DE102004058220A1 - Memory/storage module e.g. DRAM-storage device, uses control terminal for output driver circuit for influencing rise and fall rates of output signal - Google Patents

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Abstract

A memory/storage module (10) and output driver (30) which for outputting the data stored in at least one memory cell generates an output signal (DQ). The output driver circuit (30) has at least one control terminal (S30a,b), via which the rise and fall rate of the rising and falling flanks of the output signal (DQ) is influenced by a control signal (ST1,ST2) present at the control terminal (S30a,b). An independent claim is included for a method for driving a memory/storage module.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Speicherbaustein mit zumindest einer Speicherzelle und mit einer Ausgangstreiberschaltung, die zur Abgabe der in der mindestens einen Speicherzelle gespeicherten Daten ein Ausgangssignal erzeugt.The The invention relates to a memory module with at least a memory cell and with an output driver circuit, the for dispensing the stored in the at least one memory cell Data produces an output signal.

Derartige Speicherbausteine sind allgemein im Handel erhältlich, beispielsweise als so genannte DRAM-Speicherbausteine.such Memory devices are generally available commercially, for example as so-called DRAM memory modules.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Speicherbaustein der bekannten Art dahingehend zu verbessern, dass die Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals der Ausgangstreiberschaltung möglichst konstant sind, zumindest innerhalb vorgegebener Betriebsbereiche liegen.Of the Invention is based on the object, a memory module of known type to improve that the rise and / or Decay rate of the rising and falling edges of the output signal the output driver circuit possible are constant, at least within predetermined operating ranges lie.

Diese Aufgabe wird ausgehend von einem Speicherbaustein der eingangs angegebenen Art erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Speicherbausteins sind in Unteransprüchen angegeben.These Task is based on a memory module of the above Art according to the invention the characterizing features of claim 1 solved. Advantageous embodiments the memory module according to the invention are in subclaims specified.

Danach ist erfindungsgemäß vorgesehen, dass die Ausgangstreiberschaltung zumindest einen Steueranschluss aufweist, über den die Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals des Speicherbausteins mittels eines an den Steueranschluss anlegbaren Steuersignals beeinflussbar sind.After that is inventively provided that the output driver circuit has at least one control terminal via which the rise and / or fall rate of the rising or falling edges the output signal of the memory module by means of a to the control terminal applicable control signal can be influenced.

Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Speicherbausteins ist darin zu sehen, dass sich die Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- bzw. Abfallflanken sehr einfach nachregulieren lässt; hierzu ist erfindungsgemäß der Steueranschluss an der Ausgangstreiberschaltung vorgesehen, über den eine Beeinflussung der Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals möglich ist.One An essential advantage of the memory module according to the invention is therein to see that the rise or fall rate of the It is very easy to readjust rising or falling edges; For this is the control terminal according to the invention provided on the output driver circuit via which an influence the rising or falling edges of the output signal is possible.

Vorzugsweise steht mit dem Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung eine Steuereinrichtung in Verbindung, die zum Speicherbaustein gehört bzw. in diesem integriert ist und zum Beeinflussen der Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals der Ausgangstreiberschaltung das entsprechende Steuersignal an den Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung anlegt.Preferably is connected to the control terminal of the output driver circuit Control device in connection, which belongs to the memory module or is integrated in this and for influencing the rise and / or Decay rate of the rising or falling edges of the output signal the output driver circuit the corresponding control signal to the Control terminal of the output driver circuit applies.

Im Rahmen der Erfindung wurde festgestellt, dass die Temperatur des Speicherbausteins, insbesondere die Temperatur der Ausgangstreiberschaltung und/oder die der Speicherzellen, einen ganz wesentlichen Einfluss auf die Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals aufweist. Konkret kommt es regelmäßig zu einem Ansteigen der Flankengeschwindigkeit des Ausgangssignals im Falle niedriger Temperaturen und zu einem Abfall der Flankengeschwindigkeit des Ausgangssignals im Falle hoher Temperaturen. Im Rahmen einer vorteilhaften Ausgestaltung des Speicherbausteins ist demgemäß vorgesehen, dass die Steuereinrichtung mit einem Temperatursensor in Verbindung steht, der die Temperatur des Speicherbausteins, insbesondere die Temperatur der Ausgangstreiberschaltung und/oder die der Speicherzelle, misst und das Steuersignal zum Beeinflussen der Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals in Abhängigkeit von den gemessenen Temperaturwerten des Temperatursensors einstellt. So wird vorzugsweise an den Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung ein solches Steuersignal angelegt, dass die Flankengeschwindigkeit des Ausgangssignals im Falle fallender Temperatur reduziert und im Falle steigender Temperatur erhöht wird.in the Under the invention it has been found that the temperature of the Memory device, in particular the temperature of the output driver circuit and / or the memory cells, a very significant influence has on the rising or falling edges of the output signal. Specifically, it comes regularly to one Increase of the edge speed of the output signal in case low temperatures and a fall in the edge speed the output signal in the case of high temperatures. As part of a advantageous embodiment of the memory module is accordingly provided in that the control device is connected to a temperature sensor stands, the temperature of the memory module, in particular the Temperature of the output driver circuit and / or the memory cell, measures and the control signal to influence the rising or falling edges the output signal in dependence of the measured temperature values of the temperature sensor. So is preferably applied to the control terminal of the output driver circuit such a control signal applied that the edge speed the output signal is reduced in the case of falling temperature and is increased in the case of increasing temperature.

Aus Platz- und Kostengründen wird es als vorteilhaft angesehen, wenn der Temperatursensor in dem Speicherbaustein integriert ist, vorzugsweise monolithisch.Out Space and cost reasons it is considered advantageous if the temperature sensor in the memory module is integrated, preferably monolithic.

Zum Beeinflussen der Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals legt die Steuereinrichtung vorzugsweise als Steuersignal einen Steuerstrom oder eine Steuerspannung an den Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung an. Vorzugsweise legt die Steuereinrichtung an den Steueranschluss als Steuersignal eine Steuerspannung an, die um so größer ist, je größer der Temperaturwert des Temperatursensors ist, und die um so kleiner ist, je kleiner der Temperaturwert des Temperatursensors ist. In dieser Weise lassen sich Schwankungen der Anstiegs- und Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals in sehr einfacher Weise quasi „konstant steuern".To the Influencing the rate of rise and / or fall of the rising or falling edges of the output signal, the controller preferably sets as a control signal, a control current or a control voltage to the Control terminal of the output driver circuit on. Preferably, the Control device to the control terminal as a control signal, a control voltage which is the bigger the bigger the Temperature value of the temperature sensor is, and the smaller is, the smaller the temperature value of the temperature sensor is. In This way, fluctuations in the rise and fall speed can be achieved the rising or falling edges of the output signal in a very simple Way almost "constant Taxes".

Die Steuereinrichtung weist beispielsweise eine mit dem Temperatursensor verbundene Kontrolleinheit und eine mit der Kontrolleinheit verbundene Steuersignalerzeugungseinrichtung auf, die von der Kontrolleinheit angesteuert wird und in Abhängigkeit von dieser Ansteuerung das Steuersignal für die Ausgangstreiberschaltung erzeugt.The Control device has, for example, one with the temperature sensor connected control unit and connected to the control unit control signal generating means which is controlled by the control unit and depending on this control, the control signal for the output driver circuit generated.

Bevorzugt weist die Steuersignalerzeugungseinrichtung eingangsseitig zumindest eine Transistoreinrichtung auf, deren Transistorstrom von der Kontrolleinheit beeinflusst wird. Beispielsweise wird der Transistorstrom der Transistoreinrichtung durch Einstellen der Transistorweite der Transistoreinrichtung beeinflusst. Um dies zu erreichen, kann die Transistoreinrichtung beispielsweise durch eine Mehrzahl an elektrisch parallel geschalteten Transistoren gebildet sein, so dass sich die Transistorweite der resultierenden Transistoreinrichtung durch ein Ein- bzw. Ausschalten einzelner oder aller Transistoren der Transistoreinrichtung festlegen lässt.On the input side, the control signal generating device preferably has at least one transistor device whose transistor current is influenced by the control unit. For example, the transistor current of the transistor device is influenced by adjusting the transistor width of the transistor device. To achieve this, can the transistor device may be formed, for example, by a plurality of transistors connected in parallel electrically, so that the transistor width of the resulting transistor device can be determined by switching on or off individual or all transistors of the transistor device.

Die Transistoren der Transistoreinrichtung können beispielsweise gleiche Transistorweiten aufweisen; alternativ ist es jedoch auch möglich, den Transistoren der Transistoreinrichtung unterschiedliche Transistorweiten zuzuordnen. Beispiels weise können die Transistorweiten der Transistoren logarithmisch anwachsen, beispielsweise logarithmisch mit der Basis 2.The Transistors of the transistor device can be the same, for example Having transistor widths; alternatively, however, it is also possible to use the transistors assign the transistor device different transistor widths. Example, can the transistor widths of the transistors increase logarithmically, for example logarithmic with the base 2.

Die Transistoreinrichtung der Steuersignalerzeugungseinrichtung kann beispielsweise in einer Stromspiegelschaltung integriert sein.The Transistor device of the control signal generating device can for example, be integrated in a current mirror circuit.

Für den Ablauf des Steuervorgangs kann in der Steuereinrichtung beispielsweise eine Steuertabelle hinterlegt sein, in der die Größe des Steuersignals Temperaturwerten des Temperatursensors tabellenmäßig zugeordnet ist. Die Steuereinrichtung ist in diesem Fall vorzugsweise derart ausgestaltet, dass sie bei Vorliegen eines Temperaturwertes des Temperatursensors aus der Steuertabelle die zugeordnete Größe des Steuersignals ausliest und das dementsprechende Steuersignal für die Ausgangstreiberschaltung erzeugt. Alternativ kann die Steuereinrichtung eine Recheneinrichtung umfassen, in der die Zuordnung zwischen der Größe des Steuersignals und dem jeweiligen Temperaturwert des Temperatursensors mittels einer vorgegebenen mathematischen Berechnungsmethode, insbesondere mittels einer einfachen oder komplexen mathematischen Formel, ermittelt wird.For the process the control process may be in the control device, for example a control table may be deposited, in which the size of the control signal Temperature values of the temperature sensor is assigned to the table. The control device is in this case preferably designed such that it is at Presence of a temperature value of the temperature sensor from the control table the assigned size of the control signal reads out and the corresponding control signal for the output driver circuit generated. Alternatively, the control device can be a computing device in which the association between the size of the control signal and the respective temperature value of the temperature sensor by means of a predetermined mathematical calculation method, in particular by means of a simple or complex mathematical formula, is determined.

Die Ausgangstreiberschaltung kann eingangsseitig zum Beeinflussen der Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals beispielsweise eine Eingangs-Inverterschaltung umfassen, die elektrisch mit einem Steuertransistor in Verbindung steht, dessen Basis- oder Gateanschluss zumindest einen Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung bildet. Eine entsprechende Eingangs-Inverterschaltung kann in vergleichbarer Form auch zum Beeinflussen der Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals vorhanden sein.The Output driver circuit can on the input side to influence the Rate of increase of the output signal, for example a Input inverter circuit electrically connected to a control transistor is in communication, its base or gate at least forms a control terminal of the output driver circuit. A corresponding input inverter circuit can be comparable in Shape also for influencing the decay rate of the output signal to be available.

Als besonders vorteilhaft wird es angesehen, wenn die Ausgangstreiberschaltung eingangsseitig zum Beeinflussen der Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals eine Eingangs- Inverterschaltung und zum Beeinflussen der Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals eine weitere Eingangs-Inverterschaltung umfasst, wobei die beiden Inverterschaltungen jeweils elektrisch mit einem Steuertransistor in Verbindung stehen, dessen Basis- oder Gateanschluss jeweils einen Steueranschluss der Ausgangstreiberschaltung bildet. In diesem Fall weist die Ausgangstreiberschaltung also zwei Steueranschlüsse auf, wobei der eine zum Beeinflussen der Anstiegsgeschwindigkeit und der andere zum Beeinflussen der Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals verwendet wird.When It is particularly advantageous if the output driver circuit on the input side for influencing the slew rate of the output signal an input inverter circuit and for influencing the decay speed of the output signal a further input inverter circuit wherein the two inverter circuits each electrically be in communication with a control transistor whose base or Gate terminal each have a control terminal of the output driver circuit forms. In this case, the output driver circuit thus has two Control connections, the one for influencing the slew rate and the other for influencing the decay speed of the output signal is used.

Die Ausgangstreiberschaltung kann darüber hinaus ausgangsseitig eine Ausgangs-Inverterschaltung mit einem p-Kanaltransistor und einem n-Kanal-Transistor aufweisen. Der Gateanschluss des p-Kanaltransistors steht in einem solchen Fall mit dem Ausgang einer der beiden Eingangs-Inverterschaltungen und der Gateanschluss des n-Kanaltransistors mit dem Ausgang der jeweils anderen der beiden Inverterschaltungen in Verbindung. Die Ausgangs-Inverterschaltung dient in einem solchen Falle also zum Zusammenführen der „Steuereinflüsse" der beiden Eingangs-Inverterschaltungen auf die Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals.The Output driver circuit may also have an output side Output inverter circuit having a p-channel transistor and an n-channel transistor exhibit. The gate of the p-channel transistor is in one such case with the output of one of the two input inverter circuits and the gate of the n-channel transistor with the output of the other of the two inverter circuits in connection. The output inverter circuit In such a case, therefore, it serves to merge the "control influences" of the two input inverter circuits on the rise or fall rate of the output signal.

Der Erfindung liegt darüber hinaus die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Betreiben eines Speicherbausteins anzugeben.Of the Invention is above In addition to the object, a method for operating a memory module specify.

Bezüglich eines solchen Verfahrens liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde zu erreichen, dass die Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- bzw. Abfallflanken des Ausgangssignals der Ausgangstreiberschaltung möglichst konstant, zumindest innerhalb vorgegebener Betriebsbereiche, liegen.Regarding one the invention is based on the object, that the rise and / or fall velocity of the rising or falling edges of the output signal of the output driver circuit preferably constant, at least within predetermined operating ranges lie.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Patentanspruchs 23 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen des erfindungsgemäßen Verfahrens sind in Unteran sprüchen angegeben.These The object is achieved by the characterizing features of claim 23 solved. advantageous Embodiments of the method according to the invention are specified in the claims.

Bezüglich der Vorteile des erfindungsgemäßen Verfahrens wird auf die obigen Ausführungen im Zusammenhang mit dem erfindungsgemäßen Speicherbaustein verwiesen, da die Vorteile einander entsprechen.Regarding the Advantages of the method according to the invention is based on the above in connection with the memory module according to the invention, because the benefits match each other.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispiels näher erläutert. Hierfür zeigt eineThe Invention will be explained in more detail with reference to an embodiment. For this shows a

1 ein Ausführungsbeispiel für einen erfindungsgemäßen Speicherbaustein, anhand dessen auch das erfindungsgemäße Verfahren näher erläutert wird. 1 An exemplary embodiment of a memory module according to the invention, based on which the method according to the invention is explained in more detail.

In der 1 erkennt man einen Speicherbaustein 10, der eine Vielzahl an Speicherzellen zum Speichern von Daten aufweist. Aus Gründen der Übersichtlichkeit ist in der 1 beispielhaft lediglich eine einzige Speicherzelle dargestellt, die das Bezugszeichen 20 trägt.In the 1 you recognize a memory chip 10 containing a large number of memory cells for Storing data. For the sake of clarity is in the 1 by way of example only a single memory cell is shown, which is the reference numeral 20 wearing.

Die Speicherzelle 20 steht mit einem Eingang E30, einer Ausgangstreiberschaltung 30 in Verbindung, die das beim Auslesen der Speicherzelle 20 aus der Speicherzelle kommende Speichersignal DQ' aufbereitet und als Ausgangssignal DQ an einem Ausgang A30 abgibt. Bei der Ausgangstreiberschaltung 30 kann es sich beispielsweise um eine OCD-(Off Chip Driver)-Schaltung handeln.The memory cell 20 is connected to an input E30, an output driver circuit 30 connected to that when reading the memory cell 20 from the memory cell coming memory signal DQ 'processed and outputs as an output signal DQ at an output A30. In the output driver circuit 30 For example, it may be an OCD (Off Chip Driver) circuit.

Die Ausgangstreiberschaltung 30 weist zwei Steueranschlüsse S30a und S30b auf. Über diese beiden Steueranschlüsse S30a und S30b lässt sich die Anstiegs- bzw. Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- und Abfallflanken des Ausgangssignals DQ einstellen, wie nachfolgend erläutert wird.The output driver circuit 30 has two control terminals S30a and S30b. Through these two control terminals S30a and S30b, the rise and fall rates of the rising and falling edges of the output signal DQ can be set as explained below.

Mit den beiden Steueranschlüssen S30a und S30b steht eine Steuereinrichtung 40 in Verbindung, die durch Anlegen entsprechender Steuersignale ST1 und ST2 die Ansteuerung der Ausgangstreiberschaltung 30 bewirkt. Die Steuereinrichtung 40 weist einen Temperatursensor 50 auf, der ausgangsseitig mit einer Kontrolleinheit 60 in Verbindung steht. Ein Ausgang A60 der Kontrolleinheit 60 steht mit einem Eingang E70a und mit einem weiteren Eingang E70b einer Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 in Verbindung, die an ihren Ausgängen A70a und A70b die beiden Steuersignale ST1 und ST2 für die Ausgangstreiberschaltung 30 erzeugt. Die Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 steht über einen Stromeingang I70 darüber hinaus mit einer Referenzstromquelle 80 in Verbindung, die einen Referenzstrom Iref erzeugt und in die Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 einspeist.With the two control terminals S30a and S30b is a control device 40 in connection, the control of the output driver circuit by applying appropriate control signals ST1 and ST2 30 causes. The control device 40 has a temperature sensor 50 on, the output side with a control unit 60 communicates. An output A60 of the control unit 60 is connected to an input E70a and to another input E70b of a control signal generating device 70 connected at their outputs A70a and A70b, the two control signals ST1 and ST2 for the output driver circuit 30 generated. The control signal generating means 70 is also connected to a reference current source via a current input I70 80 in connection, which generates a reference current I ref and in the control signal generating means 70 feeds.

Die Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 weist eingangsseitig zwei Transistoreinrichtungen 90 und 100 auf, deren elektrisches Verhalten durch ein von der Kontrolleinheit 60 erzeugtes Kontrollsignal K bestimmt wird, das an den Eingängen E70a und E70b in die Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 eingespeist wird.The control signal generating means 70 has on the input side two transistor devices 90 and 100 on, their electrical behavior by one of the control unit 60 generated control signal K, which at the inputs E70a and E70b in the control signal generating means 70 is fed.

Durch das Kontrollsignal K wird beispielsweise die Transistorweite der beiden Transistoreinrichtungen 90 und 100 derart verändert, dass der durch die Transistoreinrichtungen 90 bzw. 100 fließende Strom verändert wird. Bei den beiden Transistoreinrichtungen 90 und 100 kann es sich beispielsweise jeweils um ein Transistorarray handeln, bei dem in Abhängigkeit von dem Kontrollsignal K einzelne oder alle der Transistoren des Transistorarrays ein- oder ausgeschaltet werden. Beispielsweise können die Transistoren wie folgt ein- und ausgeschaltet werden: Temperatur: Anzahl der eingeschalteten Transistoren: 0°C–10°C 1 10°C–20°C 2 20°C–30°C 3 30°C–40°C 4 By the control signal K, for example, the transistor width of the two transistor devices 90 and 100 changed so that by the transistor devices 90 respectively. 100 flowing electricity is changed. In the two transistor devices 90 and 100 For example, each may be a transistor array in which individual or all of the transistors of the transistor array are switched on or off in response to the control signal K. For example, the transistors can be turned on and off as follows: Temperature: Number of switched-on transistors: 0 ° C-10 ° C 1 10 ° C-20 ° C 2 20 ° C-30 ° C 3 30 ° C-40 ° C 4

Darüber hinaus können die Temperaturbereiche noch durch elektrische Sicherungen modifiziert werden.Furthermore can the temperature ranges are still modified by electrical fuses.

Die Transistoreinrichtung 90 bildet einen Bestandteil einer eingangsseitigen Stromspiegelschaltung 110 der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70. Die Stromspiegelschaltung 110 erzeugt in Abhängigkeit von dem Referenzstrom Iref der Referenzstromquelle 80 und dem jeweiligen Kontrollsignal K der Kontrolleinheit 60 das Steuersignal ST1 für den Steueranschluss S30a der Ausgangstreiberschaltung 30. Mit dem Steuersignal ST1 wird – wie nachfolgend erläutert werden wird – die Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignal DQ eingestellt.The transistor device 90 forms part of an input-side current mirror circuit 110 the control signal generating means 70 , The current mirror circuit 110 generated in dependence on the reference current I ref of the reference current source 80 and the respective control signal K of the control unit 60 the control signal ST1 for the control terminal S30a of the output driver circuit 30 , With the control signal ST1, as will be explained below, the slew rate of the output signal DQ is set.

Mit dem Eingang E70b der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 steht eine Transistorschaltung 120 in Verbindung, die in Abhängigkeit von dem Referenzstrom Iref der Referenzstromquelle 80 und dem jeweiligen Kontrollsignal K der Kontrolleinheit 60 das Steuersignal ST2 für den weiteren Steueranschluss S30b der Ausgangstreiberschaltung 30 generiert. Mit dem Steuersignal ST2 wird – wie nachfolgend erläutert werden wird – die Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignal DQ eingestellt.With the input E70b of the control signal generating device 70 is a transistor circuit 120 in connection, in response to the reference current I ref of the reference current source 80 and the respective control signal K of the control unit 60 the control signal ST2 for the further control terminal S30b of the output driver circuit 30 generated. With the control signal ST2 - as will be explained below - the decay rate of the output signal DQ is set.

Die Ausgangstreiberschaltung 30 weist eingangsseitig eine Eingangs-Inverterschaltung 200 auf, die mit einem n-Kanal-Steuertransistor 210 elektrisch in Reihe geschaltet ist. Der Gateanschluss G210 des Steuertransistors 210 ist mit dem Steueranschluss S30a der Ausgangstreiberschaltung 30 verbunden. Ein Eingang E200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 steht mit einem Dateneingang E30 der Ausgangstreiberschaltung 30 in Verbindung.The output driver circuit 30 has an input side inverter input circuit 200 on that with an n-channel control transistor 210 electrically connected in series. The gate terminal G210 of the control transistor 210 is connected to the control terminal S30a of the output driver circuit 30 connected. An input E200 of the input inverter circuit 200 is connected to a data input E30 of the output driver circuit 30 in connection.

Mit dem Dateneingang E30 der Ausgangstreiberschaltung 30 ist darüber hinaus ein Eingang E220 einer weiteren Eingangs-Inverterschaltung 220 verbunden. Die weitere Eingangs-Inverterschaltung 220 ist elektrisch mit einem weiteren Steuertransistor 230 in Reihe geschaltet, bei dem es sich um einen p-Kanaltransistor handelt und dessen Gateanschluss G230 an den weiteren Steueranschluss S30b der Ausgangstreiberschaltung 30 angeschlossen ist.With the data input E30 of the output driver circuit 30 is also an input E220 another input inverter circuit 220 connected. The further input inverter circuit 220 is electrically connected to another control transistor 230 connected in series, which is a p-channel transistor and its gate G230 to the further control terminal S30b of the output driver circuit 30 connected.

Ein Ausgang A200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 sowie ein Ausgang A220 der weiteren Eingangs-Inverterschaltung 220 stehen mit einer Ausgangs-Inverterschaltung 300 in Verbindung; konkret ist ein Gateanschluss G310 eines p-Kanal-Transistors 310 der Ausgangs-Inverterschaltung 300 an den Anschluss A200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 angeschlossen. Ein Gateanschluss G320 eines n-Kanal-Transistors 320 steht mit dem Ausgang A220 der weiteren Eingangs-Inverterschaltung 220 in Verbindung. Der Ausgang A300 der Ausgangs-Inverterschaltung 300 bildet den Ausgang A30 der Ausgangstreiberschaltung 30.An output A200 of the input inverter circuit 200 and an output A220 of the further input inverter circuit 220 stand with an output inverter circuit 300 in connection; specifically, a gate terminal G310 of a p-channel transistor 310 the output inverter circuit 300 at the connection A200 of the input inverter circuit 200 connected. A gate terminal G320 of an n-channel transistor 320 is connected to the output A220 of the further input inverter circuit 220 in connection. The output A300 of the output inverter circuit 300 forms the output A30 of the output driver circuit 30 ,

Der Speicherbaustein 30 funktioniert wie folgt bzw. lässt sich wie folgt betreiben:
Die Kontrolleinheit 60 misst mit dem Temperatursensor 50 die jeweilige Temperatur T des Speicherbausteins 10 und erzeugt in Abhängigkeit von der jeweiligen Temperatur das Kontrollsignal K. Zur Bildung des Kontrollsignals K kann in der Kontrolleinheit 60 beispielsweise eine Steuertabelle hinterlegt sein, in der tabellenartig den Temperaturwerten T des Temperatursensors 50 Kontrollsignale K zur Ansteuerung der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 zugeordnet sind. Alternativ kann die Kontrolleinrichtung 60 auch eine Recheneinrichtung umfassen, die in Abhängigkeit von dem jeweiligen Temperaturwert T des Temperatursensors 50 mittels einer vorgegebenen mathematischen Berechnungsmethode, beispielsweise mittels einer mathematischen Formel, die Größe des jeweiligen Kontrollsignal K zur Ansteuerung der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 bildet. Werden die beiden Transistoreinrichtungen 90 und 100 digital angesteuert, so erzeugt die Kontrolleinrichtung als Kontrollsignal K ein digitales, beispielsweise ein binär kodiertes, Signal.The memory chip 30 works as follows or can be operated as follows:
The control unit 60 measures with the temperature sensor 50 the respective temperature T of the memory module 10 and generates in response to the respective temperature, the control signal K. To form the control signal K can in the control unit 60 For example, be stored a control table, in the form of a table, the temperature values T of the temperature sensor 50 Control signals K for driving the control signal generating means 70 assigned. Alternatively, the control device 60 Also comprise a computing device, which in dependence on the respective temperature value T of the temperature sensor 50 by means of a predetermined mathematical calculation method, for example by means of a mathematical formula, the size of the respective control signal K for driving the control signal generating device 70 forms. Become the two transistor devices 90 and 100 digitally controlled, the control device generates as control signal K a digital, for example a binary coded, signal.

Das Kontrollsignal K gelangt zu den beiden Transistoreinrich tungen 90 und 120, wodurch deren Transistorweiten entsprechend eingestellt und damit der Strom I1 bzw. I2 durch die jeweiligen beiden Transistoreinrichtungen 90 und 100 festgelegt wird. In Abhängigkeit von der jeweiligen Einstellung der beiden Transistoreinrichtungen 90 und 100 ergeben sich am Ausgang der Stromspiegelschaltung 110 bzw. am Ausgang der Transistorschaltung 120 die Steuersignale ST1 und ST2, mit denen die beiden Steuertransistoren 210 und 230 angesteuert werden.The control signal K reaches the two Transistoreinrich lines 90 and 120 , whereby their transistor widths are adjusted accordingly and thus the current I1 or I2 through the respective two transistor devices 90 and 100 is determined. Depending on the respective setting of the two transistor devices 90 and 100 arise at the output of the current mirror circuit 110 or at the output of the transistor circuit 120 the control signals ST1 and ST2, with which the two control transistors 210 and 230 be controlled.

Die Ausgangstreiberschaltung 30 ist an ihrem Dateneingang E30 mit dem jeweiligen Speichersignal DQ' der Speicherzelle 20 beaufschlagt, so dass das Speichersignal DQ' zu den beiden Eingangs-Inverterschaltungen 200 und 220 gelangen kann.The output driver circuit 30 is at its data input E30 with the respective memory signal DQ 'of the memory cell 20 so that the memory signal DQ 'to the two input inverter circuits 200 and 220 can get.

Zur Beeinflussung der Anstiegsgeschwindigkeit der Anstiegsflanke des Ausgangssignals DQ ist der in der 1 obere Steuerzweig der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 bzw. der obere Steuerzweig der Ausgangstreiberschaltung 30 vorgesehen. Dieser obere Steuerzweig besteht aus der Stromspiegelschaltung 110 der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 sowie aus der Eingangs-Inverterschaltung 200 der Ausgangstreiberschaltung 30 sowie deren Steuertransistor 210. Liegt nun das Speichersignal DQ' am Eingang E200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 an, so wird die Abfallgeschwindigkeit der Signalflanke am Ausgang A200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 vom jeweiligen Schaltzustand des Steuertransistors 210 abhängen.To influence the slew rate of the rising edge of the output signal DQ is in the 1 upper control branch of the control signal generating means 70 or the upper control branch of the output driver circuit 30 intended. This upper control branch consists of the current mirror circuit 110 the control signal generating means 70 as well as from the input inverter circuit 200 the output driver circuit 30 and its control transistor 210 , Now is the memory signal DQ 'at the input E200 of the input inverter circuit 200 On, the decay rate of the signal edge at the output A200 of the input inverter circuit 200 from the respective switching state of the control transistor 210 depend.

Konkret wird beispielsweise bei einem Anstieg des Stromes I1 durch die Transistoreinrichtung 90 ebenfalls die Spannung (entspricht dem Steuersignal ST1) am Ausgang der Stromspiegelschaltung 110 ansteigen, so dass der Steuertransistor 210 „mehr" durchgeschaltet werden wird. Dadurch wird die Abfallgeschwindigkeit der Abfallflanke des Signals am Ausgang A200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 ansteigen und die Anstiegsgeschwindigkeit der Anstiegsflanke des Ausgangssignals DQ am Ausgang der Ausgangs-Inverterschaltung 300 dementspre chend ebenfalls ansteigen.Specifically, for example, when the current I1 rises through the transistor device 90 also the voltage (corresponds to the control signal ST1) at the output of the current mirror circuit 110 soar, so that the control transistor 210 This will change the falling edge of the falling edge of the signal at the output A200 of the input inverter circuit 200 increase and the slew rate of the rising edge of the output signal DQ at the output of the output inverter circuit 300 Accordingly, likewise increase.

Entsprechendes gilt, wenn mittels des Kontrollsignals K der Strom I1 durch die Transistoreinrichtung 90 reduziert wird: In diesem Fall würde sich auch die Spannung am Steueranschluss S30a reduzieren, wodurch die Abfallflanke am Ausgang A200 der Eingangs-Inverterschaltung 200 bzw. die Anstiegsflanke des Ausgangssignals am Ausgang A30 der Ausgangstreiberschaltung „langsamer" werden würde.The same applies if, by means of the control signal K, the current I1 through the transistor device 90 In this case, the voltage at the control terminal S30a would also be reduced, whereby the falling edge at the output A200 of the input inverter circuit 200 or the rising edge of the output signal at the output A30 of the output driver circuit would be "slower".

Die Kontrolleinheit 60 ist zum Ansteuern des oberen Steuerzweiges bestehend aus der Stromspiegelschaltung 110 und der Eingangs-Inverterschaltung 200 derart ausgestaltet, dass sie an den Steueranschluss S30a der Ausgangstreiberschaltung 30 eine Steuerspannung ST1 anlegt, die um so größer ist, je größer der Temperaturwert des Temperatursensors 50 ist und die um so kleiner ist, je kleiner der Temperaturwert T des Temperatursensors 50 ist; hierzu wird der Strom I1 im Falle hoher Temperaturen vergrößert und im Falle niedriger Temperaturen verkleinert. Durch diese Steuerungsmaßnahme wird erreicht, dass einem Abfallen der Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals DQ, wie es bei einem Temperaturanstieg ohne „Gegensteuerung" auftreten würde, entgegengewirkt wird; die Gegensteuerung beruht dabei auf der Vergrößerung des Stroms durch die Eingangs-Inverterschaltung 200 im Falle großer Temperaturen und einer Verkleinerung des Stroms durch die Eingangs-Inverterschaltung 200 im Falle kleiner Temperaturen.The control unit 60 is for driving the upper control branch consisting of the current mirror circuit 110 and the input inverter circuit 200 configured to connect to the control terminal S30a of the output driver circuit 30 applies a control voltage ST1, which is greater, the greater the temperature value of the temperature sensor 50 is and is the smaller the smaller the temperature value T of the temperature sensor 50 is; For this purpose, the current I1 is increased in the case of high temperatures and reduced in the case of low temperatures. By this control measure, it is achieved that a fall in the rate of rise of the output signal DQ, which would occur in the case of a temperature increase without "counter-control", is counteracted, the counter-control being based on the increase in the current through the input inverter circuit 200 in the case of high temperatures and a reduction of the current through the input inverter circuit 200 in case of low temperatures.

In entsprechender Weise wird die Abfallgeschwindigkeit der Abfallflanke des Ausgangssignals DQ der Ausgangstreiberschaltung 30 beeinflusst. Hierzu dient der in der 1 untere Steuerzweig der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 bzw. der Ausgangstreiberschaltung 30. Der untere Steuerzweig besteht aus der Transistorschaltung 120 der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 sowie aus der weiteren Eingangs-Inverterschaltung 220 der Ausgangstreiberschaltung 30 sowie deren Steuertransistor 220.Similarly, the falling rate becomes the trailing edge of the output signal DQ of the output driver circuit 30 affected. This is served in the 1 lower control branch of the control signal generating means 70 or the output driver circuit 30 , The lower control branch consists of the transistor circuit 120 the control signal generating means 70 as well as from afar ren input inverter circuit 220 the output driver circuit 30 and its control transistor 220 ,

Im Falle eines abfallenden Temperaturwertes T des Temperatursensors 50 wird die Kontrolleinheit 60 das Kontrollsignal K für die Transistoreinrichtung 100 der Transistorschaltung 120 derart einstellen, dass der Strom I2 durch die Transistorschaltung 120 reduziert wird. Dies hat dann zur Folge, dass das Steuersignal ST2, die Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals am Ausgang A220 der weiteren Inverterschaltung 230 und die Abfallgeschwindigkeit der Abfallflanke des Ausgangssignals DQ ebenfalls kleiner werden.In the case of a falling temperature value T of the temperature sensor 50 becomes the control unit 60 the control signal K for the transistor device 100 the transistor circuit 120 set such that the current I2 through the transistor circuit 120 is reduced. This has the consequence that the control signal ST2, the rate of rise of the output signal at the output A220 of the further inverter circuit 230 and the falling speed of the falling edge of the output signal DQ also become smaller.

Entsprechend umgekehrt erfolgt die Ansteuerung der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 durch die Kontrolleinheit 60 und damit die Ansteuerung der Ausgangstreiberschaltung 30 im Falle eines ansteigenden Temperaturwertes T des Temperatursensors 50.Correspondingly reversed, the control of the control signal generating means takes place 70 through the control unit 60 and thus the driving of the output driver circuit 30 in the case of an increasing temperature value T of the temperature sensor 50 ,

Zusammengefasst lässt sich somit feststellen, dass die Steuerung der Anstiegsgeschwindigkeit und der Abfallgeschwindigkeit der Signalflanken im wesentlichen durch die Steuertransistoren 210 und 230 bewirkt wird, die mit den beiden Eingangs-Inverterschaltungen 200 und 220 elektrisch in Reihe geschaltet sind.In summary, it can thus be stated that the control of the slew rate and the falling speed of the signal edges is essentially achieved by the control transistors 210 and 230 caused with the two input inverter circuits 200 and 220 are electrically connected in series.

Ergänzend sei erwähnt, dass die Steuertransistoren 210 und 230, die die durch die beiden Eingangs-Inverterschaltungen 200 und 220 fließenden Ströme steuern und die Flankengeschwindigkeiten des Ausgangssignals DQ somit maßgeblich beeinflussen, ebenfalls transistorweitengesteuert sein könnten; in diesem Falle wären die beiden Transistorarrays 90 und 100 in der Steuersignalerzeugungseinrichtung 70 nicht erforderlich.In addition, it should be mentioned that the control transistors 210 and 230 passing through the two input inverter circuits 200 and 220 control flowing currents and thus significantly influence the edge velocities of the output signal DQ, could also be controlled transistor-wide; in this case, the two transistor arrays would be 90 and 100 in the control signal generating means 70 not mandatory.

1010
Speicherbausteinmemory chip
2020
Speicherzellememory cell
3030
AusgangstreiberschaltungOutput driver circuit
4040
Steuereinrichtungcontrol device
5050
Temperatursensortemperature sensor
6060
Kontrolleinheitcontrol unit
7070
SteuersignalerzeugungseinrichtungControl signal generation means
8080
ReferenzstromquelleReference current source
9090
Transistoreinrichtungtransistor means
100100
Weitere TransistoreinrichtungFurther transistor means
110110
StromspiegelschaltungCurrent mirror circuit
120120
Transistorschaltungtransistor circuit
200200
Eingangs-InverterschaltungInput inverter circuit
210210
Steuertransistorcontrol transistor
220220
Weitere Eingangs-InverterschaltungFurther Input inverter circuit
230230
Steuertransistorcontrol transistor
300300
Ausgangs-InverterschaltungOutput inverter circuit
310310
P-KanaltransistorP-channel transistor
320320
EndkanaltransistorEndkanaltransistor
E70a, E70bE70a, E70B
Eingänge der SteuersignalerzeugungseinrichtungInputs of the Control signal generation means
I70I70
Stromanschluss der Steuersignalerzeugungseinpower connection the control signal generation
richtungdirection
E30E30
Dateneingang der Ausgangstreiberschaltungdata input the output driver circuit
S30a, S30bS30a, S30b
Steueranschlüsse der AusgangstreiberschaltungControl connections of the Output driver circuit
E200E200
Eingang der Eingangs-Inverterschaltungentrance the input inverter circuit
E220E220
Eingang der weiteren Eingangs-Inverterschaltungentrance the further input inverter circuit
A200A200
Ausgang der Eingangs-Inverterschaltungoutput the input inverter circuit
A220A220
Ausgang der weiteren Eingangs-Inverterschaltungoutput the further input inverter circuit
A300A300
Ausgang der Ausgangs-Inverterschaltungoutput the output inverter circuit
I1, I2I1, I2
Strömestreams
ST1, ST2ST1, ST2
Steuersignalecontrol signals

Claims (26)

Speicherbaustein (10) mit zumindest einer Speicherzelle (20) und mit einer Ausgangstreiberschaltung (30), die zur Abgabe der in der mindestens einen Speicherzelle (20) gespeicherten Daten (DQ') ein Ausgangssignal (DQ) erzeugt, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangstreiberschaltung (30) zumindest einen Steueranschluss (S30a, S30b) aufweist, über den die Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals (DQ) mittels eines an dem Steueranschluss (S30a, S30b) anliegenden Steuersignals (ST1, ST2) beeinflussbar ist.Memory module ( 10 ) with at least one memory cell ( 20 ) and with an output driver circuit ( 30 ), which are used to dispense in the at least one memory cell ( 20 ) generates an output signal (DQ), characterized in that the output driver circuit ( 30 ) has at least one control terminal (S30a, S30b) via which the rising and / or falling speed of the rising or falling edges of the output signal (DQ) can be influenced by means of a control signal (ST1, ST2) applied to the control terminal (S30a, S30b). Speicherbaustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Steueranschluss (S30a, S30b) der Ausgangstreiberschaltung (30) eine vorzugsweise zum Speicherbaustein (10) gehörende Steuereinrichtung (40) in Verbindung steht, die zum Beeinflussen der Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals (DQ) das Steuersignal (ST1, ST2) an den Steueranschluss (S30a, S30b) anlegt.Memory chip according to claim 1, characterized in that with the control terminal (S30a, S30b) of the output driver circuit ( 30 ) a preferably to the memory module ( 10 ) belonging control device ( 40 ) which applies the control signal (ST1, ST2) to the control terminal (S30a, S30b) for influencing the rising and / or falling speed of the rising or falling edges of the output signal (DQ). Speicherbaustein nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) mit einem Temperatursensor (50) ausgestattet ist oder mit einem solchen in Verbindung steht, der die Temperatur (T) des Speicherbausteins (10), insbesondere die Temperatur (T) der Ausgangstreiberschaltung (30) und/oder die der Speicherzelle (20), misst.Memory chip according to claim 2, characterized in that the control device ( 40 ) with a temperature sensor ( 50 ) is connected to or in communication with the temperature (T) of the memory module ( 10 ), in particular the temperature (T) of the output driver circuit ( 30 ) and / or the memory cell ( 20 ), measures. Speicherbaustein nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) das Steuersignal (ST1, ST2) in Abhängigkeit von den Temperaturwerten (T) des Temperatursensors (50) einstellt.Memory module according to claim 3, characterized in that the control device ( 40 ) the control signal (ST1, ST2) in dependence on the Temperature values (T) of the temperature sensor ( 50 ). Speicherbaustein nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, dass der Temperatursensor (50) in dem Speicherbaustein (10) integriert ist, vorzugsweise monolithisch.Memory module according to claim 3 or 4, characterized in that the temperature sensor ( 50 ) in the memory module ( 10 ) is integrated, preferably monolithic. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) als Steuersignal (ST1, ST2) zum Beeinflussen der Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals (DQ) einen Steuerstrom oder eine Steuerspannung an den Steueranschluss (S30a, S30b) anlegt.Memory module according to one of the preceding claims, characterized in that the control device ( 40 ) applies a control current or a control voltage to the control terminal (S30a, S30b) as a control signal (ST1, ST2) for influencing the rising and / or falling speed of the rising or falling edges of the output signal (DQ). Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) an den Steueranschluss (S30a, S30b) ein solches Steuersignal (ST1, ST2) anlegt, dass die Flankengeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) im Falle fallender Temperatur (T) reduziert und im Falle steigender Temperatur (T) erhöht wird.Memory module according to one of the preceding claims, characterized in that the control device ( 40 ) to the control terminal (S30a, S30b) such a control signal (ST1, ST2) applies that the edge velocity of the output signal (DQ) in the case of falling temperature (T) is reduced and in the case of rising temperature (T) is increased. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) eine mit dem Temperatursensor (50) verbundene Kontrolleinheit (60) und eine mit der Kontrolleinheit (60) verbundene Steuersignalerzeugungseinrichtung (70) aufweist, die von der Kontrolleinheit (60) angesteuert wird und in Abhängigkeit von der Ansteuerung durch die Kontrolleinheit (60) das Steuersignal (ST1, ST2) erzeugt.Memory module according to one of the preceding claims, characterized in that the control device ( 40 ) one with the temperature sensor ( 50 ) connected control unit ( 60 ) and one with the control unit ( 60 ) associated control signal generating means ( 70 ) provided by the control unit ( 60 ) and depending on the control by the control unit ( 60 ) generates the control signal (ST1, ST2). Speicherbaustein nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuersignalerzeugungseinrichtung (70) zumindest eine Transistoreinrichtung (90, 120) aufweist, deren Transistorstrom (I1, I2) von der Kontrolleinheit (60) beeinflusst wird.Memory chip according to claim 8, characterized in that the control signal generating device ( 70 ) at least one transistor device ( 90 . 120 ) whose transistor current (I1, I2) from the control unit ( 60 ) being affected. Speicherbaustein nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass der Transistorstrom (I1, I2) der Transis toreinrichtung (90, 100) durch Einstellen der Transistorweite der Transistoreinrichtung (90, 100) beeinflusst wird.Memory module according to Claim 9, characterized in that the transistor current (I1, I2) of the transistor device ( 90 . 100 ) by adjusting the transistor width of the transistor device ( 90 . 100 ) being affected. Speicherbaustein nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoreinrichtung (90, 100) durch eine Mehrzahl an elektrisch parallel geschalteten Transistoren gebildet ist und die Transistorweite der Transistoreinrichtung (90, 100) durch Einstellen einzelner oder aller Transistoren der Transistoreinrichtung (90, 100) festgelegt wird.Memory chip according to claim 10, characterized in that the transistor device ( 90 . 100 ) is formed by a plurality of electrically parallel-connected transistors and the transistor width of the transistor device ( 90 . 100 ) by adjusting one or all of the transistors of the transistor device ( 90 . 100 ). Speicherbaustein nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoren der Transistoreinrichtung (90, 100) gleiche Transistorweiten aufweisen.Memory chip according to claim 11, characterized in that the transistors of the transistor device ( 90 . 100 ) have the same transistor widths. Speicherbaustein nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoren der Transistoreinrichtung (90, 100) unterschiedliche Transistorweiten aufweisen.Memory chip according to claim 11, characterized in that the transistors of the transistor device ( 90 . 100 ) have different transistor widths. Speicherbaustein nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistorweiten der Transistoren logarithmisch anwachsen.Memory module according to Claim 13, characterized that the transistor widths of the transistors increase logarithmically. Speicherbaustein nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistorweiten der Transistoren logarithmisch mit der Basis 2 anwachsen.Memory module according to Claim 14, characterized that the transistor widths of the transistors logarithmically with the Grow base 2. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche 9 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Transistoreinrichtung (90) in einer Stromspiegelschaltung (110) integriert ist.Memory module according to one of the preceding claims 9 to 15, characterized in that the transistor device ( 90 ) in a current mirror circuit ( 110 ) is integrated. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass In der Steuereinrichtung (40) eine Steuertabelle hinterlegt ist, in der die Größe des Steuersignals (ST1, ST2) Temperaturwerten (T) des Temperatursensors (50) tabellenmäßig zugeordnet ist.Memory module according to one of the preceding claims, characterized in that in the control device ( 40 ) a control table is stored, in which the size of the control signal (ST1, ST2) temperature values (T) of the temperature sensor ( 50 ) is assigned in a table. Speicherbaustein nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) derart ausgestaltet ist, dass sie bei Vorliegen eines Temperaturwertes (T) des Temperatursensors (50) aus der Steuertabelle die zugeordnete Größe des Steuersignals (ST1, ST2) ausliest und ein entsprechendes Steuersignal (ST1, ST2) für die Ausgangstreiberschaltung (30) erzeugt.Memory module according to claim 17, characterized in that the control device ( 40 ) is configured such that it is in the presence of a temperature value (T) of the temperature sensor ( 50 ) reads out from the control table the assigned size of the control signal (ST1, ST2) and a corresponding control signal (ST1, ST2) for the output driver circuit ( 30 ) generated. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass die Steuereinrichtung (40) eine Recheneinrichtung aufweist, in der die Zuordnung zwischen der Größe des Steuersignals (ST1, ST2) und dem jeweiligen Temperaturwert (T) des Temperatursensors (50) mittels einer vorgegebenen mathematischen Berechnungsmethode, insbesondere mittels einer mathematischen Formel, ermittelt wird.Memory module according to one of the preceding claims 1 to 16, characterized in that the control device ( 40 ) has a computing device in which the association between the size of the control signal (ST1, ST2) and the respective temperature value (T) of the temperature sensor ( 50 ) is determined by means of a predetermined mathematical calculation method, in particular by means of a mathematical formula. Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangstreiberschaltung (30) eingangsseitig zum Beeinflussen der Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) eine Eingangs-Inverterschaltung (200) umfasst, die elektrisch mit einem Steuertransistor (210) in Verbindung steht, dessen Basis- oder Gateanschluss (G210) den zumindest einen Steueranschluss (S30a) der Ausgangstreiberschaltung (30) bildet.Memory chip according to one of the preceding claims, characterized in that the output driver circuit ( 30 ) on the input side for influencing the slew rate of the output signal (DQ) an input inverter circuit ( 200 ) electrically connected to a control transistor ( 210 ) whose base or gate terminal (G210) is the at least one control terminal (S30a) of the output driver circuit ( 30 ). Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangstreiberschaltung (30) eingangsseitig zum Beeinflussen der Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) eine Eingangs-Inverterschaltung (220) umfasst, die elektrisch mit einem Steuertransistor (230) in Verbindung steht, dessen Basis- oder Gateanschluss (G230) den zumindest einen Steueranschluss (S30b) der Ausgangstreiberschaltung (30) bildet.Memory chip according to one of the preceding claims, characterized in that the output driver circuit ( 30 ) on the input side for influencing the rate of decay of the Output signal (DQ) an input inverter circuit ( 220 ) electrically connected to a control transistor ( 230 ) whose base or gate terminal (G230) is the at least one control terminal (S30b) of the output driver circuit ( 30 ). Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangstreiberschaltung (30) eingangsseitig zum Beeinflussen der Anstiegsgeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) eine Eingangs-Inverterschaltung (200) und zum Beeinflussen der Abfallgeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) eine weitere Eingangs-Inverterschaltung (220) umfasst, wobei die beiden Inverterschaltungen (200, 220) jeweils elektrisch mit einem Steuertransistor (210, 230) in Verbindung stehen, dessen Basis- oder Gateanschluss jeweils einen Steueranschluss (S30a, S30b) der Ausgangstreiberschaltung (30) bildet.Memory chip according to one of the preceding claims, characterized in that the output driver circuit ( 30 ) on the input side for influencing the slew rate of the output signal (DQ) an input inverter circuit ( 200 ) and for influencing the decay rate of the output signal (DQ) another input inverter circuit ( 220 ), wherein the two inverter circuits ( 200 . 220 ) each electrically connected to a control transistor ( 210 . 230 ) whose base or gate terminal each have a control terminal (S30a, S30b) of the output driver circuit ( 30 ). Speicherbaustein nach einem der voranstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Ausgangstreiberschaltung (30) ausgangsseitig eine Ausgangs-Inverterschaltung (300) mit einem p-Kanal- und einem n-Kanal-Transistor (310, 320) aufweist, wobei der Gateanschluss (G310) des p-Kanal-Transistors (310) mit dem Ausgang (A200) einer der beiden Eingangs-Inverterschaltungen (200) und der Gateanschluss (G320) des n-Kanal-Transistors (320) mit dem Ausgang (A220) der anderen der beiden Eingangs-Inverterschaltungen (220) in Verbindung steht.Memory chip according to one of the preceding claims, characterized in that the output driver circuit ( 30 ) on the output side an output inverter circuit ( 300 ) with a p-channel and an n-channel transistor ( 310 . 320 ), wherein the gate terminal (G310) of the p-channel transistor ( 310 ) to the output (A200) of one of the two input inverter circuits (A2) 200 ) and the gate (G320) of the n-channel transistor ( 320 ) to the output (A220) of the other of the two input inverter circuits (A220) 220 ). Verfahren zum Betreiben eines Speicherbausteins (10) mit zumindest einer Speicherzelle (20) und mit einer Ausgangstreiberschaltung (30), die zur Ausgabe der in der mindestens einen Speicherzelle gespeicherten Daten (DQ') ein Ausgangssignal (DQ) abgibt, dadurch gekennzeichnet dass – die Temperatur (T) des Speicherbausteins (10) gemessen wird und – die Anstiegs- und/oder Abfallgeschwindigkeit der Anstiegs- oder Abfallflanken des Ausgangssignals (DQ) in Abhängigkeit von dem gemessenen Temperaturwert (T) beeinflusst wird.Method for operating a memory module ( 10 ) with at least one memory cell ( 20 ) and with an output driver circuit ( 30 ), which emits an output signal (DQ) for outputting the data (DQ ') stored in the at least one memory cell, characterized in that - the temperature (T) of the memory module ( 10 ) and - the rise and / or fall velocity of the rising or falling edges of the output signal (DQ) is influenced as a function of the measured temperature value (T). Verfahren nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, dass an einen Steueranschluss (S30a, S30b) der Ausgangstreiberschaltung (30) ein solches Steuersignal (ST1, ST2) angelegt wird, dass die Flankengeschwindigkeit des Ausgangssignals (DQ) im Falle fallender Temperatur (T) reduziert und im Falle steigender Temperatur (T) erhöht wird.A method according to claim 24, characterized in that to a control terminal (S30a, S30b) of the output driver circuit ( 30 ) such a control signal (ST1, ST2) is applied that the edge velocity of the output signal (DQ) in the case of falling temperature (T) is reduced and increased in the case of rising temperature (T). Verfahren nach Anspruch 24 oder 25, dadurch gekennzeichnet, dass zum Beeinflussen der Steuerspannung (ST1, ST2) die Transistorweite einer Transistoreinrichtung (90, 100) eingestellt wird.A method according to claim 24 or 25, characterized in that for influencing the control voltage (ST1, ST2), the transistor width of a transistor device ( 90 . 100 ) is set.
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US20020030523A1 (en) * 1998-12-31 2002-03-14 Intel Corporation Slew rate control
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