DE102006006300A1 - Integrated circuit e.g. electrically erasable programmable ROM, arrangement for automobile industry, has electronic units covered by passivation layer, where identification data is provided in substrate and clearly indicates circuit - Google Patents

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Abstract

The arrangement has a semiconductor substrate (105) and electronic units formed on the substrate. The electronic units are covered by a passivation layer. Identification data (104) is provided over or in the substrate. The data clearly indicates the integrated circuit. The integrated circuit of different assembly groups is combined to a test group, where the electronic units are examined individually for their operability. An independent claim is also included for a method for personalizing an integrated circuit arrangement.

Description

Die Erfindung betrifft eine integrierte Schaltkreis-Anordnung und ein Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung.The The invention relates to an integrated circuit arrangement and a Method for personalizing an integrated circuit arrangement.

Hersteller von Produkten mit Halbleiterbausteinen und Anwender dieser Produkte stellen oftmals bei der Qualitätsprüfung oder während des Betriebs dieser Produkte Fehler fest. Diese Fehler können von fehlerhaften Halbleiterbausteinen verursacht sein. In solchen Fällen können die fehlerhaften Halbleiterbausteine, z.B. in der Automobil-Zulieferindustrie, von den Anwendern an den jeweiligen Hersteller zurückgesendet werden.Manufacturer of products with semiconductor devices and users of these products often put in the quality inspection or while the operation of these products errors. These errors can be from caused by defective semiconductor devices. In such cases, the defective semiconductor devices, e.g. in the automotive supply industry, returned by the users to the respective manufacturer become.

Den Herstellern von Halbleiterprodukten, z.B. von Halbleiterchips für die Automobilindustrie, ist es wichtig, die Geschichte und den Ursprung jedes Halbleiterbausteins nachvollziehen zu können, um die Gründe für das Versagen dieser Halbleiterbausteine feststellen zu können, Korrekturmaßnahmen einleiten zu können und weitere betroffene Halbleiterbausteine so schnell wie möglich zurückrufen zu können. Eine wichtige Information hierfür sind die Herstellungsbedingungen dieses fehlerhaften Halbleiterbausteins. Dabei ist insbesondere die Position eines entsprechenden Halbleiterbausteins auf einem Halbleiterwafer und die Position des Halbleiterwafers in dem Los, mit dem der Halbleiterbaustein hergestellt wurde, interessant. Die Kenntnis der entsprechenden Informationen erlaubt Rückschlüsse darauf, welche Halbleiterbausteine außerdem von diesem Fehler betroffen sein könnten, so dass weitere Halbleiterbausteine, die möglicherweise fehlerhaft sind, identifiziert werden können. Ferner ist es auch für Ingenieure des betroffenen Herstellers wichtig zu wissen, unter welchen Umständen der Halbleiterbaustein hergestellt wurde, um im Falle eines Ausbeute- oder eines Zuverlässigkeitsproblems schnell reagieren zu können.The Manufacturers of semiconductor products, e.g. of semiconductor chips for the automotive industry, It is important to understand the history and the origin of each semiconductor device to be able to understand for the reasons for the Failure to detect these semiconductor devices to initiate corrective action to be able to and recall other affected semiconductor devices as soon as possible to be able to. An important information for this are the manufacturing conditions of this defective semiconductor device. In this case, in particular, the position of a corresponding semiconductor device on a semiconductor wafer and the position of the semiconductor wafer in the lot, with which the semiconductor device was manufactured, interesting. Knowledge of the relevant information allows conclusions to be drawn which semiconductor devices as well could be affected by this error, so that more semiconductor devices, possibly are faulty, can be identified. It is also for engineers important to know the circumstances of the manufacturer Semiconductor device was made to work in the event of a or a reliability problem to be able to react quickly.

Um dieses Problem zu lösen, gibt es bisher die folgenden Ansätze:
Die Herstellung der Halbleiterbausteine wird mittels eines "Tracking"-Systems dokumentiert, wobei festgehalten wird, wie ein Waferlos in Assembly-Lose aufgeteilt wird, und wie eine Mehrzahl von Assembly-Losen zusammengeführt und möglicherweise erneut aufgeteilt werden und schließlich auf Bandrollen verteilt werden, die an die Kunden geliefert werden. Mittels des Tracking-Systems ist es möglich, den Ursprung eines einzelnen Halbleiterbausteins auf sein ursprüngliches Los und seinen ursprünglichen Halbleiterwafer zurückzuführen. Jedoch ist dieses System zeitaufwändig und Fehler können leicht auftreten. Ferner gibt es keine Möglichkeit, die x- und y-Koordinaten des Halbleiterbausteins auf dem ursprünglichen Halbleiterwafer festzustellen. Da in Herstellungsfabriken eine Verbindung zu einem Tracking-System nicht für alle Maschinen verfügbar ist, wird die Dokumentation üblicherweise manuell zum Beispiel auf Papier gemacht, wodurch die Nachverfolgbarkeit noch zeitaufwändiger und anfälliger für Fehler wird.
To solve this problem, there are the following approaches:
The fabrication of the semiconductor devices is documented by means of a "tracking" system, which records how a wafer lot is split into assembly lots and how a plurality of assembly lots are merged and possibly redistributed and finally distributed on tape rolls that delivered to customers. By means of the tracking system, it is possible to trace the origin of a single semiconductor device back to its original lot and its original semiconductor wafer. However, this system is time consuming and errors can easily occur. Furthermore, there is no way to determine the x and y coordinates of the semiconductor device on the original semiconductor wafer. Because manufacturing facilities do not have a connection to a tracking system available to all machines, documentation is usually done manually, for example, on paper, making traceability even more time-consuming and prone to errors.

Eine andere Möglichkeit ist, die entsprechenden Informationen in einen nichtflüchtigen Speicher zu schreiben, wie z.B. einen EEPROM oder einen Flash-Speicher auf dem Halbleiterbaustein. Das ist jedoch nur möglich, wenn ein solches Speicherelement Teil der Technologie ist und in dem entsprechenden Halbleiterbaustein implementiert ist. Andernfalls ist es sehr teuer, ein solches Speicherelement nur zum Zwecke der Nachverfolgbarkeit des Halbleiterbausteins zusätzlich zu implementieren.A different possibility is, the relevant information in a non-volatile To write memory, such as an EEPROM or flash memory on the semiconductor device. However, this is only possible if such a memory element Part of the technology is and in the corresponding semiconductor device is implemented. Otherwise, it is very expensive to have such a memory element only for the purpose of traceability of the semiconductor device in addition to to implement.

Der Erfindung liegt das Problem zu Grunde, auf einfache Weise den Ursprung eines Halbleiterelements feststellen zu können.Of the Invention is based on the problem, in a simple way the origin to be able to determine a semiconductor element.

Das Problem wird durch ein Verfahren und eine Vorrichtung mit den Merkmalen gemäß den unabhängigen Patentansprüchen gelöst.The Problem is solved by a method and a device with the features solved according to the independent claims.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung weist eine integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Halbleitersubstrat und eine Mehrzahl elektronischer Elemente auf, die auf und/oder in dem Halbleitersubstrat gebildet sind, wobei über oder in dem Halbleitersubstrat Identifikationsdaten vorgesehen sind, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen.According to one Aspect of the invention comprises an integrated circuit arrangement a semiconductor substrate and a plurality of electronic elements, which are formed on and / or in the semiconductor substrate, wherein over or in the semiconductor substrate identification data are provided, which uniquely identify the integrated circuit.

Eine integrierte Schaltkreisanordnung kann als ein beliebiges elektronisches Bauteil eingerichtet sein, das auf einem Substrat integriert ist und somit anschaulich zum Beispiel einen Mikrochip bildet. Insbesondere kann es sich dabei um ICs (integrated circuits), Mikroprozessoren, Mikrocontroller oder Speicherelemente handeln, die eine Vielzahl von Transistoren aufweisen. Die elektronischen Elemente, die einen Teil dieser integrierten Schaltkreis-Anordnung bilden, sind zum Beispiel Transistoren, Widerstandselemente oder andere Arten von Bauelementen. Das Halbleitersubstrat ist beispielsweise aus Siliziumdioxid (SiO2) hergestellt, wobei es nicht auf dieses Material beschränkt ist. Mittels einer bekannten Technik sind über bzw. in dem Halbleitersubstrat Daten vorgesehen, d.h. mittels dieser Technik dauerhaft in/auf das Halbleitersubstrat "geschrieben", die eine eindeutige Kennzeichnung der integrierten Schaltkreis-Anordnung darstellen und somit eine eindeutige Identifikation dieser integrierten Schaltkreis-Anordnung erlauben. Zum Beispiel kann eine Seriennummer mit einem Laser in eine Schicht der integrierten Schaltkreis-Anordnung in einen bestimmten Bereich eingeätzt sein, wobei anhand der Seriennummer feststellbar ist, wann und wo dieser integrierte Schaltkreis hergestellt wurde. Die Identifikationsdaten sind so angeordnet, dass die Funktion der integrierten Schaltkreis-Anordnung nicht gestört ist. Ferner können die Identifikationsdaten kodiert sein, um zum Beispiel Platz zu sparen und/oder ein Auslesen der Informationen und Rückschlüsse aus den Informationen auf Herstellungsprozesse durch Unbefugte zu verhindern. Das heißt, die Identifikationsdaten können mittels eines Kodes ausgedrückt sein, der allgemein eine Vorschrift zum Umsetzen der zu kodierenden Identifikationsdaten und/oder von Zeichen, in denen die Identifikationsdaten ausgedrückt werden, in andere Daten bzw. Zeichen ist. Beispielhafte Kodes sind der ASCII-Code, der jedem Zeichen eine Bitfolge zuweist und der Strichcode, bei dem jedem Zeichen eine Folge von breiten und schmalen Strichen zugeordnet ist.An integrated circuit arrangement may be configured as any electronic component integrated on a substrate and thus illustratively forms a microchip, for example. In particular, these may be ICs (integrated circuits), microprocessors, microcontrollers or memory elements having a multiplicity of transistors. The electronic elements forming part of this integrated circuit arrangement are, for example, transistors, resistive elements or other types of devices. The semiconductor substrate is made of silicon dioxide (SiO 2 ), for example, and it is not limited to this material. By means of a known technique, data are provided above or in the semiconductor substrate, ie permanently "written" into / onto the semiconductor substrate by means of this technique, which represent a clear identification of the integrated circuit arrangement and thus permit unambiguous identification of this integrated circuit arrangement. For example, a laser serial number may be etched into a layer of the integrated circuit device within a particular range, with the serial number identifying when and where this integrated circuit has been fabricated. The identification data are arranged so that the function of inte grated circuit arrangement is not disturbed. Furthermore, the identification data can be coded in order, for example, to save space and / or to prevent reading of the information and conclusions from the information on manufacturing processes by unauthorized persons. That is, the identification data may be expressed by a code which is generally a rule for converting the identification data to be encoded and / or characters in which the identification data is expressed into other data or characters. Exemplary codes are the ASCII code, which assigns a bit sequence to each character, and the bar code, which assigns a sequence of wide and narrow bars to each character.

Somit kann die Herkunft eines entsprechenden integrierten Schaltkreises festgestellt werden, indem die Schicht freigelegt wird, die die Seriennummer der integrierten Schaltkreis-Anordnung aufweist, und die Seriennummer zum Beispiel mit einem Mikroskop ausgelesen wird. Da die Seriennummer bereits bei der Herstellung der integrierten Schaltkreis-Anordnung angebracht wird, bleibt die integrierte Schaltkreis-Anordnung auch dann identifizierbar, wenn die Produktionslose und/oder Wafer, auf denen diese integrierte Schaltkreisanordnung angeordnet ist, später vereinzelt werden und mit integrierten Schaltkreis-Anordnungen anderer Produktionslose und/oder Wafer vereint werden, ohne dass ein zusätzlicher Aufwand entsteht. Im Gegensatz zu herkömmlichen Verfahren können die Identifikationsdaten gemäß einem Aspekt der Erfindung somit bereits während eines Front-End-Verarbeitung auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung aufgebracht werden.Consequently may be the origin of a corresponding integrated circuit be found by exposing the layer that the Serial number of the integrated circuit arrangement has, and the serial number is read out with a microscope, for example. Because the serial number already in the production of the integrated Circuit arrangement is attached, the integrated circuit arrangement remains identifiable even if the production lots and / or wafers, on which this integrated circuit arrangement is arranged, later and with integrated circuit arrangements of others Production lots and / or wafers are combined without an additional Effort arises. Unlike conventional methods, the Identification data according to a Aspect of the invention thus already during a front-end processing on the integrated circuit arrangement are applied.

Gemäß einem anderen Aspekt der Erfindung weist ein Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung die Schritte Ausbilden elektronischer Elemente auf einem Halbleitersubstrat und Einschreiben von Identifikationsdaten, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen, über oder in dem Halbleitersubstrat auf.According to one Another aspect of the invention features a method of personalization an integrated circuit arrangement forming the steps electronic elements on a semiconductor substrate and registered of identification data, which uniquely identifies the integrated circuit mark, over or in the semiconductor substrate.

Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den abhängigen Ansprüchen.further developments The invention will become apparent from the dependent claims.

Beispielsweise ist in der integrierten Schaltkreis-Anordnung die Mehrzahl elektronischer Elemente von einer Passivierungsschicht bedeckt, und die Identifikationsdaten sind auf die Passivierungsschicht aufgebracht.For example In the integrated circuit arrangement, the majority is electronic Elements covered by a passivation layer, and the identification data are applied to the passivation layer.

Da herkömmlicherweise die Mehrzahl elektronischer Elemente mit einer Passivierungsschicht bedeckt sind, und diese Passivierungsschicht außer eventueller Vias oder Durchkontaktierungen keine elektronischen Elemente bzw. sonstige Strukturen aufweist, ist es besonders vorteilhaft die Identifikationsdaten auf die Passivierungsschicht aufzubringen. Hierbei ist auch die Positionierung der Identifikationsdaten auf der Passivierungsschicht besonders einfach, und zum Aufbringen der Identifikationsdaten kann eine große "Schriftgröße" verwendet werden, so dass die Identifikationsdaten schon bei einer geringen Vergrößerung mit einem Mikroskop ausgelesen werden können.There conventionally the plurality of electronic elements covered with a passivation layer and this passivation layer except any vias or vias has no electronic elements or other structures, it is particularly advantageous the identification data on the passivation layer applied. Here is also the positioning of the identification data particularly easy on the passivation layer, and for application The identification data can be a large "font size" can be used, so that the identification data even with a low magnification can be read out by a microscope.

In einem anderen Ausführungsbeispiel sind die Identifikationsdaten auf einem Bereich des Halbleitersubstrats neben den elektronischen Elementen angeordnet.In another embodiment the identification data are on a portion of the semiconductor substrate arranged next to the electronic elements.

Es ist ein Vorteil dieser Anordnung, dass Identifikationsdaten nicht in einfacher Weise, z.B. durch Abschleifen der Passivierungsschicht entfernt werden können, da in diesem Fall auch die elektronischen Elemente zerstört werden, die in der gleichen Ebene oder höher als die Identifikationsdaten angeordnet sind.It One advantage of this arrangement is that identification data is not in a simple manner, e.g. by grinding the passivation layer can be removed because in this case also the electronic elements are destroyed, those in the same level or higher are arranged as the identification data.

Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer.According to one In another embodiment of the invention, the semiconductor substrate is a Semiconductor wafer.

Besonders bevorzugt ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer, wie er in der Produktion von integrierten Schaltkreis-Anordnungen verwendet wird. Insbesondere können Halbleiterwafer aus monokristallinem Silizium, Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid oder Indium-Phosphid hergestellt sein.Especially Preferably, the semiconductor substrate is a semiconductor wafer, as it used in the production of integrated circuit assemblies. In particular, you can Monocrystalline silicon semiconductor wafers, silicon carbide, gallium arsenide or indium phosphide.

In einem anderen Ausführungsbeispiel weisen die kennzeichnenden Identifikationsdaten die Koordinaten der integrierten Schaltkreis-Anordnung auf einem Halbleiterwafer, auf dem diese gebildet ist, die Nummer des Halbleiterwafers in einem Los, das den Halbleiterwafer aufweist, und/oder die Nummer des Loses auf.In another embodiment The identifying identification data have the coordinates the integrated circuit arrangement on a semiconductor wafer, on which this is formed, the number of the semiconductor wafer in one Lot, which has the semiconductor wafer, and / or the number of the lot on.

Mittels der genannten Identifikationsdaten kann der Ursprung der entsprechenden integrierten Schaltkreis-Anordnung, d.h. des ICs, eindeutig festgestellt werden. Ferner sind diese Identifikationsdaten sehr einfach während der Herstellung der integrierten Schaltkreis-Anordnung zu erzeugen.through The identification data mentioned can be the origin of the corresponding integrated circuit arrangement, i. of the IC, clearly stated become. Furthermore, these identification data are very easy during the Production of the integrated circuit arrangement to produce.

Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung weist die integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Gehäuse auf.According to one Another embodiment of the invention, the integrated circuit arrangement casing on.

Ferner weist die integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Gehäuse auf, das vorzugsweise aus einem Harz zumindest teilweise um die integrierte Schaltkreis-Anordnung gegossen ist, so dass die elektronischen Elemente vor mechanischen, elektrostatischen und chemischen Einflüssen geschützt sind. Somit wird eine einfachere Verarbeitung in elektronischen Systemen gewährleistet.Further the integrated circuit arrangement has a housing, preferably made of a resin at least partially around the integrated circuit arrangement is poured so that the electronic elements before mechanical, electrostatic and chemical influences are protected. Thus, a simpler Processing in electronic systems guaranteed.

In einem anderen Ausführungsbeispiel wird auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung ein lithographischer Schritt durchgeführt und die Identifikationsdaten werden während des lithographischen Schrittes auf oder in die Schaltkreis-Anordnung strukturiert. Beispielsweise wird ein Abschnitt des Photoresist-Materials nach der Belichtung des Photoresist-Materials mittels einer Maske ein zweites Mal belichtet, so dass die Identifikationsdaten in das Photoresist-Material übertragen werden, bevor das Photoresist-Material entwickelt wird.In another embodiment a lithographic step is performed on the integrated circuit array and the identification data is patterned onto or into the circuit array during the lithographic step. For example, a portion of the photoresist material is exposed a second time after exposure of the photoresist material by means of a mask so that the identification data is transferred into the photoresist material before the photoresist material is developed.

Die Identifikationsdaten können während eines lithographischen Schrittes, der zum Ausbilden der elektronischen Elemente verwendet wird, auf oder in die Schaltkreis-Anordnung strukturiert werden. Da die Identifikationsdaten z.B. durch einen zweiten Belichtungsschritt in das Photoresist-Material übertragen werden, kann die Identifizierung der elektronischen Schaltkreis-Anordnung auf einfache Weise geschehen und insbesondere problemlos in den herkömmlichen Produktionsprozess eingefügt werden.The Identification data can while a lithographic step used to form the electronic Elements used is structured on or in the circuit arrangement become. Since the identification data e.g. through a second exposure step transferred into the photoresist material can be the identification of the electronic circuit arrangement done in a simple way and in particular easily in the usual Production process to be inserted.

Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung werden eine Mehrzahl von integrierten Schaltkreis-Anordnungen auf einem Halbleiterwafer gebildet.According to one Another embodiment of the invention is a plurality of integrated circuit arrangements formed on a semiconductor wafer.

Besonders bevorzugt ist das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer, wie er in der Produktion von integrierten Schaltkreis-Anordnungen verwendet wird. Insbesondere können Halbleiterwafer aus monokristallinem Silizium, Siliziumcarbid, Gallium-Arsenid und Indium-Phosphid bestehen.Especially Preferably, the semiconductor substrate is a semiconductor wafer, as it used in the production of integrated circuit assemblies. In particular, you can Monocrystalline silicon semiconductor wafers, silicon carbide, gallium arsenide and indium phosphide.

Beispielsweise wird der Halbleiterwafer zum Vereinzeln der integrierten Schaltkreis-Anordnungen geschnitten, so dass die integrierten Schaltkreis-Anordnungen bis zur endgültigen Fertigstellung weiterverarbeitet werden können. Das Schneiden der Halbleiterwafer kann auch mittels verschiedener anderer an sich bekannter Verfahren erfolgen.For example the semiconductor wafer is cut to singulate the integrated circuit devices, allowing the integrated circuit arrangements until final completion can be further processed. The cutting of the semiconductor wafer can also by means of various Other methods known per se take place.

Gemäß einer anderen Ausgestaltung der Erfindung werden die Identifikationsdaten mit einem Laser eingeschrieben.According to one Another embodiment of the invention, the identification data inscribed with a laser.

Das Laser-Verfahren weist den Vorteil auf, dass dafür im Gegensatz zu einem Ätzverfahren, keine Maske benötigt wird und somit der Schritt des Einschreibens der Identifikationsdaten auf der elektronischen Schaltkreis-Anordnung vereinfacht wird, ohne den Produktionsprozess wesentlich zu verlängern.The Laser method has the advantage that, in contrast to an etching method, no mask needed and thus the step of writing the identification data is simplified on the electronic circuit arrangement, without the Significantly extend the production process.

In einem anderen Ausführungsbeispiel werden die Identifikationsdaten als Strichkode oder als Punktmatrix-Kode kodiert über oder in das Halbleitermaterial eingeschrieben.In another embodiment the identification data is a bar code or a dot matrix code encoded via or inscribed in the semiconductor material.

Die Verwendung von Strichkode und Punktmatrix-Kode bei dem Einschreiben der Identifikationsdaten weist den Vorteil auf, dass so kodierte Identifikationsdaten auf einfache Weise maschinell ausgelesen werden können, wenn die Schicht, die die Identifikationsdaten aufweist, freigelegt ist. Ferner können Konkurrenten aus Strichkode und Punktmatrix-Kode, oder allgemein aus kodierten Identifikationsdaten kaum Informationen auslesen und auswerten.The Use of bar code and dot matrix code in registered mail The identification data has the advantage that coded so Identification data are easily read by machine can, when the layer having the identification data is exposed is. Furthermore, can Competitors of bar code and dot matrix code, or in general from coded identification data hardly read information and evaluate.

Weitere Ausführungsbeispiele des Verfahrens zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung entsprechen den jeweiligen Ausführungsbeispielen der integrierten Schaltkreis-Anordnung.Further embodiments the method of personalizing an integrated circuit device correspond to the respective embodiments the integrated circuit arrangement.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Weiteren näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the figures and will be discussed below explained in more detail.

1 zeigt ein Diagramm zum Veranschaulichen der Ausbreitung der Kontamination von Halbleiter-ICs mit fehlerhaften Halbleiter-ICs. 1 FIG. 12 is a diagram illustrating the propagation of contamination of semiconductor ICs with defective semiconductor ICs. FIG.

2 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiter-IC und Abschnitte des Halbleiter-ICs zum Aufbringen von Identifikationsdaten. 2 shows a cross section through a semiconductor IC and portions of the semiconductor IC for applying identification data.

3 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterwafer und auf einen Metallträger mit einer Mehrzahl von Halbleiter-ICs. 3 shows a plan view of a semiconductor wafer and on a metal carrier with a plurality of semiconductor ICs.

4 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiter-IC und einen Metallträger. 4 shows a cross section through a semiconductor IC and a metal carrier.

Die beschriebenen Figuren dienen nur zur Erklärung von Ausführungsbeispielen der Erfindung und stellen insbesondere keine maßstabsgetreuen Abbildungen des Gegenstands der Erfindung dar.The Figures described only serve to explain embodiments of the invention and in particular do not represent true to scale illustrations the subject of the invention.

In allen Figuren weisen, wo möglich, gleiche oder ähnliche Elemente gleiche Bezugszeichen auf.In show all the figures where possible same or similar Elements have the same reference numerals.

1 zeigt ein Diagramm zur Veranschaulichen der Ausbreitung der Kontamination von Halbleiter-ICs mit fehlerhaften Halbleiter-ICs. 1 FIG. 12 is a diagram illustrating the propagation of contamination of semiconductor ICs with defective semiconductor ICs. FIG.

1 dient zum Erklären des Problems, das bei der Qualitätssicherung in der Halbleiterproduktion auftritt, und dazu führt, dass in einem herkömmlichen Produktionsprozess bei einer relativ geringen Anzahl tatsächlich fehlerhafter Halbleiter-ICs oft ein Vielfaches dieser Anzahl an Halbleiter-ICs zurückgerufen und vernichtet werden müssen, obwohl die Mehrheit der zurückgerufenen Halbleiter-ICs bzw. integrierten Schaltkreis-Anordnungen fehlerfrei ist. 1 serves to explain the problem that occurs in quality assurance in semiconductor production, and results in that in a conventional production process with a relatively small number of actually defective semiconductor ICs often a multiple of this number of semiconductor ICs must be recalled and destroyed, although the majority of the recalled semiconductor integrated circuits or ICs are error free.

Gemäß dem Stand der Technik ist es nicht genau eingrenzbar, welche Halbleiter-ICs möglicherweise fehlerhaft sind, da die Verfahren zur Nachverfolgung von Gruppen von Halbleiter-ICs und von einzelnen Halbleiter-ICs oft nur lückenhaft vorhanden sind und ferner fehleranfällig sind. Das führt beispielsweise dazu, dass in einem Fall, wenn ein fehlerhafter Halbleiter-IC an die Herstellerfirma zurückgesendet worden ist, nur noch das Waferlos und/oder der Wafer bestimmt werden können, in denen/dem der fehlerhafte Halbleiter-IC hergestellt wurde. Üblicherweise werden dann alle Halbleiter-ICs aus diesem Waferlos zurückgerufen, um weitere Fehlfunktionen von elektronischen Geräten, in denen diese Halbleiter-ICs verwendet werden, vermeiden zu können. Wenn jedoch dieses Waferlos, in dem ein fehlerhafter Halbleiter-IC hergestellt wurde, mit anderen Waferlosen vermischt wurde, so vervielfacht sich die Anzahl an Halbleiter-ICs, die zurückzurufen sind, da häufig nicht auf einfache Weise zuordenbar ist.According to the prior art, it is not possible to pinpoint which semiconductor ICs may be faulty because the methods for post-processing often are incomplete and prone to error. This leads, for example, to the fact that in a case when a faulty semiconductor IC has been sent back to the manufacturer, only the wafer lot and / or the wafer in which the faulty semiconductor IC has been manufactured can be determined. Usually, all semiconductor ICs are then recalled from this wafer lot to avoid further malfunctioning of electronic devices in which these semiconductor ICs are used. However, when this wafer lot in which a faulty semiconductor IC is fabricated has been mixed with other wafer lots, the number of semiconductor ICs to be recalled multiplies because often it is not easy to assign.

In 1 sind eine Mehrzahl von Waferlosen 50 dargestellt, die jeweils eine Mehrzahl von Wafern 40 aufweist. Auf jedem Wafer 40 sind eine Mehrzahl von Halbleiter-ICs (nicht gezeigt) gebildet. Die in 1 dargestellten Waferlose 50 sind in einem Herstellungszustand gezeigt, in dem die in den Waferlosen 50 enthaltenen Wafer 40 einem Wafer-Testprozess zugeführt werden. In anderen Worten, die Wafer 40 sind bereits funktionsfertig hergestellt, aber die Halbleiter-ICs sind noch nicht vereinzelt.In 1 are a plurality of wafer lots 50 shown, each having a plurality of wafers 40 having. On every wafer 40 For example, a plurality of semiconductor ICs (not shown) are formed. In the 1 illustrated wafer lots 50 are shown in a manufacturing state where those in the wafer lots 50 contained wafers 40 be fed to a wafer testing process. In other words, the wafers 40 are already functional, but the semiconductor ICs are not isolated yet.

Die Wafer 40 eines Waferloses 50 werden in verschiedene Gruppen 60 von Wafern aufgeteilt, die jeweils in einem Wafertest-Schritt getestet werden, um die auf den Wafern 40 gebildeten elektronischen Bauelemente auf Fehler zu überprüfen. Diese Wafergruppen 60 können auch Wafer 40 unterschiedlicher Waferlose 50 aufweisen. Die Wafergruppen 60 werden einer Vorrichtung zum Durchführen eines Wafertests zugeführt. Aus diesen Wafergruppen 60 werden nach dem Testen der Wafer 40 Gruppen, die auch als Assemblylose 70 bezeichnet werden, gebildet. Die Assemblylose 70 werden in eine Mehrzahl von Halbleiter-ICs vereinzelt. Anschließend werden die Halbleiter-ICs 100 einem Verfahrensschritt zum Einhäusen der vereinzelten ungehäusten Halbleiter-ICs 100 zugeführt.The wafers 40 a wafer lot 50 be in different groups 60 divided by wafers, which are each tested in a wafer test step to those on the wafers 40 formed electronic components to check for errors. These wafer groups 60 can also use wafers 40 different wafer lots 50 exhibit. The wafer groups 60 are fed to a device for performing a wafer test. From these wafer groups 60 be after testing the wafers 40 Groups, also called assembly lots 70 be formed formed. The assembly lots 70 are separated into a plurality of semiconductor ICs. Subsequently, the semiconductor ICs 100 a step of packaging the singulated unpackaged semiconductor ICs 100 fed.

Nach dem Häusen der vereinzelten Halbleiter-ICs 100 (auch als "Packaging" bezeichnet), werden die Halbleiter-ICs 100 verschiedener Assemblylose 70 in Testlosen 80 vereinigt, und einem Prozess zum Prüfen der elektronischen Bauelemente zugeführt. Jedes Testlos 80 kann Halbleiter-ICs 100 verschiedener Assemblylose 70 aufweisen. In diesem Test werden die elektronischen Bauelemente einzeln auf ihre Funktionsfähigkeit geprüft. Die geprüften Halbleiter-ICs 100 werden anschließend wiederum in eine Mehrzahl von sogenannten "Reels" 90 aufgeteilt, und an Endabnehmer ausgeliefert. Folglich weist jedes Reel 90 eine Mehrzahl geprüfter Halbleiter-ICs 100 auf.After the housing of the isolated semiconductor ICs 100 (also referred to as "packaging"), the semiconductor ICs 100 different assembly lots 70 in test lots 80 united, and fed to a process for testing the electronic components. Every test lot 80 may be semiconductor ICs 100 different assembly lots 70 exhibit. In this test, the electronic components are individually tested for their functionality. The tested semiconductor ICs 100 are then in turn into a plurality of so-called "reels" 90 divided, and delivered to end users. Consequently, every reel points 90 a plurality of tested semiconductor ICs 100 on.

Tritt nun bei einem Halbleiter-IC 100 ein Fehler auf und wird dieser Halbleiter-IC 100 zur Untersuchung an die Herstellerfirma zurückgesendet, so kann in der Herstellerfirma auf herkömmliche Weise beispielsweise nur festgestellt werden, dass der Fehler bei der Strukturierung des Halbleiterwafers aufgetreten ist, und dass dieser Halbleiter-IC 100 in einem bestimmten Waferlos 50 strukturiert wurde.Join now at a semiconductor IC 100 an error on and becomes this semiconductor IC 100 returned to the manufacturer for examination, for example, it can only be established in a conventional manner by the manufacturer that the defect in the structuring of the semiconductor wafer has occurred, and that this semiconductor IC 100 in a particular wafer lot 50 was structured.

Da die "Herkunft" dieses fehlerhaften Halbleiter-ICs 100 nicht genauer eingegrenzt werden kann, muss folglich davon ausgegangen werden, dass auch die restlichen Halbleiter-ICs 100 dieses Waferloses 50 fehlerhaft sein könnten. Da die Halbleiter-ICs 100 dieses Waferloses 50 jedoch mehrmals voneinander getrennt, in verschiedenen Losen verarbeitet und teilweise mit Halbleiter-ICs anderer Waferlose 50 zusammengeführt wurden, müssen sämtliche Reels 90 mit allen Halbleiter-ICs 100 zurückgerufen werden, die wenigstens einen Halbleiter-IC 100 des fehlerhaften Waferloses 50 aufweisen können, da gemäß dem Stand der Technik nicht zwischen Halbleiter-ICs 100, die mit verschiedenen Waferlosen 50 hergestellt wurden, unterschieden werden kann.Because the "origin" of this defective semiconductor IC 100 can not be narrowed down, it must therefore be assumed that the remaining semiconductor ICs 100 this wafer lot 50 could be flawed. Because the semiconductor ICs 100 this wafer lot 50 but several times separated, processed in different lots and partly with semiconductor ICs of other wafer lots 50 All reels must be brought together 90 with all semiconductor ICs 100 be recalled, the at least one semiconductor IC 100 the faulty wafer lot 50 according to the prior art does not exist between semiconductor ICs 100 that with different wafer lots 50 can be distinguished.

Folglich werden eine Unmenge von Halbleiter-ICs 100 zurückgerufen und vernichtet, obwohl nur eine Bruchteil dieser Halbleiter-ICs 100 tatsächlich einen Fehler aufweist.Consequently, a plethora of semiconductor ICs 100 recalled and destroyed, although only a fraction of these semiconductor ICs 100 actually has an error.

Gemäß einem Aspekt der Erfindung werden Identifikationsdaten, wie zum Beispiel die x- und y-Koordinaten des Halbleiter-ICs 100 auf dem entsprechenden Halbleiterwafer, eine Nummer des Halbleiterwafers in einem Waferlos, das den Halbleiterwafer aufweist, und eine Nummer des Waferloses 50 auf einer bereits existierenden Schicht, wie zum Beispiel der letzten, d.h. obersten, Metallschicht des Halbleiter-ICs 100 eingeschrieben. Alternatv können die Identifikationsdaten in darunterliegenden Schichten eingeschrieben werden. Insbesondere kann jeder Halbleiter-IC 100 mit seinen eigenen Koordinaten personalisiert sein. Wenn die Herkunft eines bestimmten Halbleiter-ICs 100 in der Herstellung, nach dem Zusammenbau, oder nach der Einsendung an die Herstellerfirma, festgestellt werden soll, braucht daher nur z.B. die oberste Metallschicht entfernt werden, so dass die Daten des Halbleiter-ICs 100 ausgelesen werden können. Beispielsweise braucht nur das Gehäuse des Halbleiter-ICs 100 entfernt werden, was für eine Fehleranalyse-Abteilung eine leichte Aufgabe ist.According to an aspect of the invention, identification data such as the x and y coordinates of the semiconductor IC becomes 100 on the corresponding semiconductor wafer, a number of the semiconductor wafer in a wafer lot having the semiconductor wafer, and a number of the wafer lot 50 on an already existing layer, such as the last, ie top, metal layer of the semiconductor IC 100 enrolled. Alternatively, the identification data may be written in underlying layers. In particular, each semiconductor IC 100 be personalized with his own coordinates. If the source of a particular semiconductor IC 100 in the manufacture, after assembly, or after the submission to the manufacturer, to be determined, therefore, for example, only the top metal layer needs to be removed, so that the data of the semiconductor IC 100 can be read out. For example, only the housing of the semiconductor IC needs 100 which is an easy task for an error analysis department.

2 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiter-IC und Abschnitte des Halbleiter-ICs zum Aufbringen von Identifikationsdaten. 2 shows a cross section through a semiconductor IC and portions of the semiconductor IC for applying identification data.

Wie aus 2 ersichtlich ist, ist der Halbleiter-IC 100 auf einem Halbleitersubstrat 105 gebildet, z.B. einem leitfähigen Silizium-Substrat, auf das wechselweise verschiedene Schichten mittels herkömmlicher Technologien aufgetragen und strukturiert worden sind. Insbesondere kann auf dem Halbleitersubstrat 105 eine Poly-Silizium-Schicht 110 gebildet sein. Ferner können im späteren Verlauf des Herstellungsprozesses eine Mehrzahl von Metallisierungsebenen 108 und 109 gebildet werden, die sich gegenseitig bzw. die Poly-Schicht 110 vollständig oder teilweise lateral überlappen, wobei die Metallisierungsebenen 108, 109 mit einer Vielzahl von Leiterbahnen, mittels nicht dargestellter Intermetalldielektrikum-Schichten voneinander isoliert sind und nur mittels durch die Intermetalldielektrikum-Schichten hindurchgeführte Kontaktvias elektrisch miteinander gekoppelt sind. Die gesamte Schichtanordnung kann mit einer Oxidschicht 107 überzogen sein. In 2 wurde aus Gründen der Vereinfachung auf die Darstellung weiterer Schichten verzichtet.How out 2 is apparent, is the semiconductor IC 100 on a semiconductor substrate 105 formed, for example, a conductive silicon substrate, on the alternately different layers have been applied and structured by means of conventional technologies. In particular, on the semiconductor substrate 105 a poly-silicon layer 110 be formed. Furthermore, in the later course of the manufacturing process, a plurality of metallization levels 108 and 109 are formed, the mutually or the poly-layer 110 completely or partially overlap laterally, with the metallization levels 108 . 109 are insulated from each other by a plurality of interconnects, by means not shown Intermetalldielektrikum layers and are electrically coupled together only by means of the intermetallic dielectric layers passed through contact vias. The entire layer arrangement may be provided with an oxide layer 107 be covered. In 2 For the sake of simplicity, the presentation of further layers has been omitted.

Ein Abschnitt 104a der in 2 gezeigten Poly-Schicht 110 ist nicht von einer Metallisierungsebene überlappt. Dieser überlappungsfreie Abschnitt 104a der Poly-Schicht 110 eignet sich daher dafür, dass am Ende des Herstellungsprozesses, d.h. nach dem Bilden und Strukturieren der Mehrzahl von Schichten auf dem Halbleitersubstrat, darauf die Identifikationsdaten des jeweiligen Halbleiter-ICs 100 eingeschrieben werden.A section 104a the in 2 shown poly-layer 110 is not overlapped by a metallization level. This overlap-free section 104a the poly layer 110 is therefore suitable for that at the end of the manufacturing process, ie after the formation and structuring of the plurality of layers on the semiconductor substrate, thereon, the identification data of the respective semiconductor IC 100 be enrolled.

Ein Abschnitt 104b des Halbleitersubstrats 105 ist weder von der Poly-Schicht 110 noch von einer anderen Schicht bedeckt oder überlappt, so dass sich auch dieser überlappungsfreie Abschnitt 104b zum Aufnehmen der Identifikationsdaten eignet.A section 104b of the semiconductor substrate 105 is neither of the poly layer 110 still covered or overlapped by another layer, so that too this overlap-free section 104b suitable for recording the identification data.

Allgemein ist vorteilhafterweise jede Schicht zum Aufnehmen der Identifikationsdaten geeignet, die auf einfache Weise nach der vollständigen Prozessierung wieder freigelegt werden kann.Generally is advantageously any layer for receiving the identification data suitable, in a simple way after complete processing again can be exposed.

Im Hinblick auf das Herstellungsverfahrens werden während des Wafer-Herstellungsprozesses die verschiedenen Schichten eines Wafers 40 mittels photolithographischer Schritte strukturiert. Ein Photoresist wird dazu auf den Wafer 40 aufgetragen und mit Licht bestrahlt, das durch eine Maske fällt, die die benötigten Strukturen aufweist. Zum Beispiel wird das Photoresist mit ultravioletter Strahlung bestrahlt. Danach wird der Photoresist entwickelt und die Struktur wird mittels eines isotropen oder anisotropen Ätzprozesses in das den Abschnitt des Wafers 40 unterhalb des Photoresists geätzt. Gemäß der Erfindung kann ein Laser verwendet werden, um Teile des Photoresists nach dem Belichten mittels einer Maske, aber vor dem Entwickeln des Photoresists ein zweites Mal zu belichten. In diesem Schritt wird die gewünschte Struktur direkt von dem Laser geschrieben und weist die Waferlos-Nummer, die Wafernummer und die x- und y-Koordinaten des Halbleiter-ICs, bzw. andere Daten, die den Halbleiter-IC 100 kennzeichnen, auf.With regard to the manufacturing process, during the wafer manufacturing process, the various layers of a wafer become 40 structured by photolithographic steps. A photoresist is added to the wafer 40 applied and irradiated with light that passes through a mask having the required structures. For example, the photoresist is irradiated with ultraviolet radiation. Thereafter, the photoresist is developed and the structure is made into the portion of the wafer by means of an isotropic or anisotropic etching process 40 etched below the photoresist. In accordance with the invention, a laser can be used to expose portions of the photoresist a second time after exposure through a mask but prior to developing the photoresist. In this step, the desired structure is directly written by the laser and includes the wafer lot number, the wafer number and the x and y coordinates of the semiconductor IC, and other data including the semiconductor IC 100 identify, on.

In dem folgenden Entwicklungsschritt erscheint die Struktur dieser Daten in dem Photoresist, so dass während des letzten Ätzschrittes die Daten in das Material der Schicht geätzt werden.In In the following development step, the structure of this appears Data in the photoresist so that during the last etching step the data is etched into the material of the layer.

In anderen Worten ausgedrückt werden bei einer Belichtung mittels einer Maske auf z.B. einer EVG-Aligner-Vorrichtung die Halbleiter-IC-Identifikationsdaten auf der Maske eingestellt und mittels des folgenden Entwicklungsschrittes in das Photoresistmaterial eingeprägt. Dabei wird ein Platz zum Aufprägen auf das Photomaterial benötigt. Dieses Verfahren funktioniert nicht bei Halbleiter-ICs, die mittels eines Steppers hergestellt werden. Ferner erfordert dieses Verfahren einen zusätzlichen Masken-Lithographie-Schritt.In in other words when exposed by means of a mask to e.g. an ECG aligner device the semiconductor IC identification data set on the mask and by the following development step into the photoresist material imprinted. This is a place to imprint needed on the photo material. This method does not work with semiconductor ICs using of a stepper. Furthermore, this method requires An additional Masks lithography step.

Beispielsweise wird die letzte Metallisierungsebene, d.h. die oberste Metallisierungsebene verwendet, so dass die Struktur leicht mittels eines optischen Mikroskops gelesen werden kann. Die Koordinaten des Halbleiter-ICs 100 werden mittels eines Software-Programms an die Laservorrichtung bereitgestellt, wobei das Software-Programm die Daten von dem Wafer-Handler empfängt, so dass jeder Halbleiter-IC 100 schließlich seine einzigartigen Identifikationsdaten 104 aufweist.For example, the last metallization plane, ie, the topmost metallization plane, is used, so that the structure can be easily read by means of an optical microscope. The coordinates of the semiconductor IC 100 are provided by a software program to the laser device, wherein the software program receives the data from the wafer handler so that each semiconductor IC 100 finally his unique identification data 104 having.

Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung kann das Strukturieren der Schicht mittels der Photomaske durch ein Verfahren unter Verwendung einer Belichtung mit Laserlicht ausgeführt werden. In diesem Fall werden sowohl die Belichtung durch die Maske hindurch (zum Verwirklichen der benötigten Schaltkreisstruktur in der Schicht) und das Schreiben der Chip-Identifikationsdaten 104 mittels derselben Vorrichtung und in demselben Prozessschritt von dem Laser durchgeführt. Folglich wird nur eine anstelle von zwei Belichtungsvorrichtungen benötigt, und die Maske kann eingespart werden.According to a further embodiment of the invention, the patterning of the layer by means of the photomask may be carried out by a method using laser light exposure. In this case, both the exposure through the mask (to realize the required circuit structure in the layer) and the writing of the chip identification data 104 performed by the same device and in the same process step of the laser. Consequently, only one instead of two exposure devices is needed, and the mask can be saved.

Alternativ kann die Laservorrichtung nicht nur als Belichtungsmittel verwendet werden, sondern auch zum direkten Schreiben der Identifikationsdaten 104 in die letzte, d.h. oberste, Metallschicht, indem das Metall geätzt oder geschmolzen wird. Alternativ können die Identifikationsdaten 104 in ähnlicher Weise auch in eine Schicht aus einem anderen Material eingeschrieben werden. Auf diese Weise können die Identifikationsdaten 104 bereits im Frontend, d.h. vor dem Vereinzeln, jedem Halbleiterchip 100 entsprechend eingeschrieben werden.Alternatively, the laser device can be used not only as an exposure means but also for directly writing the identification data 104 in the last, ie top, metal layer by etching or melting the metal. Alternatively, the identification data 104 similarly inscribed in a layer of another material. In this way, the identification data 104 already in the frontend, ie before separation, every semiconductor chip 100 be registered accordingly.

Ein entsprechendes Verfahren kann auch in einem späteren Herstellungsschritt, z.B. während des Schrittes des Zusammenbauens, nachdem die Wafer 40 geätzt wurden und die Halbleiter-ICs 100 an einem Metallträger, d.h. einem Lead-Frame 120, befestigt wurden. Beispielsweise kann hierbei eine Assemblylosnummer zu einer Waferlosnummer hinzugefügt werden.A corresponding method may also be used in a later manufacturing step, eg during the assembling step after the wafers 40 were etched and the semiconductor ICs 100 on a metal carrier, ie a lead frame 120 , be were strengthened. For example, in this case, an assembly lot number can be added to a wafer lot number.

Eine weitere Option ist das Ersetzen der Buchstaben und Ziffern durch einen Barcode oder einen Punktmatrixkode, um den benötigten Platz zu reduzieren.A Another option is to replace the letters and numbers with a barcode or a dot matrix code to the required space to reduce.

3 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterwafer und auf einen Metallträger mit einer Mehrzahl von Halbleiter-ICs. 3 shows a plan view of a semiconductor wafer and on a metal carrier with a plurality of semiconductor ICs.

Ein Metallträger, d.h. ein Lead Frame 120, weist die Zuleitungen 140b eines Kunststoff-gekapselten Gehäuses 150 auf und hält diese Zuleitungen 140b vor dem Einhäusen. Nach dem Einhäusen wird das überstehende Metallträger-Material weggeschnitten. In anderen Worten ist der Lead Frame 120 eine dünne Metallschicht, die eine Verdrahtung von kleinen elektrischen Anschlüssen auf der Halbleiteroberfläche mit der umfangreichen Verdrahtung auf elektrischen Vorrichtungen und Schaltplatinen elektrisch leitfähig koppelt.A metal carrier, ie a lead frame 120 , points the supply lines 140b a plastic-encapsulated housing 150 on and keeps these leads 140b before the enclosure. After packaging, the supernatant metal carrier material is cut away. In other words, the lead frame 120 a thin metal layer that electrically couples wiring of small electrical terminals on the semiconductor surface to the extensive wiring on electrical devices and circuit boards.

In 3 ist eine Mehrzahl von Halbleiter-ICs 100 gezeigt, die insoweit fertig gestellt sind, als dass wiederholt Schichten auf dem Halbleitersubstrat abgeschieden und strukturiert wurden. Anschließend wurden die Halbleiterchips 100 auf dem Halbleiterwafer 40 vereinzelt. Ferner ist ein Lead Frame 120 gezeigt. Auf jedem Lead Frame 120 werden eine Mehrzahl von Halbleiter-ICs 100 angeordnet. Mittels Strichlinien sind auf dem Lead Frame 120 Bereiche dargestellt, die jeweils einen Halbleiter-IC 100 aufnehmen. In jedem dieser Bereiche werden nachfolgend in einem weiteren Schritt Identifikationsdaten eingeschrieben, die den entsprechenden Halbleiter-IC 100 kennzeichnen.In 3 is a plurality of semiconductor ICs 100 shown completed to the extent that repeatedly layers were deposited and patterned on the semiconductor substrate. Subsequently, the semiconductor chips 100 on the semiconductor wafer 40 sporadically. Further, a lead frame 120 shown. On every lead frame 120 become a plurality of semiconductor ICs 100 arranged. Using dashed lines are on the lead frame 120 Areas are shown, each one a semiconductor IC 100 take up. In each of these areas identification data are subsequently written in a further step, which the corresponding semiconductor IC 100 mark.

4 zeigt einen Querschnitt durch einen Halbleiter-IC und einen Metallträger. 4 shows a cross section through a semiconductor IC and a metal carrier.

4 zeigt einen Halbleiter-IC 100 mit einem Gehäuse 150, dem eigentlichen Halbleiter-Kristall 130 auf einem Lead Frame 120 und Drähten 140a zur Kopplung des Halbleiter-Kristalls 130 mit dem Lead Frame 120. An dem Lead Frame 120 sind leitfähige Anschlussstifte 140b (d.h. Füßchen) angeordnet, die eine elektrisch leitfähige Verbindung von dem Halbleiter-Kristall 130 über die Kopplungsdrähte 140a und den Lead Frame 120 mit elektrischen Leitbahnen (nicht gezeigt) auf einer Schaltplatine (nicht gezeigt) ermöglichen. Auf einem Abschnitt des Lead Frames 120, der nicht von dem Halbleiter-Kristall 130 bedeckt ist, sind die Identifikationsdaten 104 des entsprechenden Halbleiter-Kristalls 130 eingeschrieben. Folglich kann jeder Halbleiter-IC 100 Identifikationsdaten 104 aufweisen. Die Identifikationsdaten 104 können auf einfache Weise z.B. mittels eines optischen Mikroskops, gelesen werden, wenn das Gehäuse 150 des Halbleiter-ICs 100 entfernt ist. Das Entfernen des Gehäuses 150 eines Halbleiter-ICs 100 ist mit herkömmlichen Verfahren einfach zu realisieren. 4 shows a semiconductor IC 100 with a housing 150 , the actual semiconductor crystal 130 on a lead frame 120 and wires 140a for coupling the semiconductor crystal 130 with the lead frame 120 , At the lead frame 120 are conductive pins 140b (ie feet), which is an electrically conductive connection of the semiconductor crystal 130 over the coupling wires 140a and the lead frame 120 with electrical tracks (not shown) on a circuit board (not shown). On a section of the lead frame 120 that is not from the semiconductor crystal 130 is covered, are the identification data 104 of the corresponding semiconductor crystal 130 enrolled. Consequently, each semiconductor IC 100 identification data 104 exhibit. The identification data 104 can be read in a simple manner, for example by means of an optical microscope, when the housing 150 of the semiconductor IC 100 is removed. Removing the housing 150 a semiconductor IC 100 is easy to implement with conventional methods.

4040
Waferwafer
5050
Waferloswafer lot
6060
Wafergruppewafer group
7070
AssemblylosAssemblylos
8080
TestlosTest lot
9090
Reelreel
100100
Halbleiter-ICSemiconductor IC
104104
Identifikationsdatenidentification data
104a104a
überlappungsfreier Abschnittnon-overlapping section
104b104b
überlappungsfreie Abschnittnon-overlapping section
105105
HalbleitersubstratSemiconductor substrate
107107
Oxidschichtoxide
108108
Metallisierungsebenemetallization
109109
Metallisierungsebenemetallization
110110
Poly-SchichtPoly layer
120120
Lead Framelead frame
130130
Halbleiter-KristallSemiconductor crystal
140a140a
Kopplungsdrahtcoupling wire
140b140b
Zuleitungsupply
150150
Gehäusecasing

Claims (17)

Integrierte Schaltkreis-Anordnung mit einem Halbleitersubstrat, einer Mehrzahl elektronischer Elemente, die auf und/oder in dem Halbleitersubstrat gebildet sind, wobei über oder in dem Halbleitersubstrat Identifikationsdaten vorgesehen sind, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen.Integrated circuit arrangement with one Semiconductor substrate, a plurality of electronic elements, which are formed on and / or in the semiconductor substrate, wherein over or in the semiconductor substrate identification data are provided, which uniquely identify the integrated circuit. Integrierte Schaltkreis-Anordnung gemäß Anspruch 1, wobei die Mehrzahl elektronischer Elemente von einer Passivierungsschicht bedeckt sind und die Identifikationsdaten auf die Passivierungsschicht aufgebracht sind.Integrated circuit arrangement according to claim 1, wherein the plurality of electronic elements of a passivation layer are covered and the identification data applied to the passivation layer are. Integrierte Schaltkreis-Anordnung gemäß Anspruch 1, wobei die Identifikationsdaten auf einem Bereich des Halbleitersubstrats neben den elektronischen Elementen angeordnet sind.Integrated circuit arrangement according to claim 1, wherein the identification data on a portion of the semiconductor substrate are arranged next to the electronic elements. Integrierte Schaltkreis-Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei das Halbleitersubstrat ein Halbleiterwafer ist.Integrated circuit arrangement according to a the claims 1 to 3, wherein the semiconductor substrate is a semiconductor wafer. Integrierte Schaltkreis-Anordnung gemäß Anspruch 4, wobei die kennzeichnenden Identifikationsdaten, umfassen: • die Koordinaten der integrierten Schaltkreis-Anordnung auf einem Halbleiterwafer, auf dem diese gebildet ist, • die Nummer des Halbleiterwafers in einem Los, das den Halbleiterwafer aufweist, und • die Nummer des Loses.The integrated circuit device according to claim 4, wherein the characteristic identification data comprises: the coordinates of the integrated circuit device on a semiconductor wafer on which it is formed, • the number of the semiconductor wafer in a lot containing the semiconductor wafer, and • the number of the lot. Integrierte Schaltkreis-Anordnung gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, das ein Gehäuse aufweist.Integrated circuit arrangement according to a the claims 1 to 5, which is a case having. Verfahren zur Personalisierung einer integrierten Schaltkreis-Anordnung mit den Schritten: • Ausbilden elektronischer Elemente auf einem Halbleitersubstrat; • Einschreiben von Identifikationsdaten, die den integrierten Schaltkreis eindeutig kennzeichnen, über oder in dem Halbleitersubstrat.Method of personalizing an integrated Circuit arrangement with the steps: • forming electronic elements on a semiconductor substrate; • writing of identification data, which uniquely identify the integrated circuit, via or in the semiconductor substrate. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung ein lithographischer Schritt durchgeführt wird und die Identifikationsdaten während des lithographischen Schrittes auf oder in die Schaltkreis-Anordnung strukturiert wird.Method according to claim 7, wherein on the integrated circuit arrangement a lithographic Step performed and the identification data during the lithographic Step is structured on or in the circuit arrangement. Verfahren gemäß Anspruch 8, wobei nach der Belichtung eines Photoresist-Materials mittels einer Maske ein Abschnitt des Photoresist-Materials ein zweites Mal belichtet wird, so dass die Identifikationsdaten in das Photoresist-Material übertragen werden, bevor das Photoresist-Material entwickelt wird.Method according to claim 8, wherein after the exposure of a photoresist material means one mask a portion of the photoresist material a second Is exposed so that the identification data is transferred into the photoresist material before the photoresist material is developed. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei auf der integrierten Schaltkreis-Anordnung eine Passivierungsschicht gebildet wird und die Identifikationsdaten auf der Passivierungsschicht eingeschrieben werden.Method according to claim 7, wherein on the integrated circuit arrangement, a passivation layer is formed and the identification data on the passivation layer be enrolled. Verfahren gemäß Anspruch 7, wobei die Identifikationsdaten auf dem Halbleitersubstrat neben der integrierten Schaltkreis-Anordnung eingeschrieben werden.Method according to claim 7, wherein the identification data on the semiconductor substrate next the integrated circuit arrangement are written. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei eine Mehrzahl von integrierten Schaltkreis-Anordnungen auf einem Halbleiterwafer gebildet werden.Method according to one the claims 7 to 11, wherein a plurality of integrated circuit arrangements be formed on a semiconductor wafer. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei der Halbleiterwafer zum Vereinzeln der integrierten Schaltkreis-Anordnungen geschnitten wird.Method according to claim 12, wherein the semiconductor wafer for dicing the integrated circuit devices is cut. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 13, wobei Koordinaten der integrierten Schaltkreis-Anordnung auf dem Halbleiterwafer, eine Nummer des Halbleiterwafers in einem Los, das den Halbleiterwafer aufweist, und eine Nummer des Loses eingeschrieben werden.Method according to one the claims 7 to 13, wherein coordinates of the integrated circuit arrangement on the semiconductor wafer, a number of the semiconductor wafer in one Lot having the semiconductor wafer, and inscribed a lot number become. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 14, wobei die Identifikationsdaten mit einem Laser eingeschrieben werden.Method according to one the claims 7 to 14, wherein the identification data is written by a laser become. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 15, wobei die Identifikationsdaten als Strichkode oder als Punktmatrix-Kode kodiert über oder in das Halbleitermaterial eingeschrieben werden.Method according to one the claims 7 to 15, wherein the identification data as a bar code or as Dot matrix code encodes via or inscribed in the semiconductor material. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 7 bis 16, wobei um die integrierte Schaltkreis-Anordnung ein Gehäuse gebildet wird.Method according to one the claims 7 to 16, wherein formed around the integrated circuit assembly, a housing becomes.
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