DE102006035596B4 - Method and arrangement for carrying out an etching or cleaning step - Google Patents

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Abstract

Verfahren zum Erzeugen eines Signals (S), das anzeigt, dass ein unter Verwendung eines Ätz- oder Reinigungsmittels durchgeführter Ätz- oder Reinigungsschritt an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer (10) fertig ist, wobei
– der Bereich mindestens eines in der Prozesskammer vorhandenen und zumindest teilweise aus Halbleitermaterial bestehenden Messelements (100) mit einem Sensor (130) für elektromagnetische Strahlung beobachtet wird,
– die Emission elektromagnetischer Strahlung während des Ätz- oder Reinigungsschrittes gemessen wird und
– das Signal erzeugt wird, sobald die gemessene Emission einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.A method of generating a signal (S) indicating that an etching or cleaning step performed using an etchant or cleaning agent is completed on at least one location of a process chamber (10)
The area of at least one measuring element (100) present in the process chamber and consisting at least partially of semiconductor material is observed with an electromagnetic radiation sensor (130),
The emission of electromagnetic radiation is measured during the etching or cleaning step, and
- The signal is generated as soon as the measured emission exceeds a predetermined limit.

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine Anordnung zur Durchführung eines Ätz- oder Reinigungsschrittes und insbesondere auf das Erzeugen eines Signals, das die Fertigstellung eines Ätz- oder Reinigungsschrittes an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer anzeigt.The The invention relates to a method and an arrangement for execution an etching or Cleaning step and in particular to generating a signal, that the completion of an etching or cleaning step at at least one location of a process chamber displays.

Allgemeiner Stand der Technik:General state of the art:

Bekanntermaßen werden im Bereich der Halbleitertechnik sehr hohe Anforderungen an Prozessschritte gestellt, um reproduzierbar und mit hoher Ausbeute Halbleiterprodukte wie zum Beispiel Mikroprozessoren oder Speicherelemente herstellen zu können. Problematisch ist nun, dass manche Prozessschritte wie beispielsweise Beschichtungsschritte zu einer Verschmutzung der verwendeten Prozesskammer führen, weil sich die Beschichtung nicht nur auf den zu bearbeitenden Substraten, in der Regel Wafer aus Silizium oder anderen Halbleitermaterialien abscheidet, sondern zusätzlich auch an den Kammerwänden der Prozesskammer. Aus diesem Grunde müssen Prozesskammern regelmäßig gesäubert werden. Ein solches Säubern wird mit Ätz- oder Reinigungsmitteln durchgeführt, bei denen es sich beispielsweise um Ätzgase handeln kann. Da die gebräuchlichen Reinigungsmittel in der Regel nicht nur die unerwünschten Beschichtungen von den Kammerwänden entfernen, sondern darüber hinaus auch die Kammerwände in Mitleidenschaft ziehen, sobald sie mit diesen in Kontakt treten, besteht das Ziel, den Endzeitpunkt bzw. den Fertigstellungszeitpunkt einer solchen Reinigung sehr genau zu bestimmen, damit ein rechtzeitiger Abbruch der Reinigung erfolgen kann.Be known In the field of semiconductor technology very high demands on process steps put to reproducible and high yield semiconductor products such as microprocessors or memory elements to produce can. The problem is that some process steps such as Coating steps for contamination of the process chamber used to lead, because the coating not only on the substrates to be processed, usually wafers made of silicon or other semiconductor materials separates, but in addition also on the chamber walls the process chamber. For this reason, process chambers must be cleaned regularly. Such a cleaning is with etching or Cleaning agents, which may be, for example, etching gases. Because the common Cleaning products are usually not just the unwanted ones Coatings from the chamber walls remove it, but about it also the chamber walls affected as soon as they come into contact with them, is the goal, the end time or the completion time To determine such a cleaning very accurately, thus a timely Abort of cleaning can be done.

Aus dem Stand der Technik ist es bekannt, während der Reinigung von Prozesskammern mit ätzenden Reinigungsgasen die aus der Kammer austretenden Gase hinsichtlich ihrer Zusammenset zung zu analysieren, um festzustellen, ob in den austretenden Gasen („Auspuffgasen") Bestandteile enthalten sind, die auf einen Ätzangriff an der Kammerwand hindeuten. Ist dies der Fall, so wird daraus geschlossen, dass die Reinigung abgeschlossen ist und die Prozesskammer sauber ist. Nachteilig bei der bekannten Überwachung der Auspuffgase ist jedoch, dass diese relativ kostenaufwendig ist, da eine Analyseeinrichtung zur Untersuchung der Gaszusammensetzung erforderlich ist.Out In the prior art, it is known during the cleaning of process chambers with corrosive Purifying gases from the chamber escaping gases in terms analysis of their composition to determine whether or not there is a escaping gases ("exhaust gases") components are included, the on an etching attack on the wall of the chamber. If this is the case, it is concluded that the cleaning is complete and the process chamber is clean is. A disadvantage of the known monitoring of the exhaust gases is, however, that this is relatively expensive because an analyzer is required to study the gas composition.

Nicht nur im Rahmen einer Prozesskammersäuberung, sondern auch ansonsten beispielsweise während der Durchführung von Ätz- oder Reinigungsschritten an in der Prozesskammer zu prozessierenden Substraten besteht der Wunsch, den Abschluss eines Ätz- oder Reinigungsschrittes sehr genau bestimmen zu können, um beispielsweise einen unerwünschten Ätzangriff auf ein Nutzsubstrat zu vermeiden, sobald der gewünschte Ätzerfolg bzw. das gewünschte Ätzergebnis erreicht ist.Not only in the context of a process chamber cleaning, but also otherwise for example during the implementation from etching or cleaning steps to be processed in the process chamber Substrates is the desire to complete the completion of an etch or Cleaning step to be able to determine very accurately, for example, an undesirable etching attack to avoid a Nutzsubstrat, as soon as the desired etching success or the desired etching result is reached.

Aufgabe der Erfindung:Object of the invention:

Der Erfindung liegt demgemäß die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung und ein Verfahren anzugeben, mit denen sich der Abschluss bzw. die Fertigstellung eines Ätz- oder Reinigungsschrittes an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer sehr genau ermitteln lässt.Of the Invention is therefore based on the object indicate an arrangement and a procedure with which the degree or the completion of an etching or cleaning step at at least one location of a process chamber can be determined very accurately.

Zusammenfassung der Erfindung:Summary of the invention:

Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäß unter anderem durch ein Verfahren zum Erzeugen eines Signals gelöst, das die Fertigstellung eines Ätz- oder Reinigungsschrittes an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer anzeigt, wobei der Bereich zumindest eines in der Prozesskammer vorhandenen und zumindest teilweise aus Halbleitermaterial bestehenden Messelements mit einem Sensor für elektromagnetische Strahlung beobachtet wird, die Emission elektromagnetischer Strahlung während des Ätz- oder Reinigungsschrittes gemessen wird und das Signal erzeugt wird, sobald die gemessene Emission einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.The mentioned object is achieved according to the invention, inter alia, by a method solved for generating a signal, that the completion of an etching or cleaning step at at least one location of a process chamber indicating the area of at least one in the process chamber existing and at least partially made of semiconductor material Measuring element with a sensor for electromagnetic Radiation is observed, the emission of electromagnetic radiation during the etching or Cleaning step is measured and the signal is generated as soon as the measured emission exceeds a predetermined limit.

Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens ist darin zu sehen, dass sich dieses sehr kostengünstig durchführen lässt. Im Unterschied zu dem eingangs beschriebenen vorbekannten Verfahren, bei dem eine Untersuchung der Gaszusammensetzung erfolgt, wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren lediglich mit einem Sensor beobachtet, ob eine Emission elektromagnetischer Strahlung festzustellen ist, was sehr viel einfacher und kostengünstiger durchführbar ist als eine Gasuntersuchung. Erfinderseitig wurde nämlich festgestellt, dass Ätz- oder Reinigungsmittel, insbesondere solche auf der Basis von Halogenen wie Fluor, zu einem Leuchteffekt führen, sobald sie mit einer freiliegenden Halbleiter-Oberfläche in Kontakt treten, und dass dieser Leuchteffekt zum Detektieren des Abschlusses eines Ätz- oder Reinigungsschrittes verwendet werden kann. Ein solcher Leuchteffekt tritt bei nichtleitenden Schichten wie Oxidschichten oder Nitridschichten zum Beispiel nicht auf, so dass beispielsweise ein Entfernen von Oxidschichten oder Nitridschichten durch das Auftreten eines Leuchtens erkennbar ist.One An essential advantage of the method according to the invention is to see that this can be done very cheaply. in the Difference to the previously described prior art method, in which an investigation of the gas composition takes place is at the method according to the invention only with a sensor observes whether an emission of electromagnetic radiation It is much easier and cheaper to find out feasible is considered a gas investigation. In fact, it has been found by the inventor that etching or Cleaning agents, in particular those based on halogens like fluorine, lead to a glowing effect as soon as they come with a exposed semiconductor surface contact, and that this light effect to detect the completion of an etching or cleaning step can be used. Such a lighting effect occurs in non-conductive layers such as oxide layers or nitride layers for example, not on, so for example, a removal of Oxide layers or nitride layers by the appearance of a light is recognizable.

Eine besonders starke und damit gut detektierbare Emission tritt auf, wenn ein zumindest teilweise aus Silizium bestehendes Messelement verwendet wird, auf dessen Siliziumoberfläche das Ätz- oder Reinigungsmittel einwirkt; demgemäß wird der Einsatz eines Silizium-Messelement als besonders vorteilhaft angesehen. Silizium als Messelementmaterial weist darüber hinaus den Vorteil auf, dass es mit der üblicherweise auf Silizium basierenden Halbleitertechnologie kompatibel ist und somit selbst keine Verunreinigungen in einer Prozesskammer verursacht. Vorzugsweise besteht das Messelement ausschließlich aus Silizium.A particularly strong and therefore easily detectable emission occurs when an at least partially made of silicon measuring element is used, acts on the silicon surface of the etching or cleaning agent; Accordingly, the use of a silicon sensing element is considered to be particular considered beneficial. Silicon as a sensing element material also has the advantage of being compatible with the commonly silicon-based semiconductor technology and thus does not itself cause contamination in a process chamber. Preferably, the measuring element consists exclusively of silicon.

Wie bereits eingangs erwähnt, lässt sich die Bestimmung des Abschluss- bzw. Fertigstellungszeitpunkts beispielsweise für einen Ätz- oder Reinigungsschritt bestimmen, bei dem die Prozesskammer gereinigt wird. Alternativ kann die Bestimmung des Abschlusszeitpunkts auch für andere Aufgaben verwendet werden, beispielsweise um den Abschluss eines Ätzprozesses an einem Nutz-Wafer zu bestimmen.As already mentioned at the beginning, let yourself the determination of the completion or completion date, for example for an etching or Determine cleaning step in which the process chamber cleaned becomes. Alternatively, the determination of the completion time can also for others Tasks are used, for example, to complete an etching process to determine on a Nutz wafer.

Ein besonders starker Leuchteffekt tritt auf, wenn zum Ätzen oder Reinigen ein fluorhaltiges Gas, insbesondere in Kombination mit einem Silizium-Messelement verwendet wird. Sobald nämlich Silizium durch Fluor geätzt wird, tritt eine relativ intensive gelb/grüne Strahlung auf, die mit dem Auge gut sichtbar und mit Standard-Kameras gut detektierbar ist. Silizium-Bulkmaterial oder amorphes Silizium eignet sich dabei als Messelementmaterial besonders gut.One particularly strong light effect occurs when etching or Purify a fluorine-containing gas, especially in combination with a silicon measuring element is used. As soon as silicon etched by fluorine becomes, a relatively intensive yellow / green radiation occurs, which with the Eye is clearly visible and well detectable with standard cameras. Silicon bulk material or amorphous silicon is suitable as Measuring element material particularly good.

Das Reinigen der Prozesskammer kann beispielsweise mit einem Plasma durchgeführt werden.The Cleaning the process chamber can, for example, with a plasma carried out become.

Die Ausrichtung des Sensors ist prinzipiell beliebig, solange die Emission aus dem Bereich des Messelements detektierbar ist. Beispielsweise kann der Sensor auf die Oberfläche des Messelements ausgerichtet werden. Insbesondere kann die Messrichtung des Sensors senkrecht zur Oberfläche des Messelements ausgerichtet sein.The Orientation of the sensor is basically arbitrary, as long as the emission can be detected from the region of the measuring element. For example the sensor can touch the surface be aligned of the measuring element. In particular, the measuring direction of the sensor perpendicular to the surface be aligned with the measuring element.

Alternativ kann der Sensor auch auf den Bereich unmittelbar oberhalb der Oberfläche des Messelements ausgerichtet werden, wobei die Messrichtung des Sensors beispielsweise parallel zur Oberfläche des Messelements ausgerichtet wird.alternative The sensor can also be located on the area immediately above the surface of the Be aligned measuring element, wherein the measuring direction of the sensor for example, aligned parallel to the surface of the measuring element becomes.

Als Sensor kann beispielsweise eine Kamera, insbesondere eine CCD-Kamera, verwendet werden.When Sensor can, for example, a camera, in particular a CCD camera, be used.

Das Erfassen der Emission kann auch unter Verwendung eines Lichtwellenleiters erfolgen; beispielsweise umfasst der Sensor einen Lichtwellenleiter und ein damit verbundenes Detektorelement: In diesem Falle kann die elektromagnetische Strahlung in den Lichtwellenleiter, der im Bereich des Messelements angeordnet wird, eingekoppelt werden und mit diesem zu dem Detektorelement, das vorzugsweise außerhalb der Prozesskammer angeordnet wird, geleitet werden.The Detecting the emission can also be done using an optical fiber respectively; For example, the sensor comprises an optical waveguide and a detector element connected thereto: In this case the electromagnetic radiation in the optical waveguide, the Area of the measuring element is arranged, coupled and with this to the detector element, preferably outside the process chamber is arranged to be passed.

Die elektromagnetische Strahlung kann außerdem an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen gemessen werden. In diesem Falle wird vorzugsweise ein den Abschluss des Ätz- bzw. Reinigungsschrittes der Prozesskammer anzeigendes Endsignal erzeugt, wenn an einer vorgegebenen Anzahl an Messstellen die gemessene Emission einen für die jeweilige Messstelle vorgegebenen Grenzwert überschreitet.The Electromagnetic radiation can also be found in a variety of be measured at different measuring points. In this case will preferably a conclusion of the etching or cleaning step of the process chamber indicating end signal when generated at a predetermined number At measuring points, the measured emission for each measuring point exceeds the specified limit.

Die elektromagnetische Strahlung kann darüber hinaus an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen gemessen werden mit dem Ziel, die lokale Ätz- oder Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen zu steuern.The In addition, electromagnetic radiation can be present in a variety of ways be measured at different measuring points with the aim of the local etching or cleaning action within the process chamber in dependence to control from the evaluation results.

Im Übrigen kann die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen gemessen werden, um die Messsignale vorausgegangener Ätz- oder Reinigungsprozesse mit denen des jeweiligen Ätz- oder Reinigungsprozesses zu vergleichen und ein Signal für eine Prozessdrift zu erzeugen, wenn sich die räumliche Verteilung der Ätz- oder Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus ändert oder geändert hat. Vorzugsweise wird die Ätz- oder Reinigungswirkung lokal an den Stellen reduziert, an denen die Reinigung lokal bereits fertig gestellt ist.Incidentally, can the electromagnetic radiation at a variety of different measuring points be measured to the measurement signals previous etching or Cleaning processes with those of the respective etching or cleaning process compare and send a signal for to generate a process drift when the spatial distribution of the etch or Cleaning speed over a predetermined amount changes or changed Has. Preferably, the etching or cleaning action locally reduced at the places where The cleaning is already completed locally.

Zwischen dem Sensor und dem Messelement kann außerdem eine Blende verwendet werden, die den Einfluss eines zum Reinigen der Prozesskammer verwendeten Ätz- oder Reinigungsmittels auf das Messelement reduziert. Mit Hilfe einer solchen Maßnahme lassen sich unterschiedliche Ätz- oder Reinigungsgeschwindigkeiten auf dem Messelement und auf der Kammerwand der Prozesskammer bzw. auf einem Nutzsubstrat ausgleichen und Mess fehler vermeiden. Beispielsweise werden die Blende und/oder der Sensor relativ zueinander bewegt, um einzustellen, in welchem Maße das Ätz- oder Reinigungsmittel auf das Messelement einwirken soll.Between The sensor and the measuring element can also use a diaphragm be the influence of a used for cleaning the process chamber etching or Cleaning agent reduced to the measuring element. With the help of such measure can be different etching or Cleaning speeds on the measuring element and on the chamber wall the process chamber or on a Nutzsubstrat compensate and measurement errors avoid. For example, the aperture and / or the sensor moved relative to each other to adjust to what extent the etch or Cleaning agent to act on the measuring element.

Die Erfindung bezieht sich darüber hinaus auf eine Anordnung zum Feststellen des Abschlusszeitpunktes bzw. Fertigstellungszeitpunkt eines Ätz- oder Reinigungsschrittes an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer. Erfindungsgemäß ist bezüglich einer solchen Anordnung vorgesehen, dass die Anordnung mindestens ein zumindest teilweise aus einem Halbleitermaterial bestehendes Messelement umfasst, das in der Prozesskammer angeordnet ist, einen Sensor aufweist, der elektromagnetische Strahlung aus dem Bereich des Messelements erfassen kann, und eine mit dem Sensor verbundene Auswerteinrichtung aufweist, die das Signal erzeugt, sobald die vom Sensor gemessene Emission einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.The Invention relates to it to an arrangement for determining the completion time or completion time of an etching or cleaning step at least one location of a process chamber. According to the invention with respect to a such arrangement provided that the arrangement at least one comprising at least partially consisting of a semiconductor material measuring element, which is arranged in the process chamber, has a sensor, the electromagnetic radiation from the region of the measuring element can capture, and connected to the sensor evaluation device which generates the signal as soon as the measured by the sensor Emission exceeds a predetermined limit.

Im Übrigen wird ein Verfahren zum Anzeigen des Abschlusses eines Reinigungsschrittes einer Prozesskammer als Erfindung angesehen, bei dem die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen innerhalb der Prozesskammer gemessen wird und ein den Abschluss des Reinigungsschrittes der Prozesskammer anzeigendes Endsignal erzeugt wird, wenn an einer vorgegebenen Anzahl an Messstellen die gemessene Emission einen für die jeweilige Messstelle vorgegebenen Grenzwert überschreitet.Incidentally, will a method for indicating the completion of a cleaning step a process chamber considered as an invention in which the electromagnetic Radiation at a variety of different measuring points within the process chamber is measured and the completion of the cleaning step the process chamber indicating end signal is generated when at one predetermined number of measuring points the measured emission one for the respective measuring point exceeds specified limit value.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch bei einem Verfahren zum Steuern der Reinigung einer Prozesskammer angewendet werden, wobei die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen innerhalb der Prozesskammer gemessen wird, die Messsignale an den Messstellen ausgewertet werden und eine Steuerung der lokalen Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen durchgeführt wird.The inventive method may also be in a method of controlling the cleaning of a process chamber be applied, wherein the electromagnetic radiation at a Variety of different measuring points within the process chamber is measured, the measuring signals are evaluated at the measuring points and a control of the local cleaning action within the process chamber dependent on is carried out by the evaluation results.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann darüber hinaus auch bei einem Verfahren zum Feststellen einer Prozessdrift innerhalb einer Prozesskammer Anwendung finden, bei dem elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen innerhalb der Prozesskammer gemessen wird, die Messsignale vorausgegangener Reinigungsprozesse mit denen des jeweiligen Reinigungsprozesses verglichen werden und ein Signal für eine Prozessdrift erzeugt wird, wenn sich die räumliche Verteilung der Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus geändert hat.The inventive method can over it also in a method for detecting a process drift find application within a process chamber in which electromagnetic radiation at a variety of different measuring points within the Process chamber is measured, the measurement signals of previous cleaning processes be compared with those of the respective cleaning process and a signal for a process drift is generated when the spatial distribution of the cleaning speed over a predetermined amount addition changed Has.

Ausführungsbeispieleembodiments

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert; dabei zeigen beispielhaft:The Invention will be explained in more detail with reference to embodiments; there show by way of example:

1 zum allgemeinen Verständnis eine Prozesskammer nach dem Stand der Technik mit einer Einrichtung zum Untersuchen der aus der Prozesskammer austretenden Gase, 1 for general understanding, a prior art process chamber having means for inspecting the gases exiting the process chamber,

2 ein erstes Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung mit einer Kamera als Sensor für elektromagnetische Strahlung, 2 a first embodiment of an inventive arrangement with a camera as a sensor for electromagnetic radiation,

3 ein zweites Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung, bei der ein Lichtwellenleiter eingesetzt wird, 3 A second embodiment of an inventive arrangement in which an optical waveguide is used,

4 ein drittes Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung, bei der eine Vielzahl an Messelementen und Sensoren vorgesehen ist, 4 A third embodiment of an inventive arrangement, in which a plurality of measuring elements and sensors is provided,

5, 6 ein viertes Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung, bei der zwischen einem Sensor und einem Messelement eine Blende vorhanden ist, und 5 . 6 A fourth embodiment of an inventive arrangement in which a diaphragm is present between a sensor and a measuring element, and

7 beispielhaft das Leuchtspektrum für Silizium bei Einwirkung von Fluor. 7 For example, the luminous spectrum for silicon under the action of fluorine.

In den 1 bis 7 werden aus Gründen der Übersicht für identische oder vergleichbare Komponenten stets dieselben Bezugszeichen verwendet.In the 1 to 7 For reasons of clarity, identical reference symbols are always used for identical or comparable components.

In der 1 erkennt man beispielhaft eine Anordnung nach dem Stand der Technik. Diese Anordnung weist eine Prozesskammer 10 mit einem Gaseinlass 20 und einem Gasausgang 30 auf. An den Gasausgang 30 ist eine Vakuumpumpe 40 angeschlossen, mit der sich ein vorgegebener Druck innerhalb der Prozesskammer 10 einstellen lässt.In the 1 By way of example, one recognizes an arrangement according to the prior art. This arrangement has a process chamber 10 with a gas inlet 20 and a gas outlet 30 on. To the gas outlet 30 is a vacuum pump 40 connected with which a predetermined pressure within the process chamber 10 can be set.

Da die Prozesskammer 10 während ihres Betriebs üblicherweise verschmutzt, sind regelmäßig Reinigungen notwendig, um eine gleich bleibend hohe Prozessqualität in der Prozesskammer zu gewährleisten.Because the process chamber 10 Usually polluted during their operation, regular cleaning is necessary to ensure a consistently high process quality in the process chamber.

Im Rahmen einer solchen Reinigung wird beispielsweise ein fluorhaltiges Ätzgas in die Prozesskammer 10 geleitet, das Abscheidungen an den Kammerwänden 50 der Prozesskammer wegätzt. Sobald die Abscheidungen an den Kammerwänden 50 entfernt sind, wirkt das Ätzgas unmittelbar auf die Kammerwände ein und kann diese in Mitleidenschaft ziehen.In the context of such cleaning, for example, a fluorine-containing etching gas in the process chamber 10 passed the deposits on the chamber walls 50 etched away the process chamber. Once the deposits on the chamber walls 50 are removed, the etching gas acts directly on the chamber walls and can affect them.

Um den Endzeitpunkt bzw. die Fertigstellung der Kammerreinigung zu erkennen weist die Anordnung nach der 1 eine Analyseeinrichtung 60 auf, die das aus der Prozesskammer 10 austretende Ätzgas auf seine Bestandteile hin analysiert. Sobald diese Analyse ergibt, dass Materialbestandteile der Kammerwände 50 in dem austretenden Ätzgas enthalten sind, wird ein Signal S erzeugt, das den Abschluss der Kammerreinigung anzeigt.To recognize the end time or the completion of the chamber cleaning, the arrangement according to the 1 an analysis device 60 on top of that from the process chamber 10 escaping etching gas analyzed for its constituents. Once this analysis reveals that material components of the chamber walls 50 are contained in the exiting etching gas, a signal S is generated indicating the completion of the chamber cleaning.

In der 2 ist ein Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung gezeigt. Bei dieser Anordnung ist keine Analyseeinrichtung vorhanden, sondern stattdessen ein Messelement 100 aus einem Halbleitermaterial wie zum Beispiel Silizium, Germanium, InP, GaAs oder sonstigen Materialien dieser Art innerhalb der Prozesskammer 10 angeordnet. Vorzugsweise weist das Messelement einen aktiven Messabschnitt 110 aus Silizium-Bulkmaterial auf.In the 2 an embodiment of an inventive arrangement is shown. In this arrangement, there is no analyzer but instead a measuring element 100 of a semiconductor material such as silicon, germanium, InP, GaAs or other materials of this type within the process chamber 10 arranged. Preferably, the measuring element has an active measuring section 110 made of bulk silicon material.

Mit dem Messelement 100 steht über eine optische Sichtverbindung 120 ein Sensor 130 für elektromagnetische Strahlung in Form einer Kamera, beispielsweise einer CCD-Kamera, in Verbindung. Die Prozesskammer 10 weist hierzu einen durchsichtigen Wandbereich 140 auf, durch den die elektromagnetische Strahlung die Prozesskammer 10 verlassen und die Kamera 130 erreichen kann.With the measuring element 100 stands over an optical line of sight 120 a sensor 130 for electromagnetic radiation in the form of a camera, such as a CCD camera in conjunction. The process chamber 10 has a transparent wall area 140 on, by which the electromagnetic radiation the process chamber 10 leave and the camera 130 can reach.

Das Messelement 100 ist dauerhaft in der Prozesskammer 10 installiert und somit auch während der üblichen Nutzphasen, bei denen zum Beispiel Beschichtungen auf Nutzsubstrate wie Wafer oder dergleichen in der Prozesskammer 10 aufgetragen werden, den in der Prozesskammer herrschenden Prozessbedingungen genauso wie die Kammerwände 50 ausgesetzt. Dies führt dazu, dass sich Verunreinigungen während der üblichen Nutzphasen nicht nur auf den Kammerwänden 50, sondern darüber hinaus auch auf dem aktiven Messabschnitt 110 des Messelements 100 abscheiden. Im Idealfall wird der aktive Messabschnitt 110 des Messelements 100 genauso verschmutzt bzw. unerwünscht beschichtet wie die Kammerwände 50.The measuring element 100 is permanently in the process chamber 10 installed and thus also during the usual useful phases in which, for example, coatings on Nutzsubstrate such as wafers or the like in the process chamber 10 be applied, the process conditions prevailing in the process chamber as well as the chamber walls 50 exposed. As a result, contaminants not only on the chamber walls during the usual useful phases 50 but also on the active measuring section 110 of the measuring element 100 deposit. Ideally, the active measuring section becomes 110 of the measuring element 100 just as dirty or undesirable coated as the chamber walls 50 ,

Wird nun eine Reinigung der Prozesskammer 10 durchgeführt, bei der die Verschmutzung von den Kammerwänden 50 weggeätzt wird – zum Beispiel mit einem halogenhaltigen, vorzugsweise fluorhaltigen Ätz- oder Reinigungsmittel – so werden die Kammerwände 50 und der aktive Messabschnitt 110 des Messelements 100 ungefähr gleichzeitig von der Verschmutzung befreit werden. Sobald der aktive Messabschnitt 110 des Messelements 100 dem fluorhaltigen Ätzgas ausgesetzt wird, wird er eine elektromagnetische Strahlung emittieren, die von der Kamera 130 erfasst wird. Die Kamera 130 wird das Auftreten des Leuchteffektes somit detektieren und ein entsprechendes Messsignal an eine Prozesssteuereinrichtung 90 als Auswerteinrichtung übermitteln, die ein Steuersignal S erzeugt und beispielsweise die Kammerreinigung beendet.Will now be a cleaning of the process chamber 10 carried out at which the pollution from the chamber walls 50 is etched away - for example with a halogen-containing, preferably fluorine-containing etching or cleaning agent - so are the chamber walls 50 and the active measuring section 110 of the measuring element 100 be removed from the pollution at about the same time. As soon as the active measuring section 110 of the measuring element 100 exposed to the fluorine-containing etching gas, it will emit electromagnetic radiation emitted by the camera 130 is detected. The camera 130 the occurrence of the luminous effect will thus be detected and a corresponding measuring signal to a process control device 90 as an evaluation device, which generates a control signal S and, for example, ends the chamber cleaning.

Der beschriebene Leuchteffekt, dessen Spektrum in der 7 näher gezeigt ist, beruht im vorliegenden Beispielfall darauf, dass Fluor und Bulk-Silizium, sobald sie miteinander in Berührung kommen, zu einer Lichtemission führen, sei es innerhalb eines Plasma oder auch ohne Plasma-Einwirkung. In der 7 sind der Bereich des Leuchteffekts mit dem Bezugszeichen L und die Bereiche einer zusätzlichen Plasma-Emission mit dem Bezugszeichen P gekennzeichnet.The described lighting effect whose spectrum in the 7 is shown in the present example, it is based on the fact that fluorine and bulk silicon, as soon as they come into contact with each other, lead to a light emission, whether within a plasma or without plasma exposure. In the 7 the region of the luminous effect is denoted by the reference symbol L and the regions of an additional plasma emission by the reference symbol P.

In der 3 ist ein zweites Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung gezeigt. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel gemäß der 2 wird bei diesem Beispiel der Leuchteffekt nicht im Rahmen einer Freistrahlverbindung, sondern über einen Lichtwellenleiter 200 übertragen, der die elektromagnetische Strahlung durch eine Öffnung 210 in der Kammerwand 50 nach draußen zu einem Detektorelement 220 leitet. Der Lichtwellenleiter 200 und das damit verbundenes Detektorelement 220 bilden somit einen Sensor 130 zum Erfassen der elektromagnetischen Strahlung.In the 3 a second embodiment of an inventive arrangement is shown. In contrast to the embodiment according to the 2 In this example, the luminous effect is not in the context of a free jet connection, but via an optical waveguide 200 transmit the electromagnetic radiation through an opening 210 in the chamber wall 50 outside to a detector element 220 passes. The optical fiber 200 and the associated detector element 220 thus form a sensor 130 for detecting the electromagnetic radiation.

In der 4 ist ein drittes Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung gezeigt. Im Unterschied zu den beiden Ausführungsbeispielen gemäß den 2 und 3 sind bei diesem Beispiel mehrere Messstellen 300, 310 und 320 innerhalb der Prozesskammer 10 vorhanden. Jede Messstelle weist jeweils ein Silizium-Messelement auf, das einen Leuchteffekt erzeugt, sobald es von einem fluorhaltigen Gas geätzt wird. Die Emission wird messtellenindividuell mittels Detektorelemente 330, 340 und 350 erfasst, die über Lichtwellenleiter 360, 370 und 380 die Emission im Bereich des jeweiligen Messelements erfassen.In the 4 a third embodiment of an inventive arrangement is shown. In contrast to the two embodiments according to the 2 and 3 are in this example several measuring points 300 . 310 and 320 within the process chamber 10 available. Each measuring point in each case has a silicon measuring element which generates a luminous effect as soon as it is etched by a fluorine-containing gas. The emission is measured individually by means of detector elements 330 . 340 and 350 detected by optical fiber 360 . 370 and 380 detect the emission in the region of the respective measuring element.

Die Prozesssteuereinrichtung 90 ist derart ausgestaltet, dass sie die elektromagnetische Strahlung an jeder der Messstellen innerhalb der Prozesskammer 10 misst und ein den Abschluss des Reinigungsschrittes der Prozesskammer anzeigendes Endsignal S erzeugt, wenn an einer vorgegebenen Anzahl an Messstellen die gemessene Emission einen für die jeweilige Messstelle vorgegebenen Grenzwert überschreitet.The process control device 90 is configured to receive the electromagnetic radiation at each of the measurement sites within the process chamber 10 measures and a completion of the cleaning step of the process chamber indicating end signal S generated when the measured emission exceeds a predetermined limit for the respective measuring point at a predetermined number of measuring points.

Außerdem ist die Prozesssteuereinrichtung 90 derart ausgestaltet, dass sie die Messsignale an den Messstellen auswertet und eine Steuerung der lokalen Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen durchführt, indem sie beispielsweise den Druck innerhalb der Prozesskammer 10, die Temperatur innerhalb der Prozesskammer und/oder die Gasverteilung innerhalb der Prozesskammer verändert bzw. ggf. nachregelt. Vorzugsweise reduziert sie die Reinigungswirkung lokal an den Stellen, an denen die Reinigung lokal bereits fertig ist.In addition, the process control device 90 configured such that it evaluates the measuring signals at the measuring points and performs a control of the local cleaning effect within the process chamber in dependence on the evaluation results, for example by the pressure within the process chamber 10 , the temperature within the process chamber and / or the gas distribution within the process chamber changed or possibly readjusted. Preferably, it reduces the cleaning effect locally at the places where the cleaning is already done locally.

Darüber hinaus ist die Prozesssteuereinrichtung 90 derart ausgestaltet, dass sie die Messsignale vorausgegangener Reinigungsprozesse mit denen des jeweiligen Reinigungsprozesses vergleicht und ein Signal SP für eine Prozessdrift erzeugt, wenn sich die räumliche Verteilung der Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus geändert hat.In addition, the process control device 90 such that it compares the measurement signals of preceding cleaning processes with those of the respective cleaning process and generates a signal SP for a process drift, if the spatial distribution of the cleaning speed has changed beyond a predetermined extent.

In den 5 und 6 ist ein viertes Ausführungsbeispiel für eine erfindungsgemäße Anordnung gezeigt. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist zwischen dem Sensor 130 und dem Messelement 100 eine drehbare Blende 400 vorgesehen, mit der sich die Einwirkung des Ätzgases auf das Messelement 100 reduzieren lässt. Hierzu weist die Blende 400 eine Blendenöffnung 410 auf, durch die das Ätzgas auf das Messelement 100 gelangen kann.In the 5 and 6 a fourth embodiment of an inventive arrangement is shown. In this embodiment is between the sensor 130 and the measuring element 100 a rotatable bezel 400 provided with the influence of the etching gas on the measuring element 100 can be reduced. For this purpose, the aperture 400 an aperture 410 on, through which the etching gas on the measuring element 100 can get.

Die 5 zeigt eine Position der Blendenöffnung 410, die eine Einwirkung des Ätzgases erlaubt. Ätzt das Ätzgas die Verschmutzungen auf dem Messelement zu schnell bzw. schneller als auf den Kammerwänden 50, so kann die Blendenöffnung zeitweise auch weggedreht werden, um die Ätzgeschwindigkeit zu reduzieren. Die 6 zeigt eine Position der Blendenöffnung 410, in der die Blende 400 das Messelement 100 abdeckt.The 5 shows a position of the aperture 410 , which allows an action of the etching gas. Etch the etching gas, the contaminants on the measuring element too fast or faster than on the chamber walls 50 , so the aperture can be temporarily turned away to reduce the etching speed. The 6 shows a position of the aperture 410 in which the aperture 400 the measuring element 100 covers.

Mit Hilfe der Blende 400 lassen sich also unterschiedliche Ätz- bzw. Reinigungsgeschwindigkeiten auf dem Messelement 100 und den Kammerwänden 50 der Prozesskammer 10 ausgleichen, indem die Blende mit einer passenden Geschwindigkeit ω gedreht wird.With the help of the aperture 400 So can be different etching or cleaning speeds on the measuring element 100 and the chamber walls 50 the process chamber 10 compensate by rotating the shutter at a suitable speed ω.

Eine Blende wie die in den 5 und 6 gezeigte kann auch bei den Ausführungsbeispielen gemäß den 3 und 4 eingesetzt werden. Im Falle mehrerer Messelemente wird in diesem Falle jedes der Messelemente mit einer individuellen Blende abgedeckt, die mit einer individuellen Verstellgeschwindigkeit verstellt, insbesondere verdreht, wird.A panel like the one in the 5 and 6 shown can also in the embodiments according to the 3 and 4 be used. In the case of several measuring elements, each of the measuring elements is covered in this case with an individual aperture, which is adjusted with an individual adjustment speed, in particular twisted, is.

1010
Prozesskammerprocess chamber
2020
Gaseinlassgas inlet
3030
Gasausganggas output
4040
Vakuumpumpevacuum pump
5050
Kammerwändenchamber walls
6060
Analyseeinrichtunganalyzer
9090
ProzesssteuereinrichtungProcess control device
100100
Messelementmeasuring element
110110
aktiver Messabschnittactive measuring section
120120
optische Sichtverbindungoptical sight
130130
Sensor für elektromagnetische Strahlungsensor for electromagnetic radiation
140140
durchsichtiger Wandbereichtransparent wall area
200200
Lichtwellenleiteroptical fiber
210210
Öffnungopening
220220
Detektorelementdetector element
300300
Messstellemeasuring point
310310
Messstellemeasuring point
320320
Messstellemeasuring point
330330
Detektorelementdetector element
340340
Detektorelementdetector element
350350
Detektorelementdetector element
360360
Lichtwellenleiteroptical fiber
370370
Lichtwellenleiteroptical fiber
380380
Lichtwellenleiteroptical fiber
400400
Blendecover
410410
Blendenöffnungaperture
SS
Signalsignal

Claims (35)

Verfahren zum Erzeugen eines Signals (S), das anzeigt, dass ein unter Verwendung eines Ätz- oder Reinigungsmittels durchgeführter Ätz- oder Reinigungsschritt an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer (10) fertig ist, wobei – der Bereich mindestens eines in der Prozesskammer vorhandenen und zumindest teilweise aus Halbleitermaterial bestehenden Messelements (100) mit einem Sensor (130) für elektromagnetische Strahlung beobachtet wird, – die Emission elektromagnetischer Strahlung während des Ätz- oder Reinigungsschrittes gemessen wird und – das Signal erzeugt wird, sobald die gemessene Emission einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.A method of generating a signal (S) indicating that an etching or cleaning step performed using an etchant or cleaning agent occurs at at least one location of a process chamber ( 10 ), wherein - the region of at least one measuring element present in the process chamber and consisting at least partially of semiconductor material ( 100 ) with a sensor ( 130 ) is observed for electromagnetic radiation, - the emission of electromagnetic radiation during the etching or cleaning step is measured and - the signal is generated as soon as the measured emission exceeds a predetermined limit. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Messelement mit einem aktiven Messabschnitt (110) aus Silizium verwendet wird und dass das Ätz- oder Reinigungsmittel auf diesen Messabschnitt einwirkt.A method according to claim 1, characterized in that a measuring element with an active measuring section ( 110 ) is used from silicon and that the etching or cleaning agent acts on this measuring section. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass im Rahmen des Ätz- oder Reinigungsschrittes die Prozesskammer gereinigt wird.Method according to claim 2, characterized in that that as part of the etching or cleaning step, the process chamber is cleaned. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass zum Ätzen oder Reinigen ein fluorhaltiges Gas verwendet wird.Method according to claim 2, characterized in that that for etching or cleaning a fluorine-containing gas is used. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass ein aktiver Messabschnitt aus Silizium-Bulkmaterial oder amorphes Silizium verwendet wird.Method according to claim 4, characterized in that that an active measuring section of silicon bulk or amorphous Silicon is used. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Reinigen der Prozesskammer mit einem Plasma durchgeführt wird.Method according to claim 1, characterized in that that the cleaning of the process chamber is performed with a plasma. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor auf den aktiven Messabschnitt des Messelements ausgerichtet wird.Method according to claim 2, characterized in that that the sensor is aligned with the active measuring section of the measuring element becomes. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Messrichtung des Sensors senkrecht zum aktiven Messabschnitt des Messelements ausgerichtet wird.Method according to claim 7, characterized in that that the measuring direction of the sensor perpendicular to the active measuring section of the measuring element is aligned. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor auf den Bereich unmittelbar oberhalb des aktiven Messabschnitts des Messelements ausgerichtet wird.Method according to claim 2, characterized in that that the sensor is on the area immediately above the active Measuring section of the measuring element is aligned. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Messrichtung des Sensors parallel zur Oberfläche des aktiven Messabschnitts des Messelements ausgerichtet wird.Method according to claim 9, characterized in that that the measuring direction of the sensor is parallel to the surface of the active measuring section of the measuring element is aligned. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Sensor eine Kamera, insbesondere eine CCD-Kamera, verwendet wird.Method according to claim 1, characterized in that in that a camera, in particular a CCD camera, is used as the sensor becomes. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, – dass der Sensor einen Lichtwellenleiter (200) und ein damit verbundenes Detektorelement (220) umfasst und – dass in den Lichtwellenleiter die elektromagnetische Strahlung eingekoppelt und mit diesem zu dem Detektorelement geleitet wird.Method according to claim 1, characterized in that That the sensor has an optical waveguide ( 200 ) and an associated detector element ( 220 ) and - that is coupled into the optical waveguide, the electromagnetic radiation and is conducted with this to the detector element. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen (300, 310, 320) gemessen wird und – ein den Abschluss des Ätz- oder Reinigungsschrittes anzeigendes Endsignal erzeugt wird, wenn an einer vorgegebenen Anzahl an Messstellen die gemessene Emission einen für die jeweilige Messstelle vorgegebenen Grenzwert überschreitet.A method according to claim 1, characterized in that - the electromagnetic radiation at a plurality of different measuring points ( 300 . 310 . 320 ) is measured and - an end signal indicating the completion of the etching or cleaning step is generated when, at a predetermined number of measuring points, the measured emission exceeds a predetermined limit for the respective measuring point. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen gemessen wird, – die Messsignale an den Messstellen ausgewertet werden und – eine Steuerung der lokalen Ätz- oder Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen durchgeführt wird.Method according to claim 1, characterized in that that - the electromagnetic radiation at a variety of different Measuring points is measured, - the measuring signals at the measuring points be evaluated and - one Control of local etching or cleaning action within the process chamber in dependence is carried out by the evaluation results. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätz- oder Reinigungswirkung lokal an den Stellen reduziert wird, an denen die Reinigung lokal bereits fertig ist.Method according to claim 14, characterized in that that the etching or cleaning action is reduced locally at the points where The cleaning is already done locally. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass – die elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen gemessen wird, – die Messsignale vorausgegangener Ätz- oder Reinigungsprozesse mit dem jeweiligen Ätz- oder Reinigungsprozess verglichen werden und – ein Signal (SP) für eine Prozessdrift erzeugt wird, wenn sich die räumliche Verteilung der Ätz- oder Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus geändert hat oder ändert.Method according to claim 1, characterized in that that - the electromagnetic radiation at a variety of different Measuring points is measured, - The measurement signals of previous etching or Cleaning processes with the respective etching or cleaning process be compared and - one Signal (SP) for a process drift is generated when the spatial distribution of the etch or Cleaning speed over a predetermined amount changed has or changes. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Sensor und dem Messelement eine Blende (400) angeordnet wird, die den Einfluss des zum Reinigen der Prozesskammer verwendeten Ätz- oder Reinigungsmittels auf das Messelement reduziert.A method according to claim 1, characterized in that between the sensor and the measuring element, a diaphragm ( 400 ), which reduces the influence of the etching or cleaning agent used to clean the process chamber on the measuring element. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende und/oder der Sensor relativ zueinander bewegt werden, um einzustellen, in welchem Maße das Ätz- oder Reinigungsmittel auf das Messelement einwirken soll.Method according to claim 17, characterized in that that the diaphragm and / or the sensor are moved relative to one another, to adjust to what extent the etching or detergent to act on the measuring element. Anordnung mit einer Prozesskammer und einer Einrichtung zum Erzeugen eines Signals, das den Abschluss eines Ätz- oder Reinigungsschrittes an zumindest einer Stelle einer Prozesskammer anzeigt, wobei die Einrichtung – ein zumindest teilweise aus Halbleitermaterial bestehendes Messelement umfasst, das in der Prozesskammer angeordnet ist, – einen Sensor aufweist, der elektromagnetische Strahlung aus dem Bereich des Messelements erfassen kann, und – und eine mit dem Sensor verbundene Auswerteinrichtung aufweist, die das Signal erzeugt, sobald die vom Sensor gemessene Emission einen vorgegebenen Grenzwert überschreitet.Arrangement with a process chamber and a device for generating a signal indicative of completion of an etch or Cleaning step at least one point of a process chamber indicating, the device - at least partially off Semiconductor material existing measuring element comprises, in the process chamber is arranged - one Sensor has, the electromagnetic radiation from the field of the measuring element can capture, and - and one connected to the sensor Having evaluation device which generates the signal as soon as the Sensor measured emission exceeds a predetermined limit. Anordnung nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass das Messelement Silizium-Material aufweist.Arrangement according to claim 19, characterized the measuring element comprises silicon material. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor auf die Oberfläche des Messelements ausgerichtet ist.Arrangement according to claim 20, characterized that the sensor touches the surface of the Aligned measuring element. Anordnung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, dass die Messrichtung des Sensors senkrecht zur Oberfläche des Messelements ausgerichtet ist.Arrangement according to claim 21, characterized that the measuring direction of the sensor perpendicular to the surface of the Aligned measuring element. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor auf den Bereich unmittelbar oberhalb der Oberfläche des Messelements ausgerichtet ist.Arrangement according to claim 20, characterized that the sensor on the area immediately above the surface of the Aligned measuring element. Anordnung nach Anspruch 23, dadurch gekennzeichnet, dass die Messrichtung des Sensors parallel zur Oberfläche des Messelements ausgerichtet ist.Arrangement according to claim 23, characterized that the measuring direction of the sensor is parallel to the surface of the Aligned measuring element. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor durch eine Kamera, insbesondere eine CCD-Kamera, gebildet ist.Arrangement according to claim 20, characterized that the sensor is detected by a camera, in particular a CCD camera, is formed. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, – dass der Sensor einen Lichtwellenleiter und ein damit verbundenes Detektorelement umfasst und – dass der Lichtwellenleiter im Bereich des Messelements angeordnet ist.Arrangement according to claim 20, characterized - that the Sensor an optical waveguide and a detector element connected thereto includes and - that the optical waveguide is arranged in the region of the measuring element. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass – die Einrichtung eine Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen umfasst und – die Auswerteinrichtung mit den Messstellen verbunden ist und derart ausgestaltet ist, dass sie ein den Abschluss des Ätz- oder Reinigungsschrittes der Prozesskammer anzeigendes Endsignal erzeugt, wenn an einer vorgegebenen Anzahl an Messstellen die gemessene Emission einen für die jeweilige Messstelle vorgegebenen Grenzwert überschreitet.Arrangement according to claim 20, characterized that - the Device includes a variety of different measuring points and - the Evaluation device is connected to the measuring points and so is designed to be a completion of the etch or a Purification step of the process chamber indicating end signal generated when at a given number of measuring points the measured emission one for the respective measuring point exceeds the specified limit value. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass – die Einrichtung eine Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen umfasst und – die Auswerteinrichtung derart ausgestaltet ist, dass sie die Messsignale an den Messstellen auswertet und eine Steuerung der lokalen Ätz- oder Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen durchführt.Arrangement according to claim 20, characterized that - the Device includes a variety of different measuring points and - the Evaluation device is designed such that it the measurement signals evaluates at the measuring points and a control of the local etching or Cleaning effect within the process chamber in dependence from the evaluation results. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass – die Einrichtung eine Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen umfasst und – die Auswerteinrichtung derart ausgestaltet ist, dass sie die Messsignale vorausgegangener Ätz- oder Reinigungsprozesse mit denen des jeweiligen Ätz- oder Reinigungsprozesses vergleicht und ein Signal für eine Prozessdrift erzeugt, wenn sich die räumliche Verteilung der Ätz- oder Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus ändert.Arrangement according to claim 20, characterized that - the Device includes a variety of different measuring points and - the Evaluation device is designed such that it the measurement signals previous etching or cleaning processes with those of the respective etching or Comparing cleaning process and generating a signal for a process drift, if the spatial distribution the etching or cleaning speed over changes a given amount. Anordnung nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, dass die Auswerteinrichtung derart ausgestaltet ist, dass sie die Ätz- oder Reinigungswirkung lokal an den Stellen reduziert, an denen die Ätz- oder Reinigung lokal bereits fertig ist.Arrangement according to claim 28, characterized that the evaluation device is designed such that it the etching or Cleansing effect locally reduced at the places where the etch or Cleaning locally already finished. Anordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Sensor und dem Messelement eine Blende vorhanden ist, die den Einfluss des zum Ätzen oder Reinigen verwendeten Reinigungsmittels auf das Messelement reduziert.Arrangement according to claim 20, characterized that a diaphragm exists between the sensor and the measuring element is that the influence of for etching or cleaning agent used on the measuring element reduced. Anordnung nach Anspruch 31, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende und/oder der Sensor relativ zueinander beweglich sind.Arrangement according to claim 31, characterized that the aperture and / or the sensor is movable relative to each other are. Verfahren nach Anspruch 1 zum Steuern des Ätzens oder Reinigen in einer Prozesskammer, dadurch gekennzeichnet, dass elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen innerhalb der Prozesskammer gemessen wird, die Messsignale an den Messstellen ausgewertet werden und eine Steuerung der lokalen Ätz- oder Reinigungswirkung innerhalb der Prozesskammer in Abhängigkeit von den Auswertergebnissen durchgeführt wird.The method of claim 1 for controlling the etching or Cleaning in a process chamber, characterized in that electromagnetic radiation at a variety of different measuring points within the Process chamber is measured, the measuring signals at the measuring points be evaluated and a control of the local etching or Cleaning effect within the process chamber in dependence is carried out by the evaluation results. Verfahren nach Anspruch 33, dadurch gekennzeichnet, dass die Ätz- oder Reinigungswirkung lokal an den Stellen reduziert wird, an denen die Reinigung lokal bereits fertig ist.Method according to claim 33, characterized that the etching or cleaning action is reduced locally at the points where The cleaning is already done locally. Verfahren nach Anspruch 1 zum Feststellen einer Prozessdrift innerhalb einer Prozesskammer, dadurch gekennzeichnet, dass – elektromagnetische Strahlung an einer Vielzahl an unterschiedlichen Messstellen innerhalb der Prozesskammer gemessen wird, – die Messsignale vorausgegangener Ätz- oder Reinigungsprozesse mit denen des jeweiligen Ätz- oder Reinigungsprozesses verglichen werden und – ein Signal für eine Prozessdrift erzeugt wird, wenn sich die räumliche Verteilung der Ätz- oder Reinigungsgeschwindigkeit über ein vorgegebenes Maß hinaus geändert hat.Method according to claim 1 for determining a Process drift within a process chamber, characterized that - electromagnetic Radiation at a variety of different measuring points within the process chamber is measured, - The measurement signals of previous etching or Cleaning processes with those of the respective etching or cleaning process be compared and - one Signal for a process drift is generated when the spatial distribution of the etch or Cleaning speed over a predetermined amount changed Has.
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