In letzter Zeit gab es eine Erhöhung der Zahl von Fahrzeugen, die mit einem Elektronikschlüsselsystem (auch intelligentes Zutrittssystem genannt) ausgerüstet sind. Ein solches Schlüsselsystem umfasst einen Leser, der an einem Fahrzeug angebracht ist, und einen elektronischen Schlüssel, der durch einen Benutzer getragen wird. Der Leser hat einen drahtlosen Sender mit einer Antenne, um Funkwellen zu senden. Der elektronische Schlüssel kommuniziert über die Funkwellen drahtlos mit dem Leser, wenn der elektronische Schlüssel innerhalb eines Sendebereichs des drahtlosen Senders gebracht wird. Wenn der elektronische Schlüssel bei der drahtlosen Kommunikation autorisiert wird, wird dem elektronischen Schlüssel erlaubt, eine Türverriegelung/-entriegelung, einen Maschinenstart und dergleichen zu steuern.Recently, there has been an increase in the number of vehicles equipped with an electronic key system (also called smart entry system). Such a key system includes a reader mounted on a vehicle and an electronic key carried by a user. The reader has a wireless transmitter with an antenna to send radio waves. The electronic key wirelessly communicates with the reader via the radio waves when the electronic key is placed within a coverage area of the wireless transmitter. When the electronic key is authorized in the wireless communication, the electronic key is allowed to control a door lock / unlock, a machine start, and the like.
Die JP 11071948 A offenbart einen drahtlosen Sender mit einem variablen Sendebereich. Der Sendebereich des Senders wird durch Ändern einer Sendeleistung des Senders unter Verwendung eines variablen Widerstands, der mit einer Antenne des Senders gekoppelt ist, angepasst. Der variable Widerstand bewirkt jedoch einen Leistungsverlust, so dass eine Leistungseffizienz des Senders reduziert wird.The JP 11071948 A discloses a wireless transmitter with a variable transmission range. The transmission range of the transmitter is adjusted by changing a transmission power of the transmitter using a variable resistor coupled to an antenna of the transmitter. However, the variable resistor causes a power loss, so that a power efficiency of the transmitter is reduced.
Aus der DE 100 32 422 C1 ist ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Sicherung einer Übertragungsstrecke zwischen einer Basiseinheit und einer mobilen Schlüsseleinheit bekannt, wobei eine Modulationsschaltung Informationen auf ein Trägersignal zur Sicherung der Übertragungsstrecke zwischen einer Basiseinheit und der mobilen Schlüsseleinheit aufmoduliert.From the DE 100 32 422 C1 For example, a method and a device for securing a transmission link between a base unit and a mobile key unit is known, wherein a modulation circuit modulates information onto a carrier signal for securing the transmission link between a base unit and the mobile key unit.
Die DE 103 45 536 A1 und die EP 0 965 710 A2 beschreiben auf dem hier betrachteten Gebiet einen drahtlosen Sender an einem Fahrzeug mit einem variablen Sendebereich mit zugehöriger Stromversorgungsschaltung, wobei die an zweiter Stelle genannte Schrift Schaltmittel zur Umschaltung zwischen einer Mehrzahl von Sendebereichen offenbart.The DE 103 45 536 A1 and the EP 0 965 710 A2 describe, in the field considered here, a wireless transmitter on a vehicle having a variable transmission range with associated power supply circuit, the second font disclosing switching means for switching between a plurality of transmission ranges.
In der US 5793306 A ist eine Frequenzkodierung zur Identifikation und zum Schutz beispielsweise von Fahrzeugen und Zugangseinrichtungen beschrieben.In the US 5793306 A For example, a frequency coding for identifying and protecting vehicles and access devices, for example, is described.
Angesichts des im Vorhergehenden beschriebenen Problems ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen drahtlosen hocheffizienten Sender mit einem variablen Sendebereich und ein System mit dem drahtlosen Sender zu schaffen.In view of the above-described problem, it is an object of the present invention to provide a wireless high-efficiency transmitter with a variable transmission range and a system with the wireless transmitter.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch einen drahtlosen Sender mit den Merkmalen des anliegenden Anspruches 1 gelöst. Eine Lösung der genannten Aufgabe wird auch durch ein drahtloses Steuersystem mit den Merkmalen von Anspruch 20 erreicht.This object is achieved by a wireless transmitter with the features of the appended claim 1. A solution of the stated object is also achieved by a wireless control system having the features of claim 20.
Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen sind Gegenstand der dem Anspruch 1 jeweils nachgeordneten Patentansprüche.Advantageous embodiments and further developments are the subject of claim 1 each subordinate claims.
Ein drahtloser Sender umfasst also eine Sendeantenne, eine Stromversorgungsschaltung, einen NF-Schalter, eine Modulationsschaltung und eine Treiberschaltung. Die Sendeantenne sendet ein Sendesignal, das Informationen enthält und innerhalb eines vorbestimmten Sendebereichs empfangbar ist. Die Stromversorgungsschaltung empfängt eine Batteriespannung von einer Fahrzeugbatterie und versorgt die Sendeantenne mit einer Betriebsspannung. Der NF-Schalter ist zwischen die Sendeantenne und die Stromversorgungsschaltung gekoppelt, um ein Schalten der Betriebsspannung durchzuführen. Der NF-Schalter hat einen ersten Betriebsmodus und einen zweiten Betriebsmodus. Die Modulationsschaltung erzeugt ein moduliertes Signal durch Modulieren eines Trägersignals des Sendesignals mit einem Basisbandsignal, das die Informationen enthält. Eine Frequenz des Basisbandsignals ist kleiner als dieselbe eines Trägersignals des Sendesignals. Die Treiberschaltung empfängt das modulierte Signal und steuert basierend auf dem modulierten Signal den NF-Schalter periodisch an. Die Treiberschaltung ändert einen Betriebsmodus des NF-Schalters zwischen dem ersten Betriebsmodus und dem zweiten Betriebsmodus.A wireless transmitter thus comprises a transmitting antenna, a power supply circuit, a low-frequency switch, a modulation circuit and a driver circuit. The transmission antenna transmits a transmission signal that contains information and can be received within a predetermined transmission range. The power supply circuit receives a battery voltage from a vehicle battery and supplies the transmission antenna with an operating voltage. The LF switch is coupled between the transmitting antenna and the power supply circuit to perform switching of the operating voltage. The low frequency switch has a first mode of operation and a second mode of operation. The modulation circuit generates a modulated signal by modulating a carrier signal of the transmission signal with a baseband signal containing the information. A frequency of the baseband signal is smaller than that of a carrier signal of the transmission signal. The driver circuit receives the modulated signal and periodically drives the low frequency switch based on the modulated signal. The driver circuit changes an operation mode of the low frequency switch between the first operation mode and the second operation mode.
Wenn der NF-Schalter in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist, wird eine Polarität der Betriebsspannung, mit der die Sendeantenne versorgt wird, mit einer Schaltfrequenz, die zweimal die Frequenz des Trägersignals des Sendesignals ist, umgekehrt. Wenn im Gegensatz dazu die der NF-Schalter in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist, ist die Polarität der Betriebsspannung konstant, und die Betriebsspannung wird mit der Schaltfrequenz ein- und ausgeschaltet. Eine Sendeleistung des Senders kann durch Ändern des Betriebsmodus der des NF-Schalters zwischen dem ersten und dem zweiten Betriebsmodus geändert werden. Der Sendebereich kann demgemäß mit einem kleineren Leistungsverlust variieren.When the LF switch is in operation in the first operating mode, a polarity of the operating voltage supplied to the transmitting antenna is reversed at a switching frequency which is twice the frequency of the carrier signal of the transmission signal. In contrast, when the LF switch is operating in the second mode of operation, the polarity of the operating voltage is constant and the operating voltage is switched on and off at the switching frequency. A transmission power of the transmitter may be changed by changing the operation mode of the LF switch between the first and second operation modes. The transmission range can accordingly vary with a smaller power loss.
Die vorhergehenden und andere Ziele, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden detaillierten Beschreibung, die unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen erfolgt, offensichtlicher. Es zeigen:The foregoing and other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description made with reference to the accompanying drawings. Show it:
1 ein Blockdiagramm eines Fahrzeug-Fernverriegelungs- und -entriegelungssystems gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 1 a block diagram of a vehicle remote locking and unlocking system according to an embodiment of the present invention;
2 ein Blockdiagramm eines NF-Senders in dem System von 1; 2 a block diagram of a LF transmitter in the system of 1 ;
3 ein Schaltungsdiagramm einer Treiberschaltung und eines NF-Schalters bei dem NF-Sender von 2; 3 a circuit diagram of a driver circuit and a low-frequency switch in the LF transmitter of 2 ;
4 ein Konzeptdiagramm einer Modulationsschaltung bei dem NF-Sender von 2; 4 a conceptual diagram of a modulation circuit in the LF transmitter of 2 ;
5 ein Schaltungsdiagramm einer Spannungsverstärkerschaltung bei dem NF-Sender von 2; 5 a circuit diagram of a voltage amplifier circuit in the LF transmitter of 2 ;
6 ein Zeitdiagramm des NF-Senders von 2, wenn der NF-Schalter in einem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist; 6 a timing diagram of the LF transmitter of 2 when the low frequency switch is operating in a first mode of operation;
7A ein Zeitdiagramm einer Schaltfolge des NF-Schalters, 7A a timing diagram of a switching sequence of the low-frequency switch,
7B eine grafische Darstellung, die eine Spannungsänderung von Oberseiten-Transistoren des NF-Schalters zeigt, und 7B a graph showing a voltage change of upper side transistors of the low-frequency switch, and
7C eine grafische Darstellung, die eine Spannungsänderung von Unterseiten-Transistoren des NF-Schalters zeigt; 7C a graph showing a voltage change of bottom side transistors of the low-frequency switch;
8A ein Zeitdiagramm einer Schaltfolge des NF-Schalters, wenn er in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist, und 8A a timing diagram of a switching sequence of the low-frequency switch when it is in the first operating mode in operation, and
8B ein Zeitdiagramm einer Schaltfolge des NF-Schalters, wenn er in einem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist; 8B a timing diagram of a switching sequence of the low-frequency switch, when it is in a second operating mode in operation;
9A eine detaillierte Ansicht von 8A, und 9A a detailed view of 8A , and
9B eine detaillierte Ansicht von 8B; und 9B a detailed view of 8B ; and
10 ein Zeitdiagramm des NF-Senders von 2, wenn der NF-Schalter in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist. 10 a timing diagram of the LF transmitter of 2 when the low-frequency switch is in operation in the second operating mode.
Wie in 1 gezeigt ist, umfasst ein Fernverriegelungs- und -entriegelungssystem 1 gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung eine Fahrzeugeinheit 100, die an einem Fahrzeug angebracht ist, und eine tragbare Einheit (einen elektronischen Schlüssel) 200, die durch einen Benutzer getragen wird. Die tragbare Einheit 200 speichert einen eindeutigen Identifizierungs-(ID-)Code und kommuniziert drahtlos mit der Fahrzeugeinheit 100. Die Fahrzeugeinheit 100 bestimmt basierend auf dem ID-Code, ob die tragbare Einheit 200 innerhalb eines vorbestimmten Sendebereichs hinsichtlich des Fahrzeugs vorhanden ist. Fahrzeugsteuerungen (z. B. eine Türverriegelung/-entriegelung und eine Immobilisiererentriegelung bzw. Wegfahrsperrenentriegelung) werden basierend auf dem Resultat der Bestimmung erlaubt. Die Fahrzeugeinheit 100 umfasst eine Mehrzahl von Niederfrequenz-(NF-)Sendern 20 und einen Hochfrequenz-(HF-)Empfänger 30. Jeder NF-Sender 20 ist mit einer entsprechenden einer Mehrzahl von NF-Sendeantennen 210 verbunden, und der HF-Empfänger 30 ist mit einer HF-Antenne 310 verbunden. Jeder NF-Sender 20 und der HF-Empfänger 30 sind mit einer elektronischen Steuereinheit (ECU) 10 gekoppelt.As in 1 includes a remote locking and unlocking system 1 According to one embodiment of the present invention, a vehicle unit 100 mounted on a vehicle and a portable unit (an electronic key) 200 being worn by a user. The portable unit 200 stores a unique identification (ID) code and communicates wirelessly with the vehicle unit 100 , The vehicle unit 100 determined based on the ID code, whether the portable unit 200 exists within a predetermined transmission range with respect to the vehicle. Vehicle controls (eg, door lock / unlock and immobilizer unlock) are allowed based on the result of the determination. The vehicle unit 100 includes a plurality of low frequency (NF) transmitters 20 and a radio frequency (RF) receiver 30 , Every LF transmitter 20 is with a corresponding one of a plurality of LF transmission antennas 210 connected, and the RF receiver 30 is with an RF antenna 310 connected. Every LF transmitter 20 and the RF receiver 30 are with an electronic control unit (ECU) 10 coupled.
Die ECU 10 ist auf eine bekannte Art und Weise konfiguriert. Beispielsweise umfasst die ECU 10 eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) 11, einen nichtflüchtigen Nur-Lese-Speicher (ROM) 12 und einen Direktzugriffsspeicher (RAM), der in den Zeichnungen nicht gezeigt ist. Der ROM 12 kann beispielsweise ein elektrisch löschbarer programmierbarer ROM (; EEPROM) sein. Der ROM 12 speichert ein Steuerprogramm und eine Aufzeichnungstabelle. Die Aufzeichnungstabelle definiert eine Zuordnung einer Soll-Ausgangsspannung der NF-Sendeantenne 210 zu einer Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 und einem Schaltmodus eines NF-Schalters 25, der im Folgenden beschrieben ist. Die CPU 11 führt das Steuerprogramm, das in dem ROM 12 gespeichert ist, aus, um die Betriebsspannung Vcc1 und den Schaltmodus aus der Aufzeichnungstabelle zu lesen. Dann sendet die CPU 11 ein erstes und ein zweites Befehlssignal zu dem NF-Sender 20. Das erste und das zweite Befehlssignal stellen die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 bzw. den Schaltmodus des NF-Schalters 25 dar. Wenn die NF-Sendeantenne 210 mit der Betriebsspannung Vcc1 versorgt wird und der NF-Schalter 25 in dem Schaltmodus in Betrieb ist, erzeugt die NF-Sendeantenne 210 den entsprechenden Sollspannungswert.The ECU 10 is configured in a known way. For example, the ECU includes 10 a central processing unit (CPU) 11 , a nonvolatile read only memory (ROM) 12 and a random access memory (RAM) not shown in the drawings. The ROM 12 may for example be an electrically erasable programmable ROM (EEPROM). The ROM 12 stores a control program and a recording table. The recording table defines an assignment of a target output voltage of the LF transmitting antenna 210 to an operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 and a switching mode of a low frequency switch 25 which is described below. The CPU 11 Run the control program that is in the ROM 12 is stored to read the operating voltage Vcc1 and the switching mode from the recording table. Then the CPU sends 11 a first and a second command signal to the LF transmitter 20 , The first and second command signals set the operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 or the switching mode of the low frequency switch 25 If the LF transmit antenna 210 is supplied with the operating voltage Vcc1 and the low-frequency switch 25 is operating in the shift mode, generates the LF transmit antenna 210 the corresponding nominal voltage value.
Die NF-Sender 20 sind an unterschiedlichen Orten in dem Fahrzeug eingebaut, um den vorbestimmten Sendebereich hinsichtlich des Fahrzeugs zu bilden. In jedem NF-Sender 20 wird ein NF-Trägersignal mit einem ersten Basisbandsignal, das den eindeutigen ID-Code der tragbaren Einheit 200 enthält, moduliert. Der NF-Sender 20 sendet das modulierte NF-Trägersignal wiederholt und periodisch durch die NF-Sendeantenne 210.The LF transmitter 20 are installed at different locations in the vehicle to form the predetermined transmission range with respect to the vehicle. In every LF transmitter 20 becomes a LF carrier signal with a first baseband signal representing the unique ID code of the portable unit 200 contains, modulates. The LF transmitter 20 repeatedly and periodically transmits the modulated LF carrier signal through the LF transmission antenna 210 ,
Das modulierte NF-Trägersignal wirkt als ein Sendeaufrufsignal. Wenn die tragbare Einheit 200 innerhalb des Sendebereichs, der durch die NF-Sender 20 gebildet ist, vorhanden ist, empfängt die tragbare Einheit 200 das Sendeaufrufsignal. Die tragbare Einheit 200 demoduliert das empfangene Sendeaufrufsignal in das erste Basisbandsignal und analysiert einen Inhalt des ersten Basisbandsignals, um zu bestimmen, ob das Sendeaufrufsignal die tragbare Einheit 200 ruft. Wenn die tragbare Einheit 200 bestimmt, dass das Sendeaufrufsignal die tragbare Einheit 200 ruft, sendet die tragbare Einheit 200 ein HF-Antwortsignal, das mit einem zweiten Basisbandsignal, das eine Authentifikations-ID, die die tragbare Einheit 200 identifiziert, enthält, moduliert wird.The modulated LF carrier signal acts as a polling signal. If the portable unit 200 within the transmission range transmitted by the LF transmitter 20 is formed, receives, receives portable unit 200 the polling signal. The portable unit 200 demodulates the received polling signal into the first baseband signal and analyzes a content of the first baseband signal to determine whether the polling signal is the portable unit 200 calls. If the portable unit 200 determines that the polling signal is the portable unit 200 calls, sends the portable unit 200 an RF response signal including a second baseband signal containing an authentication ID representing the portable unit 200 identifies, contains, modulates.
In dem Fahrzeug empfängt der HF-Empfänger 30 das HF-Antwortsignal durch die HF-Antenne 310 und demoduliert das empfangene HF-Antwortsignal in das zweite Basisbandsignal. Die ECU 10 empfängt das zweite Basisbandsignal und analysiert einen Inhalt des zweiten Basisbandsignals, um zu prüfen, ob die Authentifikations-ID mit einer Haupt-ID, die in dem ROM 12 gespeichert ist, übereinstimmt. Die tragbare Einheit 200 wird lediglich authentifiziert, wenn die Authentifikations-ID mit der Haupt-ID übereinstimmt. Wenn die tragbare Einheit 200 authentifiziert ist, werden eine Türverriegelungssteuerung 40, ein Berührungssensor 50 und ein Immobilisierer 60 aktiviert.In the vehicle, the RF receiver receives 30 the RF response signal through the RF antenna 310 and demodulates the received RF response signal into the second baseband signal. The ECU 10 receives the second baseband signal and analyzes a content of the second baseband signal to check whether the authentication ID having a main ID stored in the ROM 12 stored matches. The portable unit 200 is only authenticated if the authentication ID matches the main ID. If the portable unit 200 becomes a door lock control 40 , a touch sensor 50 and an immobilizer 60 activated.
Wenn sich der Benutzer beispielsweise dem Fahrzeug mit der tragbaren Einheit 200 nähert, empfängt die tragbare Einheit 200 das Sendeaufrufsignal und sendet das HF-Antwortsignal, das die Authentifikations-ID enthält. Wenn die Authentifikations-ID der tragbaren Einheit 200 mit der Haupt-ID der ECU 10 übereinstimmt, ist die tragbare Einheit 200 authentifiziert, so dass der Berührungssensor 50, der an einem Türgriff des Fahrzeugs angebaut ist, aktiviert wird. Wenn der Benutzer dann den Berührungssensor 50 berührt, öffnet oder schließt die Türverriegelungssteuerung 40 eine Tür des Fahrzeugs.For example, if the user is the vehicle with the portable unit 200 approaches, receives the portable unit 200 the polling signal and transmits the RF response signal containing the authentication ID. If the authentication ID of the portable unit 200 with the main ID of the ECU 10 is the portable unit 200 authenticated so that the touch sensor 50 , which is attached to a door handle of the vehicle, is activated. If the user then the touch sensor 50 touches, opens or closes the door lock control 40 a door of the vehicle.
Jeder NF-Sender 20 umfasst eine Modulationsschaltung 21, eine Treiberschaltung 22, eine Stromversorgungsschaltung 24 und einen NF-Schalter 25. Die Stromversorgungsschaltung 24 wird mit einer Batteriespannung Vb von einer Fahrzeugbatterie VB versorgt und speist die Betriebsspannung Vcc1 in die NF-Sendeantenne 210 ein. Der NF-Schalter 25 ist zwischen die Stromversorgungsschaltung 24 und die NF-Sendeantenne 210 gebracht und führt ein Schalten der Betriebsspannung Vcc1, die in die NF-Sendeantenne 210 eingespeist wird, durch. Genauer gesagt, die Betriebsspannung Vcc1 wird an die NF-Sendeantenne 210 in einer ersten Richtung X oder in einer zweiten Richtung Y angelegt, wie in 2 gezeigt ist.Every LF transmitter 20 includes a modulation circuit 21 , a driver circuit 22 , a power supply circuit 24 and a low-frequency switch 25 , The power supply circuit 24 is supplied with a battery voltage Vb from a vehicle battery VB and feeds the operating voltage Vcc1 into the LF transmitting antenna 210 one. The NF switch 25 is between the power supply circuit 24 and the LF transmission antenna 210 brought and performs a switching of the operating voltage Vcc1, which enters the LF transmit antenna 210 is fed through. More specifically, the operating voltage Vcc1 is applied to the LF transmission antenna 210 in a first direction X or in a second direction Y, as in FIG 2 is shown.
Wenn die Betriebsspannung Vcc1 an die NF-Sendeantenne 210 in der ersten Richtung X angelegt wird, ist ein Potenzial eines ersten Endes 210a der NF-Sendeantenne 210 höher als dasselbe eines zweiten Endes 210b der NF-Sendeantenne 210. Wenn im Gegensatz dazu die Betriebsspannung Vcc1 an die NF-Sendeantenne 210 in der zweiten Richtung Y angelegt wird, ist das Potenzial des ersten Endes 210a niedriger als dasselbe des zweiten Endes 210b.When the operating voltage Vcc1 to the LF transmitting antenna 210 in the first direction X is a potential of a first end 210a the NF transmitter antenna 210 higher than the same of a second end 210b the NF transmitter antenna 210 , In contrast, when the operating voltage Vcc1 to the LF transmitting antenna 210 is applied in the second direction Y, is the potential of the first end 210a lower than the same of the second end 210b ,
Die NF-Schalter 25 schaltet eine Betriebsspannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 zwischen der ersten Richtung X und der zweiten Richtung Y. Kurz gesagt, die NF-Schalter 25 kehrt eine Polarität der Betriebsspannung Vcc1, die an die NF-Sendeantenne 210 angelegt ist, um. Die Treiberschaltung 22 steuert den NF-Schalter 25 basierend auf einer Trägerfrequenz des NF-Trägersignals an. Die Treiberschaltung 22 schaltet den Schaltmodus des NF-Schalters 25 zwischen einem ersten Betriebsmodus und einem zweiten Betriebsmodus.The NF switch 25 switches an operating voltage application direction of the LF transmitting antenna 210 between the first direction X and the second direction Y. In short, the LF switch 25 returns a polarity of the operating voltage Vcc1 to the LF transmitting antenna 210 is created to. The driver circuit 22 controls the low frequency switch 25 based on a carrier frequency of the LF carrier signal. The driver circuit 22 Switches the switching mode of the low frequency switch 25 between a first operating mode and a second operating mode.
Wenn der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist, wird die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 mit einer Schaltfrequenz, die zweimal die Trägerfrequenz des NF-Trägersignals ist, zwischen der ersten und der zweiten Richtung X, Y geschaltet. Kurz gesagt, die Polarität der Betriebsspannung Vcc1 wird durch den NF-Schalter 25 mit der Schaltfrequenz umgekehrt. Wenn im Gegensatz dazu der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist, wird die Spannungsanlegerichtung konstant gehalten, d. h., die Polarität der Betriebsspannung Vcc1 wird konstant gehalten. In dem zweiten Betriebsmodus wird jedoch die Betriebsspannung Vcc1 mit der Schaltfrequenz ein- und ausgeschaltet.If the NF switch 25 is in operation in the first operating mode, the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 with a switching frequency which is twice the carrier frequency of the LF carrier signal, between the first and the second direction X, Y connected. In short, the polarity of the operating voltage Vcc1 is controlled by the LF switch 25 reversed with the switching frequency. In contrast, if the NF switch 25 is in operation in the second operating mode, the voltage application direction is kept constant, ie, the polarity of the operating voltage Vcc1 is kept constant. In the second operating mode, however, the operating voltage Vcc1 is switched on and off at the switching frequency.
Wie in 2 gezeigt ist, umfasst die Stromversorgungsschaltung 24 einen Spannungswandler 24a. Der Spannungswandler 24a empfängt das erste Befehlssignal, das die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 anzeigt, über eine serielle periphere Schnittstelle (SPI I/F) 26 von der CPU 11 der ECU 10. Der Spannungswandler 24a erzeugt die Betriebsspannung Vcc1 aus der Batteriespannung Vb der Batterie VB.As in 2 is shown includes the power supply circuit 24 a voltage converter 24a , The voltage converter 24a receives the first command signal representing the operating voltage Vcc1 of the LF transmission antenna 210 indicates via a serial peripheral interface (SPI I / F) 26 from the CPU 11 the ECU 10 , The voltage converter 24a generates the operating voltage Vcc1 from the battery voltage Vb of the battery VB.
Die NF-Sendeantenne 210 hat eine Antennenspule 211 und einen Kondensator 212. Die Antennenspule 211 ist mit dem Kondensator 212 in Reihe geschaltet, so dass die NF-Sendeantenne 210 eine Resonanzfrequenz hat, die gleich der Trägerfrequenz des NF-Trägersignals ist. Da die NF-Sendeantenne 210 als eine Resonanzantenne konfiguriert ist, wird das Ausgangssignal der NF-Sendeantenne 210 trotz der Tatsache, dass die NF-Sendeantenne 210 durch ein Rechteckwellenschalten getrieben wird, eine sinusförmige Welle. Oberschwingungen, die in einem Rauschen und einer EMI resultieren, werden daher wirksam beseitigt. Die Länge der Antennenspule 211 kann ferner wesentlich kleiner als eine Wellenlänge eines Sendesignals (d. h. Sendeaufrufsignals) sein. Die NF-Sendeantenne 210 ist daher hinsichtlich der Abmessung klein.The LF transmission antenna 210 has an antenna coil 211 and a capacitor 212 , The antenna coil 211 is with the capacitor 212 connected in series so that the LF transmit antenna 210 has a resonant frequency equal to the carrier frequency of the LF carrier signal. Because the LF transmit antenna 210 is configured as a resonance antenna, the output of the LF transmission antenna becomes 210 despite the fact that the LF transmitting antenna 210 is driven by a square wave switching, a sinusoidal wave. Harmonics that result in noise and EMI are therefore effectively eliminated. The length of the antenna coil 211 may also be much smaller than a wavelength of a transmission signal (ie, polling signal) be. The LF transmission antenna 210 is therefore small in size.
Bei diesem Ausführungsbeispiel hat das Sendeaufrufsignal eine lange Wellenlänge und liegt innerhalb einer Niederfrequenz-(NF-)Bandbreite zwischen 50 kHz und 500 kHz. Bei einem solchen Lösungsansatz können die Oberschwingungen wirksamer beseitigt werden. Durch Verwenden der NF-Bandbreite kann der NF-Sender 20 einen geeigneten Sendebereich bilden. Die NF-Bandbreite erlaubt der tragbaren Einheit 200 ferner, auf das Sendeaufrufsignal zu antworten, ohne aus einer Tasche entfernt zu werden.In this embodiment, the polling signal has a long wavelength and is within a low frequency (NF) bandwidth between 50 kHz and 500 kHz. In such an approach, the harmonics can be eliminated more effectively. By using the LF bandwidth, the LF transmitter can 20 form a suitable transmission range. The NF bandwidth allows the portable unit 200 further, to respond to the polling signal without being removed from a bag.
Wie in 2 gezeigt ist, ist der NF-Schalter 25 durch ein verdrilltes Doppelkabel 213 mit dem ersten und dem zweiten Ende 210a, 210b der NF-Sendeantenne 210 verbunden. Der NF-Schalter 25 umfasst einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten Schalttransistor 251–254, die in eine H-Brückenkonfiguration geschaltet sind. Der erste Schalttransistor 251 ist zwischen die Stromversorgungsschaltung 24 und das erste Ende 210a der NF-Sendeantenne 210 geschaltet. Der zweite Schalttransistor 252 ist zwischen ein Massepotenzial und das erstes Ende 210a der NF-Sendeantenne 210 geschaltet. Der dritte Schalttransistor 253 ist zwischen die Stromversorgungsschaltung 24 und das zweite Ende 210b der NF-Sendeantenne 210 geschaltet. Der vierte Schalttransistor 254 ist zwischen das Massepotenzial und das zweite Ende 210b der NF-Sendeantenne 210 geschaltet. Der erste und der dritte Schalttransistor 251, 253 sind daher auf einer Oberseite (engl.: high side) angeordnet, und der zweite und der vierte Schalttransistor 252, 254 sind auf einer Unterseite (engl.: low side) angeordnet.As in 2 is shown is the low-frequency switch 25 through a twisted pair cable 213 with the first and the second end 210a . 210b the NF transmitter antenna 210 connected. The NF switch 25 comprises a first, a second, a third and a fourth switching transistor 251 - 254 which are connected in an H-bridge configuration. The first switching transistor 251 is between the power supply circuit 24 and the first end 210a the NF transmitter antenna 210 connected. The second switching transistor 252 is between a ground potential and the first end 210a the NF transmitter antenna 210 connected. The third switching transistor 253 is between the power supply circuit 24 and the second end 210b the NF transmitter antenna 210 connected. The fourth switching transistor 254 is between the ground potential and the second end 210b the NF transmitter antenna 210 connected. The first and third switching transistors 251 . 253 are therefore arranged on a top side (English: high side), and the second and the fourth switching transistor 252 . 254 are arranged on a lower side (English: low side).
Wenn der erste und der vierte Schalttransistor 251, 254 eingeschaltet sind und der zweite und der dritte Schalttransistor 252, 253 ausgeschaltet sind, ist die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 die erste Richtung X. Wenn im Gegensatz dazu der erste und der vierte Schalttransistor 251, 254 ausgeschaltet sind und der zweite und der dritte Schalttransistor 252, 253 eingeschaltet sind, ist die Spannungsanlegerichtung die zweite Richtung Y.When the first and the fourth switching transistor 251 . 254 are turned on and the second and the third switching transistor 252 . 253 are switched off, is the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 the first direction X. In contrast, when the first and the fourth switching transistor 251 . 254 are turned off and the second and the third switching transistor 252 . 253 are turned on, the voltage application direction is the second direction Y.
Für eine Impedanzanpassung sind zwei Widerstände 261, 262 zwischen den NF-Schalter 25 und die NF-Sendeantenne 210 gebracht. Ein Entkopplungskondensator 27 ist zwischen die Stromversorgungsschaltung 24 und den NF-Schalter 25 gebracht.There are two resistors for impedance matching 261 . 262 between the NF-switch 25 and the LF transmission antenna 210 brought. A decoupling capacitor 27 is between the power supply circuit 24 and the AF switch 25 brought.
Wie in 3 gezeigt ist, umfasst die Treiberschaltung 22 einen ersten, einen zweiten, einen dritten und einen vierten ansteuernden Transistor 221–224 zum Ansteuern des ersten, des zweiten, des dritten bzw. des vierten Schalttransistors 251–254 des NF-Schalters 25. Wie in 4 gezeigt ist, umfasst die Modulationsschaltung 21 eine Logikschaltung 21a und einen Modulator 21b. Ein Trägersignalerzeuger 28 umfasst einen Oszillator 111 und einen Frequenzteiler 112.As in 3 is shown, includes the driver circuit 22 a first, a second, a third and a fourth driving transistor 221 - 224 for driving the first, the second, the third and the fourth switching transistor 251 - 254 of the NF-switch 25 , As in 4 is shown includes the modulation circuit 21 a logic circuit 21a and a modulator 21b , A carrier signal generator 28 includes an oscillator 111 and a frequency divider 112 ,
Der Oszillator 111 gibt ein Rechteckwellensignal mit einer Grundfrequenz von beispielsweise 4,2944 Megahertz (MHz) aus. Der Frequenzteiler 112 teilt die Grundfrequenz und gibt das NF-Trägersignal mit der Trägerfrequenz aus. Die Trägerfrequenz kann beispielsweise 134,2 Kilohertz (KHz) betragen.The oscillator 111 outputs a square wave signal having a fundamental frequency of, for example, 4.2944 megahertz (MHz). The frequency divider 112 divides the fundamental frequency and outputs the AF carrier signal with the carrier frequency. The carrier frequency may be 134.2 kilohertz (KHz), for example.
Der Modulator 21b der Modulationsschaltung 21 empfängt das NF-Trägersignal von dem Trägersignalerzeuger 28. Der Modulator 21b empfängt ferner das erste Basisbandsignal von der ECU 10. Das erste Basisbandsignal hat eine Basisbandfrequenz, die kleiner als die Trägerfrequenz des NF-Trägersignals ist. Der Modulator 21b moduliert das NF-Trägersignal mit dem ersten Basisbandsignal und gibt das modulierte Signal zu der Logikschaltung 21a aus. Bei dem Fall von 4 ist der Modulator 21b mit einem UND-Gatter gebildet. Alternativ kann der Modulator 21b mit einem Schalttransistor, wie einem Feldeffekttransistor (FET), gebildet sein.The modulator 21b the modulation circuit 21 receives the LF carrier signal from the carrier signal generator 28 , The modulator 21b also receives the first baseband signal from the ECU 10 , The first baseband signal has a baseband frequency that is less than the carrier frequency of the low frequency carrier signal. The modulator 21b modulates the LF carrier signal with the first baseband signal and outputs the modulated signal to the logic circuit 21a out. In the case of 4 is the modulator 21b formed with an AND gate. Alternatively, the modulator 21b be formed with a switching transistor, such as a field effect transistor (FET).
Wie in 4 gezeigt ist, hat das modulierte Signal einen modulierten Anteil Pa und einen konstanten Anteil Pb. Der modulierte Anteil Pa variiert zwischen einem ersten Spannungspegel (H) und einem zweiten Spannungspegel (L). Der konstante Anteil Pb ist auf dem zweiten Spannungspegel konstant.As in 4 is shown, the modulated signal has a modulated portion Pa and a constant portion Pb. The modulated portion Pa varies between a first voltage level (H) and a second voltage level (L). The constant component Pb is constant at the second voltage level.
Die Logikschaltung 21a der Modulationsschaltung 21 erzeugt basierend auf dem modulierten Signal, das von dem Modulator 21b empfangen wird, ein erstes, ein zweites, ein drittes und ein viertes Ansteuersignal 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L. Die Logikschaltung 21a gibt die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L zu der Treiberschaltung 22 aus.The logic circuit 21a the modulation circuit 21 generated based on the modulated signal from the modulator 21b a first, a second, a third and a fourth drive signal 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L. The logic circuit 21a gives the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L to the driver circuit 22 out.
Wenn das modulierte Signal auf dem ersten Pegel des modulierten Anteils Pa ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 die erste Richtung X ist. Wenn das modulierte Signal auf dem zweiten Pegel des modulierten Anteils Pa ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 die zweite Richtung Y ist. Wenn das modulierte Signal auf dem zweiten Pegel des konstanten Anteils Pb ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass an die NF-Sendeantenne 210 keine Spannung angelegt wird, d. h., alle Schalttransistoren 251–254 des NF-Schalters 25 bleiben aus.When the modulated signal is at the first level of the modulated portion Pa, the driving signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driving circuit 22 the AF switch 25 in such a way that the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 the first direction is X. When the modulated signal is at the second level of the modulated portion Pa, the driving signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driving circuit 22 the AF switch 25 in such a way that the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 the second direction is Y When the modulated signal is at the second level of the constant portion Pb, the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driver circuit 22 the AF switch 25 in such a way that drives to the LF transmitting antenna 210 no voltage applied is, ie, all the switching transistors 251 - 254 of the NF-switch 25 stay out.
Eine Polarität der Betriebsspannung Vcc1, die durch die Stromversorgungsschaltung 24 eingespeist wird, ist positiv. Die Betriebsspannung Vcc1 variiert innerhalb eines vorbestimmten positiven Spannungsbereichs, der durch eine obere Spannungsgrenze Vmax und eine untere Spannungsgrenze Vmin definiert ist. Jeder der Schalttransistoren 251–254 des NF-Schalters 25 ist ein N-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (engl.: Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor; MOSFET). Jeder der Schalttransistoren 251–254 hat eine Drain, die mit einer Seite der Stromversorgungsschaltung 24 gekoppelt ist, und eine Source, die mit einer Seite des Massepotenzials gekoppelt ist.A polarity of the operating voltage Vcc1 passing through the power supply circuit 24 is fed, is positive. The operating voltage Vcc1 varies within a predetermined positive voltage range defined by an upper voltage limit Vmax and a lower voltage limit Vmin. Each of the switching transistors 251 - 254 of the NF-switch 25 is an N-channel Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET). Each of the switching transistors 251 - 254 has a drain connected to one side of the power supply circuit 24 and a source coupled to one side of the ground potential.
Die Treiberschaltung 22 hat eine Spannungsverstärkerschaltung 23. Die Spannungsverstärkerschaltung 23 legt an die Gates der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 eine Gate-Ansteuerspannung Vef an, wenn die Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 eingeschaltet sind. Die Gate-Ansteuerspannung Vef ist um mindestens eine Schwellenspannung der Schalttransistoren 251, 253 größer als eine Source-Spannung der Schalttransistoren 251, 253. Die Gate-Ansteuerspannung Vef ist ferner größer als die Batteriespannung Vb der Fahrzeugbatterie VB.The driver circuit 22 has a voltage amplifier circuit 23 , The voltage amplifier circuit 23 attaches to the gates of the upper side switching transistors 251 . 253 a gate drive voltage Vef when the top side switching transistors 251 . 253 are turned on. The gate drive voltage Vef is at least one threshold voltage of the switching transistors 251 . 253 greater than a source voltage of the switching transistors 251 . 253 , The gate drive voltage Vef is also greater than the battery voltage Vb of the vehicle battery VB.
Eine typische H-Brückenschaltung ist mit einem P-Kanal-MOSFET als ein Oberseiten-Transistor und einem N-Kanal-MOSFET als ein Unterseiten-Transistor gebildet. Der P-Kanal-MOSFET kann eingeschaltet werden, wenn die folgende Ungleichung erfüllt ist: Vs – Vg ≥ Vk (1) A typical H-bridge circuit is formed with a P-channel MOSFET as a top-side transistor and an N-channel MOSFET as a bottom-side transistor. The P-channel MOSFET can be turned on when the following inequality is met: Vs - Vg ≥ Vk (1)
In der Ungleichung (1) stellt Vs eine Source-Spannung, Vg eine Gate-Spannung und Vk eine Gate-Source-Schwellenspannung dar. Kurz gesagt, wenn die Gate-Spannung Vg um mindestens die Gate-Source-Schwellenspannung Vk kleiner als die Source-Spannung Vs ist, kann der P-Kanal-MOSFET eingeschaltet werden. Die Gate-Source-Schwellenspannung Vk beträgt allgemein etwa 2,5 Volt.In the inequality ( 1 Vs represents a source voltage, Vg a gate voltage and Vk a gate-source threshold voltage. In short, when the gate voltage Vg is smaller than the source voltage Vs by at least the gate-source threshold voltage Vk, the P-channel MOSFET can be turned on. The gate-source threshold voltage Vk is generally about 2.5 volts.
Im Gegensatz dazu kann der N-Kanal-MOSFET eingeschaltet werden, wenn die folgende Ungleichung erfüllt ist: Vg – Vs ≥ Vk (2) In contrast, the N-channel MOSFET can be turned on if the following inequality is met: Vg - Vs ≥Vk (2)
Kurz gesagt, wenn die Gate-Spannung Vg um mindestens die Gate-Source-Schwellenspannung Vk größer als die Source-Spannung Vs ist, kann der N-Kanal-MOSFET eingeschaltet werden.In short, when the gate voltage Vg is higher than the source voltage Vs by at least the gate-source threshold voltage Vk, the N-channel MOSFET can be turned on.
Typischerweise ist die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 wesentlich größer als eine Signalspannung Vcc2, die allgemein etwa 5 Volt beträgt. In diesem Fall kann, selbst wenn der NF-Schalter 25 als die typische H-Brückenschaltung, die mit einem P-Kanal-MOSFET als einem Oberseiten-Transistor und einem N-Kanal-MOSFET als einem Unterseiten-Transistor gebildet ist, aufgebaut ist, der NF-Schalter 25 durch die Signalspannung Vcc2 gesteuert werden.Typically, the operating voltage Vcc1 is the LF transmission antenna 210 much larger than a signal voltage Vcc2, which is generally about 5 volts. In this case, even if the NF switch 25 is constructed as the typical H-bridge circuit formed with a P-channel MOSFET as a top-side transistor and an N-channel MOSFET as a bottom-side transistor, the LF switch 25 be controlled by the signal voltage Vcc2.
Bei diesem Ausführungsbeispiel variiert jedoch die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 innerhalb des positiven Spannungsbereichs, der durch die obere Spannungsgrenze Vmax und die untere Spannungsgrenze Vmin definiert ist. Wenn jeder der Oberseiten-Transistoren 251, 253 ein P-Kanal-MOSFET ist, kann daher eine Negativspannungsquelle erforderlich sein, um die Oberseiten-Transistoren 251, 253 einzuschalten, wenn die Betriebsspannung Vcc1 auf die untere Spannungsgrenze Vmin reduziert wird. Die Hinzufügung der negativen Spannungsquelle erhöht einen Herstellungsaufwand.However, in this embodiment, the operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna varies 210 within the positive voltage range defined by the upper voltage limit Vmax and the lower voltage limit Vmin. If any of the topside transistors 251 . 253 is a P-channel MOSFET, therefore, a negative voltage source may be required to the top side transistors 251 . 253 when the operating voltage Vcc1 is reduced to the lower voltage limit Vmin. The addition of the negative voltage source increases manufacturing costs.
Um die Hinzufügung der Negativspannungsquelle zu vermeiden, ist jeder der Schalttransistoren 251–154 des NF-Schalters 25 ein N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET, der eine hohe Eingangsimpedanz und einen niedrigen Ein-Widerstand hat. Die Gate-Ansteuerspannung Vef, die durch die Spannungsverstärkerschaltung 23 an die Gates der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 angelegt ist, ist um mindestens die Gate-Source-Schwellenspannung der Schalttransistoren 251, 253 größer als die Source-Spannung der Schalttransistoren 251, 253 eingestellt. Kurz gesagt, die Gate-Ansteuerspannung Vef ist um mindestens die Gate-Source-Schwellenspannung größer als die Betriebsspannung Vcc1 eingestellt, da sich die Source-Spannung der Schalttransistoren 251, 253 bis zu der Betriebsspannung Vcc1 erhöht, wenn die Schalttransistoren 251, 253 eingeschaltet werden.To avoid the addition of the negative voltage source, each of the switching transistors 251 - 154 of the NF-switch 25 an N-channel enhancement MOSFET having a high input impedance and a low on-resistance. The gate drive voltage Vef flowing through the voltage amplifier circuit 23 to the gates of the upper side switching transistors 251 . 253 is applied, is at least the gate-source threshold voltage of the switching transistors 251 . 253 greater than the source voltage of the switching transistors 251 . 253 set. In short, the gate drive voltage Vef is set greater than the drive voltage Vcc1 by at least the gate-to-source threshold voltage because the source voltage of the switching transistors 251 . 253 increases up to the operating voltage Vcc1 when the switching transistors 251 . 253 be turned on.
Da jeder der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 ein N-Kanal-MOSFET ist, kann die untere Spannungsgrenze Vmin der Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 kleiner als die Gate-Ansteuerspannung Vef eingestellt sein. Der positive Spannungsbereich, innerhalb dessen die Betriebsspannung Vcc1 variiert, kann sich daher zu einer Niederspannungsseite erstrecken. Kurz gesagt, die untere Spannungsgrenze Vmin kann einen kleinen Wert haben. Wie im Vorhergehenden beschrieben ist, beträgt die Gate-Source-Schwellenspannung der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 allgemein 2,5 Volt. In diesem Fall kann die untere Spannungsgrenze Vmin zwischen 1,5 Volt und 2,5 Volt eingestellt sein. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die obere Spannungsgrenze Vmax auf 6,8 Volt eingestellt, und die untere Spannungsgrenze Vmin ist auf 1,7 Volt eingestellt. Die Betriebsspannung Vcc1 variiert in 0,3-Volt-Schritten innerhalb des positiven Spannungsbereichs zwischen 1,7 Volt und 6,8 Volt.Because each of the top side switching transistors 251 . 253 is an N-channel MOSFET, the lower voltage limit Vmin may be the operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 be set smaller than the gate drive voltage Vef. The positive voltage range within which the operating voltage Vcc1 varies may therefore extend to a low voltage side. In short, the lower voltage limit Vmin may have a small value. As described above, the gate-to-source threshold voltage is the upper side switching transistors 251 . 253 generally 2.5 volts. In this case, the lower voltage limit Vmin may be set between 1.5 volts and 2.5 volts. In this embodiment, the upper voltage limit Vmax is 6.8 volts is set, and the lower voltage limit Vmin is set to 1.7 volts. The operating voltage Vcc1 varies in 0.3 volt increments within the positive voltage range between 1.7 volts and 6.8 volts.
Die Gate-Ansteuerspannung Vef ist ein konstanter Wert, der kleiner als eine Gate-Durchbruchspannung und um mindestens die Gate-Source-Schwellenspannung von 2,5 Volt größer als die obere Spannungsgrenze Vmax von 6,8 Volt ist. Die Gate-Ansteuerspannung Vef liegt daher beispielsweise zwischen 10 Volt und 25 Volt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Gate-Ansteuerspannung Vef auf 20 Volt eingestellt. Alternativ kann die Gate-Ansteuerspannung Vef gemäß der Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 variieren.The gate drive voltage Vef is a constant value that is less than a gate breakdown voltage and at least the gate-to-source threshold voltage of 2.5 volts greater than the upper voltage limit Vmax of 6.8 volts. The gate drive voltage Vef is therefore, for example, between 10 volts and 25 volts. In this embodiment, the gate drive voltage Vef is set to 20 volts. Alternatively, the gate drive voltage Vef may be in accordance with the operating voltage Vcc1 of the LF transmission antenna 210 vary.
Da eine Gate-Eingangsimpedanz eines MOSFET hoch ist, ist es nicht erforderlich, dass die Spannungsverstärkerschaltung 23 einen großen Strom erzeugt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist daher die Spannungsverstärkerschaltung 23 als eine Spannungsvervielfacherschaltung oder Ladungspumpschaltung aufgebaut. Bei einem solchen Lösungsansatz kann die Spannungsverstärkerschaltung 23 vereinfacht und mit einem niedrigen Aufwand hergestellt werden. Eine Ladungspumpschaltung ist allgemein mit einer Diode, einem Kondensator, einem Schalttransistor und dergleichen gebildet. Eine Ladungspumpschaltung kann daher ohne Weiteres in eine monokline integrierte Schaltung integriert sei. Bei diesem Ausführungsbeispiel sind die Logikschaltung 21a, die Treiberschaltung 22, die Spannungsverstärkerschaltung 23 und der NF-Schalter 25 in eine monolithischen Komplementär-Metall-Oxid-Halbleiter(engl.: Complementary Metal Oxide Semiconductor; CMOS)-IC-Chip-Form gekapselt.Since a gate input impedance of a MOSFET is high, it is not necessary that the voltage amplifier circuit 23 generates a large current. In this embodiment, therefore, the voltage amplifier circuit 23 as a voltage multiplier circuit or charge pump circuit. In such an approach, the voltage amplifier circuit 23 simplified and manufactured with a low cost. A charge pump circuit is generally formed with a diode, a capacitor, a switching transistor, and the like. A charge pump circuit can therefore be readily integrated into a monoclinic integrated circuit. In this embodiment, the logic circuit 21a , the driver circuit 22 , the voltage amplifier circuit 23 and the NF switch 25 encapsulated in a monolithic complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) IC chip mold.
Die Spannungsverstärkerschaltung 23 ist auf eine bekannte Art und Weise konfiguriert. Wie in 5 gezeigt ist, umfasst die Spannungsverstärkerschaltung 23 beispielsweise eine erste Parallelschaltung und eine zweite Parallelschaltung, wobei jede derselben mit Schalttransistoren 105, 106 verbunden ist. Die erste und die zweite Parallelschaltung sind abwechselnd in Reihe geschaltet. Die erste Parallelschaltung umfasst einen ersten Spannungsvervielfachungskondensator 101 und eine erste Rückstromschutzdiode 103, die zu dem ersten Spannungsvervielfachungskondensator 101 parallel geschaltet ist. Die zweite Parallelschaltung umfasst einen zweiten Spannungsvervielfachungskondensator 102 und eine zweite Rückstromschutzdiode 104, die mit dem zweiten Spannungsvervielfachungskondensator 102 parallel geschaltet ist. Ein Taktsignal CLK (und ein umgekehrtes Signal, das durch einen Inverter 107 umgekehrt wird) schaltet die erste und die zweite Parallelschaltung auf eine komplementäre Art und Weise ein und aus. Die Spannungsverstärkerschaltung 23 vervielfacht somit die Signalspannung Vcc2 gemäß der Zahl der ersten und zweiten Parallelschaltungen.The voltage amplifier circuit 23 is configured in a known way. As in 5 is shown, includes the voltage amplifier circuit 23 For example, a first parallel connection and a second parallel connection, each of which with switching transistors 105 . 106 connected is. The first and second parallel circuits are alternately connected in series. The first parallel circuit includes a first voltage multiplying capacitor 101 and a first reverse current protection diode 103 leading to the first voltage multiplying capacitor 101 is connected in parallel. The second parallel circuit includes a second voltage multiplying capacitor 102 and a second reverse current protection diode 104 connected to the second voltage multiplier capacitor 102 is connected in parallel. A clock signal CLK (and an inverted signal, which is sent through an inverter 107 vice versa), the first and second parallel circuits turn on and off in a complementary manner. The voltage amplifier circuit 23 Thus, the signal voltage Vcc2 multiplies according to the number of the first and second parallel circuits.
Die untere Spannungsgrenze Vmin der Betriebsspannung Vcc1 kann durch Spezifikationen der Stromversorgungsschaltung 24 oder der Fahrzeugbatterie VB begrenzt sein. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus oder dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb. Wie im Folgenden beschrieben ist, ist ein Antennenausgangssignal der NF-Sendeantenne 210 in dem zweiten Betriebsmodus auf die Hälfte derselben in dem ersten Betriebsmodus reduziert, die Betriebsspannung Vcc1 ist die gleiche. Daher kann, selbst wenn die untere Spannungsgrenze Vmin durch die Spezifikationen begrenzt ist, durch Verwenden des zweiten Betriebsmodus das Antennenausgangssignal der NF-Sendeantenne 210 reduziert werden. Der Sendebereich des NF-Senders 20 kann daher zu einer Fahrzeugseite erhöht werden.The lower voltage limit Vmin of the operating voltage Vcc1 may be determined by specifications of the power supply circuit 24 or the vehicle battery VB be limited. In this embodiment, the LF switch 25 in the first operating mode or the second operating mode in operation. As described below, an antenna output signal is the LF transmitting antenna 210 in the second mode of operation, reduced to half of the same in the first mode of operation, the operating voltage Vcc1 is the same. Therefore, even if the lower voltage limit Vmin is limited by the specifications, by using the second operation mode, the antenna output signal of the LF transmission antenna 210 be reduced. The transmission range of the LF transmitter 20 can therefore be increased to a vehicle side.
Die ECU 10 liest, genauer gesagt, wie im Vorhergehenden beschrieben ist, nach einem Empfang des Zielausgangswerts der NF-Sendeantenne 210 die entsprechende Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 und den entsprechenden Schaltmodus (d. h. den ersten Betriebsmodus oder den zweiten Betriebsmodus) des NF-Senders 20 aus der Abbildungstabelle, die in dem ROM 12 gespeichert ist. Dann sendet die ECU 10 das erste und das zweite Befehlssignal, die die Betriebsspannung Vcc1 bzw. den Schaltmodus darstellen, zu dem NF-Sender 20.The ECU 10 More specifically, as described above, after receiving the target output value of the LF transmitting antenna 210 the corresponding operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 and the corresponding switching mode (ie the first operating mode or the second operating mode) of the LF transmitter 20 from the mapping table included in the ROM 12 is stored. Then the ECU sends 10 the first and second command signals representing the operating voltage Vcc1 and the switching mode, respectively, to the LF transmitter 20 ,
Das erste und das zweite Befehlssignal werden in die SPI I/F 26 eingegeben. Die SPI I/F 26 sendet das erste Befehlssignal, das die Betriebsspannung Vcc1 darstellt, zu der Stromversorgungsschaltung 24. Die SPI I/F 26 sendet ferner das zweite Befehlssignal, das den Schaltmodus darstellt, zu der Logikschaltung 21a der Modulationsschaltung 21.The first and second command signals are input to the SPI I / F 26 entered. The SPI I / F 26 sends the first command signal representing the operating voltage Vcc1 to the power supply circuit 24 , The SPI I / F 26 Further, the second command signal representing the switching mode is sent to the logic circuit 21a the modulation circuit 21 ,
Die Logikschaltung 21a erzeugt die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L gemäß dem Schaltmodus, der durch das zweite Befehlssignal dargestellt wird. Die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L werden in die Treiberschaltung 22 eingegeben.The logic circuit 21a generates the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L according to the switching mode represented by the second command signal. The drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L are input to the driver circuit 22 entered.
Wenn das zweite Befehlssignal den ersten Betriebsmodus darstellt, bewirkt die Treiberschaltung 22, dass der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist. Wenn der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist, hat der NF-Schalter 25 einen ersten und einen zweiten Zustand, die mit der Schaltfrequenz, die zweimal die Trägerfrequenz des NF-Trägersignals ist, geschaltet werden. In dem ersten Zustand sind sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 ein, und sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 sind aus. In dem zweiten Zustand sind sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 ein, und sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 sind aus.When the second command signal represents the first mode of operation, the driver circuit causes 22 that the NF switch 25 in operation in the first operating mode. If the NF switch 25 is in the first operating mode in operation, has the low-frequency switch 25 a first and a second state, which are switched with the switching frequency, which is twice the carrier frequency of the LF carrier signal. In the first state, both the first and fourth switching transistors 251 . 254 one, and both the second and the third switching transistor 252 . 253 are made. In the second state, both the second and the third switching transistor 252 . 253 and both the first and fourth switching transistors 251 . 254 are made.
Wenn im Gegensatz dazu das zweite Befehlssignal den zweiten Betriebsmodus darstellt, bewirkt die Treiberschaltung 22, dass der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist. Wenn der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist, hat der NF-Schalter 25 einen dritten und einen vierten Zustand, die mit der Schaltfrequenz geschaltet werden. In dem dritten Zustand sind sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 ein, und sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 sind aus. In dem vierten Zustand sind sowohl der zweite als auch der vierte Schalttransistor 252, 254 ein, und sowohl der erste als auch der dritte Schalttransistor 251, 253 sind aus. Mit anderen Worten, wenn der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist, werden der erste und der zweite Schalttransistor 251, 252 abwechselnd mit der Schaltfrequenz ein- und ausgeschaltet, der dritte Schalttransistor 253 bleibt aus, und der vierte Schalttransistor 254 bleibt ein.In contrast, when the second command signal represents the second mode of operation, the driver circuit causes 22 that the NF switch 25 in operation in the second operating mode. If the NF switch 25 in the second operating mode is in operation, has the low-frequency switch 25 a third and a fourth state, which are switched at the switching frequency. In the third state, both the first and the fourth switching transistors 251 . 254 and both the second and third switching transistors 252 . 253 are made. In the fourth state, both the second and fourth switching transistors 252 . 254 and both the first and third switching transistors 251 . 253 are made. In other words, if the NF switch 25 is in operation in the second operating mode, the first and the second switching transistor 251 . 252 alternately switched on and off with the switching frequency, the third switching transistor 253 stays off, and the fourth switching transistor 254 stays in
Genauer gesagt, das erste Ansteuersignal 1N1H, das an den ersten ansteuernden Transistor 221 angelegt ist, hat den entgegengesetzten logischen Pegel des dritten Ansteuersignals 1N2H, das an den dritten ansteuernden Transistor 223 angelegt ist. Wenn beispielsweise das erste Ansteuersignal 1N1H auf einem ersten (d. h. hohen) Pegel ist, ist das dritte Ansteuersignal 1N2H auf einem zweiten (d. h. niedrigen) Pegel. Ebenso hat das zweite Ansteuersignal 1N1L, das an den zweiten ansteuernden Transistor 222 angelegt ist, den entgegengesetzten logischen Pegel des vierten Ansteuersignals 1N2L, das an den vierten ansteuernden Transistor 224 angelegt ist. Der erste Pegel ist niedriger als die Gate-Ansteuerspannung Vef eingestellt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist der erste Pegel die Signalspannung Vcc2, d. h. 5 Volt. Jeder der ansteuernden Transistoren 221–224 hat einen Gate-ein-Transistor 231 und einen Gate-aus-Transistor 232.More specifically, the first drive signal 1N1H connected to the first driving transistor 221 is applied has the opposite logical level of the third drive signal 1N2H, the third driving transistor 223 is created. For example, when the first drive signal 1N1H is at a first (ie, high) level, the third drive signal 1N2H is at a second (ie, low) level. Likewise, the second drive signal has 1N1L, that of the second driving transistor 222 is applied, the opposite logic level of the fourth drive signal 1N2L, that of the fourth driving transistor 224 is created. The first level is set lower than the gate drive voltage Vef. In this embodiment, the first level is the signal voltage Vcc2, ie, 5 volts. Each of the driving transistors 221 - 224 has a gate-a-transistor 231 and a gate-out transistor 232 ,
Bei dem ersten ansteuernden Transistor 221 ist der Gate-ein-Transistor 231 zwischen die Spannungsverstärkerschaltung 23 und das Gate des ersten Schalttransistors 251 gekoppelt. Der Gate-aus-Transistor 232 ist zwischen das Gate des ersten Schalttransistors 251 und das Massepotenzial gekoppelt. Wenn das erste Ansteuersignal 1N1H auf dem ersten Pegel ist, wird der Gate-ein-Transistor 231 eingeschaltet, so dass die Spannungsverstärkerschaltung 23 mit dem Gate des ersten Schalttransistors 251 verbunden ist. Zu dieser Zeit bleibt der Gate-aus-Transistor 232 aus, so dass das Gate des ersten Schalttransistors 251 von dem Massepotenzial getrennt ist. Die Gate-Ansteuerspannung Vef wird somit an das Gate des ersten Schalttransistors 251 angelegt, so dass der erste Schalttransistor 251 sicher eingeschaltet werden kann. Wenn im Gegensatz dazu das erste Ansteuersignal 1N1H auf dem zweiten Pegel ist, bleibt der Gate-ein-Transistor 231 aus, so dass die Spannungsverstärkerschaltung 23 von dem Gate des ersten Schalttransistors 251 getrennt ist. Zu dieser Zeit wird der Gate-aus-Transistor 232 eingeschaltet, so dass das Gate des ersten Schalttransistors 251 mit dem Massepotenzial verbunden ist. Es wird somit keine Spannung an das Gate des ersten Schalttransistors 251 angelegt, so dass der erste Schalttransistor 251 sicher ausgeschaltet werden kann.In the first driving transistor 221 is the gate-a-transistor 231 between the voltage amplifier circuit 23 and the gate of the first switching transistor 251 coupled. The gate-off transistor 232 is between the gate of the first switching transistor 251 and the ground potential coupled. When the first drive signal 1N1H is at the first level, the gate-a-transistor becomes 231 turned on, leaving the voltage amplifier circuit 23 to the gate of the first switching transistor 251 connected is. At this time, the gate-off transistor remains 232 out, so that the gate of the first switching transistor 251 is separated from the ground potential. The gate drive voltage Vef is thus applied to the gate of the first switching transistor 251 applied, so that the first switching transistor 251 can be switched on safely. In contrast, when the first drive signal 1N1H is at the second level, the gate-on transistor remains 231 out, leaving the voltage amplifier circuit 23 from the gate of the first switching transistor 251 is disconnected. At this time, the gate-out transistor 232 turned on, so that the gate of the first switching transistor 251 connected to the ground potential. There is thus no voltage to the gate of the first switching transistor 251 applied, so that the first switching transistor 251 can be safely switched off.
Ebenso ist bei dem dritten ansteuernden Transistor 223 der Gate-ein-Transistor 231 zwischen die Spannungsverstärkerschaltung 23 und das Gate des dritten Schalttransistors 253 gekoppelt. Der Gate-aus-Transistor 232 ist zwischen das Gate des dritten Schalttransistors 253 und das Massepotenzial gekoppelt. Wenn das dritte Ansteuersignal 1N2H auf dem ersten Pegel ist, wird der Gate-ein-Transistor 231 eingeschaltet, so dass die Spannungsverstärkerschaltung 23 mit dem Gate des dritten Schalttransistors 253 verbunden ist. Zu dieser Zeit bleibt der Gate-aus-Transistor 232 aus, so dass das Gate des dritten Schalttransistors 253 von dem Massepotenzial getrennt ist. Die Gate-Ansteuerspannung Vef wird somit an das Gate des dritten Schalttransistors 253 angelegt, so dass der dritte Schalttransistor 253 sicher eingeschaltet werden kann. Wenn im Gegensatz dazu das dritte Ansteuersignal 1N2H auf dem zweiten Pegel ist, bleibt der Gate-ein-Transistor 231 aus, so dass die Spannungsverstärkerschaltung 23 von dem Gate des dritten Schalttransistors 253 getrennt ist. Zu dieser Zeit wird der Gate-aus-Transistor 232 eingeschaltet, so dass das Gate des dritten Schalttransistors 253 mit dem Massepotenzial verbunden ist. Es wird somit keine Spannung an das Gate des dritten Schalttransistors 253 angelegt, so dass der dritte Schalttransistor 253 sicher ausgeschaltet werden kann.Likewise, in the third driving transistor 223 the gate-a-transistor 231 between the voltage amplifier circuit 23 and the gate of the third switching transistor 253 coupled. The gate-off transistor 232 is between the gate of the third switching transistor 253 and the ground potential coupled. When the third drive signal 1N2H is at the first level, the gate-a-transistor becomes 231 turned on, leaving the voltage amplifier circuit 23 to the gate of the third switching transistor 253 connected is. At this time, the gate-off transistor remains 232 out, so that the gate of the third switching transistor 253 is separated from the ground potential. The gate drive voltage Vef is thus applied to the gate of the third switching transistor 253 applied, so that the third switching transistor 253 can be switched on safely. In contrast, when the third drive signal 1N2H is at the second level, the gate-on transistor remains 231 out, leaving the voltage amplifier circuit 23 from the gate of the third switching transistor 253 is disconnected. At this time, the gate-out transistor 232 turned on, so that the gate of the third switching transistor 253 connected to the ground potential. There is thus no voltage to the gate of the third switching transistor 253 applied, so that the third switching transistor 253 can be safely switched off.
Bei dem zweiten ansteuernden Transistor 222 ist der Gate-ein-Transistor 231 zwischen die Fahrzeugbatterie VB und das Gate des zweiten Schalttransistors 252 gekoppelt. Der Gate-aus-Transistor 232 ist zwischen das Gate des zweiten Schalttransistors 252 und das Massepotenzial gekoppelt. Wenn das zweite Ansteuersignal 1N1L auf dem ersten Pegel ist, ist der Gate-ein-Transistor 231 eingeschaltet, so dass die Fahrzeugbatterie VB mit dem Gate des zweiten Schalttransistors 252 verbunden ist. Zu dieser Zeit bleibt der Gate-aus-Transistor 232 aus, so dass das Gate des zweiten Schalttransistors 252 von dem Massepotenzial getrennt ist. Die Batteriespannung Vb ist daher an das Gate des zweiten Schalttransistors 252 angelegt, so dass der zweite Schalttransistor 252 sicher eingeschaltet werden kann. Wenn im Gegensatz dazu das zweite Ansteuersignal 1N1L auf dem zweiten Pegel ist, bleibt der Gate-ein-Transistor 231 aus, so dass die Fahrzeugbatterie VB von dem Gate des zweiten Schalttransistors 252 getrennt ist. Zu dieser Zeit wird der Gate-aus-Transistor 232 eingeschaltet, so dass das Gate des zweiten Schalttransistors 252 mit dem Massepotenzial verbunden ist. Es wird daher keine Spannung an das Gate des zweiten Schalttransistors 252 angelegt, so dass der zweite Schalttransistor 252 sicher ausgeschaltet werden kann.In the second driving transistor 222 is the gate-a-transistor 231 between the vehicle battery VB and the gate of the second switching transistor 252 coupled. The gate-off transistor 232 is between the gate of the second switching transistor 252 and the ground potential coupled. When the second drive signal 1N1L is at the first level, the gate is a transistor 231 turned on, so that the vehicle battery VB to the gate of the second switching transistor 252 connected is. At this time, the gate-off transistor remains 232 out, so that the gate of the second switching transistor 252 is separated from the ground potential. The battery voltage Vb is therefore at the gate of the second switching transistor 252 applied, so that the second switching transistor 252 can be switched on safely. If, in contrast, the second Drive signal 1N1L is at the second level remains the gate-on transistor 231 from, so that the vehicle battery VB from the gate of the second switching transistor 252 is disconnected. At this time, the gate-out transistor 232 turned on, so that the gate of the second switching transistor 252 connected to the ground potential. There is therefore no voltage to the gate of the second switching transistor 252 applied, so that the second switching transistor 252 can be safely switched off.
Ebenso ist bei dem vierten ansteuernden Transistor 224 der Gate-ein-Transistor 231 zwischen die Fahrzeugbatterie VB und das Gate des vierten Schalttransistors 254 gekoppelt. Der Gate-aus-Transistor 232 ist zwischen das Gate des vierten Schalttransistors 254 und das Massepotenzial gekoppelt. Wenn das vierte Ansteuersignal 1N2L auf dem ersten Pegel ist, ist der Gate-ein-Transistor 231 eingeschaltet, so dass die Fahrzeugbatterie VB mit dem Gate des vierten Schalttransistors 254 verbunden ist. Zu dieser Zeit bleibt der Gate-aus-Transistor 232 aus, so dass das Gate des vierten Schalttransistors 254 von dem Massepotenzial getrennt ist. Die Batteriespannung Vb ist daher an das Gate des vierten Schalttransistors 254 angelegt, so dass der vierte Schalttransistor 254 sicher eingeschaltet werden kann. Wenn im Gegensatz dazu das vierte Ansteuersignal 1N2L auf dem zweiten Pegel ist, bleibt der Gate-ein-Transistor 231 aus, so dass die Fahrzeugbatterie VB von dem Gate des vierten Schalttransistors 254 getrennt ist. Zu dieser Zeit wird der Gate-aus-Transistor 232 eingeschaltet, so dass das Gate des vierten Schalttransistors 254 mit dem Massepotential verbunden ist. Es wird daher keine Spannung an das Gate des vierten Schalttransistors 254 angelegt, so dass der vierte Schalttransistor 254 sicher ausgeschaltet werden kann.Likewise, in the fourth driving transistor 224 the gate-a-transistor 231 between the vehicle battery VB and the gate of the fourth switching transistor 254 coupled. The gate-off transistor 232 is between the gate of the fourth switching transistor 254 and the ground potential coupled. When the fourth drive signal 1N2L is at the first level, the gate-on-transistor is 231 turned on, so that the vehicle battery VB to the gate of the fourth switching transistor 254 connected is. At this time, the gate-off transistor remains 232 out, so that the gate of the fourth switching transistor 254 is separated from the ground potential. The battery voltage Vb is therefore at the gate of the fourth switching transistor 254 applied, so that the fourth switching transistor 254 can be switched on safely. In contrast, when the fourth drive signal 1N2L is at the second level, the gate-on transistor remains 231 from, so that the vehicle battery VB from the gate of the fourth switching transistor 254 is disconnected. At this time, the gate-out transistor 232 turned on, so that the gate of the fourth switching transistor 254 connected to the ground potential. There is therefore no voltage to the gate of the fourth switching transistor 254 applied, so that the fourth switching transistor 254 can be safely switched off.
Wie in 3 gezeigt ist, ist beispielsweise der Gate-ein-Transistor 251 ein PNP-Bipolartransistor und der Gate-aus-Transistor 252 ein NPN-Bipolartransistor.As in 3 is shown, for example, the gate-a-transistor 251 a PNP bipolar transistor and the gate-out transistor 252 an NPN bipolar transistor.
Wie im Vorhergehenden beschrieben ist, umfasst die Stromversorgungsschaltung 24 den Spannungswandler 24a. Der Spannungswandler 24a empfängt das erste Befehlssignal, das die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 anzeigt, über die SPI I/F 26 von der ECU 10. Der Spannungswandler 24a erzeugt die Betriebsspannung Vcc1 gemäß dem ersten Befehlssignal durch Verwenden der Batteriespannung Vb der Fahrzeugbatterie VB.As described above, the power supply circuit includes 24 the voltage converter 24a , The voltage converter 24a receives the first command signal representing the operating voltage Vcc1 of the LF transmission antenna 210 indicates about the SPI I / F 26 from the ECU 10 , The voltage converter 24a generates the operating voltage Vcc1 according to the first command signal by using the battery voltage Vb of the vehicle battery VB.
Wie in 2 detailliert gezeigt ist, umfasst der Spannungswandler 24a eine Bezugsspannungsquelle 24b, einen Operationsverstärker 24c, einen Bipolartransistor 24d, eine Spannungsteilerschaltung, die mit einem festen Widerstand 240 gebildet ist, und einen variablen Widerstand 241. Während der feste Widerstand 240 einen festen Widerstandswert R1 hat, hat der variable Widerstand 241 einen variablen Widerstandswert R2.As in 2 is shown in detail, includes the voltage converter 24a a reference voltage source 24b , an operational amplifier 24c , a bipolar transistor 24d , a voltage divider circuit, with a fixed resistor 240 is formed, and a variable resistor 241 , During the fixed resistance 240 has a fixed resistance R1 has variable resistance 241 a variable resistance R2.
Der Bipolartransistor 24d hat einen Emitter, der mit der Fahrzeugbatterie VB gekoppelt ist, einen Kollektor zum Ausgeben der Betriebsspannung Vcc1 und ein Gate, das mit einem Ausgang des Operationsverstärkers 24c gekoppelt ist.The bipolar transistor 24d has an emitter coupled to the vehicle battery VB, a collector for outputting the operating voltage Vcc1, and a gate connected to an output of the operational amplifier 24c is coupled.
Eine Steuerspannung Vamp, die aus dem Operationsverstärker 24c ausgegeben wird, ist an das Gate des Bipolartransistors 24d angelegt, so dass die Betriebsspannung Vcc1 gesteuert wird. Genauer gesagt, die Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 ist durch die Spannungsteilerschaltung, die mit den Widerständen 240, 241 gebildet ist, zu einem nicht invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 24c rückgekoppelt. Eine Bezugsspannung Vref der Bezugsspannungsquelle 24b ist an einen invertierenden Eingang des Operationsverstärkers 24c angelegt. Der Operationsverstärker 24c gibt daher die Steuerspannung Vamp durch Berechnen einer Differenz zwischen der Bezugsspannung Vref und der Rückkopplungsspannung aus.A control voltage Vamp coming from the operational amplifier 24c is output to the gate of the bipolar transistor 24d is applied so that the operating voltage Vcc1 is controlled. More specifically, the operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 is through the voltage divider circuit, which is connected to the resistors 240 . 241 is formed, to a non-inverting input of the operational amplifier 24c fed back. A reference voltage Vref of the reference voltage source 24b is to an inverting input of the operational amplifier 24c created. The operational amplifier 24c Therefore, the control voltage Vamp is output by calculating a difference between the reference voltage Vref and the feedback voltage.
Wenn angenommen wird, dass der invertierende und der nicht invertierende Eingang des Operationsverstärkers 24c virtuell zusammen kurzgeschlossen sind, ist die Betriebsspannung Vcc1 durch Verwenden eines Teilungsverhältnisses λ der Spannungsteilerschaltung wie folgt dargestellt: Vcc1 = Vref/λ (3) Assuming that the inverting and non-inverting inputs of the operational amplifier 24c are virtually short-circuited together, the operating voltage Vcc1 is represented by using a division ratio λ of the voltage dividing circuit as follows: Vcc1 = Vref / λ (3)
Wie aus der vorhergehenden Gleichung (3) ersichtlich ist, kann die Betriebsspannung Vcc1 durch Ändern des Teilungsverhältnisses λ der Spannungsteilerschaltung angepasst werden. Da die Spannungsteilerschaltung mit dem festen Widerstand 240 und dem variablen Widerstand 241 gebildet ist, kann das Spannungsteilungsteilungsverhältnis λ durch Ändern des variablen Widerstandswerts R2 des variablen Widerstands 241 geändert werden.As is apparent from the foregoing equation (3), the operating voltage Vcc1 can be adjusted by changing the dividing ratio λ of the voltage dividing circuit. Because the voltage divider circuit with the fixed resistor 240 and the variable resistor 241 is formed, the voltage division pitch ratio λ can be changed by changing the variable resistance value R2 of the variable resistor 241 be changed.
Das Spannungsteilungsverhältnis λ wird durch Verwenden der Widerstände R1, R2 wie folgt dargestellt: λ = R1/(R1 + R2) (4) The voltage dividing ratio λ is represented by using the resistors R1, R2 as follows: λ = R1 / (R1 + R2) (4)
Aus den Gleichungen (3) (4) wird die Betriebsspannung Vcc1 wie folgt dargestellt: Vcc1 = (1 + R2/R1)Vref (5) From the equations (3) (4), the operating voltage Vcc1 is represented as follows: Vcc1 = (1 + R2 / R1) Vref (5)
Die Betriebsspannung Vcc1 kann daher durch Anpassen des variablen Widerstandswerts R2 des variablen Widerstands 241 größer als die Bezugsspannung Vref sein.The operating voltage Vcc1 can therefore be adjusted by adjusting the variable resistance value R2 of the variable resistor 241 be greater than the reference voltage Vref.
Wie in 2 gezeigt ist, umfasst der variable Widerstand 241 beispielsweise eine Mehrzahl von Schaltern 241a und eine Mehrzahl von Widerständen 241b. Jeder Widerstand 241b hat einen anderen Widerstandswert. Jeder Widerstand 241b ist an einem Ende mit dem festen Widerstand 240 verbunden und an dem anderen Ende über den entsprechenden Schalter 241a mit einem Massepotenzial verbunden. Der variable Widerstandswert R2 des variablen Widerstands 241 kann durch ein selektives Öffnen und Schließen der Schalter 241a geändert werden. Die Schalter 241 werden gemäß dem ersten Befehlssignal, das durch die SPI I/F 26 von der ECU 10 empfangen wird, gesteuert. As in 2 is shown, includes the variable resistor 241 for example, a plurality of switches 241a and a plurality of resistors 241b , Every resistance 241b has a different resistance value. Every resistance 241b is at one end with the fixed resistor 240 connected and at the other end via the corresponding switch 241a connected to a ground potential. The variable resistance value R2 of the variable resistor 241 can be achieved by selectively opening and closing the switch 241a be changed. The switches 241 according to the first command signal generated by the SPI I / F 26 from the ECU 10 is received, controlled.
Alternativ kann der Bipolartransistor 24d ein FET sein. Anders als bei dem herkömmlichen drahtlosen Sender, der in der JP-A-H11-71948 offenbart ist, ist es nicht erforderlich, dass der Operationsverstärker 24c ein großes Ausgangssignal erzeugt, da der Operationsverstärker 24c lediglich den Bipolartransistor 24d zu steuern hat.Alternatively, the bipolar transistor 24d be a FET. Unlike the traditional wireless transmitter used in the JP-A-H11-71948 is disclosed, it is not necessary that the operational amplifier 24c generates a large output signal because of the operational amplifier 24c only the bipolar transistor 24d has to control.
Zusammenfassend ist der NF-Sender 20 wie folgt in Betrieb:
Wenn die ECU 10 den Soll-Ausgangsspannungswert der NF-Sendeantenne 210 empfängt, liest die ECU 10 die entsprechende Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 und den entsprechenden Schaltmodus des NF-Schalters 25 aus der Aufzeichnungstabelle, die in dem ROM 12 gespeichert ist. Dann sendet die ECU 10 das erste und das zweite Befehlssignal, die die Betriebsspannung Vcc1 bzw. den Schaltmodus darstellen, zu dem NF-Sender 20.In summary, the LF transmitter 20 as follows:
If the ECU 10 the desired output voltage value of the LF transmit antenna 210 receives, reads the ECU 10 the corresponding operating voltage Vcc1 of the LF transmitting antenna 210 and the corresponding switching mode of the low frequency switch 25 from the record table stored in the ROM 12 is stored. Then the ECU sends 10 the first and second command signals representing the operating voltage Vcc1 and the switching mode, respectively, to the LF transmitter 20 ,
Das erste und das zweite Befehlssignal werden in die SPI I/F 26 eingegeben. Die SPI I/F 26 sendet das erste Befehlssignal, das die Betriebsspannung Vcc1 darstellt, zu der Stromversorgungsschaltung 24. Ferner sendet die SPI I/F 26 das zweite Befehlssignal, das den Schaltmodus darstellt, zu der Logikschaltung 21a der Modulationsschaltung 21.The first and second command signals are input to the SPI I / F 26 entered. The SPI I / F 26 sends the first command signal representing the operating voltage Vcc1 to the power supply circuit 24 , Furthermore, the SPI sends I / F 26 the second command signal representing the switching mode to the logic circuit 21a the modulation circuit 21 ,
Bei der Stromversorgungsschaltung 24 werden die Schalter 241 gemäß dem ersten Befehlssignal, das von der SPI I/F 26 empfangen wird, gesteuert. Die Batteriespannung Vb der Fahrzeugbatterie VB wird daher in die Betriebsspannung Vcc1, die der Sollspannung der NF-Sendeantenne 210 entspricht, umgewandelt. Dann wird die Betriebsspannung Vcc1 in den NF-Schalter 25 eingespeist.In the power supply circuit 24 become the switches 241 according to the first command signal generated by the SPI I / F 26 is received, controlled. The battery voltage Vb of the vehicle battery VB is therefore in the operating voltage Vcc1, that of the target voltage of the LF transmission antenna 210 corresponds, converted. Then, the operating voltage Vcc1 in the low-frequency switch 25 fed.
Wie in 4 gezeigt ist, wird das erste Basisbandsignal, das den eindeutigen ID-Code der tragbaren Einheit 200 enthält, in den Modulator 21b der Modulationsschaltung 21 eingegeben. Der Modulator 21b moduliert das NF-Trägersignal mit dem ersten Basisbandsignal und erzeugt dadurch das modulierte Signal. Das modulierte Signal wird in die Logikschaltung 21a eingegeben. Die Logikschaltung 21a erzeugt basierend auf dem modulierten Signal das erste, das zweite, das dritte und das vierte Ansteuersignal 1N1H, 1N1L, 1N2H und 1N2L. Die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L werden in die Treiberschaltung 22 eingegeben.As in 4 is shown, the first baseband signal which is the unique ID code of the portable unit 200 contains, in the modulator 21b the modulation circuit 21 entered. The modulator 21b modulates the LF carrier signal with the first baseband signal and thereby generates the modulated signal. The modulated signal is input to the logic circuit 21a entered. The logic circuit 21a generates, based on the modulated signal, the first, second, third and fourth drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H and 1N2L. The drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L are input to the driver circuit 22 entered.
Das modulierte Signal hat den modulierten Anteil Pa und den konstanten Anteil Pb. Der modulierte Anteil Pa variiert zwischen dem ersten Pegel (H) und dem zweiten Pegel (L). Der konstante Anteil Pb ist auf dem zweiten Spannungspegel konstant.The modulated signal has the modulated component Pa and the constant component Pb. The modulated portion Pa varies between the first level (H) and the second level (L). The constant component Pb is constant at the second voltage level.
Wenn das modulierte Signal auf dem ersten Pegel des modulierten Anteils Pa ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 die erste Richtung X ist. Daher sind der erste und der vierte Schalttransistor 251, 254 eingeschaltet und der zweite und der dritte Schalttransistor 252, 253 ausgeschaltet.When the modulated signal is at the first level of the modulated portion Pa, the driving signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driving circuit 22 the AF switch 25 in such a way that the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 the first direction is X. Therefore, the first and fourth switching transistors 251 . 254 turned on and the second and the third switching transistor 252 . 253 switched off.
Wenn das modulierte Signal auf dem zweiten Pegel des modulierten Anteils Pa ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass die Spannungsanlegerichtung der NF-Sendeantenne 210 die zweite Richtung Y ist. Daher werden der erste und der vierte Schalttransistor 251, 254 ausgeschaltet und der zweite und der dritte Schalttransistor 252, 253 eingeschaltet.When the modulated signal is at the second level of the modulated portion Pa, the driving signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driving circuit 22 the AF switch 25 in such a way that the voltage application direction of the LF transmission antenna 210 the second direction is Y Therefore, the first and fourth switching transistors become 251 . 254 turned off and the second and the third switching transistor 252 . 253 switched on.
Wenn das modulierte Signal auf dem zweiten Pegel des konstanten Anteils Pb ist, bewirken die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L, dass die Treiberschaltung 22 den NF-Schalter 25 auf eine solche Art und Weise ansteuert, dass an die NF-Sendeantenne 210 keine Spannung angelegt wird. Es sind daher alle Transistoren 251–254 des NF-Schalters 25 aus.When the modulated signal is at the second level of the constant portion Pb, the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L cause the driver circuit 22 the AF switch 25 in such a way that drives to the LF transmitting antenna 210 no voltage is applied. They are therefore all transistors 251 - 254 of the NF-switch 25 out.
Nach einem Empfang des zweiten Befehlssignals, das den Schaltmodus des NF-Schalters 25 darstellt, ändert die Logikschaltung 21a die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L gemäß dem zweiten Befehlssignal.After receiving the second command signal, the switching mode of the low frequency switch 25 represents, changes the logic circuit 21a the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L according to the second command signal.
Wenn das zweite Befehlssignal den ersten Betriebsmodus darstellt, ändert die Logikschaltung 21a die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L so, dass die Treiberschaltung 22 bewirkt, dass der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist. Wenn der NF-Schalter 25 in dem ersten Betriebsmodus in Betrieb ist, hat der NF-Schalter 25 den ersten und den zweiten Zustand, die mit der Schaltfrequenz, die zweimal die Trägerfrequenz des NF-Trägersignals ist, geschaltet werden. In dem ersten Zustand sind sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 ein und sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 aus. In dem zweiten Zustand sind sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 ein und sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 aus.When the second command signal represents the first mode of operation, the logic circuit changes 21a the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L so that the driver circuit 22 causes the AF switch 25 in operation in the first operating mode. If the NF switch 25 is in the first operating mode in operation, has the low-frequency switch 25 the first and the second state, which are switched with the switching frequency, which is twice the carrier frequency of the LF carrier signal. In the first state, both the first and the fourth are switching transistor 251 . 254 one and both the second and third switching transistors 252 . 253 out. In the second state, both the second and the third switching transistor 252 . 253 one and both the first and fourth switching transistors 251 . 254 out.
Wenn im Gegensatz dazu das zweite Befehlssignal den zweiten Betriebsmodus darstellt, ändert die Logikschaltung 21a die Ansteuersignale 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L so, dass die Treiberschaltung 22 bewirkt, dass der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist. Wenn der NF-Schalter 25 in dem zweiten Betriebsmodus in Betrieb ist, hat der NF-Schalter 25 den dritten und den vierten Zustand, die mit der Schaltfrequenz geschaltet werden. In dem dritten Zustand sind sowohl der erste als auch der vierte Schalttransistor 251, 254 ein und sowohl der zweite als auch der dritte Schalttransistor 252, 253 aus. In dem vierten Zustand sind sowohl der zweite als auch der vierte Schalttransistor 252, 254 ein und sowohl der erste als auch der dritte Schalttransistor 251, 253 aus.In contrast, when the second command signal represents the second mode of operation, the logic circuit changes 21a the drive signals 1N1H, 1N1L, 1N2H, 1N2L so that the driver circuit 22 causes the AF switch 25 in operation in the second operating mode. If the NF switch 25 in the second operating mode is in operation, has the low-frequency switch 25 the third and fourth states, which are switched at the switching frequency. In the third state, both the first and the fourth switching transistors 251 . 254 one and both the second and third switching transistors 252 . 253 out. In the fourth state, both the second and fourth switching transistors 252 . 254 one and both the first and third switching transistors 251 . 253 out.
Genauer gesagt, während einer ersten Zeitperiode, wenn das zweite Befehlssignal, das den ersten Betriebsmodus darstellt, in die Logikschaltung 21a eingegeben wird, wird der NF-Schalter 25 wie folgt gesteuert:
Wenn das modulierte Signal bei dem modulierten Anteil Pa ist, werden der erste und der zweite Zustand des NF-Schalters 25 mit der Schaltfrequenz geschaltet. Als ein Resultat, wie in 6 gezeigt ist, fließt ein erster sinusförmiger Antennenwechselstrom I1 mit einer ersten Amplitude, die der Betriebsspannung Vcc1 entspricht, durch die NF-Sendeantenne 210, so dass das Sendeaufrufsignal durch die NF-Sendantenne 210 gesendet wird. Wenn im Gegensatz dazu das modulierte Signal bei dem konstanten Anteil Pb ist, bleiben alle Schalttransistoren 251–254 aus. Als ein Resultat wird das Senden des Sendeaufrufsignals gestoppt.More specifically, during a first time period when the second command signal representing the first mode of operation enters the logic circuit 21a is entered, the NF switch 25 controlled as follows:
When the modulated signal is at the modulated portion Pa, the first and second states of the low frequency switch become 25 switched with the switching frequency. As a result, as in 6 1, a first sinusoidal alternating antenna current I1 having a first amplitude corresponding to the operating voltage Vcc1 flows through the LF transmission antenna 210 such that the broadcast request signal is through the LF transmit antenna 210 is sent. In contrast, when the modulated signal is at the constant fraction Pb, all the switching transistors remain 251 - 254 out. As a result, the transmission of the polling signal is stopped.
Wie in 7B gezeigt ist, legt die Spannungsverstärkerschaltung 23 die Gate-Ansteuerspannung Vef an die Gates der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 an, so dass die Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 eingeschaltet werden. Als ein Resultat ist die Betriebsspannung Vcc1 an die Sources der Oberseiten-Schalttransistoren 251, 253 angelegt. Im Gegensatz dazu, wie in 7C gezeigt ist, ist die Batteriespannung Vb der Fahrzeugbatterie VB an die Gates der Unterseiten-Schalttransistoren 252, 254 angelegt, so dass die Unterseiten-Schalttransistoren 252, 254 eingeschaltet sind. Als ein Resultat sind die Sources der Unterseiten-Schalttransistoren 252, 254 mit der Masse verbunden.As in 7B is shown, sets the voltage amplifier circuit 23 the gate driving voltage Vef to the gates of the upper side switching transistors 251 . 253 on, so that the top side switching transistors 251 . 253 be turned on. As a result, the operating voltage Vcc1 is applied to the sources of the upper side switching transistors 251 . 253 created. In contrast, as in 7C 12, the battery voltage Vb of the vehicle battery VB is applied to the gates of the lower side switching transistors 252 . 254 applied so that the bottom side switching transistors 252 . 254 are turned on. As a result, the sources of the lower side switching transistors 252 . 254 connected to the mass.
Im Gegensatz dazu wird während einer zweiten Zeitperiode, wenn das zweite Befehlssignal, das den zweiten Betriebsmodus darstellt, in die Logikschaltung 21a eingegeben wird, der NF-Schalter 25 wie folgt gesteuert: Wenn das modulierte Signal bei dem modulierten Anteil Pa ist, werden der dritte und der vierte Zustand des NF-Schalters 25 mit der Schaltfrequenz geschaltet. Mit anderen Worten, während der erste und der zweite Schalttransistor 251, 252 abwechselnd mit der Schaltfrequenz ein- und ausgeschaltet werden, bleibt der dritte Schalttransistor 253 aus und der vierte Schalttransistor 254 ein. Als ein Resultat, wie in 10 gezeigt ist, fließt ein zweiter sinusförmiger Antennenwechselstrom I2 mit einer zweiten Amplitude durch die NF-Sendeantenne 210, so dass das Sendeaufrufsignal durch die NF-Sendeantenne 210 gesendet wird.In contrast, during a second period of time, when the second command signal representing the second mode of operation enters the logic circuit 21a is entered, the NF switch 25 is controlled as follows: When the modulated signal is at the modulated portion Pa, the third and fourth states of the low frequency switch become 25 switched with the switching frequency. In other words, while the first and second switching transistors 251 . 252 alternately switched on and off with the switching frequency, the third switching transistor remains 253 off and the fourth switching transistor 254 one. As a result, as in 10 2, a second sinusoidal alternating antenna current I2 having a second amplitude flows through the LF transmission antenna 210 such that the polling signal is transmitted through the LF transmission antenna 210 is sent.
Wie aus einem Vergleichen der 6, 10 ersichtlich ist, ist die zweite Amplitude des zweiten Antennenstroms I2 annähernd die Hälfte der ersten Amplitude des ersten Antennenstroms I1. Wenn im Gegensatz dazu das modulierte Signal bei dem konstanten Anteil Pb ist, bleiben alle Schalttransistoren 251–254 aus. Als ein Resultat wird das Senden des Sendeaufrufsignals gestoppt.How to compare the 6 . 10 is apparent, the second amplitude of the second antenna current I2 is approximately half the first amplitude of the first antenna current I1. In contrast, when the modulated signal is at the constant fraction Pb, all the switching transistors remain 251 - 254 out. As a result, the transmission of the polling signal is stopped.
Wie in 7B gezeigt ist, legt die Spannungsverstärkerschaltung 23 die Gate-Ansteuerspannung Vef an das Gate des Oberseiten-Schalttransistors 251 an, so dass der Oberseiten-Schalttransistor 251 eingeschaltet wird. Als ein Resultat ist die Betriebsspannung Vcc1 an die Source des Oberseiten-Schalttransistors 251 angelegt. Im Gegensatz dazu, wie in 7C gezeigt ist, wird die Batteriespannung Vb der Fahrzeugbatterie VB an das Gate des Unterseiten-Schalttransistors 252 angelegt, so dass der Unterseiten-Schalttransistor 252 eingeschaltet wird. Als ein Resultat ist die Source des Unterseiten-Schalttransistors 252 mit der Masse verbunden.As in 7B is shown, sets the voltage amplifier circuit 23 the gate drive voltage Vef to the gate of the upper side switching transistor 251 so that the top side switching transistor 251 is turned on. As a result, the operating voltage Vcc1 is applied to the source of the upper side switching transistor 251 created. In contrast, as in 7C is shown, the battery voltage Vb of the vehicle battery VB to the gate of the lower side switching transistor 252 applied so that the bottom switching transistor 252 is turned on. As a result, the source of the lower side switching transistor is 252 connected to the mass.
Wie in 9A, 9B gezeigt ist, wird eine Totzeit Td eingefügt, um einen Durchzündungsstrom zu verhindern. Die Totzeit Td kann beispielsweise 466 Nanosekunden betragen.As in 9A . 9B is shown, a dead time Td is inserted to prevent a spark ignition current. The dead time Td may be 466 nanoseconds, for example.
Das im Vorhergehenden beschriebene Ausführungsbeispiel kann auf verschiedene Weisen modifiziert sein. Beispielsweise kann die Gate-Ansteuerspannung Vef mit der Betriebsspannung Vcc1 der NF-Sendeantenne 210 variieren.The embodiment described above may be modified in various ways. For example, the gate drive voltage Vef may be at the operating voltage Vcc1 of the LF transmission antenna 210 vary.
Solche Änderungen und Modifikationen sind so zu verstehen, dass dieselben innerhalb des Schutzbereichs der vorliegenden Erfindung, wie durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, liegen.Such changes and modifications are to be understood to be within the scope of the present invention as defined by the appended claims.
