DE102004063039A1 - Anordnung eines elektrischen Bauelements und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung - Google Patents

Anordnung eines elektrischen Bauelements und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE102004063039A1
DE102004063039A1 DE102004063039A DE102004063039A DE102004063039A1 DE 102004063039 A1 DE102004063039 A1 DE 102004063039A1 DE 102004063039 A DE102004063039 A DE 102004063039A DE 102004063039 A DE102004063039 A DE 102004063039A DE 102004063039 A1 DE102004063039 A1 DE 102004063039A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
cooling device
component
arrangement according
evaporator
electrical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102004063039A
Other languages
English (en)
Other versions
DE102004063039B4 (de
Inventor
Eric Dr. Baudelot
Richard Haslington Kenney
Lyndon Shenton
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens AG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE102004063039A priority Critical patent/DE102004063039B4/de
Priority to PCT/EP2005/056107 priority patent/WO2006069855A1/de
Publication of DE102004063039A1 publication Critical patent/DE102004063039A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE102004063039B4 publication Critical patent/DE102004063039B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2401Structure
    • H01L2224/2402Laminated, e.g. MCM-L type
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/2405Shape
    • H01L2224/24051Conformal with the semiconductor or solid-state device
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24226Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the item being planar
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/25Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
    • H01L2224/251Disposition
    • H01L2224/2518Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • H01L2224/82009Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8203Reshaping, e.g. forming vias
    • H01L2224/82035Reshaping, e.g. forming vias by heating means
    • H01L2224/82039Reshaping, e.g. forming vias by heating means using a laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/83801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01019Potassium [K]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01074Tungsten [W]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1306Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Anordnung (1) mindestens eines elektrischen Bauelements (2) und mindestens einer Kühlvorrichtung zum Ableiten von Wärme, die im Betrieb des Bauelements entsteht. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlvorrichtung mindestens eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) mit mindestens einem Verdampfer (31) eines Kühlfluids (34) aufweist und zwischen dem Bauelement und dem Verdampfer der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung eine elektrische Isolationsfolie (4) angeordnet ist. Die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung ist als "Thermosiphon", "Heatpipe" oder "Heatplanar" ausgebildet. Mit der Erfindung ist eine effiziente Kühlung von elektrischen Bauelementen, insbesondere von Leistungshalbleiterbauelementen (21) eines Leistungshalbleitermoduls (26) bei gleichzeitiger wirkungsvoller elektrischer Isolierung des Verdampfers der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung und des Bauelements voneinander möglich. Eine im Vergleich zum Stand der Technik erhöhte Integrationsdichte ist möglich.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Anordnung mindestens eines elektrischen Bauelements und mindestens einer Kühlvorrichtung zum Ableiten von Wärme, die im Betrieb des Bauelements entsteht.
  • Eine derartige Anordnung ist beispielsweise ein aus der WO 03/030247 A2 bekanntes Leistungshalbleitermodul. Das elektrische Bauelement des Leistungshalbleitermoduls ist ein Leistungshalbleiterbauelement, das auf einem Substrat (Schaltungsträger) angeordnet ist. Das Substrat ist beispielsweise ein DCB (Direct Copper Bonding)-Substrat, das aus einer Trägerschicht aus einem keramischen Werkstoff besteht, an der beidseitig elektrisch leitende Schichten aus Kupfer (Kupferfolien) aufgebracht sind. Der keramische Werkstoff ist beispielsweise Aluminiumoxid (Al2O3). Das Leistungshalbleiterbauelement ist auf einer der elektrisch leitenden Schichten aus Kupfer aufgelötet.
  • Im Betrieb des Leistungshalbleiterbauelements entsteht eine bestimmte Wärmemenge. Diese Wärmemenge wird durch Wärmeleitung vom Leistungshalbleiterbauelement weg abgeleitet. Die Wärmeleitung erfolgt über die Lotschicht zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement und der elektrisch leitenden Kupferschicht hin zur Trägerschicht des Substrats aus Aluminiumoxid. Der spezifische Wärmeleitfähigkeitskoeffizient λ von Aluminiumoxid beträgt etwa 30 W·m–1·K–1. Daher fungiert die Trägerschicht des Substrats bzw. das gesamte Substrat als Kühlvorrichtung zum Ableiten der Wärmemenge, die im Betrieb des Leistungshalbleiterbauelements entsteht.
  • Im Betrieb des Leistungshalbleiterbauelements kann es zu einer derart starken Wärmeentwicklung kommen, dass die Kühlwirkung des Substrats nicht ausreicht. In Folge davon kann das Leistungshalbleiterbauelement oder die Anordnung des Leistungshalbleiterbauelements auf dem Substrat geschädigt werden.
  • Aus B. Palm, Transactions of the ASME, Vol. 125 (2003) S. 276–281 geht eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung zum Kühlen eines elektrischen Bauelements hervor. Die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung besteht im Wesentlichen aus einem Verdampfer (Evaporator) zum Verdampfen eines Kühlfluids, einem Verflüssiger (Condensor) zum Verflüssigen des Kühlfluids und einem Fluidkanal zum Transport des Kühlfluids sowohl als flüssige als auch als gasförmige Phase.
  • Die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung erlaubt unter Nutzung von Verdampfungs- und Kondensationswärme des Kühlfluids (Kühlmittel) eine hohe Wärmestromdichte. Die hohe Wärmestromdichte ergibt sich wie folgt: Der Verdampfer ist thermisch leitend mit dem elektrischen Bauelement verbunden. Die im Betrieb des elektrischen Bauelements entstehende Wärme wird auf den Verdampfer übertragen. Die übertragene Wärme führt zum Verdampfen des flüssigen Kühlfluids. Das Kühlfluid geht von der flüssigen Phase in die gasförmige Phase über. Dabei nimmt das Kühlfluid Verdampfungswärme auf. Durch den Fluidkanal gelangt das gasförmige Kühlfluid zum Verflüssiger. Der Verflüssiger ist mit einer Wärmesenke thermisch leitend verbunden. Im Verflüssiger kommt es zur Kondensation des gasförmigen Kühlfluids. Das Kühlfluid geht von der gasförmigen Phase in die flüssige Phase über. Dabei wird Kondensationswärme an die Wärmesenke abgegeben. Unter Beteiligung der beiden Phasenübergänge des Kühlfluids resultieren eine hohe Wärmestromdichte und damit ein effizienter Wärmetransport vom Bauelement weg zur Wärmesenke hin.
  • Durch den Fluidkanal wird das am Verflüssiger verflüssigte Kühlfluid wieder zum Verdampfer zurücktransportiert. Somit liegt ein geschlossener Stoffkreislauf vor. In Abhängigkeit von der Ausgestaltung des Fluidkanals und der Art des Rücktransports werden zwei Typen von Zwei-Phasen-Kühlvorrichtungen unterschieden: Bei einem so genannten „Thermosiphon" erfolgt der Rücktransport im Wesentlichen aufgrund der Schwerkraft. Im Gegensatz dazu findet bei einer so genannten „Heatpipe" der Rücktransport im Wesentlichen aufgrund von Kapillarkräften statt.
  • Um eine gute thermische Anbindung an das elektrische Bauelement bzw. an die Wärmesenke zu erzielen, weisen sowohl der Verdampfer als auch der Verflüssiger ein thermisch hochleitfähiges Metall auf, beispielsweise Aluminium oder Kupfer. Diese Materialien sind nicht nur thermisch, sondern auch elektrisch hochleitfähig.
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, aufzuzeigen, wie ein elektrisches Bauelement effizient gekühlt werden kann.
  • Zur Lösung der Aufgabe wird eine Anordnung mindestens eines elektrischen Bauelements und mindestens einer Kühlvorrichtung zum Ableiten von Wärme angegeben, die im Betrieb des Bauelements entsteht. Die Anordnung ist dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlvorrichtung mindestens eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung mit mindestens einem Verdampfer eines Kühlfluids aufweist und zwischen dem Bauelement und dem Verdampfer der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung eine elektrische Isolationsfolie angeordnet ist.
  • Durch diese Anordnung kann Wärme, die im Betrieb des Bauelements entsteht, effizient abgeleitet werden. Gleichzeitig für eine elektrische Isolierung gesorgt, so dass es zu keinem Kurzschluss zwischen dem Bauelement und dem Verdampfer kommt.
  • Die Isolationsfolie kann direkt oder indirekt mit dem Bauelement und dem Verdampfer verbunden sein. Beispielsweise ist die Isolationsfolie direkt auf das Bauelement oder auf eine elektrische Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements aufgeklebt. Vorzugsweise ist die Isolationsfolie auf das Bauelement oder auf die elektrische Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung des Bauelements auflaminiert. Das Auflaminieren erfolgt vorzugsweise ohne Klebstoff. Die Isolationsfolie wird nicht aufgeklebt. Durch das eingangs beschriebene Verfahren zur großflächigen Kontaktierung kann eine großflächige Verbindungsleitung erzeugt werden. Durch das Auflaminieren der Isolationsfolie auf eine derartige Verbindungsleitung kann eine hohe Wärmestromdichte erreicht werden.
  • Vorzugsweise ist die Isolationsfolie derart auf das Bauelement auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur des Bauelements in einer Oberflächenkontur der Isolationsfolie abgebildet ist, die dem Bauelement abgekehrt ist. Eine Topographie des Bauelements wird abgeformt. Dazu erfolgt das Auflaminieren vorzugsweise unter Anlegen eines Vakuums, wobei ein besonders inniger und fester Kontakt zwischen dem Bauelement und der Isolationsfolie bzw. der elektrischen Verbindungsleitung und der Isolationsfolie entsteht. Durch den innigen und festen Kontakt werden eine besonders gute thermische Anbindung und gleichzeitig ein robuster Aufbau erreicht.
  • Als elektrisches Isolationsmaterial der Isolationsfolie ist jeder beliebige Kunststoff denkbar. Vorzugsweise weist die Isolationsfolie ein aus der Gruppe flüssigkristallines Polymer, organisch modifizierte Keramik, Polyacrylat, Polyimid, Polyisocyanat, Polyethylen, Polyphenol, Polyetheretherketon, Polytetrafluorethylen und/oder Epoxid ausgewähltes elektrisches Isolationsmaterial auf.
  • Eine notwendige Folienstärke (Foliedicke) der verwendeten Isolationsfolie hängt von verschiedenen Faktoren ab, beispielsweise vom Isolationsmaterial der Isolationsfolie, von einem zu erzielenden Wärmefluss durch die Isolationsfolie hindurch oder auch von den Bedingungen, unter denen die Anordnung betrieben wird.
  • Diese angegebenen Isolationsmaterialien zeichnen sich in der Regel durch relativ niedrige thermische Leitfähigkeitskoeffizienten aus. Um trotzdem eine für die effiziente Entwärmung des Bauelements notwendige thermische Leitfähigkeit zu erzielen, wird eine relativ dünne Isolationsfolie verwendet. Die Folienstärke der Isolationsfolie ist aber so hoch, dass noch eine ausreichende elektrische Isolierung gewährleistet ist. Beispielsweise ist die Folienstärke beispielsweise aus dem Bereich von 10 μm bis 50 μm ausgewählt.
  • Um eine hohe thermische Leitfähigkeit bei gleichzeitig hoher elektrischer Isolierwirkung zu erzielen, weist die Isolationsfolie in einer besonderen Ausgestaltung thermisch leitfähiges Material auf. Die Isolationsfolie besteht aus einem Verbundwerkstoff mit dem elektrischen Isolationsmaterial als Basismaterial und mit dem thermisch leitenden Material als Füllstoff. Das thermisch leitfähige Material ist vorzugsweise elektrisch isolierend. Besonders geeignet sind keramische Materialien wie Aluminiumoxid oder Aluminiumnitrid. Diese Materialen sind dem Basismaterial der Isolationsfolie als Pulver beigemengt.
  • Der Verdampfer und das elektrische Bauelement sind über die Isolationsfolie thermisch leitend miteinander verbunden. Dazu ist in einer besonderen Ausgestaltung der Verdampfer der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung auf die elektrische Isolationsfolie aufgeklebt. Der Verdampfer und die Isolationsfolie sind über eine Klebstoffschicht miteinander verbunden. Für eine gute thermische Anbindung weist der Klebstoff bevorzugt thermisch leitfähige Partikel auf.
  • In einer weiteren Ausgestaltung sind der Verdampfer der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung und die elektrische Isolationsfolie über einen Druckkontakt miteinander verbunden. Der Verdampfer und die Isolationsfolie werden gegeneinander gepresst. Dies gelingt beispielsweise mit einer Vorspannvorrichtung. Für eine gute thermische Anbindung wird auch hier für eine möglichst große Verbindungsfläche gesorgt.
  • Die Kühlvorrichtung eignet sich zum Kühlen eines einzigen Bauelements. Aufgrund des effizienten Wärmetransports eignet sich die Kühlvorrichtung insbesondere zum gleichzeitigen Kühlen mehrerer elektrischer Bauelemente, die auf relativ engem Raum aneinander angeordnet sind. Daher weist die Anordnung in einer besonderen Ausgestaltung einen Trägerkörper mit einer Anzahl von elektrischen Bauelementen auf. Der Trägerkörper ist beispielsweise ein Substrat. Auf dem Substrat können mehrere zu kühlende Bauelemente relativ eng aneinander angeordnet werden. Es resultiert eine im Vergleich zum Stand der Technik erhöhte Integrationsdichte (Anzahl elektrischer Bauelemente pro Flächen- oder Volumeneinheit des Trägerkörpers). Zudem können elektrische Verbindungsleitungen zwischen den Bauelementen sehr kurz ausgeführt werden mit der Folge, dass geringere elektrische Verluste in den Verbindungsleitungen auftreten.
  • In einer besonderen Ausgestaltung ist zwischen der elektrischen Isolationsfolie und dem Bauelement mindestens ein Wärmespreizer angeordnet zur Verringerung eines durch den Betrieb des Bauelements verursachten lateralen (flächigen, also nicht in Dickenrichtung der Isolationsfolie) Wärmegradienten in der Isolationsfolie. Dadurch werden Temperaturspitzen während des Betriebs des Bauelements vermieden, die zu einer Schädigung der Isolationsfolie oder der gesamten Anordnung führen könnten. Durch den Einsatz von Wärmespreizern kann die Integrationsdichte zusätzlich erhöht werden.
  • Zur Verbesserung der Kühlleistung ist es vorteilhaft, mehrere Zwei-Phasen-Kühlvorrichtungen bzw. mehrere Verdampfer und Verflüssiger zu verwenden. Um Platz zu sparen, weist gemäß einer besonderen Ausgestaltung die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung mindestens zwei Verdampfer auf, die mit einem Verflüssiger des Kühlfluids über jeweils mindestens einen Fluidkanal zum Transport des Kühlfluids verbunden sind. Vorzugsweise sind mehrere Fluidkanäle vorhanden.
  • Die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung ist vorzugsweise aus der Gruppe Thermosiphon und/oder Heatpipe und/oder Heatplanar ausgewählt. „Heatplanar" ist eine flächige Ausgestaltung der „Heatpipe".
  • Das elektrische Bauelement kann ein beliebiges aktives oder passives elektrisches Bauelement sein, bei dem es im Betrieb zu einer derartige Wärmeentwicklung, dass Wärme abgeleitet werden muss. Gemäß einer besonderen Ausgestaltung ist das Bauelement ein Halbleiterbauelement. Das Halbleiterbauelement ist beispielsweise ein auf einem Schaltungsträger aufgebrachtes SMD (Surface Mounted Device)-Bauelement. In einer besonderen Ausgestaltung ist das Halbleiterbauelement ein Leistungshalbleiterbauelement ist. Das Leistungshalbleiterbauelement ist bevorzugt aus der Gruppe Diode, MOSFET, IGBT, Tyristor und/oder Bipolartransistor ausgewählt.
  • Zusammenfassend ergeben sich mit der vorliegenden Erfindung folgende besonderen Vorteile:
    • – Durch die Isolationsfolie ist eine sehr gute thermische Anbindung des Verdampfers der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung an das Bauelement bei gleichzeitig sehr guter elektrischer Isolierung des Verdampfers und des Bauelements voneinander gewährleistet.
    • – Es resultiert eine effiziente Kühlung eines elektrischen Bauelements, insbesondere eines Leistungshalbleiterbauelements bzw. eines ganzen Leistungshalbleitermoduls.
    • – Die Kühlung ist so effizient, dass ein kompakter, Platz sparender Aufbau resultiert. Auf einen relativ großen, voluminösen Kühlkörper kann verzichtet werden.
    • – Es kann eine im Vergleich zum Stand der Technik erhöhte Integrationsdichte erzielt werden. Dies gilt insbesondere für ein Leistungshalbleitermodul mit mehreren Leistungshalbleiterbauelementen.
    • – Zum Herstellen der Anordnung kann auf bekannte Verfahren zur großflächigen, elektrischen Kontaktierung von Bauelementen und insbesondere von Leistungshalbleiterbauelementen zurückgegriffen werden.
  • Anhand mehrerer Ausführungsbeispiele und der dazugehörigen Figuren wird die Erfindung im Folgenden näher beschrieben. Die Figuren sind schematisch und stellen keine maßstabsgetreuen Abbildungen dar.
  • 1 zeigt eine Anordnung in einem seitlichen Querschnitt.
  • 2 zeigt einen Ausschnitt der Anorndung in einem seitlichen Querschnitt.
  • Die Ausführungsbeispiele betreffen jeweils eine Anordnung 1 mindestens eines elektrischen Bauelements 2 und mindestens einer Kühlvorrichtung zum Ableiten von Wärme, die im Betrieb des Bauelements 2 entsteht. Die Kühlvorrichtung ist eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung 3 mit einem Verdampfer 31 für ein Kühlfluid 34 und einen Verflüssiger 32 zum Kondensieren des Kühlfluids 34. Der Verdampfer 31 und der Verflüssiger 32 weisen thermisch hoch leitfähiges Aluminium auf.
  • Zwischen dem elektrischen Bauelement 2 und dem Verdampfer 31 der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung ist eine elektrische Isolationsfolie 4 angeordnet. Die Isolationsfolie 4 ist derart ausgestaltet und aufgebracht, dass das elektrische Bauelement 2 und der Verdampfer 31 elektrisch voneinander isoliert sind und gleichzeitig ein effizienter Wärmeleitpfad vom Bauelement 2 zum Verdampfer 31 hin vorhanden ist. Dazu weist die Isolationsfolie 4 thermisch leitfähige Partikel auf. Diese Partikel weisen Aluminiumoxid auf.
  • Der Verdampfer 31 ist über einen Fluidkanal 33 mit dem Verflüssiger 32 verbunden. Durch den Fluidkanal 33 gelangt das gasförmige Kühlfluid 34 zum Verflüssiger 32 bzw. das flüssige Kühlfluid 34 vom Verflüssiger 32 zum Verdampfer 31. Dazu ist die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung als „Heatpipe" ausgeführt. Alternativ dazu ist die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung ein Thermosiphon.
  • Der Verflüssiger 32 steht mit einer Wärmesenke 35 in thermisch leitendem Kontakt. Die Wärmesenke 35 weist einen Kupferblock mit Kühlrippen auf. Daneben weist die Wärmesenke ein Wärmesenkenfluid auf, das an dem Kupferblock zur Aufnahme von Wärme vorbeigeleitet wird. Das Wärmesenkenfluid ist gemäß einer ersten Ausführungsform Luft, die mit Hilfe eines nicht dargestellten Ventilators an den Kühlrippen der Wärmesenke 35 vorbeigeleitet wird. Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist das Wärmesenkenfluid eine Flüssigkeit. Die Flüssigkeit ist Wasser, das über eine hohe Wärmekapazität verfügt und daher besonders zur Aufnahme von Wärme geeignet ist. Das Wasser wird mit Hilfe einer nicht dargestellten Pumpe am Kühlkörper vorbeigeleitet.
  • Das elektrische Bauelement 2 ist ein Leistungshalbleiterbauelement 21 in Form eines MOSFETs. In einer alternativen Ausführungsform ist das Leistungshalbleiterbauelement 21 ein IGBT.
  • Das Leistungshalbleiterbauelement 21 ist Bestandteil eines Leistungshalbleitermoduls 26. Bei dem Leistungshalbleitermodul 26 sind mehrere Leistungshalbleiterbauelemente 21 auf einem Substrat 5 aufgebracht. Das Substrat 5 ist ein DCB-Substrat. Das DCB-Substrat weist eine Trägerschicht 51 aus Aluminiumoxid und beidseitig aufgebrachte elektrische Leistungsschichten 52 und 53 aus Kupfer auf (2).
  • Auf einen Oberflächenabschnitt 55 des DCB-Substrat 5, der durch die Leitungsschicht 52 gegeben ist, ist ein elektrisches Bauelement 2 in Form eines Leistungshalbleiterbauelements 21 aufgelötet. Es resultiert die Lotschicht 24. Das Leistungshalbleiterbauelement 21 ist derart aufgelötet, dass eine vom DCB-Substrat 5 wegweisende Kontaktfläche 22 des Leitungshalbleiterbauelements 21 resultiert. Zur großflächigen, planaren elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 21 ist eine weitere Isolationsfolie 6 unter Vakuum auflaminert. Die weitere Isolationsfolie 6 ist dabei derart auf das DCB-Substrat und das Leistungshalbleiterbauelementen 21 auflaminiert, dass eine Oberflächenkontur 23 des Leistungshalbleiterbauelements 21 und eine Oberflächenkontur 54 des DCB-Substrats 5 in einer Oberflächenkontur 61 der weiteren Isolationsfolie 6 abgebildet ist, die dem DCB-Substrat 5 und dem Leistungshalbleiterbauelement 21 abgekehrt ist. Die Topographie, die sich aus dem Leistungshalbleiterbauelement 21 und dem Substrat 5 ergibt, ist durch die weitere Isolationsfolie 6 abgeformt.
  • Durch ein Fenster 62 der weiteren Isolationsfolie 6 ist der Kontakt bzw. die Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 21 elektrisch kontaktiert. Dazu wird das Fenster 62 in der weiteren Isolationsfolie 6 durch Laserablation erzeugt. Die planare elektrische Kontaktierung der Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 21 wird durch eine mehrschichtige Abscheidung 25 von elektrisch leitenden Materialien erzeugt.
  • Das Leistungshalbleitermodul 26 ist über die weitere elektrische Leitungsschicht 53 auf den Kupferblock der Wärmesenke 35 aufgelötet. Es ist eine weitere Lotschicht 56 vorhanden. Über die Lotschicht 24, der elektrischen Leitungsschicht 52, der Aluminiumoxidschicht 51, der weiteren Leitungsschicht 53 und der weiteren Lotschicht 56 existiert somit ein weiterer Wärmeleitpfad vom Leistungshalbleiterbauelement 21 zur Wärmesenke 35 hin.
  • Die Isolationsfolie 4, die sich zwischen dem Leistungshalbleiterbauelement 21 und dem Verdampfer 31 befindet, ist auflaminiert (vgl. weitere Isolationsfolie 6). Gemäß 2 ist die Isolationsfolie 4 auf die Abscheidung 25 auflaminiert, die die Verbindungsleitung zur elektrischen Kontaktierung der Kontaktfläche 22 des Leistungshalbleiterbauelements 21 bildet. Somit ist die Oberflächenkontur der Abscheidung in einer Oberflächenkontur der Isolationsfolie abgebildet. Es ist die Topographie der Abscheidung 25 bzw. der Verbindungsleitung abgeformt. In dieser Form ist die Abscheidung 25, die primär der elektrischen Kontaktierung dient, Bestandteil des Wärmeleitpfades vom Leistungshalbleiterbauelement 21 hin zum Verdampfer 31. Durch die Isolationsfolie 4 ist sichergestellt, dass kein Kurzschluss zwischen dem Verdampfer 31 und der Abscheidung 25 auftritt.
  • Alternativ oder in Kombination mit der voran beschriebenen Ausführungsform ist die Isolationsfolie 4 direkt auf das Leistungshalbleiterbauelement 21 derart auflaminiert, dass die Oberflächenkontur des Leistungshalbleiterbauelements 21 in der Oberflächenkontur der Isolationsfolie 4 abgebildet ist, die dem Leistungshalbleiterbauelement 21 abgekehrt ist. Die Topographie des Leistungshalbleiterbauelements 21 ist durch die Isolationsfolie 4 abgeformt.
  • Der Verdampfer 31 und das Leistungshalbleiterbauelement 21 sind thermisch leitend miteinander verbunden. Dazu ist gemäß einer ersten Ausführungsform der Verdampfer 31 auf der Oberseite des Leistungshalbleitermoduls 26 mit Hilfe eines thermisch leitfähigen Klebstoffs auf die Isolationsfolie 4 aufgeklebt. Es ist eine thermisch leitfähige Klebeschicht 41 vorhanden. Über die Klebschicht 41 erfolgt ein effizienter Wärmetransport vom Leistungshalbleiterbauelement 21 hin zum Verdampfer 31 der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung.
  • In einer dazu alternativen Ausführungsform stehen der Verdampfer 31 und die Isolationsfolie 4 durch einen Druckkontakt miteinander in Verbindung. Der Verdampfer 31 und die Isolationsfolie 4 sind nicht miteinander verklebt, sondern werden gegeneinander gepresst.
  • Weitere Ausführungsbeispiele ergeben sich dadurch, dass mehrere Verdampfer 31, mehrere Verflüssiger 32 und/oder mehrere Wärmesenken 35 verwendet werden. In weiteren Ausführungsformen werden (nicht dargestellte) Wärmespreizer eingesetzt. Die Wärmespreizer sorgen für einen möglichst geringen, lateralen Wärme- bzw. Temperaturgradienten in der Isolationsfolie 4. Dadurch werden Temperaturspitzen vermieden, die zu einer Schädigung der Isolationsfolie 4 oder der gesamten Anordnung führen könnten. Durch den Einsatz von Wärmespreizern wird die Integrationsdichte im Vergleich zum Stand der Technik zusätzlich erhöht.

Claims (13)

  1. Anordnung (1) mindestens eines elektrischen Bauelements (2, 21) und mindestens einer Kühlvorrichtung zum Ableiten von Wärme, die im Betrieb des Bauelements (2, 21) entsteht, dadurch gekennzeichnet, dass – die Kühlvorrichtung mindestens eine Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) mit mindestens einem Verdampfer (31) eines Kühlfluids (34) aufweist und – zwischen dem Bauelement (2, 21) und dem Verdampfer (31) der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung eine elektrische Isolationsfolie (4) angeordnet ist.
  2. Anordnung nach Anspruch 1, wobei die Isolationsfolie (4) auf das Bauelement (2, 21) auflaminiert ist.
  3. Anordnung nach Anspruch 2, wobei die Isolationsfolie (4) derart auf das Bauelement (2, 21) auflaminiert ist, dass eine Oberflächenkontur (23) des Bauelements (2, 21) in einer Oberflächenkontur der Isolationsfolie (4) abgebildet ist, die dem Bauelement (2, 21) abgekehrt ist.
  4. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei die Isolationsfolie (4) ein aus der Gruppe flüssigkristallines Polymer, organisch modifizierte Keramik, Polyacrylat, Polyimid, Polyisocyanat, Polyethylen, Polyphenol, Polyetheretherketon, Polytetrafluorethylen und/oder Epoxid ausgewähltes elektrisches Isolationsmaterial aufweist.
  5. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die elektrische Isolationsfolie (4) thermisch leitfähiges Material aufweist.
  6. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei der Verdampfer (31) der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) auf die elektrische Isolationsfolie (4) aufgeklebt ist.
  7. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei der Verdampfer (31) der Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) und die elektrische Isolationsfolie (4) über einen Druckkontakt miteinander verbunden sind.
  8. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 7, aufweisend einen Trägerkörper (5) mit einer Anzahl von elektrischen Bauelementen (2, 21).
  9. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei zwischen der elektrischen Isolationsfolie (4) und dem Bauelement (2, 21) ein Wärmespreizer angeordnet ist zur Verringerung eines durch den Betrieb des Bauelements verursachten lateralen Wärmegradienten in der Isolationsfolie (4).
  10. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 9, wobei die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) mindestens zwei Verdampfer (31) aufweist, die mit einem Verflüssiger (32) des Kühlfluids (34) über jeweils mindestens einen Fluidkanal (33) zum Transport des Kühlfluids (34) verbunden sind.
  11. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung (3) aus der Gruppe Thermosiphon und/oder Heatpipe und/oder Heatplanar ausgewählt ist.
  12. Anordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei das Bauelement ein Halbleiterbauelement ist.
  13. Anordnung nach Anspruch 12, wobei das Halbleiterbauelement ein aus der Gruppe IGBT, Diode, MOSFET, Tyristor und/oder Bipolartransistor ausgewähltes Leistungshalbleiterbauelement ist.
DE102004063039A 2004-12-28 2004-12-28 Anordnung mit einem elektrischen Leistungshalbleiterbauelement und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung Expired - Fee Related DE102004063039B4 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004063039A DE102004063039B4 (de) 2004-12-28 2004-12-28 Anordnung mit einem elektrischen Leistungshalbleiterbauelement und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung
PCT/EP2005/056107 WO2006069855A1 (de) 2004-12-28 2005-11-21 Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004063039A DE102004063039B4 (de) 2004-12-28 2004-12-28 Anordnung mit einem elektrischen Leistungshalbleiterbauelement und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102004063039A1 true DE102004063039A1 (de) 2006-07-13
DE102004063039B4 DE102004063039B4 (de) 2011-09-22

Family

ID=35550640

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102004063039A Expired - Fee Related DE102004063039B4 (de) 2004-12-28 2004-12-28 Anordnung mit einem elektrischen Leistungshalbleiterbauelement und einer Zwei-Phasen-Kühlvorrichtung

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102004063039B4 (de)
WO (1) WO2006069855A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021106008B3 (de) 2021-03-12 2022-03-24 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodul für einen Stromrichter mit zwei Wärmeleitpfaden, Stromrichter sowie Kraftfahrzeug

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102009015757A1 (de) * 2009-04-01 2010-10-14 Siemens Aktiengesellschaft Druckunterstützung für eine elektronische Schaltung
US20130050166A1 (en) * 2011-08-24 2013-02-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Silicide gap thin film transistor
DE102013215592A1 (de) * 2013-08-07 2015-02-12 Siemens Aktiengesellschaft Leistungselektronische Schaltung mit planarer elektrischer Kontaktierung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0489326B1 (de) * 1990-11-28 1999-05-26 Hitachi, Ltd. Elektronisches-Computer-Kühlsystem
WO2003030247A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen
DE10232146A1 (de) * 2002-03-14 2003-10-09 Lg Electronics Inc Kühlsystem für integrierten Schaltkreischip

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4047198A (en) * 1976-04-19 1977-09-06 Hughes Aircraft Company Transistor cooling by heat pipes having a wick of dielectric powder
US5315480A (en) * 1991-11-14 1994-05-24 Digital Equipment Corporation Conformal heat sink for electronic module
JPH0697335A (ja) * 1992-09-16 1994-04-08 Toshiba Corp 半導体装置
US5560423A (en) * 1994-07-28 1996-10-01 Aavid Laboratories, Inc. Flexible heat pipe for integrated circuit cooling apparatus
EP0956590A1 (de) * 1996-04-29 1999-11-17 Parker-Hannifin Corporation Anpassungsfähiges thermisches zwischenlagematerial für elektronischen komponenten
JP3068209B2 (ja) * 1997-06-23 2000-07-24 三菱電機株式会社 発熱体の水蒸発式冷却装置
US6639799B2 (en) * 2000-12-22 2003-10-28 Intel Corporation Integrated vapor chamber heat sink and spreader and an embedded direct heat pipe attachment
US6714414B1 (en) * 2003-02-07 2004-03-30 Morningstar Corporation Spring spacer assemblies for maintaining electrical components in contact with thermal transfer surfaces

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0489326B1 (de) * 1990-11-28 1999-05-26 Hitachi, Ltd. Elektronisches-Computer-Kühlsystem
WO2003030247A2 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum kontaktieren elektrischer kontaktflächen eines substrats und vorrichtung aus einem substrat mit elektrischen kontaktflächen
DE10232146A1 (de) * 2002-03-14 2003-10-09 Lg Electronics Inc Kühlsystem für integrierten Schaltkreischip

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102021106008B3 (de) 2021-03-12 2022-03-24 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Leistungselektronikmodul für einen Stromrichter mit zwei Wärmeleitpfaden, Stromrichter sowie Kraftfahrzeug

Also Published As

Publication number Publication date
WO2006069855A1 (de) 2006-07-06
DE102004063039B4 (de) 2011-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102007046349B4 (de) Anordnung zum Kühlen eines Leistungshalbleitermoduls
DE102013207804B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Leistungsmoduls mit mittels Lichtbogenschweissen direkt verbundenen, wärmeleitenden Strukturen
DE102008048005B3 (de) Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102008026550B4 (de) Halbleitereinrichtungen mit Schichten mit erweiterten Umfängen für eine verbesserte Kühlung und Verfahren zum Kühlen von Halbleitereinrichtungen
DE102016120778A1 (de) Baugruppe mit vertikal beabstandeten, teilweise verkapselten Kontaktstrukturen
DE102018206020A1 (de) Kühlanordnung für elektrische Bauelemente, Stromrichter mit einer Kühlanordnung sowie Luftfahrzeug mit einem Stromrichter
WO2017021394A1 (de) Bauteilmodul und leistungsmodul
EP3180967A1 (de) Schaltungsträger mit einem wärmeleitelement
EP1905076B1 (de) Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung und verfahren zum herstellen der anordnung
EP1870934A1 (de) Stromrichtermodul
DE102004018477B4 (de) Halbleitermodul
EP4026166A1 (de) Elektronikmodul mit einer pulsierenden heatpipe
DE19626227C2 (de) Anordnung zur Wärmeableitung bei Chipmodulen auf Mehrschicht-Keramikträgern, insbesondere für Multichipmodule, und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102016218420A1 (de) Leistungsmodul
WO2006069855A1 (de) Anordnung eines elektrischen bauelements und einer zwei-phasen-kühlvorrichtung
DE102013113464A1 (de) Chipmodul, Isoliermaterial und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE102016214607B4 (de) Elektronisches Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
EP3273470A1 (de) Leistungselektronische schalteinrichtung, anordnung hiermit und verfahren zur herstellung der schalteinrichtung
WO2009033891A2 (de) Elektronische schaltungsanordnung mit einer von der verbauten lage funktional unabhängigen wärmesenke, sowie wärmesenke dafür
DE102016115221A1 (de) Verfahren zum Verbinden von mindestens zwei Substraten zur Bildung eines Moduls
EP4108053A1 (de) Leistungselektronische einrichtung sowie leistungselektronisches funktionssystem
DE102016209858A1 (de) Elektronische Baugruppe, insbesondere für Elektrofahrzeuge oder Hybridfahrzeuge
DE102021106008B3 (de) Leistungselektronikmodul für einen Stromrichter mit zwei Wärmeleitpfaden, Stromrichter sowie Kraftfahrzeug
EP3389087A1 (de) Modul mit einem leistungshalbleiter
WO2006067013A1 (de) Halbleitermodul mit geringer thermischer belastung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0023340000

Ipc: H01L0023427000

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final

Effective date: 20111223

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee