DE102004020656A1 - Device for growing a single crystal semiconductor compound/crystal rod by a vapor pressure controlled Czochralski process providing stable and reproducible crystal growth with control of the crystal rod diameter without the use of B2O3 - Google Patents

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Abstract

Device for growing a single crystal semiconductor compound/crystal rod by a vapor pressure controlled Czochralski process from a crucible containing a melt of the components, a seed crystal, and a gas space over the melt, where a diaphragm (B) is used to establish a defined temperature gradient in the melt (2) in the gas space (1) at a small distance from the melt surface.

Description

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Züchtung von einkristallinen Verbindungshalbleiter-Kristallstäben nach dem dampfdruckkontrollierten Czochralski(VCz)-Verfahren, aufweisend mindestens einen Tiegel mit der Schmelze der Komponenten eines Verbindungshalbleiters, einen Keimkristall und einen Gasraum oberhalb der Schmelze.The The invention relates to a device for growing monocrystalline Compound semiconductor crystal rods according to the vapor pressure controlled Czochralski (VCz) method, comprising at least one crucible with the melt of the components of a compound semiconductor, a seed crystal and a gas space above the melt.

Für die Kristallzüchtung von Verbindungshalbleitern im System ohne Kontakt des Kristalls mit dem Schmelztiegel, wie z. B. GaAs, ist das LEC (Liquid Encapsulated Czochralski)-Verfahren das weltweit dominierende Verfahren, beispielweise in J. Crystal Growth 198/199 (1999) 325–335 beschrieben. Bei dieser speziellen Variante des allgemein bekannten Czochralski-Verfahrens wird die Schmelze durch eine Boroxidschmelze abgedeckt. Diese Boroxidschmelze besitzt bei der Einkristallzüchtung neben der Verhinderung der Veränderung der Zusammensetzung der Schmelze durch Abdampfen der Komponente mit dem höheren Dampfdruck unter anderem die Funktion der Beeinflussung der chemischen Wechselwirkungen im System.For the crystal growth of Compound semiconductors in the system without contact of the crystal with the Crucible, such. GaAs, is the LEC (Liquid Encapsulated Czochralski) method the world-dominant process, for example in J. Crystal Growth 198/199 (1999) 325-335. At this special variant of the well-known Czochralski method the melt is covered by a Boroxidschmelze. This Boroxidschmelze possesses in the single crystal breeding besides the prevention of change the composition of the melt by evaporation of the component with the higher one Vapor pressure, inter alia, the function of influencing the chemical Interactions in the system.

Der Schutz des wachsenden Kristalls vor dem Abdampfen der flüchtigen Komponente erzwingt hohe axiale Gradienten im Kristall, damit bei vertretbaren Einwaagemengen von B2O3 die Oberfläche des Kristallstabes am Ort des Austretens aus der B2O3-Abdeckschmelze eine hinreichend niedrige Temperatur hat. Gleichzeitig wird im Bereich des Übergangs der Oberfläche des wachsenden Kristallstabes aus der B2O3-Schmelze in den Gasraum ein Gebiet erhöhter Defektbildung beobachtet. Ein mögliches Verfahren, welches die Züchtung bei verringerten Temperaturgradienten erlaubt, ist das Vapour Pressure Controlled Czochralski (VCz)-Verfahren. Eine ausführliche Beschreibung dieses modifizierten Czochralski-Verfahrens erfolgte z. B. in Materials Science and Engineering B28 (1994) 65–71 und EP 0210439 B1 . Beim VCz-Verfahren bleibt aber dieses Gebiet verstärkter Defektbildung durch die erhöhten Spannungen an den Kontaktflächen mit der B2O3-Abdeckschmelze bestehen und führt im Kristallrandbereich zu erhöhten Versetzungsdichten.The protection of the growing crystal from volatilization of the volatile component forces high axial gradients in the crystal so that, with reasonable amounts of B 2 O 3, the surface of the crystal rod has a sufficiently low temperature at the exit of the B 2 O 3 cover melt. At the same time, in the region of the transition of the surface of the growing crystal rod from the B 2 O 3 melt into the gas space, an area of increased defect formation is observed. One possible method that allows growth at reduced temperature gradients is the Vapor Pressure Controlled Czochralski (VCz) method. A detailed description of this modified Czochralski process was made e.g. In Materials Science and Engineering B28 (1994) 65-71 and EP 0210439 B1 , In the VCz process, however, this area of increased defect formation remains due to the increased stresses at the contact surfaces with the B 2 O 3 cover melt and leads to increased dislocation densities in the edge region of the crystal.

Weiterhin besitzt die B2O3-Abdeckschmelze bei der Züchtung eine chemische Funktion, im besonderen die Reinigung der Schmelze von einer Reihe oxidierbarer Verunreinigungen (Beeinflussung der Konzentration von Verunreinigungen (siehe u.a. Adv. Mater.; 3 (1991) 9; 429 ff.) und die Verringerung der Wirkung unerwünschter chemischer Komponenten aus der Gasphase. Nachteilig ist, dass borarme Kristalle nicht herstellbar sind. Wesentlich nachteiliger ist die Reaktion des B2O3 mit gezielt einzubringenden Dotierstoffen wie beispielsweise Silizium. Aus diesem Grund wird mittels LEC Si-dotiertes GaAs nicht in kommerziellem Maßstab hergestellt.Furthermore, the B 2 O 3 -Abdeckschmelze in the cultivation of a chemical function, in particular the purification of the melt of a number of oxidizable impurities (influencing the concentration of impurities (see, inter alia Adv. Mater, 3 (1991) 9, 429 et seq. It is disadvantageous that boron-poor crystals can not be produced, but the reaction of B 2 O 3 with dopants, such as silicon, which are to be deliberately introduced is considerably more disadvantageous GaAs not manufactured on a commercial scale.

Das oben angeführte VCz-Verfahren ermöglicht prinzipiell auch, wie von M. Neubert und P. Rudolph in Progress in Crystal Growth and Characterization of Material (2001) 119–185 erstmalig beschrieben, eine Züchtung von z. B. GaAs ohne Verwendung einer Boroxidabdeckschmelze. Von diesem Stand der Technik geht die Erfindung aus. Bei den in der Veröffentlichung beschriebenen Versuchen konnte gezeigt werden, dass die Zusammensetzung der Schmelze kontrollierbar ist. Jedoch erwies sich die Einkristallzüchtung durch das Fehlen der Boroxidabdeckschmelze als problematisch. Es treten in der Nähe des Drei-Phasengleichgewichtspunktes (Gas, Kristall und Schmelze) sehr geringe bzw. negative radiale Gradienten in der Schmelze auf, welche eine Durchmesserregelung drastisch erschweren. Weiterhin war durch die im Vergleich zum VCz mit Abdeckschmelze weiter verringerten axialen Gradienten im Kristall die Einstellung einer konvexen Phasengrenze festflüssig nicht möglich. Ursache für dieses Problem ist eine bislang wenig beachtete weitere Wirkung der B2O3-Abdeckschmelze, die thermische Isolation der GaAs-Schmelze, die verantwortlich für die radialen Temperaturgradienten in der Schmelze ist.In principle, the above-mentioned VCz method also allows, as described by M. Neubert and P. Rudolph in Progress in Crystal Growth and Characterization of Material (2001) 119-185, a breeding of e.g. GaAs without the use of a Boroxidabdeckschmelze. From this prior art, the invention is based. In the experiments described in the publication could be shown that the composition of the melt is controllable. However, single crystal growth proved to be problematic due to the absence of boron oxide cover melt. There are very small or negative radial gradients in the melt in the vicinity of the three-phase equilibrium point (gas, crystal and melt), which drastically complicate a diameter control. Furthermore, the setting of a convex phase boundary was not possible due to the further reduced axial gradient in the crystal compared to VCz with cover melt. The cause of this problem is a hitherto neglected further effect of the B 2 O 3 cover melt, the thermal insulation of the GaAs melt, which is responsible for the radial temperature gradients in the melt.

Im Stand der Technik sind Lösungen zur Beeinflussung der Temperaturfelder für die Züchtung von Halbleitereinkristallen, insbesondere von Silizium, beschrieben. So ist aus DE 28 21 481 C2 eine Vorrichtung zum partiellen Abdecken von Tiegel und im Tiegel befindlicher Halbleiterschmelze bekannt, die aus einem oberen flachen, über den Tiegeland herausragenden ringförmigen Rand und einem daran anschließenden, von der Innenkante nach unten zylindrisch bis konisch sich verjüngend abfallenden Ansatzstück mit mittiger Öffnung besteht. Diese Lösung hat neben der Vermeidung des Rückströmens von aus der Schmelze austretenden oder im Ofenraum entstehenden Gasen auf die Schmelze auch die Verringerung der Beeinflussung des Züchtungsprozesses durch die Tiegelwand zum Ziel (Reflexion der von den Tiegelwänden frei gesetzten Strahlungswärme an dem topfähnlichen Gebilde), was durch die beschriebene Vorrichtung, die die Schmelze, den Tiegel und den seitlich an den Tiegel angrenzenden Raum während des Kristallziehens abdeckt, erreicht wird. In dieser Patentschrift wird beschrieben, dass insbesondere die Wärmeeinstrahlung aus der Tiegelwand einen großen Einfluss auf den wachsenden Si-Stab hat, weniger die Wärmeeinstrahlung aus der Schmelzoberfläche, weshalb auch keine Mittel zur Verringerungdes letztgenannten Effektes angegeben wurden.The prior art describes solutions for influencing the temperature fields for the growth of semiconductor single crystals, in particular of silicon. That's how it is DE 28 21 481 C2 a device for the partial covering of crucible and in the crucible located semiconductor melt is known, which consists of an upper flat, over the crucible rim protruding annular edge and an adjoining, from the inner edge downwards cylindrical to conical tapered end piece with central opening. This solution has in addition to avoiding the backflow of escaping from the melt or in the furnace chamber resulting gases on the melt and reducing the influence of the breeding process through the crucible wall to the target (reflection of the set free from the crucible walls radiant heat to the pot-like structure), which the described device which covers the melt, the crucible and the space adjoining the crucible laterally during crystal pulling is achieved. In this patent it is described that, in particular, the heat radiation from the crucible wall has a great influence on the growing Si rod, less the heat radiation from the melt surface, and therefore no means for reducing the latter effect have been indicated.

In US 6,458,203 B1 ist eine Wärmeabschirmung für die Si-Züchtung beschrieben, die konstante Umgebungsbedingungen für den wachsenden Kristall und dessen Abkühlung im oberen Temperaturbereich durch eine gezielt bewegliche Abschirmung schafft. Auch bei dieser Lösung erfolgt keine gezielte Beeinflussung der Schmelze.In US Pat. No. 6,458,203 B1 describes a heat shield for Si growth, the constant environmental conditions for the growing Kris tall and its cooling in the upper temperature range creates a targeted movable shielding. Even with this solution, there is no targeted influencing of the melt.

Aufgabe der Erfindung ist es nun, eine Lösung zur Züchtung von einkristallinen Verbindungshalbleiter-Kristallstäben nach dem dampfdruckkontrollierten Czochralski(VCz)-Verfahren ohne Verwendung von B2O3 anzugeben, die einfach handhabbar ist und ein stabiles und reproduzierbares Einkristallwachstum eines Verbindungshalbleiter-Kristallstabes einschließlich einer Regelung des Durchmesseres des gezogenen Kristallstabes ermöglicht.The object of the invention is therefore to provide a solution for the growth of monocrystalline compound semiconductor crystal rods according to the vapor-pressure controlled Czochralski (VCz) method without the use of B 2 O 3 , which is easy to handle and a stable and reproducible single crystal growth of a compound semiconductor crystal rod including a Control of the diameter of the pulled crystal bar allows.

Die Aufgabe wird für eine Vorrichtung der eingangs genannten Art dadurch gelöst, dass erfindungsgemäß eine Blende als Mittel zur Einstellung eines definierten Temperaturgradienten in der Schmelze im Gasraum in geringem Abstand zur Oberfläche der Schmelze angeordnet ist, wobei diese eine mittig angeordnete annähernd kreisförmige Öffnung aufweist, deren Durchmesser das 1,05- bis 1,5fache des Durchmessers des zu züchtenden Kristallstabes beträgt und die Außenränder der Blende um das 0,005- bis 0,25fache des Tiegeldurchmessers vom Tiegelrand entfernt sind.The Task is for a device of the type mentioned solved in that According to the invention, a diaphragm as means for setting a defined temperature gradient in the melt in the gas space at a small distance to the surface of the Melt is arranged, wherein this has a centrally arranged approximately circular opening, whose diameter is 1.05 to 1.5 times the diameter of the breeding Crystal bar is and the outer edges of the Aperture 0.005 to 0.25 times the crucible diameter from the edge of the crucible are removed.

In Ausführungsformen der Erfindung ist vorgesehen, die Blende kreisförmig auszubilden. Für oxidierende Bedingungen besteht sie aus einem der Materialien Iridium, Palladium und einer Oxidkeramik, für reduzierende Bedingungen aus einem der Materialien Molybdän oder Graphit (in allen Ausführungsformen). Die Blende kann auch höhenverstellbar ausgebildet sein.In embodiments The invention is intended to form the diaphragm circular. For oxidizing Conditions it consists of one of the materials iridium, palladium and an oxide ceramic, for reducing conditions of one of the materials molybdenum or graphite (in all embodiments). The bezel can also be height-adjustable be educated.

Erfindungsgemäß können damit über die thermischen und optischen Eigenschaften der Blende, deren Abmessung und deren Abstand zur Schmelzoberfläche die radialen Temperaturgradienten in der Schmelze und damit auch die Form der Phasengrenze gezielt eingestellt werden.According to the invention can thus on the thermal and optical properties of the diaphragm, their dimensions and their Distance to the enamel surface the radial temperature gradients in the melt and thus also the shape of the phase boundary can be set specifically.

Die Erfindung wird in folgendem Ausführungsbeispiel anhand von Zeichnungen erläutert. Dabei zeigenThe Invention will be in the following embodiment illustrated by drawings. Show

1: schematisch den Verlauf eines Temperaturfeldes in der Schmelze und im Kristallstab für das VCz-Verfahren ohne B2O3-Abdeckschmelze gemäß Stand der Technik, 1 FIG. 2 schematically shows the course of a temperature field in the melt and in the crystal rod for the VCz process without B 2 O 3 cover melt according to the prior art, FIG.

2: schematisch den Verlauf eines Temperaturfeldes in der Schmelze und im Kristallstab für das VCz-Verfahren erfindungsgemäß mit Blende, 2 FIG. 2 schematically shows the course of a temperature field in the melt and in the crystal rod for the VCz method according to the invention with aperture, FIG.

3: den Verlauf des radialen Temperaturgradienten in der Schmelze in Richtung Tiegelrand mit und ohne Blende; 3 : the course of the radial temperature gradient in the melt in the direction of the crucible edge with and without aperture;

4: schematisch eine erfindungsgemäße Vorrichtung im Längsschnitt; 4 FIG. 2 schematically shows a device according to the invention in longitudinal section; FIG.

5: die Abbildung eines mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung hergestellten GaAs-VCz-Einkristallstabes. 5 FIG. 3: The illustration of a GaAs-VCz single crystal rod produced by the device according to the invention.

Die fehlende thermische Isolation der B2O3-Abdeckschmelze führt – wie bereits erwähnt und in Progress in Crystal Growth and Characterization of Material (2001) 119–185 beschrieben – zu einer erheblichen Abstrahlung der Wärme aus der Schmelze in den darüber liegenden Gasraum. Dadurch ist auch eine größere Heizerleistung zum Erhalt der Temperatur der Schmelze erforderlich. In der 1 ist der entsprechende Verlauf des Temperaturfeldes einer im Tiegel 4 befindlichen Schmelze 2 und im Kristall 3 dargestellt (Stand der Technik). Die hohe Abstrahlung der Schmelzwärme in den Gasraum 1 führt zu besonders geringen Gradienten im Bereich des 3-Phasen-Punktes (Gas 1, Schmelze 2 und Kristall 3). Dies erschwert die erforderliche, ohnehin schwierige Durchmesserregelung in Temperaturfeldern mit geringen Gradienten und führt zu einer konkaven Phasengrenze, welche die Züchtung von defektarmen Einkristallen erschwert.The lack of thermal insulation of the B 2 O 3 meltdown leads - as already mentioned and described in Progress in Crystal Growth and Characterization of Material (2001) 119-185 - to a significant radiation of heat from the melt into the overlying gas space. This also requires a larger heater power to maintain the temperature of the melt. In the 1 is the corresponding course of the temperature field in the crucible 4 located melt 2 and in the crystal 3 represented (prior art). The high radiation of the heat of fusion in the gas space 1 leads to particularly low gradients in the region of the 3-phase point (gas 1 , Melt 2 and crystal 3 ). This complicates the required, already difficult diameter control in temperature fields with low gradients and leads to a concave phase boundary, which makes it difficult to grow low defect single crystals.

Zahlreiche Modifikationen der Heizergeometrie und des Regimes ihrer Ansteuerung führten nicht zum gewünschten Erfolg. Eine überraschend gute Wirkung wurde dagegen mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung erreicht, bei der eine Blende im Gasraum oberhalb der Schmelze in geringem Abstand zu dieser zu Beginn des Züchtungsprozesses angeordnet ist. Eine planare Form der Blende ist möglich, erfindungsgemäß können jedoch auch andere Formen gewählt werden. Eine rotationssymmetrische Geometrie ist nicht Bedingung, Öffnungen im äußeren Bereich der Abschirmung sind möglich. In 2 ist das für eine erfindungsgemäße Vorrichtung berechnete Temperaturfeld in der Schmelze und im Kristallstab gezeigt. Die radialen Gradienten im Bereich des 3-Phasen-Punktes sind deutlich erhöht, gleichzeitig tritt eine konvexe Phasengrenze auf. Zur Illustration der Änderung der radialen Temperaturgradienten in der Schmelze im Bereich vom Kristallrand zum Tiegelrand mit und ohne Blende sind diese in 3 dargestellt. In der Nähe des 3-Phasenpunktes (Gas, Schmelze und Kristall) gehen die radialen Gradienten im Fall ohne Schmelzabschirmung gegen Null. Dies hat zur Folge, dass eine Durchmesserkontrolle sehr erschwert wird.Numerous modifications of the heater geometry and the regime of their control did not lead to the desired success. On the other hand, a surprisingly good effect was achieved with the device according to the invention, in which a diaphragm is arranged in the gas space above the melt at a slight distance from it at the beginning of the cultivation process. A planar shape of the aperture is possible, but other shapes can be chosen according to the invention. A rotationally symmetric geometry is not a requirement, openings in the outer area of the shield are possible. In 2 the temperature field in the melt and in the crystal bar calculated for a device according to the invention is shown. The radial gradients in the region of the 3-phase point are significantly increased, at the same time a convex phase boundary occurs. In order to illustrate the change in the radial temperature gradients in the melt in the region from the edge of the crystal to the edge of the crucible with and without a diaphragm, these are in 3 shown. Near the 3-phase point (gas, melt, and crystal) the radial gradients in the case without melt shielding go to zero. This has the consequence that a diameter control is very difficult.

In 4 ist die erfindungsgemäße Vorrichtung schematisch im Längsschnitt dargestellt. Dabei ist kurz oberhalb einer in einem Tiegel 4 befindlichen Schmelze 2 aus den Komponenten des zu züchtenden Verbindungshalbleiter-Kristallstabes 3 eine kreisförmige Blende B als Wärmeabschirmung angeordnet. Die As-Dampfdruckstabilisierung erfolgte durch eine separat geregelte As-Quelle. Die Blende B besitzt in diesem Ausführungsbeispiel einen Innendurchmesser von 1,2 × Kristallsolldurchmessers und einen Außendurchmesser von 0,9 × Tiegeldurchmesser. Die Blende wurde aus 1 mm (= Dicke D) starkem Molybdänblech hergestellt und mittels einer Halterung 6 am Tiegel 4 befestigt. Es wurde ein Materialeinsatz von 3 kg polykristallinem, undotiertem GaAs in einen pBN-Züchtungstiegel (Durchmesser 6 Zoll) eingebracht, aufgeschmolzen und homogenisiert. Zum Ankeimen wurde ein <100>-orientierter GaAs-Keimkristall 5 verwendet. Die Züchtungsgeschwindigkeit bei diesem Versuch betrug 3 mm/h. Der gewachsene Kristall wurde mit einer Geschwindigkeit von ca. 50 K/h abgekühlt.In 4 the device according to the invention is shown schematically in longitudinal section. It is just above a in a crucible 4 located melt 2 from the components of the compound semiconductor crystal rod to be grown 3 a circular aperture B arranged as a heat shield. The As vapor pressure stabilization was carried out by a separately controlled As source. The diaphragm B in this embodiment has an inner diameter of 1.2 × crystal nominal diameter and an outer diameter of 0.9 × crucible diameter. The panel was made of 1 mm (= thickness D) thick molybdenum sheet and by means of a bracket 6 on the crucible 4 attached. A feed of 3 kg of polycrystalline, undoped GaAs was placed in a 6-inch diameter pBN culture crucible, melted and homogenized. For seeding, a <100> oriented GaAs seed crystal was grown 5 used. The growth rate in this experiment was 3 mm / h. The grown crystal was cooled at a rate of about 50 K / h.

5 zeigt einen GaAs-VCz-Einkristall, der in der erfindungsgemäßen Vorrichtung gezüchtet wurde. 5 shows a GaAs-VCz single crystal grown in the device according to the invention.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist die Erhöhung der axialen Temperaturgradienten im Kristall. Aufgrund der Abschirmung der Schmelze sinken die erforderliche Heizleistungen um ca. 10 %. Mit den höheren axialen Gradienten wird der Regelbereich für die Form der Phasengrenze deutlich erweitert. Es ist nun möglich, die Phasengrenze auf die für ein defektarmes Wachstum förderliche Form einzustellen. Weiterhin ist eine Durchmesserkontrolle aufgrund der höheren radialen Gradienten gewährleistet. Dies ist besonders wichtig zu Beginn des Wachstumsprozesses und im Konusbereich, weshalb die Blende in der erfindungsgemäßen Vorrichtung in den meisten Anwendungen auch einen festen Abstand zur Schmelzoberfläche aufweist.One Another advantage of the invention is the increase of the axial temperature gradients in the crystal. Due to the shielding of the melt decrease the required Heating power by approx. 10%. With the higher axial gradient becomes the control area for the Form of phase boundary significantly expanded. It is now possible that Phase boundary on the for a low-defect growth conducive To set shape. Furthermore, a diameter control is due the higher one ensured radial gradient. This is especially important at the beginning of the growth process and in the cone area, which is why the aperture in the device according to the invention also has a fixed distance to the enamel surface in most applications.

Claims (7)

Vorrichtung zur Züchtung von einkristallinen Verbindungshalbleiter-Kristallstäben nach dem dampfdruckkontrollierten Czochralski (VCz)-Verfahren, aufweisend mindestens einen Tiegel mit der Schmelze der Komponenten eines Verbindungshalbleiters, einen Keimkristall und einen Gasraum oberhalb der Schmelze, dadurch gekennzeichnet, dass eine Blende (B) als Mittel zur Einstellung eines definierten Temperaturgradienten in der Schmelze (2) im Gasraum (1) in geringem Abstand zur Oberfläche der Schmelze (2) angeordnet ist, wobei diese eine mittig angeordnete annähernd kreisförmige Öffnung aufweist, deren Durchmesser das 1,05- bis 1,5fache des Durchmessers des zu züchtenden Kristallstabes (3) beträgt und die Außenränder der Blende (B) um das 0,005- bis 0,25fache des Tiegeldurchmessers vom Tiegelrand entfernt sind.Apparatus for growing single crystal compound semiconductor crystal rods according to the vapor pressure controlled Czochralski (VCz) method, comprising at least one crucible with the melt of the components of a compound semiconductor, a seed crystal and a gas space above the melt, characterized in that a diaphragm (B) as an agent for setting a defined temperature gradient in the melt ( 2 ) in the gas space ( 1 ) at a small distance from the surface of the melt ( 2 ), which has a centrally arranged approximately circular opening whose diameter is 1.05 to 1.5 times the diameter of the crystal rod to be grown ( 3 ) and the outer edges of the panel (B) are 0.005 to 0.25 times the crucible diameter from the crucible edge. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende (B) kreisförmig ausgebildet ist.Device according to claim 1, characterized in that that the diaphragm (B) is circular is trained. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende (B) für oxidierende Bedingungen aus einem der Materialien Iridium, Palladium und einer Oxidkeramik besteht.Device according to claim 1, characterized in that that the aperture (B) for oxidizing conditions of one of the materials iridium, palladium and an oxide ceramic. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende (B) für reduzierende Bedingungen aus einem der Materialien Molybdän oder Graphit besteht.Device according to claim 1, characterized in that that the aperture (B) for reducing conditions of one of the materials molybdenum or graphite consists. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Blende (B) höhenverstellbar ausgebildet ist.Device according to claim 1, characterized in that that the aperture (B) formed height adjustable is. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke (D) der Blende (B) über ihre Fläche variiert.Device according to claim 1, characterized in that the thickness (D) of the diaphragm (B) varies over its surface. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Dicke (D) der Blende (B) über ihre Fläche konstant ist.Device according to claim 1, characterized in that the thickness (D) of the diaphragm (B) is constant over its surface.
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