DE10124736B4 - Reticle for proximity characterization of scanner lenses and corresponding method - Google Patents

Reticle for proximity characterization of scanner lenses and corresponding method Download PDF

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Abstract

Test-Retikel zur Proximity-Charakterisierung von Scannerlinsen in der Lithographietechnologie mit Modulen (1), die Zellen (3) aufweisen, in denen Linien bestimmter Linienweiten (w) und Linienabstände (a) in verschiedenen Orientierungen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass beidseitig einer Retikel-Mittellinie (M) Mittellinien-Module alternierend in x- und y-Orientierung angeordnet sind, wobei die Mittellinien-Module bzgl. eines Zentrumspunktes (Z) der Retikel-Mittellinie (M) punktsymmetrisch angeordnet sind.Test reticle for the proximity characterization of scanner lenses in lithography technology Modules (1) comprising cells (3) in which lines of certain Linewidths (w) and line distances (a) are arranged in different orientations, characterized that on both sides of a reticle midline (M) centerline modules alternate are arranged in x and y orientation, with the centerline modules with respect to a center point (Z) of the reticle center line (M) point-symmetrical are arranged.

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Retikel zur Proximity-Charakterisierung von Scannerlinsen in der Lithographietechnik sowie ein entsprechendes Verfahren.The The present invention relates to a reticle for proximity characterization of scanner lenses in lithographic technology and a corresponding method.

Mit zunehmender Verringerung der Strukturgrößen in der Halbleitertechnik ist es erforderlich, die Charakteristika von Lithographie-Belichtungsanlagen genau zu spezifizieren und bei Bedarf und Möglichkeit nachteilige Effekte zu korrigieren bzw. zu minimieren. Eine wesentliche Eigenschaft der eingesetzten Belichtungsanlagen bzw. von optischen Abbildungssystemen ist das sogenannte Proximity-Verhalten (Abhängigkeit der Linienweite von ihrer Umgebungsbedingung, d.h. der Abstand zur nächsten Struktur). Diese Charakteristik und deren Korrektur bestimmt entscheidend die Linienbreitenvariation auf einem Chip und hat somit entscheidenden Einfluss auf die Qualität von Halbleiterprodukten (z.B. Transistorgeschwindigkeit, Ausbeute).With increasing reduction of structure sizes in semiconductor technology it is necessary to know the characteristics of lithographic exposure equipment to specify exactly and if necessary and possible adverse effects to correct or minimize. An essential property the exposure systems used or of optical imaging systems is the so-called proximity behavior (dependence of the line width of their environmental condition, i. the distance to the next structure). This characteristic and their correction decisively determines the line width variation on a chip and thus has a decisive influence on the quality of semiconductor products (e.g., transistor speed, yield).

Zur Realisierung der geforderten Strukturbreiten werden zunehmend Step- und Scan-Belichtungsanlagen (Scanner) eingesetzt, die eine höhere Auflösung und ein größeres Belichtungsbildfeld erlauben. Ein derartiger Scanner ist vereinfacht als Scanning-Waferstepper in Widmann, Mader, Friedrich: „Technologie hochintegrierter Schaltungen"; 2. Auflage; Springer Verlag; Seite 126 dargestellt und beschrieben.to Realization of the required structure widths are increasingly being and scan exposure systems (scanners) used a higher resolution and a larger exposure frame allow. Such a scanner is simplified as a scanning wafer stapler in Widmann, Mader, Friedrich: "Technology highly integrated circuits "; 2nd Edition; Springer Verlag; Page 126 presented and described.

Aus der EP 1 083 462 A1 ist ein Test-Retikel mit den Merkmalen des Obergriffs des Anspruchs 1 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Anspruch 7 bekannt, wobei auf dem Test-Retikel Module mit Zellen vorgesehen sind, in denen Linien bestimmter Linienweiten und Linienabstände in verschiedenen Orientierungen angeordnet sind.From the EP 1 083 462 A1 is a test reticle with the features of the preamble of claim 1 and a method having the features of the preamble of claim 7, wherein on the test reticle modules are provided with cells in which lines of certain line widths and line distances are arranged in different orientations ,

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, die Charakterisierung der Proximity-Eigenschaften von Scannerlinsen zu verbessern.task The object of the present invention is to characterize the proximity properties of To improve scanner lenses.

Diese Aufgabe wird durch ein Test-Retikel mit den Merkmalen des Anspruchs 1 und ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruches 7 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung wiedergeben.These Task is performed by a test reticle with the features of the claim 1 and a method having the features of claim 7 solved. In the dependent claims are advantageous embodiments of the invention play.

Erfindungsgemäß sind auf dem Test-Retikel zahlreiche Module angeordnet, die Zellen aufweisen, in denen jeweils Linien bestimmter Linienweiten w und Linienabstände a in verschiedenen Orientierungen angeordnet sind. Die Charakterisierung des Scanner-Abbildungssystems ist mit Hilfe des dafür entworfenen Test-Retikels bzw. der Test-Belichtungsmaske über das gesamte Belichtungsbildfeld, über den Scannerslit sowie in den verschiedenen Orientierungen (x-Richtung, y-Richtung) möglich. Weiterhin ist vorgesehen, dass beidseitig einer Retikel-(Masken)-Mittellinie des Test-Retikels Mittellinien-Module alternierend in x- und y-Orientierung angeordnet sind. Dadurch sind innerhalb der räumlichen Ausdehnung des Scannerslits unterschiedlich auftretende Proximity-Effekte gut nachweisbar.According to the invention are on The test reticle has numerous modules arranged in it each line of certain line widths w and line distances a in different orientations are arranged. The characterization of the scanner imaging system is designed with the help of it Test reticle or the test exposure mask over the entire exposure image field, over the Scannerlit as well as in the different orientations (x-direction, y-direction) possible. It is further provided that on both sides of a reticle (mask) center line of the test reticle Centerline modules alternately in x and y orientation are arranged. This results in the spatial extent of the scanner's lite different Proximity effects well detectable.

Darüber hinaus ist vorgesehen, dass ausgewählte Module bzgl. eines Zentrumspunktes des Test-Retikels im wesentlichen punktsymmetrisch angeordnet sind. In diesem Fall ermöglicht das Test-Retikel durch eine Rotation um 180° die Beschreibung der Proximityeffekte an ein und derselben Position in x- und y-Richtung mit zwei Belichtungsvorgängen.Furthermore is provided that selected Modules with respect to a center point of the test reticle substantially are arranged point-symmetrically. In this case, this allows Test reticle by rotating through 180 ° the description of the proximity effects in one and the same position in the x and y directions with two exposures.

In der einzigen Figur ist das erfindungsgemäße Retikel schematisiert dargestellt. Auf dem Test-Retikel der Größe 25 auf 33 cm sind zahlreiche einzelne Module 1 über die Fläche verteilt angeordnet, die jeweils aus mehreren Zellen 3 aufgebaut sind. Davon ist aus Vereinfachungsgründen in den Modulen jeweils lediglich eine Zelle dargestellt. In den quadratisch dargestellten Modulen sind beispielsweise bis zu 5 Zellen angeordnet. In den Zellen 3 sind jeweils parallel zahlreiche Linien (nicht gezeigt) einer bestimmten Linienweite w und eines Linienabstandes a mit verschiedenen Proximity-Situationen platziert. Beispielsweise können in einem Modul 1 in x-Richtung angeordnete Linien der Weite w = 300 nm vorgesehen sein, deren Abstände a innerhalb einer Zelle jeweils gleich groß sind, von Zelle zu Zelle innerhalb des Moduls jedoch variieren (z.B. a1 = 200 nm, a2 = 240 nm, ..). Dabei lassen sich zudem auf dem Retikel in x-Richtung orientierte Zellen bzw. Zellen mit Linien in x-Richtung und in y-Richtung orientierte Zellen bzw. Zellen mit Linien in y-Richtung unterscheiden. Diese unterschiedlichen Orientierungen sind durch die unterschiedlich orientierten Rechteck-Symbole für die Zellen symbolisiert. Insbesondere sind auf dem Retikel neben den quadratisch dargestellten Modulen auch Module mit größerer Fläche mit bis zu 20 Zellen ausgebildet (drei mit Zellen in x-Richtung, eine mit Zellen in y-Richtung). Weiterhin sind auf dem Retikel Sondermodule 5 mit besonderen Teststrukturen vorgesehen.In the single figure, the reticle according to the invention is shown schematically. On the test reticle size 25 to 33 cm are numerous individual modules 1 arranged distributed over the area, each consisting of several cells 3 are constructed. Of these, only one cell is shown in the modules for reasons of simplification. In the modules shown in quadratic form, for example, up to 5 cells are arranged. In the cells 3 In each case, numerous lines (not shown) of a specific line width w and of a line spacing a are placed in parallel with different proximity situations. For example, in a module 1 lines of width w = 300 nm arranged in x-direction, whose distances a are the same within a cell, but vary from cell to cell within the module (eg a1 = 200 nm, a2 = 240 nm, ..) , In addition, cells or cells with lines in the x-direction and cells oriented in the y-direction or cells with lines in the y-direction can be distinguished on the reticle in the x-direction. These different orientations are symbolized by the differently oriented rectangular symbols for the cells. In particular, modules with a larger surface area having up to 20 cells (three with cells in the x-direction, one with cells in the y-direction) are also formed on the reticle in addition to the modules shown in quadratic form. Furthermore, special modules are available on the reticle 5 provided with special test structures.

In vier Retikel-Eckbereichen B sind die Module 1, sogenannte Eckbereich-Module, mit unterschiedlichen Orientierungen angeordnet. Beidseitig entlang einer Maskenmittellinie M des Test-Retikels und damit parallel zum Scannerslit sind alternierend in x- und y-Orientierung die Module 1, sogenannte Mittellinien-Module, angeordnet. Dabei erstrecken sich die Mittellinien-Module im Bereich der Maskenmittellinie M in y-Richtung über eine Gesamtbreite von etwa der Breite s des Scannerslits. Durch die gewählte Anordnung der Module in den Retikel-Eckbereichen B und im Bereich der Maskenmittellinie M ist die Beschreibung der Proximityeffekte in x- und y-Richtung für die verschiedenen wesentlichen Abschnitte der Scannerlinse gut realisierbar. Das Test-Retikel ist in der Retikel-Ebene um 180° in der Belichtungsanlage rotierbar angeordnet. Dadurch ergibt sich bei der im wesentlichen bzgl. eines Zentrumspunktes Z des Test-Retikels punktsymmetrischen Anordnung der Module unterschiedlicher Orientierung der genannten beiden Modulgruppen mit zwei Belichtungen in beiden Orientierun gen die Beschreibung der Effekte an ein und derselben Stelle der belichteten Test-Chips. Bei statischer Belichtung ist mit Hilfe der Mittellinien-Module im Zentrum des Retikels entlang der Mittellinie M die exakte Bestimmung der Proximity-Eigenschaften im Scannerslit und dem damit verbundenen abbildenden Teil der Linse realisierbar.In four reticle corner areas B are the modules 1 so-called corner area modules, arranged with different orientations. On both sides along a mask center line M of the test reticle and thus parallel to the scanner slit, the modules are alternately in x- and y-orientation 1 , so-called Centerline modules arranged. In this case, the center line modules extend in the region of the mask center line M in the y direction over a total width of approximately the width s of the scanner track. Due to the selected arrangement of the modules in the reticle corner regions B and in the area of the mask center line M, the description of the proximity effects in the x and y directions can be implemented well for the various essential sections of the scanner lens. The test reticle is rotatable in the reticle plane by 180 ° in the exposure system. As a result, the description of the effects at one and the same point of the exposed test chips results in the point-symmetrical arrangement of the modules of different orientation of the two module groups with two exposures in both orientations, essentially with respect to a center point Z of the test reticle. In the case of static exposure, it is possible to use the center line modules in the center of the reticle along the center line M to realize the exact determination of the proximity properties in the scanner slit and the associated imaging part of the lens.

Zur Belichtung des Test-Chips wird das Test-Retikel in y-Richtung am parallel zur Retikel-Mittellinie M angeordneten Scannerslit, der beispielsweise 30 auf 7 cm groß ist, vorbeibewegt. Nach der Belichtung des Test-Chips mit dem Retikel werden die Proximityeffekte mittels Rasterelektronenmikroskop oder elektrischer Messungen inline oder offline ausgewertet, beschrieben und beim Design der mit dem getesteten Scanner zu belichtenden Halbleiterschaltungen entsprechend berücksichtigt.to Exposing the test chip, the test reticle is parallel in the y direction to the reticle center line M arranged scanner slit, for example 30 to 7 inches tall, moved past. After exposure of the test chip to the reticle are the proximity effects by means of scanning electron microscope or electrical measurements evaluated inline or offline, described and the design of the semiconductor circuits to be exposed to the scanner being tested considered accordingly.

11
Modulmodule
33
Zellecell
55
Sondermodulspecial module
aa
Linienabstandline spacing
BB
RetikeleckbereichRetikeleckbereich
MM
MaskenmittellinieMask center line
ss
Breite des Scannerslitswidth the scanner's lite
ww
Linienweiteline width
ZZ
Zentrumspunktcenter point

Claims (7)

Test-Retikel zur Proximity-Charakterisierung von Scannerlinsen in der Lithographietechnologie mit Modulen (1), die Zellen (3) aufweisen, in denen Linien bestimmter Linienweiten (w) und Linienabstände (a) in verschiedenen Orientierungen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass beidseitig einer Retikel-Mittellinie (M) Mittellinien-Module alternierend in x- und y-Orientierung angeordnet sind, wobei die Mittellinien-Module bzgl. eines Zentrumspunktes (Z) der Retikel-Mittellinie (M) punktsymmetrisch angeordnet sind.Test Reticle for Proximity Characterization of Scanner Lenses in Lithography Technology with Modules ( 1 ), the cells ( 3 ), in which lines of certain line widths (w) and line distances (a) are arranged in different orientations, characterized in that on both sides of a reticle center line (M) center line modules are arranged alternately in x- and y-orientation, wherein the Center line modules with respect to a center point (Z) of the reticle center line (M) are arranged point-symmetrically. Retikel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass sich die Mittellinien-Module im Bereich der Maskenmittellinie (M) in y-Richtung über eine Gesamtbreite von einer Breite (s) eines Scannerslits erstrecken.Reticle according to claim 1, characterized that the centerline modules are in the area of the mask centerline (M) in the y-direction over a Total width of one width (s) of a scanner track extend. Retikel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in Eckbereichen (B) Eckbereich-Module unterschiedlicher Orientierung angeordnet sind.Reticle according to one of the preceding claims, characterized characterized in that in corner areas (B) corner region modules of different Orientation are arranged. Retikel nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Eckbereich-Module unterschiedlicher Orientierung bzgl. eines Zentrumspunktes (Z) punktsymmetrisch angeordnet sind.Reticle according to claim 3, characterized that the corner region modules with respect to different orientation. a center point (Z) are arranged point-symmetrically. Retikel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Module unterschiedlich groß realisiert sind.Reticle according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the modules realized different sizes are. Retikel nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Linienweiten (w) innerhalb einer Zelle eines Moduls konstant sind, während die Linienabstände (a) von Zelle zu Zelle innerhalb des Moduls variieren.Reticle according to one of the preceding claims, characterized characterized in that the linewidths (w) are within a cell of a module are constant while the line distances (a) vary from cell to cell within the module. Verfahren zur Proximity-Charakterisierung von Scannerlinsen in der Lithographietechnologie, unter Einsatz eines Test-Retikels, das Modulen (1) mit Zellen (3) aufweist, in denen Linien bestimmter Linienweiten (w) und Linienabstände (a) in verschiedenen Orientierungen angeordnet sind, dadurch gekennzeichnet, dass beidseitig einer Retikel-Mittellinie (M) Mittellinien-Module alternierend in x- und y-Orientierung angeordnet sind, wobei die Mittellinien-Module bzgl. eines Zentrumspunktes (Z) der Retikel-Mittellinie (M) punktsymmetrisch angeordnet sind, und dass auf einem Testchip zwei Belichtungen durchgeführt werden, wobei zwischen den beiden Belichtungen das Retikel um 180° gedreht wird.Method for the proximity characterization of scanner lenses in lithography technology, using a test reticle comprising modules ( 1 ) with cells ( 3 ), in which lines of certain line widths (w) and line distances (a) are arranged in different orientations, characterized in that on both sides of a reticle center line (M) centerline modules are arranged alternately in the x- and y-orientation, wherein the Centerline modules with respect to a center point (Z) of the reticle center line (M) are arranged point-symmetrically, and that on a test chip two exposures are performed, between the two exposures, the reticle is rotated by 180 °.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1083462A1 (en) * 1998-03-26 2001-03-14 Nikon Corporation Exposure method and system, photomask, method of manufacturing photomask, micro-device and method of manufacturing micro-device

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