DE102007050483A1 - Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive - Google Patents
Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive Download PDFInfo
- Publication number
- DE102007050483A1 DE102007050483A1 DE102007050483A DE102007050483A DE102007050483A1 DE 102007050483 A1 DE102007050483 A1 DE 102007050483A1 DE 102007050483 A DE102007050483 A DE 102007050483A DE 102007050483 A DE102007050483 A DE 102007050483A DE 102007050483 A1 DE102007050483 A1 DE 102007050483A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- mixture
- abrasive
- dispersion medium
- use according
- grains
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03B—SEPARATING SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS
- B03B5/00—Washing granular, powdered or lumpy materials; Wet separating
- B03B5/28—Washing granular, powdered or lumpy materials; Wet separating by sink-float separation
- B03B5/30—Washing granular, powdered or lumpy materials; Wet separating by sink-float separation using heavy liquids or suspensions
- B03B5/44—Application of particular media therefor
- B03B5/442—Application of particular media therefor composition of heavy media
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B03—SEPARATION OF SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS; MAGNETIC OR ELECTROSTATIC SEPARATION OF SOLID MATERIALS FROM SOLID MATERIALS OR FLUIDS; SEPARATION BY HIGH-VOLTAGE ELECTRIC FIELDS
- B03B—SEPARATING SOLID MATERIALS USING LIQUIDS OR USING PNEUMATIC TABLES OR JIGS
- B03B13/00—Control arrangements specially adapted for wet-separating apparatus or for dressing plant, using physical effects
- B03B13/005—Methods or arrangements for controlling the physical properties of heavy media, e.g. density, concentration or viscosity
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/007—Use, recovery or regeneration of abrasive mediums
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/10—Greenhouse gas [GHG] capture, material saving, heat recovery or other energy efficient measures, e.g. motor control, characterised by manufacturing processes, e.g. for rolling metal or metal working
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
Gegenstand der vorliegenden Erfindung ist die Verwendung einer Mischung aus einem thixotropen Dispersionsmedium sowie abrasiv wirkenden Körnern als Schleifmittel zur spanabtragenden Bearbeitung von Werkstücken, insbesondere von Halbleiterkristallen. Auf diese Weise lässt sich die Mischung besonders einfach wieder aufbereiten und wird ein besonders funktionsgerechter Trennvorgang für das zu bearbeitende Werkstück zur Verfügung gestellt.The present invention is the use of a mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasives for chip-removing machining of workpieces, in particular of semiconductor crystals. In this way, the mixture is particularly easy to reprocess and a particularly functional separation process for the workpiece to be machined is provided.
Description
Die Erfindung betrifft die Mischung aus einem thixotropen Dispersionsmedium sowie abrasiv wirkenden Körnern als Schleifmittel.The The invention relates to the mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive.
Solche
Mischungen sind allgemein bekannt und kommen in der Praxis als beispielsweise
Bohrspülzubereitungen zum Einsatz. In diesem Zusammenhang
wird die Eindickung von wasserbasierten Systemem unter Einsatz von
Tonen in großem Umfang ausgenutzt. Tatsächlich
neigen diese Mischungen zu einer thixotropen Eindickung, was vorteilhaft für
die beschriebenen Einsatzzwecke, beispielsweise in Verbindung mit
geologischen Bohrungen genutzt wird. So beschäftigt sich
die
Vergleichbare
Bohrspülzusätze sind Gegenstand der
Die
spanabtragende Bearbeitung von Werkstücken und hier insbesondere
von Halbleiterkristallen, zu denen Silizium-Einkristalle gehören,
wird ganz unabhängig hiervon mit speziellen wässrigen Zusammensetzungen
durchgeführt. Diese umfassen in der Regel ein Dispersionsmedium,
welches auf organische Komponenten zurückgreift, nämlich
aus einer hydrophilen mehrwertigen Alko hol-Verbindung, einer lipophilen
mehrwertigen Alkohol-Verbindung und Wasser zusammengesetzt ist.
In dem Dispersionsmedium werden aus einem Silikat hergestellte kolloidale
Kieselsäure-Teilchen dispergiert, wie dies die
Das vorgenannte spanabtragende Bearbeitungsverfahren und die zugehörige wässrige Zusammensetzung bzw. das wässrige Schneidfluid ist mit Nachteilen behaftet. Das gilt auch für Poliermittel auf dieser Basis, die in der Halbleiterelektronik durchweg eingesetzt werden, um gesägte und zu prozessierende Wafer vor anschließenden Prozessschritten an der Oberfläche zu glätten.The the aforesaid chip removing machining processes and the associated aqueous composition or the aqueous cutting fluid has disadvantages. This also applies to polishes on this basis, which are widely used in semiconductor electronics to be sawn and processed before subsequent wafers Smooth process steps on the surface.
Tatsächlich hat sich in diesem Zusammenhang nämlich herausgestellt, dass die Sedimentation der im organischen Dispersionsmedium dispergierten abrasiv wirkenden Körner durch die Korngröße des Schleifmittels und mithin der Körner bestimmt wird. Steigt die Größe der Körner, so muss das Dispersionsmedium auf eine höhere Viskosität eingestellt werden, um unverändert einen einwandfreien Transport des Schleifmittels zu gewährleisten sowie eine Sedimentation des Abrasionsmittels und etwaige Verstopfungen zu verhindern.Indeed it has turned out in this context that the sedimentation of the dispersed in the organic dispersion medium abrasive grains by the grain size of the Abrasive and thus the grains is determined. Increases the size of the grains, so must the dispersion medium be set to a higher viscosity, unchanged to ensure proper transport of the abrasive to ensure and a sedimentation of the abrasive and prevent any blockages.
Um dieser erhöhten Viskosität der Mischung respektive Schneidsuspension entgegenzuwirken, wird in der Regel die Konzentration des Schleifmittels reduziert, um die Gesamtviskosität einschließlich der Körner beizubehalten. Das verlangsamt jedoch den spanabtragenden Vorgang bzw. einen an dieser Stelle meistens durchgeführten Sägeprozess. Ein weiterer systembedingter Nachteil derartiger bekannter organischer Dispersionsmedien besteht darin, dass sie über eine nur geringe Wärmekapazität verfügen. Dadurch besteht nur ein geringer Schutz vor Überhitzung und das fragliche Dispersionsmedium lässt sich zudem nur schwer abbauen und zurückgewinnen.Around this increased viscosity of the mixture respectively Counteract cutting suspension is usually the concentration of the abrasive is reduced to the total viscosity including to maintain the grains. However, this slows down the chip removal Process or one performed at this point mostly Sawing process. Another systemic disadvantage of such known organic dispersion media is that they over have a low heat capacity. As a result, there is little protection against overheating and the dispersion medium in question can only be hard to break down and recover.
Ebenfalls nachteilig bei solchen organischen Dispersionsmedien ist der aufwändige Herstellungsprozess und die notwenige Entsorgung nach dem Gebrauch. Vielfach ist eine Wiederverwendung nicht möglich, da im Dispersionsmedium gelöste Feinstanteile aus gebrauchten abrasiv wirkenden Körnern und zusätzlich Abrieb nicht mit finanziell vertretbarem Aufwand an Technik und Zeit ausgeschleust werden können. Hier setzt die Erfindung ein.Also A disadvantage of such organic dispersion media is the complicated Manufacturing process and the necessary disposal after use. In many cases, a reuse is not possible because in the Dispersion medium dissolved ultrafine particles from used Abrasive grains and additional abrasion not with financially acceptable expenditure of technology and time discharged can be. This is where the invention starts.
Der Erfindung liegt das technische Problem zugrunde, eine Mischung aus einem Dispersionsmedium sowie abrasiv wirkenden Körnern als Schleifmittel zur spanabtragenden Bearbeitung von Werkstücken, insbesondere von Halbleiterkristallen, so weiter zu entwickeln, dass bei verbesserter Wärmekapazität und einwandfreiem Bearbeitungsergebnis eine kostengünstige Wiederaufbereitung respektive Entsorgung gelingt.Of the Invention is the technical problem underlying a mixture of a dispersion medium and abrasive grains as an abrasive for the chip-removing machining of workpieces, especially of semiconductor crystals, so on, that with improved heat capacity and impeccable Processing result a cost-effective reprocessing respectively disposal succeeds.
Zur Lösung dieser Aufgabenstellung ist Gegenstand der Erfindung die Verwendung einer Mischung aus einem thixotropen Dispersionsmedium sowie abrasiv wirkenden Körnern als Schleifmittel zur spanabtragenden Bearbeitung von Werkstücken, insbesondere von Halbleiterkristallen. Bei diesen Halbleiterkristallen handelt es sich bevorzugt um Silizium-Einkristalle. Daneben können natürlich auch Werkstücke aus Polysilizium bearbeitet werden. Ebenso solche aus anderen Halbleitermaterialien, wie beispielsweise Galliumarsenid, Galliumindiumphosphit usw..to Solution of this problem is the subject of the invention the use of a mixture of a thixotropic dispersion medium and Abrasive grains as abrasive for chip removal Processing of workpieces, in particular of semiconductor crystals. These semiconductor crystals are preferably silicon monocrystals. In addition, of course, also workpieces be processed from polysilicon. Likewise those from other semiconductor materials, such as for example, gallium arsenide, gallium indium phosphite, etc.
In der Regel wird das Dispersionsmedium mit den darin dispergierten abrasiv wirkenden Körnern, also die vorgenannte Mischung, zur nicht formgebenden spanabtragenden Bearbeitung eingesetzt. Hiermit sind in der Regel spanabtragende Trennvorgänge gemeint, zu denen beispielsweise das Sägen, Drahtschneiden etc. des betreffenden Werkstückes gehört. Bei diesem Werkstück handelt es sich, wie bereits beschrieben und bevorzugt, um einen Halbleiterkristall, welcher mit Hilfe der Mischung bei einem entsprechenden spanab tragenden Trennvorgang in Scheiben gewünschter Stärke (Wafer) unterteilt wird, die anschließend meistens noch poliert werden, um sie für weitere Prozessschritte vorzubereiten.As a rule, the dispersion medium with the abrasive grains dispersed therein, ie the aforementioned mixture, does not form used for machining. As a rule, this means chip removal processes, which include, for example, sawing, wire cutting, etc. of the relevant workpiece. This workpiece is, as already described and preferred, a semiconductor crystal, which is subdivided with the aid of the mixture in a corresponding spanab carrying separation process in slices of desired thickness (wafer), which are then usually still polished to order for further process steps prepare.
Die Erfindung hat überraschenderweise erkannt, dass sich ein an sich bekanntes thixotropes Dispersionsmedium vorteilhaft mit darin dispergierten und abrasiv wirkenden Körnern als Schleifmittel für die beschriebene spanabtragende Bearbeitung von Werkstücken, insbesondere von Halbleiterkristallen, einsetzen lässt. Dabei kommt der thixotropen Wirkung des Dispersionsmediums für den beschriebenen Einsatzzweck besondere Bedeutung zu. Denn das Dispersionsmedium weist nach vorteilhafter Ausgestaltung geladene kolloide Partikel auf. Diese geladenen kolloiden Partikel bilden bei ausreichender Konzentration in dem Dispersionsmedium zueinander Netzwerke und im günstigsten Fall ein elastisches Gel, welches die abrasiv wirkenden Körner dauerhaft in sich trägt. Als Folge hiervon wird eine Sedimentation der abrasiv wirkenden Körner verhindert und lassen sich etwaige damit verbundene negative Auswirkungen im Rahmen der Erfindung verhindern. Das heißt, der Transport der Mischung durch eine in der Regel eingesetzte Trennmaschine wird nicht durch etwaige Sedimentation behindert, so dass die Verarbeitung besonders einfach und funktionssicher erfolgt.The The invention has surprisingly found that a Known per se thixotropic dispersion medium advantageous with dispersed therein and abrasive grains as abrasives for the described chip removal of workpieces, in particular of semiconductor crystals, can be used. Here comes the thixotropic effect of the dispersion medium for the described purpose of particular importance. Because that Dispersion medium has charged according to an advantageous embodiment colloidal particles on. These charged colloidal particles form with sufficient concentration in the dispersion medium to each other Networks and at best an elastic gel, which the abrasive grains permanently in itself wearing. As a result, sedimentation becomes abrasive effective grains prevent and leave any with it prevent associated negative effects within the scope of the invention. That is, the transport of the mixture by one in the Normally used ripper will not be affected by any sedimentation hampered, making the processing particularly easy and reliable he follows.
Zugleich ist die Stärke der Bindung zwischen den einzelnen kolloiden Partikeln jedoch gering, so dass bei ausreichend hohen Scherraten das Netzwerk wieder reversibel aufgelöst werden kann. Als Folge hiervon wird die Suspension wieder dünnflüssiger, bzw. sinkt die Viskosität, so dass sich insgesamt das thixotrope Verhalten erklärt. Als kolloide Partikel in dem Dispersionsmedium kommen Smektite, also Schichtsilikate mit Dreischichtstruktur, bevorzugt zum Einsatz. Diese werden üblicherweise in Wasser als Dispersionsmittel suspendiert. In diesem Zusammenhang ist entscheidend eine hohe Fließgrenze des Dispersionsmittels bei gleichzeitig geringer Viskosität unter Scherspannung.at the same time is the strength of the bond between the individual colloids However, particles are low, so at sufficiently high shear rates the network can be reversibly reversed again. As a result of which the suspension becomes thinner, or decreases the viscosity, so that in total the thixotropic Behavior explained. As colloidal particles in the dispersion medium Smectites, that is phyllosilicates with a three-layer structure, are preferred for use. These are usually in water as a dispersant suspended. In this context, a decisive factor is a high yield point of the dispersant at the same time low viscosity under shear stress.
Es hat sich allgemein bewährt, dass das Dispersionsmedium ca. 1 Gew.-% bis 10 Gew.-%, insbesondere 1 Gew.-% bis 5 Gew.-% und vorzugsweise 2 Gew.-% bis 3 Gew.-% eines in Wasser gelösten Tonminerals aufweist. Das heißt, das Dispersionsmedium setzt sich überwiegend aus Wasser als dem Dispersionsmittel und dem bereits angesprochenen Tonmineral in der angegebenen Konzentration zusammen. Bei den eingesetzten Tonmineralien handelt es sich bevorzugt um smektit-haltige Tonerden, wie zum Beispiel Bentonit aber auch Hektorit. Darüber hinaus sind andere Smektite wie Corrensit, Rectorit, Saponit, Stevensit usw. denkbar. Diese sind für das beschriebene thixotrope Verhalten bekannt. Dabei lassen sich grundsätzlich sowohl synthetische als auch natürliche Tonmineralien einsetzen.It has generally proven that the dispersion medium about 1 wt .-% to 10 wt .-%, in particular 1 wt .-% to 5 wt .-% and preferably 2 wt .-% to 3 wt .-% of a dissolved in water Tonminerals. That is, the dispersion medium is predominantly water as the dispersant and the already mentioned clay mineral in the specified concentration together. The clay minerals used are preferred to smectite-containing clays, such as bentonite but also Hectorite. In addition, other smectites such as corrensite, Rectorite, saponite, stevensite, etc. conceivable. These are for the described thixotropic behavior known. You can do that basically both synthetic and natural Use clay minerals.
Auch gewisse Stärken sowie organische Polymere können vorteilhaft in Wasser gelöst werden und als erfindungsgemäßes Dispersionsmedium zum Einsatz kommen. Ferner sind neben Tonmineralien auch nadelförmige Kettensilikate wie Sepiolith in der Lage, thixotrope wässrige Suspensionen zu bilden. Diese erfordern allerdings sehr hohe Feststoffanteile und die Fließgrenze ist im Vergleich zur Viskosität weniger gut ausgeprägt. Im Ergebnis werden von der Erfindung also nicht nur tonmineralische kolloide Partikel umfasst.Also certain starches as well as organic polymers can advantageously dissolved in water and as inventive Dispersion medium are used. Furthermore, in addition to clay minerals also needle-shaped chain silicates such as sepiolite in a position to form thixotropic aqueous suspensions. These require However, very high solids content and the yield point is less pronounced compared to the viscosity. As a result, the invention thus not only clay mineral comprises colloidal particles.
Im Detail wird das thixotrope Verhalten des in der Regel im Wasser gelösten Tonminerals dadurch bewirkt, dass sich in einer solchen Tonmineralsuspension ohne Bewegung Brücken zwischen den einzelnen gelösten Partikeln bzw. Smektiten bilden. Diese Brücken stellen das bereits angesprochene Netzwerk dar, welches die in dem Dispersionsmedium dispergierten abrasiv wirkenden Körner trägt und deren Sedimentation verhindert. Das gelingt besonders einfach dadurch, dass die Körner mit Korngrößen unterhalb von 100 μm, vorzugsweise weniger als 50 μm und bevorzugt unter 20 μm ausgerüstet sind.in the Detail is the thixotropic behavior of the usually in the water dissolved clay mineral thereby causes, that in one such clay mineral suspension without movement bridges between form the individual dissolved particles or smectites. These bridges represent the already mentioned network which is the abrasive dispersed in the dispersion medium acting grains and their sedimentation prevented. This is particularly easy because the grains with grain sizes below 100 μm, preferably less than 50 microns and preferably less than 20 microns are equipped.
Erst wenn diese Mischung bzw. allgemein das beschriebene Dispersionsmedium einer scherenden Bewegung unterzogen wird, brechen die beschriebenen Brücken auf. Da in der Regel beispielsweise 1 kg an den abrasiv wirkenden Körnern mit 1 l des Dispersionsmediums gemischt wird, stehen innerhalb der Mischung genügend Körner zur Verfügung, so dass selbst bei geringfügigen mikroskopischen Scherraten die angesprochenen Brücken aufbrechen und die Viskosität der Mischung sinkt. Das stellt im Allgemeinen jedoch kein Problem dar, weil eine entsprechende Flüssigkeitsbewegung der Mischung mit einem Mischungstransport verbunden ist, welcher entweder in die gewünschte spanabtragende Bearbeitung mündet oder danach in eine Wiederaufbereitung oder eine erneute Nutzung der Mischung.First if this mixture or generally the described dispersion medium subjected to a shearing motion, break the described Bridges on. As a rule, for example, 1 kg to the abrasive grains with 1 l of the dispersion medium is mixed, are within the mixture enough grains available, so even at minor microscopic shear rates break the mentioned bridges and the viscosity of the mixture decreases. This is generally stated but not a problem, because a corresponding fluid movement the mixture is associated with a mixture transport, which either flows into the desired chip-removing machining or afterwards in a reprocessing or a re-use the mixture.
Besonders bevorzugt ist es, wenn die abrasiv wirkenden Körner beispielsweise mit einem mittleren Korndurchmesser von weniger als 100 μm, insbesondere unterhalb von 50 μm und bevorzugt im Bereich von ca. 20 μm in dem thixotropen Dispersionsmedium dispergiert werden. Denn derartige Korngrößen lassen sich in dem beschriebenen Netzwerk unschwer aufnehmen und halten. Außerdem empfiehlt die Erfindung in dem Dispersionsmedium neben dem Dispersionsmittel Wasser als Zusatz das Tonmineral in geringer Körnung mit Korngrößen von deutlich weniger als 500 μm.It is particularly preferred if the abrasive grains are dispersed in the thixotropic dispersion medium, for example, with an average particle diameter of less than 100 μm, in particular below 50 μm, and preferably in the range of approximately 20 μm. Because such grain sizes can be in the described network easily record and hold. In addition, the invention recommends in the dispersion medium in addition to the dispersant water as an additive, the clay mineral in low grain size with grain sizes of significantly less than 500 microns.
In der Regel beträgt die Korngröße des eingesetzten Tonminerals weniger als 200 μm und liegt besonders bevorzugt unterhalb von 100 μm. Auf diese Weise wird insgesamt eine relativ geringe Viskosität der Mischung aus den abrasiv wirkenden Körnern und dem Dispersionsmedium aus Wasser und dem Tonmineralzusatz zur Verfügung gestellt. Tatsächlich werden erfindungsgemäß Viskositäten von zumeist deutlich weniger als 1 Pas (1 Pascal-Sekunde) beobachtet. Die Viskosität liegt damit immer unterhalb derjenigen von beispielsweise Glycerin (1,5 Pas).In As a rule, the particle size of the used Clay minerals less than 200 microns and is particularly preferred below 100 μm. In this way, a total of one relatively low viscosity of the mixture from the abrasive acting grains and the dispersion medium of water and the clay mineral additive. Actually According to the invention viscosities of mostly clear less than 1 Pas (1 pascal-second) observed. The viscosity is thus always below that of, for example, glycerol (1.5 pas).
Besonders
bevorzugt ist es, wenn die vorgenannte beschriebene dynamische Viskosität
der Mischung im Bereich von weniger als 500 mPas angesiedelt ist
und vorzugsweise unter 400 mPas liegt. Meistens wird ein Bereich
zwischen 30 und 350 mPas in Abhängigkeit vom Anteil der
abrasiven Körner für die Mischung beobachtet.
Dadurch stehen geringe Viskositäten zur Verfügung,
welche insbesondere für die Herstellung von Scheiben aus
Silizium-Einkristallen (Silizium-Wafern) besonders bevorzugt sind.
Denn die fragliche Mischung dient in der Regel dazu, einen Draht
zu spülen, welcher den besagten Silizium-Einkristall oder
allgemein den Halbleiterkristall durchtrennt. Dabei wird meistens
mit einer geringen Vorschubgeschwindigkeit von ca. 0,1 mm/Min. gearbeitet
und die Schnittbreite im Bereich von unterhalb von 0,2 mm eingestellt.
Ein Beispiel für eine solche Trennvorrichtung wird in der
Infolge der geringen Viskosität der erfindungsgemäßen Mischung kommt es an dieser Stelle nicht zur Ausbildung sogenannter ”taper”. Denn die Mischung legt sich aufgrund ihrer geringen Viskosität praktisch mit gleichmäßiger Flüssigkeitsdicke um den Draht hinsichtlich seiner gesamten Länge und es kommt praktisch nicht oder kaum dazu, dass sich die Mischung zu Beginn des Schneidvorganges staut und gegen Ende des Schneidvorganges nicht mehr ausreichend verfügbar ist. Das heißt, die Gefahr, dass sich in der Sägefuge ein Keil (taper) bildet, wird deutlich reduziert. Dies umso mehr, als es sich empfiehlt, den Draht oder allgemein das Trennwerkzeug mit alternierender Schneidrichtung durch den zu trennenden Halbleiterkristall zu führen.As a result the low viscosity of the invention Mixture does not come at this point to the training of so-called "taper". Because the mixture is convenient because of their low viscosity with uniform liquid thickness around the Wire along its entire length and it comes in handy not or hardly to the mixture at the beginning of the cutting process dams and at the end of the cutting process is no longer sufficient is available. That is, the danger that is in the Sägefuge a wedge (taper) forms, becomes clear reduced. All the more so, as it is recommended, the wire or in general, the cutting tool with alternating cutting direction to lead the semiconductor crystal to be separated.
Dadurch, dass die beschriebene ”Keilwirkung” (taper) innerhalb der Sägefuge reduziert ist und infolge der verringerten Viskosität zugleich ein besserer Materialtransport an dieser Stelle stattfindet, wird auch die Rauhigkeit der erzeugten Scheibe (Silizium-Wafer) gegenüber bisherigen Vorgehensweisen verringert. Als Folge kann auf aufwändige Nachbearbeitungen zur Politur zum Teil verzichtet werden bzw. sind diese Nacharbeitmaßnahmen deutlich weniger aufwändig als beim Stand der Technik, welcher mit den zuvor bereits angesprochenen organischen Dispersionsmedien arbeitet.Thereby, that the described "wedge effect" (taper) within the Sägefuge is reduced and due to the reduced Viscosity at the same time a better material transport at this Place takes place, also the roughness of the produced slice (silicon wafer) reduced compared to previous approaches. As a result can be dispensed with elaborate reworking for polishing partly or are these reworking measures much less expensive as in the prior art, which with the previously mentioned organic Dispersion media works.
Hinzu kommt, dass sich die erfindungsgemäße und benutzte Mischung besonders einfach aufbereiten lässt. Dabei kann man zunächst den gewünschten Grobanteil des Abrasivmittels beispielsweise durch Filtern oder in einem Zyklon aus der Suspension bzw. Mischung abscheiden. Alternativ kann das Dispersionsmittel beispielsweise mit Wasser soweit verdünnt werden, dass sich das zuvor beschriebene Netzwerk nicht mehr bildet und es zu einer Sedimentation kommt. Diese Sedimentation führt zu einer Trennung nach Korngrößen.in addition comes that the invention and used Especially easy to recycle. It can First, the desired coarse fraction of the abrasive for example, by filtering or in a cyclone from the suspension or mixture. Alternatively, the dispersant For example, be diluted with water to the extent that The network described above no longer forms and it too a sedimentation comes. This sedimentation leads to a separation according to grain sizes.
Der unerwünschte Feinanteil aus dem geschnittenen Werkstoff bzw. Silizium und den Körnern respektive Siliziumcarbid kann dann durch die bereits enthaltenen Tonmineralien sowie gegebenenfalls unter Zugabe weiterer Tonmineralien und optional eines Flockungsmittels ausgeflockt werden. Alternativ hierzu lässt sich auch der PH-Wert oder die Elektrolytkonzentration ändern und die Ausflockung und folglich Sedimenation erreichen. Immer wird der Vorteil erreicht, dass die Körner aus dem Abrasivmittel praktisch nicht oder kaum verloren gehen. Das Gleiche gilt für das Dispersionsmedium. Das heißt, der Anteil nicht wiederverwendbarem Abfall ist gegenüber dem bisherigen Stand der Technik deutlich reduziert. Hinzu kommt, dass das ausgeflockte Material gesundheitlich unbedenklich ist und einer sekundären Nutzung zugeführt werden kann. Auch die Entsorgung einer normalen Deponie ist möglich. Das heißt, spezielle Entsorgungsmaßnahmen müssen nicht ergriffen werden.Of the unwanted fines from the cut material or silicon and the grains respectively silicon carbide can then by the already contained clay minerals as well as possibly with the addition of further clay minerals and optionally a flocculant be flocculated. Alternatively, can also be the Change the pH or the electrolyte concentration and the Flocculation and consequently sedimentation. Always the Advantage achieved that the grains of the abrasive practically impossible or hardly lost. The same applies the dispersion medium. That is, the proportion of non-reusable Waste is clear over the prior art reduced. In addition, the flocculated material is health is harmless and fed to a secondary use can be. The disposal of a normal landfill is possible. That means, special disposal measures must be not be taken.
Wie bereits erläutert, setzt sich das Dispersionsmedium aus dem Dispersionsmittel (meistens Wasser) und einem Zusatz zusammen, der regelmäßig für die gewünschte Thixotropie sorgt. Dieser Zusatz (i. d. R. das Tonmineral) kann mit den abrasiv wirkenden Körnern aus beispielsweise Siliziumkarbid trocken ge mischt und vermarktet werden. Die Trockenmischung aus dem Zusatz und den abrasiv wirkenden Körnern wir dann erst unmittelbar vor der Verarbeitung mit dem Dispersionsmittel zu der Mischung vervollständigt. Dadurch werden Transportkosten gespart, weil das Dispersionsmittel (Wasser) meistens ohnehin am Ort der spanabtragenden Bearbeitung vorhanden ist.As already explained, the dispersion medium settles out the dispersant (mostly water) and an additive together, the regular for the desired Thixotropy provides. This addition (usually the clay mineral) can with the abrasive grains of, for example, silicon carbide dry mixed and marketed. The dry mix from the additive and the abrasive grains we then only immediately completed before processing with the dispersing agent to the mixture. This saves transportation costs because the dispersant (Water) usually anyway at the place of the chip-removing processing is available.
Beispiel:Example:
- 1. Beim Stand der Technik wird im Zusammenhang mit dem Drahtsägen von Silizium beispielsweise eine Mischung aus Polyethylenglycol und Silizium-Carbidkörnern mit einem mittleren Korndurchmesser von 10 μm eingesetzt. Die Silizium-Carbidkörner werden im Verhältnis 1 kg auf 1 l dem Polyethylenglycol hinzugefügt. Daraufhin ergibt sich eine Gesamtdichte der Suspension von ca. 1,6 kg/l. Die Viskosität dieser bekannten Dispersion liegt im Bereich von ca. 350 mPas.1. In the prior art, in connection with the wire sawing of silicon, for example, a mixture of polyethylene glycol and Silicon carbide grains used with a mean grain diameter of 10 microns. The silicon carbide grains are added in a ratio of 1 kg to 1 l of the polyethylene glycol. This results in a total density of the suspension of about 1.6 kg / l. The viscosity of this known dispersion is in the range of about 350 mPas.
Aufgrund von während des Sägevorganges zwangsläufig eingelagerten Halbleiterpartikeln steigt die Viskosität und es besteht die Gefahr, dass Zuführungskanäle in der Trennvorrichtung verstopfen können.by virtue of of during the sawing inevitably embedded semiconductor particles increases the viscosity and there is a risk that feed channels can clog in the separator.
2. Erfindungsgemäße Mischung2. Inventive mixture
Es hat sich gezeigt, dass bereits eine Suspension von 2 Gew.-% sehr fein vermahlenem Bentonit (mit einer Körnung von weniger als 100 μm) in Wasser bei vergleichbaren Mischungsbedingungen selbst über einen Zeitraum von 60 Stunden keine sichtbare Sedimentation der Silizium-Carbidkörner gezeigt hat. Tatsächlich wurde die Mischung so hergestellt, dass das vorgenannte Dispersionsmedium mit dem Anteil von 2 Gew.-% Bentonit in Wasser zu 1 l mit 1 kg der Silizium-Carbidkörner gleicher Körnung wie im Beispiel 1 gemischt wurde, um die Ergebnisse zu vergleichen.It It has been shown that already a suspension of 2 wt .-% very finely ground bentonite (with a grain size of less than 100 μm) in water at comparable mixing conditions itself a period of 60 hours no visible sedimentation of the Silicon carbide grains has shown. Indeed The mixture was prepared so that the aforementioned dispersion medium with the proportion of 2 wt .-% bentonite in water to 1 l with 1 kg of silicon carbide grains same grain size as in Example 1 was mixed to the Compare results.
Das heißt, während beim Stand der Technik bereits deutliche Sedimentationserscheinungen beobachtet werden, zeigt die erfindungsgemäße Mischung solche selbst nach 60 Stunden nicht. Das lässt sich im Wesentlichen darauf zurückführen, dass der in Wasser gelöste Bentonit selbst in der eingestellten Konzentration von 2 Gew.-% mit seinen kolloiden und geladenen Smektitplättchen das zuvor bereits angesprochene Netzwerk bildet und darin die Silizium-Carbidkörner gehalten werden, so dass sie nicht sedimentieren können. Außerdem wird die mechanische Verzahnung der spitzen Siliziumkörner untereinander verringert, weil diese in dem Netzwerk beabstandet sind. Dadurch lässt sich die Mischung mit geringem mechanischen Aufwand lösen und problemlos transportieren.The is called, while in the prior art already significant sedimentation phenomena are observed, the mixture according to the invention even after 60 Not hours. This can essentially be attributed to that the bentonite dissolved in water itself is in the set Concentration of 2% by weight with its colloid and charged smectite platelets the previously mentioned network forms and therein the silicon carbide grains be held so that they can not sediment. In addition, the mechanical interlocking of the pointed silicon grains reduced among each other because they are spaced in the network are. This allows the mixture with low mechanical Solve effort and transport easily.
Die dynamische Viskosität liegt im Bereich von ca. 40 mPas. Daraus resultiert, dass das Leitungssystem leicht durch Spülen mit Wasser gereinigt werden kann. Mechanische Reinigungen sind nicht erforderlich. Das Spülwasser kann über die Kanalisation entsorgt werden.
- 3. Eine erfindungsgemäße Mischung aus 1 kg Silizium-Carbidkörnern mit einer mittleren Körnung im Bereich von ca. 10 μm mit 1 l des Dispersionsmediums, welches 2,5 Gew.-% Bentonit enthält, führt auf eine dynamische Viskosität von 150 mPas.
- 3. A mixture according to the invention of 1 kg of silicon carbide grains having an average grain size in the range of about 10 .mu.m with 1 l of the dispersion medium containing 2.5 wt .-% bentonite, leads to a dynamic viscosity of 150 mPas.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNGQUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.This list The documents listed by the applicant have been automated generated and is solely for better information recorded by the reader. The list is not part of the German Patent or utility model application. The DPMA takes over no liability for any errors or omissions.
Zitierte PatentliteraturCited patent literature
- - DE 4302462 A1 [0002] DE 4302462 A1 [0002]
- - DE 2918683 A1 [0003] DE 2918683 A1 [0003]
- - DE 69911549 T2 [0004] - DE 69911549 T2 [0004]
- - DE 69824655 T2 [0020] - DE 69824655 T2 [0020]
Claims (10)
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007050483A DE102007050483A1 (en) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive |
PCT/EP2008/008820 WO2009053004A1 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-17 | Wire saws comprising thixotropic lapping suspensions |
PCT/EP2008/008819 WO2009053003A1 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-17 | Separation methods for solids |
PCT/EP2008/008826 WO2009053006A1 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-17 | Use of a mixture of substantially one thixotropic dispersant and abrasive grains as abrasives |
PCT/EP2008/008827 WO2009053007A1 (en) | 2007-10-19 | 2008-10-17 | Method and device for recovering a mixture of a thixotropic dispersant and abrasive grains as abrasives |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102007050483A DE102007050483A1 (en) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102007050483A1 true DE102007050483A1 (en) | 2009-09-10 |
Family
ID=40225211
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102007050483A Ceased DE102007050483A1 (en) | 2007-10-19 | 2007-10-19 | Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102007050483A1 (en) |
WO (4) | WO2009053003A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112452528A (en) * | 2020-11-05 | 2021-03-09 | 苏州易奥秘光电科技有限公司 | Magnetic nanoparticle consistency screening method |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5515593B2 (en) * | 2009-10-07 | 2014-06-11 | 株式会社Sumco | Method for cutting silicon ingot with wire saw and wire saw |
CN102229792B (en) * | 2010-09-16 | 2013-10-09 | 蒙特集团(香港)有限公司 | Solar silicon wafer cutting mortar |
DE102011018359A1 (en) | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Schott Solar Ag | Method for wire sawing of brittle workpiece with saw wire for manufacturing solar wafer, involves determining whether feed rate of brittle workpiece during saw wire return is larger than that of workpiece during saw wire advancement |
US20150136263A1 (en) * | 2011-11-22 | 2015-05-21 | Luis Castro Gomez | Sawing of hard granites |
CN109675713A (en) * | 2018-12-12 | 2019-04-26 | 中国恩菲工程技术有限公司 | To the method for carbonization graded silicon |
CN110773308B (en) * | 2019-09-26 | 2021-12-10 | 天地(唐山)矿业科技有限公司 | Method for calculating distribution curve of three-product cyclone on line |
CN112430064B (en) * | 2020-11-30 | 2022-12-16 | 江西和美陶瓷有限公司 | Ceramic tile containing silicon carbide waste and preparation method thereof |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2006162A (en) * | 1934-07-25 | 1935-06-25 | Permatex Company Inc | Grinding composition |
US2944880A (en) * | 1957-04-25 | 1960-07-12 | Kenmore Res Company | Lapping compound |
DE2918683A1 (en) | 1978-05-05 | 1979-11-08 | Dresser Ind | DRILL FLUID ADDITIVES |
DE4302462A1 (en) | 1992-12-28 | 1994-06-30 | Henkel Kgaa | Rheologically controlled, flowable and pumpable aqueous preparations, for example for use as water-based drilling muds |
US20020039875A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Polishing agent for processing semiconductor, dispersant used therefor and process for preparing semiconductor device using above polishing agent for processing semiconductor |
DE69911549T2 (en) | 1998-04-21 | 2004-04-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | AQUEOUS COMPOSITION, AQUEOUS CUTTING FLUID, METHOD FOR THE PRODUCTION AND USE |
DE69824655T2 (en) | 1997-03-26 | 2005-08-04 | Canon K.K. | Method for separating a layer |
WO2006012172A2 (en) * | 2004-06-24 | 2006-02-02 | Praxair Technology, Inc. | Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2205942A (en) * | 1935-12-23 | 1940-06-25 | Jr Walter M Cross | Method of washing coal |
DE839329C (en) * | 1950-08-20 | 1952-05-19 | Erich Aust | Method and device to bring the steel sand used when sawing stone blocks back into operation |
DE1023732B (en) * | 1956-10-30 | 1958-02-06 | Hubert Schranz Dr Ing | Procedure for material separation according to weight with the help of heavy fluid suspensions |
JP2516717B2 (en) * | 1991-11-29 | 1996-07-24 | 信越半導体株式会社 | Wire saw and its cutting method |
EP0686684A1 (en) * | 1994-06-06 | 1995-12-13 | Bayer Ag | Slicing slurry |
JPH09207062A (en) * | 1996-02-02 | 1997-08-12 | Nippei Toyama Corp | Method and system for machining wire saw |
JPH09136320A (en) * | 1995-11-16 | 1997-05-27 | Hitachi Cable Ltd | Wire type cutting method and its apparatus |
JP3655004B2 (en) * | 1996-03-28 | 2005-06-02 | 信越半導体株式会社 | Wire saw equipment |
FR2753913B1 (en) * | 1996-09-27 | 1999-10-15 | Wheelabrator Allevard | OPERATIONAL MIXTURES FOR ROCK SAWING AND IMPLEMENTATION OF THESE MIXTURES |
US6161533A (en) * | 1996-10-01 | 2000-12-19 | Nippei Toyoma Corp. | Slurry managing system and slurry managing method |
JPH10235546A (en) * | 1996-12-26 | 1998-09-08 | Nippei Toyama Corp | Wire saw |
JP3810170B2 (en) * | 1997-01-29 | 2006-08-16 | 信越半導体株式会社 | Method of cutting workpiece with wire saw and wire saw |
JPH10225857A (en) * | 1997-02-12 | 1998-08-25 | Nippei Toyama Corp | Wire saw device |
JPH11349979A (en) * | 1998-01-09 | 1999-12-21 | Nof Corp | Aqueous cutting fluid, aqueous cutting agent and cutting of hard and brittle material using the same |
JPH11216656A (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-10 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Work cutting method by wire saw |
JP2000327838A (en) * | 1999-05-18 | 2000-11-28 | Super Silicon Kenkyusho:Kk | Aqueous grinding liquid for wire saw or handsaw |
DE10011513A1 (en) * | 2000-03-09 | 2001-09-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Spent cutting suspension recovery, comprises adding agent to suspension to induce flocculation of solid particles |
AU2002951406A0 (en) * | 2002-09-04 | 2002-09-26 | John D'emilio | An apparatus and method for delivery of a flocculant to a liquid stream |
EP2275241B1 (en) * | 2005-08-25 | 2012-10-17 | Freiberger Compound Materials GmbH | Wire saw and method for cutting a workpiece by wire saw |
-
2007
- 2007-10-19 DE DE102007050483A patent/DE102007050483A1/en not_active Ceased
-
2008
- 2008-10-17 WO PCT/EP2008/008819 patent/WO2009053003A1/en active Application Filing
- 2008-10-17 WO PCT/EP2008/008820 patent/WO2009053004A1/en active Application Filing
- 2008-10-17 WO PCT/EP2008/008826 patent/WO2009053006A1/en active Application Filing
- 2008-10-17 WO PCT/EP2008/008827 patent/WO2009053007A1/en active Application Filing
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2006162A (en) * | 1934-07-25 | 1935-06-25 | Permatex Company Inc | Grinding composition |
US2944880A (en) * | 1957-04-25 | 1960-07-12 | Kenmore Res Company | Lapping compound |
DE2918683A1 (en) | 1978-05-05 | 1979-11-08 | Dresser Ind | DRILL FLUID ADDITIVES |
DE4302462A1 (en) | 1992-12-28 | 1994-06-30 | Henkel Kgaa | Rheologically controlled, flowable and pumpable aqueous preparations, for example for use as water-based drilling muds |
DE69824655T2 (en) | 1997-03-26 | 2005-08-04 | Canon K.K. | Method for separating a layer |
DE69911549T2 (en) | 1998-04-21 | 2004-04-22 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | AQUEOUS COMPOSITION, AQUEOUS CUTTING FLUID, METHOD FOR THE PRODUCTION AND USE |
US20020039875A1 (en) * | 2000-10-02 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Polishing agent for processing semiconductor, dispersant used therefor and process for preparing semiconductor device using above polishing agent for processing semiconductor |
WO2006012172A2 (en) * | 2004-06-24 | 2006-02-02 | Praxair Technology, Inc. | Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112452528A (en) * | 2020-11-05 | 2021-03-09 | 苏州易奥秘光电科技有限公司 | Magnetic nanoparticle consistency screening method |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009053006A1 (en) | 2009-04-30 |
WO2009053004A1 (en) | 2009-04-30 |
WO2009053003A1 (en) | 2009-04-30 |
WO2009053007A1 (en) | 2009-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE102007050483A1 (en) | Mixture of a thixotropic dispersion medium and abrasive grains as abrasive | |
DE69911549T2 (en) | AQUEOUS COMPOSITION, AQUEOUS CUTTING FLUID, METHOD FOR THE PRODUCTION AND USE | |
DE69022371T2 (en) | Functional liquids. | |
DE3012332C2 (en) | Liquid fine polishing agent with non-drying properties | |
DE69419352T2 (en) | Oil well cement slurries, their manufacture and their use in oil wells | |
EP1766184B1 (en) | Use of lithium salts of fatty alcohol sulphates for cleaning boreholes, boring devices and borings | |
WO2005123888A1 (en) | Matrix liquid for producing a chip removal suspension, and used as a lubricating or machining liquid | |
CH657067A5 (en) | Process for separating suspended solids and agglomerated other solids in suspending and bonding liquids respectively | |
DE202013012947U1 (en) | Slurry for treating oxyanion contaminants in water | |
DE10042455A1 (en) | Improved swellable layered silicates | |
EP0837115B1 (en) | Method for cutting wafers from a crystal | |
DE3509330A1 (en) | METHOD FOR PRODUCING A CARBON SUSPENSION | |
DE202010007934U1 (en) | filter material | |
DE102007024057B4 (en) | Process for the consolidation and / or sealing of loose geological formations in the course of geotechnical construction measures | |
DE102017130046A1 (en) | Agglomerate abrasive grain | |
EP0634250B1 (en) | Cutting insert for demolishing tools | |
DE2909291C2 (en) | Support element for the screen or the felt of a paper or board machine and method for its production | |
DE4029213C2 (en) | ||
DE19925502C1 (en) | Process for extracting oil from drilling mud and / or oil-containing drilling mud fractions | |
DE10256783B4 (en) | Polishing mixture and method for polishing workpieces | |
DE19843683A1 (en) | Abrasive used for water abrasive beam cutting and or removal consists of particles containing industrial slurries | |
DE102013105349A1 (en) | WEAR-RESISTANT CUTTING TOOL | |
DE589374C (en) | Means for polishing, honing and grinding objects of great hardness, especially hard alloys | |
WO2001066678A1 (en) | Method for recovering a spent cutting suspension | |
DE102010014551A1 (en) | Fluid useful e.g. for sawing brittle material block and for producing wafers, photovoltaic cells and electronic components, comprises at least one glycol base, aqueous acid and optionally at least one additive |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
R016 | Response to examination communication | ||
R002 | Refusal decision in examination/registration proceedings | ||
R003 | Refusal decision now final |
Effective date: 20120221 |