DE102006053942A1 - Donor-semiconductor disk regenerating method, involves polishing damaged and polished side surfaces of semiconductor disk, polishing edge of disk before polishing side surfaces, and extracting disk from mono-crystal of silicon - Google Patents

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Abstract

The method involves separating a layer of a donor-semiconductor disk produced by application of ion implantation. Side surface of the donor-semiconductor disk lying opposite to a damage side surface is polished. The damaged and the polished side surfaces are alone polished. An oxide layer is removed from the donor-semiconductor disk before polishing the side surfaces. An edge of the donor-semiconductor disk is polished before polishing the side surfaces. The donor-semiconductor disk is extracted from a mono-crystal of silicon. An independent claim is also included for a regenerated donor-semiconductor disk exhibiting characteristics.

Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Regenerieren einer Donor-Halbleiterscheibe mit beschädigter Seitenfläche, die zurückbleibt, nachdem eine unter Anwendung von Ionenimplantation erzeugte Schicht von der Donor-Halbleiterscheibe abgetrennt wird. Gegenstand der Erfindung ist auch eine regenerierte Donor-Halbleiterscheibe.object The invention is a method for regenerating a donor wafer with damaged ones Side surface which lags behind after a layer produced using ion implantation is separated from the donor wafer. Subject of the Invention is also a regenerated donor wafer.

Das bekannteste Beispiel, bei dem eine solche Donor-Halbleiterscheibe als wiederverwendbares Nebenprodukt anfällt, ist der Smart Cut® Prozess. Dabei wird eine unter Anwendung von Ionenimplantation erzeugte Schicht nach einer thermischen Aktivierung von einer Donor-Halbleiterscheibe auf eine Substratscheibe übertragen. Das Verfahren wird beispielsweise zur Herstellung von SOI-Scheiben eingesetzt, also von Halbleiterscheiben mit einer Schichtenstruktur, die durch eine auf einer Oxidschicht liegenden Schicht aus Silicium gekennzeichnet ist. Eine Voraussetzung für die erfolgreiche Übertragung der Schicht ist, dass die Donor-Halbleiterscheibe vor der Übertragung möglichst ebene und glatte Seitenflächen besitzt. Die Ionenimplantation und das Abtrennen der Schicht hinterlassen auf der Donor-Halbleiterscheibe eine rauhe Seitenfläche und eine Stufe im Randbereich der Seitenfläche. Es ist ausgeschlossen, dass die Donor-Halbleiterscheibe in diesem Zustand für eine Schichtübertragung wiederverwendet werden kann. Sie muss vielmehr zuvor regeneriert werden, um Parameter wie Rauhigkeit, globale Ebenheit und lokale Ebenheit in akzeptable Bereiche zu bringen.The most prominent example of such a donor wafer being a reusable by-product is the Smart Cut® process. In this case, a layer produced using ion implantation is transferred after thermal activation of a donor semiconductor wafer to a substrate wafer. The method is used, for example, for producing SOI panes, that is to say semiconductor wafers having a layer structure which is characterized by a layer of silicon lying on an oxide layer. A prerequisite for the successful transfer of the layer is that the donor wafer has as smooth and smooth side surfaces as possible before the transfer. The ion implantation and separation of the layer leave a rough side surface and a step in the edge region of the side surface on the donor wafer. It is excluded that the donor wafer can be reused in this state for a layer transfer. Rather, it must first be regenerated to bring parameters such as roughness, global flatness, and local flatness into acceptable ranges.

In der DE10 2004 021 113 A1 ist ein Verfahren zur Herstellung einer SOI-Scheibe beschrieben, bei dem die Donor-Halbleiterscheibe von einem Silicium-Einkristall gewonnen wird, in dem ein Überschuss an interstitiellen Silicium-Atomen vorherrscht, und bei dem die Donor-Halbleiterscheibe nach der Schichtüber tragung und nach einer Glättung der Oberfläche durch Polieren wiederverwendet wird.In the DE10 2004 021 113 A1 describes a process for producing a SOI wafer in which the donor wafer is obtained from a silicon single crystal in which an excess of interstitial silicon atoms prevails, and in which the donor wafer after the Schichtüber tragung and after a Smoothing of the surface is reused by polishing.

In der US62824628 wird ein Verfahren beschrieben, mit dem zunächst die Stufe von der Donor-Halbleiterscheibe poliert und anschließend die Seitenfläche durch eine Wärmebehandlung geglättet wird. In dem Patent wird darüber hinaus erwähnt, dass ein Verfahren, das vorsieht, die beschädigte Seitenfläche der Donor-Halbleiterscheibe erst zu schleifen und dann zu polieren zu aufwändig und wegen des hohen Materialverbrauchs hinsichtlich der mehrfachen Anwendung nicht ausreichend effizient sei.In the US62824628 describes a method of first polishing the step from the donor wafer and then smoothing the side surface by a heat treatment. It is further noted in the patent that a method of first sanding and then polishing the damaged side surface of the donor wafer would be too cumbersome and not sufficiently efficient because of the high material usage for multiple applications.

In der US2004/0112866 wird vorgeschlagen, zuerst nur die Stufe zu entfernen und anschließend die gesamte Seitenfläche zu polieren. Ein ähnliches Verfahren, das in der JP11-297583 A beschrieben wird, umfasst eine Politur zum Entfernen der Stufe und eine Politur zum Glätten der Seitenfläche.In the US2004 / 0112866 It is proposed to first remove only the step and then to polish the entire side surface. A similar process that occurs in the JP11-297583 A includes a step removal polish and a side surface smoothing polish.

Mit keinem der bekannten Verfahren wird ausreichend berücksichtigt, dass neben der globalen Ebenheit auch die lokale Ebenheit, Nanotopographie und die Rauhigkeit wiederhergestellt werden müssen. Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren anzubieten, das in dieser Hinsicht geeigneter ist und den weiteren Vorteil bietet, dass der benötigte Materialabtrag gering genug ist, um die Donor-Halbleiterscheibe mehrfach für Schichtübertragungen nutzen zu können.With none of the known methods is adequately considered, that in addition to global evenness also local evenness, nanotopography and the roughness must be restored. Task of the present The invention is therefore to offer a method that in this Is more appropriate and offers the further advantage that the needed Material removal is low enough to the donor semiconductor wafer several times for layer transmissions to be able to use.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zum Regenerieren einer Donor-Halbleiterscheibe mit beschädigter Seitenfläche, die zurückbleibt, nachdem eine unter Anwendung von Ionenimplantation erzeugte Schicht von der Donor-Halbleiterscheibe abgetrennt wird, umfassend eine erste Politur der Donor-Halbleiterscheibe, mit der die beschädigte Seitenfläche und eine dieser Seitenfläche gegenüberliegende Seitenfläche gleichzeitig poliert werden und eine zweite Politur der Donor-Halbleiter scheibe, mit der die beschädigte und polierte Seitenfläche alleine poliert wird.object The invention is a method for regenerating a donor wafer with damaged ones Side surface which lags behind after a layer produced using ion implantation is separated from the donor wafer, comprising a first polish the donor wafer, with the damaged side surface and one of these side surfaces opposing side surface polished and a second polish of the donor-semiconductor disc, with the damaged ones and polished side surface polished alone.

Mit diesem Verfahren gelingt es, die nach dem Abtrennen der Schicht zurückbleibende Donor-Halbleiterscheibe hinsichtlich Ebenheit und Rauhigkeit in einen Zustand zu versetzen, der sie für eine weitere Schichtübertragung bestens geeignet macht. Der dafür benötigte Materialabtrag, der im Wesentlichen ausschließlich durch die erste und die zweite Politur erzielt wird, ist so gering, dass der Zyklus Schichtbildung, Schichtübertragung und Regenerieren der zurückbleibenden Donor-Halbleiterscheibe mehrmals wiederholt werden kann.With This method succeeds after the separation of the layer remaining Donor wafer in terms of flatness and roughness in to put them in a state of transfer for another shift transfer makes perfect. The one for it needed Material removal, essentially exclusively by the first and the second polish is achieved is so low that the cycle layer formation, layer transfer and regenerating the remaining ones Donor wafer can be repeated several times.

Wie die Erfindung zeigt, ist es nicht ausreichend, wenn man sich beim Regenerieren nur auf die beschädigte Seitenfläche der Donor-Halbleiterscheibe konzentriert, vor allem, weil dies zu Lasten der lokalen Ebenheit geht. Das erfindungsgemäße Verfahren sieht daher vor, in einem ersten Polierschritt beide Seitenflächen gleichzeitig zu polieren und dabei insgesamt 1 μm bis 20 μm, vorzugsweise 7 μm bis 12 μm an Material abzutragen. Die Stufe (Erhebung) im Randbereich der beschädigten Seitenfläche und die Beschädigungen der Seitenfläche werden mit diesem Polierschritt bereits beseitigt. Gleichzeitig wird damit die lokale Ebenheit dieser Seitenfläche verbessert. Die in einem zweiten Polierschritt vorgenommene einseitige Politur dieser Seitenfläche, bei der weniger als 1,5 μm an Material entfernt wird, reduziert die Rauhigkeit und hat keinen nachteiligen Einfluss mehr auf die lokale Ebenheit.As The invention shows that it is not sufficient to look at the Regenerate only on the damaged one side surface the donor-focused semiconductor wafer, especially because this too Loads of local flatness go. The inventive method Therefore, in a first polishing step, both side surfaces simultaneously to polish and doing a total of 1 micron to 20 microns, preferably 7 microns to 12 microns of material ablate. The step (elevation) in the edge area of the damaged side surface and the damages the side surface are already eliminated with this polishing step. simultaneously this improves the local flatness of this side surface. The one in one second polishing step made one-sided polishing of this side surface, at less than 1.5 μm Removed material reduces roughness and has no detrimental influence more on local flatness.

Das Verfahren eignet sich zum Regenerieren von Donor-Halbleiterscheiben mit beschädigter Seitenfläche, die zurückbleibt, nachdem eine unter Anwendung von Ionenimplantation erzeugte Schicht von der Donor-Halbleiterscheibe abgetrennt wird. Auf ein bestimmtes Halbleitermaterial oder auf eine bestimmte Art und Weise, wie die Schicht abgetrennt wird, beispielsweise durch thermische oder mechanische Wirkung, kommt es nicht an. Beispiele für geeignete Donor-Halbleiterscheiben sind Halbleiterscheiben aus Silicium oder Verbindungshalbleiter, Halbleiterscheiben, die Silicium oder Verbindungshalbleiter enthalten, beispielsweise Halbleiterscheiben, die Mischphasen aus Silicium und Germanium enthalten. Die Donor-Halbleiterscheiben können selbst zwei oder mehrere Schichten umfassen, von denen nicht jede aus Halbleitermaterial bestehen muss. Besonders bevorzugt ist eine Donor-Halbleiterscheibe, die von einem Einkristall aus Silicium gewonnen wird, der einen Überschuss an interstitiellem Silicium enthält.The method is suitable for regenerating donor wafers with damaged seeds remaining after a layer created using ion implantation is separated from the donor wafer. On a particular semiconductor material or in a certain way, as the layer is separated, for example by thermal or mechanical action, it does not matter. Examples of suitable donor semiconductor wafers are semiconductor wafers made of silicon or compound semiconductors, semiconductor wafers containing silicon or compound semiconductors, for example semiconductor wafers containing mixed phases of silicon and germanium. The donor wafers may themselves comprise two or more layers, each of which need not be made of semiconductor material. Particularly preferred is a donor wafer obtained from a single crystal of silicon containing an excess of interstitial silicon.

Sollte die Donor-Halbleiterscheibe mit einer Oxidschicht bedeckt sein, was nach einer Schichtübertragung im Zuge des Smart Cut® Prozesses regelmäßig der Fall ist, so ist es von Vorteil, wenn diese Oxidschicht vor der ersten Politur der Donor-Halbleiterscheibe entfernt wird, beispielsweise indem die Donor-Halbleiterscheibe in eine Fluorwasserstoff enthaltende Lösung getaucht und anschließend mit Wasser gespült wird.Should be covered with an oxide layer, the donor wafer, which is usually the case after a layer transfer as part of the Smart Cut ® process, it is advantageous if this oxide layer is removed before the first polishing of the donor wafer, for example by the Dipped donor wafer into a solution containing hydrogen fluoride and then rinsed with water.

Weiterhin ist es zweckmäßig, die Kante der Donor-Halbleiterscheibe nachzupolieren, bevor die Seitenflächen poliert werden, insbesondere um Veränderungen der Kante, die in Folge der Schichtübertragung aufgetreten sind, zu beseitigen.Farther it is appropriate, the Repolish the edge of the donor wafer before the side surfaces polish especially changes the edge that occurred as a result of the layer transfer, to eliminate.

Die im ersten Polierschritt vorzunehmende beidseitige Politur (DSP) der Donor-Halbleiterscheibe wird als Einzelscheibenpolitur oder wegen der damit verbundenen erhöhten Effizienz vorzugsweise als Mehrscheibenpolitur durchgeführt. Dabei werden gleichzeitig mehrere der Donor-Halbleiterscheiben in Aussparungen von Läuferscheiben liegend, unter Zufuhr von Poliermittel, zwischen zwei mit Poliertuch bedeckten Poliertellern beidseitig poliert.The two-sided polishing (DSP) to be carried out in the first polishing step the donor wafer is used as a single disc polish or because of the associated increased Efficiency preferably carried out as a multi-disk polishing. there simultaneously several of the donor semiconductor wafers in recesses of carriers lying, with the supply of polishing agent, between two covered with polishing cloth Polishing plates polished on both sides.

Eine auf diese Weise beidseitig polierte Donor-Halbleiterscheibe wird vorzugsweise noch vom Poliermittel gereinigt, bevor der zweite Polierschritt unternommen wird. Während dieses Polierschritts wird nur die Seitenfläche der Donor-Halbleiterscheibe poliert, von der die Schicht abgetrennt worden ist. Die Rückseite, also die dieser Seitenfläche gegenüberliegende Seitenfläche wird dabei nicht poliert. Auch diese Einseitenpolitur (CMP) wird wegen des höheren Durchsatzes vorzugsweise als Mehrscheibenpolitur und nicht als Einzelscheibenpolitur durchgeführt.A in this way, both sides polished donor semiconductor wafer preferably still cleaned by the polishing agent before the second polishing step undertaken becomes. While This polishing step becomes only the side surface of the donor wafer polished, from which the layer has been separated. The backside, So this side surface opposing side surface will not be polished. This one-side polish (CMP) is also because of the higher Throughput preferably as a multi-disc polishing and not as Einzelscheibenpolitur carried out.

Es ist des Weiteren bevorzugt, die Donor-Halbleiterscheibe nach der Einseitenpolitur zu reinigen und einer Ebenheitsmessung zu unterziehen.It It is further preferred to use the donor wafer according to the One-side polishing to clean and subject to a flatness measurement.

Gegenstand der Erfindung ist auch eine regenerierte Donor-Halbleiterscheibe, die durch das beschriebene Verfahren herstellbar ist und mindestens eine der folgenden Eigenschaften aufweist:

  • a) bezüglich der Nanotopographie einen THA2-Wert von weniger als 15 nm, bezogen auf eine Messfeldfläche („site-Fläche") von 2 mm × 2 mm oder einen THA4-Wert von weniger als 30 nm, bezogen auf eine Messfeldfläche von 10 mm × 10 mm; oder
  • b) bezüglich der lokalen Ebenheit einen SFQRmax-Wert von weniger als 100 nm bei einem Randausschluss von 3 mm und einer Messfeldfläche von 26 mm × 8 mm oder einen SFQRmax-Wert von weniger als 120 nm bei einem Randausschluss von 3 mm und einer Messfeldfläche von 25 mm × 25 mm; oder
  • c) ein LLS-Ergebnis von weniger als 30 Defekten mit einer Größe von mehr als 80 nm, gemessen mit SP1, oblique mode, DCO-Kanal oder ein LLS-Ergebnis von weniger als 60 Defekten mit einer Größe von mehr als 90 nm, gemessen mit SP1, normal mode.
The invention also provides a regenerated donor semiconductor wafer which can be produced by the process described and has at least one of the following properties:
  • a) with respect to the nanotopography a THA2 value of less than 15 nm, based on a measuring field area ("site area") of 2 mm × 2 mm or a THA4 value of less than 30 nm, based on a measuring field area of 10 mm × 10 mm; or
  • b) for local flatness, an SFQR max value of less than 100 nm with an edge exclusion of 3 mm and a measurement field area of 26 mm × 8 mm or an SFQR max value of less than 120 nm with an edge exclusion of 3 mm and a Measuring field area of 25 mm × 25 mm; or
  • c) an LLS score of less than 30 defects greater than 80 nm measured with SP1, oblique mode, DCO channel, or an LLS score of less than 60 defects greater than 90 nm in size with SP1, normal mode.

Eine Definition der Begriffe Nanotopographie, SFQRmax und LLS ist dem Fachmann geläufig und beispielsweise in den SEMI-Standards M59-1105 und MF1530-1105 von 2005 enthalten.A definition of the terms nanotopography, SFQR max and LLS is familiar to the person skilled in the art and is contained, for example, in the SEMI standards M59-1105 and MF1530-1105 from 2005.

Die Erfindung wird nachfolgend an einem Beispiel erläutert.The Invention will be explained below by way of example.

Aus dem Smart Cut® Prozess stammende Donor-Halbleiterscheiben aus Silicium mit einem Durchmesser von 300 mm wurden auf erfindungsgemäße Weise regeneriert. Der Verfahrensablauf umfasste ein Entfernen von Oberflächenoxid, eine Kantenpolitur, einen ersten Polierschritt mit einem Gesamtabtrag an Material von 10 μm, der als beidseitige Politur ausgeführt wurde, eine Zwischenreinigung, einen zweiten Polierschritt mit einem Gesamtabtrag an Material von ca. 0,3 μm, der als Einseitenpolitur ausgeführt wurde und eine Endreinigung.Silicon donor wafers of diameter 300 mm originating from the Smart Cut® process were regenerated in accordance with the invention. The process involved removal of surface oxide, edge polishing, a first polishing step with a total material removal of 10 microns performed as a two-sided polish, an intermediate cleaning, a second polishing step with a total material removal of about 0.3 microns was carried out as a single-side polish and a final cleaning.

Das Ergebnis anschließender Messungen der globalen und lokalen Ebenheit, ausgedrückt als Abweichung zur jeweiligen Ebenheit von Donor-Halbleiterscheiben, die noch keinem Smart Cut® Prozess unterzogen worden waren, ist in den 1 und 2 dargestellt. 1 zeigt die Abweichungen in Bezug auf die globale Ebenheit, ausgedrückt als ΔGBIR, 2 die Abweichungen in Bezug auf die lokale Ebenheit, ausgedrückt als ΔSFQR.The result of subsequent measurements of the global and local flatness, expressed as a deviation from the respective flatness of donor semiconductor wafers which have not yet undergone a Smart Cut® process, is described in US Pat 1 and 2 shown. 1 shows the deviations in terms of global flatness, expressed as ΔGBIR, 2 the deviations in terms of local flatness, expressed as ΔSFQR.

Zum Vergleich wurden weitere aus dem Smart Cut® Prozess stammende Donor-Halbleiterscheiben in gleicher Weise behandelt, wobei jedoch auf eine beidseitige Politur verzichtet wurde. 3 zeigt, dass sich die globale Geometrie dieser Halbleiterscheiben mit zunehmendem Materialabtrag stark verschlechterte.For comparison, additional donor semiconductors derived from the Smart Cut ® process were used treated in the same way, but was dispensed with a two-sided polishing. 3 shows that the global geometry of these semiconductor wafers deteriorated greatly with increasing material removal.

Die 4 zeigt in Summenkurvendarstellung das Ergebnis von Messungen der Nanotopographie mit einem Messgrät vom Typ NanoMapper® der ADE Corporation, wobei die linke Kurve den Parameter THA2 und die rechte Kurve den Parameter THA4 repräsentiert.The 4 shows cumulative curve giving the result of measurements of the nano-topography to a Messgrät type Nanomapper ® of the ADE Corporation, the left curve the parameter TH A2, and the right curve represents the parameter THA4.

Die 5 zeigt ebenfalls in Summenkurvendarstellung das Ergebnis von Messungen der lokalen Ebenheit mit einem Messgerät vom Typ AFS der ADE Corporation, wobei die linke Kurve den Parameter SFQRmax für eine Messfeldfläche von 26 mm × 8 mm und die rechte Kurve den Parameter SFQRmax für eine Messfeldfläche von 25 mm × 25 mm repräsentiert.The 5 also shows in summation graphs the result of local flatness measurements with an AFS AFS instrument from ADE Corporation, where the left curve is the parameter SFQR max for a 26 mm × 8 mm measurement field area and the right curve is the SFQR max parameter for a measurement field area of 25 mm × 25 mm.

Die 6 und 7 zeigen wiederum in Summenkurvendarstellung das Ergebnis von Messungen von Oberflächendefekten einer bestimmten Größe (größer als 80 nm, 6 und größer als 90 nm, 7) mit einem Messgerät SP1 von KLA-Tencor im DCO mode („dark field composite oblique", 6) bzw. im DCN mode („dark field composite normal", 7).The 6 and 7 again show the result of measurements of surface defects of a certain size (greater than 80 nm, 6 and greater than 90 nm, 7 ) with a KLA-Tencor SP1 meter in DCO mode ("dark field composite oblique", 6 ) or DCN mode ("dark field composite normal", 7 ).

Claims (8)

Verfahren zum Regenerieren einer Donor-Halbleiterscheibe mit beschädigter Seitenfläche, die zurückbleibt, nachdem eine unter Anwendung von Ionenimplantation erzeugte Schicht von der Donor-Halbleiterscheibe abgetrennt wird, umfassend eine erste Politur der Donor-Halbleiterscheibe, mit der die beschädigte Seitenfläche und eine dieser Seitenfläche gegenüberliegende Seitenfläche gleichzeitig poliert werden und eine zweite Politur der Donor-Halbleiterscheibe, mit der die beschädigte und polierte Seitenfläche alleine poliert wird.Process for regenerating a donor wafer with damaged ones Side surface, the remains, after a layer produced using ion implantation from the donor wafer comprising a first polish of the donor wafer, with the damaged ones side surface and one of these side surfaces opposing side surface polished and a second polish of the donor wafer, with the damaged ones and polished side surface polished alone. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass während der ersten Politur insgesamt 1 μm bis 20 μm an Material entfernt wird.Method according to claim 1, characterized in that that while the first polish a total of 1 micron up to 20 μm is removed on material. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass während der ersten und zweiten Politur insgesamt 1 μm bis 21,5 μm an Material entfernt wird.A method according to claim 1 or claim 2, characterized characterized in that during the first and second polish is removed in total from 1 μm to 21.5 μm of material. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass vor der ersten Politur eine Oxidschicht von der Donor-Halbleiterscheibe entfernt wird.Method according to one of claims 1 to 3, characterized that an oxide layer is removed from the donor wafer prior to the first polish becomes. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass vor der ersten Politur eine Kante der Donor-Halbleiterscheibe poliert wird.Method according to one of claims 1 to 4, characterized that before the first polish one edge of the donor wafer is polished. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Donor-Halbleiterscheibe von einem Einkristall aus Silicium gewonnen wird, der einen Überschuss an interstitiellem Silicium enthält.Method according to one of claims 1 to 5, characterized that the donor semiconductor wafer of a single crystal of silicon won, which is a surplus Contains interstitial silicon. Donor-Halbleiterscheibe, hergestellt nach einem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6.Donor wafer prepared by a process according to one the claims 1 to 6. Regenerierte Donor-Halbleiterscheibe, die mindestens eine der folgenden Eigenschaften aufweist: a) bezüglich der Nanotopographie einen THA2-Wert von weniger als 15 nm, bezogen auf eine Messfeldfläche („site-Fläche") von 2 mm × 2 mm oder einen THA4-Wert von weniger als 30 nm, bezogen auf eine Messfeldfläche von 10 mm × 10 mm; oder b) bezüglich der lokalen Ebenheit einen SFQRmax-Wert von weniger als 100 nm bei einem Randausschluss von 3 mm und einer Messfeldfläche von 26 mm × 8 mm oder einen SFQRmax-Wert von weniger als 120 nm bei einem Randausschluss von 3 mm und einer Messfeldfläche von 25 mm × 25 mm; oder c) ein LLS-Ergebnis von weniger als 30 Defekten mit einer Größe von mehr als 80 nm, gemessen mit SP1, oblique mode, DCO-Kanal oder ein LLS-Ergebnis von weniger als 60 Defekten mit einer Größe von mehr als 90 nm, gemessen mit SP1, normal mode, DCN-Kanal.A regenerated donor wafer having at least one of the following properties: a) in terms of nanotopography, a THA2 value of less than 15 nm with respect to a 2 mm × 2 mm face area or a THA4 value relative of less than 30 nm, to a measuring field area of 10 mm × 10 mm, or b) with respect to the local planarity a SFQR max value of less than 100 nm at an edge exclusion of 3 mm and a measuring field area of 26 mm × 8 mm, or an SFQR max value of less than 120 nm with an edge exclusion of 3 mm and a measuring field area of 25 mm x 25 mm; or c) an LLS result of less than 30 defects with a size greater than 80 nm, measured with SP1 , oblique mode, DCO channel or an LLS result of less than 60 defects larger than 90 nm measured with SP1, normal mode, DCN channel.
DE200610053942 2006-11-15 2006-11-15 Donor-semiconductor disk regenerating method, involves polishing damaged and polished side surfaces of semiconductor disk, polishing edge of disk before polishing side surfaces, and extracting disk from mono-crystal of silicon Ceased DE102006053942A1 (en)

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