DE102005055083A1

DE102005055083A1 - Thermoelektrischer Sensor und Verfahren zur Herstellung

Info

Publication number: DE102005055083A1
Application number: DE102005055083A
Authority: DE
Inventors: Heiko Stahl; Roland Scheuerer
Original assignee: Robert Bosch GmbH
Current assignee: Robert Bosch GmbH
Priority date: 2005-11-18
Filing date: 2005-11-18
Publication date: 2007-05-24
Anticipated expiration: 2025-11-19
Also published as: DE102005055083B4

Abstract

Thermoelektrischer Sensor mit einem ersten Substrat und einem zweiten Substrat, wobei zwischen dem ersten Substrat und dem zweiten Substrat ein Hohlraum gebildet ist, sowie Verfahren zur Herstellung eines Sensors.

Description

Stand der Technik

Die Erfindung geht aus von einem thermoelektrischen Sensor nach der Gattung des Hauptanspruchs. Ein solcher ist beispielsweise aus der Druckschrift US 5 347 869 A bekannt. Zur Messung von Gasdruck sind mechanische und thermoelektrische Verfahren bekannt, die beide in sogenannten mikro-elektromechanischen Systemen, MEMS, eingesetzt werden. Bei thermoelektrischen Sensoren wird beispielsweise der Pirani-Effekt ausgenutzt, dass der elektrische Widerstand eines stromdurchflossenen Leiters temperaturabhängig ist. Die Wärmeübertragung von einem Heizelement zu einem Detektor über ein umgebendes gasförmiges Medium ist wiederum von dem Druck des Mediums, von dem Medium selbst und gegebenenfalls von den Strömungsverhältnissen im Medium abhängig. Eine Wärmeübertragung über Strukturteile des Sensors wird nach dem Stand der Technik verhindert, indem das Heizelement und der Detektor auf einer Membran angeordnet sind, die eine thermische Entkoppelung bewirkt. Typischerweise kommen daher Membranen sowohl in thermoelektrischen Sensoren zum Einsatz, als auch in mechanischen Gasdrucksensoren. Nachteilig ist, dass die Membranen anfällig gegenüber mechanischer Beschädigung sind.

Vorteile der Erfindung

Der erfindungsgemäße, thermoelektrische Sensor mit den Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, dass der Wärmetransport zwischen der ersten leitfähigen Struktur und der zweiten leitfähigen Struktur über das zwischen den leitfähigen Strukturen befindliche Medium erfolgt. Die erste leitfähige Struktur ist an dem ersten Substrat angeordnet und die zweite leitfähige Struktur ist an dem zweiten Substrat angeordnet, so dass eine gute thermische Entkopplung der leitfähigen Strukturen voneinander in einem kompakten Bauelement möglich ist, ohne dass diese nebeneinander auf einer Membran angeordnet sind. Durch den Wegfall beweglicher, empfindlicher Komponenten erhöht sich vorteilhafterweise die Stabilität des erfindungsgemäßen Sensors. Das erste Substrat und das zweite Substrat bilden einen Hohlraum, der ein Gasvolumen einschließt. Die erste leitfähige Struktur und die zweite leitfähige Struktur sind in dem Hohlraum angeordnet, so dass diese zusätzlich vor Beschädigung geschützt sind. Zum Austausch mit dem umgebenden Medium weist der Hohlraum mindestens eine Öffnung auf, über die ein Druckausgleich erfolgen kann. Der Fachmann versteht, dass der erfindungsgemäße, thermoelektrische Sensor nicht nur zur Gasdruckmessung, sondern auch zur Gasflussmessung einsetzbar ist, wenn der Hohlraum durchströmt wird, also beispielsweise zumindest zwei Öffnungen aufweist. Es besteht ebenfalls die Möglichkeit, bei bekanntem Druck oder bei definierten Strömungsverhältnissen, über die Stoffeigenschaften auf die Art des Gases oder Gasgemisches zu schließen. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen, thermoelektrischen Sensors liegt daher in seiner vielseitigen Verwendbarkeit.

Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des in den nebengeordneten Ansprüchen angegebenen thermoelektrischen Sensors, sowie des Verfahrens zur Herstellung des thermoelektrischen Sensors möglich.

Bevorzugt ist die erste leitfähige Struktur ein Heizelement und die zweite leitfähige Struktur ein Detektorelement, wobei das Heizelement eine Fläche aufweist, die einer Fläche des Detektorelements gegenüberliegend angeordnet ist. Gegenüberliegend im Sinne der Erfindung bedeutet, dass die Flächen in parallelen Ebenen angeordnet sind und sich zumindest teilweise überdecken. Die leitfähigen Strukturen weisen in den sich gegenüberliegenden Flächen vorzugsweise eine größere Erstreckung auf als in der jeweils dritten Raumrichtung, rechtwinklig zu den Flächen. Im Vergleich zu nebeneinander angeordneten Detektor- und Heizelementen, beispielsweise auf einer Membran, hat die gegenüberliegende Anordnung den Vorteil, dass ein Wärmetransport auf direktem Weg über das zwischen den Flächen befindliche Gasvolumen erfolgt.

Der Fachmann versteht, dass die als Heizelement ausgelegte, elektrisch leitfähige Struktur so ausgelegt ist, dass ein Strom durch die leitfähige Struktur zu einer Temperaturerhöhung führt. Der Detektor reagiert auf Änderungen der Temperatur durch Änderung elektrisch auswertbarer Eigenschaften, wie beispielsweise des Widerstands.

In einer bevorzugten Ausführungsform des thermoelektrischen Sensors ist die erste leitfähige Struktur über eine freitragende Struktur mit dem ersten Substrat verbunden und/oder die zweite leitfähige Struktur über eine weitere freitragende Struktur mit dem zweiten Substrat verbunden. Durch die freitragende Struktur, die das jeweilige Substrat mit der leitfähigen Struktur verbindet, lässt sich vorteilhaft eine thermische Entkopplung der ersten und zweiten leitfähigen Struktur von dem jeweiligen Substrat bei gleichzeitig hoher mechanischer Stabilität erreichen. Freitragend im Sinne der Erfindung bedeutet, dass nur eine Verbindung zwischen der Struktur und dem Substrat besteht, wobei die Querschnittsfläche der Verbindung deutlich kleiner ist, als die Oberfläche der freitragenden Struktur. Die erste und/oder zweite leitfähige Struktur ist beispielsweise eine elektrische Leiterbahn auf der freitragenden Struktur. Die Leiterbahn besteht beispielsweise aus dotierten Bereichen der freitragenden Struktur oder aus einer Metallschicht auf der freitragenden Struktur. Besonders bevorzugt sind die erste leitfähige Struktur und/oder die zweite leitfähige Struktur selbst als freitragende Strukturen ausgeführt, oder anders ausgedrückt, die gesamte, freitragende Struktur ist elektrisch leitfähig.

In einer anderen, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das erste Substrat und/oder das zweite Substrat mindestens eine thermisch isolierende Schicht auf. Eine thermisch und vorzugsweise auch elektrisch isolierende Schicht ist beispielsweise aus Glas, Oxid oder porösem Silizium vorgesehen. Die Schicht aus einem Material geringer Wärmeleitfähigkeit entkoppelt thermisch das erste Substrat von dem zweiten Substrat, so dass die thermische Kopplung der ersten leitfähigen Struktur mit der zweiten leitfähigen Struktur über die Substrate vorteilhafterweise verringert wird. Es ist denkbar, dass das erste und/oder zweite Substrat vollständig aus dem thermisch isolierenden Material besteht, beispielsweise als reiner Glaswafer. Ebenso kann es sich um einen Kompositwafer aus Glas und Silizium handeln. Die erste leitfähige Struktur und/oder die zweite leitfähige Struktur können besonders bevorzugt auf der thermisch isolierenden Schicht aufgebracht sein, beispielsweise als strukturierte Metallschicht. Bei dieser Ausführungsform ist eine besonders gute thermische Entkopplung der ersten bzw. zweiten leitfähigen Struktur gegeben.

Ebenfalls besonders bevorzugt weist die thermisch isolierende Schicht des zweiten Substrats einen Verbindungsbereich auf, der durch anodisches Bonden mit dem ersten Substrat verbunden ist. Der Verbindungsbereich ist beispielsweise ein umlaufender, sogenannter Bondsteg. Dieser kann durchgehend sein, so dass keine Öffnung des Hohlraums über den Bondsteg besteht oder er kann mit Öffnungen versehen sein. Der Fachmann versteht, dass auch die jeweiligen, thermisch isolierenden Schichten des ersten und des zweiten Substrats jeweils einen Verbindungsbereich aufweisen können, die durch anodisches Bonden verbunden werden.

Die zweite leitfähige Struktur ist vorzugsweise elektrisch leitend mit dem ersten Substrat verbunden. Beispielsweise ist eine elektrische Kontaktierung im Bereich der Bondverbindung angeordnet und wird durch diese vorteilhaft gesichert.

In einer bevorzugten Ausführung sind Kontakte zum Anschluss der ersten leitfähigen Struktur und/oder der zweiten leitfähigen Struktur durch das erste Substrat hindurch zu einer Rückseite des ersten Substrats geführt. Alle Anschlüsse des erfindungsgemäßen Sensors können so in vorteilhafter Weise auf der Rückseite des ersten Substrats kontaktiert werden.

Die zumindest eine Öffnung des Hohlraums erstreckt sich vorzugsweise durch das erste Substrat und/oder durch das zweite Substrat und/oder durch den Verbindungsbereich. Die Anzahl und Lage der Öffnungen hängt von der jeweiligen Anwendung des erfindungsgemäßen, thermoelektrischen Sensors ab.

Ein weiterer Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sensors. Das erfindungsgemäße Verfahren mit den Merkmalen des nebengeordneten Verfahrensanspruchs hat den Vorteil, dass die erste leitfähige Struktur und die zweite leitfähige Struktur sich gegenüberliegend, stabil und trotzdem thermisch entkoppelt in einem Hohlraum angeordnet werden. Zunächst werden ein erstes und ein zweites Substrat entsprechend mit einer ersten und zweiten leitfähigen Struktur versehen, wobei das erste und zweite Substrat so zusammengefügt werden, dass sie einen Hohlraum bilden, in dem die erste und die zweite leitfähige Struktur gegenüberliegend angeordnet sind. Die Herstellung einer Öffnung des Hohlraums erfolgt beispielsweise durch einen Trenchprozess durch das erste oder zweite Substrat hindurch. Der Fachmann erkennt, dass das Trenchen einer Öffnung vor dem Zusammenfügen der Substrate und auch vor dem Prozessieren der ersten und zweiten leitfähigen Strukturen erfolgen kann.

In einer bevorzugten Ausführungsform wird eine freitragende Struktur an dem ersten Substrat und/oder an dem zweiten Substrat erzeugt, vorzugsweise durch das Abscheiden einer Opferschicht, Abscheiden einer Funktionsschicht, Strukturieren der Funktionsschicht und Ätzen der Opferschicht, wobei die erste leitfähige Struktur und/oder die zweite leitfähige Struktur auf der freitragenden Struktur aufgebracht wird. Dies geschieht vorzugsweise durch Dotieren der Funktionsschicht vor dem Strukturieren oder durch Aufbringen einer Metallschicht. Die jeweilige freitragende Struktur kann auch selbst, also vollständig, als erste oder zweite leitfähige Struktur ausgebildet werden.

In einer anderen Ausführungsform wird auf einer thermisch isolierenden Schicht des ersten Substrats die erste leitfähige Struktur und/oder auf einer thermisch isolierenden Schicht des zweiten Substrats die zweite leitfähige Struktur erzeugt, vorzugsweise durch Abscheiden und Strukturieren einer Metallschicht. Ein Verbindungsbereich der thermisch isolierenden Schicht des zweiten Substrats wird anschließend vorzugsweise durch anodisches Bonden mit dem ersten Substrat verbunden. Besonders bevorzugt wird die zweite leitfähige Struktur bei diesem Schritt elektrisch leitend mit dem ersten Substrat verbunden.

In einem weiteren bevorzugten Verfahrensschritt werden von einer Rückseite des ersten Substrats Kontakte der ersten leitfähigen Struktur und/oder der zweiten leitfähigen Struktur durch Trenchprozesse hergestellt, wonach vorzugsweise die Rückseite mit einem Rückseiten-Refill-Oxid versehen wird und Bondpadmetallisierungen, vorzugsweise aus Aluminium, mit den Kontakten verbunden werden.

Ausführungsbeispiel
Ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen, thermoelektrischen Sensors sowie ein Verfahren zur Herstellung des Sensors sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen
1 einen thermoelektrischen Gasdrucksensor nach dem Stand der Technik,
2 einen Querschnitt durch einen erfindungsgemäßen, thermoelektrischen Sensor und
3 bis 9 ein erfindungsgemäßes Verfahren zur Herstellung des in 2 dargestellten Sensors.
In der 1 ist ein Gasdrucksensor im Schnitt dargestellt. Ein Heizelement H und ein Detektorelement D sind auf einer Membran M angeordnet. Die Membran M stellt die thermische Entkopplung zwischen dem Detektorelement D und dem Heizelement H sicher, so dass ein Wärmetransport zum weit überwiegenden Teil über ein umgebendes, gasförmiges Medium erfolgt, das nicht dargestellt ist. Die Anordnung wird von einem Substrat S getragen.
In der 2 ist ein erfindungsgemäßer thermoelektrischer Gasdrucksensor im Querschnitt dargestellt, der sich vom Stand der Technik zunächst dadurch unterscheidet, dass eine erste leitfähige Struktur 4 und eine zweite leitfähige Struktur 5, von denen eine das Heizelement und eine den Detektor darstellt, sich gegenüberliegend an einem ersten Substrat 1 bzw. an einem zweiten Substrat 2 angeordnet sind. Eine Membran zur thermischen Entkoppelung ist nicht vorgesehen. Das erste und zweite Substrat 1, 2 schließen einen Hohlraum 3 ein, der über eine Öffnung 6 mit der Umgebung des Gasdrucksensors verbunden ist. Der Druck im Hohlraum entspricht dem Druck eines umgebenden, gasförmigen Mediums, so dass eine thermoelektrische Druckmessung in einer dem Fachmann bekannten Weise erfolgen kann. Das zweite Substrat 2 weist eine thermisch isolierende Schicht 8, beispielsweise aus Glas auf, die einen Verbindungsbereich 9 in Form eines umlaufenden Bondstegs 9 aufweist. Das zweite Substrat 2 ist durch anodisches Bonden des Bondstegs 9 mit dem ersten Substrat 1 verbunden. Im dargestellten Beispiel ist der Hohlraum 3 durch den Bondsteg und die im Wesentlichen ebenen Substrate 1, 2 gebildet. Der Fachmann versteht, dass die Substrate 1, 2 auch Vertiefungen aufweisen könnten und der Bondsteg 9 eine wesentlich geringere Höhe aufweisen könnte.
Die erste leitfähige Struktur 4 ist freitragend mit dem ersten Substrat 1 verbunden, was in den 3 und 4 näher erläutert wird. Die zweite leitfähige Struktur 5 ist auf der thermisch und elektrisch nicht leitenden Glasschicht 8 angeordnet, was in der 5 im Detail dargestellt ist. Erfindungsgemäß können beide leitfähige Strukturen 4, 5 sowohl freitragend als auch über die thermisch isolierende Schicht 8 mit ihrem jeweiligen Substrat 1, 2 verbunden sein. Ebenso kann jede der leitfähigen Strukturen 4, 5 sowohl als Heizelement, als auch als Detektor eingesetzt werden.
In der 3a ist ein Querschnitt des ersten oder zweiten Substrats 1, 2 entlang der Linie L in 3b dargestellt. Eine freitragende Struktur 7, 7' ist mit dem Substrat 1, 2 verbunden. Eine solche freitragende Struktur wird hergestellt, indem eine Opferschicht, beispielsweise aus Siliziumdioxid abgeschieden wird, danach eine Funktionsschicht abgeschieden wird, die strukturiert wird. Abschließend wird die Opferschicht durch einen Ätzprozess wieder entfernt. Auf der freitragenden Struktur 7, 7' wird, vorzugsweise vor dem Ätzen der Opferschicht, eine Leiterbahn 4, 5 hergestellt, beispielsweise durch Dotierung der Funktionsschicht vor dem Strukturieren oder durch Abscheiden einer zusätzlichen Metallschicht. In den 4a und 4b ist eine alternative Möglichkeit dargestellt, bei der die freitragende Struktur 4, 5, 7, 7' selbst elektrisch leitfähig ist.
In der 5a ist wiederum eine Querschnitt entlang der Linie L in 5b dargestellt. Das erste oder zweite Substrat 1, 2 ist hier mit der thermisch isolierenden Schicht 8 versehen, die den Verbindungsbereich 9, einen umlaufenden Bondsteg, umfasst. In dem Bereich, der von dem Bondsteg 9 umgeben ist, wird eine Metallschicht 4, 5 auf der isolierenden Schicht 8 aus Glas abgeschieden und strukturiert.
Die 6 und 7 zeigen das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 mit fertig prozessierten, ersten und zweiten leitfähigen Strukturen 4, 5, wobei die erste leitfähige Struktur 4 der Darstellung in 3 entspricht, während die zweite leitfähige Struktur 5 gemäß 5 hergestellt ist. Der Fachmann versteht, dass andere Kombinationen, als die dargestellte Ausführungsform ebenso möglich wären. Nachdem das erste Substrat 1 mit einer ersten leitfähigen Struktur 4 und das zweite Substrat 2 mit einer zweiten leitfähigen Struktur 5 versehen ist, wird nachfolgend das zweite Substrat 2, das auch als Kappe 2 bezeichnet wird, mit dem Substrat 1 verbunden. Der Bondsteg 9 aus Bondglas wird durch anodisches Bonden mit dem ersten Substrat 1 verbunden. Das Substrat 1 und die Kappe 2 schließen nunmehr einen Hohlraum 3 ein, in dem die erste und zweite leitfähige Struktur sich gegenüberliegend, geschützt angeordnet sind. Der Bondsteg 9 kann durchgehend sein oder Öffnungen aufweisen. Im dargestellten Beispiel ist der Hohlraum 3 zusätzlich durch eine Öffnung 6 mit der Umgebung des Sensors verbunden. Die Öffnung 6 wird in der Regel vor dem Zusammenfügen der Substrate 1, 2 in das Substrat 1 eingebracht, beispielsweise durch einen Trenchprozess, kann jedoch auch während des Zusammenfügens oder danach eingebracht werden.
Die 7 zeigt den Sensor nach 6 in einer weiteren Schnittdarstellung, in der die Kontaktierung der zweiten leitfähigen Struktur 5 zu erkennen ist. Ein metallischer Leiter verbindet die zweite leitfähige Struktur 5 mit einem Kontakt 11 des ersten Substrats. Der Kontakt 11 der zweiten leitfähigen Struktur 5 und der metallische Leiter sind von dem anodisch gebondeten Verbindungsbereich 9 überdeckt und so fest miteinander verbunden. Die erste leitfähige Struktur 4 ist mit einem weiteren Kontakt 10 verbunden. Die Kontakte 10, 11 werden, ebenso wie die Öffnung 6 von einer Rückseite 12 des ersten Substrats 1 her durch Trenchprozesse hergestellt.
Die 8 und 9 zeigen in zwei Ansichten einen weiteren Verarbeitungsschritt, in dem ein Rückseiten-Refill-Oxid 13 auf die Rückseite 12 aufgebracht wird und die Kontakte 10, 11 mittels Bondpadmetallisierungen 14, beispielsweise aus Aluminium verbunden werden.

Claims

Thermoelektrischer Sensor mit einem ersten Substrat (1) und einem zweiten Substrat (2), wobei zwischen dem ersten Substrat (1) und dem zweiten Substrat (2) ein Hohlraum (3) gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass eine erste leitfähige Struktur (4) des ersten Substrats (1) und eine zweite leitfähige Struktur (5) des zweiten Substrats (2) in dem Hohlraum (3) angeordnet sind und wobei der Hohlraum (3) mindestens eine Öffnung (6) aufweist.
Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitfähige Struktur (4) ein Heizelement ist und dass die zweite leitfähige Struktur (5) ein Detektorelement ist, wobei das Heizelement eine Fläche aufweist, die einer Fläche des Detektorelements gegenüberliegend angeordnet ist.
Sensor nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die erste leitfähige Struktur (4) über eine freitragende Struktur (7) mit dem ersten Substrat (1) verbunden ist und/oder dass die zweite leitfähige Struktur (5) über eine weitere freitragende Struktur (7') mit dem zweiten Substrat (2) verbunden ist, wobei vorzugsweise die erste leitfähige Struktur (4) und/oder die zweite leitfähige Struktur (5) selbst als freitragende Strukturen (7, 7') ausgeführt sind.
Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das erste Substrat (1) und/oder das zweite Substrat (2) mindestens eine thermisch isolierende Schicht (8) aufweist, wobei vorzugsweise die erste leitfähige Struktur (4) und/oder die zweite leitfähige Struktur (5) auf der thermisch isolierenden Schicht (8) aufgebracht sind.
Sensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die thermisch isolierende Schicht (8) des zweiten Substrats (2) einen Verbindungsbereich (9) aufweist, wobei der Verbindungsbereich (9) durch anodisches Bonden mit dem ersten Substrat (1) verbunden ist und wobei vorzugsweise die zweite leitfähige Struktur (5) elektrisch leitend mit dem ersten Substrat (1) verbunden ist.
Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass Kontakte (10, 11) der ersten leitfähigen Struktur (4) und/oder der zweiten leitfähigen Struktur (5) durch das erste Substrat (1) hindurch zu einer Rückseite (12) des ersten Substrats (1) geführt sind.
Sensor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Öffnung (6) des Hohlraums (3) in dem ersten Substrat (1) und/oder in dem zweiten Substrat (2) und/oder in dem Verbindungsbereich (9) gebildet ist.
Verfahren zur Herstellung eines thermoelektrischen Sensors, dadurch gekennzeichnet, dass zunächst auf einem ersten Substrat (1) eine erste leitfähige Struktur (4) erzeugt wird und auf einem zweiten Substrat (2) eine zweite leitfähige Struktur (5) erzeugt wird, wobei danach das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (2) zur Bildung eines Hohlraums (3) zusammengefügt werden, so dass sich die erste leitfähige Struktur (4) und die zweite leitfähige Struktur (5) in dem Hohlraum (3) befinden, wobei mindestens eine Öffnung (6) des Hohlraums (3) hergestellt wird, vorzugsweise vor und/oder während und/oder nach dem Zusammenfügen.
Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass eine freitragende Struktur (7, 7') an dem ersten Substrat (1) und/oder an dem zweiten Substrat (2) erzeugt wird, vorzugsweise durch die Prozessschritte – Abscheiden einer Opferschicht, – Abscheiden einer Funktionsschicht, – Strukturieren der Funktionsschicht und – Ätzen der Opferschicht, wobei die erste leitfähige Struktur (4) und/oder die zweite leitfähige Struktur (5) auf der freitragenden Struktur (7, 7') aufgebracht wird, vorzugsweise durch Dotieren der Funktionsschicht vor dem Strukturieren oder durch Aufbringen einer Metallschicht, oder wobei die jeweilige freitragende Struktur (7, 7') selbst als erste oder zweite leitfähige Struktur (4, 5) ausgebildet wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer thermisch isolierenden Schicht (8) des ersten Substrats (1) die erste leitfähige Struktur (4) und/oder auf einer thermisch isolierenden Schicht (8) des zweiten Substrats (2) die zweite leitfähige Struktur (5) erzeugt wird, vorzugsweise durch die Prozessschritte – Abscheiden einer Metallschicht und – Strukturieren der Metallschicht.
Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass ein Verbindungsbereich (9) der thermisch isolierenden Schicht (8) des zweiten Substrats (2) durch anodisches Bonden mit dem ersten Substrat (1) verbunden wird, wobei vorzugsweise die zweite leitfähige Struktur (5) elektrisch leitend mit dem ersten Substrat (1) verbunden wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass von einer Rückseite (12) des ersten Substrats (1) Kontakte (10, 11) der ersten leitfähigen Struktur (4) und/oder der zweiten leitfähigen Struktur (5) durch Trenchprozesse hergestellt werden, wonach vorzugsweise die Rückseite (12) mit einem Rückseiten-Refill-Oxid (13) versehen wird und Bondpadmetallisierungen (14), vorzugsweise aus Aluminium mit den Kontakten (10, 11) verbunden werden.