DE10162514C2 - Process for preparing material-removing processing of the edge of a semiconductor wafer - Google Patents

Process for preparing material-removing processing of the edge of a semiconductor wafer

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DE10162514C2 DE2001162514 DE10162514A DE10162514C2 DE 10162514 C2 DE10162514 C2 DE 10162514C2 DE 2001162514 DE2001162514 DE 2001162514 DE 10162514 A DE10162514 A DE 10162514A DE 10162514 C2 DE10162514 C2 DE 10162514C2
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Description

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Vorbereitung ei­ ner materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halbleiter­ scheibe.The invention relates to a method for preparing egg ner material-removing processing of the edge of a semiconductor disc.

Die unbehandelte Kante einer von einem Einkristall abgetrennten Halbleiterscheibe hat eine vergleichsweise raue und uneinheit­ liche Oberfläche. Sie bricht bei mechanischer Belastung häufig aus und ist eine Quelle störender Partikel. Es ist daher üb­ lich, die Kante zu glätten und ihr ein bestimmtes Profil zu ge­ ben. Dies geschieht durch eine materialabtragende Bearbeitung der Kante mit einem geeigneten Bearbeitungswerkzeug. In der DE 195 35 616 A1 ist eine Schleifvorrichtung beschrieben, mit der eine solche Bearbeitung, die als Kantenverrundung bezeichnet wird, vorgenommen werden kann. Die Halbleiterscheibe ist wäh­ rend der Bearbeitung auf einem sich drehenden Tisch zentrisch fixiert und wird mit der Kante gegen die sich ebenfalls drehen­ de Arbeitsfläche eines Bearbeitungswerkzeugs zugestellt.The untreated edge of one separated from a single crystal Semiconductor wafer has a comparatively rough and uneven surface. It often breaks under mechanical stress and is a source of disruptive particles. It is therefore over to smooth the edge and give it a certain profile ben. This is done by material-removing processing the edge with a suitable processing tool. In DE 195 35 616 A1 describes a grinding device with which such a machining, called edge rounding will be made. The semiconductor wafer is wah centric on a rotating table fixed and will turn with the edge against which also de Work surface of a processing tool delivered.

Vor Beginn des Schleifvorgangs muss die Halbleiterscheibe auf einem Zentrierteller zentriert und ggf. orientiert werden. In der Druckschrift EP 457364 A2 wird eine Zentrierstation be­ schrieben, bei der während einer Drehung der Halbleiterscheibe der Rand der Halbleiterscheibe mittels eines Photosensors ver­ messen und so der Abstand des Rands zur Drehachse des Halte­ kopfs bzw. der Radius der Scheibe bestimmt wird. In JP 03- 154780 A (Patent Abstracts of Japan) ist ebenfalls eine Vor­ richtung und ein Verfahren zum Zentrieren und Orientieren einer Halbleiterscheibe beschrieben. Die Zentrierung geschieht in der Regel mit Hilfe eines Zentrierprismas Z, wie es in Fig. 1 dar­ gestellt ist. Das Zentrierprisma wird beispielsweise durch ei­ nen Schrittmotor über eine Spindel angetrieben. Eine derartige Zentriervorrichtung ist in JP 02-030464 A (Patent Abstracts of Japan) dargestellt.Before the grinding process begins, the semiconductor wafer must be centered on a centering plate and, if necessary, oriented. In the publication EP 457364 A2 a centering station is described, in which the edge of the semiconductor wafer is measured by means of a photosensor during a rotation of the semiconductor wafer and thus the distance of the edge to the axis of rotation of the holding head or the radius of the wafer is determined. JP 03-154780 A (Patent Abstracts of Japan) also describes a device and a method for centering and orienting a semiconductor wafer. The centering is usually done with the help of a centering prism Z, as shown in Fig. 1 is. The centering prism is driven, for example, by a stepper motor via a spindle. Such a centering device is shown in JP 02-030464 A (Patent Abstracts of Japan).

Zunächst legt ein Übergabearm die ggf. vororientierte zu bear­ beitende Halbleiterscheibe auf den Zentrierteller T. Trägt die Halbleiterscheibe ein Orientierungsmerkmal ("Flat" oder "Notch", so befindet sich dieses bei der Übergabe ungefähr in einer vorgegebenen Position. Anschließend wird das Zentrier­ prisma unter Berücksichtigung des Durchmessers der Halbleiter­ scheibe so positioniert, dass die am Zentrierprisma Z an zwei Punkten anliegende Halbleiterscheibe zentriert auf dem Zent­ rierteller T aufliegt, wie Fig. 1 für die Scheibe Wnv zeigt. Um die richtige Positionierung des Zentrierprismas zu ermöglichen, muss der Durchmesser der Halbleiterscheibe vorgegeben werden.First, a transfer arm places the possibly pre-oriented semiconductor wafer to be machined on the centering plate T. If the semiconductor wafer has an orientation feature ("flat" or "notch", this is approximately in a predetermined position during the transfer). The centering prism is then placed underneath Taking into account the diameter of the semiconductor wafer positioned so that the semiconductor wafer resting on the centering prism Z at two points lies centered on the centering plate T, as shown in FIG. 1 for the wafer W nv . In order to enable the correct positioning of the centering prism, the diameter must be the semiconductor wafer can be specified.

Um die richtige Positionierung des Zentrierprismas für jeden Scheibendurchmesser zu gewährleisten, muss einmal für jeden Scheibendurchmesser die entsprechende Position des Zentrier­ prismas ermittelt und gespeichert werden. Dazu wird eine Halb­ leiterscheibe mit bekanntem Durchmesser mit Hilfe des Zentrier­ prismas so auf dem Zentrierteller justiert, dass sich die Mit­ telpunkte der Halbleiterscheibe und des Zentriertellers decken. Der Verfahrweg des Zentrierprismas vom Nullpunkt bis zur Kante der zentrierten Halbleiterscheibe wird durch einen Längensensor bestimmt und zusammen mit dem Durchmesser der Halbleiterscheibe gespeichert. Trägt die Halbleiterscheibe ein Orientierungsmerk­ mal, so muss sie nach dem Zentrieren noch genau orientiert wer­ den. Dabei wird der Flat oder der Notch durch Rotation auf dem Zentrierteller T und durch Lageprüfung genau positioniert. An­ schließend wird die Halbleiterscheibe, z. B. mit einem Schritt­ motor über eine Spindel, an den Tisch ("Chuck") übergeben, auf dem die Scheibe zur Bearbeitung der Scheibenkante fixiert wird.The correct positioning of the centering prism for everyone To ensure disc diameter must be done once for everyone The corresponding position of the centering prisms can be determined and saved. This becomes a half conductor disc with a known diameter using the centering prismas adjusted on the centering plate so that the Mit Cover the center points of the semiconductor wafer and the centering plate. The path of the centering prism from the zero point to the edge the centered semiconductor wafer is covered by a length sensor determined and together with the diameter of the semiconductor wafer saved. The semiconductor wafer bears an orientation times, it has to be oriented exactly after centering the. The flat or notch is rotated on the Centering plate T and precisely positioned by checking the position. to closing the semiconductor wafer, for. B. with one step passed over a spindle to the table ("Chuck") to which the pane is fixed for processing the pane edge.

Gelangt aufgrund eines Fehlers im Materialfluss fälschlicher­ weise eine Halbleiterscheibe mit bereits verrundeten Kanten nochmals zum Kantenverrunden, wird die Scheibe wie zuvor be­ schrieben mit dem Zentrierprisma auf dem Zentrierteller positi­ oniert. Da jedoch als Durchmesser der Soll-Durchmesser einer Halbleiterscheibe mit noch nicht verrundeten Kanten angenommen und daher das Zentrierprisma auf einen größeren als den tat­ sächlichen Durchmesser eingestellt wurde, führt dies zu einer exzentrischen Positionierung der Halbleiterscheibe (Wv in Fig. 1) auf dem Zentrierteller und somit auch zu einer exzentrischen Positionierung auf dem Tisch. In der Konsequenz führt dies da­ zu, dass bei fest vorgegebenem Zieldurchmesser ein Teil des Scheibenumfangs nochmals bearbeitet wird. In Fig. 1 wäre dies der untere Teil der Halbleiterscheibe Wv. Es entsteht eine Scheibe mit unregelmäßiger, nicht mehr runder Form, die in den weiteren Prozessschritten bis zur Fertigung elektronischer Bau­ elemente nicht mehr verwendet werden kann. If, due to an error in the material flow, a semiconductor wafer with rounded edges already rounds again, the wafer is positioned with the centering prism on the centering plate, as previously described. However, since the nominal diameter of a semiconductor wafer with edges that have not yet been rounded is assumed as the diameter and therefore the centering prism has been set to a larger diameter than the actual diameter, this leads to an eccentric positioning of the semiconductor wafer (W v in FIG. 1) on the centering plate and thus also for an eccentric positioning on the table. The consequence of this is that a part of the disk circumference is machined again with a fixed target diameter. In Fig. 1, this would be the lower part of the semiconductor wafer W v . The result is a disc with an irregular, no longer round shape that can no longer be used in the further process steps up to the manufacture of electronic components.

Um dies auszuschließen, muss vor der Kantenverrundung überprüft werden, ob an der Halbleiterscheibe bereits eine Kantenverrun­ dung durchgeführt wurde. Dies geschah bisher durch optischen Vergleich, wobei ein Kamerasystem die Halbleiterscheibe oder deren Kante mit gespeicherten Mustern vergleicht, oder mittels Reflexion der Kante. Dabei werden eine Lichtquelle und ein Sen­ sor derart relativ zur Halbleiterscheibe positioniert, dass der Sensor eine durch die obere oder untere Facette einer verrunde­ ten Halbleiterscheibe erzeugte Reflexion detektiert. In der Praxis stellte sich jedoch heraus, dass die üblichen Verfahren nicht zuverlässig funktionieren, insbesondere wenn viele ver­ schiedene Kantenspezifikationen mit unterschiedlichen Scheiben­ dicken und Profilformen hinsichtlich Radius, Facettenwinkel, Stegbreite und Symmetrie des Profils gefertigt werden.To rule this out, it must be checked before the edge rounding whether there is already an edge blur on the semiconductor wafer was carried out. So far, this has been done by optical means Comparison, where a camera system or the semiconductor wafer whose edge compares with stored patterns, or by means of Reflection of the edge. A light source and a sen Positioned relative to the semiconductor wafer such that the Sensor one by the top or bottom facet of a round Reflection generated th semiconductor wafer detected. In the Practice, however, turned out to be the usual procedure do not work reliably, especially when many ver different edge specifications with different discs thicknesses and profile shapes with regard to radius, facet angle, Bridge width and symmetry of the profile can be manufactured.

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe besteht daher dar­ in, ein zuverlässiges Verfahren bereitzustellen, mit dem vor einer Kantenverrundung zweifelsfrei festgestellt werden kann, ob die Kante einer zu bearbeitenden Halbleiterscheibe bereits verrundet ist oder nicht.The object underlying the invention is therefore in to provide a reliable process with which before an edge rounding can be determined without any doubt, whether the edge of a semiconductor wafer to be processed already is rounded or not.

Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren zur Vorbereitung einer materialabtragenden Bearbeitung der Kante einer Halblei­ terscheibe, umfassend folgende Schritte:
The task is solved by a method for preparing material-removing machining of the edge of a semiconductor wafer, comprising the following steps:

  • a) Positionieren einer zu bearbeitenden Halbleiterscheibe auf einem Zentrierteller mit Hilfe eines Zentrierprismas derart, dass eine Halbleiterscheibe mit Soll-Durchmesser zentriert auf dem Zentrierteller aufliegt,a) Positioning a semiconductor wafer to be processed a centering plate with the help of a centering prism, that a semiconductor wafer with a target diameter is centered on lies on the centering plate,
  • b) Drehen des Zentriertellers mit der Halbleiterscheibe um ei­ nen vorbestimmten Winkel im Bereich zwischen 90 und 270°,b) rotating the centering plate with the semiconductor wafer around ei a predetermined angle in the range between 90 and 270 °,
  • c) Bestimmung mit einem Sensor, ob ein vordefinierter Messpunkt auf der Halbleiterscheibe liegt oder nicht, wobei der Messpunkt so gewählt ist, dass er auf der durch das Zentrierprisma und den Mittelpunkt des Zentriertellers definierten Symmetrieachse zwischen dem Mittelpunkt des Zentriertellers und dem Zentrier­ prisma liegt, und dass er bei einer Halbleiterscheibe mit Soll- Durchmesser auf der Halbleiterscheibe nahe an deren Rand liegt, c) Determining with a sensor whether a predefined measuring point lies on the semiconductor wafer or not, the measurement point is chosen so that it is on the through the centering prism and the center of the centering plate defined axis of symmetry between the center of the centering plate and the centering prism lies, and that in a semiconductor wafer with target Diameter on the semiconductor wafer is close to its edge,  
  • d) Übergabe zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante der Halbleiterscheibe, jedoch nur falls in Schritt c) festgestellt wurde, dass der Messpunkt auf der Halbleiterscheibe liegt.d) Handover for material-removing processing of the edge of the Semiconductor wafer, but only if found in step c) was that the measuring point is on the semiconductor wafer.

Im Gegensatz zum Stand der Technik wird gemäß der Erfindung nicht das Verrundungsprofil, sondern der Durchmesser der Halb­ leiterscheibe verwendet, um festzustellen, ob die Scheibe be­ reits verrundet ist oder nicht. Eine bereits verrundete Halb­ leiterscheibe ist im Durchmesser kleiner als eine nicht verrun­ dete Scheibe. Bei diesem Verfahren ist das Verrundungsprofil nicht relevant, so dass auch bei einer großen Vielfalt von ver­ schiedenen Kantenprofilen keine Probleme mit der Erkennung, ob eine Halbleiterscheibe bereits verrundet ist oder nicht, auf­ treten können.In contrast to the prior art, according to the invention not the fillet profile, but the diameter of the half conductor disc used to determine whether the disc be is already rounded or not. An already rounded half conductor disc is smaller in diameter than one disc. In this procedure, the fillet profile is not relevant, so that even with a large variety of ver different edge profiles no problems with the detection of whether a semiconductor wafer is already rounded or not can kick.

Im Folgenden wird die Erfindung gemeinsam mit den bevorzugten Ausführungsformen anhand der Fig. 1 bis 3 näher beschrieben:The invention is described in more detail below together with the preferred embodiments with reference to FIGS. 1 to 3:

Fig. 1 zeigt die Positionierung einer zu bearbeitenden Halblei­ terscheibe auf einem Zentrierteller T mit Hilfe eines Zentrier­ prismas Z für den Fall einer Scheibe Wnv, deren Kante noch nicht verrundet wurde, und einer Scheibe Wv, deren Kante bereits ver­ rundet wurde. Fig. 1 shows the positioning of a semiconductor plate to be machined on a centering plate T with the aid of a centering prism Z for the case of a disc W nv , the edge of which has not yet been rounded, and a disc W v , the edge of which has already been rounded.

Fig. 2 zeigt den Zustand nach dem Positionieren der Halbleiter­ scheibe Wnv bzw. Wv auf dem Zentrierteller T, nachdem das Zent­ rierprisma Z eine bestimmte Sicherheitsweglänge von der Halb­ leiterscheibe weggefahren wurde. Fig. 2 shows the state after the positioning of the semiconductor wafer W nv or W v on the centering plate T after the centering prism Z has been moved away from the semiconductor wafer by a certain safety path length.

Fig. 3 zeigt den Zustand nach einer Rotation des Zentriertel­ lers T mit der Halbleiterscheibe Wnv bzw. Wv um 180°. Fig. 3 shows the state after rotation of the center quarter T with the wafer W nv or W v by 180 °.

In Schritt a) wird die Halbleiterscheibe Wnv bzw. Wv entspre­ chend dem Stand der Technik auf dem Zentrierteller T positio­ niert. Beispielsweise legt zunächst ein Übergabearm die zu be­ arbeitende Halbleiterscheibe auf den Zentrierteller. Anschlie­ ßend wird das Zentrierprisma Z unter Berücksichtigung des Soll- Durchmessers der Halbleiterscheibe so positioniert, dass die am Zentrierprisma an zwei Punkten anliegende Halbleiterscheibe zentriert auf dem Zentrierteller aufliegt, sofern der Ist- Durchmesser der Halbleiterscheibe mit ihrem Soll-Durchmesser übereinstimmt. In Fig. 1 ist dies für die Scheibe Wnv (eine Scheibe mit noch nicht verrundeter Kante) gezeigt. Handelt es sich bei der Halbleiterscheibe um eine Scheibe mit bereits ver­ rundeter Kante, so weist diese einen gegenüber dem Soll-Durch­ messer verringerten Ist-Durchmesser auf. Die Lage einer derar­ tigen Scheibe auf dem Zentrierteller nach Schritt a) wird in Fig. 1 durch die Scheibe Wv veranschaulicht. Die Scheibe liegt in diesem Fall nicht zentriert auf dem Zentrierteller.In step a), the semiconductor wafer W nv or W v is positioned on the centering plate T in accordance with the prior art. For example, a transfer arm first places the semiconductor wafer to be processed on the centering plate. The centering prism Z is then positioned, taking into account the target diameter of the semiconductor wafer, in such a way that the semiconductor wafer resting on the centering prism at two points lies centered on the centering plate, provided the actual diameter of the semiconductor wafer corresponds to its target diameter. In Fig. 1 this is shown for the disc W nv (a disc with a not yet rounded edge). If the semiconductor wafer is a wafer with an already rounded edge, then this has an actual diameter that is reduced compared to the nominal diameter. The location of such a disc on the centering plate after step a) is illustrated in Fig. 1 by the disc W v . In this case, the disc is not centered on the centering plate.

Vorzugsweise wird nach erfolgter Positionierung der Halbleiter­ scheibe auf dem Zentrierteller das Zentrierprisma um einen vor­ bestimmten Sicherheitsweg von der Halbleiterscheibe weggefah­ ren, um in Schritt b) eine freie Rotation der Halbleiterscheibe zu ermöglichen. Der Zustand nach dem Verfahren des Zentrier­ prismas ist in Fig. 2 dargestellt, sowohl für eine Scheibe Wnv mit noch nicht verrundeter Kante und Soll-Durchmesser als auch für eine Scheibe Wv mit bereits verrundeter Kante und einem un­ ter dem Soll-Durchmesser liegenden Ist-Durchmesser.After the semiconductor wafer has been positioned on the centering plate, the centering prism is preferably moved away from the semiconductor wafer by a predetermined safety path in order to enable free rotation of the semiconductor wafer in step b). The state according to the method of the centering prism is shown in Fig. 2, both for a disc W nv with a not yet rounded edge and target diameter and for a disc W v with an already rounded edge and one below the target diameter actual diameter.

In Schritt b) wird der Zentrierteller mit der Halbleiterscheibe erfindungsgemäß um einen festgelegten Winkel zwischen 90 und 270° und bevorzugt zwischen 120 und 240° gedreht. Der Zustand nach einer Drehung um 180° ist in Fig. 3 wiederum für beide vorgenannten Fälle dargestellt.In step b), the centering plate with the semiconductor wafer is rotated according to the invention by a fixed angle between 90 and 270 ° and preferably between 120 and 240 °. The state after a rotation through 180 ° is again shown in FIG. 3 for both of the aforementioned cases.

Trägt die Halbleiterscheibe ein Orientierungsmerkmal, so wird Schritt b) vorzugsweise in den ohnehin nach dem Stand der Tech­ nik notwendigen, oben beschriebenen Orientierungsschritt integ­ riert. Dabei rotiert der Zentrierteller mit der Halbleiter­ scheibe, wobei die genaue Lage des Orientierungsmerkmals (Flat, Notch) durch einen Sensor ermittelt wird. Aus dieser Lage er­ rechnet sich die lagerichtige Position der Halbleiterscheibe zur anschließenden Übergabe an die Schleifstation und somit der erforderliche Drehwinkel. Der erforderliche Drehwinkel zwischen der ursprünglichen Lage der Halbleiterscheibe auf dem Zentrier­ teller und der für die Übergabe an die Schleifstation erforder­ lichen Lage definiert in diesem Fall in Schritt b) den vorbestimmten Winkel. Der Drehwinkel beträgt auch bei dieser Varian­ te 90 bis 270° und bevorzugt 120 bis 240. Idealerweise unter­ scheidet sich die Endlage (für die Übergabe an die Schleifsta­ tion) von der Ausgangslage (nach Übergabe an den Zentriertel­ ler) um etwa 180°.If the semiconductor wafer has an orientation feature, then Step b) preferably in the anyway according to the state of the art nik necessary, above described orientation step integ riert. The centering plate rotates with the semiconductor disc, the exact location of the orientation feature (flat, Notch) is determined by a sensor. From this position he the correct position of the semiconductor wafer pays off for subsequent transfer to the grinding station and thus the required rotation angle. The required angle of rotation between the original position of the semiconductor wafer on the centering plate and the one required for transfer to the grinding station Lichen location defines the predetermined in this case in step b)  Angle. The angle of rotation is also in this variant te 90 to 270 ° and preferably 120 to 240. Ideally below the end position differs (for transfer to the grinding station tion) from the starting position (after delivery to the central district ler) by about 180 °.

In Schritt c) wird erfindungsgemäß mit einem Sensor bestimmt, ob ein vordefinierter Messpunkt P auf der Halbleiterscheibe liegt oder nicht, wie Fig. 3 zeigt. Dabei ist der Messpunkt für jeden Soll-Durchmesser so gewählt, dass er nach Schritt b) auf der Halbleiterscheibe liegt, falls der tatsächliche Durch­ messer der Halbleiterscheibe mindestens so groß ist wie ihr Soll-Durchmesser und dass er nach Schritt b) außerhalb der Halbleiterscheibe liegt, falls der tatsächliche Durchmesser der Halbleiterscheibe kleiner ist als ihr Soll-Durchmesser.In step c), according to the invention, a sensor is used to determine whether or not a predefined measuring point P lies on the semiconductor wafer, as shown in FIG. 3. The measuring point for each target diameter is selected such that it lies on the semiconductor wafer after step b) if the actual diameter of the semiconductor wafer is at least as large as its target diameter and that it lies outside the semiconductor wafer after step b) , if the actual diameter of the semiconductor wafer is smaller than its nominal diameter.

Der Messpunkt liegt auf der Symmetrieachse A, die durch das Zentrierprisma Z und den Mittelpunkt des Zentriertellers T de­ finiert wird. Erfindungsgemäß wird der Messpunkt auf dieser Symmetrieachse so gewählt, dass er bei einer Halbleiterscheibe mit Soll-Durchmesser möglichst nahe an deren Rand liegt. Diese Lage des Messpunkts ist in den Fig. 1 bis 3 mit P bezeich­ net. Wie Fig. 3 zeigt, liegt der Messpunkt aufgrund dieser Vorgaben im Fall der Halbleiterscheibe Wnv mit noch nicht ver­ rundeter Kante und Solldurchmesser auf der Scheibenfläche, im Fall der Halbleiterscheibe Wv mit bereits verrundeter Kante und kleinerem Durchmesser außerhalb der Scheibenfläche. Sollte das Orientierungsmerkmal (Flat, Notch) so orientiert sein, dass die Lage im rechten Winkel zur Achse des Sensors ist, so wird der Messpunkt für die Durchmessererkennung automatisch nach Spezi­ fikation (Rezeptparameter) berechnet und positioniert.The measuring point lies on the axis of symmetry A, which is defined by the centering prism Z and the center of the centering plate T de. According to the invention, the measuring point on this axis of symmetry is selected such that it is as close as possible to the edge of a semiconductor wafer with a desired diameter. This position of the measuring point is denoted by P in FIGS . 1 to 3. As shown in FIG. 3, the measurement point lies on the wafer surface in the case of the semiconductor wafer W nv with a not yet rounded edge and nominal diameter, in the case of the semiconductor wafer W v with an already rounded edge and a smaller diameter outside the wafer surface. If the orientation feature (flat, notch) is oriented so that the position is at right angles to the axis of the sensor, the measuring point for the diameter detection is automatically calculated and positioned according to the specification (recipe parameters).

Zeigt der Sensor nun eine Scheibe an, hat die Scheibe mindes­ tens den Soll-Durchmesser, d. h. die Kante der Scheibe ist noch nicht verrundet. Anderenfalls ist die Scheibenkante bereits verrundet, so dass eine nochmalige Verrundung unterbunden wer­ den muss. If the sensor now shows a disc, the disc has at least one least the target diameter, d. H. the edge of the disc is still not rounded. Otherwise the edge of the pane is already there rounded, so that another rounding is prevented that must.  

Der für die Prüfung eingesetzte Sensor ist ein beliebiger Sen­ sor nach dem Stand der Technik, z. B. Taster, Einweglicht­ schranke, Reflexionslichtschranke, Gabellichtschranke oder ka­ pazitiver Sensor. Bevorzugt wird ein berührungslos arbeitender Sensor eingesetzt, beispielsweise eine vorzugsweise senkrecht zur Scheibenfläche angebrachte Lichtschranke. Besonders bevor­ zugt ist die Verwendung eines ggf. am Kantenverrundungsautoma­ ten standardmäßig vorhandenen Orientierungsmesssystems, das nach dem Stand der Technik beispielsweise zur Ermittlung der Lage eines Orientierungsmerkmals ("Flat", "Notch") benutzt wird. In diesem Fall kann die Messung im Ablauf des Prozesses besonders kostengünstig integriert werden, da der vorhandene Zentrierantrieb in Verbindung mit dem ebenfalls vorhandenen O­ rientierungsmesssystem verwendet wird.The sensor used for the test is any sensor sor according to the prior art, for. B. button, one-way light barrier, reflection light barrier, fork light barrier or ka capacitive sensor. A contactless one is preferred Sensor used, for example a preferably vertical light barrier attached to the pane surface. Especially before is the use of a possibly on the edge rounding machine th standard orientation measuring system, the according to the prior art, for example, to determine the Location of an orientation feature ("Flat", "Notch") used becomes. In this case, the measurement can be made in the course of the process can be integrated particularly cost-effectively because the existing Centering drive in connection with the also existing O Orientation measuring system is used.

In Schritt d) wird schließlich, falls die zu bearbeitende Halb­ leiterscheibe laut Ergebnis von Schritt c) den Solldurchmesser aufweist, die Übergabe zur Kantenverrundung durchgeführt. Ande­ renfalls wird der Prozess unterbrochen und vorzugsweise eine Fehlermeldung ausgegeben.In step d) finally, if the half to be processed conductor disc according to the result of step c) the target diameter has the handover performed for edge rounding. Ande otherwise the process is interrupted and preferably one Error message issued.

Die Erfindung wurde anhand der Kantenverrundung von Halbleiter­ scheiben beschrieben, wobei die Anwendung auf Siliciumscheiben, insbesondere auf einkristalline Siliciumscheiben bevorzugt ist. Die Erfindung kann jedoch generell im Rahmen der materialabtra­ genden Bearbeitung der Kanten von Werkstücken, insbesondere von scheibenförmigen Werkstücken, zum Einsatz kommen.The invention was based on the edge rounding of semiconductors described slices, the application on silicon wafers, is particularly preferred on single-crystalline silicon wafers. The invention can, however, generally within the framework of material processing of the edges of workpieces, in particular disc-shaped workpieces are used.

Claims (5)

1. Verfahren zur Vorbereitung einer materialabtragenden Bearbei­ tung der Kante einer Halbleiterscheibe, umfassend folgende Schritte:
  • a) Positionieren einer zu bearbeitenden Halbleiterscheibe auf einem Zentrierteller mit Hilfe eines Zentrierprismas derart, dass eine Halbleiterscheibe mit Soll-Durchmesser zentriert auf dem Zentrierteller aufliegt,
  • b) Drehen des Zentriertellers mit der Halbleiterscheibe um ei­ nen vorbestimmten Winkel im Bereich zwischen 90 und 270°,
  • c) Bestimmung mit einem Sensor, ob ein vordefinierter Mess­ punkt auf der Halbleiterscheibe liegt oder nicht, wobei der Messpunkt so gewählt ist, dass er auf der durch das Zentrier­ prisma und den Mittelpunkt des Zentriertellers definierten Symmetrieachse zwischen dem Mittelpunkt des Zentriertellers und dem Zentrierprisma liegt, und dass er bei einer Halblei­ terscheibe mit Soll-Durchmesser auf der Halbleiterscheibe nahe an deren Rand liegt,
  • d) Übergabe zur materialabtragenden Bearbeitung der Kante der Halbleiterscheibe, jedoch nur falls in Schritt c) festgestellt wurde, dass der Messpunkt auf der Halbleiterscheibe liegt.
1. A method for preparing a material-removing machining of the edge of a semiconductor wafer, comprising the following steps:
  • a) positioning a semiconductor wafer to be machined on a centering plate with the aid of a centering prism such that a semiconductor wafer with the desired diameter lies centered on the centering plate,
  • b) rotating the centering plate with the semiconductor wafer by a predetermined angle in the range between 90 and 270 °,
  • c) Determination with a sensor whether or not a predefined measuring point lies on the semiconductor wafer, the measuring point being selected such that it lies on the axis of symmetry defined by the centering prism and the center of the centering plate between the center of the centering plate and the centering prism , and that it is close to the edge of a semiconductor wafer with a desired diameter on the semiconductor wafer,
  • d) Transfer for material-removing processing of the edge of the semiconductor wafer, but only if it was determined in step c) that the measuring point lies on the semiconductor wafer.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor ein berührungslos messender Sensor ist.2. The method according to claim 1, characterized in that the Sensor is a non-contact measuring sensor. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Sensor eine Lichtschranke ist.3. The method according to claim 2, characterized in that the Sensor is a light barrier. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn­ zeichnet, dass eine Fehlermeldung ausgegeben wird, falls in Schritt c) festgestellt wurde, dass der Messpunkt außerhalb der Halbleiterscheibe liegt.4. The method according to any one of claims 1 to 3, characterized records that an error message is output if in Step c) found that the measurement point was outside the semiconductor wafer. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Drehwinkel für Schritt b) zuvor bestimmt wird, indem die Lage eines an der Halbleiterscheibe vorhande­ nen Orientierungsmerkmals bestimmt und anschließend mit der für die in Schritt d) erfolgende Übergabe erforderlichen Lage verglichen wird.5. The method according to any one of claims 1 to 4, characterized records that the angle of rotation for step b) previously determined is by the location of a present on the semiconductor wafer Orientation feature determined and then with the for the location required in step d) is compared.
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