DE102007029822A1 - Interferometer for linear measurements, comprises light source for emitting coherent light, and detectors for measuring intensity of light, where interferometer is standing wave interferometer - Google Patents

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Abstract

The interferometer comprises a light source (2) for emitting coherent light. Two detectors (6,9) are provided for measuring an intensity of light. Former detector is a photodiode that is made of an organic material. The interferometer is a Michelson interferometer. The interferometer is a standing wave interferometer. The photodiode has two electrodes. A layer that is made from an organic material, is formed between the two electrodes.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Interferometer nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.The The present invention relates to an interferometer according to the preamble of claim 1

Interferometer werden allgemein verwendet, um Längenmessungen über einen großen Bereich mit Nanometer-Präzision durchzuführen. Bei den Interferometern werden Laser als Lichtquellen verwendet, wegen deren großer Kohärenzlängen des emittierten Lichts.interferometer are commonly used to measure length over a huge Range with nanometer precision perform. Interferometers use lasers as light sources because of their great Coherence lengths of the emitted light.

Es sind verschiedene Aufbauten von Interferometern bekannt. Der Typ des Interferometers von Michelson ist am gebräuchlichsten. Bei diesem Interferometer wird die Interferenz von zwei Laserstrahlen ausgenutzt, die sich in derselben Richtung ausbreiten. Es wird ein Lichtstrahl auf einen teildurchlässigen Spiegel gerichtet, so dass ein Teil des Lichtes reflektiert wird in eine gegenüber der Einfallsrichtung des Lichtes um 90 Grad versetzte Richtung. Das Licht, das durch den teildurchlässigen Spiegel wird anschließend an einem Spiegel vollständig reflektiert und tritt aus der anderen Richtung wieder auf den teildurchlässigen Spiegel auf und wird von diesem teildurchlässigen Spiegel ebenfalls in die Richtung gelenkt, in die auch das bereits beim Auftreffen des Ausgangslichtstrahls reflektierte Licht gelenkt wurde. Zwischen diesem sofort reflektierten Licht und dem Licht, das zuerst durch den teildurchlässigen Spiegel hindurchgetreten ist und erst auf dem Rückweg reflektiert wurde, kommt es zu Interferenzen. Die messbaren Intensitäten hängen ab von dem Abstand des teildurchlässigen Spiegels zu dem Spiegel, an dem das durch den teildurchlässigen Spiegel hindurch getretene Licht reflektiert wurde. Abhängig von diesem Abstand ergeben sich Phasenverschiebungen zwischen dem unmittelbar reflektierten Licht und dem Licht, das zunächst durch den teildurchlässigen Spiegel hindurchgetreten ist.It Various structures of interferometers are known. The guy Michelson's interferometer is the most common. In this interferometer the interference of two laser beams is used spread in the same direction. It gets a ray of light on one partially transmitting Mirror directed so that part of the light is reflected in one opposite the direction of incidence of the light by 90 degrees offset direction. The light that passes through the partially transmissive mirror is subsequently connected to a mirror completely reflects and returns from the other direction back to the partially transparent mirror on and off of this partially transmissive mirror also in The direction is directed, in which also already when hitting the output light beam reflected light was directed. Between this immediately reflected Light and the light that first passed through the partially transmissive mirror is and only on the way back reflected, interference occurs. The measurable intensities depend on from the distance of the partially transparent Mirror to the mirror, where the through the partially transparent mirror passed through light was reflected. Depending on this distance result phase shifts between the immediately reflected Light and the light, the first through the partially permeable Mirror has passed through.

Eine Alternative für hochpräzise Längenmessungen ist das so genannte stehende-Wellen-Interferometer. Dieses verwendet die Interferenz von zwei Laserstrahlen, die in entgegengesetzten Richtungen verlaufen, so dass die sich überlagernden Wellen eine stehende Welle bilden. Das stehende-Wellen-Interferometer ist wegen seines einfachen Aufbaus in der Anwendung sehr interessant. Das optische System besteht lediglich aus einem Laser, einem beweglichen Spiegel und einem durchsichtigen Photodetektor. All die Bauteile sind auf einer optischen Achse angebracht, so dass die optische Ausrichtung äußerst einfach ist.A alternative for high-precision length measurements is the so-called standing wave interferometer. This used the interference of two laser beams in opposite directions Directions are such that the overlapping waves are standing Forming a wave. The standing wave interferometer is because of its simple construction very interesting in the application. The optical system only exists from a laser, a moving mirror and a transparent photodetector. All the components are mounted on an optical axis, so that the optical alignment extremely easy is.

Das Funktionsprinzip des stehende-Wellen-Interferometers basiert darauf, die gebildete stehende Welle mit Hilfe von zwei durchsichtigen Photodioden abzutasten. Die stehende Welle wird durch einen Laser erzeugt, der senkrecht zu der Fläche eines beweglichen Spiegel angeordnet ist. Das Intensitätsprofil der stehenden Welle enthält Minima und Maxima, mit einer Periodizität von λ/2 entlang der optischen Achse (λ: Wellenlänge des verwendeten Lasers). Mit Hilfe von Photodioden wird dieses Intensitätsprofil vermessen. Eine wichtige Rolle im stehende-Wellen-Interferometer spielen die transparenten Photodioden. Der Anmelderin sind in diesem Zusammenhang lediglich Photodioden als Detektoren bekannt, die auf anorganischen Halbleitern beruhen, wie beispielsweise a-Si:H.The Operating principle of the standing wave interferometer is based on the formed standing wave with the help of two transparent photodiodes scan. The standing wave is generated by a laser, the perpendicular to the surface a movable mirror is arranged. The intensity profile contains the standing wave Minima and maxima, with a periodicity of λ / 2 along the optical axis (λ: wavelength of the used laser). With the help of photodiodes this intensity profile becomes measured. An important role in standing wave interferometer play the transparent photodiodes. The applicant is in this Relation only photodiodes known as detectors on based inorganic semiconductors, such as a-Si: H.

Um die Kosten eines Interferometersystems möglichst niedrig zu halten, verwendet man günstige kohärente Lichtquellen (Laser). Dies sind zum Beispiel HeNe-Laser oder frequenzverdoppelte Nd:YAG Laser. In Kombination mit anorganischen Photodetektoren wird ein HeNe-Laser (Wellenlänge λ = 632,8 nm) verwendet, da die Transmission der Detektoren bei dieser Wellenlänge sehr hoch ist (ca. 70%).Around keep the costs of an interferometer system as low as possible you use cheap coherent light sources (Laser). These are, for example, HeNe lasers or frequency doubled ones Nd: YAG laser. In combination with inorganic photodetectors a HeNe laser (wavelength λ = 632.8 nm) used because the transmission of the detectors at this wavelength very is high (about 70%).

Allerdings ist die Effizienz dieser Systeme mit 1,4% sehr gering. Um das Verhältnis von Transmission zur Effizienz zu optimieren, kann man entweder die Wellenlänge des Lasers oder die Absorptionseigenschaften der Photodetektoren ändern. Eine Optimierung der Laserwellenlänge ist zwar grundsätzlich möglich, aber mit großem Aufwand und entsprechend hohen Kosten verbunden, sodass diese Lösung ausscheidet. Das Absorptionsspektrum des anorganischen Halbleiters Silizium kann nicht ohne weiteres verschoben werden.Indeed the efficiency of these systems is very low at 1.4%. To the ratio of To optimize transmission efficiency, you can either use the wavelength change the laser or the absorption properties of the photodetectors. An optimization the laser wavelength is basically possible, but with great Expense and correspondingly high costs connected, so that eliminates this solution. The absorption spectrum of the inorganic semiconductor silicon can not be moved easily.

Damit sind den Möglichkeiten der Optimierung von Transmission und Absorption bei den bekannten Interferometern Grenzen gesetzt.In order to are the possibilities the optimization of transmission and absorption in the known Interferometers set limits.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, die bekannten Interferometer zu verbessern.Of the The present invention is based on the object, the known To improve interferometer.

Diese Aufgabe wird nach der vorliegenden Erfindung nach Anspruch 1 gelöst, indem der Detektor eine Photodiode aus organischem Material ist.These The object is achieved according to the present invention according to claim 1, by the detector is a photodiode of organic material.

Photodioden auf der Basis von organischen Halbleitermaterialien bieten die Möglichkeit, großflächige Photodioden mit hohen Quanteneffizienzen (50 bis 85%) im sichtbaren Bereich des Spektrums herzustellen. Die hierbei eingesetzten dünnen organischen Schichtsysteme können mit bekannten Herstellungsverfahren wie Spin-Coating, Rakeln oder Druckverfahren kostengünstig hergestellt werden und ermöglichen so einen Preisvorteil, vor allem für größerflächige Photodioden.photodiodes based on organic semiconductor materials offer the possibility large-area photodiodes with high quantum efficiencies (50 to 85%) in the visible range of the spectrum. The thin organic used here Layer systems can with known manufacturing processes such as spin coating, doctor blading or printing process economical be produced and enable such a price advantage, especially for larger area photodiodes.

Die organischen Photodioden bestehen beispielsweise aus einem vertikalen Schichtsystem: ITO-Elektrode/Lochleiter/P3HT-PCBM-Elend/Ca-Ag-Elektrode. Der Elend aus den beiden Komponenten P3HT (Absorber- und Lochtransportkomponente) und PCBM (Elektronenakzeptor und -transportkomponente) wirkt hierbei als sog. "Hulk-Heterojunction", d. h. die Trennung der Ladungsträger erfolgt an den Grenzflächen der beiden Materialien, die sich innerhalb des gesamten Schichtvolumens ausbilden.The organic photodiodes consist for example of a vertical layer system: ITO electrode / Lochlei ter / P3HT PCBM misery / Ca-Ag electrode. The misery of the two components P3HT (absorber and hole transport component) and PCBM (electron acceptor and transport component) acts as a so-called "Hulk heterojunction", ie the separation of the charge carriers occurs at the interfaces of the two materials, which are within the entire Training layer volume.

Organische Halbleiter bieten die Möglichkeit, eine spektrale Anpassung des Absorptionsspektrums durchzuführen. Dies bedeutet, daß das Absorptionsspektrum auf den eingesetzten Laser optimiert werden kann. Dies ist ein besonderer Vorteil gegenüber dem Stand der Technik. Bei der Verwendung von anorganischen Halbleitern ist dies nicht so ohne weiteres möglich. Durch die Verwendung der organischen Photodioden, wird es beispielsweise möglich, einen frequenzverdoppelten Nd:YAG-Laser als Lichtquelle zu verwenden (Wellenlänge: λ = 532 nm), da organische semitransparente Photodioden bei dessen Wellenlängen gleichzeitig eine große Absorption (hohe Quanteneffizienz) aber auch eine hohe und einfach anpassbare Transmission zeigen. Ein solches Vorgehen ist mit anorganischen Halbleitermaterialien nicht möglich.organic Semiconductors offer the option of one spectral adjustment of the absorption spectrum. This means that Absorption spectrum can be optimized for the laser used can. This is a particular advantage over the prior art. This is not the case when using inorganic semiconductors so easily possible. For example, by using the organic photodiodes possible, one frequency-doubled Nd: YAG laser to be used as light source (wavelength: λ = 532 nm), because organic semitransparent photodiodes at its wavelengths simultaneously a big Absorption (high quantum efficiency) but also a high and easy show adaptable transmission. Such a procedure is with inorganic Semiconductor materials not possible.

Der Einsatz von organischen Photodetektoren statt anorganischen ermöglicht einen Preisvorteil in den Herstellungskosten.Of the Use of organic photodetectors instead of inorganic allows one Price advantage in the production costs.

Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 2 ist das Interferometer ein Michelson-Interferometer.at the embodiment according to claim 2, the interferometer is a Michelson interferometer.

Bei dieser Ausgestaltung wird das bekannte Interferometer durch die spektrale Anpassung in seinen Einsatzmöglichkeiten verbessert.at This configuration is the well-known interferometer by the Spectral adaptation improved in its applications.

Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 3 ist das Interferometer ein „stehende-Welle-Interferometer".at the embodiment according to claim 3, the interferometer is a "standing wave interferometer".

Diese Art von Interferometern besitzt gegenüber den Michelson-Interferometern den Vorteil, dass lediglich eine optische Achse vorhanden ist und dass weniger zusätzliche Bestandteile wie Spiegel und Strahlteiler benötigt werden.These Type of interferometers has opposite the Michelson interferometers the advantage that only one optical axis is present and that less extra Components such as mirrors and beam splitters are needed.

Bei diesem Interferometer erweist es sich als vorteilhaft, dass durch die organischen Photodetektoren eine Anpassbarkeit der Wellenlängenbereiche möglich wird, die für anorganische Photodetektoren nicht zugänglich sind. Die Hauptgründe dafür liegen in der spektralen Anpassbarkeit und der einfachen Kontrolle der Transparenz von organischen Photodetektoren.at This interferometer, it proves to be advantageous that the organic photodetectors allow adaptability of the wavelength ranges, the for inorganic photodetectors are not accessible. The main reasons are in spectral adaptability and easy control of transparency of organic photodetectors.

Dies liegt insbesondere daran, dass Photodetektoren auf Basis organischer Halbleiter mit einfachen Verfahren als semitransparente Photodioden herstellbar sind. Die Prozessierungstechnologien organischer Materialien, wie z. B. Spin-Coating, ermöglicht es, sehr dünne Schichten herzustellen und in gewissen Grenzen deren Dicke einzustellen. Durch die Reduktion der Schichtdicke kann die Transmission erhöht werden.This This is mainly due to the fact that photodetectors based on organic Semiconductors with simple methods as semitransparent photodiodes produced are. The processing technologies of organic materials, such as z. B. spin coating enabled it, very thin Produce layers and adjust their thickness within certain limits. By reducing the layer thickness, the transmission can be increased.

Bei der Ausgestaltung nach Anspruch 4 weist die Photodiode zwei Elektroden auf, zwischen denen sich eine Schicht aus einem organischen Material befindet, dass photoaktiv ist, sowie eine weitere organische Schicht, die als Lochleiter wirkt.at the embodiment according to claim 4, the photodiode comprises two electrodes on, between which is a layer of an organic material that is photoactive, as well as another organic layer, which acts as a hole conductor.

Durch die weitere organische Schicht wird vorteilhaft die Quanteneffizienz verbessert.By the further organic layer will favor the quantum efficiency improved.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt. Es zeigt dabei:One embodiment the invention is shown in the drawing. It shows:

1 eine Prinzipdarstellung eines Michelson-Interferometers, 1 a schematic diagram of a Michelson interferometer,

2 eine Prinzipdarstellung eines „stehende-Wellen-Interferometers", 2 a schematic diagram of a "standing wave interferometer",

3 eine Prinzipdarstellung eines „stehende-Wellen-Interferometers" mit zwei Photodetektoren, 3 a schematic diagram of a "standing wave interferometer" with two photodetectors,

4 den Aufbau einer organischen Photodiode und 4 the construction of an organic photodiode and

5 das Transmissionsspektrum einer organischen Photodiode. 5 the transmission spectrum of an organic photodiode.

1 zeigt die Prinzipdarstellung eines Michelson-Interferometers. Die Strahlteilung geschieht mittels eines halbdurchlässigen Spiegels 1. Der von der Lichtquelle 2 ausgehende Strahl 3 wird am halbdurchlässigen (semitransparenten) Spiegel (Strahlteiler) 1 teils durchgelassen (strichliniert), teils jedoch um 90 Grad reflektiert (strichpunktiert). 1 shows the schematic diagram of a Michelson interferometer. The beam splitting is done by means of a semitransparent mirror 1 , The one from the light source 2 outgoing beam 3 becomes at the semitransparent (semitransparent) mirror (beam splitter) 1 partly transmitted (dashed), but partly reflected by 90 degrees (dot-dashed).

Der durchgelassene und der reflektierte Strahl treffen nun jeweils auf einen (undurchlässigen) Spiegel 4 und 5 und werden wieder auf den Strahlteiler 1 zurück reflektiert. Von dort aus werden die beiden Strahlen zusammengeführt und laufen entlang derselben Strecke 7, wobei die beiden Teilwellen interferieren. Die Photodiode 6 detektiert diese Interferenzmuster.The transmitted and the reflected beam now each hit an (opaque) mirror 4 and 5 and get back to the beam splitter 1 reflected back. From there, the two beams are merged and run along the same route 7 , where the two partial waves interfere. The photodiode 6 detects these interference patterns.

In der 1 sind die Lichtwege einfallender und reflektierter Lichtstrahlen aus Gründen der Übersichtlichkeit mit geringem Abstand nebeneinander dargestellt, auch wenn diese eigentlich übereinander liegen.In the 1 For reasons of clarity, the light paths of incident and reflected light beams are shown side by side at a small distance, even if they are actually superimposed.

2 zeigt den prinzipiellen Aufbau eines stehende-Wellen-Interferometers. Es ist wiederum eine Lichtquelle 2 zu sehen, sowie ein vollständig reflektierender Spiegel 5, dessen Position in Richtung der Lichtquelle 2 veränderbar ist. Wegen der Kohärenzlänge des Lichtes der Lichtquelle 2 kommt es zwischen der einlaufenden und der reflektierten Licht zu einer Überlagerung, so dass sich zwischen der Lichtquelle 2 und dem Spiegel 5 eine stehende Welle 8 ausbildet. Mittels der Photodiode 6 wird die Lichtintensität am Punkt der Photodiode gemessen. 2 shows the basic structure of a standing wave interferometer. It is again a light source 2 to see, as well as a completely reflecting mirror 5 whose position is in the direction of the light source 2 is changeable. Because of the coherence length of the light of the light source 2 it comes between the incoming and the reflected light to a superposition, so that between the light source 2 and the mirror 5 a standing wave 8th formed. By means of the photodiode 6 the light intensity is measured at the point of the photodiode.

Mit einer einzelnen optischen Achse und nur drei optischen Komponenten ist das Gerät einfacher und robuster als ein konventionelles Interferometer von Michelson oder ähnlichem Typ. Wegen dieses ohnehin schon einfachen Aufbaus und insbesondere auch wegen der Möglichkeit, den Photodetektor 6 mit ebenfalls einfach beherrschbaren Verfahrensschritten aus organischem Material und semitransparent aufbauen zu können, eignet sich ein solches Interferometer in besonderer Weise dazu, um gemäß der vorliegenden Erfindung mit einem oder mehreren Photodetektoren aus organischem Material ausgestattet zu werden. Damit lassen sich Längenmessungen mit Nanometer-Präzision durchführen, wobei die Herstellungskosten niedrig sind und das optische Spektrum über einen großen Wellenlängenbereich angepasst werden kann.With a single optical axis and only three optical components, the device is simpler and more robust than a conventional Michelson or similar type of interferometer. Because of this already simple structure and in particular because of the possibility of the photodetector 6 With an equally easy-to-handle process steps made of organic material and semitransparent to build, such an interferometer is particularly suitable to be equipped according to the present invention with one or more photodetectors of organic material. This allows length measurements to be performed with nanometer precision, whereby the production costs are low and the optical spectrum can be adapted over a wide wavelength range.

3 zeigt ein stehende-Wellen-Interferometer unter Verwendung von zwei Photodioden 6 und 9, um Minima 12 und Maxima 11 in der erzeugten stehenden Welle zu detektieren. Mit zwei Photodioden kann der Kurvenverlauf der Intensität gemessen werden. In 3 ist der Kurvenverlauf 10 der Intensität dargestellt. Da sich die Intensität aus dem Quadrat der örtlichen Auslenkung ergibt, hat der Intensitätsverlauf die doppelte Frequenz zum Verlauf des Lichtes. Deswegen ist auch der Abstand zwischen zwei Maxima des Intensitätsverlaufes mit dem Abstand λ/2 angegeben. Die stehende Welle entsteht durch Interferenz von zwei in entgegengesetzter Richtung laufenden Lichtstrahlen. 3 shows a standing wave interferometer using two photodiodes 6 and 9 to minima 12 and maxima 11 to detect in the generated standing wave. With two photodiodes, the curve of the intensity can be measured. In 3 is the curve 10 the intensity shown. Since the intensity results from the square of the local excursion, the intensity course has twice the frequency to the course of the light. Therefore, the distance between two maxima of the intensity curve is given with the distance λ / 2. The standing wave is caused by the interference of two light beams running in the opposite direction.

Die dargestellte Lichtquelle 2 kann beispielsweise eine HeNe-Laser sein.The illustrated light source 2 For example, it can be a HeNe laser.

4 zeigt beispielhaft den Aufbau einer organischen Photodiode 6. Gezeigt ist ein Schichtaufbau mit zwei aktiven organischen Schichten: einem Lochtransporter 13 und der eigentlichen photoleitfähigen Schicht 14. Zusätzlich zu den hier gezeigten Schichten wird das Bauteil noch mittels einer Verkapselung geschützt. Die photoleitfähige organische Schicht 14 kann eine sog. Bulk-Heterojunction sein, z. B. realisiert als Blend aus einem lochtransportierenden Polythiophen und einem elektronentransportierenden Fulleren-Derivat. Mit der Bezugsziffer 15 ist die obere Elektrode bezeichnet, die beispielsweise als Ca/Ag, Al oder ITO Schicht ausgebildet sein kann. Mit der Bezugsziffer 16 ist die untere Elektrode bezeichnet, die beispielsweise als ITO Schicht oder aus einem Metall gebildet sein kann. Mit der Bezugsziffer 17 ist eine Trägerschicht bezeichnet. Außerdem ist mit der Bezugsziffer 18 noch eine Strom- bzw. Spannungsquelle bezeichnet, die zwischen die Elektroden 15 und 16 geschaltet ist. 4 shows by way of example the structure of an organic photodiode 6 , Shown is a layer structure with two active organic layers: a hole transporter 13 and the actual photoconductive layer 14 , In addition to the layers shown here, the component is still protected by an encapsulation. The photoconductive organic layer 14 may be a so-called bulk heterojunction, e.g. B. realized as a blend of a hole-transporting polythiophene and an electron-transporting fullerene derivative. With the reference number 15 is denoted the upper electrode, which may be formed, for example, as Ca / Ag, Al or ITO layer. With the reference number 16 is referred to as the lower electrode, which may be formed, for example, as an ITO layer or of a metal. With the reference number 17 is called a carrier layer. In addition, with the reference number 18 nor a current or voltage source called, between the electrodes 15 and 16 is switched.

5 zeigt in dem oberen der beiden Diagramme die Transmission in Prozent und in dem unteren der beiden Diagramme die externe Quanteneffizienz einer semitransparenten organi schen Photodiode in Prozent dargestellt. Die Größen sind über der Wellenlänge in nm aufgetragen. Es handelt sich bei den gemessenen Werten um eine Photodiode mit folgendem Aufbau: Die Dicke der Halbleiterschicht beträgt 80 nm. Die Top-Elektrode besteht aus 3 nm Ca und 10 nm Ag. Bei einer Wellenlänge von 632,8 nm ergibt sich eine Transmission von ca. 40% bei einer Quanteneffizienz von 10%. Verglichen mit den weiter oben erwähnten Werten für anorganische Photodetektoren ergibt sich damit ein deutlich besserer Arbeitsbereich. Durch den Einsatz von durchsichtigen, elektrisch leitenden Oxiden als Elektroden (z. B. LiF/ITO) kann die Transmission weiter erhöht werden, ohne die Quanteneffizienz zu beeinflussen. 5 shows in the upper of the two diagrams the transmission in percent and in the lower of the two diagrams the external quantum efficiency of a semitransparent organic photodiode shown in percent. The sizes are plotted over the wavelength in nm. The measured values are a photodiode with the following structure: The thickness of the semiconductor layer is 80 nm. The top electrode consists of 3 nm Ca and 10 nm Ag. At a wavelength of 632.8 nm results in a transmission of about 40% at a quantum efficiency of 10%. Compared with the above-mentioned values for inorganic photodetectors, this results in a significantly better working range. Through the use of transparent, electrically conductive oxides as electrodes (eg LiF / ITO), the transmission can be further increased without influencing the quantum efficiency.

Claims (4)

Interferometer, bestehend aus einer Lichtquelle (2) zur Emission kohärenten Lichts sowie einem Detektor (6, 9) zur Messung der Intensität des Lichts, dadurch gekennzeichnet, dass der Detektor (6, 9) eine Photodiode aus organischem Material (14) ist.Interferometer, consisting of a light source ( 2 ) for the emission of coherent light and a detector ( 6 . 9 ) for measuring the intensity of the light, characterized in that the detector ( 6 . 9 ) a photodiode of organic material ( 14 ). Interferometer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Interferometer ein Michelson-Interferometer ist.Interferometer according to claim 1, characterized that the interferometer is a Michelson interferometer. Interferometer nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Interferometer ein „stehende-Welle-Interferometer" ist.Interferometer according to claim 1, characterized that the interferometer is a "standing wave interferometer". Interferometer nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Photodiode (6, 9) zwei Elektroden (15, 16) aufweist, zwischen denen sich eine Schicht (14) aus einem organischen Material befindet, dass photoaktiv ist sowie eine weitere organische Schicht (13), die als Lochleiter wirkt.Interferometer according to one of claims 1 to 3, characterized in that the photodiode ( 6 . 9 ) two electrodes ( 15 . 16 ), between which a layer ( 14 ) is made of an organic material that is photoactive as well as another organic layer ( 13 ), which acts as a hole conductor.
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