DE102006006300A1 - Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit - Google Patents
Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit Download PDFInfo
- Publication number
- DE102006006300A1 DE102006006300A1 DE102006006300A DE102006006300A DE102006006300A1 DE 102006006300 A1 DE102006006300 A1 DE 102006006300A1 DE 102006006300 A DE102006006300 A DE 102006006300A DE 102006006300 A DE102006006300 A DE 102006006300A DE 102006006300 A1 DE102006006300 A1 DE 102006006300A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- integrated circuit
- semiconductor
- identification data
- circuit arrangement
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Ceased
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54413—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising digital information, e.g. bar codes, data matrix
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/54486—Located on package parts, e.g. encapsulation, leads, package substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01049—Indium [In]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01058—Cerium [Ce]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01068—Erbium [Er]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltkreis-Anordnung und ein Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung.The The invention relates to an integrated circuit arrangement and a Method for personalizing an integrated circuit arrangement.
Hersteller von Produkten mit Halbleiterbausteinen und Anwender dieser Produkte stellen oftmals bei der Qualitätsprüfung oder während des Betriebs dieser Produkte Fehler fest. Diese Fehler können von fehlerhaften Halbleiterbausteinen verursacht sein. In solchen Fällen können die fehlerhaften Halbleiterbausteine, z.B. in der Automobil-Zulieferindustrie, von den Anwendern an den jeweiligen Hersteller zurückgesendet werden.Manufacturer of products with semiconductor devices and users of these products often put in the quality inspection or while the operation of these products errors. These errors can be from caused by defective semiconductor devices. In such cases, the defective semiconductor devices, e.g. in the automotive supply industry, returned by the users to the respective manufacturer become.
Den Herstellern von Halbleiterprodukten, z.B. von Halbleiterchips für die Automobilindustrie, ist es wichtig, die Geschichte und den Ursprung jedes Halbleiterbausteins nachvollziehen zu können, um die Gründe für das Versagen dieser Halbleiterbausteine feststellen zu können, Korrekturmaßnahmen einleiten zu können und weitere betroffene Halbleiterbausteine so schnell wie möglich zurückrufen zu können. Eine wichtige Information hierfür sind die Herstellungsbedingungen dieses fehlerhaften Halbleiterbausteins. Dabei ist insbesondere die Position eines entsprechenden Halbleiterbausteins auf einem Halbleiterwafer und die Position des Halbleiterwafers in dem Los, mit dem der Halbleiterbaustein hergestellt wurde, interessant. Die Kenntnis der entsprechenden Informationen erlaubt Rückschlüsse darauf, welche Halbleiterbausteine außerdem von diesem Fehler betroffen sein könnten, so dass weitere Halbleiterbausteine, die möglicherweise fehlerhaft sind, identifiziert werden können. Ferner ist es auch für Ingenieure des betroffenen Herstellers wichtig zu wissen, unter welchen Umständen der Halbleiterbaustein hergestellt wurde, um im Falle eines Ausbeute- oder eines Zuverlässigkeitsproblems schnell reagieren zu können.The Manufacturers of semiconductor products, e.g. of semiconductor chips for the automotive industry, It is important to understand the history and the origin of each semiconductor device to be able to understand for the reasons for the Failure to detect these semiconductor devices to initiate corrective action to be able to and recall other affected semiconductor devices as soon as possible to be able to. An important information for this are the manufacturing conditions of this defective semiconductor device. In this case, in particular, the position of a corresponding semiconductor device on a semiconductor wafer and the position of the semiconductor wafer in the lot, with which the semiconductor device was manufactured, interesting. Knowledge of the relevant information allows conclusions to be drawn which semiconductor devices as well could be affected by this error, so that more semiconductor devices, possibly are faulty, can be identified. It is also for engineers important to know the circumstances of the manufacturer Semiconductor device was made to work in the event of a or a reliability problem to be able to react quickly.
Um
dieses Problem zu lösen,
gibt es bisher die folgenden Ansätze:
Die
Herstellung der Halbleiterbausteine wird mittels eines "Tracking"-Systems dokumentiert,
wobei festgehalten wird, wie ein Waferlos in Assembly-Lose aufgeteilt
wird, und wie eine Mehrzahl von Assembly-Losen zusammengeführt und
möglicherweise
erneut aufgeteilt werden und schließlich auf Bandrollen verteilt
werden, die an die Kunden geliefert werden. Mittels des Tracking-Systems
ist es möglich,
den Ursprung eines einzelnen Halbleiterbausteins auf sein ursprüngliches
Los und seinen ursprünglichen
Halbleiterwafer zurückzuführen. Jedoch
ist dieses System zeitaufwändig
und Fehler können
leicht auftreten. Ferner gibt es keine Möglichkeit, die x- und y-Koordinaten
des Halbleiterbausteins auf dem ursprünglichen Halbleiterwafer festzustellen.
Da in Herstellungsfabriken eine Verbindung zu einem Tracking-System
nicht für
alle Maschinen verfügbar
ist, wird die Dokumentation üblicherweise
manuell zum Beispiel auf Papier gemacht, wodurch die Nachverfolgbarkeit
noch zeitaufwändiger
und anfälliger
für Fehler
wird.To solve this problem, there are the following approaches:
The fabrication of the semiconductor devices is documented by means of a "tracking" system, which records how a wafer lot is split into assembly lots and how a plurality of assembly lots are merged and possibly redistributed and finally distributed on tape rolls that delivered to customers. By means of the tracking system, it is possible to trace the origin of a single semiconductor device back to its original lot and its original semiconductor wafer. However, this system is time consuming and errors can easily occur. Furthermore, there is no way to determine the x and y coordinates of the semiconductor device on the original semiconductor wafer. Because manufacturing facilities do not have a connection to a tracking system available to all machines, documentation is usually done manually, for example, on paper, making traceability even more time-consuming and prone to errors.
Eine andere Möglichkeit ist, die entsprechenden Informationen in einen nichtflüchtigen Speicher zu schreiben, wie z.B. einen EEPROM oder einen Flash-Speicher auf dem Halbleiterbaustein. Das ist jedoch nur möglich, wenn ein solches Speicherelement Teil der Technologie ist und in dem entsprechenden Halbleiterbaustein implementiert ist. Andernfalls ist es sehr teuer, ein solches Speicherelement nur zum Zwecke der Nachverfolgbarkeit des Halbleiterbausteins zusätzlich zu implementieren.A different possibility is, the relevant information in a non-volatile To write memory, such as an EEPROM or flash memory on the semiconductor device. However, this is only possible if such a memory element Part of the technology is and in the corresponding semiconductor device is implemented. Otherwise, it is very expensive to have such a memory element only for the purpose of traceability of the semiconductor device in addition to to implement.
Der Erfindung liegt das Problem zu Grunde, auf einfache Weise den Ursprung eines Halbleiterelements feststellen zu können.Of the Invention is based on the problem, in a simple way the origin to be able to determine a semiconductor element.
Das Problem wird durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.The Problem is solved by a method and a device with the features solved according to the independent claims.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist eine integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Halbleitersubstrat und eine Mehrzahl elektronischer Elemente auf, die auf und/oder in dem Halbleitersubstrat gebildet sind, wobei über oder in dem Halbleitersubstrat Identifikationsdaten vorgesehen sind, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen.According to one Aspect of the invention comprises an integrated circuit arrangement a semiconductor substrate and a plurality of electronic elements, which are formed on and / or in the semiconductor substrate, wherein over or in the semiconductor substrate identification data are provided, which uniquely identify the integrated circuit.
Eine integrierte Schaltkreisanordnung kann als ein beliebiges elektronisches Bauteil eingerichtet sein, das auf einem Substrat integriert ist und somit anschaulich zum Beispiel einen Mikrochip bildet. Insbesondere kann es sich dabei um ICs (integrated circuits), Mikroprozessoren, Mikrocontroller oder Speicherelemente handeln, die eine Vielzahl von Transistoren aufweisen. Die elektronischen Elemente, die einen Teil dieser integrierten Schaltkreis-Anordnung bilden, sind zum Beispiel Transistoren, Widerstandselemente oder andere Arten von Bauelementen. Das Halbleitersubstrat ist beispielsweise aus Siliziumdioxid (SiO2) hergestellt, wobei es nicht auf dieses Material beschränkt ist. Mittels einer bekannten Technik sind über bzw. in dem Halbleitersubstrat Daten vorgesehen, d.h. mittels dieser Technik dauerhaft in/auf das Halbleitersubstrat "geschrieben", die eine eindeutige Kennzeichnung der integrierten Schaltkreis-Anordnung darstellen und somit eine eindeutige Identifikation dieser integrierten Schaltkreis-Anordnung erlauben. Zum Beispiel kann eine Seriennummer mit einem Laser in eine Schicht der integrierten Schaltkreis-Anordnung in einen bestimmten Bereich eingeätzt sein, wobei anhand der Seriennummer feststellbar ist, wann und wo dieser integrierte Schaltkreis hergestellt wurde. Die Identifikationsdaten sind so angeordnet, dass die Funktion der integrierten Schaltkreis-Anordnung nicht gestört ist. Ferner können die Identifikationsdaten kodiert sein, um zum Beispiel Platz zu sparen und/oder ein Auslesen der Informationen und Rückschlüsse aus den Informationen auf Herstellungsprozesse durch Unbefugte zu verhindern. Das heißt, die Identifikationsdaten können mittels eines Kodes ausgedrückt sein, der allgemein eine Vorschrift zum Umsetzen der zu kodierenden Identifikationsdaten und/oder von Zeichen, in denen die Identifikationsdaten ausgedrückt werden, in andere Daten bzw. Zeichen ist. Beispielhafte Kodes sind der ASCII-Code, der jedem Zeichen eine Bitfolge zuweist und der Strichcode, bei dem jedem Zeichen eine Folge von breiten und schmalen Strichen zugeordnet ist.An integrated circuit arrangement may be configured as any electronic component integrated on a substrate and thus illustratively forms a microchip, for example. In particular, these may be ICs (integrated circuits), microprocessors, microcontrollers or memory elements having a multiplicity of transistors. The electronic elements forming part of this integrated circuit arrangement are, for example, transistors, resistive elements or other types of devices. The semiconductor substrate is made of silicon dioxide (SiO 2 ), for example, and it is not limited to this material. By means of a known technique, data are provided above or in the semiconductor substrate, ie permanently "written" into / onto the semiconductor substrate by means of this technique, which represent a clear identification of the integrated circuit arrangement and thus permit unambiguous identification of this integrated circuit arrangement. For example, a laser serial number may be etched into a layer of the integrated circuit device within a particular range, with the serial number identifying when and where this integrated circuit has been fabricated. The identification data are arranged so that the function of inte grated circuit arrangement is not disturbed. Furthermore, the identification data can be coded in order, for example, to save space and / or to prevent reading of the information and conclusions from the information on manufacturing processes by unauthorized persons. That is, the identification data may be expressed by a code which is generally a rule for converting the identification data to be encoded and / or characters in which the identification data is expressed into other data or characters. Exemplary codes are the ASCII code, which assigns a bit sequence to each character, and the bar code, which assigns a sequence of wide and narrow bars to each character.
Somit kann die Herkunft eines entsprechenden integrierten Schaltkreises festgestellt werden, indem die Schicht freigelegt wird, die die Seriennummer der integrierten Schaltkreis-Anordnung aufweist, und die Seriennummer zum Beispiel mit einem Mikroskop ausgelesen wird. Da die Seriennummer bereits bei der Herstellung der integrierten Schaltkreis-Anordnung angebracht wird, bleibt die integrierte Schaltkreis-Anordnung auch dann identifizierbar, wenn die Produktionslose und/oder Wafer, auf denen diese integrierte Schaltkreisanordnung angeordnet ist, später vereinzelt werden und mit integrierten Schaltkreis-Anordnungen anderer Produktionslose und/oder Wafer vereint werden, ohne dass ein zusätzlicher Aufwand entsteht. Im Gegensatz zu herkömmlichen Verfahren können die Identifikationsdaten gemäß einem Aspekt der Erfindung somit bereits während eines Front-End-Verarbeitung auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung aufgebracht werden.Consequently may be the origin of a corresponding integrated circuit be found by exposing the layer that the Serial number of the integrated circuit arrangement has, and the serial number is read out with a microscope, for example. Because the serial number already in the production of the integrated Circuit arrangement is attached, the integrated circuit arrangement remains identifiable even if the production lots and / or wafers, on which this integrated circuit arrangement is arranged, later and with integrated circuit arrangements of others Production lots and / or wafers are combined without an additional Effort arises. Unlike conventional methods, the Identification data according to a Aspect of the invention thus already during a front-end processing on the integrated circuit arrangement are applied.
Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung die Schritte Ausbilden elektronischer Elemente auf einem Halbleitersubstrat und Einschreiben von Identifikationsdaten, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen, über oder in dem Halbleitersubstrat auf.According to one Another aspect of the invention features a method of personalization an integrated circuit arrangement forming the steps electronic elements on a semiconductor substrate and registered of identification data, which uniquely identifies the integrated circuit mark, over or in the semiconductor substrate.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.further developments The invention will become apparent from the dependent claims.
Beispielsweise ist in der integrierten Schaltkreis-Anordnung die Mehrzahl elektronischer Elemente von einer Passivierungsschicht bedeckt, und die Identifikationsdaten sind auf die Passivierungsschicht aufgebracht.For example In the integrated circuit arrangement, the majority is electronic Elements covered by a passivation layer, and the identification data are applied to the passivation layer.
Da herkömmlicherweise die Mehrzahl elektronischer Elemente mit einer Passivierungsschicht bedeckt sind, und diese Passivierungsschicht außer eventueller Vias oder Durchkontaktierungen keine elektronischen Elemente bzw. sonstige Strukturen aufweist, ist es besonders vorteilhaft die Identifikationsdaten auf die Passivierungsschicht aufzubringen. Hierbei ist auch die Positionierung der Identifikationsdaten auf der Passivierungsschicht besonders einfach, und zum Aufbringen der Identifikationsdaten kann eine große "Schriftgröße" verwendet werden, so dass die Identifikationsdaten schon bei einer geringen Vergrößerung mit einem Mikroskop ausgelesen werden können.There conventionally the plurality of electronic elements covered with a passivation layer and this passivation layer except any vias or vias has no electronic elements or other structures, it is particularly advantageous the identification data on the passivation layer applied. Here is also the positioning of the identification data particularly easy on the passivation layer, and for application The identification data can be a large "font size" can be used, so that the identification data even with a low magnification can be read out by a microscope.
In einem anderen Ausführungsbeispiel sind die Identifikationsdaten auf einem Bereich des Halbleitersubstrats neben den elektronischen Elementen angeordnet.In another embodiment the identification data are on a portion of the semiconductor substrate arranged next to the electronic elements.
Es ist ein Vorteil dieser Anordnung, dass Identifikationsdaten nicht in einfacher Weise, z.B. durch Abschleifen der Passivierungsschicht entfernt werden können, da in diesem Fall auch die elektronischen Elemente zerstört werden, die in der gleichen Ebene oder höher als die Identifikationsdaten angeordnet sind.It One advantage of this arrangement is that identification data is not in a simple manner, e.g. by grinding the passivation layer can be removed because in this case also the electronic elements are destroyed, those in the same level or higher are arranged as the identification data.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer.According to one In another embodiment of the invention, the semiconductor substrate is a Semiconductor wafer.
Besonders bevorzugt ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer, wie er in der Produktion von integrierten Schaltkreis-Anordnungen verwendet wird. Insbesondere können Halbleiterwafer aus monokristallinem Silizium, Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid oder Indium-Phosphid hergestellt sein.Especially Preferably, the semiconductor substrate is a semiconductor wafer, as it used in the production of integrated circuit assemblies. In particular, you can Monocrystalline silicon semiconductor wafers, silicon carbide, gallium arsenide or indium phosphide.
In einem anderen Ausführungsbeispiel weisen die kennzeichnenden Identifikationsdaten die Koordinaten der integrierten Schaltkreis-Anordnung auf einem Halbleiterwafer, auf dem diese gebildet ist, die Nummer des Halbleiterwafers in einem Los, das den Halbleiterwafer aufweist, und/oder die Nummer des Loses auf.In another embodiment The identifying identification data have the coordinates the integrated circuit arrangement on a semiconductor wafer, on which this is formed, the number of the semiconductor wafer in one Lot, which has the semiconductor wafer, and / or the number of the lot on.
Mittels der genannten Identifikationsdaten kann der Ursprung der entsprechenden integrierten Schaltkreis-Anordnung, d.h. des ICs, eindeutig festgestellt werden. Ferner sind diese Identifikationsdaten sehr einfach während der Herstellung der integrierten Schaltkreis-Anordnung zu erzeugen.through The identification data mentioned can be the origin of the corresponding integrated circuit arrangement, i. of the IC, clearly stated become. Furthermore, these identification data are very easy during the Production of the integrated circuit arrangement to produce.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung weist die integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Gehäuse auf.According to one Another embodiment of the invention, the integrated circuit arrangement casing on.
Ferner weist die integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Gehäuse auf, das vorzugsweise aus einem Harz zumindest teilweise um die integrierte Schaltkreis-Anordnung gegossen ist, so dass die elektronischen Elemente vor mechanischen, elektrostatischen und chemischen Einflüssen geschützt sind. Somit wird eine einfachere Verarbeitung in elektronischen Systemen gewährleistet.Further the integrated circuit arrangement has a housing, preferably made of a resin at least partially around the integrated circuit arrangement is poured so that the electronic elements before mechanical, electrostatic and chemical influences are protected. Thus, a simpler Processing in electronic systems guaranteed.
In einem anderen Ausführungsbeispiel wird auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung ein lithographischer Schritt durchgeführt und die Identifikationsdaten werden während des lithographischen Schrittes auf oder in die Schaltkreis-Anordnung strukturiert. Beispielsweise wird ein Abschnitt des Photoresist-Materials nach der Belichtung des Photoresist-Materials mittels einer Maske ein zweites Mal belichtet, so dass die Identifikationsdaten in das Photoresist-Material übertragen werden, bevor das Photoresist-Material entwickelt wird.In another embodiment a lithographic step is performed on the integrated circuit array and the identification data is patterned onto or into the circuit array during the lithographic step. For example, a portion of the photoresist material is exposed a second time after exposure of the photoresist material by means of a mask so that the identification data is transferred into the photoresist material before the photoresist material is developed.
Die Identifikationsdaten können während eines lithographischen Schrittes, der zum Ausbilden der elektronischen Elemente verwendet wird, auf oder in die Schaltkreis-Anordnung strukturiert werden. Da die Identifikationsdaten z.B. durch einen zweiten Belichtungsschritt in das Photoresist-Material übertragen werden, kann die Identifizierung der elektronischen Schaltkreis-Anordnung auf einfache Weise geschehen und insbesondere problemlos in den herkömmlichen Produktionsprozess eingefügt werden.The Identification data can while a lithographic step used to form the electronic Elements used is structured on or in the circuit arrangement become. Since the identification data e.g. through a second exposure step transferred into the photoresist material can be the identification of the electronic circuit arrangement done in a simple way and in particular easily in the usual Production process to be inserted.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung werden eine Mehrzahl von integrierten Schaltkreis-Anordnungen auf einem Halbleiterwafer gebildet.According to one Another embodiment of the invention is a plurality of integrated circuit arrangements formed on a semiconductor wafer.
Besonders bevorzugt ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer, wie er in der Produktion von integrierten Schaltkreis-Anordnungen verwendet wird. Insbesondere können Halbleiterwafer aus monokristallinem Silizium, Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid und Indium-Phosphid bestehen.Especially Preferably, the semiconductor substrate is a semiconductor wafer, as it used in the production of integrated circuit assemblies. In particular, you can Monocrystalline silicon semiconductor wafers, silicon carbide, gallium arsenide and indium phosphide.
Beispielsweise wird der Halbleiterwafer zum Vereinzeln der integrierten Schaltkreis-Anordnungen geschnitten, so dass die integrierten Schaltkreis-Anordnungen bis zur endgültigen Fertigstellung weiterverarbeitet werden können. Das Schneiden der Halbleiterwafer kann auch mittels verschiedener anderer an sich bekannter Verfahren erfolgen.For example the semiconductor wafer is cut to singulate the integrated circuit devices, allowing the integrated circuit arrangements until final completion can be further processed. The cutting of the semiconductor wafer can also by means of various Other methods known per se take place.
Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung werden die Identifikationsdaten mit einem Laser eingeschrieben.According to one Another embodiment of the invention, the identification data inscribed with a laser.
Das Laser-Verfahren weist den Vorteil auf, dass dafür im Gegensatz zu einem Ätzverfahren, keine Maske benötigt wird und somit der Schritt des Einschreibens der Identifikationsdaten auf der elektronischen Schaltkreis-Anordnung vereinfacht wird, ohne den Produktionsprozess wesentlich zu verlängern.The Laser method has the advantage that, in contrast to an etching method, no mask needed and thus the step of writing the identification data is simplified on the electronic circuit arrangement, without the Significantly extend the production process.
In einem anderen Ausführungsbeispiel werden die Identifikationsdaten als Strichkode oder als Punktmatrix-Kode kodiert über oder in das Halbleitermaterial eingeschrieben.In another embodiment the identification data is a bar code or a dot matrix code encoded via or inscribed in the semiconductor material.
Die Verwendung von Strichkode und Punktmatrix-Kode bei dem Einschreiben der Identifikationsdaten weist den Vorteil auf, dass so kodierte Identifikationsdaten auf einfache Weise maschinell ausgelesen werden können, wenn die Schicht, die die Identifikationsdaten aufweist, freigelegt ist. Ferner können Konkurrenten aus Strichkode und Punktmatrix-Kode, oder allgemein aus kodierten Identifikationsdaten kaum Informationen auslesen und auswerten.The Use of bar code and dot matrix code in registered mail The identification data has the advantage that coded so Identification data are easily read by machine can, when the layer having the identification data is exposed is. Furthermore, can Competitors of bar code and dot matrix code, or in general from coded identification data hardly read information and evaluate.
Weitere Ausführungsbeispiele des Verfahrens zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung entsprechen den jeweiligen Ausführungsbeispielen der integrierten Schaltkreis-Anordnung.Further embodiments the method of personalizing an integrated circuit device correspond to the respective embodiments the integrated circuit arrangement.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Weiteren näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the figures and will be discussed below explained in more detail.
Die beschriebenen Figuren dienen nur zur Erklärung von Ausführungsbeispielen der Erfindung und stellen insbesondere keine maßstabsgetreuen Abbildungen des Gegenstands der Erfindung dar.The Figures described only serve to explain embodiments of the invention and in particular do not represent true to scale illustrations the subject of the invention.
In allen Figuren weisen, wo möglich, gleiche oder ähnliche Elemente gleiche Bezugszeichen auf.In show all the figures where possible same or similar Elements have the same reference numerals.
Gemäß dem Stand der Technik ist es nicht genau eingrenzbar, welche Halbleiter-ICs möglicherweise fehlerhaft sind, da die Verfahren zur Nachverfolgung von Gruppen von Halbleiter-ICs und von einzelnen Halbleiter-ICs oft nur lückenhaft vorhanden sind und ferner fehleranfällig sind. Das führt beispielsweise dazu, dass in einem Fall, wenn ein fehlerhafter Halbleiter-IC an die Herstellerfirma zurückgesendet worden ist, nur noch das Waferlos und/oder der Wafer bestimmt werden können, in denen/dem der fehlerhafte Halbleiter-IC hergestellt wurde. Üblicherweise werden dann alle Halbleiter-ICs aus diesem Waferlos zurückgerufen, um weitere Fehlfunktionen von elektronischen Geräten, in denen diese Halbleiter-ICs verwendet werden, vermeiden zu können. Wenn jedoch dieses Waferlos, in dem ein fehlerhafter Halbleiter-IC hergestellt wurde, mit anderen Waferlosen vermischt wurde, so vervielfacht sich die Anzahl an Halbleiter-ICs, die zurückzurufen sind, da häufig nicht auf einfache Weise zuordenbar ist.According to the prior art, it is not possible to pinpoint which semiconductor ICs may be faulty because the methods for post-processing often are incomplete and prone to error. This leads, for example, to the fact that in a case when a faulty semiconductor IC has been sent back to the manufacturer, only the wafer lot and / or the wafer in which the faulty semiconductor IC has been manufactured can be determined. Usually, all semiconductor ICs are then recalled from this wafer lot to avoid further malfunctioning of electronic devices in which these semiconductor ICs are used. However, when this wafer lot in which a faulty semiconductor IC is fabricated has been mixed with other wafer lots, the number of semiconductor ICs to be recalled multiplies because often it is not easy to assign.
In
Die
Wafer
Nach
dem Häusen
der vereinzelten Halbleiter-ICs
Tritt
nun bei einem Halbleiter-IC
Da
die "Herkunft" dieses fehlerhaften
Halbleiter-ICs
Folglich
werden eine Unmenge von Halbleiter-ICs
Gemäß einem
Aspekt der Erfindung werden Identifikationsdaten, wie zum Beispiel
die x- und y-Koordinaten des Halbleiter-ICs
Wie
aus
Ein
Abschnitt
Ein
Abschnitt
Allgemein ist vorteilhafterweise jede Schicht zum Aufnehmen der Identifikationsdaten geeignet, die auf einfache Weise nach der vollständigen Prozessierung wieder freigelegt werden kann.Generally is advantageously any layer for receiving the identification data suitable, in a simple way after complete processing again can be exposed.
Im
Hinblick auf das Herstellungsverfahrens werden während des Wafer-Herstellungsprozesses die
verschiedenen Schichten eines Wafers
In dem folgenden Entwicklungsschritt erscheint die Struktur dieser Daten in dem Photoresist, so dass während des letzten Ätzschrittes die Daten in das Material der Schicht geätzt werden.In In the following development step, the structure of this appears Data in the photoresist so that during the last etching step the data is etched into the material of the layer.
In anderen Worten ausgedrückt werden bei einer Belichtung mittels einer Maske auf z.B. einer EVG-Aligner-Vorrichtung die Halbleiter-IC-Identifikationsdaten auf der Maske eingestellt und mittels des folgenden Entwicklungsschrittes in das Photoresistmaterial eingeprägt. Dabei wird ein Platz zum Aufprägen auf das Photomaterial benötigt. Dieses Verfahren funktioniert nicht bei Halbleiter-ICs, die mittels eines Steppers hergestellt werden. Ferner erfordert dieses Verfahren einen zusätzlichen Masken-Lithographie-Schritt.In in other words when exposed by means of a mask to e.g. an ECG aligner device the semiconductor IC identification data set on the mask and by the following development step into the photoresist material imprinted. This is a place to imprint needed on the photo material. This method does not work with semiconductor ICs using of a stepper. Furthermore, this method requires An additional Masks lithography step.
Beispielsweise
wird die letzte Metallisierungsebene, d.h. die oberste Metallisierungsebene verwendet,
so dass die Struktur leicht mittels eines optischen Mikroskops gelesen
werden kann. Die Koordinaten des Halbleiter-ICs
Gemäß einem
weiteren Ausführungsbeispiel der
Erfindung kann das Strukturieren der Schicht mittels der Photomaske
durch ein Verfahren unter Verwendung einer Belichtung mit Laserlicht
ausgeführt werden.
In diesem Fall werden sowohl die Belichtung durch die Maske hindurch
(zum Verwirklichen der benötigten
Schaltkreisstruktur in der Schicht) und das Schreiben der Chip-Identifikationsdaten
Alternativ
kann die Laservorrichtung nicht nur als Belichtungsmittel verwendet
werden, sondern auch zum direkten Schreiben der Identifikationsdaten
Ein
entsprechendes Verfahren kann auch in einem späteren Herstellungsschritt,
z.B. während des
Schrittes des Zusammenbauens, nachdem die Wafer
Eine weitere Option ist das Ersetzen der Buchstaben und Ziffern durch einen Barcode oder einen Punktmatrixkode, um den benötigten Platz zu reduzieren.A Another option is to replace the letters and numbers with a barcode or a dot matrix code to the required space to reduce.
Ein
Metallträger,
d.h. ein Lead Frame
In
- 4040
- Waferwafer
- 5050
- Waferloswafer lot
- 6060
- Wafergruppewafer group
- 7070
- AssemblylosAssemblylos
- 8080
- TestlosTest lot
- 9090
- Reelreel
- 100100
- Halbleiter-ICSemiconductor IC
- 104104
- Identifikationsdatenidentification data
- 104a104a
- überlappungsfreier Abschnittnon-overlapping section
- 104b104b
- überlappungsfreie Abschnittnon-overlapping section
- 105105
- HalbleitersubstratSemiconductor substrate
- 107107
- Oxidschichtoxide
- 108108
- Metallisierungsebenemetallization
- 109109
- Metallisierungsebenemetallization
- 110110
- Poly-SchichtPoly layer
- 120120
- Lead Framelead frame
- 130130
- Halbleiter-KristallSemiconductor crystal
- 140a140a
- Kopplungsdrahtcoupling wire
- 140b140b
- Zuleitungsupply
- 150150
- Gehäusecasing
Claims (17)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006006300A DE102006006300A1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006006300A DE102006006300A1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102006006300A1 true DE102006006300A1 (en) | 2007-08-23 |
Family
ID=38288626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102006006300A Ceased DE102006006300A1 (en) | 2006-02-10 | 2006-02-10 | Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102006006300A1 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2309539A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-13 | STMicroelectronics Srl | Indexing of electronic devices using markers with different weights |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19829674A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Layer technology utilizing direct writing for lithography of semiconductor chips |
DE10216874A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip and process for laying down information on it forms wafer level package with contacts and has optically readable identification on each chip |
-
2006
- 2006-02-10 DE DE102006006300A patent/DE102006006300A1/en not_active Ceased
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE19829674A1 (en) * | 1998-07-03 | 2000-01-13 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Layer technology utilizing direct writing for lithography of semiconductor chips |
DE10216874A1 (en) * | 2002-04-17 | 2003-07-10 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor chip and process for laying down information on it forms wafer level package with contacts and has optically readable identification on each chip |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2309539A1 (en) * | 2009-10-09 | 2011-04-13 | STMicroelectronics Srl | Indexing of electronic devices using markers with different weights |
US9076799B2 (en) | 2009-10-09 | 2015-07-07 | Stmicroelectronics S.R.L. | Indexing of electronic devices with multiple weight markers |
US10643950B2 (en) | 2009-10-09 | 2020-05-05 | Stmicroelectronics S.R.L. | Indexing of electronic devices with multiple weight markers |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7062346B2 (en) | Method for manufacturing multi-kind and small quantity semiconductor products in a mass-production line and system thereof | |
DE102005035144B4 (en) | Exposure mask manufacturing method, drawing device, and semiconductor device manufacturing method | |
DE10297564B4 (en) | Method and apparatus for controlling photolithographic overlay adjustment with feedforward overlay information | |
DE112004002981B4 (en) | Development support device for semiconductor devices | |
DE112004001259B4 (en) | Method and system for performing a measurement distribution based on error detection and computer readable storage medium | |
DE112018003756B4 (en) | TESTING AND INITIALIZATION OF SMALL CHIPS AT WAFER LEVEL | |
DE102015118071B4 (en) | Methods and systems for diagnosing a semiconductor wafer | |
DE112007002414T5 (en) | Method and device for setting up a universal coordinate system for measured data | |
DE102009025575A1 (en) | Semiconductor chip with identification marks | |
US5302491A (en) | Method of encoding identification information on circuit dice using step and repeat lithography | |
DE102008053956A1 (en) | Semiconductor device having a split internally connected sensor structure for on-chip monitoring purposes | |
DE10240115B4 (en) | Method and system for handling substrates in a production line with a cluster system and a measuring system | |
DE102006001601B4 (en) | Method for producing a semiconductor wafer with backside identification | |
DE102004002238A1 (en) | Wafer dicing method | |
DE102004058411B3 (en) | Semiconductor wafer with a test structure and method | |
DE102014105364B4 (en) | METHOD AND SYSTEM FOR MODIFYING A CIRCUIT WIRING ARRANGEMENT BASED ON AN ELECTRICAL MEASUREMENT | |
DE102006006300A1 (en) | Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit | |
EP0434141B1 (en) | Method for encoding identification information on circuit dice using step and repeat lithography | |
DE112005002848T5 (en) | Tracing and marking test pieces with defects that are formed during laser contact hole drilling | |
EP0427328B1 (en) | Method of manufacturing integrated circuits as well as integrated circuit | |
CN115443520A (en) | Die, wafer and method for identifying die position on wafer | |
DE10128269A1 (en) | A chip area adjustment structure | |
DE10160458B4 (en) | Mask with programmed defects and process for their preparation | |
DE19607047C2 (en) | Method for manufacturing semiconductor elements with active structures | |
DE10123362B4 (en) | Wafer and method for manufacturing a wafer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8131 | Rejection |