according to one of the preceding claims, in a phase change of the reference beam Br in synchronism with a refresh cycle of cameras is.
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