DE10145201C1 - Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron-Zerstäuben - Google Patents
Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche durch Pulsmagnetron-ZerstäubenInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Beschichten von Substraten (3) mit gekrümmter Oberfläche mittels Pulsmagnetron-Zerstäubern, enthaltend in einer evakuierbaren Beschichtungskammer mindestens ein Paar Magnetronquellen (1; 2) und Substrathalterungen, durch die Substrate (3) während der Beschichtung relativ zu den Magnetronquellen linear bewegt werden können, wobei die Magnetronquellen (1; 2) rohrförmige rotierende Targets besitzen, deren Verhältnis von Länge zu Durchmesser der Targets mindestens 2 : 1 beträgt, die Magnetronquellen (1; 2) längs zur Transportrichtung der Substrate (3) angeordnet sind, die Pollinien der magnetischen Mittelpole der Magnetronquellen auf den zugehörigen Targetoberflächen einen Abstand (4) zueinander haben, der mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht, der kürzeste Abstand (5; 6) jedes Targets zur Oberfläche der Substrate (3) ebenfalls mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht und die Normalen auf den Targets im Bereich der mittleren Pollinien zumindest teilweise jeweils etwa auf den nächstgelegenen Substratrand ausgerichtet sind.
Description
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Beschichten von Substraten mit gekrümmter
Oberfläche mittels Pulsmagnetron-Zerstäuben, in welcher die Substrate während der
Beschichtung relativ zu den Magnetronquellen linear bewegt werden können. Solche
Einrichtungen finden Anwendung beim Aufbringen dünner Schichten auf Werkstücke und
Formteile, beispielsweise bei dem Beschichten optischer Linsen, Reflektoren oder geformter
Automobilscheiben mit transparenten optischen Funktionsschichten.
Das Pulsmagnetron-Zerstäuben als Beschichtungsverfahren, kommt häufig zum Einsatz,
wenn bestimmte Schichteigenschaften durch andere Beschichtungsverfahren nicht oder nur
wesentlich unwirtschaftlicher erzielt werden können.
Es ist allgemein bekannt, Substrate mit gekrümmter Oberfläche mittels Magnetron-
Zerstäuben zu beschichten, wobei die meist kleinformatigen Substrate auf einem Drehkorb
oder einer Halterung mit planetenartiger Bewegung relativ zu den Magnetronquellen
bewegt werden. Im Allgemeinen wird nur eine geringe Gleichmäßigkeit der Schichtdicke
erreicht.
Aus DE 295 05 497 U1 ist eine Einrichtung zur Verbesserung der Gleichmäßigkeit bei der
Beschichtung gekrümmter Oberflächen mit einer flächigen Magnetronquelle in planeten
artig bewegten Halterungen bekannt. Nachteilig ist, dass sich diese Einrichtung nicht in
Beschichtungsanlagen mit linearem Substratfluss verwenden lässt.
Es ist weiterhin bekannt, ebene Substrate ohne Substratbewegung mittels zweier
Magnetronquellen mit ebenen Targets, die gegeneinander geneigt sind, zu beschichten
(DE 40 10 495 C2, US 4,692,230). Solche Einrichtungen eignen sich z. B. zum gleichzeitigen
Beschichten dieser ebenen Substrate mit zwei unterschiedlichen Materialien, dem
sogenannten Ko-Zerstäuben. Die Gleichmäßigkeit der Beschichtung ist jedoch auch in
derartigen Einrichtungen oft unzureichend.
Für die Beschichtung stationärer Substrate mit gekrümmter Oberfläche wird gemäß
DE 198 13 075 A1/EP 0 945 524 A1 eine Magnetron-Beschichtungseinrichtung mit einem
mehrteiligen Target vorgeschlagen, bei der der Abstand der Teiltargets relativ zum Substrat
je nach der Krümmung des Substrates eingestellt werden kann. Auch diese Lösung ist nicht
auf einen linearen Fluss von Substraten relativ zu den Magnetronquellen anwendbar. Sie ist
darüber hinaus auf Substrate mit rotationssymmetrischer, z. B. sphärisch gekrümmter
Oberfläche beschränkt.
Häufig werden linear bewegte Substrate mit schwach gekrümmten Oberflächen mittels
Magnetronquellen beschichtet, wobei die Quellen parallel zur Bewegungsebene der
Substrate positioniert sind und durch Ausblenden eines Teils des Stromes abgestäubter
Teilchen eine Verbesserung der Schichtgleichmäßigkeit angestrebt wird. Solche Dampf
blenden verschlechtern die Effizienz des Beschichtungsprozesses und die Stabilität des
Prozesses infolge von Störwirkungen von Schichten, die zwangsläufig auf den Blenden
aufwachsen. Insbesondere besteht die Gefahr des Abplatzens solcher Schichten von den
Blenden bereits nach kurzer Betriebszeit. Dieser Nachteil ist besonders gravierend, wenn
transparente, nichtleitende Verbindungen - wie sie z. B. als hoch- und niederbrechende
optische Schichten zum Einsatz kommen - abgeschieden werden sollen. Außerdem ist
durch die Verringerung der Effizienz ein häufigerer Wechsel der teuren Targets nötig.
Die Verwendung von Dual-Magnetron-Systemen, die vorzugsweise mit gepulster Elektro
energie gespeist werden, ermöglicht prinzipiell die langzeitstabile Abscheidung auch von
transparenten, nichtleitenden Verbindungen, weshalb derartige Systeme heute weit
verbreitet sind. Die nachteiligen Wirkungen parasitärer Beschichtungen auf Blenden und
ähnlichen Baugruppen und die damit verbundene Ausblendung eines Teiles des
Materialstromes beieinträchtigen jedoch auch die Effizienz und Gleichmäßigkeit von
Beschichtungen, die mit Hilfe von Dual-Magnetron-Systemen aufgetragen werden.
Dual-Magnetron-Systeme können auch aus Magnetronquellen mit zylindrischen rotierenden
Targets bestehen. Solche Magnetronquellen sind in DD 217 964 A3 und US 4,356,073
beschrieben und in zahlreichen weiteren Erfindungen verbessert worden. Sie sind auch als
Rohrmagnetron, rotable magnetron oder C-Mag bekannt. Dual-Magnetron-Systeme mit
solchen Magnetron-Quellen zur gleichmäßigen Beschichtung ebener, z. T. auch groß
flächiger Substrate sind in EP 0 500 774 B1, US 5,645,699, US 5,338,422, US 5,108,574
beschrieben. Derartige Magnetronquellen bestehen zumeist aus einem in Form eines Hohl
zylinders gefertigten Traget, in dessen Innerem eine magnetfelderzeugende Einrichtung
untergebracht ist, die - ähnlich zu ebenen Rechteckmagnetrons - ein tunnelförmiges
Magnetfeld erzeugt, dessen Feldlinien die Mantelfläche des Hohlzylinders durchdringen. Die
magnetfelderzeugende Einrichtung enthält in der Regel einen längserstreckten Mittelpol,
dessen Pollinie parallel zur Längsachse des Hohlzylinders verläuft.
In WO 96/34124 und DE 196 10 253 C2 werden solche Einrichtungen auch für die Ein
speisung mittelfrequenter Wechselspannung zur Verhinderung von Arcing beschrieben
(Pulsmagnetron-Zerstäuben). Allen Anordnungen ist gemein, dass die Magnetronquellen
quer zur Transportrichtung der Substrate angeordnet sind und dass eine hohe Schicht
gleichmäßigkeit nur für ebene Substrate erreichbar ist.
US 4,417,968 = EP 0 119 631 B1 beschreibt eine Einrichtung mit einem rohrförmigen
Magnetron und einer Vielzahl von rohrförmigen Hilfselektroden zur Beschichtung von
Substraten auf rotierenden Halterungen (Drehkorb). Die Einrichtung ist technisch aufwendig
und ist nur für die gleichmäßige Beschichtung ebener oder einachsig gekrümmter Substrate
bestimmter Geometrie geeignet.
Es wurde auch vorgeschlagen, die Gleichmäßigkeit der Beschichtung gekrümmter Substrate
durch Abweichung von der zylindrischen Form der Targets zu verbessern (US 4,445,997).
Diese Lösung erfordert teure speziell geformte Targets, die jeweils nur für eine bestimmte
Substratgeometrie geeignet sind.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist die Schaffung einer Einrichtung zum
Beschichten von Substraten mit gekrümmter Oberfläche mittels Pulsmagnetron-Zerstäuben,
die unter Vermeidung der Nachteile des Standes der Technik bei einem linearen Substrat
fluss zu Beschichtungen mit gegenüber dem Stand der Technik erhöhter Gleichmäßigkeit
der Schichtdicke führt und eine bessere Ausnutzung des Stromes zerstäubter Teilchen
ermöglicht.
Die Aufgabe wird durch eine Einrichtung mit Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Die
Ansprüche 2 bis 13 beschreiben zweckmäßige Ausgestaltungen der erfindungsgemäßen
Einrichtung.
Eine Beschichtungsanlage enthält neben bekannten Vakuumerzeugungsmitteln
mechanische Vorrichtungen, die einen linearen Transport gekrümmter Substrate
ermöglichen. Die Einrichtung enthält außerdem Magnetronquellen mit rohrförmigen
rotierenden Targets, die paarweise angeordnet und mit ihrer zerstäubenden Fläche auf die
gekrümmten Substrate gerichtet sind. Die Ausrichtung der Normalen auf den Pollinien der
Mittelpole auf den Targets erfolgt so, dass sie während der Beschichtung zumindest
zeitweise etwa auf den jeweils nächstgelegenen Randbereich der gekrümmten Substrate
weist. Die Einrichtung kann weiterhin Mittel zur Durchführung eines reaktiven
Zerstäubungsvorganges enthalten. Diese umfassen in erster Linie die Gaseinlässe für
Reaktivgase und bekannte Baugruppen zur Prozessregelung. Die Magnetronquellen sind
derart angeordnet, dass die Rotationsachsen der Magnetronquellen parallel zur Bewegungs
richtung der Substrate ausgerichtet sind. Die Targets weisen ein Verhältnis von Länge zu
Durchmesser von mindestens 2 : 1, vorzugsweise mindestens von 3 : 1 auf. Sowohl der Ab
stand der besagten Pollinien auf den Targets eines Paares von Magnetronquellen als auch
der kürzeste Abstand zwischen den Targets und den Substraten ist mindestens so groß wie
die Ausdehnung der Substrate quer zu ihrer Bewegungsrichtung, im Allgemeinen jedoch
größer. Beide geometrischen Größen hängen im Übrigen von der Größe und dem
Krümmungsradius der Substrate sowie vom Durchmesser der Targets der Magnetronquellen
ab und lassen sich deshalb nicht in allgemeiner Form angeben. Ihre Bestimmung erfolgt
gegebenenfalls durch schrittweise Optimierung durch Beschichtung und Auswertung der
erreichten Schichtdickenverteilung. Als besonders vorteilhaft hat sich erwiesen, wenn der
Abstand zwischen den Pollinien der Mittelpole größer ist, als die Ausdehnung der Substrate
quer zu ihrer Transportrichtung, wobei die Normalen auf den Mittelpollinien der Targets
ständig oder zumindest zeitweise jeweils etwa auf den nächstgelegenen Substratrand
ausgerichtet sind. In bestimmten Fällen, z. B. wenn der Krümmungsradius quer zur
Bewegungsrichtung nicht konstant ist, kann es zusätzlich erforderlich sein, durch eine
Aperturblende eine Korrektur des Stromes der zerstäubten Teilchen vorzunehmen. Diese
Ausblendung ist jedoch größenordnungsmäßig geringer als eine solche, die bei
Verwendung von Einrichtungen nach dem Stand der Technik erforderlich ist.
Das erfindungsgemäße Verhältnis von Länge zu Durchmesser der Targets der Magnetron
quellen einerseits und die erfindungsgemäße Ausrichtung auf die Randbereiche der linear
bewegten Substrate andererseits bewirken offenbar eine Quelldichteverteilung der
abgestäubten Teilchen, die den Erfordernissen einer homogenen Beschichtung der
gekrümmten Substrate optimal gerecht werden. Die wesentlichen Beiträge zum Dampf
strom werden in den geraden, der Bewegungsrichtung der Substrate parallelen Bereichen
der Emissionszonen auf den beiden Targets der paarweise angeordneten Magnetronquellen
zerstäubt. Der Neigungswinkel der Normalen auf den Mittelpollinien der Targets des Paares
sowie deren Abstand bewirken durch Superposition besagter Dampfströme die best
mögliche Schichtdickengleichmäßigkeit.
Besonders vorteilhaft für die Beschichtung rotationssymmetrisch gekrümmter Substrate, also
beispielsweise sphärischer Linsen, ist es, die Substrate so zu führen, dass sie eine zusätzliche
Rotationsbewegung um eine Körperachse vollführen. Besonders vorteilhaft ist dabei die
Eigenrotation um eine Achse, welche senkrecht zur Transportebene durch die jeweilige
Substratmitte verläuft. Durch eine solche Rotationsbewegung werden Unterschiede in der
Schichtdickengleichmäßigkeit längs und quer zur Transportrichtung der Substrate durch
eine Körperachse ausgeglichen.
Bei der Beschichtung von Substraten, die zwei deutlich voneinander abweichende
Krümmungsradien längs und quer zur Hauptbewegungsrichtung der Substrate aufweisen,
wie z. B. bei der Beschichtung von Windschutzscheiben für PKW, ist es besonders vorteil
haft, wenn die Substrate während ihres Transportes durch die Beschichtungszone eine
zusätzliche Taumelbewegung ausführen. Die Substrate werden auf entsprechenden
Halterungen linear durch die Zerstäubungsanlage bewegt. Die Halterungen sind in einer
Weise beweglich angeordnet, dass das Substrat beispielsweise in Bewegungsrichtung mit
einem positiven Neigungswinkel gegen die Senkrechte in die Beschichtungszone eintritt und
die Beschichtungszone mit einem negativen Neigungswinkel verlässt. Besonders vorteilhaft
ist dabei, wenn die Substratachse mit der größten Krümmung der Bewegungsrichtung
parallel ist.
Eine weitere zweckmäßige Ausgestaltung der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass
die Position der Magnetronquellen und/oder ihre Ausrichtung auf den Randbereich der
Substrate nach einem vorgegebenen Programm veränderbar ist. Dazu sind bewegliche und
kippbare Halterungen für die Magnetronquellen, vorzugsweise rechnergesteuerte mehr
achsige Antriebe, wie sie aus dem Werkzeugmaschinenbau bekannt sind, enthalten.
Es kann weiterhin vorteilhaft sein, wenn die Einrichtung mit elektrischen Baugruppen aus
gerüstet ist, welche die Energie zum Betreiben der Magnetronquellen in Form unipolarer
Pulse mit einer vorzugsweise einstell- oder regelbaren Frequenz im Bereich von 10 bis
100 kHz einspeisen. Damit lassen sich Schichteigenschaften, z. B. die Dichte der Schicht
oder andere physikalisch-technische Eigenschaften in gewünschtem Sinne beeinflussen.
Es kann auch zweckmäßig sein, die Einrichtung mit elektrischen Baugruppen auszurüsten,
die eine bipolare pulsförmige Energieeinspeisung im Frequenzbereich von 10 bis 100 kHz
ermöglichen. Diese Ausgestaltung ist besonders vorteilhaft, wenn elektrisch isolierende
Schichten mit hoher Abscheiderate auf den Substraten abgeschieden werden sollen.
Schließlich kann es zweckmäßig sein, die Einrichtung mit Umschalteinrichtungen auszu
statten, die eine wahlfreie Speisung der Magnetronquellen mit unipolaren oder bipolaren
Pulsen mit einer einstell- oder regelbaren Frequenz im Bereich von 10 bis 100 kHz zulassen.
Die Form der Energieeinspeisung steht dann als frei wählbarer Parameter zur Verbesserung
von Schichteigenschaften zur Verfügung, z. B. für die Minimierung innerer Spannungen in
den abgeschiedenen Schichten. Insbesondere bei der Abscheidung von spannungsarmen
Oxidschichten auf organischen Substraten können durch Wahl optimaler Pulsparameter für
die in die Magnetronquellen eingespeiste Energie Arbeitsdruck und Abstand zwischen
Substrat und Magnetronquellen so gewählt werden, dass sich mit der erfindungsgemäßen
Einrichtung bei hoher Schichtdickengleichmäßigkeit eine sehr gute Ausnutzung des Stroms
zerstäubter Teilchen realisieren lässt.
Alle diese Mittel können ebenfalls erfolgreich bei der Beschichtung von Substraten
angewendet werden, deren Krümmungsradien sich längs und/oder quer zur Transport
richtung der Substrate ändern. Sie dienen in erster Linie zur Einstellung von Schicht
eigenschaften wie Dichte, Härte oder innerer Spannung, die für viele Materialien in einem
gewissen Bereich durch Variation der Energieeinspeisung und der Pulsparameter beeinflusst
werden können.
In einem Ausführungsbeispiel wird eine vorteilhafte Ausgestaltung der Einrichtung näher
erläutert.
Dabei zeigt die zugehörige Abbildung den Querschnitt einer erfindungsgemäßen
Beschichtungsanordnung senkrecht zur Transportrichtung der Substrate.
Die Einrichtung dient der einseitigen Beschichtung von Linsen mit rotationssymmetrisch
gekrümmten Oberflächen.
Innerhalb einer evakuierbaren Beschichtungskammer sind zwei Magnetronquellen 1; 2 mit
rohrförmigen rotierenden Targets angeordnet. Die Abmessungen der Targets der
Magnetronquellen betragen 80 mm ∅ × 300 mm. Die Rotationsachsen 1a; 2a beider
Targets liegen parallel zur Transportrichtung der Substrate. Den Magnetronquellen 1; 2
gegenüber befinden sich auf drehbaren und in Transportrichtung linear bewegbaren
Substrathaltern (hier nicht dargestellt) Substrate 3 mit rotationssymmetrisch konvex
gekrümmten Oberflächen. Die weiteren Positionsparameter der Magnetronquellen 1; 2
werden in Abhängigkeit von Durchmesser und Krümmungsradius der zu beschichtenden
Substrate 3 festgelegt. Der Substratdurchmesser im vorliegenden Beispiel beträgt 70 mm,
der Krümmungsradius der konvexen Oberfläche beträgt 130 mm. Der Abstand 4 zwischen
den Pollinien der magnetischen Mittelpole auf den Targetoberflächen beträgt 130 mm und
die kürzesten Abstände 5; 6 von diesen Pollinien auf den Targetoberflächen zum jeweils
nächstgelegenen Substratrand betragen 85 mm. Die Normalen der Mittelpollinien sind etwa
in Richtung Substratrand ausgerichtet. Sie stehen im Winkel von 30° zueinander.
Die Schichtdicke nimmt hierbei ohne Rotation der Substrate um ihre Symmetrieachse am
Rand bis auf maximal 93% des Maximums ab. Mit einer zusätzlichen Rotation der
Substrate um die Symmetrieachse lässt sich die maximale Abweichung der Schichtdicke am
Rand auf 3% reduzieren, d. h. die Schichtdicke beträgt überall auf dem Substrat
mindestens 97% des Maximums.
In beiden Fällen kommen keine Korrekturblenden zum Einsatz. Die Effizienz des
Beschichtungsprozesses erlaubt eine 40% längere Gebrauchsdauer der Targets unter sonst
gleichen Bedingungen im Vergleich zu bekannten Beschichtungsanordnungen, bei denen
die Rotationsachsen der Targets quer zur Transportrichtung der Substrate ausgerichtet sind.
Die beiden Magnetronquellen 1; 2 werden von einer geeigneten Energieversorgung 7
entweder mit bipolaren oder unipolaren Pulsen gespeist. Die Wahl der Energie- und
Pulsparameter hängt von dem Material der zu beschichtenden Linsen und von den
erforderlichen Eigenschaften der abgeschiedenen Schichten ab.
Im vorliegenden Fall wird von metallischen Silizium-Targets in einem geregelten reaktiven
Sputterprozess durch Hinzugabe von Sauerstoff in den Beschichtungsraum transparentes
Siliziumoxid abgeschieden. Die Magnetronquellen 1; 2 werden mit sinusförmigen
Energiepulsen bipolar mit einer elektrischen Leistung von 4 kW gespeist.
Claims (13)
1. Einrichtung zum Beschichten von Substraten (3) mit gekrümmter Oberfläche mittels
Pulsmagnetron-Zerstäuben, enthaltend in einer evakuierbaren Beschichtungskammer
mindestens ein Paar Magnetronquellen (1; 2) und Substrathalterungen, durch die
Substrate (3) während der Beschichtung relativ zu den Magnetronquellen linear
bewegt werden können, dadurch gekennzeichnet,
dass die Magnetronquellen (1; 2) rohrförmige rotierende Targets besitzen, deren Verhältnis von Länge zu Durchmesser der Targets mindestens 2 : 1 beträgt,
dass die Magnetronquellen (1; 2) längs zur Transportrichtung der Substrate (3) ange ordnet sind,
dass die Pollinien der magnetischen Mittelpole der Magnetronquellen auf den zugehörigen Targetoberflächen einen Abstand (4) zueinander haben, der mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht,
dass der kürzeste Abstand (5; 6) jedes Targets zur Oberfläche der Substrate (3) eben falls mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht und
dass die Normalen auf den Targets im Bereich der mittleren Pollinien zumindest zeitweise jeweils etwa auf den nächstgelegenen Substratrand ausgerichtet sind.
dass die Magnetronquellen (1; 2) rohrförmige rotierende Targets besitzen, deren Verhältnis von Länge zu Durchmesser der Targets mindestens 2 : 1 beträgt,
dass die Magnetronquellen (1; 2) längs zur Transportrichtung der Substrate (3) ange ordnet sind,
dass die Pollinien der magnetischen Mittelpole der Magnetronquellen auf den zugehörigen Targetoberflächen einen Abstand (4) zueinander haben, der mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht,
dass der kürzeste Abstand (5; 6) jedes Targets zur Oberfläche der Substrate (3) eben falls mindestens der Substratausdehnung quer zur Transportrichtung entspricht und
dass die Normalen auf den Targets im Bereich der mittleren Pollinien zumindest zeitweise jeweils etwa auf den nächstgelegenen Substratrand ausgerichtet sind.
2. Einrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand zwischen
den Pollinien größer ist als die Ausdehnung der Substrate quer zu ihrer Transport
richtung.
3. Einrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Magnetron
quellen rohrförmige rotierende Targets besitzen, deren Verhältnis von Länge zu
Durchmesser mindestens 3 : 1 beträgt.
4. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Magnetronquellen so montiert sind, dass sich ihre Ausrichtung
während der Beschichtung nicht verändert.
5. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Magnetronquellen so montiert sind, dass sich ihre Ausrichtung
und/oder Position während der Beschichtung verändern lässt.
6. Einrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass Mittel vorhanden sind,
die eine automatische Veränderung der Ausrichtung und/oder Position der
Magnetronquellen während der Beschichtung nach einem vorgegebenen Programm
ermöglichen.
7. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Substrathalterungen so ausgeführt sind, dass die Substrate in der
Beschichtungskammer zusätzlich eine Rotationsbewegung um eine Körperachse, die
senkrecht zur Linearbewegung ist, ausführen können.
8. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Substrathalterungen so ausgeführt sind, dass die Substrate in der
Beschichtungskammer zusätzlich eine taumelnde Bewegung ausführen können.
9. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekenn
zeichnet, dass Reaktivgaseinlässe enthalten sind.
10. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekenn
zeichnet, dass Regelungstechnik zur Prozessführung beim reaktiven Pulsmagnetron-
Zerstäuben enthalten ist.
11. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Energie in die Magnetronquellen in Form unipolarer Pulse mit einer
Frequenz im Bereich von 10 bis 100 kHz einspeisbar ist.
12. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekenn
zeichnet, dass die Energie in die Magnetronquellen in Form bipolarer Pulse mit einer
Frequenz im Bereich von 10 bis 100 kHz einspeisbar ist.
13. Einrichtung nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekenn
zeichnet, dass durch einen Schalter wahlfrei die Energie in die Magnetronquellen in
Form bipolarer oder unipolarer Pulse einspeisbar ist.
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