DE102004048529B4 - Elektronisches Gerät mit Halbleiterchip, der über eine Lötmittelschicht mit einem metallischen Leiterteil flächig verbunden ist - Google Patents

Elektronisches Gerät mit Halbleiterchip, der über eine Lötmittelschicht mit einem metallischen Leiterteil flächig verbunden ist Download PDF

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Abstract

Elektronisches Gerät mit mindestens einem Halbleiterchip (1), der an einer Kontaktseite (2b) über mindestens eine Lötmittelschicht (3b) elektrisch leitend mit wenigstens einem metallischen Leiterteil (4b) flächig verbunden ist, wobei außer der Lötmittelschicht (3b) zwischen dem Leiterteil (4b) und dem Halbleiterchip (1) mindestens eine Zwischenschicht (8) angeordnet ist, und die Zwischenschicht (8) wenigstens ein Festkörper-Metallelement aufweist, das mehrere, voneinander beabstandete, jeweils das Leiterteil (4b) mit dem Halbleiterchip (1) elektrisch verbindende flexible Metallelementabschnitte (10) hat, die mit ihrer Erstreckungsebene oder Erstreckungsrichtung quer zur Ebene des Halbleiterchips (1) verlaufen, und dass seitlich neben den Metallelementabschnitten (10) Bewegungsfreiräume (11) für die Metallelementabschnitte (10) angeordnet sind, wobei die Bewegungsfreiräume (11) für die Metallelementabschnitte (10) mit einem Lot (9) befüllt sind, das bei einer beim Betrieb des Geräts in den Bewegungsfreiräumen (11) auftretenden Betriebstemperatur teigig oder flüssig ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein elektronisches Gerät mit mindestens einem Halbleiterchip, der an einer Kontaktseite über mindestens eine feste Lötmittelschicht elektrisch leitend mit wenigstens einem metallischen Leiterteil flächig verbunden ist.
  • Ein derartiges, als Endstufe zum Ansteuern eines bürstenlosen Elektromotors ausgebildetes elektronisches Gerät ist aus der Praxis bekannt. Als Halbleiterchip weist das Gerät mehrere Transistoren auf, die auf einer Leiterplatte angeordnet sind. Die Halbleiterchips haben an ihren vorderen und hinteren Flachseiten elektrische Kontaktstellen, von denen eine jeweils an der der Leiterplatte zugewandten Rückseite des Halbleiterchips flächig mit einem Leiterteil verbunden sind. An den an den Vorderseiten der Halbleiterchips angeordneten Kontaktstellen ist jeweils ein Bonddraht über eine Ultraschall-Schweißverbindung angeschlossen. Die Bonddrähte bestehen aus Aluminium und ihr Durchmesser ist auf etwa 0,3 bis 0,5 Millimeter begrenzt. Sie weisen deshalb einen relativ großen ohmschen Widerstand auf, der über 1 mΩ betragen kann. Dies ist vor allem bei der Ansteuerung von Elektromotoren ungünstig, die nur eine geringe Anzahl von Wicklungen aufweisen. Derartige Elektromotoren sind zwar kostengünstig herstellbar, erfordern jedoch einen relativ großen Motorstrom, woraus sich die Anforderung ergibt, den Motorstromkreis und somit auch die Endstufe möglichst niederohmig zu gestalten.
  • Aus der Praxis kennt man auch bereits ein elektronisches Gerät, bei dem der Halbleiterchip an einer Kontaktseite flächig über eine Lötmittelschicht elektrisch leitend mit einem metallischen Leiterteil verbunden ist. Der Halbleiterchip und das Leiterteil weisen einen unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten aus. Da sich der Halbleiterchip und das Leiterteil nach dem Einschalten des Geräts aufgrund der vor allem in dem Halbleiterchip auftretenden Verlustwärme erwärmen, dehnen sie sich unterschiedlich stark aus. Um die aufgrund dieser unterschiedlichen Ausdehnung in dem Halbleiterchip auftretenden mechanischen Spannungen zu reduzieren, ist die Erweichungstemperatur der Lötmittelschicht derart auf die Betriebstemperatur des Geräts abgestimmt, dass die Lötmittelschicht bei Betriebstemperatur teigig oder flüssig ist. Um ein seitliches Wegfließen der Lötmittelschicht aus dem zwischen dem Leiterteil und dem Halbleiterchip gebildeten Lötspalt zu verhindern, ist die Lötmittelschicht seitlich von einem Wegfließschutz umgrenzt. Die Lötmittelschicht hat jedoch den Nachteil, dass sie noch einen relativ großen elektrischen Widerstand und eine entsprechend geringe Wärmeleitfähigkeit aufweist.
  • Um thermischem Stress auf Grund von Temperaturschwankungen entgegenzuwirken ist in der US 6,072,240 A ein Lötmaterial vorgesehen, welches bei Betriebstemperaturen eines IGBT weich wird.
  • Es besteht deshalb die Aufgabe, ein elektronisches Gerät der eingangs genannten Art zu schaffen, das einen kleinen ohmschen Kontaktwiderstand zwischen dem Leiterteil und dem Halbleiterchip und eine gute Wärmeübertragung von dem Halbleiterchip zu dem Leiterteil ermöglicht. Außerdem soll das elektronische Gerät eine gute Langzeitstabilität gegenüber den beim normalen Gebrauch an dem Halbleiterchip auftretenden Temperaturschwankungen aufweisen.
  • Die vorstehend genannte Aufgabe wird mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Dabei ist vorgesehen, dass zwischen der festen Lötmittelschicht und dem Leiterteil und/oder dem Halbleiterchip mindestens eine Zwischenschicht angeordnet ist, die wenigstens ein Festkörper-Metallelement aufweist, das mehrere, voneinander beabstandete, jeweils das Leiterteil mit dem Halbleiterchip elektrisch verbindende flexible Metallelementabschnitte hat, die mit ihrer Erstreckungsebene oder Erstreckungsrichtung quer zur Ebene des Halbleiterchips verlaufen, wobei seitlich neben den Metallelementabschnitten Bewegungsfreiräume für die Metallelementabschnitte angeordnet sind.
  • Wie vorstehend bereits erwähnt wurde, weisen der Halbleiterchip und das metallische Leiterteil unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten auf. Beim Auftreten von Temperaturveränderungen ergeben sich dadurch an dem Halbleiterchip und dem Leiterteil unterschiedliche Längenänderungen. In vorteilhafter Weise ermöglich das flexible Metallelement einen Ausgleich dieser Längenänderungen, indem die Metallelementabschnitte in die Bewegungsfreiräume ausgelenkt werden. Somit treten bei Temperaturveränderungen sowohl in dem Halbleiterchip als auch in der festen Lötmittelschicht nur sehr geringe mechanische Spannungen auf. Darüber hinaus ergibt sich aufgrund des mindestens einen Metallelements, das ggf. direkt an dem Halbleiterchip und/oder dem Leiterteil anliegen kann, ein geringer elektrische Übergangswiderstand sowie eine gute thermische Kopplung zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterteil. Dadurch wird einerseits die an dem Übergangswiderstand auftretende Verlustwärme reduziert und andererseits wird aber auch eine gute Ableitung der vor allem an dem Halbleiterchip auftretenden Verlustwärme über das Leiterteil an die Umgebung ermöglicht. Das elektronische Gerät weist deshalb eine gute Langzeitstabilität gegenüber Temperaturschwankungen an dem Halbleiterchip auf. Beidseits der Zwischenschicht kann eine dünne, feste Lötmittelschicht zum Verbinden der Zwischenschicht mit dem Halbleiterchip und dem Leiterteil angeordnet sein.
  • Vorteilhaft ist, wenn die Metallelementabschnitte, ausgehend von dem einen zu dem anderen Ende des Metallelements abwechselnd auf den Halbleiterchip zu- und von diesem wegverlaufen, und wenn die Metallelementabschnitte vorzugsweise Wellen und/oder Schlaufen bilden. Zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterteil ergibt sich dann ein noch geringerer elektrischer und thermischer Übergangswiderstand.
  • Bei einer bevorzugten Ausführungsform ist das Metallelement eine Metallfolie. Das Metallelement weist dann eine hohe Flexibilität auf und ermöglicht somit bei Temperaturveränderungen einen besonders guten Ausgleich von unterschiedlichen Längenänderungen des Halbleiterchips einerseits und des Leiterteils andererseits. Außerdem lässt sich die Metallfolie kostengünstig herstellen.
  • Bei einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung weist die Metallfolie mindestens zwei, vorzugsweise etwa parallel zueinander verlaufende, voneinander beabstandete streifenförmige Bereich auf, wobei die abwechselnd auf den Halbleiterchip zu- und von diesem wegverlaufenden Metallelementabschnitte in Längsrichtung dieser streifenförmigen Bereiche hintereinander angeordnet sind. Durch die streifenförmigen Bereiche können sowohl quer zu den streifenförmigen Bereichen als auch in deren Längsrichtung auftretende unterschiedliche Längenänderungen des Halbleiterchips und des Leiterteils ausgleichen werden.
  • Bei einer anderen vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung weist das Leiterteil mindestens einen Schlitz auf, der das Leiterteil quer zur Erstreckungsebene des Halbleiterchips durchsetzt, wobei die Zwischenschicht beidseits des Schlitzes mit dem Leiterteil elektrisch leitend verbunden ist, und wobei die abwechseln auf den Halbleiterchip zu- und von diesem wegverlaufende Metallelementabschnitte in Längsrichtung des Schlitzes hintereinander angeordnet sind. Durch diese Maßnahme können beim Auftreten von Temperaturveränderungen quer zur Ebene des Schlitzes und parallel zur Ebene des Halbleiterchips auftretende unterschiedliche Längenänderungen des Halbleiterchips und des Leiterteils ausgleichen werden.
  • Vorteilhaft ist, wenn das Leiterteil beidseits des wenigstens einen Schlitzes stegförmig ausgebildete Abschnitte aufweist, die den Schlitz seitlich begrenzen und an ihren Enden durch Querstege einstückig miteinander verbunden sind, und wenn an mindestens einem Quersteg zugewandten Endbereich wenigstens eines der stegförmigen Abschnitte ein Verformungsbereich vorgesehen ist, an dem der stegförmige Abschnitte vorzugsweise in zueinander entgegen gesetzten Richtungen gekrümmt oder abgewinkelt ist. Die stegförmigen Abschnitte können sich dann bei aufgrund von Temperaturveränderungen auftretenden unterschiedlichen Längenänderungen des Halbleiterchipwerkstoffs und des Werkstoffs des Leiterteils aufeinander zu- oder voneinander wegbewegen, so dass sich die mechanischen Spannungen in der Lötmittelschicht entsprechend reduzieren.
  • Bei einer zweckmäßigen Ausführungsform der Erfindung sind die Metallelemente Fasern eines Gewebes. Durch Temperaturveränderungen verursachte unterschiedliche Längenänderungen des Halbleiterchips und des Leiterteils können durch die Fasern in quer zueinander und parallel zur Ebene des Halbleiterchips verlaufenden Richtungen gleichermaßen ausgeglichen werden. Das Gewebe ermöglicht eine hohe Dichte der Fasern, wodurch sich ein niedriger elektrischer Übergangswiderstand und ein niedriger Wärmeübergangswiderstand zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterteil ergeben.
  • Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung sind die Metallelemente Fasern eines Vlieses. Die Zwischenschicht ist dann besonders kostengünstig herstellbar.
  • Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Bewegungsfreiräume für die Metallelementabschnitte mit einem Lot befüllt sind, das bei einer beim Betrieb des Geräts in den Bewegungsfreiräumen auftretenden Betriebstemperatur teigig oder flüssig ist. Der elektrische Übergangswiderstand und der Wärmeübergangswiderstand zwischen dem Halbleiterchip und dem Leiterteil können dadurch zusätzlich reduziert werden. Dabei kann dass mindestens eine Metallelement gegebenenfalls als Wegfließschutz für das teigige oder flüssige Lot ausgebildet sein. Es ist aber auch denkbar, dass an einem Randbereich der Zwischenschicht zusätzlich zu dem (den) Metallelement(en) als Wegfließschutz eine Dichtung angeordnet ist.
  • Die Leiterteile können aus Kupfer, vorzugsweise aus Reinkupfer bestehen. Dieser Werkstoff wird wegen seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und seiner guten elektrischen Leitfähigkeit bevorzugt.
  • Das elektronische Gerät ist vorzugsweise als Endstufe zum Ansteuern einer elektrischen Maschine, insbesondere eines bürstenlosen Elektromotors ausgebildet, die mindestens zwei der Halbleiterschalter aufweist, wobei wenigstens eines der Leiterteile als Brückenleiter ausgebildet ist, der die Halbleiterschalter zu mindestens einer Halbbrücke miteinander verbindet. Dadurch ergibt sich ein besonders kompakter Aufbau der Endstufe. Wegen des geringen elektrischen Übergangswiderstands und der guten Wärmekopplung zwischen dem Halbleiterchip und den Leiterteilen ermöglicht die Endstufe eine hochdynamische Ansteuerung des Elektromotors, was vor allem in der Fahrzeugtechnik, beispielsweise bei Ausrückmotoren für Kupplungen, von Vorteil ist.
  • Ein Halbleiterchip könnte beidseitig flächig mit Leiterteilen kontaktiert sein, so dass sich einerseits ein kleiner Kontaktwiderstand zwischen den Leiterteilen und dem Halbleiterchip ergibt und der Halbleiterchip andererseits aber auch gut wärmeleitend mit den Leiterteilen verbunden ist. Somit kann die beim Betrieb des elektronischen Geräts in dem Halbleiterchip auftretende Verlustwärme über die Leiterteile gut an die Umgebung abgeführt werden. Da die beidseits des Halbleiterchips angeordneten Lötmittelschichten unterschiedliche Erweichungstemperaturen aufweisen, die derart an die Betriebstemperatur angepasst sind, dass bei Betriebstemperatur die eine Lötmittelschicht fest und die andere teigig oder flüssig ist, treten bei unterschiedlichen Temperaturen in dem Halbleiterchip nur geringe mechanische Spannungen in dem Halbleiterchip und den Lötmittelschichten auf. Überraschenderweise hat sich nämlich herausgestellt, dass es in der Praxis ausreichend ist, wenn nur an einer Flachseite des Halbleiterchips dieser über eine weiche Lötmittelschicht mit einem Leiterteil verbunden ist. Durch diese Maßnahme werden gegenüber einem elektronischen Gerät, bei dem der Halbleiterchip beidseits über feste Lötmittelschichten mit massiven Leiterteilen verbunden ist, die bei unterschiedlichen Temperaturen in dem Halbleiterchip auftretenden Zug- und Druckspannungen erheblich reduziert, so dass die elektrische Kontaktierung zwischen dem Halbleiterchip und den Leiterteilen trotz der in der Praxis unvermeidbaren Temperaturschwankungen eine hohe Langzeitstabilität aufweist. Unter einer Betriebstemperatur wird die bei bestimmungsgemäßem Gebrauch des elektrischen Geräts in der flüssigen oder teigigen Lötmittelschicht maximal auftretende Temperatur verstanden. Die Betriebstemperatur ist so gewählt, dass der Halbleiterchip beim Auftreten der Betriebstemperatur thermisch nicht geschädigt wird. Während des Betriebs des Geräts kann die Betriebstemperatur dauerhaft in der Lötmittelschicht vorhanden sein. Es ist aber auch möglich, dass die Betriebstemperatur nur kurzzeitig, beispielsweise während des Auftretens einer Spitzenlast, erreicht wird.
  • Hierbei könnte die Erweichungstemperatur der zweiten Lötmittelschicht kleiner als 220°C, gegebenenfalls kleiner als 190°C, insbesondere kleiner als 160°C und bevorzugt kleiner als 130°C sein. Dabei kann vor allem bei einer Erweichungstemperatur von unter 130°C eine hohe Langzeitstabilität der Lötverbindungen ermöglicht werden.
  • Weiter könnte der Wegfließschutz aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff, vorzugsweise aus Kunststoff oder Keramik bestehen, der die zweite Lötmittelschicht rahmenförmig umgrenzt. Wenn der Werkstoff aus Kunststoff besteht, kann der Wegfließschutz bei der Fertigung des elektrischen Geräts auf einfache Weise als eine die zweite Lötmittelschicht abdichtende Vergussmasse auf den Halbleiterchip aufgebracht werden. Ein Wegfließschutz aus Keramik ermöglicht eine hohe Wärmeleitfähigkeit, so dass die an dem Halbleiterchip auftretende Verlustwärme dann außer über die Lötmittelschichten, auch über den Wegfließschutz an die Umgebung abgeführt werden kann.
  • Der Halbleiterchip könnte als Halbleiterschalter mit einem Drain-Anschluss, einem Source-Anschluss und einem Gate-Anschluss ausgebildet sein, wobei der Source-Anschluss und der Gate-Anschluss auf der der festen Lötmittelschicht zugewandten Kontaktseite und der Drain-Anschluss an der gegenüberliegenden, der bei Betriebstemperatur teigigen oder flüssigen Lötmittelschicht zugewandten Kontaktseite des Halbleiterchips angeordnet sind. Dadurch kann gegenüber einer Anordnung, bei der die bei Betriebstemperatur teigige oder flüssige Lötmittelschicht an der den Gate-Anschluss aufweisenden Kontaktseite des Halbleiterchips angeordnet ist, eine elektrisch isolierendes Dichtelement zwischen dem Lötmittel des Gate-Anschlusses und dem Lötmittel des Drain-Anschlusses eingespart werden.
  • Beispiele eines elektrischen Geräts, welches einen Halbleiterchip aufweist, ist in den folgenden Figuren gezeigt:
  • 1 einen Teilquerschnitt durch ein elektrisches Gerät, das einen Halbleiterchip aufweist, der beidseits über Lötmittelschichten flächig mit massiven Leiterteilen aus Kupfer verbunden ist,
  • 2 einen Teilquerschnitt durch ein elektrisches Gerät, das einen Halbleiterchip aufweist, der einseitig über zwei Lötmittelschichten und eine zwischen diesen befindliche gewellte Metallfolie mit einem massiven Leiterteil aus Kupfer verbunden ist,
  • 3 einen vergrößerten Ausschnitt aus 2, Ausführungsbeispiele der Erfindung sind anhand der folgenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
  • 4 eine Darstellung ähnlich 2, wobei jedoch eine der beiden Lötmittelschichten aus einem Werkstoff besteht, der bei Betriebstemperatur pastös oder flüssig ist, und
  • 5 eine Aufsicht auf ein Leiterteil, auf dem eine gewellte Metallfolie angeordnet ist, wobei die Kontaktfläche der Metallfolie zum Halbleiterchip dargestellt ist.
  • Ein elektronisches Gerät, nämlich eine Endstufe zum Ansteuern der Wicklung eines bürstenlosen Elektromotors hat mehrere als Leistungstransistoren ausgebildete Halbleiterchips 1, die in an sich bekannter Wiese zu einer Brückenschaltung mit mehreren Halbbrücken miteinander verbunden sind.
  • Bei dem in 1 gezeigten Beispiel sind die einander gegenüberliegenden Flachseiten der Halbleiterchips 1 jeweils als Kontaktseiten 2a, 2b ausgebildet. Eine erste Kontaktseite 2a ist über eine erste Lötmittelschicht 3a flächig mit einem ersten metallischen Leiterteil 4a elektrisch leitend verbunden. Eine zweite Kontaktseite 2b ist über eine zweite Lötmittelschicht 3b flächig mit einem zweiten metallischen Leiterteil 4b elektrisch leitend verbunden. Dabei kontaktieren die Lötmittelschichten 3a, 3b jeweils mit ihrer einen Flachseite die dieser zugewandte Kontaktseite 2a, 2b des Halbleiterchips 1 und mit ihrer gegenüberliegenden anderen Flachseite das ihnen zugeordnete Leiterteil 4a, 4b flächig. Die Leiterteile 4a, 4b sind als massive Leiterbahnen aus Reinkupfer ausgebildet, die in einer normal zu der Ebene des Halbleiterchips 1 verlaufenden Richtung eine größere Abmessung bzw. Dicke aufweisen als die Dicke des Halbleiterchips 1. Der Kupfer-Werkstoff der Leiterteile 4a, 4b und der Werkstoff der Halbleiterchips 1 weisen einen unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten aus.
  • Die Lötmittelschichten 3a, 3b haben unterschiedliche Erweichungstemperaturen. Diese sind derart auf eine beim Betrieb des elektronischen Geräts in den Lötmittelschichten 3a, 3b auftretende Betriebstemperatur abgestimmt, dass die erste Lötmittelschicht 3a bei der Betriebstemperatur fest und die zweite Lötmittelschicht 3b teigig oder flüssig ist. Die Betriebstemperatur wird im Wesentlichen durch die bei einem Stromfluss in dem Halbleiterchip 1 in diesem erzeugte Verlustwärme und die Wärmeableitung von dem Halbleiterchip 1 über die Lötmittelschichten 3a, 3b und die Leiterteile 4a, 4b an die Umgebung bestimmt. Die Erweichungstemperatur der ersten Lötmittelschicht 3a ist höher als 210°C. Die Erweichungstemperatur der zweiten Lötmittelschicht 3b liegt etwa zwischen 130°C und 160°C.
  • In der teigigen oder flüssigen Lötmittelschicht 3b treten trotz der unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten des Werkstoffs der Leiterteile 4a, 4b und des Werkstoffs der Halbleiterchips 1 praktisch keine mechanischen Spannungen auf. Gegenüber einem Halbleiterchip, der an beiden Kontaktseiten über feste Lötmittelschichten mit Leiterteilen flächig verbunden ist, sind aufgrund des teigigen oder flüssigen Zustands der Lötmittelschicht 3b auch in der festen Lötmittelschicht 3a die mechanischen Spannungen reduziert. Die Kontaktierung des Halbleiterchips 1 weist deshalb eine gute Langzeitstabilität gegenüber Temperaturschwankungen in den Lötmittelschichten 3a, 3b auf.
  • In 1 ist erkennbar, dass die zweite Lötmittelschicht 3b seitlich von einem Wegfließschutz 5 umgrenzt ist, der aus einem elektrisch isolierenden Werkstoff besteht, vorzugsweise aus einem elastischen Kunststoff. Die Wegfließschutz 5 umgrenzt den Halbleiterchip rahmenförmig und dichtet den zwischen der Kontaktseite 2b des Halbleiterchips 1 und dem Leiterteil 4b gebildeten Raum seitlich gegen den Halbleiterchip 1 und das Leiterteil 4b ab.
  • Der Halbleiterchip 1 weist einen Source-Anschluss, einen Drain-Anschluss und einen Gate-Anschluss auf. Source-Anschluss und Gate-Anschluss sind an der Kontaktseite 2a und der Drain-Anschluss an der gegenüberliegenden anderen Kontaktseite 2b des Halbleiterchips 1 angeordnet. Das Leiterteil 4a ist als Source-Kontakt ausgebildet und über die feste Lötmittelschicht 3a mit dem ihm zugewandten Source-Anschluss verbunden. Seitlich neben der Lötmittelschicht 3a ist eine Lötstelle 6 vorgesehen, die den Gate-Anschluss des Halbleiterchips 1 mit einem Gate-Kontakt 7 verbindet. Das Lötmittel der Lötstelle 6 ist bei Betriebstemperatur fest. In 1 ist erkennbar, dass die Lötstelle 6 von der Lötmittelschicht 3a seitlich beabstandet ist. Das Leiterteil 4b ist als Drain-Kontakt ausgebildet und über die bei Betriebstemperatur teigige oder flüssige Lötmittelschicht 3b mit dem ihm zugewandten Drain-Anschluss verbunden.
  • Bei dem in 2 gezeigten Beispiel ist der Halbleiterchip 1 nur an seiner den Drain-Anschluss aufweisenden Kontaktseite 2b flächig mit einem massiven metallischen Leiterteil 4b elektrisch leitend verbunden. An seiner der Kontaktseite 2b gegenüberliegenden anderen Kontaktseite 2a weist der Halbleiterchip 1 einen Source- und einen Gate-Anschluss auf, die über in der Zeichnung nicht naher dargestellte Bonddrähte punktförmig kontaktiert sind. Zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Leiterteil 4b ist eine Zwischenschicht 8 angeordnet, die an ihrer einen Flachseite über eine Lötmittelschicht 3b mit der Kontaktseite 2b des Halbleiterchips 1 und an ihrer anderen Flachseite über eine Lotschicht 9 mit dem Leiterteil 4b jeweils flächig kontaktiert ist.
  • Die Zwischenschicht 8 weist mindestens ein durch eine Reinkupferfolie gebildetes Festkörper-Metallelement auf, das mehrere, voneinander beabstandete, jeweils das Leiterteil 4b mit dem Halbleiterchip 1 elektrisch verbindende flexible Metallelementabschnitte 10 hat. Wie in 3 besonders gut erkennbar ist, verlaufen die Metallelementabschnitte 10 jeweils mit ihrer Erstreckungsebene quer zur Ebene des Halbleiterchips 1. Zwischen zueinander benachbart nebeneinander angeordneten Metallelementabschnitten 10 ist jeweils ein Bewegungsfreiraum 11 gebildet, der frei von Lötmittel ist und in den die Metallelementabschnitte 10 quer zu ihrer Erstreckungsebene ausgelenkt werden können, wenn sich die Werkstoffe des Metallelements und des Halbleiterchips 1 bei einer Temperaturveränderung unterschiedlich stark ausdehnen. In 2 und 3 ist erkennbar, dass die Metallelementabschnitte 10, ausgehend von dem einen zu dem anderen Ende des Metallelements abwechseln auf den Halbleiterchip 1 zu- und von diesem wegverlaufen. Dabei bilden die Metallelementabschnitte 10 eine Vielzahl von Schlaufen oder Wellen, die etwa die gleichen Abmessungen aufweisen und in gleichen Abständen zueinander angeordnet sind. In 3 ist erkennbar, dass die Metallelementabschnitte 10 durch parallel zur Ebene des Halbleiterchips verlaufende Verbindungsabschnitte 12 miteinander verbunden sind, die über die Lotschicht 9 flächig mit dem Leiterteil 4a kontaktiert sind. An ihrem von den Verbindungsabschnitten 12 beabstandeten, am weitesten in Richtung auf das Leiterteil 4b vorstehenden Enden berühren die Schlaufen oder Wellen die Kontaktseite 2b des Halbleiterchips 1. An diesen Enden sind die Schlaufen oder Wellen über die Lötmittelschicht 3a mit dem Halbleiterchip 1 verlötet.
  • Bei dem in 4 gezeigten Ausführungsbeispiel ist die Erweichungstemperatur der Lotschicht 9 derart auf eine beim Betrieb des Geräts in der Lotschicht 9 auftretende Betriebstemperatur abgestimmt, dass die Lotschicht 9 bei der Betriebstemperatur teigig oder flüssig ist. Im Unterschied zu dem Ausführungsbeispiel nach 2 und 3 erstreckt sich die Lotschicht 9 bei dem Ausführungsbeispiel nach 4 bis in die Bewegungsfreiräume 11 und füllt diese vorzugsweise vollständig aus. Die Verbindung zwischen dem Halbleiterchip 1 und dem Leiterteil weist dadurch wird eine besonders hohe elektrische und thermische Leitfähigkeit auf.
  • Bei dem in 5 gezeigten Ausführungsbeispiel hat das Leiterteil 4b zwei parallel zueinander verlaufende Schlitze 13, die das Leiterteil 4b etwa rechtwinklig zur Erstreckungsebene des Halbleiterchips 1 und rechtwinklig zur Längserstreckungsrichtung der Metallelementabschnitte 10 durchsetzen. Deutlich ist erkennbar, dass die abwechseln auf den Halbleiterchip 1 zu- und von diesem wegverlaufende Metallelementabschnitte 10 in Längsrichtung der Schlitze 13 hintereinander angeordnet sind. Die Schlitze 13 sind jeweils beidseits durch stegförmige Abschnitte 14 des Leiterteils 4b begrenzt. Diese stegförmigen Abschnitte 14 sind an ihren Enden beidseits durch Querstege 15 einstückig miteinander verbunden.
  • Die den Querstegen 15 zugewandten Endbereiche der beiden äußeren stegförmigen Abschnitte 14 sind jeweils als Verformungsbereiche 16 ausgebildet, die es ermöglichen, die Bereiche der stegförmigen Abschnitte 14, welche die Zwischenschicht 8 überdecken, elastisch aufeinander zu- und voneinander wegzubewegen. Die Verformungsbereiche 16 sind ausgehend von ihrem dem Quersteg 15 zugewandten Ende zu ihrem davon entfernten anderen Ende in zueinander entgegen gesetzten Richtungen gekrümmt, derart, dass sie ausgehend von dem Quersteg 15 zu ihrem davon entfernten Ende schräg auf einen mittleren stegförmigen Abschnitte 14 des Leiterteils 4b zulaufen. In den zwischen den Verformungsbereichen 16 befindlichen Bereichen kontaktieren die stegförmigen Abschnitte 14 jeweils die Zwischenschicht 8 direkt und/oder über die Lotschicht 9. In Kombination mit den Schlitzen 13 werden die mechanischen Spannungen in dem Halbleiterchip 1 beim Auftreten von Temperaturveränderungen in der Ebene des Halbleiterchips 1 quer zueinander verlaufenden Richtungen reduziert.
  • Bezugszeichenliste
    • 1
    Halbleiterchip
    2a, 2b
    Kontaktseite
    3a, 3b
    Lötmittelschicht
    4a, 4b
    Leiterteil
    5
    Wegfließschutz
    6
    Lötstelle
    7
    Gate Kontakt
    8
    Zwischenschicht
    9
    Lotschicht
    10
    Metallelementenabschnitt
    11
    Bewegungsfreiraum
    12
    Verbindungsabschnitt
    13
    Schlitz
    14
    Abschnitt
    15
    Quersteg
    16
    Verformungsbereich

Claims (10)

  1. Elektronisches Gerät mit mindestens einem Halbleiterchip (1), der an einer Kontaktseite (2b) über mindestens eine Lötmittelschicht (3b) elektrisch leitend mit wenigstens einem metallischen Leiterteil (4b) flächig verbunden ist, wobei außer der Lötmittelschicht (3b) zwischen dem Leiterteil (4b) und dem Halbleiterchip (1) mindestens eine Zwischenschicht (8) angeordnet ist, und die Zwischenschicht (8) wenigstens ein Festkörper-Metallelement aufweist, das mehrere, voneinander beabstandete, jeweils das Leiterteil (4b) mit dem Halbleiterchip (1) elektrisch verbindende flexible Metallelementabschnitte (10) hat, die mit ihrer Erstreckungsebene oder Erstreckungsrichtung quer zur Ebene des Halbleiterchips (1) verlaufen, und dass seitlich neben den Metallelementabschnitten (10) Bewegungsfreiräume (11) für die Metallelementabschnitte (10) angeordnet sind, wobei die Bewegungsfreiräume (11) für die Metallelementabschnitte (10) mit einem Lot (9) befüllt sind, das bei einer beim Betrieb des Geräts in den Bewegungsfreiräumen (11) auftretenden Betriebstemperatur teigig oder flüssig ist.
  2. Elektronisches Gerät nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelementabschnitte (10), ausgehend von dem einen zu dem anderen Ende des Metallelements abwechseln auf den Halbleiterchip (1) zu- und von diesem weg verlaufen, und dass die Metallelementabschnitte (10) vorzugsweise Wellen und/oder oder Schlaufen bilden.
  3. Elektronisches Gerät nach Anspruch 1 oder 2 dadurch gekennzeichnet, dass das Metallelement eine Metallfolie ist.
  4. Elektronisches Gerät nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallfolie mindestens zwei, vorzugsweise etwa parallel zueinander verlaufende, voneinander beabstandete streifenförmige Bereich aufweist, und dass die abwechselnd auf den Halbleiterchip (1) zu- und von diesem wegverlaufenden Metallelementabschnitte (10) in Längsrichtung dieser streifenförmigen Bereiche hintereinander angeordnet sind.
  5. Elektronisches Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass das Leiterteil (4b) mindestens einen Schlitz (13) aufweist, der das Leiterteil (4b) quer zur Erstreckungsebene des Halbleiterchips (1) durchsetzt, dass die Zwischenschicht (8) beidseits des Schlitzes (13) mit dem Leiterteil (4b) elektrisch leitend verbunden ist, und dass die abwechseln auf den Halbleiterchip (1) zu- und von diesem wegverlaufende Metallelementabschnitte (10) in Längsrichtung des Schlitzes (13) hintereinander angeordnet sind.
  6. Elektronisches Gerät nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass das Leiterteil (4b) beidseits des wenigstens einen Schlitzes (13) stegförmig ausgebildete Abschnitte (14) aufweist, die den Schlitz (13) seitlich begrenzen und an ihren Enden durch Querstege (15) einstückig miteinander verbunden sind, und dass an mindestens einem Quersteg (15) zugewandten Endbereich wenigstens eines der stegförmigen Abschnitte (14) ein Verformungsbereich (16) vorgesehen ist, an dem der stegförmige Abschnitte (14) vorzugsweise in zueinander entgegen gesetzten Richtungen gekrümmt oder abgewinkelt ist.
  7. Elektronisches Gerät nach einem der Ansprüche 1, 2, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelemente Fasern eines Gewebes sind.
  8. Elektronisches Gerät nach einem der Ansprüche 1, 2, 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass die Metallelemente Fasern eines Vlieses sind.
  9. Elektronisches Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Leiterteil (3b) aus Kupfer, vorzugsweise aus Reinkupfer besteht.
  10. Elektronisches Gerät nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass es als Endstufe zum Ansteuern einer elektrischen Maschine, insbesondere eines bürstenlosen Elektromotors ausgebildet ist, die mindestens zwei der Halbleiterchips aufweist, dass das Leiterteil (3b) als Brückenleiter ausgebildet ist, der die Halbleiterchips zu mindestens einer Halbbrücke miteinander verbindet.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2896914B1 (fr) * 2006-01-30 2008-07-04 Valeo Electronique Sys Liaison Module electronique et procede d'assemblage d'un tel module
US8633600B2 (en) 2010-09-21 2014-01-21 Infineon Technologies Ag Device and method for manufacturing a device
US8587116B2 (en) 2010-09-30 2013-11-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor module comprising an insert
US20140252576A1 (en) * 2011-10-31 2014-09-11 Hitachi, Ltd. Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof
DE102016121801B4 (de) 2016-11-14 2022-03-17 Infineon Technologies Ag Baugruppe mit Verbindungen, die verschiedene Schmelztemperaturen aufweisen, Fahrzeug mit der Baugruppe und Verfahren zum Herstellen derselben und Verwendung der Baugruppe für eine Automobilanwendung
DE102017211619A1 (de) * 2017-02-08 2018-08-09 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur elektrischen Kontaktierung und Leistungsmodul
DE102017131077B4 (de) * 2017-12-22 2022-03-24 CiS Forschungsinstitut für Mikrosensorik GmbH Verfahren zum Erzeugen einer Kontaktierfläche und Kontaktierfläche für die Montage mindestens eines Halbleiterchips auf einem Substrat

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3248615A (en) * 1963-05-13 1966-04-26 Bbc Brown Boveri & Cie Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses
US5420461A (en) * 1992-04-17 1995-05-30 Intel Corporation Integrated circuit having a two-dimensional lead grid array
US5528456A (en) * 1993-11-15 1996-06-18 Nec Corporation Package with improved heat transfer structure for semiconductor device
US6072240A (en) * 1998-10-16 2000-06-06 Denso Corporation Semiconductor chip package
EP1130643A2 (de) * 2000-03-03 2001-09-05 D-Tech GmbH Antriebstechnik und Mikroelektronik Aufbau von Leistungshalbleitern mit einer Ausgleichsschicht zum Kühlkörper
US20020190388A1 (en) * 2001-06-14 2002-12-19 Eytcheson Charles Tyler Method of mounting a circuit component and joint structure therefor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2530552A (en) * 1946-01-08 1950-11-21 Champion Paper & Fibre Co Soldering method for positioning strip material
US5746367A (en) * 1996-04-08 1998-05-05 Ceridan Corporation Method and apparatus to wick solder from conductive surfaces

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3248615A (en) * 1963-05-13 1966-04-26 Bbc Brown Boveri & Cie Semiconductor device with liquidized solder layer for compensation of expansion stresses
US5420461A (en) * 1992-04-17 1995-05-30 Intel Corporation Integrated circuit having a two-dimensional lead grid array
US5528456A (en) * 1993-11-15 1996-06-18 Nec Corporation Package with improved heat transfer structure for semiconductor device
US6072240A (en) * 1998-10-16 2000-06-06 Denso Corporation Semiconductor chip package
EP1130643A2 (de) * 2000-03-03 2001-09-05 D-Tech GmbH Antriebstechnik und Mikroelektronik Aufbau von Leistungshalbleitern mit einer Ausgleichsschicht zum Kühlkörper
US20020190388A1 (en) * 2001-06-14 2002-12-19 Eytcheson Charles Tyler Method of mounting a circuit component and joint structure therefor

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