DE102005003889B4 - Method for compensation of disturbance variables, in particular for temperature compensation, and system with disturbance compensation - Google Patents
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Abstract
System (1, 100, 200) mit Störgrößen-Kompensation, welches aufweist: eine Vorrichtung (3, 103, 203) zur Kompensation von das System (1, 100, 200) beeinflussenden Störgrößen, insbesondere zur Temperaturkompensation; und eine weitere Vorrichtung (5, 105) zur Kompensation von durch die Störgrößen-Kompensations-Vorrichtung (3, 103) zusätzlich das System (1, 100, 200) beeinflussenden Störgrößen, wobei die weitere Vorrichtung (5, 105) einen Transistor (140) aufweist, sowie einen Operationsverstärker (142), bei dem ein erster Eingang an einen Steuereingang des Transistors (140) angeschlossen ist, ein Ausgang an den Steuereingang des Transistors (140) rückgekoppelt ist, und ein zweiter Eingang an einen Kollektor des Transistors (140) angeschlossen ist.System (1, 100, 200) with disturbance compensation, comprising: a device (3, 103, 203) for compensation of the system (1, 100, 200) influencing disturbances, in particular for temperature compensation; and a further device (5, 105) for compensating disturbances which additionally influence the system (1, 100, 200) by the disturbance compensation device (3, 103), wherein the further device (5, 105) comprises a transistor (140 ), and an operational amplifier (142) in which a first input to a control input of the transistor (140) is connected, an output to the control input of the transistor (140) is fed back, and a second input to a collector of the transistor (140 ) connected.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Kompensation von Störgrößen, bzw. zur Temperaturkompensation, insbesondere bei nichtlinearen Systemen, und ein System mit Störgrößen-Kompensation.The invention relates to a method for compensation of disturbance variables, or for temperature compensation, in particular in non-linear systems, and a system with disturbance compensation.
In Halbleiter-Bauelementen, insbesondere z. B. bei entsprechenden, integrierten (analogen bzw. digitalen) Rechenschaltkreisen, sowie sonstigen elektrischen Schaltungen, bzw. – allgemeiner – signalverarbeitenden Systemen, insbesondere entsprechenden linearen oder nichtlinearen Systemen, z. B. Filterschaltungen, Digital-Analog-Umsetzern, Verstärkern, Reglern, usw., usw. muss häufig das Problem gelöst werden, entsprechende Störeinflüsse zu kompensieren, z. B. auf Temperaturschwankungen beruhende Störeinflüsse, und/oder andere, modellhaft schwer zu beschreibende externe und/oder interne Störeinflüsse (z. B. nichtlineare temperaturabhängige Prozesseinflüsse, etc., etc.).In semiconductor devices, in particular z. As in corresponding, integrated (analog or digital) arithmetic circuits, and other electrical circuits, or - more generally - signal processing systems, in particular corresponding linear or non-linear systems, for. As filter circuits, digital-to-analog converters, amplifiers, controllers, etc., etc., the problem must often be solved to compensate for such interference, z. B. based on temperature fluctuations disturbing influences, and / or other, hard to describe external and / or internal disturbing influences (eg., Nonlinear temperature-dependent process influences, etc., etc.).
Beispielsweise sind Bandabstandsreferenzschaltungen bekannt, bei welchen versucht wird, die Temperaturabhängigkeit einer Bipolardiodenspannung durch eine proportional zur Absoluttemperatur verlaufende Spannung zu kompensieren (lineares System mit Kompensation erster Ordnung). Mit Hilfe derartiger, herkömmlicher Systeme können Störeinflüsse, z. B. entsprechende temperaturabhängige Störeinflüsse i. A. nur teilweise beseitigt werden – es verbleibt ein nicht-wegkompensierter „Rest”.For example, bandgap reference circuits are known in which it is attempted to compensate for the temperature dependence of a bipolar diode voltage by a voltage proportional to the absolute temperature (first order compensation linear system). With the help of such conventional systems, interference, z. B. corresponding temperature-dependent interference i. A. are only partially eliminated - it remains a non-compensated "remainder".
Die Lösung des o. g. Problems wird weiter erschwert, wenn entsprechende nichtlineare Signal-Übertragungsstrecken vorliegen, und die Störeinflüsse an beliebiger Stelle des Signalpfads eingreifen.The solution of o. G. Problems are further complicated when corresponding non-linear signal transmission paths are present, and the interference influences at any point of the signal path.
Bei linearen/nichtlinearen Systemen liegen – als Eingangsgrößen – ein oder mehrere Eingangssignale vor, die durch das System z. B. (analog) linear oder nichtlinear weiterverarbeitet werden. Als Ausgangsgrößen – bzw. als Ergebnis der Signal-Verarbeitung – werden vom System entsprechend ein oder mehrere Ausgangssignale bereitgestellt. Dabei ist es – insbesondere, um der modellhaften Beschreibung eines idealen linearen/nichtlinearen Systems möglichst nahe zu kommen – wünschenswert, wenn das/die Ausgangssignale möglichst unbeeinflusst von der Systemtemperatur und/oder anderen Störgrößen am Ausgang des linearen/nichtlinearen System erscheinen.In linear / non-linear systems are - as input variables - one or more input signals present, the z. B. (analog) be further processed linear or non-linear. As outputs - or as a result of the signal processing - one or more output signals are provided by the system. In particular, in order to come as close as possible to the model description of an ideal linear / nonlinear system, it is desirable for the output signal (s) to appear as unaffected as possible by the system temperature and / or other disturbances at the output of the linear / nonlinear system.
In der Druckschrift
In der Druckschrift
In der
In der Druckschrift
In der
In der
Die Erfindung hat zur Aufgabe, ein neuartiges Verfahren zur Kompensation von Störgrößen, bzw. zur Temperaturkompensation zur Verfügung zu stellen, und ein neuartiges System mit Störgrößen-Kompensation.The invention has for its object to provide a novel method for the compensation of disturbance variables, or for temperature compensation, and a novel system with disturbance compensation.
Sie erreicht dieses Ziel durch den Gegenstand der Ansprüche 1 und 11.It achieves this goal by the subject matter of
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.Advantageous developments of the invention are specified in the subclaims.
Im folgenden wird die Erfindung anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der beigefügten Zeichnung näher erläutert. In der Zeichnung zeigt:In the following the invention will be explained in more detail with reference to several embodiments and the accompanying drawings. In the drawing shows:
In
Wie aus
Als Ergebnis der Signalverarbeitungsprozesse kann von der Vorrichtung
Bei alternativen, hier nicht dargestellten Varianten können statt einem Einzel-Eingangs-Signal Sin auch mehrere (z. B. zwei, drei oder mehr) Eingangs-Signale Sin verwendet werden, die über mehrere (z. B. zwei, drei oder mehr) der Signal-Leitung
Alternativ oder zusätzlich können von der Vorrichtung
Wie aus
Als Referenz-Signal Sref wird ein als temperaturunabhängig anzusehendes Signal verwendet, z. B. ein von einer Schaltung mit Bandabstandsreferenz erzeugtes Signal.As a reference signal S ref is used as a temperature-independent signal, for. B. a generated by a circuit with band gap reference signal.
Das Referenz-Signal Sref dient dazu, in vernünftiger Art und Weise – insbesondere dimensionslos – eine weiter unten genauer erläuterte – unter Umständen nichtlineare – Übertragungscharakteristik darstellen zu können.The reference signal S ref serves to be able to represent in a reasonable manner-in particular dimensionless-a transmission characteristic which is explained in more detail below-possibly nonlinear.
Gemäß Figur wird das über die o. g. Signal-Leitung
Mit Hilfe des Referenz-Signal-Erzeugungs-Blocks
Die internen Referenz-Signale Sref_a, Sref_b können eine gewisse Temperaturabhängigkeit aufweisen; dies ist für die Funktionsweise der Vorrichtung
Als interne Referenz-Signale Sref_a, Sref_b können von dem Referenz-Signal-Erzeugungs-Block
Wie aus
Im Nichtlinear-Funktions-Block
In der o. g. Funktion f1(T)f2(Sin, Sref_a) kennzeichnet der Funktions-Faktor f1(T) die – bei der Bildung der nichtlinearen Funktion – (zwangsweise) gegebene Temperaturabhängigkeit der internen Signale.In the above-mentioned function f 1 (T) f 2 (S in , S ref_a ), the function factor f 1 (T) characterizes the (forcibly) given temperature dependency of the internal signals during the formation of the nonlinear function.
Beispielsweise ist eine über bipolare Dioden erzeugte nichtlineare Logarithmierung über die Temperaturspannung kT/q temperaturabhängig (wobei k die Boltzmannkonstante ist, T die absolute Temperatur, und q die Elementarladung).For example, nonlinear logarithmization generated via bipolar diodes across the temperature voltage kT / q is temperature dependent (where k is the Boltzmann constant, T is the absolute temperature, and q is the elementary charge).
Der o. g., die Temperaturabhängigkeit – allgemein – kennzeichnende Funktions-Faktor f1(T) wird im Allgemeinen durch eine mathematisch nur relativ schwer modellierbare Funktion definiert.The above-mentioned, the temperature dependence - generally - characteristic function factor f 1 (T) is generally defined by a mathematically relatively difficult to model function.
Je größer der jeweils betrachtete Temperaturbereich ist, desto höher kann die Komplexität der dem Funktions-Faktor f1(T) zugrundeliegenden Funktion sein.The larger the respective temperature range considered, the higher the complexity of the function underlying the function factor f 1 (T) can be.
Beim o. g. – als Beispiel genannten – Fall einer mit Hilfe der Verwendung von bipolaren Dioden erreichten Logarithmierung gilt (bei relativ geringen Temperaturen, bzw. relativ geringen Betriebsströmen): f1(T) = kT/q In the above-mentioned case of a logarithmization achieved with the aid of the use of bipolar diodes, the following applies (at relatively low temperatures or relatively low operating currents): f 1 (T) = kT / q
Mit anderen Worten wird in diesem Fall also der die Temperaturabhängigkeit kennzeichnende Funktions-Faktor f1(T) der o. g., den im Nichtlinear-Funktions-Block
Bei höheren Betriebsströmen sind zusätzlich die Bahnwiderstände zu berücksichtigen, so dass sich f1(T) in diesem Fall weiter verkomplizieren kann.In the case of higher operating currents, the track resistances must also be taken into account, so that f 1 (T) can be further complicated in this case.
Zur Kompensation der – durch den Funktions-Faktor f1(T) beschriebenen – Temperaturabhängigkeit des vom Nichtlinear-Funktions-Block
Um – alleine mit Hilfe des Kompensationsblocks
Wie weiter unten anhand der im folgenden unter Bezugnahme auf die
Diese Einfluss-Faktoren sind temperaturabhängig, und aufgrund der Tatsache, dass die o. g. Umkehr-Funktion 1/f1(T) nicht unmittelbar exakt aus der o. g. Funktion f1(T) abgeleitet werden kann, auch von weiteren – ihrerseits temperaturabhängigen –, durch eine Funktion Θ(T) beschreibbaren Störeinflüssen abhängig.These influencing factors are temperature-dependent, and due to the fact that the above-mentioned
Die Störeinflüsse bzw. Störparameter Θ sind in der Regel systemimmanent, und hängen mit der Realisierung des Systems zusammen.The disturbing influences or interference parameters Θ are generally inherent in the system and are connected with the realization of the system.
Störeinfluss bzw. Störparameter kann z. B. die Bipolarstromverstärkung sein, welche temperaturabhängig, prozessabhängig, (relativ stark) nichtlinear, und schwer analytisch darstellbar ist.Disturbing or disturbing parameters can z. B. be the Bipolarstromverstärkung, which is temperature-dependent, process-dependent, (relatively strong) non-linear, and difficult to represent analytically.
Wie aus
Dem weiteren Signalverarbeitungs-Block
Im Signalverarbeitungs-Block
In dieser zur Störeinfluss-Funktion k(T, Θ(T)) umgekehrten Funktion 1/k(T, Θ(T)) ist vorteilhaft der o. g., in der den im Nichtlinear-Funktions-Block
Der/die zum Funktions-Faktor f1(T) führende(n) physikalische(n) Effekt(e) ist/sind also von den o. g., durch die nichtlineare Funktion k(T, Θ(T)) beschreibbaren Stör-Einfluss-Faktoren entkoppelt.The physical effect (s) leading to the function factor f 1 (T) is / are therefore dependent on the above-mentioned disturbance influencing factors which can be described by the nonlinear function k (T, Θ (T)). Factors decoupled.
Als Beispiel hierfür kann z. B. die Temperaturspannung einer Bipolardiode und die Stromverstärkung eines Bipolartransistors angegeben werden, die grundsätzlich unterschiedlichen physikalischen Gesetzmäßigkeiten unterliegen.As an example, z. B. the temperature voltage of a bipolar diode and the current gain of a bipolar transistor are given, which are fundamentally subject to different physical laws.
Das – als Ergebnis des im Signalverarbeitungs-Block
Mit dem im Kompensations-Block
Wesentlich ist die Verwendung einer – möglichst einfachen –, im Vergleich zur (unbekannten), die Temperaturabhängigkeit des im Nichtlinear-Funktions-Block
In
Die Schaltungsanordnung
Wie aus
Der Drain-Source-Pfad der Transistoren
Das Gate des Transistors
Die Emitter der Transistoren
An der Leitung
Die Transistoren
Die von der Schaltungsanordnung
Zur Kompensation der Temperaturabhängigkeit dient der die Funktion des in
Die – durch den Schaltungsteil
Wie aus
Des weiteren ist die Basis des Transistors
Der Kollektor des Transistors
Auf entsprechend ähnliche Weise ist der Kollektor des Transistors
Die Emitter der Transistoren
Um – alleine mit Hilfe des Schaltungsteils
Dies ist nur näherungsweise der Fall; die Verwendung des o. g. Kompensations-Schaltungsteils
Diese Einfluss-Faktoren sind temperaturabhängig, und aufgrund der Tatsache, dass die o. g. Umkehr-Funktion 1/f1(T) nicht unmittelbar exakt aus der o. g. Funktion f1(T) abgeleitet werden kann, auch von weiteren – ihrerseits temperaturabhängigen –, durch eine Funktion Θ(T) beschreibbaren Störeinflüssen abhängig.These influencing factors are temperature-dependent, and due to the fact that the above-mentioned
Da die o. g., an den Leitungen
Hierdurch ist es möglich, die o. g. (durch den Schaltungsteil
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel stehen die – durch die o. g. Funktion Θ(T) beschreibbaren – Störeinflüsse in direktem Zusammenhang mit der Stromverstärkung.In the present embodiment are the - by the o. G. Function Θ (T) writable - Interference directly related to the current gain.
Es gilt nämlich:
Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel wird – wie aus
Der Kollektor des Transistors
Des weiteren ist ein Operationsverstärker
Der Ausgang des Operationsverstärkers
Der Emitter des Transistors
Auf entsprechend ähnliche – spiegelbildliche – Weise ist die o. g. (Ausgangs-)Leitung
Die Gates der Transistoren
Bei der Darstellung oben ist – lediglich beispielhaft – als zu kompensierender Störeinfluß Θ die Stromverstärkung angeführt worden. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, unter Verwendung des oben erläuterten Kompensations-Prinzips auch beliebige andere, nichtlineare temperaturabhängige Störeinflüsse wie z. B. Early-Effekte, etc. zu kompensieren.In the illustration above, the current gain has been cited as an example of the interference to be compensated-merely by way of example. Alternatively or additionally, it is possible, using the above-explained compensation principle, any other non-linear temperature-dependent interference such. B. early effects, etc. to compensate.
In
Die Schaltungsanordnung
Wie aus
Die von der Schaltungsanordnung
Zur Kompensation der Temperaturabhängigkeit dient der die Funktion des in
Wie aus
Der Kollektor des Transistors
Entsprechend ähnlich ist der Kollektor des Transistors
Die Emitter der Transistoren
Wie aus
Die Basis des Transistors
Des weiteren ist der Kollektor des Transistors
Der – die Funktion des in
Der Kollektor des Transistors
Des weiteren ist im Schaltungsteil
Der Ausgang des Operationsverstärkers
Der Emitter des Transistors
Auf entsprechend ähnliche – spiegelbildliche – Weise ist die o. g. – mit den Emittern der Transistoren
Die Gates der Transistoren
Mit der in
Wie aus
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 11
- Vorrichtungcontraption
- 22
- Nichtlinear-Funktions-BlockNon-linear function block
- 33
- Kompensations-BlockCompensation block
- 44
- Referenz-Signal-Erzeugungs-BlockReference signal generation block
- 55
- Signalverarbeitungs-BlockSignal processing block
- 66
- Signal-LeitungSignal line
- 77
- Signal-LeitungSignal line
- 88th
- Signal-LeitungSignal line
- 99
- Signal-LeitungSignal line
- 1010
- Signal-LeitungSignal line
- 1111
- Signal-LeitungSignal line
- 1212
- Signal-LeitungSignal line
- 1313
- Signal-LeitungSignal line
- 1414
- Signal-LeitungSignal line
- 1515
- Referenz-Signal-Erzeugungs-EinrichtungReference signal generation means
- 1616
- Referenz-Signal-Erzeugungs-EinrichtungReference signal generation means
- 100100
- Schaltungsanordnungcircuitry
- 103103
- Schaltungsteilcircuit part
- 105105
- Schaltungsteilcircuit part
- 107107
- Leitungmanagement
- 108108
- Leitungmanagement
- 121121
- Transistortransistor
- 122122
- Transistortransistor
- 123123
- Transistortransistor
- 124124
- Transistortransistor
- 125125
- Stromquellen-EinrichtungCurrent source means
- 126126
- Stromquellen-EinrichtungCurrent source means
- 127127
- Leitungmanagement
- 128128
- Leitungmanagement
- 129129
- Spannungsquellevoltage source
- 131131
- Transistortransistor
- 132132
- Transistortransistor
- 133133
- Transistortransistor
- 134134
- Transistortransistor
- 135135
- Widerstandresistance
- 136136
- Widerstandresistance
- 137137
- Leitungmanagement
- 138138
- Leitungmanagement
- 139139
- Leitungmanagement
- 140140
- Referenztransistorreference transistor
- 141141
- Leitungmanagement
- 142142
- Operationsverstärkeroperational amplifiers
- 143143
- Leitungmanagement
- 144144
- Leitungmanagement
- 145145
- Transistortransistor
- 146146
- Transistortransistor
- 147147
- Stromspiegel-SchaltungCurrent mirror circuit
- 200200
- Schaltungsanordnungcircuitry
- 203203
- Schaltungsteilcircuit part
- 205205
- Schaltungsteilcircuit part
- 221221
- Transistortransistor
- 222222
- Transistortransistor
- 223223
- Transistortransistor
- 224224
- Transistortransistor
- 231231
- Transistortransistor
- 232232
- Transistortransistor
- 233233
- Transistortransistor
- 234234
- Transistortransistor
- 235235
- Widerstandresistance
- 236236
- Widerstandresistance
- 237237
- Leitungmanagement
- 238238
- Leitungmanagement
- 239239
- Leitungmanagement
- 240240
- Referenztransistorreference transistor
- 241241
- Leitungmanagement
- 242242
- Operationsverstärkeroperational amplifiers
- 243243
- Leitungmanagement
- 244244
- Leitungmanagement
- 245245
- Transistortransistor
- 246246
- Transistortransistor
- 247247
- Stromspiegel-SchaltungCurrent mirror circuit
- 250250
- Transistortransistor
- 260260
- Transistortransistor
- 261261
- Leitungmanagement
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- 2005-01-27 DE DE200510003889 patent/DE102005003889B4/en not_active Expired - Fee Related
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