DE102007053286A1 - Method for producing an optoelectronic component - Google Patents

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Norwin Von Dr. Malm
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Abstract

Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements umfasst die Schritte: A) Bereitst (1) mit einem aktiven Bereich (13), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) und C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung.A method for producing an optoelectronic component comprises the steps: A) providing (1) with an active region (13) which emits electromagnetic primary radiation during operation, B) providing a first wavelength conversion layer (2) and at least partially converting the primary radiation into electromagnetic secondary radiation C) arranging the first wavelength conversion layer (2) on the radiation-emitting layer sequence (1) in the beam path of the primary radiation.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The The present invention relates to a process for producing a Optoelectronic component according to the preamble of the claim 1.

Zumindest eine Aufgabe von bestimmten Ausführungsformen ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements mit einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge und einer Wellenlängenkonversionsschicht anzugeben.At least It is an object of certain embodiments Method for producing an optoelectronic component with a radiation-emitting layer sequence and a wavelength conversion layer specify.

Diese Aufgaben werden durch ein Verfahren mit den Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Gegenstands sind in den abhängigen Ansprüchen gekennzeichnet und gehen weiterhin aus der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen hervor.These Tasks are performed by a procedure with the characteristics of the independent Patent claim solved. Advantageous embodiments and further developments of the subject are in the dependent Claims and continue to go from the following Description and drawings.

Ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einer Ausführungsform umfasst insbesondere die Schritte

  • A) Bereitstellen einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge mit einem aktiven Bereich, der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt,
  • B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht und
  • C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge im Strahlengang der Primärstrahlung.
A method for producing an optoelectronic component according to an embodiment comprises in particular the steps
  • A) providing a radiation-emitting layer sequence with an active region which emits electromagnetic primary radiation during operation,
  • B) providing a first wavelength conversion layer and at least partially converting the primary radiation into electromagnetic secondary radiation
  • C) arranging the first wavelength conversion layer on the radiation-emitting layer sequence in the beam path of the primary radiation.

Ein derartiges Verfahren kann es ermöglichen, dass die strahlungsemittierende Schichtenfolge und die erste Wellenlängenkonversionsschicht getrennt voneinander herstellbar sind und erst nach der vollständigen Herstellung miteinander angeordnet werden. Ein Vorteil einer solchen getrennten Herstellung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge und der ersten Wellenlängenkonversionsschicht kann dabei darin liegen, dass beispielsweise für die Bereitstellung der ersten Wellenlängenkonversionsschicht Prozessschritte durchgeführt werden können, die die strahlungsemittierende Schichtenfolge in ihrer Beschaffenheit und/oder Funktionsweise beeinträchtigen würden. Insbesondere Methoden der thermischen Behandlung, Bestrahlung mit UV-Licht oder anderer elektromagnetischen Strahlung oder mit Teilchen wie etwa Elektronen sind dabei denkbar, die einerseits für die Bereitstellung der ersten Wellenlängenkonversionsschicht vorteilhaft und andererseits für die strahlungsemittierende Schichtenfolge schädigend sein können. Ebenso kann etwa durch das obige Verfahren das Vorhandensein beispielsweise von Lösungsmitteln, Wasser oder reaktiven Gasen als von außen zugeführte Mittel oder als Reaktionsprodukte während der Bereitstellung der ersten Wellenlängenkonversionsschicht möglich sein.One Such method may allow the radiation-emitting Layer sequence and the first wavelength conversion layer separated can be produced from each other and only after the complete Manufacture are arranged together. An advantage of such separate production of the radiation-emitting layer sequence and the first wavelength conversion layer can therein lie, for example, for the provision of the first wavelength conversion layer process steps performed which can be the radiation-emitting layer sequence impair their nature and / or operation would. In particular methods of thermal treatment, Irradiation with UV light or other electromagnetic radiation or with particles such as electrons are conceivable, on the one hand for providing the first wavelength conversion layer advantageous and on the other hand for the radiation-emitting Layer sequence can be damaging. As well For example, by the above method, the presence may be of solvents, water or reactive gases as of externally added agents or as reaction products during the provision of the first wavelength conversion layer to be possible.

Dass eine Schicht oder ein Element „auf" oder „über" einer anderen Schicht oder einem anderen Element angeordnet oder aufgebracht ist, kann dabei hier und im Folgenden bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element unmittelbar im direkten mechanischen und/oder elektrischen Kontakt auf der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Weiterhin kann es auch bedeuten, dass die eine Schicht oder das eine Element mittelbar auf beziehungsweise über der anderen Schicht oder dem anderen Element angeordnet ist. Dabei können dann weitere Schichten und/oder Elemente zwischen der einen und der anderen Schicht angeordnet sein.That a layer or element "on" or "over" another layer or another element or is applied here and in the following mean that the one layer or the one element directly in direct mechanical and / or electrical contact on the other layer or the other Element is arranged. Furthermore, it can also mean that the a layer or the one element indirectly on or over the other layer or the other element is arranged. there can then have more layers and / or elements between the be arranged one and the other layer.

Die Anordnung der ersten Wellenlängenkonversionsschicht auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge im Strahlengang der Primärstrahlung gemäß dem oben genannten Verfahrensschritt C kann dabei das Befestigen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge mittels Kleben, Laminieren, einer mechanischen Befestigungsart wie etwa Klemmen oder einer Kombination daraus umfassen. Insbesondere kann dadurch eine dauerhafte und widerstandsfähige Verbindung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge und der ersten Wellenlängenkonversionsschicht ermöglicht werden. Als Klebstoff kann beispielsweise ein Material auf Silikon- oder Epoxidbasis Anwendung finden, das bei Zimmertemperatur oder bei einer für die strahlungsemittierende Schichtenfolge verträglichen Temperatur ausgehärtet werden kann. Vorteilhafterweise ist dabei der Brechungsindex des Klebstoffs an den der Wellenlängenkonversionsschicht und/oder den der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angepasst.The Arrangement of the first wavelength conversion layer the radiation-emitting layer sequence in the beam path of the primary radiation according to the The above method step C can thereby attaching the first wavelength conversion layer on the radiation-emitting layer sequence by gluing, laminating, a mechanical fastening method such as about terminals or a combination thereof. In particular, can thereby a lasting and resistant connection the radiation-emitting layer sequence and the first wavelength conversion layer be enabled. As an adhesive, for example, a Silicone or epoxy based material can be used at Room temperature or at one for the radiation-emitting Layer sequence hardened compatible temperature can be. Advantageously, the refractive index of the Adhesive to the wavelength conversion layer and / or adapted to the radiation-emitting layer sequence.

Weiterhin kann der Verfahrensschritt B folgende Teilschritte umfassen:

  • B1) Aufbringen eines Wellenlängenkonversionsstoffs auf einem Trägersubstrat,
  • B2) Aufbringen eines Binders auf dem Trägersubstrat und
  • B3) Härten des Binders zur Fixierung des Wellenlängenkonversionsstoffs.
Furthermore, process step B can comprise the following substeps:
  • B1) applying a wavelength conversion substance to a carrier substrate,
  • B2) applying a binder on the carrier substrate and
  • B3) curing the binder to fix the wavelength conversion substance.

Das Trägersubstrat kann beispielsweise ein transparentes Material aufweisen oder aus einem solchen sein. Geeignete Trägersubstratmaterialien können beispielsweise Glas, Kunststoff oder Metall in Platten- oder Folienform sein, oder Kombinationen oder Mischung daraus.The Carrier substrate, for example, a transparent material or be of such. Suitable carrier substrate materials may be For example, glass, plastic or metal in sheet or foil form be, or combinations or mixtures thereof.

Der Wellenlängenkonversionsstoff und der Binder, die weiter unten näher beschrieben werden, können somit zusammen mit dem Trägersubstrat die erste Wellenlängenkonversionsschicht bilden.Of the Wavelength conversion substance and the binder that continues can be described in more detail below, thus together with the carrier substrate, the first wavelength conversion layer form.

Das Aufbringen eines Wellenlängenkonversionsstoffs kann beispielsweise mittels Aufsprühen, Aufdrucken oder Bestäuben erfolgen.The Application of a wavelength conversion substance can, for example by spraying, printing or dusting respectively.

Weiterhin kann der Verfahrensschritt B auch folgende Teilschritte umfassen:

  • B1') Bereitstellen eines Gemisches aus einem Wellenlängenkonversionsstoff und einem Matrixmaterial,
  • B2') Aufbringen des Gemisches auf einem Trägersubstrat,
  • B3') Härten des Gemisches.
Furthermore, method step B can also comprise the following substeps:
  • B1 ') providing a mixture of a wavelength conversion substance and a matrix material,
  • B2 ') applying the mixture to a carrier substrate,
  • B3 ') hardening of the mixture.

Dabei können der Wellenlängenkonversionsstoff und das Matrixmaterial zusammen mit dem Trägersubstrat die Wellenlängenkonversionsschicht bilden. Weiterhin kann nach dem Schritt B3' in einem weiteren Verfahrensschritt auch das gehärtete Gemisch, das den Wellenlängenkonversionsstoff und das gehärtete Matrixmaterial umfasst, vom Trägersubstrat mittels mechanischer, optischer und/oder chemischer Methoden abgelöst werden. Das gehärtete Gemisch kann dann ohne das Trägersubstrat die Wellenlängenkonversionsschicht bilden.there can the wavelength conversion substance and the Matrix material together with the carrier substrate to form the wavelength conversion layer. Furthermore, after step B3 'in a further process step also the cured mixture containing the wavelength conversion substance and the hardened matrix material comprises, from the carrier substrate detached by mechanical, optical and / or chemical methods become. The cured mixture may then be without the carrier substrate form the wavelength conversion layer.

Weiterhin kann der Verfahrensschritt auch folgende Teilschritte umfassen:

  • B1'') Bereitstellen eines Gemisches aus einem Wellenlängenkonversionsstoff und einem Matrixmaterial,
  • B2'') Ausformen einer Folie oder Platte aus dem Gemisch,
  • B3'') Härten des Gemisches zur ersten Wellenlängenkonversionsschicht.
Furthermore, the method step can also comprise the following substeps:
  • B1 '') providing a mixture of a wavelength conversion substance and a matrix material,
  • B2 '') forming a film or plate from the mixture,
  • B3 ") curing of the mixture to the first wavelength conversion layer.

Das Ausformen des Gemisches zu einer Folie oder Platte kann durch Spritzgießen, Spritzpressen, Formpressen, Extrudieren, Walzen oder Folienziehen erfolgen.The Shaping the mixture into a film or plate by injection molding, Transfer molding, compression molding, extruding, rolling or film drawing respectively.

Der Wellenlängenkonversionsstoff kann geeignet sein, die elektromagnetische Primärstrahlung zumindest teilweise zu absorbieren und als Sekundärstrahlung mit einem zumindest teilweise von der Primärstrahlung verschiedenen Wellenlängenbereich als Sekundärstrahlung zu emittieren. Die elektromagnetische Primärstrahlung und elektromagnetische Sekundärstrahlung können eine oder mehrere Wellenlängen und/oder Wellenlängenbereiche in einem infraroten bis ultravioletten Wellenlängenbereich umfassen, insbesondere in einem sichtbaren Wellenlängenbereich. Dabei können das Spektrum der Primärstrahlung und/oder das Spektrum der Sekundärstrahlung schmalbandig sein, das heißt, dass die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung einen einfarbigen oder annähernd einfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen können. Das Spektrum der Primärstrahlung und/oder das Spektrum der Sekundärstrahlung kann alternativ auch breitbandig sein, das heißt, dass die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung einen mischfarbigen Wellenlängenbereich aufweisen kann, wobei der mischfarbige Wellenlängenbereich ein kontinuierliches Spektrum und/oder mehrere diskrete spektrale Komponenten mit verschiedenen Wellenlängen aufweisen kann. Beispielsweise kann die elektromagnetische Primärstrahlung einen Wellenlängenbereich aus einem ultravioletten bis grünen Wellenlängenbereich aufweisen, während die elektromagnetische Sekundärstrahlung einen Wellenlängenbereich aus einem blauen bis infraroten Wellenlängenbereich aufweisen kann. Besonders bevorzugt können die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung überlagert einen weißfarbigen Leuchteindruck erwecken. Dazu kann die Primärstrahlung vorzugsweise einen blaufarbigen Leuchteindruck erwecken und die Sekundärstrahlung einen gelbfarbigen Leuchteindruck, der durch spektrale Komponenten der Sekundärstrahlung im gelben Wellenlängenbereich und/oder spektrale Komponenten im grünen und roten Wellenlängenbereich entstehen kann.Of the Wavelength conversion substance may be suitable, the electromagnetic At least partially absorb primary radiation and as secondary radiation with an at least in part of the primary radiation different wavelength range to emit as secondary radiation. The electromagnetic Primary radiation and electromagnetic secondary radiation can be one or more wavelengths and / or Wavelength ranges in an infrared to ultraviolet Wavelength range include, in particular in a visible wavelength range. In this case, the spectrum of the primary radiation and / or the spectrum of secondary radiation narrowband be, that is, the primary radiation and / or the secondary radiation is a monochrome or approximate monochrome wavelength range can have. The spectrum of the primary radiation and / or the spectrum the secondary radiation can alternatively also be broadband, that is, the primary radiation and / or the Secondary radiation a mixed-colored wavelength range may have, wherein the mixed-color wavelength range a continuous spectrum and / or multiple discrete spectral Components with different wavelengths may have. For example, the electromagnetic primary radiation a wavelength range from an ultraviolet to green wavelength range while the electromagnetic secondary radiation a wavelength range can have from a blue to infrared wavelength range. Particularly preferred may be the primary radiation and the secondary radiation overlays a white-colored one Create a luminous impression. For this purpose, the primary radiation preferably a bluish light impression and the Secondary radiation a yellow-colored light impression, the by spectral components of the secondary radiation in yellow Wavelength range and / or spectral components in green and red wavelength range can arise.

Insbesondere kann das optoelektronische Bauelement eine Überlagerung aus der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung abstrahlen. Für einen externen Beobachter kann daher der oben erwähnte mischfarbige Leuchteindruck durch die Überlagerung der elektromagnetischen Primarstrahlung und elektromagnetischen Sekundärstrahlung wahrgenommen werden. Der mischfarbige Leuchteindruck kann dabei von den relativen Anteilen der Primärstrahlung und Sekundärstrahlung zueinander abhängen.Especially the optoelectronic component can be an overlay from the primary radiation and the secondary radiation radiate. For an external observer can therefore the above-mentioned mixed-colored luminous impression due to the overlay the electromagnetic primary radiation and electromagnetic Secondary radiation can be perceived. The mixed-color Light impression can thereby of the relative shares of the primary radiation and secondary radiation depend on each other.

Der Wellenlängenkonversionsstoff kann dabei einen oder mehrere der folgenden Materialien aufweisen: Granate der Seltenen Erden und der Erdalkalimetalle, beispielsweise YAG:Ce3 +, Nitride, Nitridosilikate, Sione, Sialone, Aluminate, Oxide, Halophosphate, Orthosilikate, Sulfide, Vanadate und Chlorosilikate. Weiterhin kann der Wellenlängenkonversionsstoff zusätzlich oder alternativ ein organisches Material umfassen, das aus einer Gruppe ausgewählt sein kann, die Perylene, Benzopyrene, Coumarine, Rhodamine und Azo-Farbstoffe umfasst. Weitere Beispiele und Ausführungsformen sind in der Patentanmeldung DE 102007049005.6 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. Die Wellenlängenkonversionsschicht kann geeignete Mischungen und/oder Kombinationen der genannten Wellenlängenkonversionsstoffe aufweisen. Dadurch kann es beispielsweise möglich sein, dass, wie oben beschrieben, die Wellenlängenkonversionsschicht in einem blauen ersten Wellenlängenbereich absorbiert und in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert, der grüne und rote Wellenlängen und/oder gelbe Wellenlängenbereiche aufweist.The wavelength conversion substance can have one or more of the following materials: rare-earth garnets, and the alkaline earth metals, such as YAG: Ce 3+, nitrides, nitridosilicates, sions, sialons, aluminates, oxides, halophosphates, orthosilicates, sulfides, vanadates and chlorosilicates. Furthermore, the wavelength conversion substance may additionally or alternatively comprise an organic material which may be selected from a group comprising perylenes, benzopyrene, coumarins, rhodamines and azo dyes. Further examples and embodiments are in the patent application DE 102007049005.6 whose disclosure content is hereby incorporated by reference. The wavelength conversion layer may comprise suitable mixtures and / or combinations of said wavelength conversion materials. As a result, it may be possible, for example, that, as described above, the wavelength conversion layer absorbs in a blue first wavelength range and emits in a second wavelength range that has green and red wavelengths and / or yellow wavelength ranges.

Der Wellenlängenkonversionsstoff kann zumindest teilweise in Form von Partikeln vorliegen, die eine Größe von 2 bis 10 μm aufweisen können. Weiterhin können die Partikel neben der oben beschriebenen Konversionseigenschaft geeignet sein, zumindest teilweise die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung zu streuen. Damit kann ein Wellenlängenkonversionsstoff gleichzeitig als ein Leuchtzentrum, das Strahlung der Primärstrahlung teilweise absorbiert und eine Sekundärstrahlung emittiert, und als Streuzentrum für die Primärstrahlung und/oder die Sekundärstrahlung ausgebildet sein. Derartige Streueigenschaften eines Wellenlängenkonversionsstoffs können somit zu einer verbesserten Strahlungsauskopplung führen. Die Streuwirkung kann beispielsweise auch zu einer Steigerung der Absorptionswahrscheinlichkeit von Primärstrahlung in der Wellenlängenkonversionsschicht führen, wodurch eine geringere Schichtdicke der Wellenlängenkonversionsschicht zur Erreichung einer notwendigen Konversionseffizienz ausreichend sein kann. Alternativ oder zusätzlich können dem Wellenlängenkonversionsstoff noch Streupartikel zugemischt sein. Insbesondere können die Streupartikel beispielsweise ein Metalloxid, so etwa Titanoxid oder Aluminiumoxid wie etwa Korund, und/oder Glaspartikel umfassen. Die Streupartikel können dabei Durchmesser oder Korngrößen von weniger als einem Mikrometer bis zu einer Größenordnung von 10 μm oder auch bis zu 100 μm aufweisen.The wavelength conversion substance may be present at least partially in the form of particles, which may have a size of 2 to 10 microns. Furthermore, in addition to the conversion property described above, the particles may be suitable for at least partially scattering the primary radiation and / or the secondary radiation. This can be a ripples length conversion substance at the same time as a luminous center, which partially absorbs the radiation of the primary radiation and emits a secondary radiation, and be designed as a scattering center for the primary radiation and / or the secondary radiation. Such scattering properties of a wavelength conversion substance can thus lead to improved radiation decoupling. The scattering effect can, for example, also lead to an increase in the absorption probability of primary radiation in the wavelength conversion layer, as a result of which a smaller layer thickness of the wavelength conversion layer can be sufficient to achieve a necessary conversion efficiency. Alternatively or additionally, scattering particles may be added to the wavelength conversion substance. In particular, the scattering particles may comprise, for example, a metal oxide, such as titanium oxide or alumina, such as corundum, and / or glass particles. The scattering particles may have diameters or grain sizes of less than one micrometer up to an order of magnitude of 10 μm or even up to 100 μm.

Das Matrixmaterial oder der Binder können für die Primärstrahlung und die Sekundärstrahlung zumindest teilweise transparent sein und geeignet sein, den Wellenlängenkonversionsstoff zu umgeben und/oder an den Wellenlängenkonversionsstoff chemisch oder adhäsiv gebunden zu werden. Das Matrixmaterial oder der Binder können beispielsweise härtbare organische Materialien wie etwa Siloxane, Epoxide, Acrylate, Methylmethacrylate, Imide, Carbonate, Olefine, Styrole, Urethane oder Derivate davon in Form von Monomeren, Oligomeren oder Polymeren und weiterhin auch Mischungen, Copolymere oder Verbindungen damit aufweisen. Beispielsweise können das Matrixmaterial oder der Binder ein Epoxidharz, Polymethylmethacrylat (PMMA), Polystyrol, Polycarbonat, Polyacrylat, Polyurethan oder ein Silikonharz wie etwa Polysiloxan oder Mischungen daraus umfassen oder sein. Alternativ oder zusätzlich können das Matrixmaterial oder der Binder auch anorganische Materialien aufweisen. Vorteilhafterweise kann dabei der Brechungsindex des Matrixmaterials oder Binders an den der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angepasst sein.The Matrix material or the binder can be used for the Primary radiation and the secondary radiation at least be partially transparent and suitable, the wavelength conversion substance to surround and / or to the wavelength conversion substance to be bound chemically or adhesively. The matrix material or the binder can be curable, for example organic materials such as siloxanes, epoxies, acrylates, methyl methacrylates, Imides, carbonates, olefins, styrenes, urethanes or derivatives thereof in the form of monomers, oligomers or polymers and further also Have mixtures, copolymers or compounds with it. For example, you can the matrix material or binder is an epoxy resin, polymethyl methacrylate (PMMA), polystyrene, polycarbonate, polyacrylate, polyurethane or a silicone resin such as polysiloxane or mixtures thereof or his. Alternatively or additionally, the Matrix material or the binder also inorganic materials. Advantageously, the refractive index of the matrix material or Binders adapted to the radiation-emitting layer sequence be.

Das Härten des Matrixmaterials oder des Binders kann durch Verdunstung oder Verdampfung von Lösungsmitteln oder Reaktionsprodukten und/oder durch Vernetzungsreaktionen erfolgen. Das Härten kann dabei durch mechanische Einwirkung, etwa Druckbeaufschlagung, durch thermische Einwirkung, etwa Erwärmen, durch Lichteinwirkung, etwa Bestrahlung mit Licht im ultraviolettem bis infrarotem Wellenlängenbereich, durch Teilcheneinwirkung, etwa Bestrahlen mit Elektroden, und/oder durch Zusatz von weiteren Materialien, die im Matrixmaterial Vernetzungsreaktion bewirken können, erfolgen.The Hardening of the matrix material or the binder can by Evaporation or evaporation of solvents or reaction products and / or by crosslinking reactions. The hardening can thereby by mechanical action, such as pressurization, by thermal Influence, such as heating, by the action of light, for example Irradiation with light in the ultraviolet to infrared wavelength range, by particle action, such as irradiation with electrodes, and / or by Addition of other materials in the matrix material crosslinking reaction can occur.

Der oder die Wellenlängenkonversionsstoffe können dabei homogen im Matrixmaterial beziehungsweise nach dem Aufbringen des Binders in diesem verteilt sein. Weiterhin kann die Wellenlängenkonversionsschicht mehrere Wellenlängenkonversionsstoffe aufweisen, die in verschiedenen Schichten in der Wellenlängenkonversionsschicht angeordnet sind.Of the or the wavelength conversion materials can while homogeneous in the matrix material or after application of the binder be distributed in this. Furthermore, the wavelength conversion layer have several wavelength conversion substances, which in different layers in the wavelength conversion layer are arranged.

Weiterhin können der oder die Wellenlängenkonversionsstoffe im Matrixmaterial, das in einer flüssigen Phase vorliegen kann, enthalten sein. Das flüssige Matrixmaterial mit dem oder den Wellenlängenkonversionsstoffen kann dann auf dem Trägersubstrat aufgebracht werden oder ausgeformt werden und durch Trocknungs- und/oder Vernetzungsprozesse schichtförmig als Wellenlängenkonversionsschicht ausgebildet werden. Alternativ können das Matrixmaterial mit dem Wellenlängenkonversionsstoff im oben beschriebenen Verfahrensschritt B2' oder der Binder im oben beschriebenen Verfahrensschritt B2 auch aufgedampft werden. Weiterhin kann des Matrixmaterial mit dem Wellenlängenkonversionsstoff danach durch Vernetzungsreaktionen ausgehärtet werden.Farther can be the wavelength conversion substance (s) in the matrix material, which are in a liquid phase can be included. The liquid matrix material with the or the wavelength conversion materials can then be on the Carrier substrate are applied or formed and layered by drying and / or crosslinking processes be formed as a wavelength conversion layer. Alternatively, the matrix material may be reacted with the wavelength conversion substance in the above-described process step B2 'or the binder in the above also described process step B2 are vapor-deposited. Furthermore, can of the matrix material with the wavelength conversion substance then cured by crosslinking reactions.

Der Wellenlängenkonversionsstoff und/oder der Binder und/oder das Matrixmaterial mit dem Wellenlängenkonversionsstoff können großflächig oder lateral strukturiert aufgebracht werden, beispielsweise mittels Siebdruck. „Lateral strukturiert" kann dabei bedeuten, dass Bereiche auf dem Trägersubstrat frei vom Wellenlängenkonversionsstoff und/oder vom Binder und/oder vom Matrixmaterial mit dem Wellenlängenkonversionsstoff bleiben während andere Bereiche bedeckt davon sind. Dadurch kann es möglich sein, dass eine strukturierte Abstrahlcharakteristik des optoelektronischen Bauelements erreichbar ist, durch die eine Information beispielsweise mittels zumindest eines Zeichens, Buchstabens und/oder Piktogramms an einen Beobachter vermittelt werden kann.Of the Wavelength conversion substance and / or the binder and / or the matrix material with the wavelength conversion substance can be structured over a large area or laterally be applied, for example by screen printing. "lateral structured "can mean that areas on the carrier substrate free of the wavelength conversion substance and / or binder and / or the matrix material with the wavelength conversion substance remain while other areas are covered by it. Thereby It may be possible that a structured radiation of the Optoelectronic device can be reached, through which information for example by means of at least one character, letter and / or Pictogram can be conveyed to an observer.

Auf zumindest einer Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht kann eine Oberflächenstruktur in einem weiteren Verfahrensschritt hergestellt werden. Die Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht kann dabei bevorzugt eine Oberfläche sein, die nach dem Anordnen der Wellenlängenkonversionsschicht auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge eine von der strahlungsemittierenden Schichtenfolge abgewandte Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht ist. Die Oberflächenstruktur kann Aufrauungen, Gräben, Prismen, Linsen oder Kegelstümpfe oder Kombinationen daraus aufweisen, die beispielsweise die Strahlungsauskopplung der Primärstrahlung und der Sekundärstrahlung aus der Verkapselungsanordnung erhöhen und verbessern können. Die Oberflächenstruktur kann dabei je nach Ausgestaltung der Wellenlängenkonversionsschicht im Matrixmaterial, im Binder oder im Trägersubstrat erzeugt werden. Dabei kann die Oberflächestruktur vor dem Verfahrensschritt C, nämlich dem Anordnen der Wellenlängenkonversionsschicht auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge, durch Prägen, Ätzen, Aufrauen oder Laserabtragung oder eine Kombination daraus aufgebracht werden.On at least one surface of the wavelength conversion layer, a surface structure can be produced in a further method step. In this case, the surface of the wavelength conversion layer may preferably be a surface which, after arranging the wavelength conversion layer on the radiation-emitting layer sequence, is a surface of the wavelength conversion layer which faces away from the radiation-emitting layer sequence. The surface structure may have roughnesses, trenches, prisms, lenses or truncated cones or combinations thereof which, for example, increase and eliminate the radiation decoupling of the primary radiation and the secondary radiation from the encapsulation arrangement can. Depending on the design of the wavelength conversion layer, the surface structure can be produced in the matrix material, in the binder or in the carrier substrate. In this case, the surface structure can be applied prior to method step C, namely the arrangement of the wavelength conversion layer on the radiation-emitting layer sequence, by embossing, etching, roughening or laser ablation or a combination thereof.

Alternativ oder zusätzlich kann auf der Wellenlängenkonversionsschicht eine weitere Schicht aufgebracht werden, in der die Oberflächenstruktur ausgebildet wird. Die weitere Schicht kann beispielsweise ein wie weiter oben im Zusammenhang mit dem Matrixmaterial ausgeführtes Material, etwa ein Polymermaterial, aufweisen. Die Wellenlängenkonversionsschicht mit Oberflächenstruktur kann derart auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angeordnet werden, dass die Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht mit der Oberflächenstruktur eine von der strahlungsemittierenden Schichtenfolge im Strahlengang der Primärstrahlung und Sekundärstrahlung abgewandte Oberfläche ist.alternative or additionally, on the wavelength conversion layer another layer can be applied, in which the surface structure is formed becomes. For example, the further layer may be as above material made in connection with the matrix material, such as a polymeric material. The wavelength conversion layer with surface structure can be so on the radiation-emitting Layers of layers are arranged so that the surface of the Wavelength conversion layer having the surface structure a from the radiation-emitting layer sequence in the beam path of Primary radiation and secondary radiation facing away Surface is.

Weiterhin kann die Wellenlängenkonversionsschicht in beliebiger Größe herstellbar sein und die Größe durch Schneiden, Stanzen, Brechen oder Sägen veränderbar sein. Insbesondere kann dadurch die Größe der Wellenlängenkonversionsschicht an die Größe, insbesondere die flächige Ausdehnung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angepasst werden. Dadurch können beispielsweise Produktionskosten, insbesondere bei kleinen oder im Produktionsprozess wechselnden Bauelementgrößen, verringert werden.Farther The wavelength conversion layer can be of any size be made and size by cutting, Punching, breaking or sawing be changeable. In particular, this can reduce the size of the wavelength conversion layer to the size, especially the areal Extension of the radiation-emitting layer sequence adapted become. As a result, for example, production costs, especially in small or changing in the production process Component sizes can be reduced.

Ferner kann zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht bereitgestellt werden. Zur Bereitstellung kann die zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht mit einem Verfahren herstellbar sein, dass eines oder mehrere Merkmale der oben bezüglich der ersten Wellenlängenkonversionsschicht genannten Verfahrensschritte aufweist.Further may be at least a second wavelength conversion layer to be provided. For providing the at least one second wavelength conversion layer produced by a method be that one or more features of the above regarding the first wavelength conversion layer steps mentioned having.

Weiterhin kann eine Mehrzahl von gleichen oder verschiedenen Wellenlängenkonversionsschichten bereitgestellt werden, die im Strahlengang der Primärstrahlung nebeneinander oder übereinander als Schichtenstapel angeordnet werden können. Dazu können Wellenlängenkonversionsschichten vor oder nach der Anordnung auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge nebeneinander oder als Schichtenstapel übereinander angeordnet und miteinander verklebt oder laminiert werden. Alternativ oder zusätzlich können die erste und die zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht auf verschiedenen Oberflächen der strahlungsemittierenden Schichtenfolge angeordnet werden. Sind die Wellenlängenkonversionsschichten beispielsweise lateral strukturiert aufgebracht, lassen sich durch einen Schichtenstapel mit mehreren unterschiedlichen Wellenlängenkonversionsschichten bildhafte Informationen wie etwa Zeichen, Buchstaben und/oder Piktogramme darstellen.Farther may be a plurality of the same or different wavelength conversion layers be provided in the beam path of the primary radiation arranged side by side or one above the other as a stack of layers can be. These can be wavelength conversion layers before or after the arrangement on the radiation-emitting layer sequence arranged side by side or as a stack of layers one above the other and glued or laminated together. Alternatively or In addition, the first and the at least one second wavelength conversion layer on different Surfaces of the radiation-emitting layer sequence to be ordered. Are the wavelength conversion layers For example, applied laterally structured, can be through a layer stack with several different wavelength conversion layers pictorial information such as characters, letters and / or pictograms represent.

Bei einer Ausführungsform des optoelektronischen Bauelements ist die strahlungsemittierende Schichtenfolge eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge, insbesondere eine organische, strahlungsemittierende Diode (OLED). Eine organische strahlungsemittierende Schichtenfolge beziehungsweise eine OLED kann beispielsweise eine erste Elektrode auf einem Substrat aufweisen. Über der ersten Elektrode kann ein funktionaler Bereich mit einer oder mehreren funktionalen Schichten aus organischen Materialien aufgebracht sein, die den aktiven Bereich zur Emission der Primärstrahlung umfassen können. Die funktionalen Schichten können dabei beispielsweise Elektronentransportschichten, elektrolumineszierende Schichten und/oder Lochtransportschichten aufweisen. Über den funktionalen Schichten kann eine zweite Elektrode aufgebracht sein.at an embodiment of the optoelectronic component the radiation-emitting layer sequence is an organic radiation-emitting layer Layer sequence, in particular an organic, radiation-emitting Diode (OLED). An organic radiation-emitting layer sequence or an OLED can, for example, a first electrode on a substrate. Above the first electrode can be a functional area with one or more functional Layers of organic materials can be applied to the active Range to emit the primary radiation. The functional layers may be, for example Electron transport layers, electroluminescent layers and / or hole transport layers exhibit. Over the functional layers can be a second Electrode be applied.

Beispielsweise kann das Substrat Glas, Quarz, Kunststofffolien, Metall, Metallfolien, Siliziumwafer oder ein anderes geeignetes Substratmaterial umfassen. Ist die OLED als so genannter „Bottom-Emitter" ausgeführt, das heißt, dass die in den funktionellen Schichten erzeugte Strahlung durch das Substrat abgestrahlt wird, so kann das Substrat vorteilhafterweise eine Transparenz für zumindest einen Teil der ersten Strahlung aufweisen.For example the substrate glass, quartz, plastic films, metal, metal foils, Silicon wafers or other suitable substrate material include. If the OLED is designed as a so-called "bottom emitter", that is, that generated in the functional layers Radiation is radiated through the substrate, the substrate may advantageously a transparency for at least a portion of the first radiation exhibit.

In der Bottom-Emitter-Konfiguration kann vorteilhafterweise auch die erste Elektrode eine Transparenz für zumindest einen Teil der Primärstrahlung aufweisen. Eine transparente erste Elektrode, die als Anode ausgeführt sein kann und somit als Löcher-injizierendes Material dient, kann beispielsweise ein transparentes leitendes Oxid aufweisen oder aus einem transparenten leitenden Oxid bestehen. Transparente leitende Oxide (transparent conductive Oxides, kurz „TCO") sind transparente, leitende Materialien, in der Regel Metalloxide, wie beispielsweise Zinkoxid, Zinnoxid, Cadmiumoxid, Titanoxid, Indiumoxid oder Indiumzinnoxid (ITO). Neben binären Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise ZnO, SnO2 oder In2O3 gehören auch ternäre Metallsauerstoffverbindungen, wie beispielsweise Zn2SnO4, CdSnO3, ZnSnO3, MgIn2O4, GaInO3, Zn2In2O5 oder In4Sn3O12 oder Mischungen unterschiedlicher transparenter leitender Oxide zu der Gruppe der TCOs. Weiterhin entsprechen die TCOs nicht zwingend einer stöchiometrischen Zusammensetzung und können auch p- oder n-dotiert sein.In the bottom emitter configuration, advantageously, the first electrode can also have transparency for at least a part of the primary radiation. A transparent first electrode, which may be embodied as an anode and thus serves as a hole-injecting material, may for example comprise a transparent conductive oxide or consist of a transparent conductive oxide. Transparent conductive oxides ("TCOs" for short) are transparent, conductive materials, typically metal oxides, such as zinc oxide, tin oxide, cadmium oxide, titanium oxide, indium oxide or indium tin oxide (ITO) In addition to binary metal oxygen compounds, such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3 also include ternary metal oxygen compounds such as Zn 2 SnO 4 , CdSnO 3 , ZnSnO 3 , MgIn 2 O 4 , GaInO 3 , Zn 2 In 2 O 5 or In 4 Sn 3 O 12 or mixtures of different transparent conductive Furthermore, the TCOs do not necessarily correspond to a stoichiometric composition and may also be p- or n-doped.

Die funktionalen Schichten können organische Polymere, organische Oligomere, organische Monomere, organische kleine, nicht-polymere Moleküle („small molecules") oder Kombinationen daraus aufweisen. Insbesondere kann es vorteilhaft sein, wenn eine funktionale Schicht als Lochtransportschicht ausgeführt ist um eine effektive Löcherinjektion in eine elektrolumineszierende Schicht oder einen elektrolumineszierenden Bereich zu ermöglichen. Als Materialien für eine Lochtransportschicht können sich beispielsweise tertiäre Amine, Carbazolderivate, leitendes Polyanilin oder Polyethylendioxythiophen als vorteilhaft erweisen. Weiterhin kann es vorteilhaft sein, wenn eine funktionelle Schicht als elektrolumineszierende Schicht ausgeführt ist. Als Materialien hierzu eignen sich Materialien, die eine Strahlungsemission aufgrund von Fluoreszenz oder Phosphoreszenz aufweisen, beispielsweise Polyfluoren, Polythiophen oder Polyphenylen oder Derivate, Verbindungen, Mischungen oder Copolymere davon. Abhängig von den Materialien in den funktionellen Schichten kann die erzeugte erste Strahlung einzelne Wellenlängen oder Bereiche oder Kombinationen daraus aus dem ultravioletten bis rotem Spektralbereich aufweisen.The functional layers can be organic polymers, organic oligomers, organic In particular, it may be advantageous if a functional layer is designed as a hole transport layer in order to allow effective hole injection into an electroluminescent layer or an electroluminescent region Materials for a hole transport layer can be, for example, tertiary amines, carbazole derivatives, conductive polyaniline or polyethylene dioxythiophene prove to be advantageous Furthermore, it may be advantageous if a functional layer is designed as an electroluminescent layer as materials for this are materials that radiation emission due to fluorescence or Have phosphorescence, for example polyfluorene, polythiophene or polyphenylene or derivatives, compounds, mixtures or copolymers thereof Depending on the materials in the functional layers, the generated e radiation individual wavelengths or areas or combinations thereof from the ultraviolet to red spectral range.

Die zweite Elektrode kann als Kathode ausgeführt sein und somit als Elektronen-injizierendes Material dienen. Als Kathodenmaterial können sich unter anderem insbesondere Aluminium, Barium, Indium, Silber, Gold, Magnesium, Kalzium oder Lithium sowie Verbindungen, Kombinationen und Legierungen davon als vorteilhaft erweisen. Zusätzlich oder alternativ kann die zweite Elektrode auch transparent ausgeführt sein und/oder die erste Elektrode kann als Kathode und die zweite Elektrode als Anode ausgeführt sein. Das bedeutet insbesondere, dass die OLED auch als „Top-Emitter" ausgeführt sein kann.The second electrode may be designed as a cathode and thus serve as an electron injecting material. As cathode material In particular, aluminum, barium, Indium, silver, gold, magnesium, calcium or lithium, as well as compounds, Combinations and alloys thereof prove beneficial. additionally or alternatively, the second electrode may also be transparent may be and / or the first electrode as the cathode and the second Electrode be designed as an anode. This means in particular that the OLED also run as a "top emitter" can be.

Weiterhin kann die OLED eine Verkapselung aufweisen, um für die Elektroden und den funktionalen Bereich einen Schutz vor Feuchtigkeit und/oder oxidierenden Substanzen wie etwa Sauerstoff zu erreichen. Dabei kann die Verkapselung die gesamte OLED einschließlich des Substrats umgeben. Alternativ oder zusätzlich kann das Substrat einen Teil der Verkapselung bilden. Die Verkapselung kann dabei eine oder mehrere Schichten umfassen, wobei die Schichten der Verkapselung beispielsweise Planarisierungsschichten, Barriereschichten, Wasser und/oder Sauerstoff absorbierende Schichten, Verbindungsschichten oder Kombinationen daraus sein können.Farther For example, the OLED may have an encapsulation for the electrodes and the functional area a protection against moisture and / or oxidizing To reach substances such as oxygen. This can be the encapsulation surrounding the entire OLED including the substrate. Alternatively or additionally, the substrate may be a part form the encapsulation. The encapsulation can be one or more Layers include, for example, the layers of encapsulation Planarization layers, barrier layers, water and / or oxygen absorbent layers, tie layers or combinations can be from it.

Weiterhin kann die strahlungsemittierende Schichtenfolge eine Epitaxieschichtenfolge, also eine epitaktisch gewachsene Halbleiterschichtenfolge, aufweisen. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge beispielsweise auf der Basis eines anorganischen Materials, etwa InGaAlN, wie etwa als GaN-Dünnfilm-Halbleiterschichtenfolge, ausgeführt sein. Unter InGaAlN-basierte Halbleiterschichtenfolgen fallen insbesondere solche, bei denen die epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtenfolge, die in der Regel eine Schichtenfolge aus unterschiedlichen Einzelschichten aufweist, mindestens eine Einzelschicht enthält, die ein Material aus dem III-V-verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGa1-x-yN mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist.Furthermore, the radiation-emitting layer sequence can have an epitaxial layer sequence, that is to say an epitaxially grown semiconductor layer sequence. In this case, the semiconductor layer sequence can be embodied, for example, on the basis of an inorganic material, for example InGaAlN, such as, for example, as a GaN thin-film semiconductor layer sequence. InGaAlN-based semiconductor layer sequences are in particular those in which the epitaxially produced semiconductor layer sequence, which as a rule has a layer sequence of different individual layers, contains at least one single layer comprising a material from the III-V compound semiconductor material system In x Al y Ga 1-xy N with 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1.

Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch auf InGaAlP basieren, das heißt, dass die Halbleiterschichtenfolge unterschiedliche Einzelschichten aufweist, wovon mindestens eine Einzelschicht ein Material aus dem III-V-Verbindungshalbleitermaterialsystem InxAlyGa1-x-yP mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1 aufweist. Alternativ oder zusätzlich kann die Halbleiterschichtenfolge auch andere III-V-Verbindungshalbleitermaterialsysteme, beispielsweise ein AlGaAs-basiertes Material, oder II-VI-Verbindungshalbleitermaterialsysteme aufweisen.Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also be based on InGaAlP, that is to say that the semiconductor layer sequence has different individual layers, of which at least one individual layer is a material composed of the III-V compound semiconductor material system In x Al y Ga 1-xy P where 0 ≦ x ≦ 1, 0 ≤ y ≤ 1 and x + y ≤ 1. Alternatively or additionally, the semiconductor layer sequence can also comprise other III-V compound semiconductor material systems, for example an AlGaAs-based material, or II-VI compound semiconductor material systems.

Die als Epitaxieschichtenfolge ausgeführte strahlungsemittierende Schichtenfolge kann dabei wie die organische strahlungsemittierende Schichtenfolge zwischen der ersten und zweiten Elektrode auf einem Substrat angeordnet sein und/oder eine Verkapselung aufweisen.The radiation-emitting epitaxial layer sequence Layer sequence can be like the organic radiation-emitting Layer sequence between the first and second electrode on one Substrate may be arranged and / or have an encapsulation.

Die erste Wellenlängenkonversionsschicht und/oder die zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht können dabei auf der dem aktiven Bereich abgewandten Oberfläche des Substrats oder der Verkapselung angeordnet sein.The first wavelength conversion layer and / or the at least a second wavelength conversion layer while on the surface facing away from the active area be arranged of the substrate or the encapsulation.

Durch ein Verfahren mit den oben beschriebenen Merkmalen können beispielsweise verschiedene Wellenlängenkonversionsschichten mit verschiedenen Abmessungen wie Dicke und Fläche sowie mit verschiedenen Mischungen und Konzentrationen des Wellenlängenkonversionsstoffs bereitgestellt werden, die je nach Anforderung ausgewählt und mit anderen Wellenlängenkonversionsschichten kombiniert werden können, um verschiedenfarbige optoelektronische Bauelemente herzustellen.By a method with the features described above can for example, different wavelength conversion layers with different dimensions like thickness and area as well with various mixtures and concentrations of the wavelength conversion substance can be provided, which are selected according to the requirement and combined with other wavelength conversion layers can be used to different-colored optoelectronic Manufacture components.

Weitere Vorteile und vorteilhafte Ausführungsformen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1A bis 4C beschriebenen Ausführungsformen.Further advantages and advantageous embodiments and developments of the invention will become apparent from the following in connection with the 1A to 4C described embodiments.

Es zeigen:It demonstrate:

1A bis 1E schematische Darstellungen eines Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem Ausführungsbeispiel, 1A to 1E schematic representations of a method for producing an optoelectronic component according to an embodiment,

2A bis 2E schematische Darstellungen eines Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel, 2A to 2E schematic representations of a method for producing an optoe electronic component according to a further embodiment,

3A bis 3C schematische Darstellungen eines Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements gemäß noch einem weiteren Ausführungsbeispiel und 3A to 3C schematic representations of a method for producing an optoelectronic component according to yet another embodiment and

4A bis 4D schematische Darstellungen von optoelektronischen Bauelementen gemäß weiteren Ausführungsbeispielen. 4A to 4D schematic representations of optoelectronic components according to further embodiments.

In den Ausführungsbeispielen und Figuren können gleiche oder gleich wirkende Bestandteile jeweils mit den gleichen Bezugszeichen versehen sein. Die dargestellten Elemente und deren Größenverhältnisse untereinander sind grundsätzlich nicht als maßstabsgerecht anzusehen, vielmehr können einzelne Elemente, wie zum Beispiel Schichten, Bauteile, Bauelemente und Bereiche, zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben dick oder groß dimensioniert dargestellt sein.In The embodiments and figures may be the same or equivalent components in each case with the same reference numerals be provided. The illustrated elements and their proportions with each other are basically not as true to scale rather, individual elements, such as Layers, components, components and areas for better presentation and / or exaggerated for better understanding be shown thick or large dimensions.

In den folgenden Figuren ist eine strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 gezeigt, die ein Substrat 11 aufweist, auf dem eine erste Elektrode 12, funktionelle Schichten mit einem aktiven Bereich 13, und darüber eine zweite Elektrode 14 angeordnet sind. Durch Anlegen eines elektrischen Stromes zwischen der ersten und zweiten Elektrode 12, 14 strahlt der aktive Bereich eine elektromagnetische blaufarbige Primärstrahlung ab. Über den Elektroden 12, 14 und dem aktiven Bereich 13 ist auf dem Substrat 11 eine Verkapselung 15 angeordnet, die die Elektroden 12, 14 und den aktiven Bereich 13 zusammen mit dem Substrat 11 vor schädigenden Einflüssen wie etwa Sauerstoff und/oder Feuchtigkeit schützt.In the following figures is a radiation-emitting layer sequence 1 shown a substrate 11 having on which a first electrode 12 , functional layers with an active area 13 , and about a second electrode 14 are arranged. By applying an electric current between the first and second electrodes 12 . 14 the active area emits an electromagnetic blue-colored primary radiation. Over the electrodes 12 . 14 and the active area 13 is on the substrate 11 an encapsulation 15 arranged the electrodes 12 . 14 and the active area 13 together with the substrate 11 Protects against damaging influences such as oxygen and / or moisture.

Die strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 kann dabei sowohl als organische strahlungsemittierende Schichtenfolge, insbesondere als organische Leuchtdiode (OLED), oder als anorganische strahlungsemittierende Schichtenfolge, insbesondere mit einer anorganischen Epitaxieschichtenfolge, wie im allgemeinen Teil beschrieben, ausgeführt sein. Rein beispielhaft ist in den folgenden Ausführungsbeispielen eine OLED als strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 gezeigt, die als Bottom-Emitter ausgeführt ist.The radiation-emitting layer sequence 1 In this case, it can be embodied both as an organic radiation-emitting layer sequence, in particular as an organic light-emitting diode (OLED), or as an inorganic radiation-emitting layer sequence, in particular with an inorganic epitaxial layer sequence, as described in the general part. By way of example, in the following exemplary embodiments, an OLED is used as the radiation-emitting layer sequence 1 shown as a bottom emitter.

Im Ausführungsbeispiel gemäß der 1A bis 1E wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 100 gezeigt. In einem ersten Verfahrensschritt in 1A wird eine wie oben beschriebene strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 bereitgestellt.In the embodiment according to the 1A to 1E is a method for producing an optoelectronic device 100 shown. In a first step in 1A becomes a radiation-emitting layer sequence as described above 1 provided.

In den 1B bis 1D werden Verfahrensschritte zur Bereitstellung einer ersten Wellenlängenkonversionsschicht 2 gezeigt. Dabei wird, wie in 1B gezeigt, ein Trägersubstrat 20, das im gezeigten Ausführungsbeispiel als Kunststofffolie ausgeführt ist, bereitgestellt. Auf das Trägersubstrat 20 wird ein Wellenlängenkonversionsstoff 21 aufgesprüht. Der Wellenlängenkonversionsstoff 21 ist geeignet, einen Teil der Primärstrahlung in elektromagnetische gelbfarbige Sekundärstrahlung zu konvertieren. Durch die Mischung der blauen Primärstrahlung und der gelben Sekundärstrahlung kann das optoelektronische Bauelement 100 im Betrieb einen weißfarbigen Leuchteindruck erwecken.In the 1B to 1D become process steps for providing a first wavelength conversion layer 2 shown. It will, as in 1B shown a carrier substrate 20 provided in the embodiment shown as a plastic film provided. On the carrier substrate 20 becomes a wavelength conversion substance 21 sprayed. The wavelength conversion substance 21 is suitable for converting part of the primary radiation into electromagnetic yellow-colored secondary radiation. By mixing the blue primary radiation and the yellow secondary radiation, the optoelectronic component 100 to give a white-colored light impression during operation.

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1C wird ein Bindermaterial 22, im gezeigten Ausführungsbeispiel ein Silikon- oder Epoxidharz, auf das Trägersubstrat 20 und den Wellenlängenkonversionsstoff 21 aufgebracht und in einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1D ausgehärtet, wodurch die erste Wellenlängenkonversionsschicht 2 bereitgestellt wird. Bei den Verfahrensschritten gemäß der 1B bis 1D können dabei die im allgemeinen Teil beschrieben Prozesse angewandt und Materialien verwendet werden, die die strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 schädigen würden. Der Binder 22 kann beispielsweise mittels UV-Licht aushärtbar sein. Dadurch, dass die Wellenlängenkonversionsschicht 2 unabhängig von der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 hergestellt und bereitgestellt wird, kann somit eine einfachere und kostengünstigere Fertigung erfolgen, da die Verfahrensschritte nicht auf eine Verträglichkeit mit der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 angepasst werden müssen.In a further method step according to 1C becomes a binder material 22 , In the embodiment shown, a silicone or epoxy resin, on the carrier substrate 20 and the wavelength conversion substance 21 applied and in a further process step according to 1D Hardened, creating the first wavelength conversion layer 2 provided. In the process steps according to the 1B to 1D In this case, the processes described in the general part can be used and materials can be used which comprise the radiation-emitting layer sequence 1 would harm. The binder 22 can be curable by means of UV light, for example. Thereby, that the wavelength conversion layer 2 independent of the radiation-emitting layer sequence 1 Thus, a simpler and more cost-effective production can be carried out, since the method steps are not based on compatibility with the radiation-emitting layer sequence 1 need to be adjusted.

Gegebenfalls kann die erste Wellenlängenkonversionsschicht 2 durch Zuschneiden in ihrer Fläche auf die strahlungsemittierende Schichtenfolge angepasst werden (nicht gezeigt).Optionally, the first wavelength conversion layer 2 be adapted by cutting in their surface on the radiation-emitting layer sequence (not shown).

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 1E wird die erste Wellenlängenkonversionsschicht 2 auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 auf der dem aktiven Bereich abgewandten Oberfläche des Substrats angeordnet und mittels einer Klebstoffschicht 3, die aus einem Epoxidharz ist, verklebt.In a further method step according to 1E becomes the first wavelength conversion layer 2 on the radiation-emitting layer sequence 1 arranged on the surface facing away from the active region of the substrate and by means of an adhesive layer 3 , which is made of an epoxy resin, glued.

Im Ausführungsbeispiel gemäß der 2A bis 2E wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 200 gezeigt. In einem ersten Verfahrensschritt in 2A wird eine wie oben beschriebene strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 bereitgestellt.In the embodiment according to the 2A to 2E is another method for producing an optoelectronic device 200. shown. In a first step in 2A becomes a radiation-emitting layer sequence as described above 1 provided.

In den 2B und 2C werden Verfahrensschritte zur Bereitstellung einer ersten Wellenlängenkonversionsschicht 2 gezeigt. Dabei wird, wie in 2B gezeigt, ein Trägersubstrat 20, das im gezeigten Ausführungsbeispiel beispielsweise als Glasplättchen oder Kunststofffolie ausgeführt ist, bereitgestellt. Auf das Trägersubstrat 20 wird ein zuvor bereitgestelltes Gemisch aus einem Matrixmaterial 22, das ein transparentes Polymer wie allgemeinen Teil beschrieben aufweist, und einem Wellenlängenkonversionsstoff 21 aufgebracht und als Schicht ausgeformt. Mittels eines Aushärtschritts wird, wie in 2C gezeigt, die erste Wellenlängenkonversionsschicht 2 hergestellt.In the 2 B and 2C become process steps for providing a first wavelength conversion layer 2 shown. It will, as in 2 B shown a carrier substrate 20 , which is executed in the embodiment shown, for example, as a glass plate or plastic film provided. On the carrier substrate 20 will be a previously be prepared mixture of a matrix material 22 comprising a transparent polymer as described in the general part and a wavelength conversion substance 21 applied and shaped as a layer. By means of a curing step, as in 2C shown the first wavelength conversion layer 2 produced.

In einem weiteren Verfahrensschritt (2D) wird in eine Oberfläche 5 der Wellenlängenkonversionsschicht 2, nämlich eine Oberfläche des Matrixmaterials 22, eine Oberflächenstruktur 50 in Form von Mikroprismen erzeugt.In a further process step ( 2D ) gets into a surface 5 the wavelength conversion layer 2 namely a surface of the matrix material 22 , a surface texture 50 generated in the form of microprisms.

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 2E wird die Wellenlängenkonversionsschicht 2 auf der zuvor bereitgestellten strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 mittels Klemmvorrichtungen 4 angeordnet und befestigt.In a further method step according to 2E becomes the wavelength conversion layer 2 on the previously provided radiation-emitting layer sequence 1 by means of clamping devices 4 arranged and fastened.

Im Ausführungsbeispiel gemäß der 3A bis 3C wird ein weiteres Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 300 gezeigt. In einem ersten Verfahrensschritt in 3A wird eine wie oben beschriebene strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 bereitgestellt.In the embodiment according to the 3A to 3C is another method for producing an optoelectronic device 300 shown. In a first step in 3A becomes a radiation-emitting layer sequence as described above 1 provided.

Gemäß einem weiteren Verfahrensschritt in 3B wird ein Gemisch aus einem flüssigen Matrixmaterial 22 und einem Wellenlängenkonversionsstoff 21 bereitgestellt und mittels eines Formprozesses 9 wie etwa Spritzgießen zu einer flächigen Wellenlängenkonversionsschicht 2 ausgeformt und ausgehärtet. Dabei kann eine Oberflächestruktur wie im vorherigen Ausführungsbeispiel beispielsweise durch die gewählte Spritzgussform in zumindest einer Oberfläche der Wellenlängenkonversionsschicht 2 erzeugt werden (nicht gezeigt).According to a further method step in 3B becomes a mixture of a liquid matrix material 22 and a wavelength conversion substance 21 provided and by means of a molding process 9 such as injection molding into a planar wavelength conversion layer 2 formed and cured. In this case, a surface structure as in the previous embodiment, for example, by the selected injection mold in at least one surface of the wavelength conversion layer 2 be generated (not shown).

In einem weiteren Verfahrensschritt gemäß 3C wird die Wellenlängenkonversionsschicht 2 durch Druck- und Wärmeeinwirkung auf die strahlungsemittierende Schichtenfolge 1 auflaminiert und mit dieser verbunden. Zusätzlich kann dazu zwischen der strahlungsemittierenden Schichtenfolge und der Wellenlängenkonversionsschicht 2 noch zusätzlich eine Klebstoffschicht angeordnet werden (nicht gezeigt).In a further method step according to 3C becomes the wavelength conversion layer 2 by pressure and heat on the radiation-emitting layer sequence 1 laminated and connected with this. In addition, between the radiation-emitting layer sequence and the wavelength conversion layer 2 additionally an adhesive layer can be arranged (not shown).

In den Ausführungsbeispielen gemäß der 4A bis 4D sind weitere optoelektronische Bauelemente 400, 401, 402 und 403 gezeigt, die mittels eines der vorher gezeigten Verfahren herstellbar sind.In the embodiments according to the 4A to 4D are further optoelectronic components 400 . 401 . 402 and 403 shown, which can be produced by means of one of the previously shown methods.

Das optoelektronische Bauelement 400 weist dabei einen Schichtenstapel aus einer ersten Wellenlängenkonversionsschicht 2 und einer zweiten Wellenlängenkonversionsschicht 2' auf, die zuerst hergestellt und bereitgestellt werden, anschließend als Schichtenstapel angeordnet und laminiert werden und danach auf dem strahlungsemittierenden Schichtenstapel 1 angeordnet werden.The optoelectronic component 400 has a layer stack of a first wavelength conversion layer 2 and a second wavelength conversion layer 2 ' which are first manufactured and provided, then arranged as a stack of layers and laminated, and thereafter on the radiation-emitting layer stack 1 to be ordered.

Das optoelektronische Bauelement 401 weist neben der ersten Wellenlängenkonversionsschicht 2 auf einer Oberfläche der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 auf einer weiteren Oberfläche der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht 2' auf. Eine derartige Ausführung ist insbesondere für eine beidseitig emittierende strahlungsemittierende Schichtenfolge 1, also etwa für eine OLED, die gleichzeitig als Top-Emitter und als Bottom-Emitter ausgeführt ist, geeignet. Dabei kann je nach Wahl des Wellenlängenkonversionsstoffs in der ersten und in der zweiten Wellenlängenkonversionsschicht 2, 2' auf den beiden Seiten ein gleicher oder ein verschiedener Leuchteindruck bei einem Beobachter erweckt werden.The optoelectronic component 401 points next to the first wavelength conversion layer 2 on a surface of the radiation-emitting layer sequence 1 on a further surface of the radiation-emitting layer sequence 1 a second wavelength conversion layer 2 ' on. Such an embodiment is in particular for a radiation-emitting layer sequence emitting on both sides 1 So, for example, for an OLED, which is simultaneously designed as a top emitter and a bottom emitter suitable. Depending on the choice of the wavelength conversion substance in the first and in the second wavelength conversion layer 2 . 2 ' on the two sides, the same or a different light impression will be awakened by an observer.

Das optoelektronische Bauelement 402 gemäß der 4C weist eine erste Wellenlängenkonversionsschicht 2 und eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht 2' auf, die nebeneinander auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 angeordnet sind. Somit kann beispielsweise bei Wahl verschiedener Wellenlängenkonversionsstoffe für die erste bzw. zweite Wellenlängenkonversionsschicht 2, 2' in verschiedenen Bereichen des optoelektronischen Bauelements 402 ein unterschiedlicher Leuchteindruck bei einem Beobachter erweckt werden.The optoelectronic component 402 according to the 4C has a first wavelength conversion layer 2 and a second wavelength conversion layer 2 ' on, side by side on the radiation-emitting layer sequence 1 are arranged. Thus, for example, when choosing different wavelength conversion materials for the first and second wavelength conversion layer 2 . 2 ' in different areas of the optoelectronic component 402 a different light impression are awakened by an observer.

Das optoelektronische Bauelement 403 gemäß 4D weist wie das optoelektronische Bauelement 400 gemäß 400 einen Schichtenstapel mit der Wellenlängenkonversionsschicht 2 und der Wellenlängenkonversionsschicht 2' auf, wobei bei der Wellenlängenkonversionsstoff jeder der Wellenlängenkonversionsschichten 2 und 2' nur einen Bereich des Substrats bedeckt. Dadurch lässt sich eine mehrfarbige, strukturierte Abstrahlung zur Vermittlung von bild- und/oder zeichenhaften Informationen ermöglichen.The optoelectronic component 403 according to 4D has like the optoelectronic device 400 according to 400 a layer stack with the wavelength conversion layer 2 and the wavelength conversion layer 2 ' wherein the wavelength conversion substance of each of the wavelength conversion layers 2 and 2 ' covered only a portion of the substrate. This allows a multicolored, structured radiation to convey image and / or character information.

Die erste und zweite Wellenlängenkonversionsschicht 2, 2' können in den gezeigten Ausführungsbeispielen mittels gleicher oder verschiedener oben beschriebener Verfahrensschritte herstellbar sein und gleiche oder verschiedene Matrixmaterialien, Bindermaterialien und/oder Wellenlängenkonversionsstoffe aufweisen. Zusätzlich zu den jeweiligen ersten Wellenlängenkonversionsschichten 2 und 2' der gezeigten Ausführungsbeispiele können noch weitere Wellenlängenkonversionsschichten und Schichtenstapel mit Wellenlängenkonversionsschichten im Strahlengang der Primärstrahlung der strahlungsemittierenden Schichtenfolge 1 angeordnet werden.The first and second wavelength conversion layers 2 . 2 ' In the exemplary embodiments shown, they can be produced by means of the same or different method steps described above and can have identical or different matrix materials, binder materials and / or wavelength conversion substances. In addition to the respective first wavelength conversion layers 2 and 2 ' In the exemplary embodiments shown, even further wavelength conversion layers and layer stacks with wavelength conversion layers in the beam path of the primary radiation of the radiation-emitting layer sequence can be used 1 to be ordered.

Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist.The The invention is not by the description based on the embodiments limited to these. Rather, the invention comprises each new feature as well as any combination of features, which in particular any combination of features in the claims includes, even if this feature or this combination itself not explicitly in the patent claims or embodiments is specified.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

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Claims (16)

Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements, umfassend die Schritte: A) Bereitstellen einer strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich (13), der im Betrieb elektromagnetische Primärstrahlung abstrahlt, B) Bereitstellen einer die Primärstrahlung zumindest teilweise in elektromagnetische Sekundärstrahlung umwandelnden ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) und C) Anordnen der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung.Method for producing an optoelectronic component, comprising the steps: A) providing a radiation-emitting layer sequence ( 1 ) with an active area ( 13 ), which radiates electromagnetic primary radiation during operation, B) providing a primary wavelength conversion layer (at least partially converting into electromagnetic secondary radiation) ( 2 ) and C) arranging the first wavelength conversion layer ( 2 ) on the radiation-emitting layer sequence ( 1 ) in the beam path of the primary radiation. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem – im Schritt C die erste Wellenlängenkonversionsschicht (2) auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) mittels Kleben, Laminieren, Klemmen oder einer Kombination daraus angeordnet wird.Method according to Claim 1, in which - in step C, the first wavelength conversion layer ( 2 ) on the radiation-emitting layer sequence ( 1 ) is arranged by gluing, laminating, clamping or a combination thereof. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Schritt B folgende Teilschritte umfasst: B1) Aufbringen eines Wellenlängenkonversionsstoffs (21) auf einem Trägersubstrat (20), B2) Aufbringen eines Binders (22) auf dem Trägersubstrat (20) und B3) Härten des Binders (22) zur Fixierung des Wellenlängenkonversionsstoffs (21).Method according to one of the preceding claims, in which step B comprises the following substeps: B1) application of a wavelength conversion substance ( 21 ) on a carrier substrate ( 20 ), B2) applying a binder ( 22 ) on the carrier substrate ( 20 ) and B3) hardening of the binder ( 22 ) for fixing the wavelength conversion substance ( 21 ). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem – im Schritt B1 der Wellenlängenkonversionsstoff mittels Aufsprühen, Aufdrucken oder Bestäuben aufgebracht wird.Method according to the previous claim, in which - in the Step B1 of the wavelength conversion substance by means of spraying, Imprinting or dusting is applied. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schritt B folgende Teilschritte umfasst: B1') Bereitstellen eines Gemisches aus einem Wellenlängenkonversionsstoff (21) und einem Matrixmaterial (22), B2') Aufbringen des Gemisches auf einem Trägersubstrat (20), B3') Härten des Gemisches.The method of claim 1 or 2, wherein the step B comprises the following sub-steps: B1 ') providing a mixture of a wavelength conversion substance ( 21 ) and a matrix material ( 22 ), B2 ') applying the mixture to a carrier substrate ( 20 ), B3 ') curing of the mixture. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Schritt B folgende Teilschritte umfasst: B1'') Bereitstellen eines Gemisches aus einem Wellenlängenkonversionsstoffs (21) und einem Matrixmaterial (22), B2'') Ausformen (9) einer Folie oder Platte aus dem Gemisch, B3'') Härten des Gemisches zur ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2).The method of claim 1 or 2, wherein the step B comprises the following sub-steps: B1 '') providing a mixture of a wavelength conversion substance ( 21 ) and a matrix material ( 22 ), B2 '') shaping ( 9 ) of a film or plate from the mixture, B3 '') hardening of the mixture to the first wavelength conversion layer ( 2 ). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem das Ausformen (9) in Schritt B2'' durch zumindest eines von Spritzgießen, Spritzpressen, Formpressen, Extrudieren, Walzen und Folienziehen erfolgt.Method according to the preceding claim, in which the shaping ( 9 ) is performed in step B2 '' by at least one of injection molding, transfer molding, compression molding, extrusion, rolling and film drawing. Verfahren nach einem der Ansprüche 3 bis 7, bei dem das Härten thermisch, durch Bestrahlung mit Licht, durch Bestrahlung mit Elektronen oder durch chemische Reaktion erfolgt.Method according to one of claims 3 to 7, in which the curing is effected thermally, by irradiation with light, by irradiation with electrons or by chemical reaction. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Schritt B vor dem Verfahrensschritt C den folgenden Teilschritt umfasst: B4) Erzeugen einer Oberflächenstruktur (50) in zumindest einer Oberfläche (5) der Wellenlängenkonversionsschicht (2).Method according to one of the preceding claims, in which the step B before the method step C comprises the following partial step: B4) generating a surface structure ( 50 ) in at least one surface ( 5 ) of the wavelength conversion layer ( 2 ). Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, wobei im Schritt B4 Aufrauungen, Gräben, Prismen, Linsen oder Kegelstümpfe als Oberflächenstrukturen (50) erzeugt werden.Method according to the preceding claim, wherein in step B4 roughnesses, trenches, prisms, lenses or truncated cones are used as surface structures ( 50 ) be generated. Verfahren nach Anspruch 9 oder 10, bei dem im Schritt B4 die Oberflächenstrukturen (50) durch zumindest eines von Prägen, Ätzen, Aufrauen oder Laserabtragung erzeugt wird.Method according to claim 9 or 10, wherein in step B4 the surface structures ( 50 ) is produced by at least one of embossing, etching, roughening or laser ablation. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem der Schritt B den folgenden weiteren Teilschritt umfasst: B5) Verändern der Größe der ersten Wellenlängenkonversionsschicht (2) durch Schneiden, Stanzen, Brechen oder Sägen.Method according to one of the preceding claims, in which step B comprises the following further substep: B5) changing the size of the first wavelength conversion layer ( 2 ) by cutting, punching, breaking or sawing. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem im Schritt B nur Bereiche des Trägersubstrats mit dem Wellenlängenkonversionsstoff beschichtet werden.Method according to one of the preceding claims, in which in step B only areas of the carrier substrate with the wavelength conversion substance are coated. Verfahren nach einem der vorherigen Ansprüche, bei dem die Schritte B und C zusätzlich für zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht (2') durchgeführt werden.Method according to one of the preceding claims, wherein the steps B and C additionally for at least one second wavelength conversion layer ( 2 ' ) be performed. Verfahren nach dem vorherigen Anspruch, bei dem die erste Wellenlängenkonversionsschicht (2) und die zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht (2') auf voneinander verschiedenen Oberflächen der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung angeordnet werden.Method according to the preceding claim, in which the first wavelength conversion layer ( 2 ) and the at least one second wavelength conversion layer ( 2 ' ) on mutually different surfaces of the radiation-emitting layer sequence ( 1 ) are arranged in the beam path of the primary radiation. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem die erste Wellenlängenkonversionsschicht (2) und die zumindest eine zweite Wellenlängenkonversionsschicht (2') übereinander auf der strahlungsemittierenden Schichtenfolge (1) im Strahlengang der Primärstrahlung angeordnet werden.Method according to Claim 13, in which the first wavelength conversion layer ( 2 ) and the at least one second wavelength conversion layer ( 2 ' ) one above the other on the radiation-emitting layer sequence ( 1 ) are arranged in the beam path of the primary radiation.
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