DE102006039171A1 - Method for determining angle of object to be measured against detecting device, involves applying predetermined voltage on organic light emitting diode for producing predetermined emission characteristic - Google Patents

Method for determining angle of object to be measured against detecting device, involves applying predetermined voltage on organic light emitting diode for producing predetermined emission characteristic Download PDF

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Dirk Buchhauser
Christoph Gärditz
Ralph Dr. Pätzold
Wiebke Sarfert
Joachim Dr. Wecker
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Abstract

The method involves arranging the organic Light Emitting Diode (LED) (3) on the object to be measured (1). A detecting device (2) is prepared in organic LED that is arranged on the facing object for determining the angle (alpha). A predetermined voltage is applied on the organic LED for producing a predetermined emission characteristic that depends on each emission angle by the micro resonator structure. The emission characteristic is measured by the prepared device (2). The angle is measured between the object to be measured and the device (2) depending on the measured characteristic. An independent claim is also included for a device for the execution of the method.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels einer organischen Leuchtdiode.The The invention relates to a method and a device for determining an angle of a measured object with respect to a detection device by means of an organic light-emitting diode.

Das technische Gebiet der vorliegenden Erfindung betrifft die Winkelmessung eines Messobjektes gegenüber einem Referenzobjekt, wie einer Detektionsvorrichtung. Herkömmliche Verfahren zur Winkelmessung erfolgen einerseits über direkten Kontakt mit dem zu vermessenden Gegenstand, zum Beispiel durch ein Geodreieck oder ein Winkelendmaß. Mechanische Messgeräte wie diese können zwar mit sehr hoher Präzision gefertigt werden, allerdings muss das Messresultat vom Anwender visuell erfasst und interpretiert werden. Bei eingeschränkter Sicht auf die Winkelskala, beispielsweise durch Beleuchtung, Verschmutzung oder einem Paralaxenfehler oder dergleichen, kann die praktische Genauigkeit der Messung stark eingeschränkt sein.The Technical field of the present invention relates to the angle measurement a measured object opposite a reference object, such as a detection device. conventional Methods for angle measurement on the one hand via direct contact with the to be measured object, for example by a Geodreieck or an angular gauge. Mechanical measuring devices though they can with very high precision but the measurement result has to be done by the user be recorded and interpreted visually. With limited visibility on the angle scale, for example by lighting, pollution or a parallax error or the like, the practical Accuracy of the measurement to be severely limited.

Andererseits existieren berührungslose Verfahren, wie zum Beispiel mittels eines Theodoliten, der insbesondere in der Geodäsie zur Vermessung im Gelände eingesetzt wird. Des Weiteren werden laserbasierte Messgeräte eingesetzt, die unter anderem für Messarbeiten und Kontrollen auf Baustellen, in Gebäuden und im freien Gelände Anwendung finden. Diese bekannten berührungslosen Verfahren erfordern allerdings eine genaue Ausrichtung des Messgerätes, um eine präzise Winkel- oder Neigungsmessung zu gewährleisten. Weiter sind solche berührungslosen Verfahren, insbesondere aufgrund der hohen Beschaffungskosten des Messgerätes, zum Beispiel des Lasers, sehr teuer.on the other hand exist non-contact Method, such as by means of a theodolite, in particular in geodesy for surveying in the field is used. Furthermore, laser-based measuring devices are used, among others for Measuring work and controls on construction sites, in buildings and in open terrain Find application. These known non-contact methods require However, a precise alignment of the meter to a precise angle or inclination measurement to ensure. Next are such non-contact Process, in particular due to the high cost of procurement of Measuring device, for Example of the laser, very expensive.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht daher darin, eine einfache und insbesondere kostengünstige Möglichkeit einer Winkelmessung bereitzustellen.A Object of the present invention is therefore a simple and in particular cost-effective possibility to provide an angle measurement.

Eine weitere Aufgabe besteht darin, eine einfache, kostengünstige, hochpräzise und insbesondere berührungslose Möglichkeit einer Winkelmessung bereitzustellen.A another object is to provide a simple, inexpensive, high-precision and in particular non-contact possibility to provide an angle measurement.

Erfindungsgemäß wird zumindest eine dieser gestellten Aufgaben durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 und/oder durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 13 gelöst.According to the invention, at least one of these tasks by a procedure with the features of claim 1 and / or by a device having the features of claim 13.

Demgemäß wird erfindungsgemäß ein Verfahren zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes gegenüber einer Detektionsvorrichtung mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode vorgeschlagen, wobei die organische Leuchtdiode wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht, zumindest eine organische Halbleiterschicht und eine semitransparente Schicht aufweist, wobei die Kathodenschicht, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht eine Mikroresonatorstruktur ausbilden, welches die folgenden Schritte aufweist:

  • – Anordnen der organischen Leuchtdiode auf dem Messobjekt;
  • – Bereitstellen der Detektionsvorrichtung in einem gegenüber der auf dem Messobjekt angeordneten, organischen Leuchtdiode zu ermittelnden Winkel;
  • – Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die organische Leuchtdiode zum Erzeugen einer vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängigen, vorbestimmten Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur;
  • – Messen der Abstrahlcharakteristik mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung; und
  • – Ermitteln des Winkels zwischen dem Messobjekt und der Detektionsvorrichtung in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
Accordingly, the invention proposes a method for determining an angle of a measured object with respect to a detection device by means of at least one organic light-emitting diode, wherein the organic light-emitting diode has at least one reflective cathode layer, at least one organic semiconductor layer and a semitransparent layer, wherein the cathode layer, the organic semiconductor layer and the semitransparent Layer form a microresonator structure comprising the following steps:
  • - Arranging the organic light emitting diode on the measuring object;
  • Providing the detection device in an angle to be determined with respect to the organic light-emitting diode arranged on the measurement object;
  • - Applying a predetermined voltage to the organic light emitting diode for generating a dependent of the respective radiation angle, predetermined emission characteristic by means of the microresonator structure;
  • Measuring the emission characteristic by means of the provided detection device; and
  • - Determining the angle between the measurement object and the detection device in dependence of the measured emission characteristic.

Des Weiteren wird eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels eines Messobjektes ge genüber einer Detektionsvorrichtung vorgeschlagen, welches aufweist:

  • – zumindest eine organischen Leuchtdiode, welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht, zumindest eine organische Halbleiterschicht und eine semitransparente Schicht aufweist, wobei die Kathodenschicht, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht eine Mikroresonatorstruktur ausbilden, wobei die organische Leuchtdiode auf dem Messobjekt angeordnet ist,
  • – die Detektionsvorrichtung, welche in einem gegenüber der auf dem Messobjekt angeordneten, organischen Leuchtdiode zu ermittelnden Winkel bereitgestellt ist und die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode misst; und
  • – Mittel zum Ermitteln des Winkels zwischen dem Messobjekt und der Detektionsvorrichtung in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.
Furthermore, a device for carrying out this method for determining an angle of a measurement object is proposed compared to a detection device, which has the following:
  • At least one organic light-emitting diode which has at least one reflective cathode layer, at least one organic semiconductor layer and one semitransparent layer, the cathode layer, the organic semiconductor layer and the semitransparent layer forming a microresonator structure, the organic light-emitting diode being arranged on the measurement object,
  • The detection device, which is provided in an angle to be determined with respect to the organic light-emitting diode arranged on the measurement object, and measures the emission characteristic of the organic light-emitting diode; and
  • - Means for determining the angle between the measurement object and the detection device as a function of the measured emission characteristic.

Die der vorliegenden Erfindung zugrunde liegende Idee besteht im Wesentlichen darin, ein organisch lichtemittierendes Element wie eine organische Leuchtdiode (OLED, Organic Light Emitting Diode) für eine Winkel- oder Neigungsmessung zu verwenden. Dabei wird erfindungsgemäß ausgenutzt, dass eine organische Leuchtdiode eine vom Betrachtungswinkel abhängige Abstrahlcharakteristik aufweist. Die Abstrahlcharakteristik beinhaltet insbesondere das Emissionsspektrum oder Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung. Durch Messung der Farbkoordinaten, insbesondere gemäß der CIE-Normfarbtafel, oder des wellenlängenabhängigen Emissionsspektrums des aus der organischen Leuchtdiode abgestrahlten Lichtes kann direkt der zu bestimmende Winkel ermittelt werden. Die ausgeprägte winkelabhängige Abstrahlcharakteristik einer organischen Leuchtdiode wird erfindungsgemäß durch Ausnutzung und durch gezielte Verstärkung des Mikroresonator-Effektes (microcavity-effect) erzielt.Essentially, the idea underlying the present invention is to use an organic light-emitting element, such as an organic light-emitting diode (OLED), for angle or tilt measurement. In this case, the invention makes use of the fact that an organic light-emitting diode has a radiation characteristic dependent on the viewing angle. The emission characteristic includes in particular the emission spectrum or emission spectrum and an associated emission intensity distribution. By measuring the color coordinates, in particular according to the CIE standard color chart, or the wavelength-dependent emission spectrum of the emitted light from the organic light emitting diode can directly determine the angle to be determined. The pronounced angle-dependent emission characteristic of an organic light-emitting diode is achieved according to the invention by utilization and by targeted amplification of the microcavity effect.

Bei einer organischen Leuchtdiode sind ein oder mehrere organische Halbleiterschichten, unter anderem das elektrolumines zierende Material, zwischen zwei Elektroden, Kathode und Anode, angeordnet. Dabei ist zumindest einer der beiden Elektroden, vorzugsweise die Anode, für das emittierte Licht durchlässig oder transparent. Als Anode wird beispielsweise das im Sichtbaren transparente Indium-Zinn-Oxid (ITO) verwendet. Für die Kathode wird beispielsweise eine metallische Doppelschicht aus Injektions- und Deckschicht, zum Beispiel aus Barium/Aluminium aufgedampft. Beim Anlegen einer Spannung an die Elektroden werden positive (Löcher) und negative (Elektronen) Ladungsträger in die organische Halbleiterschicht injiziert. Bei Rekombination der Elektronen und Löcher in der elektrolumineszierenden, organischen Halbleiterschicht können elektrisch neutrale, angeregte Zustände entstehen, die unter Aussendung von Licht in den Grundzustand zurückkehren können.at an organic light-emitting diode are one or more organic semiconductor layers, including the electroluminescent material, between two Electrodes, cathode and anode, arranged. At least one is the two electrodes, preferably the anode, for the emitted light permeable or transparent. As an anode, for example, the transparent in the visible Indium tin oxide (ITO) used. For the cathode, for example a metallic double layer of injection and cover layer, For example, evaporated from barium / aluminum. When applying a voltage positive (holes) and negative (electrons) are applied to the electrodes charge carrier injected into the organic semiconductor layer. In recombination the electrons and holes in the electroluminescent organic semiconductor layer may be electrically neutral, excited states arise, which return with the emission of light in the ground state can.

Die dünne Bauweise der organischen Halbleiterschichten mit einer Dicke im Bereich von etwa 200 mm erlaubt die Erzeugung planarer Mikroresonatorstrukturen. Die Mikroresonatorstrukturen bestehen beispielsweise aus zwei reflektierenden oder teil-reflektrierenden Metallfilmen, die durch eine dünne dielektrische Schicht, die organische Halbleiterschicht, getrennt sind. Licht innerhalb der Mikroresonatorstruktur wird an den Metallschichten zumindest teilweise reflektiert. Die Teilstrahlen des emittierten und des reflektierten Lichtes können je nach Phasendifferenz konstruktiv oder destruktiv interferieren und führen zur Ausbildung charakteristischer Schwingungsmoden. Das Ergebnis ist eine Abhängigkeit des Abstrahlspektrums und der Abstrahlintensität vom Abstrahlwinkel. Während auf Seiten der Kathode in der Regel bereits eine starke reflektierende Metallschicht vorliegt, resultiert die Reflektion der Gegenseite an den Grenzflächen zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anode bzw. der Anode und dem Substrat der organischen Leuchtdiode, beispielsweise einer Glasschicht, aufgrund unterschiedlicher Brechungsindizes der Materialien der organischen Leuchtdiode. So weist beispielsweise die organische Halbleiterschicht einen Brechungsindex von etwa 1,8, eine ITO-Anode einen Brechungsindex von 2–2,1 und eine Glasschicht als Substrat einen Bre chungsindex von 1,5 auf. Allerdings wäre die Folge dieser Reflexion an den Grenzflächen zwischen der organischen Schicht und der ITO-Anode beziehungsweise zwischen der ITO-Anode und dem Substrat zu schwach, um diese für eine Winkelmessung zu nutzen. Um die Winkelabhängigkeit der Abstrahlcharakteristik deutlich zu verstärken und somit für eine Winkelmessung zugänglich zu machen, wird erfindungsgemäß eine semitransparente Schicht an der Grenzfläche zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anode oder der Anode und der Substratschicht angeordnet.The thin construction the organic semiconductor layers having a thickness in the range of about 200 mm allows the generation of planar microresonator structures. The microresonator structures consist, for example, of two reflective ones or partially reflecting metal films passing through a thin dielectric Layer, the organic semiconductor layer, are separated. light within the microresonator structure becomes on the metal layers at least partially reflected. The partial beams of the emitted and of the reflected light interfere constructively or destructively depending on the phase difference and lead for the formation of characteristic vibration modes. The result is a dependency of Emission spectrum and the emission intensity of the emission angle. While on Sides of the cathode usually already a strong reflective Metal layer is present results in the reflection of the other side at the interfaces between the organic semiconductor layer and the anode or the Anode and the substrate of the organic light emitting diode, for example a glass layer, due to different refractive indices of Materials of the organic light emitting diode. For example, points the organic semiconductor layer has a refractive index of about 1.8, an ITO anode has a refractive index of 2-2.1 and a glass layer as Substrate to a refractive index of 1.5. However, that would be the consequence this reflection at the interfaces between the organic layer and the ITO anode respectively between the ITO anode and the substrate too weak to allow for angle measurement use. To the angle dependence to amplify the radiation characteristic significantly and thus for an angle measurement accessible To make, according to the invention is a semi-transparent Layer at the interface between the organic semiconductor layer and the anode or the Anode and the substrate layer arranged.

Im Sinne der vorliegenden Anmeldung bedeutet semitransparent teil-reflektierend und teil-transmittierend. Das heißt die semitransparente Schicht wird einen ersten Teil des auf sie fallenden Lichtes reflektieren oder spiegeln und einen zweiten Teil transmittieren oder durchlassen. Erfindungsgemäß wird die semitransparente Schicht derart ausgebildet, dass ihre absorbierenden Eigenschaften minimal sind.in the As used herein, semitransparent means partially reflective and partly-transmissive. That is the semitransparent layer will reflect a first part of the light falling on it or mirror and transmit or transmit a second part. According to the invention semitransparent layer formed such that its absorbent Properties are minimal.

Die Winkelabhängigkeit entsteht also aufgrund von Interferenzen innerhalb der Mikroresonatorstruktur, die durch eine Elektrode, insbesondere die Kathode, zumindest einer organischen Halbleiterschicht und der erfindungsgemäßen semitransparenten Schicht ausgebildet wird. Die Mikroresonatorstruktur besteht also als zwei reflektierenden Metallfilmen, wovon insbesondere eine durch die Kathode gebildet wird. Der zweite reflektierende Metallfilm entsteht, indem die transparente Anodenschicht mit einer dünnen Metallschicht, der semitransparenten Schicht, versehen wird oder indem die transparente Anodenschicht durch die dünne Metallschicht ersetzt wird. Wie oben ausgeführt, ist die semitransparente Schicht teil-transmittierend oder teil-durchlässig, um die Auskopplung des Lichtes zu erhalten. Ein zweiter Teil des in der organischen Leuchtdiode erzeugten Lichtes wird an den Metallfilmen reflektiert. In Abhängigkeit von Einfallswinkel und Wellenlänge können die reflektierten Teilstrahlen unterschiedlich miteinander interferieren, so dass eine winkelabhängige Abstrahlcharakteristik resultiert. Das durch die semitransparente Schicht emittierte Licht weist somit je nach Betrachtungswinkel einen anderen Farbeindruck oder eine andere Intensität auf. Erfindungsgemäß bildet die semitransparente Schicht die Voraussetzung dafür, dass sich eine ausgeprägte und damit messbare Winkelabhängigkeit ergibt.The angular dependence arises due to interference within the microresonator structure, by an electrode, in particular the cathode, at least one organic semiconductor layer and the semitransparent invention Layer is formed. The microresonator structure thus exists as two reflective metal films, one of which in particular the cathode is formed. The second reflective metal film is created the transparent anode layer with a thin metal layer, the semitransparent layer, or by passing the transparent anode layer through the thin metal layer is replaced. As stated above, the semitransparent layer is partially-transmissive or partially-permeable to the To obtain coupling of the light. A second part of the in the organic light emitting light is generated at the metal films reflected. Dependent on of angle of incidence and wavelength can they reflected sub-beams interfere with each other differently, so that an angle-dependent Radiation characteristic results. That through the semitransparent layer thus emitted light has a different depending on the viewing angle Color impression or another intensity. Forms according to the invention the semitransparent layer is the prerequisite for that a pronounced and therefore measurable angle dependence results.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung besteht darin, dass die erfindungsgemäße Winkelmessung berührungslos erfolgt. Weiterhin ist die erfindungsgemäße Winkelmessung aufgrund des Einsatzes kostengünstiger Vorrichtungen, beispielsweise reichen eine organische Leuchtdiode und eine Photodiode im Wesentlichen aus, sehr kostengünstig und des Weiteren einfach zu handhaben. Außerdem handelt es sich bei der erfindungsgemäßen Methode um eine absolute Messmethode, die zudem eine hohe Präzision erlaubt. Darüber hinaus ist die auf der Mikroresonatorstruktur innerhalb der organischen Leuchtdiode basierende Winkelmessung sowohl für kurze als auch für lange Distanzen nutzbar. Sie ist flexibel einsetzbar, zum Beispiel auch in unwegsamem Gelände, und bietet außerdem die Möglichkeit, nicht nur in Luft, sondern auch im Vakuum oder in Gegenwart korrosiver Umgebungseinflüsse Winkel und Neigungen zu vermessen oder eine Auslotung durchzuführen.An advantage of the present invention is that the angle measurement according to the invention takes place without contact. Furthermore, the angle measurement according to the invention is due to the use of low-cost devices, for example, an organic light emitting diode and a photodiode are substantially sufficient, very inexpensive and further easy to handle. Moreover, the method according to the invention is an absolute measuring method, which also allows high precision. In addition, the angle measurement based on the microcavity structure within the organic light emitting diode is for both usable for short as well as long distances. It can be used flexibly, for example even in rough terrain, and also offers the possibility of measuring angles or inclinations or performing a sounding out not only in air but also in a vacuum or in the presence of corrosive environmental influences.

Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Figuren.advantageous Refinements and developments of the invention will become apparent the dependent claims and the description with reference to the figures.

Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die semitransparente Schicht elektrisch leitfähig, welche insbesondere eine Anode der organischen Leuchtdiode ausbildet. Vorteilhafterweise ergibt sich bei dieser Ausgestaltung die Möglichkeit, auf die Anordnung einer zusätzlich Anodenschicht zu verzichten. Ein Verzicht auf eine zusätzlich Anodenschicht ergibt Kostenvorteile bei der Herstellung der organischen Leuchtdiode sowie ein kompakteres Bauelement.According to one preferred embodiment of the invention is the semitransparent Layer electrically conductive, which in particular forms an anode of the organic light emitting diode. Advantageously, in this embodiment, the possibility arises on the arrangement of an additional Anode layer to dispense. A waiver of an additional anode layer gives cost advantages in the production of organic light emitting diode as well as a more compact component.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung weist die organische Leuchtdiode weiter eine transparente Anodenschicht und/oder eine transparente Substratschicht auf.According to one preferred embodiment of the invention, the organic light emitting diode further a transparent anode layer and / or a transparent Substrate layer on.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die elektrisch leitfähige, semitransparente Schicht zwischen der organischen Halbleiterschicht und der transparenten Anodenschicht angeordnet. Ist die semitransparente Schicht zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anodenschicht angeordnet, so muss sie elektrisch leitfähig sein, um den elektrischen Kontakt zwischen der organischen Halbleiterschicht und der Anodenschicht zu gewährleisten.According to one Another preferred embodiment is the electrically conductive, semitransparent layer between the organic semiconductor layer and the transparent one Anode layer arranged. Is the semitransparent layer between the organic semiconductor layer and the anode layer are arranged, so it must be electrically conductive be to the electrical contact between the organic semiconductor layer and to ensure the anode layer.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die semitransparente Schicht zwischen der transparenten Anodenschicht und der transparenten Substratschicht angeordnet. Ein Vorteil dieser bevorzugten Ausgestaltung ist, dass die semitransparente Schicht nicht leitfähig ausgestaltet sein muss.According to one Another preferred embodiment is the semitransparent layer between the transparent anode layer and the transparent substrate layer arranged. An advantage of this preferred embodiment is that the semitransparent layer must be non-conductive.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die semitransparente Schicht als eine Silberschicht oder eine Aluminiumschicht ausgebildet, welche insbesondere eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise 5 bis 10 nm aufweist.According to one Another preferred embodiment is the semitransparent layer formed as a silver layer or an aluminum layer, which in particular a layer thickness of 1 to 20 nm, preferably 5 to 10 nm.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung weist die organische Halbleiterschicht eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm bevorzugt 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm auf. Die hier genannte organische Halbleiterschicht umfasst auch die Möglichkeit verschiedene organische Materialien übereinander zu stapeln, wie bei organischen Leuchtdioden im Allgemeinen üblich.According to one Another preferred embodiment, the organic semiconductor layer a layer thickness of 1 to 1000 nm, preferably 10 to 500 nm, especially preferably from 30 to 400 nm. The organic semiconductor layer mentioned here also includes the possibility to stack different organic materials on top of each other, like common in organic light emitting diodes.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Kathodenschicht als ein Zwei- oder Dreischichtsystem ausgeformt, wobei die erste Schicht (Injektionsschicht) eine Austrittsarbeit aufweist, die dem niedrigsten unbesetzten Molekülniveau energetisch angepasst ist. Die oberste Kathodenschicht (Deckschicht) stellt zumeist die elektrische Kontaktierung sicher und bietet einen gewissen Schutz vor Korrosion. Etwaige Zwischenschichten stellen einen guten energetischen Anschluss der Injektionsschichten an die Deckschichten sicher. Beispiele solcher Abfolgen sind: Barium, Calcium oder Litium-Fluorid als Injektionsschicht und Aluminium oder Silber als Deckschicht. Die Anodenschicht ist beispielsweise als eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht und/oder die Substratschicht als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet. Es besteht weiterhin auch die Möglichkeit die Anodenschicht aus polymeren, leitfähigen Materialien auszuformen.According to one Another preferred embodiment is the cathode layer as a Two- or three-layer system molded, with the first layer (Injection layer) has a work function, the lowest unoccupied molecule level is energetically adapted. The topmost cathode layer (cover layer) usually ensures the electrical contact and offers a certain protection against corrosion. Make any intermediate layers a good energetic connection of the injection layers to the Cover layers safely. Examples of such sequences are: barium, calcium or lithium fluoride as an injection layer and aluminum or silver as a cover layer. The anode layer is, for example, as an indium tin oxide layer and / or the substrate layer is formed as a glass or foil layer. There is still the possibility Forming the anode layer of polymeric, conductive materials.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung wird die organische Leuchtdiode mittels einer Glaskappe zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt und vorzugsweise ein so genanntes Gettermaterial in die Verkapselung eingebracht. Dieses Gettermaterial bindet eindringenden Wasserdampf und/oder Sauerstoff physikalisch oder chemisch. Solche Gettermaterialien umfassen z.B. Calciumoxid und Zeolithe.According to one Another preferred embodiment is the organic light emitting diode by means of a glass cap for protection against water and / or oxygen encapsulated and preferably a so-called getter in the Encapsulation introduced. This getter material binds penetrating water vapor and / or oxygen physically or chemically. Such getter materials include e.g. Calcium oxide and zeolites.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung ist die Detektionsvorrichtung als eine Photodiode oder als ein Spektrometer ausgebildet. Die Verwendung einer Photodiode als Detektionsvorrichtung hat den besonderen Vorteil, dass sie sehr günstig und einfach zu handhaben ist. Zudem kann die Photodiode mit einem Spektralfilter ausgestattet werden, um die Empfindlichkeit auf einen bestimmten Wellenlängenbereich einzuschränken.According to one Another preferred embodiment is the detection device as a photodiode or as a spectrometer. The usage a photodiode as a detection device has the particular advantage that they are very cheap and easy to handle. In addition, the photodiode with a spectral filter be fitted to a specific sensitivity Wavelength range limit.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung wird die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode mittels einer Referenzmessung vorbestimmt.According to one Another preferred embodiment of the respective beam angle and the applied voltage dependent Abstrahlcharakteristik the organic light emitting diode by means of a reference measurement predetermined.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung beinhaltet die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum bzw. Farbe und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung.According to one Another preferred embodiment includes the radiation characteristic a Abstrahlspektrum or color and an associated Abstrahlintensitätsverteilung.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand der in den schematischen Figuren angegebenen Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:The Invention will be described below with reference to the schematic figures specified embodiments explained in more detail. It demonstrate:

1 ein schematisches Ablaufdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens; 1 a schematic flow diagram of a preferred embodiment of the invention method according to the invention;

2 ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens nach 1; 2 a schematic block diagram of an apparatus for performing the method according to the invention according to 1 ;

3 eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiode für eine Vorrichtung nach 2; 3 a schematic representation of a preferred embodiment of an organic light emitting diode for a device according to 2 ;

4 eine schematische Darstellung einer Mikroresonatorstruktur einer organischen Leuchtdiode für eine Vorrichtung nach 2; 4 a schematic representation of a microresonator structure of an organic light emitting diode for a device according to 2 ;

5 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge für ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer semitransparenten Schicht; und 5 a diagram illustrating the dependence of the transmission of the wavelength for a preferred embodiment of a semitransparent layer; and

6 eine CIE-Normfarbtafel mit einem Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode gemäß 4 über verschiedene Abstrahlwinkel. 6 a CIE standard color chart with a radiation spectrum of an organic light emitting diode according to 4 over different beam angles.

In allen Figuren sind gleiche beziehungsweise funktionsgleiche Elemente und Vorrichtungen – sofern nichts anderes angegeben ist – mit denselben Bezugszeichen versehen worden.In All figures are the same or functionally identical elements and devices - provided nothing else is stated - with the same reference numerals have been provided.

1 zeigt ein schematisches Ablaufsdiagramm eines bevorzugten Ausführungsbeispiels des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels α eines Messobjektes 1 gegenüber einer Detektionsvorrichtung 2 mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode 3, welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und eine semitransparente Schicht 6 aufweist, wobei die Kathodenschicht 4, die organische Halbleiterschicht 5 und die semitransparente Schicht 6 eine Mikroresonatorstruktur 7 ausbilden. Nachfolgend wird das erfindungsgemäße Verfahren anhand des Blockschaltbildes in 1 mit Bezug auf die 2–4 erläutert. Das erfindungsgemäße Verfahren weist folgende Verfahrensschritte S1–S5 auf: 1 shows a schematic flow diagram of a preferred embodiment of the method according to the invention for determining an angle α of a measurement object 1 opposite a detection device 2 by means of at least one organic light-emitting diode 3 which comprises at least one reflective cathode layer 4 , at least one organic semiconductor layer 5 and a semi-transparent layer 6 wherein the cathode layer 4 , the organic semiconductor layer 5 and the semitransparent layer 6 a microresonator structure 7 form. The method according to the invention will be described below with reference to the block diagram in FIG 1 with reference to the 2 - 4 explained. The method according to the invention has the following method steps S1-S5:

Verfahrensschritt S1:Process step S1:

Die organische Leuchtdiode 3 wird auf dem Messobjekt 1 angeordnet. Beispielsweise wird die organische Leuchtdiode 3 mittels eines doppelseitigen Klebebandes auf dem Messobjekt 1 fixiert.The organic light-emitting diode 3 is on the test object 1 arranged. For example, the organic light emitting diode 3 by means of a double-sided adhesive tape on the test object 1 fixed.

Verfahrensschritt S2:Step S2:

Die Detektionsvorrichtung 2 wird in einem der gegenüber auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 zu ermittelnden Winkel α bereitgestellt oder angeordnet.The detection device 2 is in one of the opposite on the measuring object 1 arranged, organic light emitting diode 3 to be determined angle α provided or arranged.

Verfahrensschritt S3:Step S3:

Eine vorbestimmte Spannung wird an die organische Leuchtdiode 3 angelegt. Die angelegte Spannung erzeugt eine vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängige, vorbestimmte Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur 7. Vorzugsweise wird die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode 3 mittels einer Referenzmessung vorbestimmt. Insbesondere beinhaltet die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung.A predetermined voltage is applied to the organic light emitting diode 3 created. The applied voltage generates a predetermined emission characteristic dependent on the respective emission angle by means of the microresonator structure 7 , The emission characteristic of the organic light-emitting diode that is dependent on the respective emission angle and the applied voltage is preferably the same 3 predetermined by a reference measurement. In particular, the emission characteristic includes a emission spectrum and an associated emission intensity distribution.

Verfahrensschritt S4:Process step S4:

Die Abstrahlcharakteristik der auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 wird mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung 2 gemessen.The radiation characteristic of the object being measured 1 arranged, organic light emitting diode 3 is by means of the provided detection device 2 measured.

Verfahrensschritt S5:Step S5:

Der Winkel α zwischen dem Messobjekt 1 und der Detektionsvorrichtung 2 wird in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik ermittelt.The angle α between the measured object 1 and the detection device 2 is determined as a function of the measured emission characteristic.

In 2 ist ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung zur Durchführung des oben erläuterten Verfahrens zum Ermitteln eines Winkels α eines Messobjektes 1 gegenüber einer Detektionsvorrichtung 2 abgebildet. Die organische Leuchtdiode 3 wird auf dem Messobjekt 1 beispielsweise mittels eines doppelseitigen Klebebandes fixiert. Im Folgenden wird die Detektionsvorrichtung 2 in einem gegenüber der auf dem Messobjekt 1 angeordneten, organischen Leuchtdiode 3 zu ermittelnden Winkel α bereitgestellt oder angeordnet. Dann misst die Detektionsvorrichtung 2 die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode 3, an welcher die vorbestimmte Spannung angelegt ist.In 2 is a schematic block diagram of an apparatus for performing the method explained above for determining an angle α of a measurement object 1 opposite a detection device 2 displayed. The organic light-emitting diode 3 is on the test object 1 fixed for example by means of a double-sided adhesive tape. The following is the detection device 2 in one opposite to the one on the test object 1 arranged, organic light emitting diode 3 to be determined angle α provided or arranged. Then the detection device measures 2 the emission characteristic of the organic light emitting diode 3 to which the predetermined voltage is applied.

Weiterhin weist die Vorrichtung nach 2 Mittel zum Ermitteln des Winkels α zwischen dem Messobjekt 1 und der Detektionsvorrichtung 2 in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik auf. Insbesondere ist dieses Mittel als eine Berechnungsvorrichtung ausgebildet, welche in der Detektionsvorrichtung 2 integriert ist und den Winkel α aus der gemessenen Abstrahlcharakteristik berechnet. Vorzugsweise weist die Detektionsvorrichtung 2 eine Photodiode oder ein Spektrometer zur Messung der Abstrahlcharakteristik auf.Furthermore, the device after 2 Means for determining the angle α between the measurement object 1 and the detection device 2 depending on the measured radiation characteristic. In particular, this means is designed as a calculation device, which in the detection device 2 is integrated and calculates the angle α from the measured radiation characteristic. Preferably, the detection device 2 a photodiode or a spectrometer for measuring the radiation characteristic.

3 zeigt eine schematische Darstellung eines bevorzugten Ausführungsbeispiels einer organischen Leuchtdiode 3 für eine Vorrichtung nach 2. Die organische Leuchtdiode 3 weist eine reflektierende Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und eine semitransparente Schicht 6 auf. Die Kathodenschicht 4, die organische Halbleiterschicht und die semitransparente Schicht 6 bilden eine Mikroresonatorstruktur 7 aus. Die semitransparente Schicht 6 kann elektrisch leitfähig ausgebildet sein und in einem solchen Fall als Anode der organischen Leuchtdiode 3 eingesetzt werden. 3 shows a schematic representation of a preferred embodiment of an organic light emitting diode 3 for a device after 2 , The organic light-emitting diode 3 has a reflective cathode layer 4 , at least one organic semiconductor layer 5 and a semitransparent layer 6 on. The cathode layer 4 , the organic semiconductor layer and the semitransparent layer 6 form a microresonator structure 7 out. The semitransparent layer 6 may be formed electrically conductive and in such a case as the anode of the organic light emitting diode 3 be used.

Vorzugsweise weist die organische Leuchtdiode 3 eine transparente Anodenschicht 8 und/oder eine transparente Substratschicht 9 auf. Die semitransparente Schicht 6 kann zwischen der organischen Halbleiterschicht 5 und der transparenten Anodenschicht 8 angeordnet werden, wobei dann die semitransparente Schicht 6 zur Sicherstellung des elektrischen Kontaktes zwischen der organischen Halbleiterschicht 5 und der transparenten Anodenschicht 8 elektrisch leitfähig ausgestaltet wird.Preferably, the organic light emitting diode 3 a transparent anode layer 8th and / or a transparent substrate layer 9 on. The semitransparent layer 6 can be between the organic semiconductor layer 5 and the transparent anode layer 8th are arranged, in which case the semitransparent layer 6 for ensuring the electrical contact between the organic semiconductor layer 5 and the transparent anode layer 8th is designed electrically conductive.

Alternativ kann die semitransparente Schicht 6 zwischen der transparenten Anodenschicht 8 und der transparenten Substratschicht 9 angeordnet werden (nicht gezeigt). In einem solchen Fall muss die semitransparente Schicht 6 nicht leitfähig ausgestaltet sein.Alternatively, the semitransparent layer 6 between the transparent anode layer 8th and the transparent substrate layer 9 be arranged (not shown). In such a case, the semitransparent layer must 6 be configured non-conductive.

Die semitransparente Schicht 6 ist beispielsweise eine dünne Metallschicht, welche vorzugsweise als eine Silberschicht oder Aluminiumschicht ausgebildet ist. Die Silberschicht oder Aluminiumschicht weist eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise von 5 bis 10 nm auf.The semitransparent layer 6 is, for example, a thin metal layer, which is preferably formed as a silver layer or aluminum layer. The silver layer or aluminum layer has a layer thickness of 1 to 20 nm, preferably 5 to 10 nm.

Die organische Halbleiterschicht 5 besitzt vorzugsweise eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm, bevorzugt 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm.The organic semiconductor layer 5 preferably has a layer thickness of 1 to 1000 nm, preferably 10 to 500 nm, particularly preferably from 30 to 400 nm.

Vorzugsweise ist die Kathodenschicht 4 als eine Barium/Aluminium-Schicht oder eine Calcium-Aluminium-Schicht oder eine Litium-Fluor-Aluminium-Schicht und/oder die Anodenschicht als ein Indium-Zinn-Oxid(ITO)-Schicht und/oder die Substratschicht 9 als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet. Die organische Leuchtdiode 3 ist insbesondere mittels einer Glaskappe 10 zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt.Preferably, the cathode layer 4 as a barium / aluminum layer or a calcium-aluminum layer or a lithium-fluorium-aluminum layer and / or the anode layer as an indium tin oxide (ITO) layer and / or the substrate layer 9 formed as a glass or foil layer. The organic light-emitting diode 3 is in particular by means of a glass cap 10 encapsulated for protection against water and / or oxygen.

4 zeigt eine schematische Darstellung einer Mikroresonatorstruktur 7 einer organischen Leuchtdiode 3 für eine Vor richtung nach 2. Die Mikroresonatorstruktur 7 ist durch die Kathodenschicht 4, zumindest eine organische Halbleiterschicht 5 und die semitransparente Schicht 6 ausgebildet. Beim Anlegen einer Spannung zwischen der Kathodenschicht 4 und der semitransparenten Schicht 6, welche in diesem Ausführungsbeispiel als Anode eingesetzt werden kann, werden positive (Löcher) und negative (Elektronen) Ladungsträger in die organische Halbleiterschicht 4 injiziert. Bei Rekombination der Elektronen und Löcher in der elektrolumineszierenden, organischen Halbleiterschicht 4 können neutrale, angeregte Zustände entstehen, die unter Aussendung von Licht in den Grundzustand zurückkehren können. Bezugszeichen 11 zeigt einen beispielhaften Emissionsort einer solchen Aussendung von zwei Photonen. Dabei bezeichnet das Bezugszeichen 12 einen ersten Weg eines ersten Photons und Bezugszeichen 13 einen zweiten Weg eines zweiten Photons. Die Teilstrahlen des ersten und zweiten Photons des emittierten und des reflektierten Lichts können je nach Phasendifferenz konstruktiv oder destruktiv interferieren. Diese Interferenz führt zur Ausbildung charakteristischer Schwingungsmoden. Die Winkel α1 und α2 zeigen verschiedene, entstehende Abstrahlwinkel, welche die für die dargestellte organische Leuchtdiode 3 charakteristische Abstrahlcharakteristik bedingen. 4 shows a schematic representation of a microresonator structure 7 an organic light emitting diode 3 for a front direction 2 , The microresonator structure 7 is through the cathode layer 4 , at least one organic semiconductor layer 5 and the semitransparent layer 6 educated. When applying a voltage between the cathode layer 4 and the semitransparent layer 6 , which can be used as an anode in this embodiment, become positive (holes) and negative (electron) carriers in the organic semiconductor layer 4 injected. Upon recombination of the electrons and holes in the electroluminescent, organic semiconductor layer 4 There can be neutral, excited states that can return to their ground state by emitting light. reference numeral 11 shows an exemplary emission location of such a transmission of two photons. In this case, the reference numeral 12 a first path of a first photon and reference numerals 13 a second path of a second photon. The partial beams of the first and second photons of the emitted and the reflected light may interfere constructively or destructively depending on the phase difference. This interference leads to the formation of characteristic vibration modes. The angles α1 and α2 show different, emerging radiation angles, which correspond to those for the illustrated organic light-emitting diode 3 characteristic radiation characteristic condition.

5 zeigt ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit der Transmission von der Wellenlänge für ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel einer semitransparenten Schicht 6. In dem Ausführungsbeispiel nach 5 ist die semitransparente Schicht 6 als eine Aluminiumschicht mit einer Schichtdicke von 10 nm ausgebildet. 5 zeigt dabei, dass die semitransparente Aluminiumschicht eine sich über die Wellenlänge ändernde Transmissionscharakteristik aufweist. Beispielsweise werden bei einer Wellenlänge von 600 nm etwa 10 % des auf die Aluminiumschicht 6 einfallenden Lichtes transmittiert oder durchgelassen und die übrigen 90 % werden reflektiert. Somit ist gezeigt, dass eine dünne Aluminiumschicht von 10 nm sowohl reflektierende als auch transmittierende Eigenschaften aufweist. 5 shows a diagram illustrating the dependence of the transmission of the wavelength for a preferred embodiment of a semitransparent layer 6 , In the embodiment according to 5 is the semitransparent layer 6 formed as an aluminum layer with a layer thickness of 10 nm. 5 shows that the semitransparent aluminum layer has a transmission characteristic that changes over the wavelength. For example, at a wavelength of 600 nm, about 10% of that on the aluminum layer 6 incident light transmitted or transmitted and the remaining 90% are reflected. Thus, it is shown that a thin aluminum layer of 10 nm has both reflective and transmissive properties.

6 zeigt eine zugehörige CIE-Normtafel mit einem Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode 3 gemäß 4 über verschiedenen Abstrahlwinkel. Dabei zeigt 6 insbesondere das Abstrahlspektrum einer organischen Leuchtdiode 3 mit einer nach 5 ausgebildeten Aluminiumschicht 6 ohne eine zusätzliche ITO-Anode. 6 zeigt deutlich, dass sich die Farbe des abgestrahlten Lichtes mit einer Änderung des Betrachtungswinkels deutlich ändert. Nachdem das Abstrahlspektrum durch eine Referenzmessung vorbestimmt werden kann, kann aus einem gemessenen Abstrahlspektrum auf den Winkel rückgeschlossen werden. 6 shows an associated CIE-Normtafel with a radiation spectrum of an organic light emitting diode 3 according to 4 over different beam angles. It shows 6 in particular the emission spectrum of an organic light-emitting diode 3 with one after 5 trained aluminum layer 6 without an additional ITO anode. 6 clearly shows that the color of the emitted light changes significantly with a change in the viewing angle. After the emission spectrum can be predetermined by a reference measurement, the angle can be deduced from a measured emission spectrum.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar. Beispielsweise ist es denkbar, auf einem Messobjekt mehrere erfindungsgemäße organische Leuchtdioden vorzusehen, um mehrere Raumwinkel zu messen.Even though the present invention described above with reference to the preferred embodiments it is not limited to that, but in many ways and modifiable. For example, it is conceivable on one DUT several organic according to the invention Provide LEDs to measure several solid angles.

Claims (13)

Verfahren zum Ermitteln eines Winkels (α) eines Messobjektes (1) gegenüber einer Detektionsvorrichtung (2) mittels zumindest einer organischen Leuchtdiode (3), welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht (4), zumindest eine organische Halbleiterschicht (5) und eine semitransparente Schicht (6) aufweist, wobei die Kathodenschicht (4), die organische Halbleiterschicht (5) und die semitransparente Schicht (6) eine Mikroresonatorstruktur (7) ausbilden, mit den Schritten: a) Anordnen der organischen Leuchtdiode (3) auf dem Messobjekt (1); b) Bereitstellen der Detektionsvorrichtung (2) in einem gegenüber der auf dem Messobjekt (1) angeordneten, organischen Leuchtdiode (3) zu ermittelnden Winkel (α); c) Anlegen einer vorbestimmten Spannung an die organische Leuchtdiode (3) zum Erzeugen einer vom jeweiligen Abstrahlwinkel abhängigen, vorbestimmten Abstrahlcharakteristik mittels der Mikroresonatorstruktur (7); d) Messen der Abstrahlcharakteristik mittels der bereitgestellten Detektionsvorrichtung (2); und e) Ermitteln des Winkels (α) zwischen dem Messobjekt (1) und der Detektionsvorrichtung (2) in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.Method for determining an angle (α) of a measured object ( 1 ) relative to a detection device ( 2 ) by means of at least one organic light emitting diode ( 3 ), which at least one reflective cathode layer ( 4 ), at least one organic semiconductor layer ( 5 ) and a semitransparent layer ( 6 ), wherein the cathode layer ( 4 ), the organic semiconductor layer ( 5 ) and the semitransparent layer ( 6 ) a microresonator structure ( 7 ), comprising the steps of: a) arranging the organic light-emitting diode ( 3 ) on the test object ( 1 ); b) providing the detection device ( 2 ) in a relation to that on the measuring object ( 1 ), organic light emitting diode ( 3 ) to be determined angle (α); c) applying a predetermined voltage to the organic light emitting diode ( 3 ) for generating a predetermined emission characteristic dependent on the respective emission angle by means of the microresonator structure (US Pat. 7 ); d) measuring the emission characteristic by means of the provided detection device ( 2 ); and e) determining the angle (α) between the measurement object ( 1 ) and the detection device ( 2 ) as a function of the measured emission characteristic. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) elektrisch leitfähig ist, welche insbesondere eine Anode der organischen Leuchtdiode (3) ausbildet.Method according to claim 1, characterized in that the semitransparent layer ( 6 ) is electrically conductive, which in particular an anode of the organic light emitting diode ( 3 ) trains. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Leuchtdiode (3) weiter eine transparente Anodenschicht (8) und/oder eine transparente Substratschicht (9) aufweist.Method according to claim 1 or 2, characterized in that the organic light-emitting diode ( 3 ) a transparent anode layer ( 8th ) and / or a transparent substrate layer ( 9 ) having. Verfahren nach den Ansprüchen 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, dass die elektrisch leitfähige, semitransparente Schicht (6) zwischen der organischen Halbleiterschicht (5) und der transparenten Anodenschicht (8) angeordnet ist.Process according to Claims 2 and 3, characterized in that the electrically conductive, semitransparent layer ( 6 ) between the organic semiconductor layer ( 5 ) and the transparent anode layer ( 8th ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) zwischen der transparenten Anodenschicht (8) und der transparenten Substratschicht (9) angeordnet ist.Method according to claim 3, characterized in that the semitransparent layer ( 6 ) between the transparent anode layer ( 8th ) and the transparent substrate layer ( 9 ) is arranged. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die semitransparente Schicht (6) als eine Silberschicht oder eine Aluminiumschicht ausgebildet ist, welche insbesondere eine Schichtdicke von 1 bis 20 nm, vorzugsweise von 5 bis 10 nm aufweist.Process according to Claim 1 or one or more of Claims 2 to 5, characterized in that the semitransparent layer ( 6 ) is formed as a silver layer or an aluminum layer, which in particular has a layer thickness of 1 to 20 nm, preferably from 5 to 10 nm. Verfahren nach Anspruch 1 oder nach einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Halbleiterschicht (5) eine Schichtdicke von 1 bis 1000 nm, bevorzugt von 10 bis 500 nm, besonders bevorzugt von 30 bis 400 nm aufweist.Method according to claim 1 or according to one or more of claims 2 to 6, characterized in that the organic semiconductor layer ( 5 ) has a layer thickness of 1 to 1000 nm, preferably from 10 to 500 nm, particularly preferably from 30 to 400 nm. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Kathodenschicht (4) als eine Barium-Aluminium-Schicht oder eine Calzium-Aluminium-Schicht oder eine Litium-Fluor-Aluminuim-Schicht und/oder die Anodenschicht als eine Indium-Zinn-Oxid-Schicht und/oder die Substratschicht (9) als eine Glas- oder Folienschicht ausgebildet ist.Method according to claim 1 or one or more of claims 2 to 7, characterized in that the cathode layer ( 4 ) as a barium-aluminum layer or a calcium-aluminum layer or a lithium-fluorium-aluminum-aluminum layer and / or the anode layer as an indium-tin-oxide layer and / or the substrate layer (US Pat. 9 ) is formed as a glass or foil layer. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die organische Leuchtdiode (3) mittels einer Glaskappe zum Schutz vor Wasser und/oder Sauerstoff verkapselt wird.Method according to Claim 1 or one or more of Claims 2 to 8, characterized in that the organic light-emitting diode ( 3 ) is encapsulated by means of a glass cap for protection against water and / or oxygen. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Detektionsvorrichtung (2) als eine Photodiode oder als ein Spektrometer ausgebildet ist.Method according to Claim 1 or one or more of Claims 2 to 9, characterized in that the detection device ( 2 ) is formed as a photodiode or as a spectrometer. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass die vom jeweiligen Abstrahlwinkel und der angelegten Spannung abhängige Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode (3) mittels einer Referenzmessung vorbestimmt wird.Method according to Claim 1 or one or more of Claims 2 to 10, characterized in that the emission characteristic of the organic light-emitting diode dependent on the respective emission angle and the applied voltage ( 3 ) is predetermined by means of a reference measurement. Verfahren nach Anspruch 1 oder einem oder mehreren der Ansprüche 2 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Abstrahlcharakteristik ein Abstrahlspektrum und eine zugehörige Abstrahlintensitätsverteilung beinhaltet.The method of claim 1 or one or more the claims 2 to 11, characterized in that the emission characteristic a radiation spectrum and an associated emission intensity distribution includes. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 12 zum Ermitteln eines Winkels (α) eines Messobjektes (1) gegenüber einer Detektionsvorrichtung (2), mit: a) zumindest einer organischen Leuchtdiode (3), welche wenigstens eine reflektierende Kathodenschicht (4), zumindest eine organische Halbleiterschicht (5) und eine semitransparente Schicht (6) aufweist, wobei die Kathodenschicht (4), die organische Halbleiterschicht (5) und die semitransparente Schicht (6) eine Mikroresonatorstruktur (7) ausbilden, wobei die organische Leuchtdiode (3) auf dem Messobjekt (1) angeordnet ist, b) der Detektionsvorrichtung (2), welche in einem gegenüber der auf dem Messobjekt (1) angeordneten, organischen Leuchtdiode (3) zu ermittelnden Winkel (α) bereitgestellt ist und die Abstrahlcharakteristik der organischen Leuchtdiode (3) misst; und c) Mittel zum Ermitteln des Winkels (α) zwischen dem Messobjekt (1) und der Detektionsvorrichtung (2) in Abhängigkeit der gemessenen Abstrahlcharakteristik.Device for carrying out a method according to one or more of Claims 1 to 12 for determining an angle (α) of a measuring object ( 1 ) relative to a detection device ( 2 ), comprising: a) at least one organic light-emitting diode ( 3 ), which at least one reflective cathode layer ( 4 ), at least one organic semiconductor layer ( 5 ) and a semitransparent layer ( 6 ), wherein the cathode layer ( 4 ), the organic semiconductor layer ( 5 ) and the semitransparent layer ( 6 ) a microresonator structure ( 7 ), wherein the organic light emitting diode ( 3 ) on the test object ( 1 ), b) the detection device ( 2 ), which in a relation to that on the measuring object ( 1 ), organic light emitting diode ( 3 ) to be determined angle (α) is provided and the radiation characteristic of the organic light emitting diode ( 3 ) measures; and c) means for determining the angle (α) between the Measuring object ( 1 ) and the detection device ( 2 ) as a function of the measured emission characteristic.
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