DE102004025556A1

DE102004025556A1 - Electronic memory device, has interface unit that connects memory cell fields with respective external circuit units, and switching unit for switching external data line to memory field or system information memory unit

Info

Publication number: DE102004025556A1
Application number: DE200410025556
Authority: DE
Inventors: Erwin Thalmann
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2004-05-25
Filing date: 2004-05-25
Publication date: 2005-12-22

Abstract

The device has a memory module (108) with memory cell fields, and an interface unit (101) that connects the memory cell fields with respective external circuit units over an external data line (106) and a system information memory unit (105). A switching unit (202) switches the external data line to one of the fields or to the unit (105). A converter unit converts the serial data stream from the unit (105) to a parallel data stream. An independent claim is also included for a method for storing data in an electronic memory device.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein DRAM-Speicherbausteine bzw. -chips (DRAM = Dynamic Random Access Memory, dynamischer Schreib-Lesespeicher), welche einen Speicherzellenfeldbereich und einen Schnittstellen-(Interface-)Bereich aufweisen.The The present invention relates generally to DRAM memory devices or chips (DRAM = dynamic random access memory, dynamic random access memory), which includes a memory cell array area and an interface area exhibit.

Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine elektronische Speichervorrichtung zur Datenspeicherung mit einem Speichermodul mit mindestens einem Speicherzellenfeld, welches Speicherzellen aufweist, einer Schnittstelleneinheit zur Verbindung des mindestens einen Speicherzellenfelds mit externen Schaltungseinheiten der Speichervorrichtung über eine externe Datenleitung, und mindestens einer Systeminformations-Speichereinheit, in welcher eine Systeminformation über die Speichervorrichtung abgespeichert ist.Especially The present invention relates to an electronic storage device for data storage with a memory module having at least one Memory cell array having memory cells, an interface unit for connecting the at least one memory cell array to external ones Circuit units of the memory device via an external data line, and at least one system information storage unit in which a system information about the storage device is stored.

Üblicherweise werden in einem Speicherzellenfeld einer Speichervorrichtung Daten abgespeichert, die anschließend über eine Schnittstelleneinheit mit der Umgebung austauschbar sind. In dem mindestens einen Speicherzellenfeld einer Speichervorrichtung werden Daten mit relativ niedriger Geschwindigkeit, jedoch hoher Parallelität verarbeitet, während in dem Schnittstellenbereich (Interface-Bereich) hohe Geschwindigkeiten (Datenübertragungsgeschwindigkeiten) bei geringerer Parallelität erreicht werden. Hierbei können Daten bei steigender oder fallender Flanke eines Taktsignals ausgelesen bzw. eingeschrieben werden bzw. in der Form eines Bursts von 4 Bits.Usually become data in a memory cell array of a memory device stored, which then has a Interface unit with the environment are interchangeable. In the at least a memory cell array of a memory device becomes data processed at a relatively low speed but high parallelism while in the interface area (interface area) high speeds (Data transfer rates) with less parallelism be achieved. Here you can Data read out on rising or falling edge of a clock signal or in the form of a burst of 4 bits.

Üblicherweise besteht ein Speichermodul aus mehreren Speicherzellenfeldern, welche jeweils Speicherzellen aufweisen. Auf diese Weise wird eine flexible Bereitstellung einer gewünschten Anzahl von Datenleitungen und/oder einer gewünsch ten Speichergröße erreicht. Herkömmliche Speichermodule weisen zudem eine Systeminformations-Speichereinheit auf, in welcher Systeminformationen wie ein Modultyp, ein Adressierungsbereich und ein Zeitgebungsparameter etc. hinterlegbar sind. Eine derartige Systeminformations-Speichereinheit ist beispielsweise als ein elektronisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (EEPROM = Electronically Erasable Programmable Read-Only Memory) ausgebildet. Weiterhin werden in Speichermodulen nach dem Stand der Technik unterschiedliche Systeminformations-Speichereinheiten bereitgestellt, wobei weitere Systeminformations-Speichereinheiten beispielsweise Übertragungsfehler bei einer Datenübertragung zwischen dem mindestens einen Speicherzellenfeld und externen Schaltungseinheiten abgespeichert werden können.Usually a memory module consists of several memory cell fields, which each have memory cells. This will be a flexible Providing a desired Number of data lines and / or a gewünsch th memory size reached. conventional Memory modules also have a system information storage unit on, in which system information such as a module type, an addressing area and a timing parameter etc. can be stored. Such System information storage unit is for example as an electronic erasable programmable read-only memory (EEPROM = Electronically Erasable Programmable read-only memory) is formed. Continue to be in Prior art memory modules have different system information storage units provided, wherein further system information storage units for example, transmission errors during a data transfer between the at least one memory cell array and external circuit units can be stored.

Derartige Systeminformations-Speichereinheiten erfordern zusätzliche Leitungen zwischen dem Speichermodul und dem übrigen System der Speichervorrichtung. Zur Unterbringung zusätzlicher Register/EEPROMs am Speichermodul, um zusätzliche Systeminformationen etc. abzuspeichern, sind in nachteiliger Weise zusätzliche Verbindungen (zusätzliche Leitungen) zu dem übrigen System bzw. zu externen Schaltungseinheiten erforderlich.such System information storage devices require additional Lines between the memory module and the rest of the system of the storage device. To accommodate additional Register / EEPROMs on the memory module for additional system information etc., are disadvantageously additional Connections (additional Lines) to the rest System or external circuit units required.

3 zeigt eine herkömmliche Speichervorrichtung mit einem Speichermodul, in welchem unterschiedliche Speicherzellenfelder bzw. Schreib-Lesespeicher DRAM angeordnet sind (Chip). Jeder Schreib-Lesespeicher DRAM ist mit dem Gesamtsystem, das beispielsweise aus einem Controller, einem Prozessor, etc. besteht, über eine eigene Datenleitung verbunden. 3 shows a conventional memory device with a memory module in which different memory cell arrays or read-write memory DRAM are arranged (chip). Each read-write memory DRAM is connected to the overall system, which consists for example of a controller, a processor, etc., via its own data line.

Ferner ist bei herkömmlichen Speichervorrichtungen die in dem Speichermodul untergebrachte Systeminformations-Speichereinheit (EEPROM) über eine eigene Datenleitung mit SDA mit dem Gesamtsystem verbunden. Somit müssen neben den Datenleitungen DQ für die Speicherzellenfelder DRAM separate Datenleitungen SDA für jede Systeminformations- Speichereinheit bereitgestellt werden. Dies führt in unzweckmäßiger Weise zu einer Erhöhung der Anzahl der Datenleitungen, wenn eine Anzahl der Systeminformations-Speichereinheiten erhöht wird. Weiterhin wird eine Durchsatzrate bei einem Testen der Speichervorrichtung verringert, da eine Parallelität der Schnittstelleneinheit zwischen dem Speichermodul und dem Gesamtsystem durch ein Bereitstellen separater Datenleitungen für Systeminformations-Speichereinheiten verringert wird.Further is at conventional Memory devices, the stored in the memory module system information storage unit (EEPROM) via a own data line with SDA connected to the whole system. Consequently have to next to the data lines DQ for the memory cell arrays DRAM provided separate data lines SDA for each system information storage unit become. this leads to in an inappropriate way to an increase the number of data lines when a number of the system information storage units elevated becomes. Furthermore, a throughput rate in testing of the storage device becomes reduced, as a parallelism the interface unit between the memory module and the overall system by providing separate data lines for system information storage units is reduced.

Es sei darauf hingewiesen, dass der Ausdruck "externe Schaltungseinheiten" sich hier auf Schaltungseinheiten bezieht, die noch innerhalb der Speichervorrichtung angeordnet sind, d.h. "extern" bedeutet eine Schaltungseinheit außerhalb des Speichermoduls, welches das mindestens eine Speicherzellenfeld umfasst.It It should be noted that the term "external circuit units" here refers to circuit units which are still located within the storage device, i.e. "external" means a circuit unit outside the memory module which contains the at least one memory cell array includes.

Da in unzweckmäßiger Weise eine separate Datenleitung für jede Systeminformations-Speichereinheit bereitgestellt werden muss, entstehen nachteilige Wirkungen bei herkömmlichen Speichervorrichtungen dadurch, dass durch eine der Anzahl von Systeminformations-Speichereinheiten entsprechende Anzahl von Datenleitungen infolge Kopplungen Fehler auftreten können, da zusätzliche Anschlussstifte an dem Speichermodul bereitgestellt werden müssen.There in an inappropriate way a separate data line for each system information storage unit must be provided adverse effects occur in conventional memory devices in that by one of the number of system information storage units corresponding number of data lines due to couplings error may occur, because additional Terminal pins must be provided to the memory module.

Weiterhin ist es unzweckmäßig, dass eine geringere Parallelität bei einem Testen der Speichervorrichtung bereitgestellt werden kann, da mehr Testerkanäle für das Speichermodul benötigt werden. Somit wird eine Durchsatzrate bei einem Testen der Speichervorrichtung in nachteiliger Weise verringert.Furthermore, it is inconvenient that less parallelism may be provided in testing the memory device as more tester channels are needed for the memory module. Thus, a throughput rate in testing the memory device is disadvantageously reduced.

Ein weiterer wesentlicher Nachteil herkömmlicher Speichervorrichtungen besteht darin, dass bei einer Datenübertragung von der Systeminformations-Speichereinheit zu externen Schaltungseinheiten nur eine geringe Datenübertragungsrate erzielt wird, da die von der Systeminformations-Speichereinheit aus gelesenen (bzw. in diese eingeschriebenen) Daten seriell übertragen werden.One Another major disadvantage of conventional storage devices is that when transmitting data from the system information storage unit to external circuit units only a low data transfer rate is achieved because of the system information storage unit from read (or written in this) data transmitted serially become.

Es ist daher eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine elektronische Speichervorrichtung zur Datenspeicherung bereitzustellen, bei der eine hohe Parallelität einer Datenübertragung zwischen einem Speichermodul und externen Schaltungseinheiten der Speichervorrichtung erzielt wird.It is therefore an object of the present invention, an electronic To provide a storage device for data storage, in the a high parallelism a data transfer between a memory module and external circuit units of Memory device is achieved.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine elektronische Speichervorrichtung mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.These The object is achieved by a electronic storage device having the features of the patent claim 1 solved.

Ferner wird die Aufgabe durch ein im Patentanspruch 8 angegebenes Verfahren gelöst.Further The object is achieved by a method specified in claim 8 solved.

Weitere Ausgestaltung der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.Further Embodiment of the invention will become apparent from the dependent claims.

Ein wesentlicher Gedanke der Erfindung besteht darin, für die in einem Speicherzellenfeld bzw. einem Speichermodul untergebrachte Systeminformations-Speichereinheit keine eigene Datenleitung zur Datenübertragung an externe Schaltungseinheiten der Speichervorrichtung bereitzustellen, sondern vielmehr die vorhandenen Datenleitungen, die das mindestens eine Speicherzellenfeld des Speichermoduls mit den externen Schaltungseinheiten der Speichervorrichtung verbindet, zur Übertragung des Inhalts der Systeminformations-Speichereinheit einzusetzen.One The essential idea of the invention is to provide for the in a memory cell array or a memory module accommodated System information storage unit no separate data line to data transfer to provide to external circuit units of the memory device, but rather the existing data lines that the at least a memory cell array of the memory module with the external circuit units the storage device connects to transfer the contents of the System information storage unit.

Hierbei ist erfindungsgemäß eine Umschalteinheit vorgesehen, welche eine Umschaltung der externen Datenleitung wahlweise auf das mindestens eine Speicherzellenfeld des Speichermoduls oder die mindestens eine Systeminformations-Speichereinheit bereitgestellt.in this connection is a switching unit according to the invention provided which a switching of the external data line optional to the at least one memory cell array of the memory module or the at least one system information storage unit is provided.

Erfindungsgemäß ergibt sich somit der wesentliche Vorteil, dass auch die in herkömmlichen Speichervorrichtungen vorhandenen Datenleitungen zu den Systeminformations-Speichereinheiten eingespart werden können. In vorteilhafter Weise wird der Schnittstellenbereich (Interface-Bereich) einer Speichervorrichtung zur Übertragung der Daten, die in der Systeminformations-Speichereinheit gespeichert sind, verwendet.According to the invention Thus, the main advantage that even in conventional storage devices existing data lines to the system information storage units can be saved. Advantageously, the interface area (interface area) a storage device for transmission the data stored in the system information storage unit used.

Auf diese Weise folgt unter Einsatz einer vorhandenen Schnittstelleneinheit eine parallele Datenübertragung mit einer hohen Datenübertragungsrate. Zum Einschreiben einer Information in die Systeminformations-Speichereinheit bzw. zum Auslesen einer Information aus der Systeminformations-Speichereinheit sind in vorteilhafter Weise keine zusätzlichen Datenleitungen mehr erforderlich. Auf diese Weise können mehrere unterschiedliche Systeminformations-Speichereinheiten in einem Speichermodul bereitgestellt werden, ohne eine Datenübertragungsrate über die Schnittstelleneinheit zu verringern.On this way follows using an existing interface unit a parallel data transfer with a high data transfer rate. To the Writing information into the system information storage unit or for reading out information from the system information storage unit advantageously no additional data lines more required. That way, you can have several different ones System information storage units provided in a memory module be without a data transfer rate over the Reduce interface unit.

Weiterhin ergibt sich der Vorteil, dass bei einem Testen der Speichervorrichtung eine Verringerung der Anzahl der Testerkanäle bereitgestellt werden kann.Farther There is the advantage that when testing the storage device a reduction in the number of tester channels can be provided.

Die erfindungsgemäße elektronische Speichervorrichtung zur Datenspeicherung weist im Wesentlichen auf:

a) ein Speichermodul mit mindestens einem Speicherzellenfeld, welches Speicherzellen aufweist;
b) eine Schnittstelleneinheit zur Verbindung des mindestens einen Speicherzellenfelds mit externen Schaltungseinheiten über eine externe Datenleitung; und
c) mindestens eine Systeminformations-Speichereinheit, in welcher eine Systeminformation über die Speichervorrichtung abgespeichert ist,

wobei die elektronische Speichervorrichtung weiter eine Umschalteinheit zur Umschaltung der externen Datenleitung wahlweise auf das mindestens eine Speicherzellenfeld oder die mindestens eine Systeminformations-Speichereinheit aufweist.The inventive electronic storage device for data storage essentially comprises:

a) a memory module having at least one memory cell array, which memory cells;
b) an interface unit for connecting the at least one memory cell array to external circuit units via an external data line; and
c) at least one system information storage unit in which system information is stored via the storage device,

wherein the electronic storage device further comprises a switching unit for switching the external data line selectively to the at least one memory cell array or the at least one system information storage unit.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist eine Umsetzereinheit zur Umsetzung des aus der Systeminformations-Speichereinheit ausgegebenen, seriellen Datenstroms in einen parallelen Datenstrom, welcher der Umschalteinheit zugeführt wird, bereitgestellt. Vorzugsweise ist die Umsetzereinheit als ein Seriell-Parallel-Wandlerregister bereitgestellt.According to one preferred embodiment of the present invention is a converter unit to implement the output from the system information storage unit, serial data stream into a parallel data stream, which is the Switching unit supplied will be provided. Preferably, the converter unit is as a Serial-to-parallel converter registers provided.

Auf diese Weise wird eine Wandlung der seriellen Daten, die seriell aus der Systeminformations-Speichereinheit ausgegeben werden, in parallele Daten, vorzugsweise an eine Bitbreite des vorhandenen Datenbusses angepasst, bereitgestellt.On this way will be a serialization of the serial data from the system information storage unit, in parallel data, preferably to a bit width of the existing one Data bus adapted, provided.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung weist die externe Datenleitung zur Verbindung des Speicherzellenfelds mit externen Schaltungseinheiten eine Breite von 16 oder 32 bit auf.According to one further preferred embodiment of the present invention has the external data line for connecting the memory cell array with external circuit units have a width of 16 or 32 bits.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung ist die mindestens eine Systemsinformations-Speichereinheit als ein elektronisch löschbarer, programmierbarer Lesespeicher (EEPROM) ausgebildet.According to yet another preferred embodiment of the present invention, the min at least one system information storage unit is designed as an electronically erasable, programmable read-only memory (EEPROM).

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung umfasst die in der mindestens einen Systeminformations-Speichereinheit abgespeicherte Systeminformation über die Speichervorrichtung einen Speichermodultyp und/oder einen Adressierungsbereich und/oder Zeitgebungsparameter.According to one more Another preferred embodiment of the present invention comprises the stored in the at least one system information storage unit System information about the memory device has a memory module type and / or an addressing area and / or Timing parameters.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung zeigt eine in mindestens einer weiteren Systeminformations-Speichereinheit abgespeicherte Systeminformation ein Auftreten von Übertragungsfehlern an.According to one more further preferred embodiment of the present invention shows one in at least one other system information storage unit stored system information an occurrence of transmission errors at.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Speichern von Daten in einer elektronischen Speichervorrichtung weist ferner im Wesentlichen die folgenden Schritte auf:

a) Bereitstellen eines Speichermoduls mit mindestens einem Speicherzellenfeld, welches Speicherzellen aufweist;
b) Verbinden des mindestens einen Speicherzellenfelds mit externen Schaltungseinheiten über eine externe Datenleitung mittels einer Schnittstelleneinheit; und
c) Abspeichern einer Systeminformation über die Speichervorrichtung in mindestens einer Systeminformations-Speichereinheit,

wobei die externe Datenleitung wahlweise auf das mindestens eine Speicherzellenfeld oder die mindestens eine Systeminformations-Speichereinheit mittels einer in der elektronischen Speichervorrichtung bereitgestellten Umschalteinheit durchgeführt wird.The inventive method for storing data in an electronic storage device further comprises the following steps:

a) providing a memory module having at least one memory cell array having memory cells;
b) connecting the at least one memory cell array to external circuit units via an external data line by means of an interface unit; and
c) storing system information about the storage device in at least one system information storage unit,

wherein the external data line is selectively performed on the at least one memory cell array or the at least one system information memory unit by means of a switching unit provided in the electronic memory device.

Gemäß noch einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der vorliegenden Erfindung werden die Umsetzereinheit und die Umschalteinheit der Speichervorrichtung mittels eines über einen Umschaltsignaleingang zugeführten Umschaltsignals angesteuert bzw. umgeschaltet.According to one more Another preferred embodiment of the present invention the converter unit and the switching unit of the storage device by means of an over a Umschaltsignaleingang supplied switching signal activated or switched.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the drawings and in the following Description closer explained.

In den Zeichnungen zeigen:In show the drawings:

1 ein Blockbild einer Speichervorrichtung, die eine Systeminformations-Speichereinheit aufweist, gemäß einem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; 1 a block diagram of a memory device having a system information storage unit, according to a preferred embodiment of the present invention;

2 die in 1 veranschaulichte Speichervorrichtung in größerem Detail, wobei insbesondere ein Blockbild einer zwischen ein Speichermodul und eine Schnittstelleneinheit der Speichervorrichtung geschaltete Umschalteinrichtung veranschaulicht ist. 2 in the 1 illustrated storage device in more detail, wherein in particular a block diagram of a switching device connected between a memory module and an interface unit of the storage device is illustrated.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Komponenten oder Schritte.In the same reference numerals designate the same or functionally identical Components or steps.

1 zeigt eine erfindungsgemäße Speichervorrichtung 100, die im Wesentlichen aus einem Speichermodul 108, einer Schnittstelleneinheit 101 und einer externen Schaltungseinheit 104 bzw. mehreren externen Schaltungseinheiten besteht. Es sei darauf hingewiesen, dass die externen Schaltungseinheiten 104 zu der Speichervorrichtung 100 als solches gehören, jedoch hier nicht näher beschrieben werden, da sie nicht erfindungswesentlich sind. In dem Speichermodul 108 sind, wie in 1 veranschaulicht, mehrere Speicherzellenfelder 102a-102n bereitgestellt. Weiterhin weist das Speichermodul 108 eine Systeminformations-Speichereinheit 105 auf, welche mit einem oder mehreren der Speicherzellenfelder 102a-102n über eine interne Datenleitung 107 verbunden ist. 1 shows a storage device according to the invention 100 which essentially consists of a memory module 108 , an interface unit 101 and an external circuit unit 104 or more external circuit units. It should be noted that the external circuit units 104 to the storage device 100 as such, but will not be described in detail, since they are not essential to the invention. In the memory module 108 are, as in 1 illustrates multiple memory cell arrays 102 - 102n provided. Furthermore, the memory module 108 a system information storage unit 105 which is associated with one or more of the memory cell arrays 102 - 102n via an internal data line 107 connected is.

Somit können Daten mit der Systeminformations-Speichereinheit 105 über mindestens ein Speicherzellenfeld 102a-102n vermöge der internen Datenleitung 107 ausgetauscht werden. Ein Umschalten der über die interne Datenleitung 107 übertragenen und durch das Speicherzellenfeld 102a-102n durchgeschleiften Daten auf eine externe Datenleitung 106 wird unten stehend unter Bezugnahme auf 2 detailliert erläutert werden. Die externe Datenleitung 106 dient einer Verbindung zwischen dem Speichermodul 108 und der externen Schaltungseinheit (den externen Schaltungseinheiten) 104. Zum Anschluss der externen Schaltungseinheiten 104 an das Speichermodul 108 ist eine Schnittstelleneinheit 101 bereitgestellt. Die Schnittstelleneinheit (Interface-Einheit, Interface-Bereich) stellt einen Datenbus einer spezifischen Breite, in dem unter Bezugnahme auf 2 veranschaulichten Beispiel 16 bit, zur Datenübertragung mit externen Schaltungseinheiten, insbesondere mit Lesegattern und Treibereinheiten bereit. Jedes der Speicherzellenfelder weist eine vorgebbare Anzahl von Speicherzellen 103a-103k auf (veranschaulicht für das Speicherzellenfeld 102a in 1).Thus, data can be transferred to the system information storage unit 105 via at least one memory cell array 102 - 102n by means of the internal data line 107 be replaced. Switching over via the internal data line 107 transmitted and through the memory cell array 102 - 102n looped data on an external data line 106 is below with reference to 2 be explained in detail. The external data line 106 serves a connection between the memory module 108 and the external circuit unit (external circuit units) 104 , For connecting the external circuit units 104 to the memory module 108 is an interface unit 101 provided. The interface unit (interface unit) constitutes a data bus of a specific width, with reference to FIG 2 illustrated example, for data transmission with external circuit units, in particular with read gates and driver units ready. Each of the memory cell arrays has a predeterminable number of memory cells 103a - 103k on (illustrated for the memory cell array 102 in 1 ).

2 veranschaulicht eine Umschalteinrichtung 207, die zwischen das Speichermodul 108 und die Schnittstelleneinheit 101 geschaltet ist, in größerem Detail. Wie in 2 gezeigt, ist in dem Speichermodul 108 ein Speicherzellenfeld 102 beispielhaft dargestellt, welches über eine erste interne Datenleitung 107a mit einer Umschalteinheit 202 der Umschalteinrichtung 207 verbunden ist. 2 illustrates a switching device 207 that is between the memory module 108 and the interface unit 101 is switched, in greater detail. As in 2 is shown in the memory module 108 a memory cell array 102 exemplified, which via a first internal data line 107a with a switching unit 202 the switching device 207 connected is.

Ferner ist die Systeminformations-Speichereinheit über die interne Datenleitung 107 mit einer Umsetzereinheit 201 und weiter über eine zweite interne Datenleitung 107b mit der Umschalteinheit 202 verbunden. Über einen Umschaltsignaleingang 204 wird sowohl der Umschalteinheit 202 als auch der Umsetzereinheit 201 ein Umschaltsignal 203 zugeführt.Further, the system information storage unit is over the internal data line 107 with a converter unit 201 and continue via a second internal data line 107b with the switching unit 202 connected. Via a switching signal input 204 will both the switching unit 202 as well as the converter unit 201 a switching signal 203 fed.

Dieses Umschaltsignal ist beispielsweise ein Testmodus-Signal, das als ein Trigger für eine Umschaltung fungiert. Die Umschalteinheit 202 der Umschalteinrichtung 207 ist über die externe Datenleitung 106 mit der Schnittstelleneinheit 101 und von dort weiter über 16 bit breite Datenleitungen mit externen Schaltungseinheiten (nicht gezeigt) der Speichervorrichtung verbunden. Spezifisch ist die externe Datenleitung 106 als eine 16 bit breite Datenleitung zu einem Lesegatter 205, um Daten auszulesen, und zu einer Treibereinheit 206, um Daten von externen Schaltungseinheiten der Speichervorrich tung 100 in das mindestens eine Speicherzellenfeld 102 des Speichermoduls 108 der Speichervorrichtung 100 einzuschreiben, bereitgestellt. Die Umschalteinheit 202 der Umschalteinrichtung 207 führt ein Umschalten der externen Datenleitung 106 wahlweise auf die erste interne Datenleitung 107a, die zu dem Speicherzellenfeld 102 des Speichermoduls 108 führt, oder auf die zweite interne Datenleitung 107b, die, über die interne Datenleitung 107, zu der Systeminformations-Speichereinheit 105 führt, bereit.This toggle signal is, for example, a test mode signal that acts as a trigger for a switch. The switching unit 202 the switching device 207 is via the external data line 106 with the interface unit 101 and from there further 16-bit wide data lines are connected to external circuit units (not shown) of the memory device. Specific is the external data line 106 as a 16-bit data line to a read gate 205 to read data and to a driver unit 206 to data from external circuit units of the Speicherervorrich device 100 in the at least one memory cell array 102 of the memory module 108 the storage device 100 to register. The switching unit 202 the switching device 207 Switches the external data line 106 optionally on the first internal data line 107a leading to the memory cell array 102 of the memory module 108 leads or to the second internal data line 107b that, via the internal data line 107 to the system information storage unit 105 leads, ready.

Auf diese Weise ist es möglich, über die externe Datenleitung 106 Daten – wie in dem Stand der Technik – mit hoher Parallelität zwischen der Schnittstelleneinheit 101 und dem Speichermodul 108 auszutauschen. Soll nunmehr eine Information aus der Systeminformations-Speichereinheit 105 ausgelesen werden, so erfolgt eine Umschaltung in Abhängigkeit von dem über den Umschaltsignaleingang 204 zugeführten Umschaltsignal 203 derart, dass die externe Datenleitung 106 mit der zweiten internen Datenleitung 107b verbunden wird.In this way it is possible over the external data line 106 Data - as in the prior art - with high parallelism between the interface unit 101 and the memory module 108 exchange. Now is an information from the system information storage unit 105 be read, so there is a change in function of the via the switching signal input 204 supplied switching signal 203 such that the external data line 106 with the second internal data line 107b is connected.

Da sowohl die externe Datenleitung 106 als auch die zweite interne Datenleitung 107b als Datenleitungen einer hohen Parallelität – d.h. einer Breite von typischerweise 16 oder 32 bit – bereitgestellt werden, während die interne Datenleitung 107, die mit der Systeminformations-Speichereinheit 105 verbunden ist, eine im Wesentlichen serielle Datenleitung (1 bit breit) ist, wird eine seriell-parallele Umsetzung in der Umsetzereinheit 201 durchgeführt. Die Umsetzereinheit 201 ist gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung als ein Seriell-Parallel-Wandlerregister bereitgestellt. Auf diese Weise werden die aus der Systeminformations-Speichereinheit 105 ausgegebenen, seriellen Daten in einen parallelen Datenstrom (16 bit breit in dem in 2 gezeigten Beispiel) umgesetzt, um anschließend, infolge der erhöhten Parallelität, mit einer hohen Datenübertragungsgeschwindigkeit zu der Schnittstelleneinheit 101 ausgegeben zu werden.Because both the external data line 106 as well as the second internal data line 107b as data lines of a high parallelism - ie a width of typically 16 or 32 bits - are provided, while the internal data line 107 connected to the system information storage unit 105 is a substantially serial data line (1-bit wide), becomes a serial-parallel conversion in the converter unit 201 carried out. The converter unit 201 is provided as a serial-to-parallel converter register according to the preferred embodiment of the present invention. In this way, those from the system information storage unit 105 output serial data into a parallel data stream (16 bits wide in the in 2 shown), and subsequently, due to the increased parallelism, at a high data rate to the interface unit 101 to be issued.

Die in der Systeminformations-Speichereinheit 105 abspeicherbare Information umfasst vorzugsweise einen Speichermodultyp der Speichervorrichtung und/oder einen Adressierungsbereich in dem Speichermodul und/oder Zeitgebungsparameter zum Betreiben der Speichervorrichtung.The in the system information storage unit 105 information that can be stored preferably comprises a memory module type of the memory device and / or an addressing area in the memory module and / or timing parameter for operating the memory device.

Es ist vorteilhaft, die in der Umschalteinrichtung 207 bereitgestellte Umschalteinheit 202 als einen Multiplexierer auszubilden, der entweder Daten des Speicherzellenfelds mit der Schnittstelleneinheit 101 oder Daten der Systeminformations-Speichereinheit 105 mit der Schnittstelleneinheit 101 austauscht. Wie erwähnt, wird eine Steuerung hierbei über einen Testmodus durchgeführt, welcher ein bekanntes Verfahren zur Steuerung von internen Abläufen in Speichervorrichtungen bereitstellt.It is advantageous in the switching device 207 provided switching unit 202 as a multiplexer, which either data of the memory cell array with the interface unit 101 or system information storage unit data 105 with the interface unit 101 exchanges. As mentioned, a control is performed here via a test mode, which provides a known method for controlling internal processes in memory devices.

In dem in 2 veranschaulichten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung weisen die externen Datenleitungen 106 und die ersten und zweiten internen Datenleitungen 107a, 107b eine Breite von 16 bit auf. Bei Speichervorrichtungen, deren externe Datenleitungen 106 eine Breite von 32 oder 64 bit aufweisen, kann die Umsetzereinheit 201 zur Umsetzung der aus der Systeminformations-Speichereinheit 105 ausgegebenen seriellen Daten in dann 32 bit breite bzw. 64 bit breite Datenströme entsprechend angepasst werden.In the in 2 illustrated embodiment of the present invention, the external data lines 106 and the first and second internal data lines 107a . 107b a width of 16 bits. For memory devices whose external data lines 106 32 or 64 bits wide, the converter unit 201 to implement the from the system information storage unit 105 output serial data in 32-bit wide and 64-bit wide data streams are adjusted accordingly.

In die Umsetzereinheit 201 können in dem Fall einer 16 bit breiten externen Datenleitung 106 und einer 16 bit breiten zweiten internen Datenleitung 107b nach 16 Datenbits keine Daten mehr eingeschrieben werden, bevor sie nicht über die Schnittstelleneinheit 101 übertragen worden sind. Nach einem derartigen Datentransfer können wieder neue Daten von der Systeminformations-Speichereinheit 105 seriell in die Umsetzereinheit 201 der Umschalteinrichtung 207 eingegeben werden.In the converter unit 201 can in the case of a 16-bit wide external data line 106 and a 16-bit wide second internal data line 107b after 16 bits of data, no more data is written before it is sent through the interface unit 101 have been transferred. After such a data transfer again new data from the system information storage unit 105 serial into the converter unit 201 the switching device 207 be entered.

Bezüglich der in 3 veranschaulichten, herkömmlichen Speichervorrichtung wird auf die Beschreibungseinleitung verwiesen.Regarding the in 3 illustrated, conventional memory device is referred to the introduction to the description.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Weise modifizierbar.Even though the present invention above based on preferred embodiments It is not limited to this, but in many ways modifiable.

Auch ist die Erfindung nicht auf die genannten Anwendungsmöglichkeiten beschränkt.Also the invention is not limited to the aforementioned applications limited.

100100: Speichervorrichtungstorage device
101101: SchnittstelleneinheitInterface unit
102, 102a-102n102 102a-102n: SpeicherzellenfeldMemory cell array
103a-103k103a-103k: Speicherzellenmemory cells
104104: Externe Schaltungseinheitexternal circuit unit
105105: Systeminformations-SpeichereinheitSystem information storage unit
106106: Externe Datenleitungexternal data line
107, 107a, 107b107 107a, 107b: Interne Datenleitunginternal data line
108108: Speichermodulmemory module
201201: Umsetzereinheitconversion unit
202202: Umschalteinheitswitching
203203: Umschaltsignalswitching
204204: Umschaltsignaleingangchangeover signal
205205: Lesegatterread gate
206206: Treibereinheitdriver unit
207207: Umschalteinrichtungswitchover

Claims

Electronic storage device ( 100 ) for data storage, comprising: a) a memory module ( 108 ) with at least one memory cell array ( 102 - 102n ), which memory cells ( 103a - 103k ) having; b) an interface unit ( 101 ) for connecting the at least one memory cell array ( 102 - 102n ) with external circuit units ( 104 ) via an external data line ( 106 ); and c) at least one system information storage unit ( 105 ) in which a system information about the storage device ( 100 ), characterized in that d) the electronic memory device ( 100 ) a switching unit ( 202 ) for switching the external data line ( 106 ) optionally on the at least one memory cell array ( 102 - 102n ) or the at least one system information storage unit ( 105 ) having.

Apparatus according to claim 1, characterized in that a converter unit ( 201 ) for conversion from the system information storage unit ( 105 ), a serial data stream into a parallel data stream, which the switching unit ( 202 ) is supplied.

Apparatus according to claim 2, characterized in that the converter unit ( 201 ) is provided as a serial-to-parallel converter register.

Apparatus according to claim 1, characterized in that the external data line ( 106 ) for connecting the memory cell array ( 102 - 102n ) with external circuit units ( 104 ) has a width of 16 or 32 bits.

Apparatus according to claim 1, characterized in that the at least one system information storage unit ( 105 ) is designed as an electronically erasable, programmable read-only memory (EEPROM).

Apparatus according to claim 1, characterized in that in the at least one system information storage unit ( 105 ) stored system information about the storage device ( 100 ) comprises a memory module type and / or an addressing area and / or timing parameter.

Apparatus according to claim 1, characterized in that a in at least one further system information storage unit ( 105 ) stored system information indicates an occurrence of transmission errors.

Method for storing data in an electronic memory device ( 100 ), comprising the following steps: a) providing a memory module ( 108 ) with at least one memory cell array ( 102 - 102n ), which memory cells ( 103a - 103k ) having; b) connecting the at least one memory cell array ( 102 - 102n ) with external circuit units ( 104 ) via an external data line ( 106 ) by means of an interface unit ( 101 ); and c) storing system information about the storage device ( 100 ) in at least one system information storage unit ( 105 ), characterized in that d) the external data line ( 106 ) optionally on the at least one memory cell array ( 102 - 102n ) or the at least one system information storage unit ( 105 ) by means of a in the electronic storage device ( 100 ) provided switching unit ( 202 ) is carried out.

A method according to claim 8, characterized in that one of the system information storage unit ( 105 ) output serial data stream into a parallel data stream, which the switching unit ( 202 ) is supplied by means of a converter unit ( 201 ) is implemented.

A method according to claim 8, characterized in that in the at least one system information storage unit ( 105 ) a memory module type and / or an addressing area and / or timing parameter as system information about the memory device ( 100 ) is stored.

A method according to claim 8, characterized in that by at least one further system information storage unit ( 105 ) stored system information, an occurrence of transmission errors is displayed.

Method according to claim 9, characterized in that the converter unit ( 201 ) and the switching unit ( 202 ) by means of a switching signal input ( 204 ) supplied switching signal ( 203 ).