DE102007035060A1 - Aufbau- und Verbindungstechnik für Halbleiterbauelemente - Google Patents

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Abstract

Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Verbindung eines Halbleiterelements bzw. ein mikromechanischer Chip mit einem Trägerelement bzw. eine Leiterplatte sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Verbindung beschrieben. Dabei ist vorgesehen, dass sowohl das Halbleiterbauelement als auch das Trägerelement jeweils Löcher aufweisen, die bei der Verbindung übereinander angeordnet sind, so dass ein Verbindungsstift durch beide Löcher geführt werden kann. Der Kern der Erfindung besteht nun darin, dass das Loch des insbesondere mikromechanischen Halbleiterbauelements eine konische Form aufweist, wobei das Loch an seinem kleinsten Durchmesser geringfügig größer als der Durchmesser des Verbindungsstifts ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine elektrische und/oder mechanische Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einem Trägerelement sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Verbindung.
  • Eine derartige Verbindung ist beispielsweise aus der EP 526 992 A2 bekannt, bei der ein flexibles Lamellenpaket mit integrierten Schaltungen über eine Pressverbindung mittels eines Stifts auf eine Leiterplatte befestigt wird.
  • Vorteile der Erfindung
  • Mit der vorliegenden Erfindung wird eine Verbindung eines Halbleiterelements bzw. ein mikromechanischer Chip mit einem Trägerelement bzw. eine Leiterplatte sowie ein Verfahren zur Herstellung dieser Verbindung beschrieben. Dabei ist vorgesehen, dass sowohl das Halbleiterbauelement als auch das Trägerelement jeweils Löcher aufweisen, die bei der Verbindung übereinander angeordnet sind, so dass ein Verbindungsstift durch beide Löcher geführt werden kann. Der Kern der Erfindung besteht nun darin, dass das Loch des insbesondere mikromechanisches Halbleiterbauelements eine konische Form aufweist, wobei das Loch an seinem kleinsten Durchmesser geringfügig größer als der Durchmesser des Verbindungsstifts ist.
  • Mit einer derartigen Verbindung kann in einfacher Weise eine Durchkontaktierung durch das Halbleiterbauelement erreicht werden. Weiterhin ermöglicht eine derartige Kontaktierung auch die aufrechte Montage des Halbleiterbauelements. Zusätzlich ermöglicht die erfindungsgemäße Kontaktierung eine Stressentkopplung, d. h. mechanische Spannungen, die im Substrat vorliegen, können über die Verbindungsstifte abgebaut werden. Weiterhin ist eine einfache Steckverbindung möglich, bei der das Sensorelement oder ein mikromechanisches Schaltungselement wie beispielsweise ein Asic, miteinander in einfacher und schneller Weise verbunden werden können.
  • Durch die vollständige hinterschnittfreie Ausformung der Geometrie ist eine Passivierung in der Gasphase möglich (z. B. HDMS), so dass eine vollständige Resistenz gegen alle Umwelteinflüsse erzielt werden kann.
  • Vorteilhafterweise ist vorgesehen, die Wände des Lochs im Halbleiterbauelement und/oder die Wände des Verbindungsstifts mit einer elektrisch isolierenden Schicht zu versehen. Eine derartige Isolierung verhindert einen ungewollten Kurzschluss. Durch ein Entfernen der isolierenden Schicht an bestimmten Stellen des Verbindungsstifts (z. B. Kopfenden oder mittig bei durch das Trägerelement durchgehenden Stiften) lassen sich gezielt elektrische Kontaktierungen erreichen.
  • Um eine elektrischen Verbindung zu erreichen, ist vorgesehen, von der Oberseite des Halbleiterbauelements aus, den Kopf des Verbindungsstiftes elektrisch mit dem Halbleiterbauelement zu verbinden, insbesondere mit dem Rand des Loches. Dies kann durch bekannte Bumptechnologien oder ein Ulltraschallverfahren wie das wedge bonden geschehen. Es ist jedoch auch möglich, die Verbindung der beiden Elemente lediglich mechanisch herzustellen. Dies kann sowohl am Kopf des Verbindungsstiftes am oberen Ende des Loches im Halbleiterbauelement aber auch zwischen Verbindungsstift und Trägerelement erfolgen. Denkbar sind hier Klebeverfahren, ein Einglasen oder auch ein Bondverfahren, bei dem die Verbindung keine elektrische Funktion ausübt.
  • In einer Ausgestaltung der Erfindung kann auch vorgesehen sein, dass die Kontaktierung des Verbindungsstifts direkt über in das Trägerelement eingebrachte Kontaktierungsflächen erfolgt, wobei eine Kontaktierung wie oben beschrieben erfolgen kann. Darüber hinaus kann auch vorgesehen sein, den Verbindungsstift gegenüber dem Trägerelement zu isolieren. Dies kann vor allem dann sinnvoll sein, wenn das Trägerelement elektrisch leitfähig ist. Wie bereits beschrieben, kann eine derartige Isolierung mittels eines Klebe- oder Einglasverfahrens ermöglicht werden.
  • Um eine Verdrehung des Halbleiterbauelements gegenüber dem Trägerelement zu verhindern, können in den Elementen mehrere Löcher mit Verbindungsstiften vorgesehen sein. Dabei können die verschiedenen Stifte neben einem Verdrehschutz auch dazu dienen, verschiedene elektrische Potentiale auf dem Halbleiterbauelement bereitzustellen oder Signale von einem auf dem Halbleiterbauelement befindlichen Sensorelement oder eine Schaltung abzurufen.
  • Besonders vorteilhaft ist eine Ausgestaltung der Erfindung, in der die Stifte äußerst schmal sind. Dabei ist vorgesehen, im Rahmen der mikromechanischen Herstellung von Sensoren, Stifte mit Durchmessern von 100 bis 300 μm zu verwenden.
  • Bei derartigen mikromechanischen Sensoren werden regelmäßig Auswerteschaltungen in das das Sensorelement enthaltene Halbleiterbauelement integriert. Zur Kontaktierung des Sensorelements und/oder der Auswerteschaltung mit dem Verbindungsstift ist vorteilhafterweise vorgesehen, eine elektrisch leitfähige Kontaktfläche, beispielsweise mittels einer Metallisierung in der Nähe des Lochs in das Halbleiterbauelement zu integrieren. In einer besonderen Ausgestaltung kann diese Kontaktfläche beispielsweise weitestgehend ringförmig um das Loch herum gestaltet sein. Eine derartige Ausgestaltung ermöglicht es, den Stift mittels eines Bumpverfahrens zu kontaktieren, ohne dass der Stift über die Oberfläche des Halbleiterbauelements hinaus ragt. Aber auch selbst wenn der Stift etwas heraus ragt, ermöglicht das vorgeschlagene Verfahren eine hinterschnittfreie Kontaktierung.
  • In einer Weiterbildung der Erfindung kann auch vorgesehen sein, dass die Verbindungsstifte schon fest mit der Trägerplatte verbunden erzeugt werden. Dies hat den Vorteil, dass ein Aufbringen des Halbleiterbauelements einfacher möglich ist, da durch die konische Form der Löcher im Halbleiterbauelement eine geringere Anforderung an das Aufeinanderbringen der beiden Elemente angelegt werden muss. Eine derartige Ausgestaltung erlaubt somit ein selbstzentrierendes Aufbringen des Halbleiterbauelements.
  • Als Trägerplatte kann eine Leiterplatte, eine Keramikplatte oder eine Metallplatte verwendet werden.
  • Wird das Halbleiterbauelement bzw. das Sensorelement mit einer Abdeckung versehen, z. B. einer Sealglaskappe, ergibt sich weiterhin eine äußerst kompakte Bauweise, da durch die erfindungsgemäße Kontaktierung ein denkbar klein integrierter Sensor erzeugt werden kann. Eine derartige Ausgestaltung der Erfindung erübrigt sich auch die ansonsten übrige Verpackung eines Sensorelements, z. B. durch ein Moldverfahren.
  • Neben der Anwendung bei Sensoren ist allgemein auch die Nutzung dieser Kontaktierung bei mikromechanischen Schaltungen, z. B. in Form von Asics möglich.
  • Weitere Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen bzw. aus den abhängigen Patentansprüchen.
  • Zeichnungen
  • In der 1 ist ein Vergleich der erfindungsgemäßen Verbindung mit einer Bondverbindung nach dem Stand der Technik dargestellt. 2 zeigt eine weitere Ausführung der erfindungsgemäßen Verbindung. Die 3a bis d zeigen ein mögliches Verfahren zur Herstellung eines Trägerelements mit integrierten Verbindungsstiften. Eine mögliche Verkappung des mit der erfindungsgemäßen Verbindung ausgestatteten Halbleiterbauelements ist in 4 abgebildet. 5 zeigt eine weitere mögliche Ausgestaltung der Erfindung, bei der die Kontaktstifte innerhalb der Löcher mit einem elastischen Material fixiert werden.
  • Ausführungsbeispiel
  • Bei der Kontaktierung von mikromechanischen Sensorelementen werden üblicherweise Bondverbindungen mit Bonddrähten verwendet, um eine elektrische Verbindung zwischen dem Sensorelement bzw. einer (Auswerte-)Schaltung und einem externen Anschluss zu ermöglichen. Eine derartige Kontaktierung ist in 1 auf der rechten Seite dargestellt. Dabei wird ein Halbleiterbauelement 110 in Form eines Drucksensorelements mittels einer Verbindungsschicht 160 (z. B. ein Kleber oder ein Lack) auf ein Trägerelement bzw. eine Leiterplatte aufgebracht, bevor eine elektrische Kontaktierung über einen Bonddraht auf das Halbleiterelement gebondet wird. Diese Verbindungsschicht 160 kann auch dazu dienen, bei einem Sensor das Sensorelement im Halbleiterbauelement 110 thermisch/mechanisch von der Trägerplatte 100 zu isolieren, so dass keine stressbedingten Störungen auf das Sensorelement wirken. Um das Halbleiterelement bzw. die darin befindlichen Sensorelemente zu schützen, ist oftmals vorgesehen, das Halbleiterelement mit einer schützenden Schicht 150 abzudecken. Dabei kann es bei der Verwendung einer Bonddrahtverbindung dazu kommen, dass das Halbleiterelement aufgrund der Abdeckung durch den Bonddraht 140 nicht vollständig mit der Schutzschicht bedeckt wird (siehe Bereich 170).
  • Demgegenüber zeigt die linke Seite der 1 die erfindungsgemäße Verbindung, bei der eine hinterschnittsfreie Kontaktierung möglich ist. Dazu wird ein Verbindungsstift 120 durch die Leiterplatte 100 und das Halbleiterelement 110 gesteckt, so dass der Verbindungsstift 120 nicht oder nur wenig über die Oberseite des Halbleiterelements 110 heraus ragt. Anschließend wird mittels einer standardmäßigen Bumptechnologie oder einem Ultraschallverfahren wie das wedge Bonding eine mechanische und/oder elektrische Verbindung z. B. über eine zusätzliche Verbindung 130 zwischen dem Verbindungsstift 120 und dem Halbleiterbauelement 110 hergestellt.
  • Die elektrische Kontaktierung ist beispielhaft in 2a sowie in einer Aufsicht in 2b dargestellt. Dabei ist in der Aufsicht deutlich zu erkennen, dass der Verbindungsstift 120 einen geringfügig kleineren Durchmesser als die obere Öffnung des Lochs 180 im Halbleiterbauelement 110 hat. Dieser Unterschied 185 ist jedoch so gering, dass eine Bewegung des Halbleiterbauelements 110 um den Stift 120 nur sehr beschränkt möglich ist. Weiterhin ist in der Aufsicht der 2b (Schnitt IIb gemäß 2a) zu erkennen, dass der Rand der oberen Öffnung des Lochs 180 mit einer elektrisch kontaktierbaren Fläche 190 ausgestattet ist. Im vorliegenden Fall handelt es sich bei der kontaktierbaren Fläche 190 um einen Ring, beispielsweise in Form einer Aluminiummetallisierung. Dabei besteht jedoch nicht die Notwendigkeit, dass diese Fläche die Öffnung des Lochs 180 vollständig umfassen muss.
  • Wie in den 1 und 2a auf der jeweiligen linken Seite zu sehen ist, kann vorgesehen sein, den Verbindungsstift 120 bzw. 125 nicht mit dem Trägerelement 100 zu verbinden. In einer derartigen Ausgestaltung der Erfindung wird die Positionierung des Halbleiterelements 110 auf dem Trägerelement 100 über eine Verbindungsschicht 160 festgelegt, die einen Kleber, ein Lot oder ein sonstiges Verbindungsmaterial aufweist. Demgegenüber kann jedoch auch vorgesehen sein, dass der Verbindungsstift 120 fest mit dem Trägerelement 100 verbunden ist (siehe Befestigung 195). Optional kann in einer derartigen Ausgestaltung der Erfindung auch die Verbindungsschicht 160 entfallen.
  • Eine weitere Ausführung der Erfindung ist ebenfalls auf der linken Seite der 2a abgebildet. Dabei endet der Verbindungsstift 125 auf der Höhe des Trägerelements 100. Durch eine derartige Versenkung des Stiftes 125 im Trägerelement 110 wird ein störendes Herausragen verhindert, so dass das Trägerelement flach montiert werden kann. Eine elektrische Kontaktierung des Stiftes 125 kann dabei ebenso wie an der oberen Öffnung des Loches 180 im Halbleiterbauelement 110 erfolgen. Alternativ ist jedoch auch möglich, dass der Spalt zwischen Stift 125 und Trägerelement 110 mit einem leitfähigen Material ausgefüllt wird, so dass eine Kontaktierung zu in dem Trägerelement integrierten Leiterbahnen möglich ist.
  • Aus der 2a ist auch ersichtlich, dass das Loch im Halbleiterbauelement 110 selbstjustierend, d. h. konisch bzw. trichterförmig nach oben ausgebildet ist. Eine derartige Ausgestaltung erleichtert das Durchstecken der Verbindungsstifte durch die Kombination aus Trägerelement 100 und Halbleiterbauelement 110, indem der Weg des Stiftes durch die konische Form des Loches 180 geführt wird. Durch diese Ausführung des Loches 180 ist auch das Aufbringen des Halbleiterbauelements 110 auf ein mit fest verbundenen Verbindungsstiften 120 versehenes Trägerelement 110 mit einem geringeren Positionierungsaufwand möglich.
  • Beim Durchstecken der Verbindungsstifte 120 und 125 durch das Trägerelement 100 und/oder das Halbleiterbauelement 110 kann auch eine Schablone zum Einsatz kommen, auf der die Stifte fixiert werden. So kann im weiteren Prozessverlauf die Schablone nach der Kontaktierung mit dem Halbleiterbauelement 110 entfernt werden, so dass die Stifte direkt aus der Rückseite des Halbleiterbauelements herausragen. Eine ähnliche Vorgehensweise kann auch mit dem Trägerelement 100 verfolgt werden.
  • In einem weiteren Ausführungsbeispiel kann auch vorgesehen sein, die Verbindungsstifte 120 bzw. 340 direkt auf der Trägerplatte 100 bzw. 300 zu erzeugen. Zu diesem Zweck wird gemäß 3a auf eine mit Löchern versehene Leiterplatte 300 eine Maskenschicht 310 aufgebracht, die derart strukturiert wird, dass Ausnehmungen 320 für die nachfolgend zu bildenden Stifte 340 erzeugt werden. Wie in 3b dargestellt, werden die Ausnehmungen mit einem leitfähigen Material 330 verfüllt. Anschließend wird das überschüssige leitfähige Material 330 abgetragen, so dass nur noch die Maskenschicht 310 mit den verfüllten Ausnehmungen zurück bleibt. Nach Entfernung der Maskenschicht 310 bleiben die fest mit der Trägerplatte 100 verbundenen Stifte 340 zurück.
  • Um einen elektrischen Kurzschluss zwischen Stift 120 und Innenseite des Lochs 180 bzw. elektrisch leitfähiger Trägerplatte 100 zu verhindern, kann in einem weiteren Ausführungsbeispiel vorgesehen sein, die Stifte 120 mit einer elektrisch isolierenden Schicht zu versehen. Diese Schicht kann an bestimmten Stellen zur Durchführung einer Kontaktierung nachträglich wieder entfernt werden, beispielweise durch eine Kappung des Stifts 120 am oberen Ende oder ein Aufschmelzen der Schutzschicht während des Bondens.
  • Alternativ ist auch denkbar, die Innenseite des Lochs 180 mit einer Schutzschicht zu versehen. Dabei kann beispielsweise gleichzeitig die Rückseite und die Wand des Loches 180 mittels eines TEOS Prozesses passiviert werden. Vorteilhafterweise wird dabei eine gleichmäßige Dicke der Schutzschicht aufgetragen.
  • In 4 ist eine weitere Verwendung der erfindungsgemäßen Verbindung dargestellt. So kann die beschriebene Rückseitenkontaktierung und die Vermeidung von Bonddrähten dazu genutzt werden, auf den Halbleiterchip eine Sealglaskappe 400 aufzubringen. Durch eine derartige Sealglaskappe 400 kann das im Halbleiterbauelement 100 befindliche Sensorelement 420, welches beispielsweise eine Membran 200 für einen Membransensor oder ein schwingungsfähiges Gebilde für einen Drehraten- oder Beschleunigungssensor sein kann, vor schädlichen Umwelteinflüssen geschützt werden, beispielsweise indem ein hermetische Einschluss erzeugt wird. Neben der Kappe 400 hängt der Schutz des Sensorelements auch von der Anbindung 410 ab, die entsprechend gewählt werden muss. So kann die Anbindung beispielsweise mittels eines ringsum laufenden Klebewalls oder eines mit dem Halbleiterbauelement 110 verbundenen starren Rings erfolgen, auf den jeweils die Kappe 400 aufgebracht wird.
  • Eine weitere mögliche Ausführungsform ist in 5 dargestellt. Dabei werden die Verbindungsstifte 520 wie oben bereits ausgeführt, mit einem Trägerelement 500, beispielsweise einem Substrat oder einer Leiterplatte verbunden. Anschließend wird das Halbleiterbauelement 510 mit seinen konischen Löchern 530 derart auf das Trägerelement 500 aufgebracht, dass die Stifte 520 durch die Löcher 530 geführt werden. Dabei können die Löcher 530 vor oder nach dem Aufbringen mit einem Kleber, einem Lack, einem Gel, Silicon oder allgemein mit einem elastischen Material gefüllt werden, welches die Funktion einer Zugentlastung übernimmt. Mit einer derartigen Verfüllung kann das Halbleiterbauelement 510 relativ zu den Verbindungsstiften 520 fixiert werden. Durch eine derartige Fixierung können mechanische Spannungen, die im Trägerelement/Substrat vorliegen und durch die Kontaktierung der Rückseite der Verbindungsstifte 520 mit dem Trägerelement/Substrat 500 auf die Stifte selbst wirken können, direkt über die Stifte abgebaut werden.
  • Ein derartiges Verfüllen der Löcher kann alternativ zu der Passivierung mittels HMDS-Beschichtung erfolgen. Dabei kann auch vorgesehen sein, dass nur der obere Teil des Loches 530 mit dem aufgeführten Material verfüllt wird.
  • Eine Kontaktierung der Stifte an der Oberseite des Halbleiterbauelements erfolgt wie bereits bei den vorherigen Ausführungsbeispielen geschildert. Dabei können die Verbindungsstifte 520 wie in 5 dargestellt, sowohl etwas über das Halbleiterbauelement 510 herausschauen als auch nahezu bündig mit ihm abschließen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - EP 526992 A2 [0002]

Claims (17)

  1. Verbindung eines Halbleiterbauelements mit einem Trägerelement, wobei das Halbleiterbauelement (110, 510) und das Trägerelement (100, 500) – jeweils wenigstens ein Loch (180, 530) aufweisen und – übereinander angeordnet sind, wobei die Verbindung mittels wenigstens eines Verbindungsstifts (120, 125, 520) erfolgt, der durch beide Löcher geführt ist, dadurch gekennzeichnet, dass das wenigstens eine Loch des Halbleiterbauelements ausgehend von der Rückseite des Halbleiterbauelement zu der dem Trägerelement abgewandten Oberseite hin konisch geformt ist und an seinem kleinsten Durchmesser geringfügig größer als der Durchmesser des Verbindungsstifts ist.
  2. Verbindung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände des Lochs des Halbleiterbauelements und/oder der Verbindungsstift eine elektrisch isolierende Schicht aufweisen.
  3. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsstift an der Oberseite des Halbleiterbauelements elektrisch und/oder mechanisch mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Verbindungsstift maximal nur unwesentlich über die Oberseite des Halbleiterbauelements hinaus ragt.
  4. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsstift elektrisch von dem Trägerelement isoliert ist.
  5. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsstift mechanisch fest mit dem Trägerelement verbunden ist, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass der Verbindungsstift in das Trägerelement geklebt ist.
  6. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass wenigstens zwei Löcher mit Verbindungsstiften im Halbleiterbauelement und dem Trägerelement vorgesehen sind, die ein Verdrehen des Halbleiterbauelements gegenüber dem Trägerelement verhindern.
  7. Verbindung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass – das Halbleiterbauelement ein Sensorelement (200, 420) aufweist, und/oder – das Trägerelement Kunststoff, Keramik, Glas, Silizium oder Metall aufweist, und/oder – der wenigstens eine Verbindungsstift – einen Durchmesser von 100 μm bis 300 μm aufweist, und/oder – mittels eines Klebers oder einer elektrischen Verbindung (130) mit dem Halbleiterbauelement verbunden ist.
  8. Verbindung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass – das Sensorelement oder – eine auf dem Halbleitbauelement befindliche Schaltung, insbesondere eine dem Sensorelement zugeordnete Auswerteschaltung, mittels des Verbindungsstiftes mit einer elektrischen Kontaktfläche kontaktiert wird, die sich – in dem Trägerelement oder – auf der dem Halbleiterbauelement abgewandten Seite des Trägerelements, insbesondere rings um das Loch, befindet.
  9. Verbindung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass auf dem Halbleiterbauelement (110) ein Kappenelement (400) aufgebracht ist, wobei das Kappenelement (400) das in dem Halbleiterbauelement befindliche Sensorelement (420) einschließt, wobei insbesondere vorgesehen ist, dass dieser Einschluss hermetisch gegenüber der Umgebung erfolgt.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Trägerplatte zur Verwendung in einer Verbindung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, mit den Schritten – Aufbringen einer Maskierungsschicht (310) auf wenigstens einer Seite des Trägerelements (300) und – Erzeugung wenigstens einer durchgehenden Öffnungen (320) in der Maskierungsschicht und des Trägerelements und – Verfüllen der wenigstens einen Öffnung mit einem elektrisch leitfähigen Material (330, 340) zur Bildung eines fest mit dem Trägerelement verbundenen Verbindungsstifts (340) und – Entfernen der Maskierungsschicht.
  11. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements zur Verwendung in einer Verbindung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei das wenigstens eine konische Loch (180, 530) im Halbleiterbauelement (110, 510) mittels eines Trenchverfahrens erzeugt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Wände im Loch des Halbleiterbauelements passiviert werden, wobei insbesondere vorgesehen ist, die Wände des Lochs mit einem TEOS Prozess zu passivieren.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung der Verbindung – in einem ersten Schritt das Halbleiterbauelement auf die Vorderseite des Trägerelements (100, 500) derart aufgebracht wird, dass die jeweiligen Löcher deckungsgleich übereinander liegen, und – in einem zweiten Schritt der Verbindungsstift (120, 125, 520) von der Rückseite des Trägerelements in das von beiden Elementen gebildete gemeinsame Loch eingeführt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 10 und 13, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung der Verbindung der wenigstens eine Verbindungsstift des Trägerelements in das konisch geformte Loch des Halbleiterbauelement eingeführt wird.
  15. Verfahren nach Anspruch 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Verbindungsstift derart in das Loch des Halbleiterbauelements eingeführt wird, dass sich der Verbindungsstift maximal nur unwesentlich über der dem Trägerelement abgewandten Seite der Oberfläche des Halbleiterbauelements erhebt.
  16. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass – der Rand des Loches auf der Oberseite des Halbleiterbauelements eine Kontaktierungsfläche (190) aufweist, insbesondere eine den gesamten Rand des Loches umfassende Kontaktierungsfläche, und – der Verbindungsstift mit dieser Kontaktierungsfläche elektrisch verbunden wird.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 13 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Verbindungsstift elektrisch von der Trägerplatte isoliert wird.
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