DE102006043407A1 - Optical projection system for UV radiation, has multiple lenses, for projection of object level in image level, where lenses include slightly conductive surface and objective housing electrically contacting lens at conductive surface - Google Patents

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Abstract

The system has an objective housing (48) filled with purge gas, an objective (60) arranged in the housing, where the objective comprises lenses (61) for the projection of an object level in an image level. A reticle (R) and a wafer (W) are arranged in the object level and in the image level, respectively. The lenses include slightly conductive surface, where the objective housing electrically contacts the lenses at the conductive surface. The conductive surface is predominantly formed by the lens material and has different ions.

Description

Ein in der refraktiven Optik häufig anzutreffendes Problem ist die allmähliche Verminderung der Transmission von Linsen oder anderen, von Licht durchstrahlten optischen Bauteilen. Dieses Problem tritt besonders gravierend bei UV/VIS-Optiken auf.One in refractive optics frequently The problem encountered is the gradual reduction in transmission of lenses or other light-transmitted optical components. This problem is particularly serious in UV / VIS optics.

Herkömmlich begegnet man dieser Tendenz mit regelmäßiger Reinigung der Linsenoberflächen. Dabei sind besondere Abfolgen der zur Reinigung verwendeten Lösungsmittel zu beachten; zudem sind einige dieser Lösungsmittel toxisch. Dieses Verfahren ist daher zeitaufwendig, kompliziert, nur von eigens ausgebildetem Personal und nur manuell durchführbar und außerdem in aller Regel mit einer Nachjustage der optischen Anordnung verbunden, die ihrerseits die gleichen Nachteile aufweist. Bei hochgenau gefertigten HL-Objektiven für die UV-Lithographie, wie den in den internationalen Patentanmeldungen WO 2005/054956 und WO 2006/069795 beschriebenen, ist überhaupt eine solche Reinigung nicht zweckmäßig. Statt dessen kapselt man solche Objektive aufwendig ein, wie aus der europäischen Patentanmeldung EP 1 143 491 A1 bekannt ist (siehe 1). Es hat sich aber herausgestellt, daß dadurch die Transmissionsverschlechterung nicht zu beheben ist.Conventionally, this tendency has been met with regular cleaning of the lens surfaces. Special sequences of the solvents used for cleaning must be observed; In addition, some of these solvents are toxic. This method is therefore time consuming, complicated, only by specially trained personnel and only manually feasible and also usually associated with a readjustment of the optical arrangement, which in turn has the same disadvantages. For high-precision HL lenses for UV lithography, such as those in international patent applications WO 2005/054956 and WO 2006/069795 described, such cleaning is not appropriate at all. Instead, encapsulating such lenses consuming, as from the European patent application EP 1 143 491 A1 is known (see 1 ). However, it has been found that the transmission deterioration can not be remedied thereby.

Die Erfindung setzt sich daher zum Ziel, die Transmission von optischen Bauteilen auf einfachere Weise zu stabilisieren.The Invention therefore sets itself the goal of the transmission of optical Stabilize components in an easier way.

Zur Lösung dieses Problems schlägt die Erfindung vor, die Oberflächen wenigstens einer der Linsen eines Objektivs für eine UV-Projektionsanlage mit einer geringfügig leitfähigen oder photoleitfähigen Schicht oder Struktur zu versehen, und diese Schicht oder Struktur mit dem Objektiv-Gehäuse in elektrisch leitenden Kontakt zu bringen.to solution this problem strikes the invention before, the surfaces at least one of the lenses of a lens for a UV projection system with a slight conductive or photoconductive Layer or structure, and this layer or structure with the lens housing to bring into electrically conductive contact.

Unter einem weiteren Aspekt schlägt die Erfindung vor, in der näheren oder nächsten Umgebung der Linsenoberfläche eine Quelle kurzreichweitiger ionisierender Strahlung anzuordnen.Under another aspect strikes the invention before, in the closer or next Surrounding the lens surface to arrange a source of short-range ionizing radiation.

Unter einem weiteren Aspekt schlägt die Erfindung optische Anordnungen mit leitfähig beschichteten Linsenoberflächen, durch Dotierung leitfähig gemachten Linsenoberflächen bzw. mit in einem Linsengehäuse angeordneter α-Strahlungsquelle vor.Under another aspect strikes the invention optical arrangements with conductive coated lens surfaces, by Doping conductive made lens surfaces or with arranged in a lens housing α-radiation source in front.

Alle Aspekte können vorteilhaft miteinander kombiniert werden.All Aspects can be advantageously combined with each other.

Die Erfindung geht aus von der Vorstellung, daß die Ursache für die im Zeitverlauf verminderte Transmission eine Folge sich an der Linsenoberfläche akkumulierender elektrischer Ladung ist. Es ist bekannt, daß sich die Transmission von CaF2 deutlich vermindert, wenn man das Material einem elektrischen Feld aussetzt ( A. De und K. V. Rao, Phys. Stat. Sol. (a) 105, 297 (1988) ). Der Aufladungs-Effekt tritt besonders stark in Erscheinung, wenn das Material bei geringer Luftfeuchtigkeit gehandhabt wird; es kann unter solchen Bedingungen sogar zu Überschlägen kommen, durch welche hochgenau gefertigte Oberflächen zerstört werden können. Als Folge der statischen Aufladung kommt es außerdem vermutlich zu einer zunehmenden Attraktion von Verunreinigungen aus dem umgebenden Gasraum. Als Ursache der Aufladung kommt ein triboelektrischer Effekt durch vorbeiströmendes Gas, und/oder die Einstrahlung von kurzwelligem Licht in Betracht.The invention is based on the idea that the cause of the reduced transmission over time is a consequence of accumulating electrical charge on the lens surface. It is known that the transmission of CaF 2 is significantly reduced when the material is exposed to an electric field ( A. De and KV Rao, Phys. Stat. Sol. (a) 105, 297 (1988) ). The charging effect is particularly pronounced when the material is handled at low humidity; it can even come under such conditions to flashovers, which can be destroyed by highly accurate surfaces manufactured. As a result of the static charge, there is also likely to be an increasing attraction of contaminants from the surrounding gas space. The cause of the charge is a triboelectric effect by passing gas, and / or the irradiation of short-wave light into consideration.

Die Erfindung löst das Problem, indem sie durch eine leitfähige Linsenoberfläche, oder durch eine Bereitstellung elektrischer Leitfähigkeit des umgebenden Gasraums, dafür sorgt, daß sich keine elektrischen Ladungen mehr akkumulieren können. Hierzu wird die Linsenoberfläche mit einem leitfähigen Material beschichtet; die Linsenoberfläche selbst wird leitfähig gemacht; und/oder das umgebende Gas wird ionisiert.The Invention solves the problem by passing through a conductive lens surface, or by providing electrical conductivity of the surrounding gas space, ensures that yourself no more electric charges can accumulate. For this purpose, the lens surface with a conductive Coated material; the lens surface itself is made conductive; and / or the surrounding gas is ionized.

Die erforderliche Leitfähigkeit ist gering, da die abfließenden Ströme nur von der Größenordnung der Ladungsakkumulationsrate sein müssen. Entsprechend reichen geringe Beschichtungsdicken, Dotierungen bzw. Strahlungsaktivitäten aus, um den transmissionsstabilisierenden Effekt zu erreichen.The required conductivity is low as the outflowing streams only of the order of magnitude must be the charge accumulation rate. So rich low coating thicknesses, doping or radiation activities, to achieve the transmission stabilizing effect.

Insbesondere schlägt die Erfindung eine netzartige Struktur aus Metall zur Ableitung von Oberflächenladungen von einer CaF2-Linse vor.In particular, the invention proposes a net-like structure of metal for deriving surface charges from a CaF 2 lens.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn nur der periphere, nicht durchstrahlte Teil eine leitfähige Beschichtung aufweist. Hierdurch kann die Transmissionsverringerung durch die Beschichtung gering gehalten werden. Es ist auch bevorzugt, eine Strahlungsquelle so anzuordnen, daß im achsnahen Gasraum eine Ionisierung des Füllgases auftritt. In Kombination mit der Leitfähigkeit des peripheren Linsenteils reicht diese zur Abführung der Oberflächenladungen aus.It is particularly advantageous if only the peripheral, non-irradiated part has a conductive coating. As a result, the reduction in transmission through the coating can be kept low. It is also preferred to arrange a radiation source so that an ionization of the filling gas occurs in the gas space close to the axis. In combination with the conductivity of the peripheral lens part, this is sufficient for removal of surface charges.

Es ist auch vorteilhaft, den achsnahen Teil der Linse leitfähig zu beschichten, da in diesem Linsenteil die Oberflächen eine geringe Neigung zu den Kristallflächen aufweisen und die Beschichtung daher relativ homogen ist. In Kombination mit einer Ionisierung des Füllgases im peripheren Gasraum, die wegen der geringeren Distanz zu der Strahlungsquelle weniger von der Rekombination der erzeugten Ionen beeinflußt ist, reicht auch die achsnahe Beschichtung zur Abführung der Oberflächenladungen aus.It is also advantageous to conductively coat the near-axis portion of the lens, because in this lens part the surfaces have a low tendency to the crystal surfaces have and therefore the coating is relatively homogeneous. In combination with an ionization of the filling gas in the peripheral gas space, because of the smaller distance to the radiation source less affected by the recombination of the ions produced is sufficient also the near-axis coating for removing the surface charges out.

Die Technologie der Linsenoberflächenbeschichtung ist an sich bekannt, da sie beispielsweise bei der Antireflexbeschichtung zum Einsatz kommt. Hierbei werden jedoch herkömmlicherweise, im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung, dielektrische Schichten in einem Bereich abseits des von der Halterung berührten Teils aufgebracht.The Lens surface coating technology is known per se, as for example in the antireflection coating is used. Here, however, conventionally, in contrast to the present invention, dielectric layers in one area applied off the part touched by the holder.

Gemäß der Erfindung besteht, über die Linsenoberfläche und/oder durch das teilweise ionisierte Füllgas, eine wenigstens geringfügig elektrisch leitfähige Verbindung von achsnahen Bereichen der Linse zu der Halterung oder dem Gehäuse der Linse. Die Halterung bzw. das Gehäuse ist zumindest an der Kontaktfläche leitfähig, bevorzugt jedoch wenigstens teilweise aus Metall. Es ist ferner bevorzugt, einen Masseschluß an der Halterung bzw. dem Gehäuse vorzusehen; je nach dessen Kapazität ist dies aber nicht zwingend erforderlich. Dadurch kann eine auf die Linse aufgebrachte Oberflächenladung abgeleitet werden, bevor sie akkumuliert. Die Transmission verringert sich in der Folge deutlich langsamer, eine Oberflächenreinigung ist daher seltener erforderlich oder überhaupt unnötig. Dadurch kommt es auch nicht oder zumindest nur in größeren Zeitabständen zur unbeabsichtigten Dejustage bei der Reinigung oder Wartung.According to the invention exists, over the lens surface and / or by the partially ionized fill gas, one at least slightly electrically conductive Connection of near-axis areas of the lens to the holder or the housing the lens. The holder or the housing is conductive at least on the contact surface, preferably but at least partially made of metal. It is further preferred a ground fault the holder or the housing provide; but depending on its capacity this is not mandatory required. This may cause a surface charge applied to the lens be derived before it accumulates. The transmission decreases significantly slower in the sequence, a surface cleaning is therefore less required or unnecessary at all. Thereby it does not happen or at least only at longer intervals unintentional misalignment during cleaning or maintenance.

Die Erfindung ist besonders vorteilhaft bei UV-Optiken anwendbar, weil, erstens, UV-transmissive Materialien häufig hygroskopisch sind und deshalb unter besonders trockenen Bedingungen gehandhabt werden, so daß sich auf ihnen kein Oberflächenladungen ableitender Feuchtigkeitsfilm bildet. Zweitens haben Verunreinigungen häufig im ultravioletten Spektralbereich eine höhere Absorption als in anderen, beispielsweise IR- oder VIS-Spektralbereichen. Drittens ist bei UV-Optiken die Transmission ein tendenziell kritischer Parameter, besonders bei hochkorrigierten, viellinsigen Systemen für die UV-Lithografie, weil die Absorption des Linsenmaterials ebenfalls im UV-Bereich gewöhnlich höher ist als im VIS-Bereich. Viertens ist die durch Verunreinigungen absorbierte und letztlich in Wärme umgewandelte Energie im kurzwelligen Bereich pro Photon besonders hoch, so daß es bei UV-Durchstrahlung besonders leicht zu irreversiblen Einbrennungen kommen kann, und damit besonders auf die Vermeidung von Verunreinigungen geachtet werden muß. Fünftens ist der materielle Schaden bei UV-Optiken besonders hoch, falls es durch Einbrennungen dennoch zum permanenten Transmissionsverlust kommt, weil UV-transmissive Linsen in der Neu-Beschaffung und Bearbeitung relativ kostspielig sind.The Invention is particularly advantageous for UV optics, because, First, UV-transmissive materials are often hygroscopic and Therefore, be handled under particularly dry conditions, so that yourself no surface charges on them dissipative moisture film forms. Second, have impurities often in the ultraviolet spectral range a higher absorption than in others, for example, IR or VIS spectral ranges. Third is at UV optics the transmission tends to be a critical parameter, especially in highly corrected, multiple-lens systems for UV lithography because the absorption of the lens material is also usually higher in the UV range than in the VIS area. Fourth, it is absorbed by impurities and ultimately in heat converted shortwave energy per photon especially high, so that it with UV radiation particularly easy to irreversible burn-in can come, and thus especially on the prevention of impurities must be respected. Fifth the material damage in UV optics is particularly high, if it still burns through to permanent loss of transmission comes because UV transmissive Lenses in the new procurement and processing relatively expensive are.

Die Erfindung wird daher bevorzugt auf UV-Objektive für die Lithographie angewendet, wobei solche Objektive ein geschlossenes, mit trockenen (< 10 ppm H2O) Gasen gespültes Gehäuse aufweisen. Insbesondere ist die Erfindung anwendbar auf Objektive für UV-Licht der Wellenlängen 193 nm und 157 nm.The invention is therefore preferably applied to UV lenses for lithography, wherein such lenses have a closed, purged with dry (<10 ppm H 2 O) gases housing. In particular, the invention is applicable to lenses for UV light of wavelengths 193 nm and 157 nm.

In solchen Objektiven ist es bevorzugt, die Oberflächen mit Antireflexbeschichtungen zu versehen, beispielsweise bestehend aus alternierenden MgF2- und LaF3-Schichten oder alternierenden SiO2- und Al2O3-Schichten von jeweils etwa 5 bis 50 nm Dicke. Die Art, Dicke und Anzahl dieser Schichten ist dabei an die verwendete Wellenlänge angepaßt.In such objectives, it is preferred to provide the surfaces with anti-reflection coatings, for example consisting of alternating MgF 2 and LaF 3 layers or alternating SiO 2 and Al 2 O 3 layers, each about 5 to 50 nm thick. The type, thickness and number of these layers is adapted to the wavelength used.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße optische Anordnung eine mit Gold oder Zirkonium beschichtete Linse auf. Zirkonium ist geringfügig leitfähig, und weist im UV eine nur geringe Reflektivität und geringe Absorption auf.According to one preferred embodiment has the optical inventive Arrangement on a coated with gold or zirconium lens. zirconium is minor conductive, and has only low reflectivity and low absorption in the UV.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße optische Anordnung eine beispielsweise mit Aluminium-Fremdionen dotierte CaF2-Linse auf. Die dotierte Oberfläche ist geringfügig leitfähig, und weist eine nur geringe Reflektivität und geringe Absorption auf.According to a further preferred embodiment, the optical arrangement according to the invention has a CaF 2 lens doped, for example, with aluminum foreign ions. The doped surface is slightly conductive and has only low reflectivity and low absorption.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße optische Anordnung eine mit Thoriumfluorid beschichtete CaF2-Linse auf. Diese Beschichtung ist selbst dielektrisch, und verleiht der Linse eine nur geringe Reflektivität und geringe Absorption, während sie in Folge ihrer Strahlungsaktivität das umgebende Gas geringfügig ionisiert. Die dafür erforderliche Aktivität kann durch Anreicherung mit 230ThF4 erzielt werden.According to a further preferred embodiment, the optical arrangement according to the invention has a thorium fluoride-coated CaF 2 lens. This coating is itself dielectric, and confers low reflectivity and low absorption to the lens, while slightly ionizing the surrounding gas due to its radiation activity. The required activity can be achieved by enrichment with 230 ThF 4 .

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausführungsform weist die erfindungsgemäße optische Anordnung ein Americium enthaltendes Gehäuse auf. Das Americium ist radioaktiv, und ionisiert das umgebende Gas geringfügig. Die erforderliche Aktivität kann durch μg-Mengen von 241Am erzielt werden. Bevorzugt ist das Americiumpräparat nahe an einem Spülgaszutritt angeordnet.According to a further preferred embodiment, the optical arrangement according to the invention comprises an americium-containing housing. The americium is radioactive, and slightly ionizes the surrounding gas. The required activity can be achieved by μg levels of 241 Am. Preferably, the americium preparation is arranged close to a Spülgaszutritt.

Gemäß einer besonders vorteilhaften Variante der Erfindung wird ein Beschichtungsmetall nicht flächendeckend, sondern solcherart auf die Linsenoberfläche aufgebracht, daß sich die Metallatome, beispielsweise entlang der Lagengrenzen des Linsenmaterials, eindimensional anordnen. Durch die Krümmung der Linsenoberfläche bildet sich dabei auf ihr ein Netz aus Metallfäden, dessen Leitfähigkeit einerseits ausreichend ist, die Ladungsakkumulationsrate zu reduzieren, und dessen Transmission andererseits auch im UV-Bereich ausreichend hoch ist.According to one Particularly advantageous variant of the invention is a coating metal not nationwide, but applied to the lens surface in such a way that the Metal atoms, for example along the ply boundaries of the lens material, arrange one-dimensionally. Formed by the curvature of the lens surface thereby on it a net of metal threads, its conductivity on the one hand, it is sufficient to reduce the charge accumulation rate, and its transmission on the other hand also in the UV range sufficient is high.

Die Erfindung wird im Folgenden an Hand der Zeichnungen genauer beschrieben. Hierbei zeigen schematischThe The invention will be described in more detail below with reference to the drawings. This show schematically

1 eine bekannte Projektionsvorrichtung mit einer UV-Optik, 1 a known projection device with a UV optic,

2 eine bekannte UV-Optik mit Quarz- Linsen und CaF2-Linsen, 2 a known UV optics with quartz lenses and CaF 2 lenses,

3 einen weitere bekannte UV-Optik mit Quarz-Linsen, 3 another known UV optic with quartz lenses,

4a und 4b eine bekannte Linsenhalterung und ihre Anordnung in einem Projektionssystem, 4a and 4b a known lens holder and its arrangement in a projection system,

5 eine flächige Linsenbeschichtung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung (im Querschnitt), 5 a flat lens coating according to an embodiment of the invention (in cross-section),

6 eine netzartige Linsenbeschichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung (in Aufsicht), 6 a reticulated lens coating according to another embodiment of the invention (in plan view),

7 eine dotierte Linsenoberfläche gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung (im Querschnitt), 7 a doped lens surface according to another embodiment of the invention (in cross-section),

8 eine Ionisationsanordnung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung, 8th an ionization arrangement according to a further embodiment of the invention,

9 eine ionisierende Linsenbeschichtung gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung (im Querschnitt), und 9 an ionizing lens coating according to another embodiment of the invention (in cross-section), and

10 eine erfindungsgemäße Spülgaszu- und -abführung. 10 an inventive Spülgaszu- and removal.

1 ist ein schematisches Diagramm, welches den Aufbau der Projektionsvorrichtung und der Laservorrichtung veranschaulicht. Zunächst wird die Laservorrichtung 12 beschrieben. 1 Fig. 10 is a schematic diagram illustrating the structure of the projection apparatus and the laser apparatus. First, the laser device 12 described.

Die Laservorrichtung 12 hat eine Kammer 15 und eine in Kammer 15 aufgenommene luftdichte Lichtquelle 16. Ein Laseranregungsbereich 17 ist in die Lichtquellenkammer 16 aufgenommen und dient als Lichtquelle, welche ArF-Excimer-Laserlicht erzeugt. An einem Ende der Lichtquelle 16 ist eine Öffnung 18 ausgebildet. Ebenso ist an einer Seite der Kammer 15 eine Öffnung 19 ausgebildet, deren Form der Öffnung 18 entspricht. In die Öffnungen 18 und 19 ist eine transparente Trennplatte 20 eingefügt. Der Laseranregungsbereich 17 weist ein Lasergasrohr 23 auf sowie einen Frontspiegel 21 und einen Rückseitenspiegel 22, die zu beiden Seiten des Lasergasrohrs 23 angeordnet sind. Zwischen dem Rückseitenspiegel 22 und dem Lasergasrohr 23 ist ein Bandbreitenbegrenzer 24 angeordnet, welcher Prismen und/oder Beugungsgitter umfassen kann. Durch eine elektrische Entladung zwischen dem Elektrodenpaar 25 in dem Lasergasrohr 23 wird eine Lichtwelle erzeugt, die zwischen dem Spiegelpaar 21 und 22 hin- und herreflektiert wird. Bei diesem Prozeß wird die Bandbreite des Lichts aufgrund des Durchgangs durch den Bandbreitenbegrenzer 24 verschmälert.The laser device 12 has a chamber 15 and one in chamber 15 recorded airtight light source 16 , A laser excitation area 17 is in the light source chamber 16 recorded and serves as a light source, which generates ArF excimer laser light. At one end of the light source 16 is an opening 18 educated. Likewise, on one side of the chamber 15 an opening 19 formed, whose shape of the opening 18 equivalent. In the openings 18 and 19 is a transparent partition plate 20 inserted. The laser excitation area 17 has a laser gas pipe 23 on and a front mirror 21 and a rear-view mirror 22 leading to both sides of the laser gas pipe 23 are arranged. Between the rear mirror 22 and the laser gas pipe 23 is a bandwidth limiter 24 arranged, which may include prisms and / or diffraction gratings. By an electrical discharge between the pair of electrodes 25 in the laser gas pipe 23 a light wave is generated between the pair of mirrors 21 and 22 is reflected back and forth. In this process, the bandwidth of the light due to the passage through the bandwidth limiter 24 narrowed.

Die Lichtquellenkammer 16 ist an ein Spülgasversorgungssystem 28 angeschlossen, welches der Kammer Spülgas zuführt. In einem Spülgaszuführungsrohr 29, welches die Lichtquellenkammer 16 und das Spülgaszufuhrsystem 28 verbindet, sind ein Filter 30 und ein temperaturgesteuerter Trockner 31 angeordnet. Der Filter entfernt Verunreinigungen aus dem durch das Spülgasversorgungssystem 28 zugeführten Spülgas, und der temperaturgesteuerte Trockner 31 hält die Temperatur des Spülgases auf einem vorbestimmten Wert und begrenzt den Feuchtigkeitsgehalt des Spülgases auf beispielsweise 5 oder weniger.The light source chamber 16 is due to a purge gas supply system 28 connected, which supplies purge gas to the chamber. In a purge gas supply pipe 29 which is the light source chamber 16 and the purge gas supply system 28 connects are a filter 30 and a temperature controlled dryer 31 arranged. The filter removes contaminants from the purge gas supply system 28 supplied purge gas, and the temperature-controlled dryer 31 maintains the temperature of the purge gas at a predetermined value and limits the moisture content of the purge gas to, for example, 5 or less.

Das Spülgasversorgungssystem 28 umfaßt ein Inertgasversorgungssystem 33 und ein Trockenluft-Versorgungssystem 35. Das Inertgasversorgungssystem 33 stellt ein Inertgas aus einem ersten Tank 32 bereit. Entsprechend weist das Trockenluft-Versorgungssystem 35 einen Trockenlufttank 34 auf. Das Inertgas kann Stickstoff, ein Edelgas, Wasserstoff oder eine Mischung dieser Gase sein.The purge gas supply system 28 comprises an inert gas supply system 33 and a dry air supply system 35 , The inert gas supply system 33 puts an inert gas from a first tank 32 ready. Accordingly, the dry air supply system 35 a dry air tank 34 on. The inert gas may be nitrogen, a noble gas, hydrogen or a mixture of these gases.

Das Inertgasversorgungssystem 33 weist ein normalerweise geschlossenes erstes Kontrollventil 36 auf, während das Trockenluft-Versorgungssystem 35 ein normalerweise geöffnetes zweites Kontrollventil 37 aufweist. Das erste und zweite Kontrollventil 36 und 37 werden von einer Lichtquellensteuerung 38 aktiviert bzw. deaktiviert. Das Inertgasversorgungssystem 33 und das Trockenluft-Versorgungssystem 35 sind stromabwärts des ersten und zweiten Kontrollventils 36 und 37 vereinigt und mit dem Spülgaszufuhrrohr 29 verbunden.The inert gas supply system 33 has a normally closed first control valve 36 on while the dry air supply system 35 a normally open second control valve 37 having. The first and second control valves 36 and 37 be from a light source controller 38 activated or deactivated. The inert gas supply system 33 and the dry air supply system 35 are downstream of the first and second control valves 36 and 37 combined and with the purge gas supply pipe 29 connected.

Die Lichtquellenkammer 16 ist durch ein Abgasrohr 39 an einem Abgasauslaß 40 angeschlossen. Außerdem ist auch ein Auslaß 15a der Kammer 15 an den Abgasauslaß 40 angeschlossen. Durch diesen entweichen der Lichtquellenkammer 16 zugeführtes Inertgas und Trockenluft. Ein Abgasvolumenmonitor 41 ist nahe des Auslasses 15a der Kammer 15 angeordnet, um das Abgasvolumen des Abgasauslasses 40 zu erfassen. Das Erfassungssignal des Abgasvolumenmonitors 41 wird der Lichtquellensteuerung 38 bereitgestellt.The light source chamber 16 is through an exhaust pipe 39 at an exhaust outlet 40 connected. There is also an outlet 15a the chamber 15 to the exhaust outlet 40 connected. By this escape the light source chamber 16 supplied inert gas and dry air. An exhaust gas volume monitor 41 is near the outlet 15a the chamber 15 arranged to the exhaust gas volume of the exhaust outlet 40 capture. The detection signal of the exhaust volume monitor 41 becomes the light source control 38 provided.

Ferner ist ein Sauerstoffsensor 42 in der Kammer 15 angeordnet, um die Sauerstoffkonzentration in der Kammer 15 zu erfassen. Das Erfassungssignal des Sauerstoffsensors 42 wird ebenfalls der Lichtquellensteuerung 38 bereitgestellt.Further, an oxygen sensor 42 in the chamber 15 arranged to increase the oxygen concentration in the chamber 15 capture. The detection signal of the oxygen sensor 42 is also the light source control 38 provided.

Als nächstes wird die Projektionsvorrichtung 11 beschrieben.Next, the projection device 11 described.

In einer Kammer 45 der Projektionsvorrichtung 11 sind ein erstes luftdichtes Gehäuse 46, eine Maskenbühne 47, ein zweites luftdichtes Gehäuse 48 und eine Waferbühne 49 angeordnet. Die Maskenbühne 47 trägt eine Maske R, auf welcher ein zu projizierendes Muster abgebildet ist, so, daß die Maske R senkrecht zu der optischen Achse des Laserlichts angeordnet ist. Ferner trägt die Waferbühne 49 einen Wafer W, der als Substrat fungiert und mit einem Photoresist beschichtet ist, welcher lichtempfindlich auf das Laserlicht ist, wobei der Wafer W in einer Ebene senkrecht zu der optischen Achse des Laserlichts verlagerbar und entlang dieser optischen Achse justierbar ist.In a chamber 45 the projection device 11 are a first airtight housing 46 , a mask stage 47 , a second airtight housing 48 and a wafer stage 49 arranged. The mask stage 47 carries a mask R on which a pattern to be projected is imaged such that the mask R is disposed perpendicular to the optical axis of the laser light. Furthermore, the wafer stage carries 49 a wafer W functioning as a substrate and coated with a photoresist which is photosensitive to the laser light, the wafer W being displaceable in a plane perpendicular to the optical axis of the laser light and adjustable along said optical axis.

In dem ersten Gehäuse 46 ist ein Beleuchtungssystem 50 zur Beleuchtung der Maske R angeordnet. Das Beleuchtungssystem 50 umfaßt mehrere Spiegel 51, einen optischen Integrator 52, ein Relay-System 53 und einen Kondensor 54. Eine Feldblende 55 zur Formung des Laserlichtstrahls ist in Strahlrichtung hinter dem Relay-System 53 angeordnet. Ein Öffnungsbereich 56a ist am Strahleintrittsende des Gehäuses 46 angeordnet, ein Öffnungsbereich 56b an dessen Strahlaustrittsende, und eine vordere Trennplatte 57 und eine hintere Trennplatte 58 sind in die Öffnungsbereiche 56a und 56b eingepaßt. Ein luftdichtes Gehäuse 59 ist zwischen die vordere Trennplatte 57 und die Trennplatte 20 der Lichtquellenkammer 16 der Laservorrichtung 12 eingepaßt. Laserlicht, welches von der Laservorrichtung 12 durch das Verbindungsgehäuse 59 in das erste Gehäuse 46 eintritt, wird durch die Spiegel 51 abgelenkt und durch die Multilinse 52 in eine Anzahl sekundärer Lichtquellen aufgespalten, um die Maske R mit einer gleichförmigen Beleuchtungsverteilung zu beleuchten.In the first case 46 is a lighting system 50 arranged to illuminate the mask R. The lighting system 50 includes several mirrors 51 , an optical integrator 52 , a relay system 53 and a condenser 54 , A field stop 55 for shaping the laser light beam is in the beam direction behind the relay system 53 arranged. An opening area 56a is at the beam entry end of the housing 46 arranged, an opening area 56b at its jet outlet end, and a front partition plate 57 and a rear partition plate 58 are in the opening areas 56a and 56b fitted. An airtight housing 59 is between the front partition plate 57 and the separator plate 20 the light source chamber 16 the laser device 12 fitted. Laser light coming from the laser device 12 through the connection housing 59 in the first case 46 enters, through the mirror 51 distracted and through the multi-lens 52 split into a number of secondary light sources to illuminate the mask R with a uniform illumination distribution.

Eine Strahlanpassungseinheit 67 ist in dem Verbindungsgehäuse 59 angeordnet, um das von der Laservorrichtung 12 emittierte Laserlicht zu dem Beleuchtungssystem 50 zu führen.A beam adaptation unit 67 is in the connector housing 59 arranged to that of the laser device 12 emitted laser light to the illumination system 50 respectively.

In dem zweiten Gehäuse 48 ist ein Projektionssystem 60 zur Projektion eines Bildes der durch das Beleuchtungssystem 50 beleuchteten Maske R auf dem Wafer W angeordnet. Das Projektionssystem 60 weist eine Mehrzahl von Linsen 61 auf. In den Öffnungsbereichen 62 an beiden Enden des zweiten Gehäuses 48 sind Trennplatten 63 angeordnet.In the second housing 48 is a projection system 60 for projecting an image through the illumination system 50 illuminated mask R arranged on the wafer W. The projection system 60 has a plurality of lenses 61 on. In the opening areas 62 at both ends of the second housing 48 are separator plates 63 arranged.

Bei der Waferbühne 49 ist ein Waferlader 64 zum Austauschen der auf der Waferbühne 49 angeordneten Wafer W angeordnet. Bei dem Waferlader 64 ist in der Wandung der Kammer 45 eine Waferaustauschklappe 65 angeordnet. Der auf der Waferbühne 49 angeordnete Wafer W wird durch die geöffnete Waferaustauschklappe 65 ausgetauscht.At the wafer stage 49 is a wafer loader 64 to replace the on the wafer stage 49 arranged wafer W arranged. At the wafer loader 64 is in the wall of the chamber 45 a wafer exchange flap 65 arranged. The one on the wafer stage 49 arranged wafer W is through the opened wafer exchange flap 65 replaced.

Ferner ist eine Maskenaustauschklappe 66 nahe der Maskenbühne 47 an der Wandung der Kammer 45 angeordnet. Durch die Maskenaustauschklappe 66 kann die auf der Maskenbühne 47 angeordnete Maske R ausgetauscht werden.Further, a mask exchange door 66 near the mask stage 47 on the wall of the chamber 45 arranged. Through the mask exchange flap 66 can the on the mask stage 47 arranged mask R are exchanged.

Ein mit dem Spülgassystem 28 vergleichbares Spülgassystem 69 ist an das Verbindungsgehäuse 59, das erste Gehäuse 46 und das zweite Gehäuse 48 angeschlossen. In diesem Fall werden die Kontrollventile 36, 37 durch das Belichtungssteuersystem 73 aktiviert bzw. deaktiviert.One with the flushing gas system 28 comparable flushing gas system 69 is to the connection housing 59 , the first case 46 and the second housing 48 connected. In this case, the control valves 36 . 37 through the exposure control system 73 activated or deactivated.

Stromabwärts des Filters 30 und des temperaturgesteuerten Trockners 31 ist das Spülgasversorgungssystems 69 sind durch die Leitungen 70, 71 und 72 an das Verbindungsgehäuse 59, das erste Gehäuse 46 und das zweite Gehäuse 48 angeschlossen. Diese sind ihrerseits durch die Abgasleitungen 74, 75 bzw. 76 an den Abgasauslaß 40 angeschlossen. Durch diesen entweichen zugeführtes Inertgas und Trockenluft. In die Kammer 45 ausgetretenes Inertgas oder Trockenluft entweichen ebenfalls durch den Abgasauslaß 40. Ein Abgasvolumenmonitor 77, der nahe dem Auslaß 45a der Kammer 45 angeordnet ist, erfaßt das Abgasvolumen des Abgasauslasses 40. Das Erfassungssignal des Abgasvolumenmonitors 77 wird der Belichtungssteuerung 73 bereitgestellt.Downstream of the filter 30 and the temperature controlled dryer 31 is the purge gas supply system 69 are through the wires 70 . 71 and 72 to the connection housing 59 , the first case 46 and the second housing 48 connected. These are in turn through the exhaust pipes 74 . 75 respectively. 76 to the exhaust outlet 40 connected. By this escape supplied inert gas and dry air. In the chamber 45 leaked inert gas or dry air also escape through the exhaust outlet 40 , An exhaust gas volume monitor 77 , which is near the outlet 45a the chamber 45 is arranged, detects the exhaust gas volume of the exhaust outlet 40 , The detection signal of the exhaust volume monitor 77 becomes the exposure control 73 provided.

Außerdem erfassen mehrere Sauerstoffsensoren 73 die Sauerstoffkonzentration an verschiedenen Stellen der Apparatur. Erfassungssignale der Sauerstoffsensoren 78 werden ebenfalls der Belichtungssteuerung 73 bereitgestellt. Außerdem empfängt die Belichtungssteuerung 73 Daten von einem externen Sauerstoffsensor 79.In addition, capture several oxygen sensors 73 the oxygen concentration at various points of the apparatus. Detection signals of the oxygen sensors 78 are also the exposure control 73 provided. In addition, the exposure control receives 73 Data from an external oxygen sensor 79 ,

Wenn die Laservorrichtung 12 und die Belichtungsvorrichtung 11 ausgeschaltet sind, sind die Lichtquellensteuerung 38 und die Belichtungssteuerung 73 nicht mit Strom versorgt, und die Kontrollventile 36 und 37 werden nicht angesteuert. Dementsprechend sind die ersten Kontrollventile 36 geschlossen, die zweiten Kontrollventile 37 sind geöffnet. In diesem Zustand sind die Lichtquellenkammer 16, das Verbindungsgehäuse 59, das erste Gehäuse 46 und das zweite Gehäuse 48 an das Trockenluft-Versorgungssystem 35 angeschlossen. Das heißt, diesen Kammern und Gehäusen wird trockene Luft zugeführt. Wenn die Laservorrichtung 12 und die Belichtungsvorrichtung 11 angeschaltet werden, werden die Lichtquellensteuerung 38 und die Belichtungssteuerung 73 mit Strom versorgt. Diese aktivieren die ersten Kontrollventile 36. Andererseits werden die zweiten Kontrollventile 37 geschlossen. Das bedeutet, daß die Lichtquellenkammer 16, das Verbindungsgehäuse 59, das erste Gehäuse 46 und das zweite Gehäuse 48 an das Inertgasversorgungssystem 33 angeschlossen werden. In diesem Zustand beleuchtet in der Laservorrichtung 12 erzeugtes Laserlicht die Maske R, und ein Bild des Musters auf der Maske R wird auf ein ausgewähltes Beleuchtungsareal auf den Wafer W projiziert. Danach wird der Wafer W so verlagert, daß das nächste Beleuchtungsareal belichtet werden kann usw.When the laser device 12 and the exposure device 11 are off, are the light source control 38 and the exposure control 73 not powered, and the control valves 36 and 37 are not driven. Accordingly, the first control valves 36 closed, the second control valves 37 are opened. In this state, the light source chamber 16 , the connection housing 59 , the first case 46 and the second housing 48 to the dry air supply system 35 connected. That is, these chambers and housings dry air is supplied. When the laser device 12 and the exposure device 11 be turned on, become the light source control 38 and the exposure control 73 powered. These activate the first control valves 36 , On the other hand, the second control valves 37 closed. This means that the light source chamber 16 , the connection housing 59 , the first case 46 and the second housing 48 to the inert gas supply system 33 be connected. In this state, illuminated in the laser device 12 generated laser light, the mask R, and an image of the pattern on the mask R is projected onto a selected illumination area on the wafer W. Thereafter, the wafer W is displaced so that the next lighting area can be exposed, etc.

Die Wahl eines geeigneten Linsenmaterials hängt hauptsächlich von der Wellenlänge des zur Belichtung des Wafers und damit auch für die Beleuchtung der Maske verwendeten Lichts ab. Wünschenswerterweise neigt das Linsenmaterial nicht wesentlich zu Strahlungsschäden, wie verringerter Transmission oder einer Änderung des Brechungsindex', durch Phänomene wie Kompaktion oder Rarefraktion, und sollte idealerweise geringe Doppelbrechung aufweisen.The Choosing a suitable lens material depends mainly on the wavelength of the lens for the exposure of the wafer and thus also for the illumination of the mask used light. Desirably The lens material does not tend to significantly damage radiation, such as reduced transmission or a refractive index change, by phenomena such as Kompaction or rarefaction, and should ideally be low birefringence exhibit.

Quarzglas ist das in UV-Projektionsvorrichtungen am häufigsten verwendete Material. Die Empfindlichkeit von Quarzglas auf UV-Strahlung hängt von den chemischen und physikalischen Eigenschaften des Materials ab, welche ihrerseits eng verknüpft sind mit Herstellungs- und Behandlungsverfahren für dieses Material. Es hat sich herausgestellt, daß solche Bereiche von Quarzglaslinsen, die einer hohen UV-Strahlungsintensität ausgesetzt sind, einer Dichteänderung unterliegen. Man kann davon ausgehen, daß eine solche Dichteänderung einen schädlichen Einfluß auf die optischen Eigenschaften der Linse hat. Insbesondere kann sie zu einer Wellenfrontverzerrung führen. Beispielsweise verkürzt eine Dichtesteigerung den geometrischen Weg des Lichts durch das Linsenmaterial. Andererseits erhöht eine Dichteänderung auch den Brechungsindex, und zwar normalerweise in einem größeren Ausmaß, so daß letztendlich daraus eine Verlängerung des optischen Weges resultiert. Für eine Dichteverringerung gilt entsprechend das Gegenteil.quartz glass is the material most commonly used in UV projection devices. The sensitivity of quartz glass to UV radiation depends on the chemical and physical properties of the material, which in turn is closely linked are involved with manufacturing and treatment procedures for this Material. It has been found that such regions of quartz glass lenses, which are exposed to a high UV radiation intensity, a density change subject. It can be assumed that such a density change a harmful one Influence on has the optical properties of the lens. In particular, she may too lead to wavefront distortion. For example, shortened a density increase the geometric path of light through the Lens material. On the other hand increased a density change also the refractive index, usually to a greater extent, so that ultimately from it an extension the optical path results. For a density reduction applies according to the opposite.

Ein Linsenmaterial, das für UV-Strahlung transparent ist, und bei welchem man bis jetzt solche strukturellen Veränderungen nicht festgestellt hat, ist CaF2. Insofern ist Calciumfluorid ein geeignetes Material für Wellenlängen im kurzwelligen Ultraviolett, wie zum Beispiel die normalerweise verwendeten Wellenlängen 193 nm und 157 nm. Auch andere Erdalkalifluoridmaterialien sind geeignete Linsenmaterialien, deren Eigenschaften denen des Calciumfluorids ähneln. Da in Quarzglasmaterialien strahlungsinduzierte Schäden gefunden werden, ist Calciumfluorid hinsichtlich der Langlebigkeit eines Projektionssystems und damit des entsprechenden Belichtungssystems das Material der Wahl. Allerdings muß das Calciumfluorid für die Verwendung in optischen Linsen einkristallin sein, weshalb es nicht nur teuer in der Herstellung, sondern auch technisch schwierig zu bearbeiten ist. Diese Umstände begrenzen die praktische Verwendung von Calciumfluorid.A lens material which is transparent to ultraviolet radiation and in which no such structural changes have hitherto been found is CaF 2 . Thus, calcium fluoride is a suitable material for short wavelength ultraviolet wavelengths such as the 193 nm and 157 nm wavelengths normally used. Also, other alkaline earth fluoride materials are suitable lens materials whose properties are similar to those of calcium fluoride. Since radiation-induced damage is found in quartz glass materials, calcium fluoride is the material of choice in terms of the longevity of a projection system and thus of the corresponding exposure system. However, the calcium fluoride must be monocrystalline for use in optical lenses, which makes it not only expensive to manufacture, but also technically difficult to process. These circumstances limit the practical use of calcium fluoride.

In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind wenigstens einige, bevorzugt alle Linsen aus Calciumfluorid gefertigt. In einer alternativen Ausführung sind alle Linsen aus Quarzglas gefertigt.In an embodiment of the present invention are at least some, preferably all Lenses made of calcium fluoride. In an alternative embodiment all lenses made of quartz glass.

In weiteren Ausführungsformen werden ein oder mehrere Linsenmaterialien insbesondere kristalline Materialien, für die Linsen verwendet. Hierbei können die Linsenmaterialien ein Fluorid enthalten, beispielsweise Magnesiumfluorid, Bariumfluorid oder andere geeignete Fluoride.In further embodiments one or more lens materials, in particular crystalline materials, for the Used lenses. Here you can the lens materials contain a fluoride, for example magnesium fluoride, Barium fluoride or other suitable fluorides.

Wenn Calciumfluorid oder ein anderes Fluoridmaterial verwendet werden, ist es bevorzugt, Durchmesserdicke und Kristallorientierung der verwendeten Fluoride so auszuwählen, daß ein Kontrastverlust durch intrinsische Doppelbrechung weniger als 0,5% beträgt.If Calcium fluoride or another fluoride material can be used, it is preferred diameter diameter and crystal orientation of the used fluorides to select the existence Contrast loss due to intrinsic birefringence less than 0.5% is.

2 zeigt ein Strahlführungsdiagramm eines bekannten Projektionssystems. Dieses optische System hat eine numerische Apertur von 0,7. Die Klammern deuten an, welche Linse oder welche Linsen welcher Linsengruppe zugeordnet sind. Die erste Linsengruppe LG1 umfaßt die beiden Linsen 101 und 102 mit negativer Brechkraft und hat insgesamt eine negative Brechkraft. Die zweite Linsengruppe LG2 umfaßt fünf Linsen 103, 104, 105, 106 und 107 und hat insgesamt eine positive Brechkraft. Die dritte Linsengruppe LG3 umfaßt drei Linsen 108, 109 und 110 und hat insgesamt eine negative Brechkraft, und die vierte Linsengruppe LG4 umfaßt 8 Linsen 111 bis 118, und hat insgesamt eine positive Brechkraft. Die vierte Linsengruppe LG4 kann in zwei Untergruppen unterteilt werden, nämlich die erste Untergruppe SG41, welche diejenigen Linsen der vierten Gruppe umfaßt, welche links der Aperturblende AS angeordnet sind, also die Linsen 111, 112 und 113 und die zweite Untergruppe SG42, welche diejenigen Linsen der vierten Gruppe umfaßt, die rechts von der Aperturblende AS angeordnet sind, also die Linsen 114 bis 118. 2 shows a beam guidance diagram of a known projection system. This optical system has a numerical aperture of 0.7. The brackets indicate which lens or lenses are associated with which lens group. The first lens group LG1 comprises the two lenses 101 and 102 with negative refractive power and has an overall negative refractive power. The second lens group LG2 comprises five lenses 103 . 104 . 105 . 106 and 107 and has a positive refractive power overall. The third lens group LG3 comprises three lenses 108 . 109 and 110 and has a total negative refractive power, and the fourth lens group LG4 comprises 8 lenses 111 to 118 , and overall has a positive refractive power. The fourth lens group LG4 can be subdivided into two subgroups, namely the first subgroup SG4 1 , which comprises those lenses of the fourth group which are arranged on the left of the aperture diaphragm AS, ie the lenses 111 . 112 and 113 and the second subgroup SG4 2 , which comprises those lenses of the fourth group, which are arranged to the right of the aperture diaphragm AS, ie the lenses 114 to 118 ,

Insbesondere weist die erste Linsengruppe LG1 in der Richtung von links nach rechts eine Meniskuslinse 101 mit negativer Brechkraft und eine bikonkave Linse 102 auf; die zweite Linsengruppen LG2 weist nahezu plankonvexe Linsen 103, 104 und 105 auf, bei welchen jeweils die nahezu planare Fläche nach links weist, eine bikonvexe Linse 106 welche von der Linse 105 durch einen relativ großen Abstand getrennt ist und eine nahezu plankonvexe Linse 107, deren nahezu ebene Fläche nach rechts weist; die dritte Linsengruppe LG3 umfaßt drei bikonkave Linsen 108, 109 und 110; die erste Untergruppe SG41 der vierten Linsengruppe LG4 weist zwei nahezu plankonvexe Linsen 111 und 112 auf, deren nahezu ebene Flächen nach links weisen, sowie eine bikonvexe Linse 113 vor der Aperturblende AS; und die zweite Untergruppe SG42 der vierten Linsengruppe LG4 weist zwei nahezu plankonvexe Linsen 114 und 115 auf, deren nahezu ebene Fläche nach rechts weist, eine ziemlich dicke Meniskuslinse 16, eine Meniskuslinse 117 und eine Planparallelplatte 118. Die vierte Linsengruppe LG4 enthält also keine Linsen mit negativer Brechkraft. Die Linsen 113 und 114 in der vierten Linsengruppe sind durch einen relativ großen Abstand getrennt.In particular, the first lens group LG1 has a meniscus lens in the left-to-right direction 101 with negative refractive power and a biconcave lens 102 on; the second lens group LG2 has almost plano-convex lenses 103 . 104 and 105 on, in which each of the almost planar surface facing to the left, a biconvex lens 106 which of the lens 105 is separated by a relatively large distance and a nearly plano-convex lens 107 whose almost flat surface points to the right; the third lens group LG3 comprises three biconcave lenses 108 . 109 and 110 ; the first subgroup SG4 1 of the fourth lens group LG4 has two nearly plano-convex lenses 111 and 112 on whose nearly flat surfaces are pointing to the left, and a biconvex lens 113 in front of the aperture diaphragm AS; and the second subgroup SG4 2 of the fourth lens group LG4 has two nearly plano-convex lenses 114 and 115 on whose almost flat surface points to the right, a fairly thick meniscus lens 16 , a meniscus lens 117 and a plane parallel plate 118 , The fourth lens group LG4 thus contains no lenses with negative refractive power. The lenses 113 and 114 in the fourth lens group are separated by a relatively large distance.

In 2 sind außerdem der Feldstrahl FR und der Winkelstrahl AR angedeutet.In 2 In addition, the field beam FR and the angle beam AR are indicated.

Detaillierte Informationen bezüglich der Linsenparameter wie Dicke, Material Oberflächenradius und halbem effektivem Durchmesser sind in Tabelle 1 aufgelistet. Hierbei sind Radius, Dicke und Durchmesser in mm angegeben, der Brechungsindex ist für eine Wellenlänge von 193 nm angegeben. Außerdem sind die Positionen asphärischer Oberflächen in dem Projektionssystem und ihre Parameter in Tabelle 2 angegeben. Tabelle 1 Linse Fläche Radius Dicke Material Brechungs index ½ Durchmesser 0 0.000000000 32.000000000 1.00000000 54.400 1 0.000000000 0.000000000 1.00000000 60.078 1 2 –6024.289735750 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 60.429 3 304.118583902 24.736147249 1.00000000 61.352 2 4 –131.737066881 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 62.003 5 417.670275482 23.969861507 1.00000000 71.806 3 6 –3990.989281880 37.637419601 SIO2HL 1.50839641 83.812 7 –146.539975921 8.153868954 1.00000000 87.385 4 8 –3416112.996320000 24.538779242 SIO2HL 1.50839641 96.467 9 –315.770118833 48.655537324 1.00000000 97.902 5 10 1737582.347800000 21.341687512 SIO2HL 1.50839641 102.888 11 –438.312728675 133.848821145 1.00000000 103.350 6 12 372.235399256 25.824530368 SIO2HL 1.50839641 96.078 13 –1253.770358400 3.388364430 1.00000000 95.005 7 14 137.250353219 40.923861302 SIO2HL 1.50839641 85.977 15 –2019.355651910 30.814556576 1.00000000 82.298 8 16 –317.971034610 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 62.837 17 83.280160987 28.917489545 1.00000000 51.912 9 18 –174.767947356 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 51.559 Linse Fläche Radius Dicke Material Brechungs index ½ Durchmesser 19 199.374837069 35.383708199 1.00000000 52.209 10 20 –89.313803180 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 54.110 21 287.142946942 14.615095575 1.00000000 66.604 11 22 –1197.273088600 36.948225159 SIO2HL 1.50839641 71.075 23 –141.217428495 3.127763800 1.00000000 78.665 12 24 1110.602242140 41.309109595 SIO2HL 1.50839641 91.740 25 –186.778606243 6.522919571 1.00000000 94.518 13 26 301.130921191 29.860505588 SIO2HL 1.50839641 97.806 27 –919.702780682 0.844618989 1.00000000 97.243 28 0.000000000 0.000000000 1.00000000 96.338 29 0.000000000 109.449770983 1.00000000 96.356 14 30 331.354934334 22.987387070 SIO2HL 1.50839641 97.785 31 –73153.815546800 1.202668744 1.00000000 97.069 15 32 215.009873195 31.665497873 SIO2HL 1.50839641 94.273 33 –4631.244060050 7.068412058 1.00000000 92.119 16 34 99.799368778 88.612555488 SIO2HL 1.50839641 75.558 35 157.037995467 4.585859982 1.00000000 39.957 17 36 105.913726954 14.729270754 CAF2HL 1.46788655 35.167 37 142.187579405 4.618008084 1.00000000 27.567 18 38 0.000000000 10.782377974 CAF2HL 1.46788655 25.627 39 0.000000000 5.996392452 1.00000000 19.660 40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 13.600 Tabelle 2 Parameter asphärischer Flächen Fläche 2 K: 0.0000 C1: 1.89567103e–007 C2: –6.14954159e–012 C3: 5.99696092e–016 C4: –1.70049965e–019 C5: 3.40804937e–023 C6: –2.46308378e–027 C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Fläche 6 K: 0.0000 C1: 5.10156924e–009 C2: 1.69855235e–012 C3: –1.06288680e–016 C4: 4.97146455e–021 C5: –4.15785888e–025 C6: 1.75008366e–029 Fläche 6 (Fortsetzung) C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Fläche 13 K: 0.0000 C1: –8.90443356e–009 C2: 1.68794796e–013 C3: –5.52889921e–018 C4: 2.53152609e–022 C5: –1.32794410e–026 C6: 6.89511513e–031 C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Fläche 26 K: 0.0000 C1: –7.14236794e–009 C2: 4.66880907e–014 C3 1.84149146e–019 C4: 1.30780764e–022 C5: –1.32931107e–027 C6: 1.29777704e–031 C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Fläche 30 K: 0.0000 C1: –2.73011692e–009 C2: –5.36841078e–013 C3: –7.87215774e–018 C4: –3.92093559e–022 C5: 2.11192637e–026 C6: –1.94208025e–030 C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Fläche 35 K: 0.0000 C1: –3.40706173e–008 C2: –1.34186182e–011 C3: –5.33579678e–015 C4: 1.06622971e–018 C5: –5.16132064e–023 C6: 0.00000000e+000 C7: 0.00000000e+000 C8: 0.00000000e+000 C9: 0.00000000e+000 Detailed information regarding lens parameters such as thickness, material surface radius and half effective diameter are listed in Table 1. Here, radius, thickness and diameter are given in mm, the refractive index is given for a wavelength of 193 nm. In addition, the positions of aspheric surfaces in the projection system and their parameters are given in Table 2. Table 1 lens area radius thickness material Refractive index ½ diameter 0 0.000000000 32.000000000 1.00000000 54,400 1 0.000000000 0.000000000 1.00000000 60078 1 2 -6024.289735750 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 60429 3 304.118583902 24.736147249 1.00000000 61352 2 4 -131.737066881 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 62003 5 417.670275482 23.969861507 1.00000000 71806 3 6 -3990.989281880 37.637419601 SIO2HL 1.50839641 83812 7 -146.539975921 8.153868954 1.00000000 87385 4 8th -3416112.996320000 24.538779242 SIO2HL 1.50839641 96467 9 -315.770118833 48.655537324 1.00000000 97902 5 10 1737582.347800000 21.341687512 SIO2HL 1.50839641 102888 11 -438.312728675 133.848821145 1.00000000 103350 6 12 372.235399256 25.824530368 SIO2HL 1.50839641 96078 13 -1253.770358400 3.388364430 1.00000000 95005 7 14 137.250353219 40.923861302 SIO2HL 1.50839641 85977 15 -2019.355651910 30.814556576 1.00000000 82298 8th 16 -317.971034610 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 62837 17 83.280160987 28.917489545 1.00000000 51912 9 18 -174.767947356 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 51559 lens area radius thickness material Refractive index ½ diameter 19 199.374837069 35.383708199 1.00000000 52209 10 20 -89.313803180 8.980000000 SIO2HL 1.50839641 54110 21 287.142946942 14.615095575 1.00000000 66604 11 22 -1197.273088600 36.948225159 SIO2HL 1.50839641 71075 23 -141.217428495 3.127763800 1.00000000 78665 12 24 1110.602242140 41.309109595 SIO2HL 1.50839641 91740 25 -186.778606243 6.522919571 1.00000000 94518 13 26 301.130921191 29.860505588 SIO2HL 1.50839641 97806 27 -919.702780682 0.844618989 1.00000000 97243 28 0.000000000 0.000000000 1.00000000 96338 29 0.000000000 109.449770983 1.00000000 96356 14 30 331.354934334 22.987387070 SIO2HL 1.50839641 97785 31 -73153.815546800 1.202668744 1.00000000 97069 15 32 215.009873195 31.665497873 SIO2HL 1.50839641 94273 33 -4631.244060050 7.068412058 1.00000000 92119 16 34 99.799368778 88.612555488 SIO2HL 1.50839641 75558 35 157.037995467 4.585859982 1.00000000 39957 17 36 105.913726954 14.729270754 CAF2HL 1.46788655 35167 37 142.187579405 4.618008084 1.00000000 27567 18 38 0.000000000 10.782377974 CAF2HL 1.46788655 25627 39 0.000000000 5.996392452 1.00000000 19660 40 0.000000000 0.000000000 1.00000000 13,600 Table 2 Parameters of aspherical surfaces Area 2 K: 0.0000 C1: 1.89567103e-007 C2: -6.14954159e-012 C3: 5.99696092e-016 C4: -1.70049965e-019 C5: 3.40804937e-023 C6: -2.46308378e-027 C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000 Area 6 K: 0.0000 C1: 5.10156924e-009 C2: 1.69855235e-012 C3: -1.06288680e-016 C4: 4.97146455e-021 C5: -4.15785888e-025 C6: 1.75008366e-029 Surface 6 (continued) C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000 Area 13 K: 0.0000 C1: -8.90443356e-009 C2: 1.68794796e-013 C3: -5.52889921e-018 C4: 2.53152609e-022 C5: -1.32794410e-026 C6: 6.89511513e-031 C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000 Area 26 K: 0.0000 C1: -7.14236794e-009 C2: 4.66880907e-014 C3 1.84149146e-019 C4: 1.30780764e-022 C5: -1.32931107e-027 C6: 1.29777704e-031 C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000 Area 30 K: 0.0000 C1: -2.73011692e-009 C2: -5.36841078e-013 C3: -7.87215774e-018 C4: -3.92093559e-022 C5: 2.11192637e-026 C6: -1.94208025e-030 C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000 Area 35 K: 0.0000 C1: -3.40706173e-008 C2: -1.34186182e-011 C3: -5.33579678e-015 C4: 1.06622971e-018 C5: -5.16132064e-023 C6: 0.00000000e + 000 C7: 0.00000000e + 000 C8: 0.00000000e + 000 C9: 0.00000000e + 000

Die Linsen 117 und 118 der in 2 und Tabelle 1 beschriebenen Ausführungsform sind aus Calciumfluorid gefertigt. Calciumfluorid hat eine intrinsische Doppelbrechung, und es ist vorteilhaft, die relative Orientierung der Kristallachsen der betreffenden Linsen so aufeinander abzustimmen, daß der kombinierte Doppelbrechungseffekt beider Linsen wenigstens teilweise kompensiert ist. Hintergrundinformation zur relativen Orientierung von kristallinen Linsen ist beispielsweise in US 2003/0137733 A1 zu finden.The lenses 117 and 118 the in 2 and Table 1 described embodiment are made of calcium fluoride. Calcium fluoride has intrinsic birefringence, and it is advantageous to match the relative orientation of the crystal axes of the lenses in question so that the combined birefringence effect of both lenses is at least partially compensated. Background information on the relative orientation of crystalline lenses is, for example, in US 2003/0137733 A1 to find.

In 3 ist ein Strahlführungsdiagramm eines weiteren bekannten Projektionssystems dargestellt. Wie durch die Klammern angedeutet, umfaßt die erste Linsengruppe LG12 drei Linsen mit negativer Brechkraft, die zweite Linsengruppe LG22 umfaßt fünf Linsen und hat positive Brechkraft und die dritte Linsengruppe LG32 umfaßt drei Linsen mit negativer Brechkraft und bildet eine Taille des Projektionssystems.In 3 is a beam guidance diagram of another known projection system shown. As indicated by the parentheses, the first lens group LG12 includes three lenses of negative refractive power, the second lens group LG22 comprises five lenses and has positive power, and the third lens group LG32 comprises three lenses of negative refractive power and forms a waist of the projection system.

Die erste Untergruppe SG412 der vierten Linsengruppe LG42 umfaßt vier Linsen und die zweite Untergruppe SG422 der vierten Linsengruppe LG42 umfaßt acht Linsen, wobei die vierte Linsengruppe LG42 insgesamt positive Brechkraft hat.The first subgroup SG 4 12 of the fourth lens group LG 42 comprises four lenses and the second subgroup SG 4 22 of the fourth lens group LG 42 comprises eight lenses, the fourth lens group LG 42 having an overall positive refractive power.

Die vierte Linsengruppe LG42 umfaßt ferner eine einstellbare Aperturblende. Die letzte Linse in der Richtung von links nach rechts der dritten Linsengruppe LG32 und die erste Linse der ersten Untergruppe SG412 bilden ein erstes Duplett und die zweite und dritte Linse der ersten Untergruppe SG412 bilden ein zweites Duplett. Die Linsenfläche 227 ist eine nach rechts konkave Fläche an welcher die Belichtungsstrahlen relativ großen Eintritts- und Ablenkwinkeln ausgesetzt sind. Diese Linsenfläche hat einen starken Korrektureffekt, insbesondere hinsichtlich Koma und sphärischen Aberrationen des Projektionssystems. Die letzte Linse der ersten Untergruppe ist wegen ihrer großen Eintritts- und Ablenkungswinkel ebenfalls wichtig.The fourth lens group LG42 further includes an adjustable aperture stop. The last lens in the left-to-right direction of the third lens group LG32 and the first lens of the first subgroup SG 4 12 form a first doublet and the second and third lenses of the first subgroup SG 4 12 form a two a double doublet. The lens surface 227 is a right concave surface to which the exposure beams are exposed to relatively large entrance and deflection angles. This lens surface has a strong correction effect, especially with respect to coma and spherical aberrations of the projection system. The last lens of the first subgroup is also important because of its large entrance and deflection angles.

Zwischen der ersten und der zweiten Linse der zweiten Untergruppe SG422 ist eine Luftlinse ausgebildet. Die zweite Linse der zweiten Untergruppe SG422 hat eine hohe positive Brechkraft.Between the first and the second lens of the second subgroup SG 4 22, an air lens is formed. The second lens of the second subgroup SG 4 22 has a high positive refractive power.

Detaillierte Informationen zu Linsenparametern, wie Dicke, Linsenmaterial ("N2VP950" bedeutet Reinstickstoff), Radius der brechenden Fläche und Durchmesser der Linse sind in Tabelle 3 aufgelistet. Außerdem sind die Positionen und Parameter der asphärischen Flächen in dem Projektionssystem in Tabelle 4 angegeben. Wie aus Tabelle 4 hervorgeht, enthält das Projektionssystem zehn asphärische Flächen, die alle als insgesamt konkave Linsenflächen ausgebildet sind.detailed Information on lens parameters, such as thickness, lens material ("N2VP950" means pure nitrogen), Radius of the refractive surface and diameter of the lens are listed in Table 3. Besides, they are the positions and parameters of the aspherical surfaces in the projection system in Table 4. As shown in Table 4, the projection system contains ten aspherical surfaces, all of which are designed as a total of concave lens surfaces.

In Tabelle 5 sind Parameter des Projektionssystems angegeben. Tabelle 3 Fläche Radius Dicke Linsenmaterial Durchmeser 0 0.000 32.000 'AIRV193' 112.16 1 0.000 0.000 'AIRV193' 127.77 2 57573.384 8.000 'SiO2V' 128.94 3 243.811 13.262 'N2VP950' 132.25 4 –1090.143 9.354 'SiO2V' 134.84 5 466.146 37.485 'N2VP950' 141.26 6 –105.489 75.000 'SiO2V' 144.45 7 –148.914 0.700 'N2VP950' 214.83 8 –934.567 36.244 'SiO2V' 247.24 9 –274.035 0.700 'N2VP950' 254.54 10 1877.003 35.146 'SiO2V' 267.24 11 –433.158 0.700 'N2VP950' 268.74 12 340.474 28.340 'SiO2V' 263.65 13 1177.958 0.700 'N2VP950' 260.39 14 180.585 34.561 'SiO2V' 242.61 15 206.758 0.700 'N2VP950' 224.36 16 155.939 75.000 'SiO2V' 216.75 17 281.771 15.027 'N2VP950' 171.22 18 15953.616 8.000 'SiO2V' 166.15 19 98.432 77.068 'N2VP950' 137.11 20 –111.308 8.019 'SiO2V' 128.52 21 –702.509 18.031 'N2VP950' 136.29 22 –138.076 8.362 'SiO2V' 137.45 23 416.972 18.694 'N2VP950' 158.20 24 –11234.170 41.874 'SiO2V' 170.34 25 –150.893 0.700 'N2VP950' 182.81 26 –1297.101 8.000 'SiO2V' 199.72 27 253.311 21.736 'N2VP950' 215.55 Fläche Radius Dicke Linsenmaterial Durchmeser 28 1068.917 45.071 'SiO2V' 223.06 29 –236.445 0.700 'N2VP950' 231.38 30 244.024 37.656 'SiO2V' 298.50 31 555.375 27.303 'N2VP950' 297.24 32 0.000 –18.174 'N2VP950' 298.02 33 360.544 15.000 'SiO2V' 302.13 34 221.881 36.472 'N2VP950' 295.96 35 488.301 77.125 'SiO2V' 299.83 36 –279.915 0.700 'N2VP950' 303.00 37 187.876 53.225 'SiO2V' 285.84 38 489.307 0.700 'N2VP950' 278.37 39 163.275 44.194 'SiO2V' 246.77 40 325.398 0.700 'N2VP950' 232.49 41 140.866 60.717 'SiO2V' 200.93 42 235.724 2.997 'N2VP950' 146.44 43 232.815 16.671 'SiO2V' 142.60 44 582.777 6.772 'N2VP950' 127.85 45 375.408 11.293 'SiO2V' 100.07 46 687.655 3.099 'N2VP950' 84.48 47 0.000 9.375 'SiO2V' 73.36 48 0.000 5.000 'AIRV193' 58.93 49 0.000 0.000 28.04 Tabelle 4 Parameter asphärischer Flächen Fläche 2 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.218716E–06 B: –.248776E–10 C: 0.185358E–14 D: –.161759E–18 E: 0.192307E–23 F: 0.547379E–28 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 4 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.290942E–07 B: 0.126121E–10 C: –.105557E–14 D: 0.362305E–19 E: 0.842431E–23 F: –.416292E–27 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 8 K: 0.000000 KC: 100 A: –.150691E–08 B: 0.212074E–12 C: 0.518282E–17 D: 0.216329E–22 E: –.516324E–26 F: 0.333908E–31 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 17 K: 0.000000 KC: 100 A: –.377475E–07 B: 0.114027E–11 C: 0.292881E–16 D: –.547743E–20 E: 0.158504E–24 F: 0.734629E–29 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 21 K: 0.000000 KC: 100 A: –.113618E–08 B: –.309117E–11 C: –.571100E–15 D: 0.250974E–19 E: 0.271018E–23 F: –.232236E–27 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 24 K: 0.000000 KC: 100 A: –.626858E–07 B: 0.319357E–11 C: –.159658E–15 D: 0.992952E–20 E: –.419849E–24 F: 0.152526E–28 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 31 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.459357E–08 B: –.505347E–13 C: 0.210154E–17 D: –.360092E–22 E: 0.512127E–27 F: –.669880E–32 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 38 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.667497E–09 B: 0.231564E–12 C: –.696885E–17 D: 0.193993E–21 E: 0.451888E–27 F: –.167538E–31 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 40 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.184307E–08 B: 0.428901E–12 C: 0.159451E–16 D: –.141858E–20 E: 0.396624E–25 F: –.208535E–30 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Fläche 42 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.131959E–07 B: 0.540208E–11 C: –.186730E–15 D: –.295225E–21 E: 0.112720E–23 F: –.134832E–27 G: 0.000000E+00 H: 0.000000E+00 J: 0.000000E+00 Tabelle 5 NA 0.95 E [mm] 26.638 φm [mm–1] 2.23e–3 φm·E 0.059 δm in ° 12.32 sin(δm)·E [mm] 5.68 GD [mm] 746.2 GD/E 28 dc/ds max in m–2 502 Table 5 shows parameters of the projection system. Table 3 area radius thickness lens material -diameter 0 0000 32,000 'AIRV193' 112.16 1 0000 0000 'AIRV193' 127.77 2 57573.384 8000 'SiO 2 V' 128.94 3 243811 13262 'N2VP950' 132.25 4 -1090.143 9354 'SiO 2 V' 134.84 5 466146 37485 'N2VP950' 141.26 6 -105489 75,000 'SiO 2 V' 144.45 7 -148914 0700 'N2VP950' 214.83 8th -934567 36244 'SiO 2 V' 247.24 9 -274035 0700 'N2VP950' 254.54 10 1877.003 35146 'SiO 2 V' 267.24 11 -433158 0700 'N2VP950' 268.74 12 340474 28340 'SiO 2 V' 263.65 13 1177.958 0700 'N2VP950' 260.39 14 180585 34561 'SiO 2 V' 242.61 15 206758 0700 'N2VP950' 224.36 16 155939 75,000 'SiO 2 V' 216.75 17 281771 15027 'N2VP950' 171.22 18 15953.616 8000 'SiO 2 V' 166.15 19 98432 77068 'N2VP950' 137.11 20 -111308 8019 'SiO 2 V' 128.52 21 -702509 18031 'N2VP950' 136.29 22 -138076 8362 'SiO 2 V' 137.45 23 416972 18694 'N2VP950' 158.20 24 -11234,170 41874 'SiO 2 V' 170.34 25 -150893 0700 'N2VP950' 182.81 26 -1297.101 8000 'SiO 2 V' 199.72 27 253311 21736 'N2VP950' 215.55 area radius thickness lens material -diameter 28 1068.917 45071 'SiO 2 V' 223.06 29 -236445 0700 'N2VP950' 231.38 30 244024 37656 'SiO 2 V' 298.50 31 555375 27303 'N2VP950' 297.24 32 0000 -18,174 'N2VP950' 298.02 33 360544 15,000 'SiO 2 V' 302.13 34 221881 36472 'N2VP950' 295.96 35 488301 77125 'SiO 2 V' 299.83 36 -279915 0700 'N2VP950' 303.00 37 187876 53225 'SiO 2 V' 285.84 38 489307 0700 'N2VP950' 278.37 39 163275 44,194 'SiO 2 V' 246.77 40 325398 0700 'N2VP950' 232.49 41 140866 60717 'SiO 2 V' 200.93 42 235724 2997 'N2VP950' 146.44 43 232815 16671 'SiO 2 V' 142.60 44 582777 6772 'N2VP950' 127.85 45 375408 11293 'SiO 2 V' 100.07 46 687655 3099 'N2VP950' 84.48 47 0000 9375 'SiO 2 V' 73.36 48 0000 5000 'AIRV193' 58.93 49 0000 0000 28.04 Table 4 Parameters of aspherical surfaces Area 2 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.218716E-06 B: -.248776E-10 C: 0.185358E-14 D: -.161759E-18 E: 0.192307E-23 F: 0.547379E-28 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 4 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.290942E-07 B: 0.126121E-10 C: -.105557E-14 D: 0.362305E-19 E: 0.842431E-23 Q: -.416292E-27 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 8 K: 0.000000 KC: 100 A: -.150691E-08 B: 0.212074E-12 C: 0.518282E-17 D: 0.216329E-22 E: -.516324E-26 F: 0.333908E-31 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 17 K: 0.000000 KC: 100 A: -.377475E-07 B: 0.114027E-11 C: 0.292881E-16 D: -547743E-20 E: 0.158504E-24 F: 0.734629E-29 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 21 K: 0.000000 KC: 100 A: -.113618E-08 B: -.309117E-11 C: -.571100E-15 D: 0.250974E-19 E: 0.271018E-23 Q: -.232236E-27 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 24 K: 0.000000 KC: 100 A: -.626858E-07 B: 0.319357E-11 C: -.159658E-15 D: 0.992952E-20 E: -.419849E-24 F: 0.152526E-28 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 31 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.459357E-08 B: -.505347E-13 C: 0.210154E-17 D: -.360092E-22 E: 0.512127E-27 F: -.669880E-32 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Surface 38 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.667497E-09 B: 0.231564E-12 C: -.696885E-17 D: 0.193993E-21 E: 0.451888E-27 Q: -.167538E-31 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 40 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.184307E-08 B: 0.428901E-12 C: 0.159451E-16 D: -.141858E-20 E: 0.396624E-25 Q: -.208535E-30 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Area 42 K: 0.000000 KC: 100 A: 0.131959E-07 B: 0.540208E-11 C: -.186730E-15 D: -.295225E-21 E: 0.112720E-23 Q: -.134832E-27 G: 0.000000E + 00 H: 0.000000E + 00 J: 0.000000E + 00 Table 5 N / A 0.95 E [mm] 26638 φm [mm -1 ] 2.23e-3 φm · E 0059 δm in ° 12:32 sin (δm) · E [mm] 5.68 G D [mm] 746.2 G D / E 28 dc / ds max in m -2 502

4a zeigt einen Rahmen, der für die Verwendung der vorliegenden Erfindung geeignet ist. Der Rahmen 335 weist eine Mehrzahl von Distanzstücken 341 auf sowie einen inneren Ring 340 und ein Gehäuse 342. Die Distanzstücke 341 sind in der Form von L-förmigen Federverbindern und gleichabständig an dem Umfang des inneren Rings 340 angeordnet. Eine Linse (nicht dargestellt) kann an den Distanzstücken 341 mittels eines leitfähigen Adhäsives befestigt werden und so mittels der Distanzstücke 341 an den inneren Ring 340 und damit an das Gehäuse 342 gekoppelt werden. Der innere Ring 340 und das Gehäuse 342 können einstückig ausgebildet sein oder aus zwei getrennten miteinander verbundenen Stücken hergestellt werden. Durch die Verwendung von Federverbindern als Distanzstücke ist es möglich, das Substrat mit geringer oder keiner Spannungsausübung auf den Rahmen 335 zu befestigen. In einem äußeren Rand des Gehäuses 342 sind eine Anzahl von Löchern 343 ausgebildet, damit der Rahmen 335 an benachbarten Rahmen befestigt werden kann. Ein Rahmen mit einer ähnlichen Distanzstückanordnung ist in US 6,229,657 der selben Anmelderin angegeben. 4a shows a frame suitable for the use of the present invention. The frame 335 has a plurality of spacers 341 on as well as an inner ring 340 and a housing 342 , The spacers 341 are in the form of L-shaped spring connectors and equidistant on the circumference of the inner ring 340 arranged. A lens (not shown) may be attached to the spacers 341 be attached by means of a conductive adhesive and so by means of the spacers 341 to the inner ring 340 and thus to the housing 342 be coupled. The inner ring 340 and the case 342 may be formed in one piece or made of two separate interconnected pieces. By using spring connectors as spacers, it is possible to stress the substrate with little or no stress on the frame 335 to fix. In an outer edge of the housing 342 are a number of holes 343 designed to keep the frame 335 can be attached to adjacent frame. A frame with a similar spacer arrangement is shown in FIG US 6,229,657 the same applicant indicated.

In 4b ist ein Projektionsbelichtungssystem schematisch dargestellt. Das Projektionsbelichtungssystem 300 umfaßt eine Lichtquelle 301 und ein Beleuchtungssystem 302, welche zusammen ein Strahlführungssystem darstellen. Das Strahlführungssystem kann zum Beispiel wie das in US 6,285,443 dargestellte Strahlführungssystem ausgebildet sein. Das Strahlführungssystem stellt einen Lichtstrahl zur Beleuchtung eines bestimmten Bereichs der Maske R bereit.In 4b a projection exposure system is shown schematically. The projection exposure system 300 includes a light source 301 and a lighting system 302 , which together constitute a beam guidance system. For example, the beam delivery system can be like the one in US 6,285,443 be illustrated beam guiding system. The beam guiding system provides a light beam for illuminating a certain area of the mask R.

Das Projektionsbelichtungssystem umfaßt ferner ein Projektionssystem 310 und eine Waferbühne 350. Ein Bild des beleuchteten Bereiches der Maske R wird durch die Projektionsvorrichtung 310 auf einen Belichtungsbereich des Wafers W projiziert, um den Wafer W zu belichten, wobei der Wafer durch die Waferbühne 350 getragen wird. Das Projektionssystem 310 umfaßt eine Mehrzahl von optischen Komponenten, von denen eine schematisch als optische Komponente 335 dargestellt ist. Die optische Komponente 335 umfaßt eine Linse 343 als Substrat und einen Rahmen 340, wobei der Rahmen 340 einen ringförmigen Abschnitt 342 zum Montieren des Rahmens 340 in dem Projektionssystem 310 aufweist, sowie eine Mehrzahl von Befestigungsgliedern, die jeweils aus drei Elementen 341, 341' und 341'' bestehen, um die Linse 343 an dem ringförmigen Abschnitt 342 zu befestigen. In dieser Ausführung wird die Linse 343 an den Elementen 341'' mittels eines leitfähigen Adhäsives befestigt.The projection exposure system further includes a projection system 310 and a wafer stage 350 , An image of the illuminated area of the mask R is taken through the projection device 310 projected onto an exposure area of the wafer W to expose the wafer W, the wafer passing through the wafer stage 350 will be carried. The projection system 310 comprises a plurality of optical components, one of which schematically as an optical component 335 is shown. The optical component 335 includes a lens 343 as a substrate and a frame 340 , where the frame 340 an annular section 342 for mounting the frame 340 in the projection system 310 and a plurality of fastening members, each of three elements 341 . 341 ' and 341 '' exist to the lens 343 at the annular portion 342 to fix. In this embodiment, the lens 343 on the elements 341 '' attached by means of a conductive adhesive.

5 zeigt schematisch eine Linse 401 aus CaF2, deren Oberfläche 403 mit einer dünnen Schicht aus Zirkonium überzogen ist. Diese Schicht hat eine geringe Reflektivität bei 193 nm Wellenlänge, und eine in geringer Dicke vertretbare Absorption. Die Überzugsschicht erstreckt sich am Rand der Linse 401 bis zu der Kontaktstelle 405 mit der Linsenhalterung 407, an der die Linse mittels eines leitfähigen Adhäsivs 409 befestigt ist. 5 schematically shows a lens 401 from CaF 2 , whose surface 403 covered with a thin layer of zirconium. This layer has a low reflectivity at 193 nm wavelength, and a reasonable absorption in a small thickness. The coating layer extends at the edge of the lens 401 up to the contact point 405 with the lens holder 407 at which the lens by means of a conductive adhesive 409 is attached.

6 zeigt in Aufsicht eine Linse 501 aus CaF2, deren Oberfläche 503 mit einem Netzwerk 505 aus Metallatomen versehen ist. Dieses Netzwerk wird durch langsames Bedampfen bei niedrigen Temperaturen erzeugt. Dabei sind die auf die Linsenoberfläche 503 aufgedampften Metallatome gerade ausreichend beweglich, um zu Stellen relativ geringen Potentials zu wandern, also zu den Lagenkanten 507 des kristallinen Calciumfluorids. Durch die geringe Aufdampfrate und Substrattemperatur wird vermieden, daß sich die Metallatome zu Inseln vereinigen. Um die entstehenden konzentrischen Strukturen zu einem leitenden Netz zu vervollständigen, wird quer über die Linsenoberfläche 503 noch eine zusätzliche Leiterbahn 509 aufgebracht, die auch den Kontakt zu der Linsenhalterung 511 herstellt. Bei mehreren Halterungen können entsprechend mehrere, diese Halterungen kontaktierende zusätzliche Leiterbahnen quer über die Oberfläche gelegt werden. Zum Ausgleich der optischen Weglänge können die zusätzlichen Leiterbahnen in entsprechende Rillen in der Linsenoberfläche eingebracht werden. 6 shows in supervision a lens 501 of CaF 2 whose surface 503 with a network 505 made of metal atoms. This network is created by slowly steaming at low temperatures. They are on the lens surface 503 vapor-deposited metal atoms just enough to move to places of relatively low potential, ie to the ply edges 507 of the crystalline calcium fluoride. Due to the low vapor deposition rate and substrate temperature it is avoided that the metal atoms combine to form islands. To complete the resulting concentric structures into a conductive mesh, it transverses across the lens surface 503 one more additional track 509 applied, which also makes contact with the lens holder 511 manufactures. In the case of several holders, a plurality of additional conductor tracks which contact these holders can be placed across the surface. To compensate for the optical path length, the additional tracks in corresponding grooves in the Lens surface are introduced.

In 7 ist eine Linse 601 ähnlich der in 5 gezeigten dargestellt, bei der aber keine leitfähige Schicht aufgebracht wird, sondern vielmehr durch Dotieren mit Fremdionen 603 eine Oberflächenleitfähigkeit des Linsenmaterials selbst erzeugt wird. Wie schon bei den Ausführungsformen der 5 und 6 ist ein erreichter Oberflächenwiderstand von unter 0,1 TΩ/☇, insbesondere weniger als 1 GΩ/☇ bevorzugt.In 7 is a lens 601 similar to the one in 5 shown, but in which no conductive layer is applied, but rather by doping with foreign ions 603 a surface conductivity of the lens material itself is generated. As with the embodiments of the 5 and 6 is an achieved surface resistance of less than 0.1 TΩ / ☇, in particular less than 1 GΩ / ☇ preferred.

Bei der Anordnung gemäß der 8 ist eine Spülgaszufuhr 701 mit einer Americium-haltigen α-Strahlungsquelle ausgestattet. Das durchströmende Gas wird durch die α-Strahlung des 241Am jeweils beim Eintritt in den Linsenzwischenraum 703 teilweise ionisiert. In den Überströmkanälen 705 werden verbliebene, also nicht rekombinierte Ionen beim Austritt aus dem Linsenzwischenraum entladen. Beim erneuten Eintritt in den nächsten Linsenzwischenraum findet wiederum partielle Ionisation statt usf. Eine genauere Beschreibung der Spülgasführung wird im Zusammenhang mit 10 gegeben.In the arrangement according to the 8th is a purge gas supply 701 equipped with an americium-containing α-radiation source. The gas flowing through it is defined by the α radiation of the 241 Am each time it enters the lens space 703 partially ionized. In the overflow channels 705 remaining, that is not recombined, ions are discharged when exiting the lens space. Partial ionization takes place again when entering the next lens space. A more detailed description of the purge gas guidance is given in connection with 10 given.

Bei der Linse 801 gemäß der 9 ist die Oberfläche 803 der Linse mit Antireflexschichten 805, 807 alternierend belegt. Eine der äußeren Schichten 807 enthält radioaktives Thoriumfluorid ThF4, und zwar angereichert mit 230Th. Dieses sorgt für eine geringfügige Ionisierung des Spülgases, und damit den Abtransport von Oberflächenladungen.At the lens 801 according to the 9 is the surface 803 the lens with anti-reflection layers 805 . 807 alternately occupied. One of the outer layers 807 contains radioactive thorium fluoride ThF 4 , enriched with 230 Th. This ensures a slight ionization of the purge gas, and thus the removal of surface charges.

In nicht dargestellten, weiteren Ausführungen sind mehrere der vorgestellten Lösungen miteinander kombiniert. Beispielsweise kann die Spülgasionisierung mittels in Gaszufuhrkanälen angeordneten Americiumquellen auch mit einer ThF4-Antireflexbeschichtung kombiniert werden, und beide wiederum mit einer netzartigen Leitungsstruktur. Eine Antireflexbeschichtung kann auch Americiumfluorid 241AmF3 umfassen, zumindest als untergeordneter Bestandteil z.B. in einer LaF3-Schicht.In further embodiments, not shown, several of the solutions presented are combined. For example, the purge gas ionization may also be combined with a ThF 4 antireflective coating by means of ameriumium sources located in gas supply channels, and both in turn with a net-like conduit structure. An antireflective coating may also comprise americium fluoride 241 AmF 3 , at least as a minor constituent eg in a LaF 3 layer.

Ferner kann eine oberflächennahe Dotierung mit einer vollflächigen Beschichtung der Linsenoberfläche kombiniert werden. Insbesondere kann die Dotierung durch Diffusion des Beschichtungsmaterials in die eigentliche Linsenoberfläche bereitgestellt werden. Hierzu kann die Herstellung einen Erhitzungsprozeß umfassen, währenddessen einzelne Atome der Beschichtung in das Volumen der Linse eindringen. Hierbei ist die leitfähige Beschichtung direkt auf der Linse aufgebracht, während dielektrische Antireflexschichten auf der leitfähigen Beschichtung aufgebracht sind. Zusätzlich kann auf und/oder zwischen den Antireflexschichten eine weitere leitfähige Beschichtung aufgebracht sein, und zwar vollflächig oder als Netzstruktur wie oben beschrieben.Further can be a near-surface Doping with a full-surface Coating the lens surface be combined. In particular, the doping by diffusion of the coating material provided in the actual lens surface become. For this purpose, the production may comprise a heating process, Meanwhile single atoms of the coating penetrate into the volume of the lens. Here is the conductive Coating applied directly to the lens while dielectric antireflection coatings on the conductive Coating are applied. Additionally, on and / or between applied to the anti-reflective layers another conductive coating be, and all over or as a network structure as described above.

10 ist eine Zeichnung, die schematisch den Aufbau eines Spülgasversorgungssystems zur Verwendung mit der vorliegenden Erfindung darstellt. Das optische System bildet eine Projektionsbelichtungsvorrichtung 901 zum Abbilden eines Musters, welches auf der Maske 903 ausgebildet ist, auf den Photoresist, der auf einer Oberfläche des Halbleiterwafers 905 aufgebracht ist. Die Belichtungsvorrichtung 901 umfaßt eine Mehrzahl von optischen Komponenten, die direkt oder indirekt an einem Gerüst 907 befestigt sind, um die relativen Positionen der optischen Komponenten zueinander festzulegen. Das Gerüst 907 ist auf einer Basis 909 befestigt, welche ihrerseits am Boden 911 befestigt ist. Vibrationsdämpfer 913 sind zwischen der Basis 909 und dem Gerüst 907 bereitgestellt, um die Schwingungsübertragung von dem Boden 911 auf die optischen Komponenten des Systems zu unterdrücken. Das Gerüst 907 ist dergestalt auf der Basis 909 befestigt, daß relative Bewegungen zwischen dem Gerüst 907 und der Basis 909 in xyz-Richtung ermöglicht sind, wie durch die Pfeile 915 angedeutet. 10 Fig. 12 is a drawing schematically illustrating the structure of a purge gas supply system for use with the present invention. The optical system forms a projection exposure apparatus 901 for imaging a pattern which is on the mask 903 is formed on the photoresist which is on a surface of the semiconductor wafer 905 is applied. The exposure device 901 comprises a plurality of optical components that are directly or indirectly attached to a scaffold 907 are fixed to determine the relative positions of the optical components to each other. The scaffolding 907 is on a base 909 attached, which in turn on the ground 911 is attached. vibration damper 913 are between the base 909 and the scaffolding 907 provided to the vibration transmission from the ground 911 to suppress the optical components of the system. The scaffolding 907 is based on that 909 attached that relative movements between the scaffolding 907 and the base 909 in the xyz direction, as indicated by the arrows 915 indicated.

Die Projektionsbelichtungsvorrichtung 901 umfaßt ein Strahlführungssystem 917, welches einen ArF-Excimer-Laser 919 zur Bereitstellung eines Lichtstrahls 921 der Wellenlänge 193 nm beinhaltet. Das Strahlführungssystem umfaßt ferner ein Linsensystem, das durch die Linse 923 schematisch dargestellt ist. Für den Fachmann ist jedoch klar, daß das Strahlführungssystem eine Vielzahl weiterer optischer Komponenten, wie Integratoren, Zoomsysteme und andere Komponenten, umfassen kann.The projection exposure apparatus 901 comprises a beam guiding system 917 which is an ArF excimer laser 919 for providing a light beam 921 the wavelength 193 nm includes. The beam delivery system further includes a lens system passing through the lens 923 is shown schematically. However, it will be apparent to those skilled in the art that the beam delivery system may include a variety of other optical components, such as integrators, zoom systems, and other components.

Der Beleuchtungsstrahl 921 wird durch den Spiegel 925 auf die Maske 903 reflektiert. Die Maske 903 ist auf der Maskenbühne 927 befestigt, welche in Bezug auf das Gerüst 907 beweglich ist, wobei ein entsprechendes Lager 929 und ein Aktuator 931 in 10 nur schematisch angedeutet sind. Hierbei ist wichtig, daß die relative Position zwischen der Maskenhalterung, auf welcher die Maske 903 direkt befestigt ist, und dem gemeinsamen Gerüst 907 eine eindeutig definierte Position ist, welche gemäß einem bestimmten Verfahren geändert werden kann. Das heißt, die Maske 903 ist in diesem Sinne an dem Gerüst 907 "befestigt", so daß eine beispielsweise durch Vibrationen verursachte Relativbewegung des Gerüsts 907 zur Basis 909 im wesentlichen einer gleichen Relativbewegung der Maske 903 in Bezug zur Basis 909 entspricht.The lighting beam 921 is through the mirror 925 on the mask 903 reflected. The mask 903 is on the mask stage 927 attached, which in relation to the scaffolding 907 is movable, with a corresponding bearing 929 and an actuator 931 in 10 are indicated only schematically. It is important that the relative position between the mask holder, on which the mask 903 directly attached, and the common scaffolding 907 is a clearly defined position that can be changed according to a particular procedure. That is, the mask 903 is in this sense on the scaffolding 907 "attached", so that a caused for example by vibration relative movement of the scaffold 907 to the base 909 essentially a same relative movement of the mask 903 in relation to the base 909 equivalent.

In ähnlicher Weise ist der Wafer 905 direkt auf der Waferbühne 933 befestigt, welche durch das Gerüst 907 mittels des Lagers 935 gehaltert ist, wobei eine Position des Wafers 905 in Bezug auf das Gerüst 907 durch Ansteuern des Aktuators 937 geändert werden kann. Wiederum ist Wafer 905 in diesem Sinne an dem Gerüst 907 "befestigt".Similarly, the wafer is 905 directly on the wafer stage 933 fastened by the scaffolding 907 by means of the warehouse 935 is held, with a position of the wafer 905 in terms of the scaffolding 907 by driving the actuator 937 can be changed. Again, wafer is 905 in this sense on the scaffolding 907 "Attached".

Die Projektionsbelichtungsvorrichtung 901 umfaßt ferner ein Abbildungssystem 939 zur Abbildung eines Bereiches der Maske 903 auf einen entsprechenden Bereich des Wafers 905. Das Abbildungssystem 939 umfaßt eine Mehrzahl von Linsen 941, die als Linsenstapel in einem Linsengehäuse 943 angeordnet sind, wobei das Linsengehäuse jede der Linse 941 haltert. Das Linsengehäuse 943 bildet einen Bestandteil des Gerüsts 907. In 10 sind zu Darstellungszwecken lediglich fünf Linsen 941 dargestellt. Dem Fachmann ist aber klar, daß ein solches Abbildungssystem in der Regel wesentlich mehr Linsen aufweist, wie auch die in den 2 und 3 dargestellten Abbildungssysteme mehr als fünf Linsen aufweisen.The projection exposure apparatus 901 further includes an imaging system 939 to image an area of the mask 903 to a corresponding area of the wafer 905 , The imaging system 939 includes a plurality of lenses 941 as a lens stack in a lens housing 943 are arranged, wherein the lens housing of each of the lens 941 supports. The lens housing 943 forms part of the scaffold 907 , In 10 are for illustration purposes only five lenses 941 shown. However, it is clear to the person skilled in the art that such an imaging system generally has substantially more lenses, as well as those in the 2 and 3 imaging systems have more than five lenses.

Die Projektionsbelichtungsvorrichtung 901 umfaßt ferner ein Gasversorgungssystem 945 für die Zufuhr eines Spülgases zu den Zwischenräumen zwischen den optischen Komponenten der Projektionsbelichtungsvorrichtung 901. Diese Zwischenräume werden von dem Lichtstrahl 921 durchsetzt, und das Spülgas ist hinreichend inert bezüglich Wechselwirkungen mit dem Lichtstrahl 921. Die Zwischenräume sind solche zwischen dem Laser 919 und den Linsen 923, solche zwischen benachbarten Linsen 923, der Zwischenraum zwischen den Linsen 923 und dem Spiegel 925, der Zwischenraum zwischen dem Spiegel 925 und der Maske 903, ein Zwischenraum zwischen der Maske 903 und der Linse 941, welche der Maske 903 benachbart ist, Zwischenräume zwischen benachbarten Linsen 941 sowie der Zwischenraum zwischen dem Wafer 905 und derjenigen Linse 941, die dem Wafer 905 benachbart ist.The projection exposure apparatus 901 further includes a gas supply system 945 for supplying a purge gas to the gaps between the optical components of the projection exposure apparatus 901 , These spaces are from the light beam 921 permeated, and the purge gas is sufficiently inert with respect to interactions with the light beam 921 , The spaces between them are those between the laser 919 and the lenses 923 , such between neighboring lenses 923 , the space between the lenses 923 and the mirror 925 , the space between the mirror 925 and the mask 903 , a space between the mask 903 and the lens 941 , which of the mask 903 is adjacent, spaces between adjacent lenses 941 as well as the gap between the wafer 905 and that lens 941 that the wafer 905 is adjacent.

Das Spülgas ist ein hochgereinigtes Gas, welches aus einer Gasquelle 947 bereitgestellt wird, welche symbolisch als Druckflasche dargestellt ist. Jedoch könnte die Gasversorgung 947 auch ein kontinuierlich arbeitendes Gasreinigungssystem sein.The purge gas is a highly purified gas that comes from a gas source 947 is provided, which is symbolically represented as a pressure bottle. However, the gas supply could 947 also be a continuous gas cleaning system.

Eine Zufuhrleitung 949 ist in dem Gerüst 907 angeordnet, um Spülgas zu den Zwischenräumen in dem Strahlführungssystem 917 zuzuführen. Eine weitere Zufuhrleitung 951 ist für die Zufuhr von Spülgas zu dem Zwischenraum zwischen der Maske 903 und dem Abbildungssystem 939 zuzuführen. Eine weitere Zufuhrleitung 953 ist für die Zufuhr von Spülgas zu dem Linsengehäuse 943 vorgesehen und schließlich ist eine Zufuhrleitung 955 vorgesehen, um Spülgas zu dem Zwischenraum zwischen Wafer 905 und Abbildungssystem 939 zuzuführen. Die Versorgungsleitung 953 führt das Spülgas direkt nur zu dem Zwischenraum zwischen den untersten benachbarten Linsen des Linsengehäuses 943 zu. Das Gas, welches diesen Zwischenraum durchströmt, wird durch eine Umgehungsleitung 957 in den nächsten Zwischenraum zwischen Linsen 941 geleitet, durch weitere Umgehungsleitungen 959 und 961 in die verbleibenden Zwischenräume zwischen jeweils benachbarten Linsen 941. Für den Fachmann ist jedoch klar, daß es auch möglich ist, das Spülgas direkt in jeden einzelnen Zwischenraum zwischen benachbarten Linsen zuzuführen.A supply line 949 is in the scaffolding 907 arranged to purge gas to the interstices in the beam delivery system 917 supply. Another supply line 951 is for the supply of purge gas to the space between the mask 903 and the imaging system 939 supply. Another supply line 953 is for the supply of purge gas to the lens housing 943 provided and finally is a supply line 955 provided to purge gas to the space between wafers 905 and imaging system 939 supply. The supply line 953 The purge gas leads directly only to the gap between the lowest adjacent lenses of the lens housing 943 to. The gas which flows through this gap is through a bypass line 957 in the next space between lenses 941 passed through further bypass lines 959 and 961 in the remaining spaces between each adjacent lens 941 , However, it will be apparent to those skilled in the art that it is also possible to supply the purge gas directly into each individual space between adjacent lenses.

Eine Mehrzahl von Reduzierventilen 963 ist vorgesehen, um das Spülgas aus der Gasquelle 947 zu jeder der Versorgungsleitungen 949 bis 955 zuzuführen. Die Ventile 963 sind an einem gemeinsamen Gerüst 965 befestigt, welches seinerseits mit der Basis 909 verbunden ist. Vibrationen, die beispielsweise durch den Gasfluß durch die Reduzierventile 963, oder andere aus der Gasversorgung stammende Vibrationen werden von dem Gerüst 907 dadurch fern gehalten, daß die Versorgungsleitungen 949 bis 955 durch einen Schwingungsentkoppler 967 geführt werden.A plurality of reducing valves 963 is provided to the purge gas from the gas source 947 to each of the supply lines 949 to 955 supply. The valves 963 are on a common scaffolding 965 attached, which in turn with the base 909 connected is. Vibrations, for example, by the gas flow through the reducing valves 963 , or other vibrations from the gas supply are from the framework 907 kept away by that the supply lines 949 to 955 through a vibration decoupler 967 be guided.

Das Gasversorgungssystem 945 umfaßt ein Abgassystem 1003, welches Spülgas aus dem austretenden Gasvolumen zurückgewinnt. In 10 sind zwei Gasauslässe 1005 und 1007 zum Ableiten des Spülgases aus den durchspülten Zwischenräumen dargestellt. Das Spülgas wird dann durch die Leitung 1009 und den Schwingungsentkoppler 967 durch das Ventil 1011 zu dem Gasrückgewinnungssystem 1013 zurückgeführt, um das Spülgas zur Wiederverwendung in dem Gasversorgungssystem 945 oder für andere Zwecke aufzuarbeiten.The gas supply system 945 includes an exhaust system 1003 which recovers purge gas from the exiting gas volume. In 10 are two gas outlets 1005 and 1007 shown for draining the purge gas from the purged spaces. The purge gas is then passed through the line 1009 and the vibration isolator 967 through the valve 1011 to the gas recovery system 1013 returned to the purge gas for reuse in the gas supply system 945 or work up for other purposes.

Claims (12)

Optisches Projektionssystem für UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 400 nm, bevorzugt weniger als 200 nm, umfassend: ein mit einem Spülgas befüllbares Objektivgehäuse; und ein mehrere Linsen umfassendes, in dem Objektivgehäuse angeordnetes Objektiv zur Projektion einer Objektebene in eine Bildebene, wobei in der Objektebene ein Retikel anordenbar ist und in der Bildebene ein Wafer anordenbar ist; wobei wenigstens eine der mehreren Linsen eine wenigstens geringfügig leitfähige Oberfläche aufweist, wobei das Objektivgehäuse die Linse an der leitfähigen Oberfläche elektrisch kontaktiert.An optical projection system for UV radiation having a wavelength of less than 400 nm, preferably less than 200 nm, comprising: a lens housing fillable with a purge gas; and a lens comprising several lenses arranged in the objective housing for projecting an object plane into an image plane, wherein a reticle can be arranged in the object plane and a wafer is arranged in the image plane can be arranged; wherein at least one of the plurality of lenses has an at least slightly conductive surface, the lens housing electrically contacting the lens at the conductive surface. Optisches Projektionssystem für UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 400 nm, bevorzugt weniger als 200 nm, umfassend: ein mit einem Spülgas befüllbares Objektivgehäuse; und ein mehrere Linsen umfassendes, in dem Objektivgehäuse angeordnetes Objektiv zur Projektion einer Objektebene in eine Bildebene, wobei in der Objektebene ein Retikel anordenbar ist und in der Bildebene ein Wafer anordenbar ist; wobei wenigstens eine der mehreren Linsen eine leitfähige Netzstruktur an wenigstens einer ihrer Oberflächen aufweist, wobei das Objektivgehäuse die Linse an der leitfähigen Netzstruktur elektrisch kontaktiert.Optical projection system for UV radiation with a wavelength of less than 400 nm, preferably less than 200 nm, comprising: one with a purge gas fillable Lens housing; and a multi-lens, arranged in the lens housing Objective for projecting an object plane into an image plane, wherein in the object plane a reticle can be arranged and in the image plane a wafer can be arranged; wherein at least one of the plurality Lenses a conductive Net structure on at least one of its surfaces, wherein the lens housing the Lens on the conductive Network structure electrically contacted. Optisches Projektionssystem nach Anspruch 1 oder 2, wobei die leitfähige Oberfläche bzw. Netzstruktur Gold oder Zirkonium umfaßt.An optical projection system according to claim 1 or 2, wherein the conductive surface or network structure comprises gold or zirconium. Optisches Projektionssystem nach Anspruch 1, wobei die leitfähige Oberfläche überwiegend von dem Linsenmaterial gebildet ist und ferner Fremdionen umfaßt.An optical projection system according to claim 1, wherein the conductive one Surface predominantly is formed by the lens material and further comprises foreign ions. Optische Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei das Objektivgehäuse zumindest eine leitfähige Oberfläche aufweist, die sich von der Berührstelle mit der leitfähigen Schicht bzw. Struktur bis zu einer Massenschlußstelle erstreckt.Optical arrangement according to one of claims 1 to 4, wherein the lens housing at least one conductive surface which is different from the contact point with the conductive Layer or structure extends to a ground terminal. Optisches Projektionssystem für UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 400 nm, bevorzugt weniger als 200 nm, umfassend: ein mit einem Spülgas befüllbares Objektivgehäuse; und ein mehrere Linsen umfassendes, in dem Objektivgehäuse angeordnetes Objektiv zur Projektion einer Objektebene in eine Bildebene, wobei in der Objektebene ein Retikel anordenbar ist und in der Bildebene ein Wafer anordenbar ist; wobei das Objektivgehäuse eine α-Strahlungsquelle aufweist.Optical projection system for UV radiation with a wavelength of less than 400 nm, preferably less than 200 nm, comprising: one with a purge gas fillable Lens housing; and a multi-lens, arranged in the lens housing Objective for projecting an object plane into an image plane, wherein in the object plane a reticle can be arranged and in the image plane a wafer can be arranged; wherein the lens housing is an α-radiation source having. Optisches Projektionssystem nach Anspruch 6, ferner umfassend eine Gaszuführung, wobei die α-Strahlungsquelle in der Nähe der Gaszuführung angeordnet ist.An optical projection system according to claim 6, further comprising a gas supply, where the α-radiation source near the gas supply is arranged. Optisches Projektionssystem für UV-Strahlung mit einer Wellenlänge von weniger als 400 nm, bevorzugt weniger als 200 nm, umfassend: ein mit einem Spülgas befüllbares Objektivgehäuse; und ein mehrere Linsen umfassendes, in dem Objektivgehäuse angeordnetes Objektiv zur Projektion einer Objektebene in eine Bildebene, wobei in der Objektebene ein Retikel anordenbar ist und in der Bildebene ein Wafer anordenbar ist; wobei wenigstens eine der mehreren Linsen eine α-Strahlungsquelle aufweist.Optical projection system for UV radiation with a wavelength of less than 400 nm, preferably less than 200 nm, comprising: one with a purge gas fillable Lens housing; and a multi-lens, arranged in the lens housing Objective for projecting an object plane into an image plane, wherein in the object plane a reticle can be arranged and in the image plane a wafer can be arranged; wherein at least one of the plurality Lenses an α-radiation source having. Optisches Projektionssystem nach Anspruch 8, wobei wenigstens eine Oberfläche der wenigstens einen Linse mit der α-Strahlungsquelle beschichtet ist.An optical projection system according to claim 8, wherein at least one surface the at least one lens coated with the α-radiation source is. Optisches Projektionssystem nach einem der Ansprüche 6 bis 9, wobei die α-Strahlungsquelle Americium und/oder Thorium enthält.Optical projection system according to one of claims 6 to 9, wherein the α-radiation source Contains americium and / or thorium. Optisches Projektionssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die wenigstens eine Linse und/oder die mehreren Linsen im Wesentlichen aus Quarzglas oder bevorzugt CaF2 besteht bzw. bestehen.An optical projection system according to any one of claims 1 to 10, wherein the at least one lens and / or the plurality of lenses consists essentially of quartz glass or preferably CaF 2 . Optisches Projektionssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Objektivgehäuse im Wesentlichen aus einem Metall besteht.Optical projection system according to one of claims 1 to 11, wherein the lens housing essentially consists of a metal.
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