DE102005017816A1 - Electro ceramic element such as a resistive layer having a PTC characteristic is formed by thermal spraying of PTC particles onto a carrier base - Google Patents
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Abstract
Description
Es wird ein elektrokeramisches Bauelement mit einer Widerstandsschicht angegeben.It becomes an electroceramic device with a resistance layer specified.
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Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein elektrisches Bauelement mit niedrigen thermischen Verlusten anzugeben.A to be solved Task is to provide an electrical device with low indicate thermal losses.
Gemäß einer ersten Ausführungsform wird ein elektrisches Bauelement mit einem elektrisch leitfähigen Trägersubstrat angegeben, das mit einer Widerstandsschicht aus einer PTC-Keramik (PTC = positive temperature coefficient) beschichtet ist. Die Kaltleiter-Keramikschicht kann also unmittelbar auf der Oberfläche des Trägersubstrats vorzugsweise mittels eines thermischen Spritzens erzeugt werden.According to one first embodiment becomes an electrical component with an electrically conductive carrier substrate indicated that with a resistive layer of a PTC ceramic (PTC = positive temperature coefficient) is coated. The PTC ceramic layer can therefore directly on the surface of the carrier substrate, preferably by means of a thermal spraying are generated.
Die PTC-Keramik wird im Folgenden auch als eine Kaltleiter-Keramik bezeichnet.The PTC ceramic is also referred to below as a PTC ceramic.
Gemäß einer zweiten Ausführungsform wird ein elektrisches Bauelement mit einem Trägersubstrat angegeben, auf dessen Oberfläche durch thermisches Spritzen eine Kaltleiter-Keramikschicht erzeugt ist. Diese Kaltleiter-Keramikschicht kann in einer ersten bevorzugten Variante Bariumtitanat enthalten. Die Kaltleiter-Keramikschicht kann in einer zweiten bevorzugten Variante Vanadiumoxid enthalten. Das Trägersubstrat ist vorzugsweise elektrisch leitfähig.According to one second embodiment an electrical component is specified with a carrier substrate, on its surface produced by thermal spraying a PTC ceramic layer is. This PTC ceramic layer may, in a first preferred Variant barium titanate included. The PTC ceramic layer may contain vanadium oxide in a second preferred variant. The carrier substrate is preferably electrically conductive.
Nachstehend werden die Bauelemente gemäß einer ersten und einer zweiten Ausführungsform und deren vorteilhafte Ausgestaltungen erläutert sowie ein Herstellungsverfahren angegeben.below be the components according to a first and a second embodiment and explained their advantageous embodiments and a manufacturing method specified.
Das hier angegebene elektrische Bauelement mit einer das Trägersubstrat und die keramische Beschichtung umfassenden Funktionseinheit ist insbesondere als Heizelement eines Heizgeräts oder als Überlastschutz geeignet.The here specified electrical component with a carrier substrate and the functional unit comprising ceramic coating is in particular as a heating element of a heater or as overload protection suitable.
Die funktionsrelevanten Parameter der Funktionseinheit wie der Raumtemperaturwiderstand (R25) und die Bezugstemperatur (TB) werden u. a. durch die Beschaffenheit und die Dicke der Keramikschicht bestimmt. Unter der Bezugstemperatur wird eine Temperatur verstanden, bei deren Überschreitung der spezifische Widerstand der Keramikschicht sprunghaft ansteigt. Die Bezugstemperatur wird auch Curie-Temperatur genannt. Mit dem thermischen Spritzen gelingt es, die Struktur der Keramikschicht mit einer hohen Genauigkeit zu reproduzieren und daher auch die Werte von R25 und TB sowie einen vorgegebenen, vorzugsweise niedrigen spezifischen Widerstand der Keramikschicht sehr genau, d. h. mit nur geringfügigen Toleranzfehlern einzustellen.The function-relevant parameters of the functional unit, such as the room temperature resistance (R 25 ) and the reference temperature (T B ) are determined inter alia by the nature and the thickness of the ceramic layer. The reference temperature is understood to be a temperature beyond which the specific resistance of the ceramic layer increases abruptly. The reference temperature is also called Curie temperature. With the thermal spraying, it is possible to reproduce the structure of the ceramic layer with a high degree of accuracy and therefore to adjust the values of R 25 and T B as well as a predetermined, preferably low specific resistance of the ceramic layer very precisely, ie with only slight tolerance errors.
Unter thermischem Spritzen wird ein Spritzverfahren verstanden, bei dem aus einer Spritzdüse ein Beschichtungspulver mit einer Temperatur von mindestens 800°C austritt.Under Thermal spraying is understood to mean a spraying process in which from a spray nozzle Coating powder at a temperature of at least 800 ° C emerges.
Unter einem elektrisch leitfähigen Material wird ein Material verstanden, das zumindest halbleitend ist. Das Material des Trägersubstrats ist vorzugsweise ausgewählt aus Metallen wie z. B. Al, Cu, Ni, Ti, Au, Ag, W, Mg, einer Al-, Cu, Ti-, Mg-, Cr-Ni-Legierung und/oder halbleitenden Materialien wie z. B. Silizium, Siliziumcarbid oder anderen Carbiden oder Siliciden.Under an electrically conductive Material is understood as a material that is at least semiconductive is. The material of the carrier substrate is preferably selected made of metals such. Al, Cu, Ni, Ti, Au, Ag, W, Mg, an Al, Cu, Ti, Mg, Cr-Ni alloy and / or semiconducting materials such. As silicon, silicon carbide or other carbides or silicides.
Das Trägersubstrat ist vorzugsweise in Form einer Platte bereitgestellt. Das Trägersubstrat kann z. B. aus einem Metallblech, vorzugsweise einem Al-Blech gefertigt sein.The carrier substrate is preferably provided in the form of a plate. The carrier substrate can z. B. made of a metal sheet, preferably an Al sheet be.
Auf der vom Trägersubstrat abgewandten Seite der Kaltleiter-Keramikschicht kann eine elektrisch leitende Schicht erzeugt werden. Das Trägersubstrat, die elektrisch leitende Schicht und die dazwischen angeordnete Kaltleiter-Keramikschicht bilden eine Funktionseinheit, vorzugsweise ein Heizelement. Die elektrisch leitende Schicht ist vorzugsweise zumindest in ihrem Kontaktbereich lötbar gemacht worden und mit einem an eine Stromquelle anzuschließenden elektrischen Anschluss, z. B. in Form eines Drahtes oder eines Metallstreifens, vorzugsweise mittels einer Lotmasse fest verbunden.On that of the carrier substrate opposite side of the PTC ceramic layer An electrically conductive layer can be produced. The carrier substrate, the electrically conductive layer and the interposed PTC ceramic layer form a functional unit, preferably a heating element. The electrically conductive layer is preferably at least in their Contact area solderable been made and connected to a to be connected to a power source electrical Connection, z. In the form of a wire or a metal strip, preferably firmly connected by means of a solder mass.
Das Trägersubstrat kann selbst als ein elektrischer Anschluss zwischen der Stromquelle und der Kaltleiter-Keramikschicht benutzt werden. In diesem Fall entfällt daher ein auf dem Substrat zusätzlich aufzubringender elektrischer Anschluss zur Kontaktierung des Heizelements.The carrier substrate can itself as an electrical connection between the power source and the PTC ceramic layer can be used. In this case deleted Therefore, a aufzubringender additionally on the substrate electrical connection for contacting the heating element.
Die Kaltleiter-Keramikschicht ist eine Funktionsschicht, die als eine Widerstandsschicht mit einem positiven Temperaturkoeffizienten ausgebildet ist. Die Kaltleiter-Keramikschicht ist von keramischen Schutzschichten oder Katalysatorschichten zu unterscheiden.The PTC ceramic layer is a functional layer formed as a resistive layer having a positive temperature coefficient is. The PTC ceramic layer is to be distinguished from ceramic protective layers or catalyst layers.
Die Kaltleiter-Keramikschicht steht vorzugsweise in einem direkten thermischen und elektrischen Kontakt zum Trägersubstrat, das vorzugsweise elektrisch leitfähig ist. Bei einer guten, vorzugsweise großflächigen thermischen Ankopplung der Keramikschicht an einen metallischen Träger kann die in der Keramikschicht durch einen Stromfluss erzeugte Wärmeenergie von dieser Keramikschicht über den metallischen Träger direkt abgeführt werden. Dadurch können thermische Verluste aufgrund eines geringen thermischen Übergangswiderstands gegenüber einer beispielsweise mittels einer Haftvermittlungsschicht mit einem Substrat verbundenen oder an ein Substrat gepressten Keramikschicht – was durch einen hohen thermischen Übergangswiderstand charakterisiert wird – reduziert werden.The PTC ceramic layer is preferably in a direct thermal and electrical contact to the carrier substrate, which is preferably electrically conductive. In a good, preferably large-area thermal Coupling of the ceramic layer to a metallic carrier can the heat energy generated in the ceramic layer by a current flow from this ceramic layer over the metallic carrier directly discharged become. Thereby can thermal losses due to low thermal contact resistance across from one example by means of a primer layer with a Substrate connected or pressed to a substrate ceramic layer - what by a high thermal contact resistance is characterized - reduced become.
Die Keramikschicht weist als Basiskomponente vorzugsweise Bariumtitanat (BaTiO3) und/oder Vanadiumoxid (V2O3) auf, das durch Dotierung mit einem oder mehreren Elementen leitfähig gemacht ist. Vorteilhafterweise handelt es sich bei den Dotierstoffen um Yttrium und/oder Mangan, wobei der Masseanteil insgesamt beispielsweise weniger als 5%, vorzugsweise weniger als 1% beträgt. Bei Bariumtitanat ist ein Titanüberschuss gegenüber einer stöchiometrischen Zusammensetzung von BaTiO3 zur Einstellung der elektrischen Leitfähigkeit der Keramikschicht von Vorteil. Die elektrische Leitfähigkeit kann auch durch einen Titanmangel eingestellt werden.The ceramic layer preferably has barium titanate (BaTiO 3 ) and / or vanadium oxide (V 2 O 3 ) as the base component, which is rendered conductive by doping with one or more elements. Advantageously, the dopants are yttrium and / or manganese, the total mass fraction being for example less than 5%, preferably less than 1%. For barium titanate, an excess of titanium over a stoichiometric composition of BaTiO 3 is advantageous for adjusting the electrical conductivity of the ceramic layer. The electrical conductivity can also be adjusted by a titanium deficiency.
Das Keramikmaterial kann ferner einen oder mehrere Zusätze enthalten. Diese Zusätze können Kalzium, Strontium und/oder Blei sein. Es ist vorteilhaft, wenn die genannten Zusätze insgesamt weniger als 50 Gew.-%, in einer vorteilhaften Variante weniger als 10 Gew.-% betragen.The Ceramic material may further include one or more additives. These accessories can calcium, Strontium and / or lead. It is advantageous if the mentioned additions total less than 50 wt .-%, in an advantageous variant less than 10 wt .-% amount.
Die leitfähige Keramikschicht wird vorzugsweise in einer Dicke aufgetragen, die einen Wert von 1 mm nicht übersteigt. Insbesondere ist es möglich, mittels des thermischen Spritzens Kaltleiter-Keramikschichten in einer Dicke zwischen 10 μm und 1 mm zu erzeugen. Die Dicke und die Gesamtmasse der Kaltleiter-Keramikschicht ist in diesem Fall gegenüber herkömmlichen Kaltleiter-Keramikschichten wesentlich kleiner, daher ist z. B. bei Heizeranwendungen aufgrund der geringen keramischen Masse der thermische Wirkungsgrad deutlich höher und der elektrische Leistungseintrag geringer. Aufgrund der geringen Schichtdicke und des großflächigen direkten thermischen Kontaktes zwischen dem Substrat und der Keramikschicht ist eine konstante Leistungsabfuhr möglich. Aufgrund der geringen Schichtdicken besteht außerdem ein großes Einsparungspotential des Keramikmaterials.The conductive Ceramic layer is preferably applied in a thickness, the does not exceed 1 mm. In particular, it is possible by means of of thermal spraying of PTC ceramic layers in a thickness between 10 μm and 1 mm to produce. The thickness and the total mass of the PTC ceramic layer is opposite in this case usual PTC ceramic layers much smaller, so z. B. in heater applications due the low ceramic mass of the thermal efficiency significantly higher and the electric power input lower. Due to the low Layer thickness and the large area direct thermal contact between the substrate and the ceramic layer is a constant power dissipation possible. Due to the low Layer thickness also exists a big Saving potential of the ceramic material.
Die Schichtdicke der Keramikschicht ist durch Verfahrensbedingungen beim thermischen Spritzen, insbesondere durch eine geeignet ausgewählte Spritzdauer einstellbar. Damit kann je nach Anwendung die optimale Schichtdicke realisiert werden.The Layer thickness of the ceramic layer is determined by process conditions during thermal spraying, in particular by a suitably selected injection duration adjustable. Thus, depending on the application, the optimum layer thickness will be realized.
Das thermische Spritzen kann vorzugsweise so durchgeführt werden, dass unmittelbar im Laufe des thermischen Spritzens eine gleichmäßige elektrisch leitfähige Keramikbeschichtung mit vorgegebenen Eigenschaften auf dem Substrat erzeugt wird, und daher die Formgebung und die Sinterung der Keramikschicht entfallen kann.The thermal spraying may preferably be carried out that immediately in the course of thermal spraying a uniform electrical conductive Ceramic coating with given properties on the substrate is generated, and therefore the shaping and sintering of the ceramic layer can be omitted.
Das thermische Spritzen ist besonders gut dazu geeignet, großflächige Keramikschichten mit einer gleichmäßigen Dicke und einer homogenen Beschaffenheit zu erzeugen.The Thermal spraying is particularly well suited to large ceramic layers with a uniform thickness and to produce a homogeneous texture.
Ein Trägersubstrat kann z. B. in Form einer Spirale oder eines Mäanders strukturiert sein. Es ist möglich, anstatt nur eines Trägersubstrats mehrere voneinander unabhängige, vorzugsweise in der Draufsicht wabenförmige Trägersubstrate zu verwenden, die mittels der leitfähigen, vorzugsweise großflächig ausgebildeten, thermisch gespritzten Keramikschicht miteinander zu verbinden sind. Die Keramikschicht bildet also eine Brücke zwischen den Trägersubstraten. Die Trägersubstrate sind vorzugsweise in einem geringen Abstand voneinander angeordnet. Die Keramikschicht bedeckt dabei zumindest einen Bereich des jeweiligen Trägersubstrats. Der Verbund der Keramikschicht und der Trägersubstrate bildet eine Funktionseinheit, die z. B. als ein Heizregisteraufbau geeignet ist. Die thermisch gespritzte keramische Kaltleiterschicht verbindet die voneinander beabstandete Trägersubstrate miteinander vorzugsweise direkt, d. h. ohne eine haftvermittelnde Zwischenschicht zwischen der Keramikschicht und den Substraten. Somit ist eine gute thermische Anbindung der Keramikschicht an die Trägersubstrate sichergestellt.One carrier substrate can z. B. be structured in the form of a spiral or a meander. It is possible, instead of just a carrier substrate several independent, preferably in plan view to use honeycomb carrier substrates, by means of the conductive, preferably formed over a large area, thermally sprayed ceramic layer are to be connected together. The ceramic layer thus forms a bridge between the carrier substrates. The carrier substrates are preferably arranged at a small distance from each other. The Ceramic layer covers at least a portion of the respective Carrier substrate. The composite of the ceramic layer and the carrier substrates forms a functional unit, the z. B. is suitable as a Heizregisteraufbau. The thermal injected ceramic PTC thermistor connects the one another spaced support substrates preferably with each other directly, d. H. without an adhesive Intermediate layer between the ceramic layer and the substrates. Thus, a good thermal connection of the ceramic layer to the carrier substrates ensured.
Bei der Herstellung der Keramikschicht mittels des thermischen Spritzens können die Trägersubstrate auf einer Unterlage angeordnet sein. Die Keramikschicht wird dann sowohl auf die Trägersubstrate als auch auf die Unterlage aufgetragen.at the production of the ceramic layer by means of thermal spraying can the carrier substrates be arranged on a base. The ceramic layer is then both on the carrier substrates as well as applied to the substrate.
Es ist im Prinzip möglich, aber nicht notwendig, die Unterlage vom Verbund der Keramikschicht und der Trägersubstrate abzulösen, wobei die Keramikschicht vorzugsweise selbsttragend und ausreichend mechanisch stabil ausgebildet ist. Zwei voneinander beabstandete Trägersubstrate können als zwei verschiedene Anschlüsse der Funktionseinheit benutzt werden.It is possible in principle but not necessary, the underlay from the composite of the ceramic layer and the carrier substrates replace, wherein the ceramic layer is preferably self-supporting and sufficient is formed mechanically stable. Two spaced apart carrier substrates can as two different connections the functional unit used.
Die Keramikschicht kann unter Verwendung einer Maske strukturiert werden. Sie kann beispielsweise zu unabhängigen Streifen strukturiert sein, die jeweils die Trägersubstrate miteinander verbinden. Durch die Verwendung einer Maske kann beim thermischen Spritzen des keramischen Kaltleiters auf das vorzugsweise metallische Trägersubstrat ein Muster, z. B. eine Spirale oder ein Mäander zur Vergrößerung der effektiven Weglänge des Stromflusses erzeugt und somit die Heizleistung pro Fläche gesteigert werden.The ceramic layer can be patterned using a mask. You can, for example wise be structured into independent stripes that connect each other, the carrier substrates. By the use of a mask can during thermal spraying of the ceramic PTC thermistor on the preferably metallic carrier substrate, a pattern, for. B. a spiral or a meander to increase the effective path length of the current flow generated and thus the heating power per area can be increased.
Eine keramische Kaltleiterschicht kann die folgenden Eigenschaften aufweisen: spezifischer elektrischer Widerstand bei Raumtemperatur zwischen 1 Ω cm und 500 kΩ cm, die Bezugstemperatur zwischen 0 und 350°C. In einer bevorzugten Variante beträgt der spezifische Widerstandswert zwischen 10 Ω cm und 150 kΩ cm und/oder die Bezugstemperatur zwischen 80 und 220°C. Der Temperaturkoeffizient des elektrischen Widerstandes im Bereich der Curie-Temperatur des Materials liegt dabei typischerweise zwischen 0,05 und 0,35/K, vorzugsweise zwischen 0,1 und 0,2/K. Unter einem Temperaturkoeffizienten α des elektrischen Widerstandes R wird eine Kennliniensteigung verstanden, wobei T die Temperatur ist.A ceramic PTC thermistor layer can have the following properties: specific electrical resistance at room temperature between 1 Ω cm and 500 kΩ cm, the reference temperature between 0 and 350 ° C. In a preferred variant, the specific resistance value between 10 Ω cm and 150 kΩ cm and / or the reference temperature between 80 and 220 ° C. The temperature coefficient of the electrical resistance in the region of the Curie temperature of the material is typically between 0.05 and 0.35 / K, preferably between 0.1 and 0.2 / K. Under a temperature coefficient α of the electrical resistance R is a characteristic slope understood, where T is the temperature.
Es ist beispielsweise möglich, die keramische Kaltleiterschicht mit den oben genannten Eigenschaften direkt auf ein Trägersubstrat aus Metall (z. B. Aluminium) aufzubringen.It is possible, for example, the ceramic PTC thermistor layer with the above properties directly onto a carrier substrate made of metal (eg aluminum).
Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektrokeramischen Bauelements angegeben. Es wird ein zur Bildung einer Kaltleiter-Keramikschicht geeignete Keramikpartikel enthaltendes Beschichtungspulver bereitgestellt, das zur Bildung einer Kaltleiter-Keramikschicht auf ein elektrisch leitfähiges Trägersubstrat durch thermisches Spritzen aufgetragen wird.Further is a method for producing an electroceramic device specified. It is a to form a PTC ceramic layer provided suitable ceramic particles containing coating powder, to form a PTC ceramic layer on an electrical conductive carrier substrate is applied by thermal spraying.
Das Aufbringen des keramischen Beschichtungspulvers auf das Trägersubstrat zur Erzeugung einer Kaltleiter-Keramikschicht erfolgt vorzugsweise mittels einer der Methoden der Verfahrensgruppe des thermischen Spritzens (verschiedene Varianten vom Plasmaspritzen, Detonationsspritzen, Hochgeschwindigkeitsflammspritzen – HVOF). Eine so hergestellte Keramikschicht weist vorzugsweise eine ferroelektrische Perowskitstruktur auf.The Applying the ceramic coating powder to the carrier substrate to produce a PTC ceramic layer is preferably carried out by means one of the methods of the process group of thermal spraying (different variants of plasma spraying, detonation spraying, High velocity flame spraying - HVOF). Such a made Ceramic layer preferably has a ferroelectric perovskite structure on.
Das Beschichtungspulver kann in einer Variante als ein agglomerierte Keramikpartikel in Form von Granalien enthaltendes Keramikpulver vorhanden sein. Das Beschichtungspulver kann alternativ als ein Granalien aus miteinander versinterten Keramikpartikeln enthaltendes Keramik-Granulatpulver zur Verfügung stehen.The Coating powder may in one variant be agglomerated Ceramic particles in the form of granules containing ceramic powder to be available. The coating powder may alternatively be used as a Containing granules of ceramic particles sintered together Ceramic granules powder available stand.
Unter einem Keramikkorn ist eine Granalie aus agglomerierten, nicht versinterten Keramikpartikeln oder eine versinterte Keramik-Granalie zu verstehen.Under A ceramic grain is a granule of agglomerated, not sintered Ceramic particles or a sintered ceramic Granalie to understand.
Es ist von Vorteil, wenn das Beschichtungspulver, ob nicht versintertes Keramik-Granulat oder versintertes Keramik-Granulat, eine Korngröße zwischen 5 und 250 μm aufweist.It is beneficial if the coating powder, whether not sintered Ceramic granules or sintered ceramic granules, a grain size between 5 and 250 μm having.
Die Keramikkorngröße ist vorzugsweise an das für die jeweilige Anwendung bevorzugte Verfahren aus der Verfahrensgruppe des thermischen Spritzens angepasst. Die Korngröße kann in einer vorteilhaften Variante zwischen 10 und 45 μm gewählt sein.The Ceramic grain size is preferable to that for the respective application preferred method from the process group adapted to the thermal spraying. The grain size can be in a favorable Variant between 10 and 45 μm chosen be.
Die offene Porosität des Beschichtungspulvers oder des Granulatpulvers kann zwischen 3 und 40 Vol.-%, in einer Variante zwischen 5 und 30 Vol.-% betragen. Unter der offenen Porosität ist ein Verhältnis des leeren Volumens zum Gesamtvolumen des Pulvers zu verstehen. Das leere Volumen umfasst die Zwischenräume zwischen den Granalien, aber auch offene Poren der Keramik-Granalien.The open porosity of the coating powder or granule powder may be between 3 and 40 vol .-%, in a variant between 5 and 30 vol .-% amount. Under the open porosity is a relationship to understand the empty volume to the total volume of the powder. The empty volume comprises the spaces between the granules, but also open pores of ceramic granules.
Die Herstellung des Pulvers kann durch verschiedene Verfahrensschritte durchgeführt werden, wie beispielsweise mittels Agglomeration durch Sprühtrocknung. Eine anschließende Sinterung des Granulates ist ebenfalls von Vorteil. Das als Granulat vorliegendes Beschichtungspulver muss aber nicht unbedingt vorgesintert sein. Es ist möglich, das Keramikpulver aus losen Keramikpartikeln vorzusintern. Beim Vorsintern der Keramikkörner werden elektrisch leitfähige Keramikkörner erzeugt, wohingegen nicht vorgesinterte Keramikkörner erst im Laufe des thermischen Spritzens zu einer leitfähigen Keramikschicht verarbeitet werden.The Production of the powder can be achieved by various process steps carried out be such as by agglomeration by spray drying. A subsequent one Sintering of the granules is also advantageous. The present as granules However, coating powder does not necessarily have to be pre-sintered. It is possible, Pre-sinter the ceramic powder from loose ceramic particles. At the Pre-sintering of the ceramic grains become electrically conductive ceramic grains whereas non-pre-sintered ceramic grains do not form during the course of the thermal process Splashing to a conductive Ceramic layer to be processed.
Beim thermischen Spritzen beträgt die Temperatur des Beschichtungspulvers beim Verlassen einer Spritzöffnung mindestens 800°C. In einer Variante wird beim thermischen Spritzen ein vorgesinterte Keramikpartikel umfassendes Beschichtungspulver bei einer Temperatur von mindestens 800°C aus einer Spritzöffnung abgesondert. In einer weiteren Variante wird beim thermischen Spritzen ein nicht vorgesintertes Beschichtungspulver bei einer Temperatur zwischen 1100°C und 1400°C aus einer Spritzöffnung abgesondert.At the thermal spraying is the temperature of the coating powder when leaving a spray opening at least 800 ° C. In In a variant, the thermal spraying involves a presintered ceramic particle comprehensive coating powder at a temperature of at least 800 ° C off a spray opening apart. In a further variant, the thermal spraying a non-presintered coating powder at a temperature between 1100 ° C and 1400 ° C from a spray opening apart.
Im folgenden wird das Vorsintern eines Beschichtungspulvers beschrieben. Die Sinterung von Keramikkörnern erfolgt vorzugsweise in Kapseln aus einem feuerfesten Material bei einer Temperatur, die zwischen 800 und 1400°C liegt. Während dieses Sinterprozesses bildet sich eine u. a. durch Verfahrensparameter wie Sinterdauer, Sintertemperatur und Sinteratmosphäre bestimmte Mikrostruktur der Keramikkörner aus, welche vorgegebene elektrische Eigenschaften wie Raumtemperaturwiderstand, Bezugstemperatur, Heißwiderstand, Widerstandsanstieg oder Spannungsfestigkeit einer aus den Keramikkörnern herzustellenden Kaltleiter-Keramikschicht gewährleistet.In the following, pre-sintering of a coating powder will be described. The sintering of ceramic grains is preferably carried out in capsules of a refractory material at a temperature which is between 800 and 1400 ° C. During this sintering process, one forms, inter alia, by process parameters such as sintering time, sintering temperature and Sintering atmosphere certain microstructure of the ceramic grains, which ensures predetermined electrical properties such as room temperature resistance, reference temperature, hot resistance, resistance increase or dielectric strength to be produced from the ceramic grains PTC ceramic layer.
Anschließend werden zwei Ausführungsbeispiele des Verfahrens zur Herstellung des elektrokeramischen Bauelements mit einer Kaltleiter-Keramikschicht behandelt.Then be two embodiments the method for producing the electroceramic device treated with a PTC ceramic layer.
Erstes Ausführungsbeispiel:First embodiment:
Folgende Rohstoffe werden homogenisiert und deagglomeriert: Ba-CO3, SrCO3, CaCO3, SiO2, TiO2, MnCl2, YCl3. Die stöchiometrische Zusammensetzung ist wie folgt: Ba 77,5 Mol-%, Ca 13 Mol-%, Sr 9 Mol-%, Si 2 Mol-%, Y 0,4 Mol-%, Mn 0,1 Mol-% und TiO2 100,1 Mol-%. Die Anteile der Elemente Ba, Sr, Ca, Y und Mn sind in Summe auf 100 Mol-% normiert. Die Anteile TiO2 und SiO2 sind relativ zu diesen 100% angegeben. Diese Ausgangsstoffe werden vermischt und unter Zusatz von organischen Bindern in Wasser dispergiert. Diese Mischung wird als Schlicker bezeichnet.The following raw materials are homogenized and deagglomerated: Ba-CO 3 , SrCO 3 , CaCO 3 , SiO 2 , TiO 2 , MnCl 2 , YCl 3 . The stoichiometric composition is as follows: Ba 77.5 mol%, Ca 13 mol%, Sr 9 mol%, Si 2 mol%, Y 0.4 mol%, Mn 0.1 mol% and TiO 2 100.1 mol%. The proportions of the elements Ba, Sr, Ca, Y and Mn are normalized to 100 mol% in total. The proportions TiO 2 and SiO 2 are given relative to these 100%. These starting materials are mixed and dispersed in water with addition of organic binders. This mixture is called slip.
Der Schlicker wird in einer Filterpresse durch ein Filtertuch gepresst und im Trockenschrank getrocknet. Der Filterrückstand wird bei einer Temperatur von z. B. 1100°C vorzugsweise zwei Stunden lang kalziniert. Das Umsatzgut wird nach Abkühlen gebrochen, gesiebt und danach unter Zusatz von einem organischen Binder in Wasser dispergiert. Die Suspension wird auf eine Korngröße von im Mittel 2,5 μm in einer Ringspaltmühle gemahlen.Of the Slip is pressed through a filter cloth in a filter press and dried in a drying oven. The filter residue is at a temperature from Z. B. 1100 ° C preferably calcined for two hours. The sales will be after cooling down broken, sieved and then with the addition of an organic Binder dispersed in water. The suspension is reduced to a particle size of Mean 2.5 μm in an annular gap mill ground.
Die angegebene Zusammensetzung des Keramikmaterials sowie die angegebenen Parameter wie die Korngröße, die Temperatur und die Sinterdauer sollen aber keine Einschränkung sein.The specified composition of the ceramic material and the specified Parameters such as the grain size, the Temperature and the sintering time should not be a limitation.
Mittels Sprühtrocknung – vorzugsweise in einem Gleichstromverfahren – werden in einer Variante Granalien mit einem mittleren Granaliendurchmesser von 50 μm hergestellt. Die Granalien sind vorzugsweise kugelförmig.through Spray drying - preferably in a DC method - be in a variant granules with a mean granule diameter of Made 50 microns. The granules are preferably spherical.
Die Sinterung des Granulates wird z. B. bei 1350°C für 1 Stunde und einem Abkühlgradienten von 3K/min in einer Luftatmosphäre durchgeführt. Nach der Abkühlung erfolgt eine schonende Mahlung und Fraktionierung des Granulats durch ein Sieb mit einer Siebmaschenweite von 63 μm- und anschließend durch ein Sieb mit einer Siebmaschenweite von 32 μm.The Sintering of the granules is z. B. at 1350 ° C for 1 hour and a cooling gradient of 3K / min in an air atmosphere carried out. To the cooling Gentle grinding and fractionation of the granules takes place through a sieve with a Siebmaschenweite of 63 microns and then by a sieve with a mesh size of 32 microns.
Das so erhaltene Beschichtungspulver mit einer Korngröße im Bereich zwischen 32 und 63 μm wird mit Hilfe einer Detonationsspritzanlage zu einer Kaltleiter-Keramikschicht verarbeitet. Der Spritzabstand, d. h. der Abstand zwischen einer Spritzöffnung und den zu beschichtenden Trägersubstrat, beträgt z. B. 150 mm bei einer Detonationsrate von 6,5 Detonationen pro Sekunde. Eine Detonation ist eine Form einer Explosion, bei der im explodierenden Stoff die Energie freisetzende Reaktionsfront die Schallgeschwindigkeit des explosiven Stoffs übersteigt und eine Stoßfront bildet. Es kann ein Acetylen-Sauerstoffgemisch im Volumenverhältnis von 0,8 verwendet werden. Als Trägersubstrat kann beispielsweise ein Aluminiumblech mit Abmaßen von 100 × 10 × 1 mm verwendet werden. Die so hergestellte Kaltleiterschicht zeichnet sich durch fest miteinander versinterte Partikel bzw. Kristallite aus, die fest mit dem Trägersubstrat verbunden sind.The Coating powder thus obtained having a particle size in the range between 32 and 63 μm with the help of a detonation spray system to a PTC ceramic layer processed. The spray distance, d. H. the distance between one Spray opening and the carrier substrate to be coated, is z. B. 150 mm at a detonation rate of 6.5 detonations per second. A detonation is a form of explosion in which the exploding The energy-releasing reaction front sets the speed of sound of explosive substance and a shock front forms. It can be an acetylene-oxygen mixture in the volume ratio of 0.8 can be used. As a carrier substrate For example, an aluminum sheet with dimensions of 100 × 10 × 1 mm may be used become. The PTC layer produced in this way is characterized firmly sintered together particles or crystallites, the firmly with the carrier substrate are connected.
Die Kaltleiter-Keramikschicht kann zusätzlich z. B. durch Sputtern mit einer elektrisch leitfähigen Schicht beschichtet werden. Die elektrisch leitfähige Schicht kann in allen Varianten entweder aus einer einzigen Schicht z. B. aus Al, Ti oder W bestehen oder aus mehreren Teilschichten aufgebaut sein. Insbesondere kommt im Falle eines Mehrschichtaufbaus die Schichtenfolge Chrom-Nickel-Silber in Betracht.The PTC ceramic layer may additionally z. B. by sputtering with an electrically conductive Layer to be coated. The electrically conductive layer can in all Variants either from a single layer z. B. Al, Ti or W or be composed of several sub-layers. Especially comes in the case of a multi-layer structure, the layer sequence chromium-nickel-silver into consideration.
Der spezifische Raumtemperaturwiderstand und die Bezugstemperatur der so hergestellten Funktionseinheit beträgt in einer Vari ante 10 Ω cm bzw. 80°C, wobei die Schichtdicke der Keramikschicht 300 μm beträgt.Of the specific room temperature resistance and the reference temperature of thus produced functional unit is in a Vari ante 10 Ω cm or 80 ° C, wherein the layer thickness of the ceramic layer is 300 μm.
Zweites Ausführungsbeispiel:Second embodiment:
Folgende Ausgangsstoffe werden homogenisiert und deagglomeriert: BaCO3, CaCO3, SiO2, TiO2, Mn-Acetat, Dy-Acetat. Die Anteile der Elemente Ba, Ca, Dy und Mn sind in Summe auf 100 Mol-% normiert. Die Anteile TiO2 und SiO2 sind relativ zu diesen 100% angegeben. Die stöchiometrische Zusammensetzung ist wie folgt: Ba 84,35 Mol-%, Ca 15 Mol-%, Si 2 Mol-%, Dy 0,5 Mol-%, Mn 0,15 Mol-% und TiO2 100 Mol-%. Diese Ausgangsstoffe werden gemischt und unter Zusatz von einem organischen Binder in Wasser dispergiert.The following starting materials are homogenized and deagglomerated: BaCO 3 , CaCO 3 , SiO 2 , TiO 2 , Mn acetate, Dy acetate. The proportions of the elements Ba, Ca, Dy and Mn are normalized to 100 mol%. The proportions TiO 2 and SiO 2 are given relative to these 100%. The stoichiometric composition is as follows: Ba 84.35 mol%, Ca 15 mol%, Si 2 mol%, Dy 0.5 mol%, Mn 0.15 mol% and TiO 2 100 mol%. These starting materials are mixed and dispersed in water with the addition of an organic binder.
Die Rohstoffsuspension wird anschließend sprühgetrocknet und als Haufwerk bei einer Temperatur von 1150°C für zwei Stunden kalziniert. Das abgekühlte Umsatzgut wird gebrochen, gesiebt und danach unter Zusatz von einem organischen Binder in Wasser dispergiert und auf eine Korngröße von im Mittel 3 μm in einer Ringspaltmühle gemahlen.The Raw material suspension is then spray dried and as a debris at a temperature of 1150 ° C for two Calcined in hours. The cooled Turnover is broken, sieved and then with the addition of one organic binder dispersed in water and to a grain size of on average 3 μm in an annular gap mill ground.
Mittels Sprühtrocknung – vorzugsweise in einem Gleichstromverfahren – werden in einer Variante Granalien mit einem mittleren Granalienndurchmesser von 60 μm hergestellt. Die Granalien sind vorzugsweise kugelförmig.By spray drying - preferably in a DC process - granules are produced in a variant with a mean granule diameter of 60 microns. The granules are in front preferably spherical.
Der organische Binder kann aus den Granalienn in einer Luftatmosphäre bei 500°C ausgetrieben werden.Of the Organic binder can be expelled from the granules in an air atmosphere at 500 ° C.
Das erhaltene Beschichtungspulver wird dann mit einer Vakuum-Plasmaspritzanlage bei einem Rezipientendruck von 350 mbar mit einem Ar-H2-Plasma und einer Plasmaleistung von 45 kW zu einer Schicht mit einer Stärke von rund 150 μm verarbeitet. Als Trä germaterial kann z. B. ein Aluminiumblech mit Abmaßen von 100 × 10 × 1 mm verwendet werden. Die so hergestellte Kaltleiterschicht zeichnet sich durch fest miteinander versinterte Partikel bzw. Kristallite aus, die fest mit dem Trägersubstrat verbunden sind.The coating powder obtained is then processed with a vacuum plasma spray unit at a receiver pressure of 350 mbar with an Ar-H 2 plasma and a plasma power of 45 kW to form a layer having a thickness of about 150 μm. As Trä germaterial can z. As an aluminum sheet with dimensions of 100 × 10 × 1 mm are used. The PTC layer produced in this way is characterized by solidly sintered particles or crystallites which are firmly connected to the carrier substrate.
Die Kaltleiter-Keramikschicht kann zusätzlich z. B. mittels Siebdruck mit einer elektrisch leitfähigen Paste, vorzugsweise Aluminiumpaste beschichtet werden, welche durch eine thermische Behandlung bei 850°C eingebrannt wird.The PTC ceramic layer may additionally z. B. by screen printing with an electrically conductive Paste, preferably aluminum paste, which is coated by a thermal treatment is baked at 850 ° C.
Der spezifische Raumtemperaturwiderstand und die Bezugstemperatur der im zweiten Beispiel hergestellten Funktionseinheit beträgt z. B. 100 Ω cm bzw. 140°C, wobei die Schichtdicke der Keramikschicht 150 μm beträgt.Of the specific room temperature resistance and the reference temperature of In the second example produced functional unit is z. B. 100 Ω cm or 140 ° C, where the layer thickness of the ceramic layer is 150 μm.
Die einzelnen im ersten und zweiten Ausführungsbeispiel angegebenen Verfahrensschritte können in einer beliebigen Kombination miteinander verwendet werden. Beispielweise kann die Kaltleiter-Keramikschicht im ersten Beispiel mit einer einzubrennenden Metallpaste anstatt der aufgesputterten Schichtenfolge beschichtet werden. Umgekehrt kann im zweiten Beispiel auf die Kaltleiter-Keramikschicht eine im ersten Beispiel angegebene Schichtenfolge als eine elektrisch leitfähige Schicht aufgetragen werden.The individual specified in the first and second embodiments Procedural steps can be used in any combination with each other. for example can the PTC ceramic layer in the first example with a metal paste to be burned in instead the sputtered layer sequence are coated. Vice versa can in the second example on the PTC ceramic layer in the first example specified layer sequence as an electrically conductive layer be applied.
Die Kaltleiter-Keramikschicht kann nach dem thermischen Spritzen einer thermischen Nachbehandlung bei einer Temperatur T < 800°C unterzogen werden. Die Dauer einer solchen Nachbehandlung kann z. B. mehrere Stunden betragen. Im Laufe der Nachbehandlung verändert sich die Struktur und daher auch die funktionsrelevanten Eigenschaften wie R25 und TB der Kaltleiter-Keramikschicht. Die Nachbehandlung kann also dazu dienen, die vorgegebenen Werte von R25 und TB einzustellen.The PTC ceramic layer can be subjected to a thermal treatment after thermal spraying at a temperature T <800 ° C. The duration of such a treatment can, for. B. amount to several hours. In the course of the aftertreatment, the structure and therefore also the function-relevant properties such as R 25 and T B of the PTC ceramic layer change. The aftertreatment can therefore serve to set the predetermined values of R 25 and T B.
Das elektrische Bauelement wird nun anhand von Figuren erläutert. Es zeigen:The electrical component will now be explained with reference to figures. It demonstrate:
Auf
der Kaltleiter-Keramikschicht
Die
elektrisch leitfähige
Schicht
Ein
freiliegendes Ende des Trägersubstrats
In
In
In
Die
wabenförmigen
Trägersubstrate
Die
beiden Kaltleiter-Keramikschichten
Die
freiliegenden Enden der Trägersubstrate
- 11
- erste Kaltleiter-Keramikschichtfirst PTC ceramic layer
- 1111
- zweite Kaltleiter-Keramikschichtsecond PTC ceramic layer
- 22
- Trägersubstratcarrier substrate
- 201, 202201 202
- Trägersubstratecarrier substrates
- 203, 204, 205203 204, 205
- wabenförmige Trägersubstrate mit flächigenhoneycomb carrier substrates with flat
- Kontakten auf ihrer dem benachbarten Trägersubstratcontacts on its the adjacent carrier substrate
- zugewandten Seitefacing page
- 2030, 2040, 20502030 2040, 2050
- rechteckig geformte Blechwand (Hohlrohr)rectangular shaped sheet metal wall (hollow tube)
- 2031, 2041, 20512031 2041, 2051
- flächige Kontakte der wabenförmigenflat contacts the honeycomb
- Trägersubstratecarrier substrates
- 2032, 2042, 20522032 2042, 2052
- gefaltetes Blech der wabenförmigenpleated Sheet of honeycomb
- Trägersubstratecarrier substrates
- 2121
- als elektrischer Anschluss dienender Bereich deswhen electrical connection area of the
-
Trägersubstrats
2 carrier substrate2 - 22, 2322 23
- als elektrischer Anschluss dienender Bereich des when electrical connection area of the
-
Trägersubstrats
203 und205 carrier substrate203 and205 - 33
- elektrisch leitfähige Schichtelectrical conductive layer
- 44
- elektrischer Anschluss zur Kontaktierung der elektrischelectrical Connection for contacting the electrical
-
leitfähigen Schicht
3 conductive layer3 - 55
- Unterlagedocument
Claims (29)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005017816A DE102005017816A1 (en) | 2005-04-18 | 2005-04-18 | Electro ceramic element such as a resistive layer having a PTC characteristic is formed by thermal spraying of PTC particles onto a carrier base |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102005017816A DE102005017816A1 (en) | 2005-04-18 | 2005-04-18 | Electro ceramic element such as a resistive layer having a PTC characteristic is formed by thermal spraying of PTC particles onto a carrier base |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE102005017816A1 true DE102005017816A1 (en) | 2006-10-19 |
Family
ID=37055500
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE102005017816A Withdrawn DE102005017816A1 (en) | 2005-04-18 | 2005-04-18 | Electro ceramic element such as a resistive layer having a PTC characteristic is formed by thermal spraying of PTC particles onto a carrier base |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE102005017816A1 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011000904A1 (en) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | Rauschert Hermsdorf GmbH | Electrical resistor i.e. semiconductor resistor, manufacturing method for electrical insulated heating module, involves applying electrical contacts on surfaces of base body by coating of surfaces of body without thermal activation of body |
CN114872335A (en) * | 2022-05-26 | 2022-08-09 | 东莞市仕易陶瓷科技有限公司 | Automobile battery variable resistance protection element and preparation method thereof |
DE102021118569A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Tdk Electronics Ag | NTC sensor and method for manufacturing an NTC sensor |
DE102021118566A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Tdk Electronics Ag | Process for manufacturing NTC sensors |
DE102022112594A1 (en) | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Tdk Electronics Ag | Temperature control circuit, apparatus and method |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2838508A1 (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Resistor with positive temp. coefft. of resistance - based on barium titanate and with inexpensive contacts consisting of aluminium covered with copper applied by flame spraying |
DE2901711A1 (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Electrode coating for ceramic PTC resistor for AC mains - consists of e.g. treated silver applied by plasma injection etc. and soldered leads |
DE68917259T2 (en) * | 1988-11-07 | 1995-01-05 | Ado Electronic Ind Co Ltd | Heater with positive temperature coefficient and method of manufacturing the same. |
-
2005
- 2005-04-18 DE DE102005017816A patent/DE102005017816A1/en not_active Withdrawn
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2838508A1 (en) * | 1978-09-04 | 1980-03-20 | Siemens Ag | Resistor with positive temp. coefft. of resistance - based on barium titanate and with inexpensive contacts consisting of aluminium covered with copper applied by flame spraying |
DE2901711A1 (en) * | 1979-01-17 | 1980-07-31 | Siemens Ag | Electrode coating for ceramic PTC resistor for AC mains - consists of e.g. treated silver applied by plasma injection etc. and soldered leads |
DE68917259T2 (en) * | 1988-11-07 | 1995-01-05 | Ado Electronic Ind Co Ltd | Heater with positive temperature coefficient and method of manufacturing the same. |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JP 04124801 A (Patent Abstracts of Japan) * |
Kaltleiter, Datenbuch 1996, Siemens Matsushita Components, S.158-159 * |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102011000904A1 (en) | 2011-02-24 | 2012-08-30 | Rauschert Hermsdorf GmbH | Electrical resistor i.e. semiconductor resistor, manufacturing method for electrical insulated heating module, involves applying electrical contacts on surfaces of base body by coating of surfaces of body without thermal activation of body |
DE102021118569A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Tdk Electronics Ag | NTC sensor and method for manufacturing an NTC sensor |
DE102021118566A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-19 | Tdk Electronics Ag | Process for manufacturing NTC sensors |
DE102021118569B4 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-26 | Tdk Electronics Ag | NTC sensor and method for manufacturing an NTC sensor |
WO2023001532A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-26 | Tdk Electronics Ag | Ntc sensor and method for producing an ntc sensor |
WO2023001434A1 (en) | 2021-07-19 | 2023-01-26 | Tdk Electronics Ag | Method of manufacturing ntc sensors |
DE102022112594A1 (en) | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Tdk Electronics Ag | Temperature control circuit, apparatus and method |
WO2023222320A1 (en) | 2022-05-19 | 2023-11-23 | Tdk Electronics Ag | Temperature controller circuit, device and method |
CN114872335A (en) * | 2022-05-26 | 2022-08-09 | 东莞市仕易陶瓷科技有限公司 | Automobile battery variable resistance protection element and preparation method thereof |
CN114872335B (en) * | 2022-05-26 | 2024-01-16 | 东莞市仕易陶瓷科技有限公司 | Variable resistor protection element of automobile battery and preparation method |
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