DE10154017A1 - Method for accessing electronic components in cast housing which have contact surface enclosed in housing comprises exposing surface using laser beam which is switched off when end point signal is produced - Google Patents

Method for accessing electronic components in cast housing which have contact surface enclosed in housing comprises exposing surface using laser beam which is switched off when end point signal is produced

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DE10154017A1
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Abstract

Method for accessing electronic components (CH) which are embedded in a cast housing (G) and have a contact surface (K) enclosed in the housing comprises exposing the surface using a laser beam which is switched off when an end point signal is produced.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Schutz einer kunststoffgehäusten elektronischen Baugruppe bei der Öffnung des als Teil- oder Vollverguss ausgebildeten Gehäuses. The present invention relates to a method of protecting a plastic casing electronic assembly at the opening of trained as partial or full encapsulation Housing.

Die Anmelderin offenbart in einer hierzu parallelen Anmeldung vom 31.10.2001 ein Verfahren zum Öffnen einer kunststoffgehäusten elektronischen Baugruppe mittels eines Laserstrahls. Zweck dieses Verfahrens ist es, insbesondere bei Reklamationen von Kunden die Ursache einer elektrischen Fehlfunktion zu finden. Dabei besteht die Schwierigkeit, daß bei der Öffnung des Gehäuses die elektrischen Parameter bei längerer Einwirkung des Laserstrahls auf die Oberfläche der elektronischen Baugruppe sich die elektrischen Parameter eventuell verändern. The Applicant discloses in a parallel application of 31.10.2001 a method for opening a plastic-housed electronic assembly by means of a laser beam. The purpose of this procedure is the cause, in particular in the case of customer complaints to find an electrical malfunction. There is the difficulty that in the Opening the housing on the electrical parameters during prolonged exposure to the laser beam the surface of the electronic assembly may be the electrical parameters change.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, das Kunststoffgehäuse einer vergossenen elektronischen Baugruppe ohne eine Zerstörung der elektronischen Baugruppe zu öffnen. Object of the present invention is the plastic housing of a molded electronic assembly without destroying the electronic assembly to open.

Die genannte Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruches 1 gelöst. Günstige Ausgestaltungsformen sind Gegenstand von Unteransprüchen. The above object is solved by the features of claim 1. Cheap Embodiments are the subject of dependent claims.

Mit dieser Erfindung läßt sich das Gehäuse einer elektronischen Baugruppe selektiv zu der elektronischen Baugruppe mittels eines Laserstrahls öffnen, ohne dabei die mit einer Schutzschicht versehene kunststoffgehäuste elektronische Baugruppe zu beschädigen und dadurch elektrische Parameter ungewollt zu verändern. With this invention, the housing of an electronic assembly can be selectively to the open electronic assembly by means of a laser beam, without doing with a Protective layer provided plastic-housed electronic assembly to damage and thereby changing electrical parameters unintentionally.

Ein Vorteil des Verfahrens ist es, daß sich durch die Schutzschicht Kunststoffgehäuse mit unterschiedlichen chemischen Zusammensetzungen, insbesondere auch solche Verbindungen, bei denen andere Bindemittel oder alternative Füllstoffe verwendet werden, die nasschemisch nicht ätzbar sind, durch einen Laserstrahl öffnen lassen und die elektronische Baugruppe vor einer Beschädigung zuverlässig geschützt wird. Hierbei wird durch die Energie des Laserstrahls der Kunststoff des Gehäuses verdampft, wobei die Vergussmasse eine hohe Abtragsrate und die Schutzschicht eine geringe Abtragsrate aufweist, sodaß sich nach einer vorgegebenen Zeit, die mittels einer Referenzbildung ermittelt wird, die Öffnung des Gehäuses beendet läßt. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß sich die Selektivität in der Abtragsrate zwischen der Schutzschicht und der Vergussmasse aus den Unterschieden in den optischen Eigenschaften im Bereich der Laserwellenlänge, den Unterschieden in den Schmelzpunkten und den Unterschieden in den Verdampfungstemperaturen bestimmt. Ferner läßt sich als Schutzschicht sowohl eine Einstoffschicht als auch eine Mehrstoffschicht verwenden, die aus organischen oder anorganischen Verbindungen bestehen. Beispielsweise läßt sich als organische Schutzschicht Polyimide oder Siloxane und als anorganische Schutzschicht Nitrid- und oder Oxidschichten, sowie dünne strukturierte Metallschichten verwenden. Um die Herstellungskosten der Schutzschicht zu reduzieren, ist es vorteilhaft, die Aufbringung der Schutzschicht in den Herstellungsprozesses der elektronischen Baugruppe, wie beispielsweise bei der Herstellung einer integrierten Schaltung, zu integrieren. Hierzu wird am Ende des Herstellungsprozesses bei der integrierten Schaltung die Schutzschicht aufgebracht, wobei Untersuchungen der Anmelderin gezeigt haben, daß sich die elektronische Baugruppe mit Schichtdicken im Bereich wenigen µm zuverlässig schützen läßt. Insbesondere läßt sich das Verfahren vorteilhaft zur Fehlersuche bei vergossenen elektronischen Schaltungen anwenden. Hierzu wird die Vergussmasse bis zur Schutzschicht entfernt und anschließend beispielsweise an einem Spitzenmeßplatz die Leiterbahnen ohne Entfernung der Schutzschicht kontaktiert, um die elektrische Funktion einzelner Schaltungsblöcke zu überprüfen. Eine Fehlersuche wird damit erheblich beschleunigt. Ferner lassen sich gleichartige Gehäuse automatisiert öffnen, indem die Verfahrensparameter beim Öffnen eines vorangegangenen Gehäuses als Referenz abgespeichert werden. An advantage of the method is that through the protective layer plastic housing with different chemical compositions, especially those Compounds in which other binders or alternative fillers are used, the wet-chemically are not etchable, can be opened by a laser beam and the electronic Assembly is reliably protected from damage. This is by the Energy of the laser beam evaporates the plastic of the housing, the potting compound a high removal rate and the protective layer has a low removal rate, so that after a predetermined time, which is determined by means of a reference formation, the opening of the Housing finished. Investigations by the applicant have shown that the Selectivity in the removal rate between the protective layer and the potting compound from the Differences in the optical properties in the range of the laser wavelength, the Differences in melting points and differences in evaporation temperatures certainly. Furthermore, can be used as a protective layer both a single-material layer and a Use multi-material layer consisting of organic or inorganic compounds. For example, can be used as an organic protective layer polyimides or siloxanes and as inorganic protective layer nitride and / or oxide layers, as well as thin structured Use metal layers. To reduce the manufacturing cost of the protective layer, it is Advantageously, the application of the protective layer in the manufacturing process of electronic assembly, such as in the manufacture of an integrated circuit integrate. For this purpose, at the end of the manufacturing process in the integrated circuit the Protective layer applied, with investigations of the Applicant have shown that reliably protect the electronic assembly with layer thicknesses in the range of a few μm leaves. In particular, the method can be advantageous for troubleshooting in potted apply electronic circuits. For this purpose, the potting compound is up to the protective layer removed and then, for example, at a Spitzenmeßplatz the tracks without Removal of the protective layer contacted to the electrical function of individual Check circuit blocks. Troubleshooting is thus significantly accelerated. Further let Automatically open similar housing by the process parameters when opening a previous case are stored as a reference.

In einer Weiterbildung wird mittels der Schutzschicht ein Endpunktsignal erzeugt, welches die Entfernung der Vergussmasse beendet. Um Residuen der Vergussmasse auf der Schutzschicht zu vermeiden ist es vorteilhaft, nach der Detektion des Endpunktes den Laserstrahl erst nach einer Nachlaufzeit, in der die Leistung des Laserstrahls vorzugsweise verringert wird, abzuschalten. Ferner läßt sich das Endpunktsignal sowohl aus einer Änderung der chemischen Zusammensetzung als auch einer Dichteänderung des verdampfenden Materials erzeugen, wobei sich die Änderung der chemischen Zusammensetzung mittels einer spektroskopischen Analyse des verdampfenden Materials detektieren läßt. Des Weiteren lässt sich das Endpunktsignal durch eine optische Kontrolle mittels eines Photodetektors erzeugen, wobei sich insbesondere bei einer opaken Schutzschicht eine Änderung der Kontrastverhältnisse, die beispielsweise von metallisierten Bereichen erzeugt wird, auswerten läßt. In a development, an end point signal is generated by means of the protective layer, which the Removal of potting compound finished. To Residuen the potting compound on the To avoid protective layer, it is advantageous after the detection of the end point of the laser beam only after a lag time, in which the power of the laser beam is preferably reduced will turn off. Furthermore, the end point signal can be derived both from a change in the chemical composition as well as a density change of the vaporizing Produce materials, wherein the change in the chemical composition by means of a spectroscopic analysis of the evaporating material can be detected. Furthermore the end point signal can be controlled by optical control using a photodetector generate, in particular with an opaque protective layer, a change in the Contrast ratios, which is generated for example by metallized areas, evaluate leaves.

In einer anderen Weiterbildung des Verfahrens wird zur Erzeugung des Endpunktsignals die Absorptionskonstante der Schutzschicht kleiner als die Absorptionskonstante der Vergussmasse eingestellt, indem unterschiedliche Bindemittel und Zuschlagsstoffe verwendet werden. Hierbei wird die Erzeugung des Endpunktsignals mittels des optischen Detektors wesentlich vereinfacht. Ferner weist die Vergussmasse im Vergleich zu der Schutzschicht eine höhere Abtragsrate auf, da die Energieaufnahme der Schicht proportional zu deren Absorptionskonstante ist. In einer anderen Weiterbildung des Verfahrens wird zur Gewinnung eines Endpunktsignals eine erhöhte Reflektion an der Schutzschicht erzeugt, indem der Brechungsindex der Schutzschicht im Vergleich zu der Vergußmasse erhöht wird. Die Größe der Reflektion wird durch den optischen Detektor gemessen und oberhalb eines vorgegebenen Wertes ein Endpunkt angezeigt. In another embodiment of the method for generating the end point signal is the Absorption constant of the protective layer smaller than the absorption constant of Potting compound adjusted by using different binders and aggregates become. Here, the generation of the end point signal by means of the optical detector considerably simplified. Furthermore, the potting compound has a compared to the protective layer higher removal rate, since the energy absorption of the layer proportional to their Absorption constant is. In another development of the method is to obtain a Endpoint signal generates an increased reflection on the protective layer by the Refractive index of the protective layer is increased compared to the potting compound. The size of the Reflection is measured by the optical detector and above a given Value an endpoint is displayed.

In einer Weiterbildung des Verfahrens wird die Schutzschicht mittels eines Maskenschrittes strukturiert. Insbesondere bei einer Integration der Schutzschicht, die beispielsweise aus Polyimid bestehen, in den Fertigungsprozess einer integrierten Schaltung ist es vorteilhaft, die Strukturierung mit einer Kontaktfenstermaske und mittels eines kostengünstigen nasschemischen Prozesses durchzuführen. Durch die Entfernung der Schutzschicht in den Bereichen der Kontaktfenster läßt sich die Schutzschicht vor dem Verbinden der Anschlußdrähte (Bonden) aufbringen. Ferner sind beim Öffnen des Vergusses mittels des Lasers auf den Kontaktflächen keine Schutzschicht. Hierdurch lassen sich die Kontaktflächen bei elektrischen Messungen einfacher kontaktieren. In a development of the method, the protective layer is formed by means of a mask step structured. In particular, in an integration of the protective layer, for example Polyimide, in the manufacturing process of an integrated circuit, it is advantageous to the Structuring with a contact window mask and by means of a cost-effective wet-chemical process. By removing the protective layer in the areas the contact window allows the protective layer before connecting the connecting wires (Bonding). Furthermore, when opening the potting by means of the laser on the Contact surfaces no protective layer. This allows the contact surfaces in electrical Contact measurements easier.

In einer anderen Weiterbildung des Verfahrens wird die Schutzschicht nasschemisch entfernt. Insbesondere bei ganzflächigen Schutzschichten, die die Anschlußflächen der elektronischen Baugruppe bedecken und nach dem Bonden aufgebracht werden, vereinfachen sich durch die Entfernung der Schutzschicht die weiteren Analyseschritte. Ferner lassen sich durch den nasschemischen Reinigungsschritt auch Reste der Vergussmasse entfernen. Hierbei verringern sich die Kontaktwiderstände bei einer elektrischen Kontaktierung und die Oberfläche wird von vorhandenen leitfähigen Kohlenstoffverbindungen, die sich bevorzugt bei hohen Leistungen des Laserstrahls ergeben, gereinigt. In another development of the method, the protective layer becomes wet-chemical away. In particular, in the case of full-surface protective layers, the pads of the Cover electronic assembly and applied after bonding, simplify by removing the protective layer, the further analysis steps. Furthermore, can be Remove residues of potting compound by the wet-chemical cleaning step. This reduces the contact resistance in an electrical contact and the Surface is made of existing conductive carbon compounds, which are preferred at high powers of the laser beam, cleaned.

Das erfindungsgemäße Verfahren soll nachfolgend anhand von Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit schematisierten Zeichnungen erläutert werden. Es zeigen, die The inventive method will be described below with reference to embodiments in the Be explained in connection with schematic drawings. Show it

Fig. 1 eine elektronischen Baugruppe die bei der Öffnung des Gehäuses mittels einer Schutzschicht geschützt wird, und Fig. 1 shows an electronic assembly which is protected at the opening of the housing by means of a protective layer, and

Fig. 2 eine freigelaserte integrierte Schaltung. Fig. 2 is a freigelaserte integrated circuit.

In der Fig. 1 ist dargestellte Vorrichtung weist eine optische Einheit OBJ mit einem Laser LS1, der eine im infraroten Spektralbereich liegende Wellenlänge aufweist, auf. Der Laserstrahl des Lasers LS1 wird mittels einer umlaufenden Blende (nicht abgebildet) in kurze Laserimpulse zerhackt. Hierbei bestimmt die Geschwindigkeit der umlaufenden Blende die Dauer der Laserimpulse des Lasers LS1. Des Weiteren weist die optische Einheit OBJ für eine Detektion einer Kontraständerung einen optischen Detektor PD auf. Ferner ist die optische Einheit OBJ zur Steuerung mit einem Personalcomputer PC verbunden. Von der optischen Einheit OBJ wird der Laserstrahl des Lasers LS1 auf die Oberfläche eines in einem als Vollverguss ausgebildeten Kunststoffgehäuses G abgebildet, wobei sich mittels einer Spiegel- und Linsenanordnung die Brennweite und die Auslenkung des Laserstrahls des Lasers LS1 auf der Oberfläche des Kunststoffgehäuses G verschieben lässt. Ferner ist in dem Kunststoffgehäuse G eine elektronische Baugruppe CH, die mittels Anschlussdrähten B auf einen Metallstreifen LE und mit Anschlußpins PA kontaktiert ist, eingegossen. Ferner weist die elektronische Baugruppe CH an der Oberfläche eine strukturierte Schutzschicht SC aus Kunststoff auf, wobei die Dicke der Schutzschicht SC im Bereich von wenigen µm liegt. Hierbei wurde die Schutzschicht SC mittels einer Kontaktfenstermaske strukturiert, d. h. die Kontaktflächen der elektronischen Baugruppe CH enthalten keine Schutzschicht SC. Des Weiteren wird das Gehäuse G beim Öffnen mittels eines Unterdrucks an einer Auflageplatte (nicht abgebildet) fixiert. In the Fig. 1 illustrated apparatus is comprises an optical unit OBJ with a laser LS1 that has a temperature in the infrared spectral wavelength on. The laser beam of laser LS1 is chopped into short laser pulses by means of a circumferential aperture (not shown). In this case, the speed of the rotating diaphragm determines the duration of the laser pulses of the laser LS1. Furthermore, the optical unit OBJ for detecting a contrast change comprises an optical detector PD. Further, the optical unit OBJ is connected to a personal computer PC for control. The laser beam of the laser LS1 is imaged by the optical unit OBJ on the surface of a plastic housing G formed as a full potting, whereby the focal length and the deflection of the laser beam of the laser LS1 can be displaced on the surface of the plastic housing G by means of a mirror and lens arrangement , Further, in the plastic housing G, an electronic assembly CH, which is contacted by means of connecting wires B on a metal strip LE and with terminal pins PA, poured. Furthermore, the electronic assembly CH has on the surface of a structured protective layer SC made of plastic, wherein the thickness of the protective layer SC is in the range of a few microns. Here, the protective layer SC was structured by means of a contact window mask, ie the contact surfaces of the electronic assembly CH do not contain a protective layer SC. Furthermore, the housing G is fixed when opening by means of a negative pressure on a support plate (not shown).

Zur Öffnung des Kunststoffgehäuses G der elektronischen Baugruppe CH wird durch die optische Einheit OBJ, die von dem Personalcomputer PC gesteuert wird, ein zu öffnender Bereich BE auf der Oberfläche des Kunststoffgehäuses G definiert und die Koordinaten des Bereichs BE in dem Personalcomputer PC gespeichert. Nachfolgend wird innerhalb des Bereichs BE die Oberfläche des Gehäuses G mit dem Laser LS1, dessen Strahl pulsförmig ist, entlang einer zick-zack förmigen Linie überstrichen. Hierbei bestimmt die Pulsdauer und die Brennweite des Laserstrahls des Lasers LS1, die auf der Gehäuseoberfläche G auftreffende Energiemenge. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß sich bei einem pulsförmigen Laserstrahl durch eine Veränderung der Pulsdauer die Leistung des Laserstrahls an die chemische Zusammensetzung des Vergusses besonders einfach anpassen läßt, sodaß eine Ablagerung von leitfähigen Kohlenstoffverbindungen auf der Oberfläche des Gehäuses unterdrückt wird. Ferner wird von der Pulsdauer die Versatzgeschwindigkeit der Laserpulse entlang der zick-zack förmigen Linie bestimmt. Durch die Aneinanderreihung der Laserpulse entlang der zick-zack förmigen Linie wird der Kunststoff in dem Bereich BE schichtweise verdampft, wobei bei größerer Dicke der abzutragenden Kunststoffschicht der Bereich BE mehrfach entlang von zick-zack förmigen Linien durchfahren wird. Andere Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß durch die Führung des Laserstrahls in einer zick-zack förmigen Linie ein besonders gleichmäßiger Abtrag erreicht wird und dadurch bereits eine dünne Schutzschicht die elektronische Baugruppe zuverlässig schützt. To open the plastic housing G of the electronic assembly CH is through the optical unit OBJ controlled by the personal computer PC to be opened Area BE defined on the surface of the plastic housing G and the coordinates of Area BE stored in the personal computer PC. Subsequently, within the Area BE the surface of the housing G with the laser LS1, whose beam is pulsed, overlined along a zig-zag line. Here determines the pulse duration and the Focal length of the laser beam of the laser LS1 incident on the housing surface G. Amount of energy. Investigations by the applicant have shown that in a pulse-shaped laser beam by changing the pulse duration of the power of the laser beam makes the chemical composition of the potting particularly easy to adjust, so that a deposit of conductive carbon compounds on the surface of the housing is suppressed. Furthermore, the pulse rate is the offset speed of the laser pulses determined along the zig-zag shaped line. By the juxtaposition of the laser pulses along the zig-zag line, the plastic in the area BE is layered evaporated, wherein at greater thickness of the plastic layer to be removed, the area BE is traversed several times along zig-zag lines. Other investigations The applicant has shown that by guiding the laser beam in a zig-zag shaped line a particularly uniform removal is achieved and thereby already a thin protective layer protects the electronic module reliably.

Hierbei ist es vorteilhaft, wenn der verdampfte Kunststoff während des Öffnens des Gehäuses abgesaugt wird und sich nicht auf der Oberfläche des Gehäuses G niederschlägt. Ferner wird das Öffnen mittels des optischen Detektors PD insbesondere auf eine Änderung der Kontrastverhältnisse kontrolliert. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß sich durch entsprechende Wahl der Parameter des Laserstrahls des Lasers LS1 der Kunststoff des Gehäuses G schnell bis auf die Schutzschicht SC, d. h. mit einer hohen Abtragsrate, entfernen läßt. Durch die anderen optischen Eigenschaften weist die Schutzschicht SC eine im Vergleich zu dem Vergussmaterial eine geringe Abtragsrate auf und erzeugt durch die geänderten Kontrastverhältnisse aufgrund der metallischen Kontaktflächen der elektronischen Baugruppe CH im optischen Detektor PD ein Endpunktsignal. Das Öffnen wird beendet, sobald der Wert der Kontraständerung in dem geöffneten Bereich einen vorgegebenen Schwellwert übersteigt. Sofern der geöffnete Bereich BE Reste des Vergussmaterials aufweist, lassen sich diese in einem sogenannten Reinigungsschritt entfernen. Hierzu überstreicht der Laserstrahl während einer vorgegebenen Nachlaufzeit den zu öffnenden Bereich BE mit einer im Vergleich zu dem vorangegangenen Öffnungsschritt stark reduzierten Leistung. Sofern die Schutzschicht SC in dem geöffneten Bereich BE nachfolgende Analysen behindert, wird die Schutzschicht SC in einem nasschemischen Reinigungsschritt entfernt. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß sich mit dem nasschemischen Reinigungsschritt insbesondere hochohmige Nebenschlüsse auf der Oberfläche entfernen lassen und sich eine Extraktion von elektrischen Parametern beschleunigt. It is advantageous if the evaporated plastic during the opening of the Housing is sucked and does not precipitate on the surface of the housing G. Further is the opening by means of the optical detector PD in particular to a change of Contrast conditions controlled. Investigations by the applicant have shown that by appropriate choice of the parameters of the laser beam of the laser LS1 the plastic of the housing G quickly up to the protective layer SC, d. H. with a high removal rate, remove. Due to the other optical properties, the protective layer SC has a in comparison to the potting material on a low Abtragsrate and generated by the changed contrast conditions due to the metallic contact surfaces of electronic assembly CH in the optical detector PD an end point signal. The opening will stops as soon as the value of the contrast change in the opened area becomes a predetermined one Threshold exceeds. If the opened area BE remains of the potting material has, they can be removed in a so-called cleaning step. For this The laser beam sweeps over the area to be opened during a specified follow-up time BE with a greatly reduced compared to the previous opening step Power. If the protective layer SC in the opened area BE subsequent analyzes impeded, the protective layer SC is removed in a wet chemical cleaning step. Investigations by the applicant have shown that the wet-chemical Cleaning step in particular to remove high-impedance shunts on the surface and accelerate an extraction of electrical parameters.

Ein Vorteil des Verfahrens ist es, daß sich mittels eines Laserstrahls der Kunststoff des Gehäuses selektiv zu der Schutzschicht SC verdampfen lässt und die elektronische Baugruppe CH zuverlässig vor der Einwirkung der Laserpulse geschützt und insbesondere die elektrischen Parameter der elektronischen Baugruppe nicht verändert werden. Durch die Schutzschicht SC in Verbindung mit dem Laserstrahl lassen sich die Gehäuse schnell öffnen, wobei sich durch die Endpunkterkennung das Öffnen automatisiert durchführen läßt. Durch die nasschemische Reinigung wird die Oberfläche konditioniert, d. h. von Resten der verdampften Vergussmasse gereinigt. Nachfolgende Analysen lassen sich schnell und kostengünstig durchführen. Untersuchungen der Anmelderin haben gezeigt, daß bei dem Öffnen unterschiedlicher Arten von Gehäusen die Leistung des Laserstrahls nur wenig von der chemischen Zusammensetzung bzw. dem Anteil an eingelagerten Fremdstoffen abhängt. Ferner ist es wegen den Absorptionsspektren, der auf dem Gebiet der Gehäuse verwendeten Kunststoffe, vorteilhaft, eine Laser Wellenlänge im infraroten Spektralgebiet zum Öffnen des Vergusses einzusetzen, wobei durch eine geeignete Wahl von Leistung und Zeitdauer der Laserimpulse der Kunststoff des Gehäuses verdampft wird und eine Ausbreitung einer Wärmewelle in dem verbleibenden Kunststoff durch die dabei stattfindende Energieabsorption unterdrückt wird. Ferner lassen sich in einem Arbeitsgang der Verguß der gesamten elektronischen Baugruppe bis auf die Schutzschicht entfernen oder mehrere zu öffnende Bereiche festlegen, die beispielsweise in Summe nur einen Teil der Oberfläche des Gehäuses umfassen. Hierbei lassen sich die einzelnen Bereiche in unterschiedlicher Reihenfolge öffnen und zwischen den einzelnen Öffnungsschritten eine oder mehrere nasschemische Reinigungen und oder elektrische Messungen durchführen. An advantage of the method is that by means of a laser beam of the plastic Casing selectively to the protective layer SC evaporates and the electronic assembly CH reliably protected against the action of the laser pulses and in particular the electrical parameters of the electronic module are not changed. By the Protective layer SC in conjunction with the laser beam, the housing can be opened quickly, with can be carried out automatically by the end point detection opening. By the wet-chemical cleaning, the surface is conditioned, d. H. from leftovers of cleaned evaporated potting compound. Subsequent analyzes can be done quickly and inexpensively carry out. Investigations by the Applicant have shown that when opened different types of housings the power of the laser beam only a little from the chemical composition or the proportion of stored foreign substances. Further it is because of the absorption spectra used in the field of housings Plastics, advantageously, a laser wavelength in the infrared spectral region for opening the Casting used, whereby by a suitable choice of performance and duration of the Laser pulses the plastic of the housing is vaporized and a spread of a Heat wave in the remaining plastic through the thereby occurring energy absorption is suppressed. Furthermore, in one operation, the casting of the entire electronic assembly to remove the protective layer or multiple areas to open For example, in sum, only a portion of the surface of the housing include. Here, the individual areas can be opened in different order and between the individual opening steps one or more wet-chemical cleaning and or perform electrical measurements.

In Fig. 2 ist eine elektronenmikroskopische Aufnahme eines Metallstreifens LE1 und einer darauf fixierten integrierten Schaltung CH1 abgebildet. Der Kunststoff des Gehäuses wurde hierbei mit einem mehrfachen schichtweisen Abtrag mittels des Lasers selektiv der Schutzschicht SC entfernt. Ferner wurde in einem nachfolgenden Reinigungsschritt die Schutzschicht SC entfernt. An der freigelegten elektronischen Schaltung CH1 lassen sich durch Kontaktierung einzelner Leiterbahnen und Kontaktflächen, die nicht mittels Anschlussdrähten verbunden sind, die elektrischen Funktionen einzelner Schaltungsblöcke überprüfen die im vergossenen Zustand nicht zugänglich sind. Ferner lassen sich weitere Analysen wie beispielsweise eine optische Kontrolle durchführen. FIG. 2 shows an electron micrograph of a metal strip LE1 and an integrated circuit CH1 fixed thereto. The plastic of the housing was hereby removed with a multiple layered removal by means of the laser selectively the protective layer SC. Further, in a subsequent cleaning step, the protective layer SC was removed. At the exposed electronic circuit CH1 can be by contacting individual traces and contact surfaces, which are not connected by connecting wires, check the electrical functions of individual circuit blocks that are not accessible in the molded state. Furthermore, further analyzes such as optical control can be performed.

Claims (6)

1. Verfahren zum Schutz einer kunststoffgehäusten elektronischen Baugruppe (CH) bei der die Öffnung des als Teil- oder Vollverguss ausgebildeten Gehäuses (G) mittels eines Laserstrahls durchgeführt und die elektronische Baugruppe (CH) auf einen Träger aufgebaut wird, auf die elektronische Baugruppe (CH) eine laserresistente Schutzschicht (SC) aufgebracht und die elektronische Baugruppe (CH) zur Herstellung des Teil- oder Vollvergusses gemoldet wird. 1. A method for protecting a plastic-housed electronic assembly (CH) in the the opening of the formed as a partial or full encapsulation housing (G) by means of a Laser beam performed and the electronic assembly (CH) on a support is built on the electronic assembly (CH) a laser-resistant protective layer (SC) applied and the electronic assembly (CH) for the production of the partial or Vollvergusses is gemoldet. 2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem mittels der Schutzschicht (SC) ein Endpunktsignal erzeugt wird. 2. The method of claim 1, wherein by means of the protective layer (SC) an end point signal is produced. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, bei dem die Absorptionskonstante der Schutzschicht (SC) kleiner als die Absorptionskonstante des Vergusses ist. 3. The method of claim 1 or claim 2, wherein the absorption constant of the Protective layer (SC) is smaller than the absorption constant of the potting. 4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, bei dem an der Schutzschicht (SC) wenigstens ein Teil des Laserstrahls reflektiert wird. 4. The method according to any one of claims 1 to 3, wherein at the protective layer (SC) at least a part of the laser beam is reflected. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bei dem die Schutzschicht (SC) vor dem Aufbringen der Vergussmasse strukturiert wird. 5. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the protective layer (SC) before the Applying the potting compound is structured. 6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, bei dem die Schutzschicht (SC) nasschemisch entfernt wird. 6. The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the protective layer (SC) is removed wet-chemically.
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