DE102004010226B4

DE102004010226B4 - Method for evaluating backscatter electron diffraction patterns of crystalline substances

Info

Publication number: DE102004010226B4
Application number: DE200410010226
Authority: DE
Inventors: Ulrich Prof. Dr.rer.nat.habil. Wendt
Original assignee: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg
Current assignee: Otto Von Guericke Universitaet Magdeburg
Priority date: 2004-02-29
Filing date: 2004-02-29
Publication date: 2006-10-26
Anticipated expiration: 2024-03-01
Also published as: DE102004010226A1

Abstract

Verfahren zur Auswertung von Rückstreuelektronen-Beugungsmustern kristalliner Stoffe (a), die bei Bestrahlung eines vorgegebenen Stoffbereichs mit Elektronen (b) infolge der Elektronenbeugung am Kristallgitter entstehen, wobei die Rückstreuelektronen (c) mit einer ersten örtlichen Auflösung auf einen Schirm (d) gelangen und mit einer Kamera (e) mit einer zweiten örtlichen Auflösung abgebildet werden, dadurch gekennzeichnet, dass eine elektronenoptische Anordnung (f) verwendet wird, welche die Divergenz der Bahnen der Rückstreuelektronen (c) in einem vorgebbaren Raumwinkelbereich nach einer vorgebbaren Funktion vergrößert und dadurch die erste örtliche Auflösung erhöht.method for evaluation of backscatter electron diffraction patterns crystalline substances (a), which upon irradiation of a given Area of matter with electrons (b) due to the electron diffraction on the Crystal lattice arise, the backscattered electrons (c) with a first local resolution get on a screen (d) and with a camera (s) with a mapped to the second local resolution be, characterized in that an electron-optical arrangement (f) showing the divergence of the trajectories of the backscattered electrons (C) in a predeterminable solid angle range after a predetermined Function enlarged and thereby the first local resolution elevated.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Auswertung von Rückstreuelektronen-Beugungsmustern kristalliner Stoffe. Derartige Beugungsmuster entstehen bei Bestrahlung eines vorgegebenen Stoffbereichs mit Elektronen infolge der Elektronenbeugung am Kristallgitter. Das Verfahren ermöglicht eine höhere Messgenauigkeit insbesondere bei der Bestimmung des lokalen Verformungszustandes kristalliner Stoffe sowie der Bestimmung von Abweichungen der Kristallstruktur vom Idealzustand.The The invention relates to a method for the evaluation of backscatter electron diffraction patterns of crystalline Substances. Such diffraction patterns occur when irradiated given substance range with electrons due to the electron diffraction on Crystal lattice. The method allows a higher measurement accuracy especially in the determination of the local deformation state crystalline substances and the determination of deviations of the crystal structure from the ideal state.

Die Kristallstruktur kann Abweichungen vom Idealzustand aufweisen, die beispielsweise von Verunreinigungen, Kristallbaufehlem oder durch elastische oder plastische Verformungen hervorgerufen werden.The Crystal structure may have deviations from the ideal state, the For example, from impurities, Kristallbaufehlem or by elastic or plastic deformations are caused.

Der Verformungszustand von kristallinen Stoffen kann über die Änderung der als Netzebenenabstände bezeichneten Abstände der Atomlagen bestimmt werden, weil diese ein Maß für die auf den Stoff von außen wirkenden mechanischen Spannungen und die im Stoff vorhandenen Eigenspannungen und die plastische Verformung des Stoffes sind.Of the Deformation state of crystalline substances may be beyond the change as lattice spacings designated distances The atomic layers are determined because they are a measure of the material acting on the substance mechanical stresses and the residual stresses present in the material and are the plastic deformation of the substance.

Für das Messen der Kristallgitterzustände kleiner Materialbereiche, die eine Fläche von weniger als einem bis zu einigen Quadratmikrometern haben, kann die Rückstreuelektronenbeugung an Kristallgittern eingesetzt werden.For measuring the crystal lattice states smaller Material areas that make up an area from less than one to several square microns the backscatter electron diffraction be used on crystal lattices.

Diese beruht darauf, dass bei der Bestrahlung von kristallinen Stoffen mit Elektronenstrahlen, beispielsweise in einem Rasterelektronenmikroskop, Elektronen aus der Oberfläche der zu untersuchenden Probe austreten, die eine bestimmte räumliche Elektronendichte aufweisen. Durch diese entstehen über der bestrahlten Probe Gebiete, die eine gegenüber der Umgebung erhöhte Elektronendichte aufweisen.These based on that when irradiating crystalline matter with electron beams, for example in a scanning electron microscope, electrons from the surface emerge from the sample to be examined, which has a certain spatial electron density exhibit. These create areas over the irradiated sample, the one opposite the environment increased Have electron density.

Der örtliche Verlauf der Dichte der Rückstreuelektronen wird beispielsweise mit einem Fluorenszenzschirm und einer dahinter angeordneten Kamera abgebildet. Die abgebildeten Elektronendichteverteilungen enthalten als Kikuchi-Linien bezeichnete Muster, wobei zwei parallele Linien, die durch Beugung an einer Gitterebene entstehen, als Beugungsband bezeichnet werden [K.Z. Baba-Kishi; Journal of Materials Science, 37(2002)1715–1746].The local Course of the density of the backscattered electrons For example, with a fluoroscopic screen and one behind arranged camera arranged. The imaged electron density distributions contain patterns called kikuchi lines, where two are parallel Lines created by diffraction at a lattice plane as a diffraction band be designated [K.Z. Baba Kishi; Journal of Materials Science, 37 (2002) 1715-1746].

Dieses Verfahren ist unter der Bezeichnung Rückstreuelektronenbeugung (electron back scatter diftraction/EBSD) bekannt.This The method is referred to as backscatter electron diffraction (electron back scatter diffraction / EBSD).

Eine andere Möglichkeit besteht darin, das Elektronendichteprofil durch Belichten eines elektronenempfindlichen photographischen Films und das densitometrische Ausmessen der Schwärzung des Films zu bestimmen [A.J. Wilkinson, D.J. Dingley; Acta metall.mater., 12(1992)3357–3368].A different possibility is the electron density profile by exposing a Electron-sensitive photographic film and the densitometric Measuring the darkness of the film [A.J. Wilkinson, D.J. Dingley; Acta metal.mater., 12 (1992) 3357-3368].

Aus den Rückstreuelektronen-Beugungsbildern können auch die in den kristallinen Stoffen vorhandenen plastischen und elastischen Verformungszustände ermittelt werden.Out the backscattered electron diffraction images can also the existing in the crystalline materials plastic and elastic deformation states be determined.

Nachteilig an den bekannten Verfahren ist, dass bei Verwendung von Systemen zur Aufnahme der Beugungsmuster mittels Leuchtschirm und Kamera die örtliche Auflösung so gering ist, dass nur relativ große elastische Kristallgitterverformungen gemessen werden können und bei der Verwendung von elektronenempfindlichem Film außerdem mehrere Verfahrensschritte notwendig sind, um die Messergebnisse zu erhalten. Dadurch sind der Messaufwand für eine Probenstelle und die Aufnahme von lokalen Spannungs- und Verformungsverteilungen sehr zeitintensiv.adversely The known method is that when using systems for recording the diffraction patterns by means of a light screen and a camera the local resolution so small is that only relatively large elastic crystal lattice deformations can be measured and in the use of electron-sensitive film, moreover, several process steps necessary to obtain the measurement results. Thereby are the measurement effort for a sample site and the recording of local stress and strain distributions very time-consuming.

Zum Erhöhen der örtlichen Auflösung wurde deshalb vorgeschlagen, den Abstand zwischen der zu untersuchenden Probe und dem Bildschirm oder dem Film zu vergrößern, beispielsweise auf 140 mm [A.J. Wilkinson; Ultramicroscopy, 62(1996)237–247]. Dieses Verfahren hat den Nachteil, dass der große Abstand zwischen Probe und Abbildungsebene einen zusätzlichen apparativen Aufwand bedeutet und elektromagnetische oder elektrische Störfelder auf die Rückstreuelektronen wirken können, die eine deutliche Verschlechterung der Abbildungsqualität bewirken.To the Increase the local resolution Therefore, it was suggested that the distance between the examined Sample and the screen or movie, for example to 140 mm [A.J. Wilkinson; Ultramicroscopy, 62 (1996) 237-247]. This procedure has the disadvantage that the great distance between sample and imaging plane additional equipment means and electromagnetic or electrical interference fields on the backscattered electrons can act, which cause a significant deterioration of the image quality.

Elektronenoptische Linsen zum Vergrößern von Beugungsmustern sind z.B. für Transmissions-Elektronenmikroskope bekannt [S. Amelinckx, D. van Dyck, J. van Landuyt, G. van Tendeloo (Eds.); Electron Microscopy – principles and fundamentals, VCH Verlagsgesellschaft, Weinheim, 1997]. Weiterhin ist z. B. aus der EP 152501 B1 und der EP 153963 B1 der Einsatz elektronenoptischer Ablenksysteme in Einrichtungen zur Beobachtung bzw. Vermessung von Rückstreuelektronen-Beugungsmustern bekannt. In diesen Anwendungen wird die Geometrie des Rückstreuelektronen-Beugungsmusters nicht beeinflusst, sondern es wird die Bahn der einen vorgebbaren Raumwinkelbereich durchquerenden Rückstreuelektronen so um einen vorgebbaren konstanten Winkel abgelenkt, dass sie einen stationären Detektor treffen. Durch diese Maßnahme kann auf eine aufwendige Detektorpositionierung verzichtet werden.Electron-optical lenses for magnification of diffraction patterns are known, for example, for transmission electron microscopes [S. Amelinckx, D. van Dyck, J. van Landuyt, G. van Tendeloo (Eds.); Electron Microscopy - Principles and Fundamentals, VCH Verlagsgesellschaft, Weinheim, 1997]. Furthermore, z. B. from the EP 152501 B1 and the EP 153963 B1 the use of electron-optical deflection systems in devices for the observation or measurement of backscatter electron diffraction patterns known. In these applications, the geometry of the backscatter electron diffraction pattern is not influenced, but the path of the backscattered electrons traversing a predefinable solid angle range is deflected by a predefinable constant angle so that they strike a stationary detector. By this measure can be dispensed with a complex detector positioning.

Es ist auch ein System mit zwei Vorrichtungen zur Abbildung der Rückstreuelektronen-Beugungsmuster bekannt ( US 5.466.934 ). Mit desem System wird jedoch keine für die Bewertung der Beugungsmuster erforderliche örtliche Auflösung erreicht, die über die bekannten Aufnahmetechniken hinausgeht, sondern es dient zum schnellen Erfassen der Beugungsmuster. Dies wird erreicht mit einer konventionellen Abbildung mittels einer Videokamera, die für die generelle Auswahl des Beugungsmusters von einem Meßort auf der Probe vorgesehen ist, und einer zweiten Abbildungsvorrichtung in Form eines Diodenarrays, die von anderen Messorten auf der Probe stammende Beugungsmuster schnell und mit wesentlich geringerer örtlicher Auflösung erfassen soll.Also known is a system having two devices for imaging the backscatter diffraction patterns ( US 5,466,934 ). With desem However, the system does not achieve the spatial resolution required for evaluation of the diffraction patterns, which goes beyond the known recording techniques, but serves to detect the diffraction patterns quickly. This is achieved with a conventional imaging by means of a video camera, which is intended for the general selection of the diffraction pattern from one measurement location on the sample, and a second imaging device in the form of a diode array, the diffraction patterns originating from other measurement locations on the sample rapidly and with much less to capture local resolution.

Es besteht deshalb die Aufgabe, ein Verfahren zu schaffen, mit dem die bei der Auswertung von Rückstreuelektronen-Beugungsmustern erzielbare örtliche Auflösung mit relativ geringem Aufwand so erhöht werden kann, dass daraus der Kristallgitterzustand von Stoffen mit einer hohen Genauigkeit bestimmt und die Breite der Kikuchi-Linien sowie die Winkel zwischen Zonenachsen mit einer für das Errechnen der Kristallgitterkonstanten und elastischen Spannungen ausreichenden Genauigkeit vermessen werden kann.It Therefore, the task is to provide a method with which in the evaluation of backscatter electron diffraction patterns achievable local resolution With relatively little effort can be increased so that the crystal lattice state of substances with high accuracy determined and the width of the Kikuchi lines as well as the angles between Zone axes with a for calculating the crystal lattice constants and elastic stresses sufficient accuracy can be measured.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Verfahrens ergeben sich aus den Unteransprüchen.According to the invention this Problem solved by a method having the features of claim 1. Further advantageous embodiments and further developments of the method emerge from the dependent claims.

In den Ansprüchen und in der folgenden Beschreibung soll unter Vergrößerung der Divergenz der Rückstreuelektronenbahnen die Vergrößerung der Winkeldifferenz zwischen den Bahntangenten benachbarter Rückstreuelektronenbahnen verstanden werden. Die Wirkungsweise der Erfindung kann auch darin gesehen werden, dass die elektronenoptische Anordnung einen beliebigem Teil des in einem Raumwinkelbereich existenten Rückstreuelektronen-Beugungsmusters vergrößernd auf den Schirm lenkt. Die Vergrößerung des Rückstreuelektronen-Beugungsmusters bzw. die Vergrößerung der Divergenz kann anschaulich auch als Aufspreizung der Mantellinien der als Kossel-Kegel bekannten Beugungskegel interpretiert werden, deren Abbildung das Beugungsmuster ergibt.In the claims and in the following description, under magnification of Divergence of the backscattered electron paths the enlargement of the Angle difference between the web tangents of adjacent backscatter electron paths be understood. The operation of the invention may also therein be seen that the electron optical arrangement any Part of the existing in a solid angle range backscatter electron diffraction pattern increasing steers the screen. The enlargement of the Backscattered electron diffraction pattern or the increase in divergence can vividly as spreading of the generatrices of as Kossel cone known diffraction cone to be interpreted, whose Figure shows the diffraction pattern.

Unter Anwendung des Verfahrens kann der örtliche Verlauf der Rückstreuelektronen-Dichte insbesondere senkrecht oder schräg zu den Kikuchi-Linien mit einer hohen örtlichen Auflösung und Genauigkeit vermessen oder zwei sich kreuzende Kikuchi-Linien ermittelt und daraus der Kreuzungswinkel bestimmt werden. Dies ermöglicht ein Bestimmen der im Kristallgitter vorhandenen mechanischen Spannungen aus den Gitterdehnungen und Gitterstauchungen oder den Winkeln zwischen Zonenachsen sowie das Bestimmen der plastischen Kristallgitterverformungen anhand der Schärfe des Elektronendichteprofils. Die Erfindung erlaubt es, die Dichte der Rückstreuelektronen so genau zu messen, dass noch Kristallgitterverformungen von weniger als 0,05 % nachweisbar sind.Under Application of the method may be the local course of the backscattered electron density in particular perpendicular or oblique to the Kikuchi lines with a high local resolution and Measure accuracy or detect two intersecting Kikuchi lines and from this the crossing angle can be determined. This allows a Determine the mechanical stresses present in the crystal lattice from the grid strains and lattice upsets or the angles between Zone axes and determining the plastic crystal lattice deformations based on the sharpness of the electron density profile. The invention allows the density the backscattered electrons to measure so accurately that even crystal lattice deformations of less are detectable as 0.05%.

Im Folgenden wird das Verfahren anhand von Ausführungsbeispielen mit weiteren Einzelheiten unter Bezug auf die beigefügten Zeichnungen näher erläutert. In den Zeichnungen zeigenin the The method will be described below with reference to exemplary embodiments Details explained with reference to the accompanying drawings. In show the drawings

1a eine schematische Darstellung einer Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens während die divergenserhöhende elektronenoptische Einrichtung aus dem Bahnverlauf der Rückstreuelektronen entfernt ist, 1a a schematic representation of a device for carrying out the method while the divergenserhöhende electron optical device is removed from the trajectory of the backscattered electrons,

1b eine schematische Darstellung einer Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens während die divergenserhöhende elektronenoptische Einrichtung im Bahnverlauf der Rückstreuelektronen positioniert ist, 1b a schematic representation of a device for carrying out the method while the divergenserhöhende electron optical device is positioned in the path of the backscatter electrons,

2 schematische Darstellung einer weiteren Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens, bei der die elektronenoptische Einrichtung die Divergens der Rückstreuelektronenbahnen erhöht und zusätzlich die Rückstreuelektronenbahnen um einen vorgebbaren konstanten Winkel ablenkt. 2 schematic representation of a further device for performing the method, in which the electron-optical device increases the divergence of the backscattered electron paths and additionally deflects the backscattered electron paths by a predetermined constant angle.

Mit Bezug auf 1 sind in einer durch mechanische Belastung gebogenen Probe a aus Si die örtlich auftretenden Kristallgitterspannungen mit einer lokalen Auflösung von 0,5 Mikrometer in einem Rasterelektronenmikroskop zu bestimmen. Hierzu werden einzelne Bereiche der Probe a punktförmig mit dem Primärelektronenstrahl b bestrahlt, wodurch Rückstreuelektronen c in einen Raumwinkelbereich ausgestrahlt werden. Die Rückstreuelektronen c treffen in bekannter Weise auf einen mit einem elektronenempfindlichen Leuchtstoff versehenen durchsichtigen Schirm d, wodurch in der Ebene des Schirms d eine dem örtlichen Verlauf der Rückstreuelektronen-Dichte entsprechende Intensitätsverteilung erzeugt wird, wie 1a schematisch zeigt.Regarding 1 In a mechanically stressed specimen a made of Si, the locally occurring crystal lattice stresses with a local resolution of 0.5 micrometers are to be determined in a scanning electron microscope. For this purpose, individual regions of the sample a are irradiated punctiformly with the primary electron beam b, whereby backscattered electrons c are emitted in a solid angle range. The backscattered electrons c strike in a known manner on a provided with an electron-sensitive phosphor transparent screen d, whereby in the plane of the screen d a the local course of the backscattered electron density corresponding intensity distribution is generated, such as 1a schematically shows.

Die maximale Auflösung für benachbarte Details dieser Intensitätsverteilung – hier als erste örtliche Auflösung bezeichnet – ist durch die Korngröße des verfügbaren Leuchtstoffmaterials bedingt. Wegen dieser niedrigen ersten örtlichen Auflösung ist es nicht möglich, die Rückstreuelektronenmuster mit der für hochgenaue Auswertungen nötigen Auflösung zu bestimmen.The maximum resolution for neighboring Details of this intensity distribution - here as first local resolution denotes - is by the grain size of the available phosphor material conditionally. Because of this low first local resolution is it is not possible the backscatter electron patterns with the for Necessary highly accurate evaluations resolution to determine.

Hinter dem Schirm d befindet sich eine Kamera e, mit deren Hilfe unter Nutzung von bekannter Software und einem Rechner die auf dem Schirm d erzeugte Intensitätsverteilung auf einem Display dargestellt wird. Anhand der Darstellung auf dem Display, wird ein Bildbereich ausgewählt, in dem ein oder mehrere Beugungsbänder/Kikuchi-Linien auftreten. Der so ausgewählte Bildbereich ist der Raumwinkelbereich, der in einem weiteren Verfahrensschritt mit einer zweiten örtlichen Auflösung abgebildet wird, die höher als die erste örtliche Auflösung ist.Behind the screen d is a Ka With the aid of known software and a computer, the intensity distribution generated on screen d is displayed on a display. Based on the representation on the display, an image area is selected in which one or more diffraction bands / Kikuchi lines occur. The thus selected image area is the solid angle area, which is imaged in a further process step with a second local resolution that is higher than the first spatial resolution.

Zu diesem Zweck wird, wie in 1b gezeigt, der ausgewählte Raumwinkelbereich mit einer elektromagnetischen Spulenanordnung f, die zwischen der Probe a und dem Schirm d mittels eines Antriebes positioniert werden kann, so gespreizt, dass die Abbildungsfläche dieses Raumwinkelbereiches auf dem Schirm d deutlich größer ist und mit der zweiten örtlichen Auflösung aufzeichnet werden kann.For this purpose, as in 1b shown, the selected solid angle range with an electromagnetic coil assembly f, which can be positioned between the sample a and the screen d by means of a drive, so spread that the imaging surface of this solid angle range on the screen d is significantly larger and recorded at the second local resolution can.

Aus der so erhaltenen Abbildung des Raumbereiches auf dem Display wird in bekannter Weise die Kristallgitterdehnung oder -stauchung und daraus die Gitterspannung berechnet.Out the thus obtained image of the room area on the display becomes in a known manner, the crystal lattice strain or compression and from this the grid voltage is calculated.

Aus dem Vorhergehenden folgt, dass die erste örtliche Auflösung nur so hoch sein muss, wie es für die Positionsbestimmung des auszuwählenden Bildbereiches notwendig ist, der als Messgebiet für die nachfolgende Messung unter Verwendung der Spule f dienen soll. Die mittels der Spule f erzielte zweite örtliche Auflösung muss dagegen so groß sein, dass sie die Bestimmung des lokalen Kristallgitterzustandes mit der gewünschten Genauigkeit gestattet.Out the previous one follows that the first local resolution only must be as high as it is for the position determination of the image area to be selected is necessary is that as a measuring area for the subsequent measurement using the coil f should serve. The by means of the coil f scored second local resolution must be so tall that they use the determination of the local crystal lattice state the desired Accuracy allowed.

Mit Bezug auf 2 sind in einer durch mechanische Belastung gedehnten Probe a aus Stahl die örtlich auftretenden Kristallgitterverformungen mit einer lokalen Auflösung von 0,5 Mikrometer in einem Rasterelektronenmikroskop zu bestimmen. Hierzu werden einzelne Bereiche der Probe a punktförmig mit dem Primärelektronenstrahl b bestrahlt, wodurch Rückstreuelektronen c in einen Raumwinkelbereich ausgestrahlt werden.Regarding 2 In a mechanically strained sample a of steel, the locally occurring crystal lattice deformations with a local resolution of 0.5 micrometers are to be determined in a scanning electron microscope. For this purpose, individual regions of the sample a are irradiated punctiformly with the primary electron beam b, whereby backscattered electrons c are emitted in a solid angle range.

Ein ausgewählter Raumwinkelbereich der Rückstreuelektronen c wird mit einer elektromagnetischen Spulenanordnung f so umgelenkt, dass die Rückstreuelektronen auf einen mit einem elektronenempfindlichen Leuchtstoff versehenen durchsichtigen Schirm d treffen, wodurch in der Ebene des Schirms d eine dem örtlichen Verlauf der Rückstreuelektronen-Dichte entsprechende Intensitätsverteilung erzeugt wird, wie 2 schematisch zeigt. Hinter dem Schirm d befindet sich eine Kamera e, mit deren Hilfe unter Nutzung von bekannter Software und einem Rechner die auf dem Schirm d erzeugte Intensitätsverteilung auf einem Display dargestellt wird. Anhand der Darstellung auf dem Display, wird ein Bildbereich ausgewählt, in dem ein oder mehrere Beugungsbänder/Kikuchi-Linien auftreten, an denen die örtlichen Kristallgitterverformungen am Messpunkt der Probe a gemessen werden können.A selected solid angle region of the backscatter electrons c is deflected by an electromagnetic coil arrangement f such that the backscatter electrons strike a transparent screen d provided with an electron-sensitive phosphor, whereby an intensity distribution corresponding to the local course of the backscattered electron density is produced in the plane of the screen d, as 2 schematically shows. Behind the screen d is a camera e, with the help of known software and a computer, the intensity distribution generated on the screen d is displayed on a display. Based on the representation on the display, an image area is selected in which one or more diffraction bands / Kikuchi lines occur, at which the local crystal lattice deformations at the measurement point of the sample a can be measured.

Die maximale Auflösung für benachbarte Details dieser Intensitätsverteilung – hier als erste örtliche Auflösung bezeichnet – ist durch die Korngröße des verfügbaren Leuchtstoffmaterials bedingt. Wegen dieser niedrigen ersten örtlichen Auflösung ist es nicht möglich, die Rückstreuelektronenmuster mit der für hochgenaue Auswertungen nötigen-Auflösung zu bestimmen.The maximum resolution for neighboring Details of this intensity distribution - here as first local resolution denotes - is by the grain size of the available phosphor material conditionally. Because of this low first local resolution is it is not possible the backscatter electron patterns with the for to determine highly accurate evaluations necessary resolution.

Das von der elektromagnetischen Spulenanordnung f erzeugte Feld kann so variiert werden, dass ein beliebiger ausgewählter Bereich des Raumwinkels der umgelenkten Rückstreuelektronen vergrößert (gespreizt auf dem Schirm d abgebildet werden kann. Dazu wird mit der elektromagnetischen Spulenanordnung fein solches Feld erzeugt, das den Raumwinkelbereich des auf die Spulenanordnung treffenden Elektronenkegels entsprechend vergrössert.The can field generated by the electromagnetic coil assembly f be varied so that any selected area of the solid angle the deflected backscattered electrons enlarged (spread can be imaged on the screen d. This is done with the electromagnetic coil assembly produces such a field that the solid angle of the on the Coil arrangement corresponding electron cone increased accordingly.

Der ausgewählte Bildbereich ist der Raumwinkelbereich, der in einem weiteren Verfahrensschritt mit einer zweiten örtlichen Auflösung abgebildet wird, die höher als die erste örtliche Auflösung ist. Aus der so erhaltenen Abbildung des Raumbereiches auf dem Display wird in bekannter Weise die Kristallgitterdehnung oder -stauchung und daraus die Gitterspannung berechnet.Of the selected Image area is the solid angle area, which in a further process step with a second local resolution is pictured, the higher as the first local resolution is. From the resulting image of the room area on the display is in a known manner, the crystal lattice strain or compression and from this the grid voltage is calculated.

Claims

Method for the evaluation of backscatter electron diffraction patterns of crystalline substances (a), which are produced by irradiation of a given substance region with electrons (b) as a result of the electron diffraction at the crystal lattice, wherein the backscattered electrons (c) reach a screen (d) with a first local resolution and be imaged with a camera (s) at a second local resolution, characterized in that an electron-optical arrangement (f) is used, which increases the divergence of the paths of the backscattered electrons (c) in a predefinable solid angle range according to a predetermined function and thereby the first increased local resolution.

Method according to claim 1, characterized in that that the electron-optical arrangement (f) and / or an additional Electron-optical arrangement of the backscattered electron paths (c) in a predefinable solid angle range around a selectable deflects constant angle.

A method according to claim 1 or 2, characterized in that the divergence and / or the deflection angle of the backscattered electron paths (c) can be changed in stages or steplessly.

Method according to one of claims 1 to 3, characterized that the backscatter electrons (c) before or within at least one of said electron-optical Arrangements are braked.