DE10118367C2

DE10118367C2 - Sensor zum Messen einer Gaskonzentration oder Ionenkonzentration

Info

Publication number: DE10118367C2
Application number: DE10118367A
Authority: DE
Inventors: Heinz-Peter Frerichs
Original assignee: TDK Micronas GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 2001-04-12
Filing date: 2001-04-12
Publication date: 2003-02-27
Anticipated expiration: 2021-04-13
Also published as: US6929728B2; EP1249699A2; DE10118367A1; DE50213186D1; EP1249699B1; US20020157950A1; EP1249699A3

Description

Die Erfindung bezieht sich auf einen Sensor zum Messen einer Gaskonzentration oder Ionenkonzentration gemäß dem Oberbegriff von Anspruch 1.

Zur Messung von Gaskonzentrationen sind z. B. aus der US 4,411,741 Sensoren mit Feldeffekttransistoren bekannt, die eine als Gate verwendete gassensitive Schicht aufweisen, deren Austrittsarbeit abhängig ist von einer umgebenden Gaskonzentration.

Weiterhin werden zur Messung von Ionenkonzentrationen unter anderem Sensoren mit Feldeffekttransistoren verwendet, die eine als Gate verwendete ionensensitive Schicht aufweisen, deren Potential abhängig ist von der Ionenkonzentration einer umgebenden Flüssigkeit oder eines umgebenden Gases. Die US 5,911,873 zeigt einen derartigen ionensensitiven FET (ISFET).

Derartige Sensoren werden im allgemeinen erzeugt, indem in einem Halbleitersubstrat durch Gegendotierung jeweils eine Drain und eine Source erzeugt werden und eine isolierende Schicht auf dem Substrat zwischen der Source und der Drain gewachsen oder deponiert wird. Eine ionensensitive Schicht kann direkt auf diese isolierende Schicht aufgebracht werden. Eine gassensitive Schicht kann in einem bestimmten Abstand angebracht werden, was als suspended Gate FET (SGFET) bezeichnet wird. Alternativ hierzu kann ein Gate auf dem Isolator aufgebracht werden, das kapazitiv durch ein in einem bestimmten Abstand angebrachtes gassensitives Gate gesteuert wird. Ein derartiger als capacitive controlled FET (CCFET) bezeichneter Sensor ist z. B. in der DE 43 33 875 C2 beschrieben.

Ein Nachteil dieser Anordnungen ist, dass wegen einer immer vorhandenen Oberflächenleitfähigkeit das Potential über dem FET nach einer gewissen Zeit auf das Potential, welches an dem gassensitiven Gate anliegt, gezogen wird, was zu einer Drift des Drain-Source Stromes führt. Um dies zu verhindern wird herkömmlicherweise um den FET ein leitfähiger Ring gelegt, der auch Guardring genannt wird und auf ein definiertes Potential gelegt werden kann. Bei einer derartigen Anordnung nimmt der Kanalbereich des FET aufgrund der Oberflächenleitfähigkeit des Bereiches zwischen Guardring und Kanalbereich nach einer gewissen Zeit das Potential des Guardringes an. Der Abstand des Guardringes von dem Kanalbereich des FET und die Leitfähigkeit der Oberfläche definieren die Zeit, bis der Kanalbereich das Guardring- Potential annimmt, wodurch die minimal mögliche Konzentrationsänderung pro Zeit festgelegt wird, die ein zu detektierendes Gassignal haben darf, um registriert zu werden. Dieser Abstand bestimmt die Größe und damit auch die Herstellungskosten eines derartigen Sensors.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Sensor zu schaffen, der kostengünstig und mit kleinem Bauraum herstellbar ist und dennoch eine hohe Messgenauigkeit für die zeitliche Konzentrationsänderung gewährleistet.

Diese Aufgabe wird durch einen Sensor nach Anspruch 1 gelöst. Die Unteransprüche beschreiben bevorzugte Weiterbildungen.

Es wird somit auf überraschend einfache Weise die Weglänge zwischen Guardring und FET vergrößert, ohne dass hierzu eine größer dimensionierte Schaltung notwendig ist. Der Erfindung liegt hierbei die Erkenntnis zugrunde, dass der Strompfad durch eine Oberflächenprofilierung in hohem Maß verlängert werden kann und somit die RC-Zeit, die ein Angleichen des FET-Potentials an das Potential des Guardrings definiert, vergrößert wird, ohne dass die Funktionsfähigkeit der Sensoranordnung durch diese Oberflächenprofilierung beeinträchtigt wird.

Die Oberflächenprofilierung kann hierbei erfindungsgemäß auf einfache Weise ausgebildet werden, indem auf eine zuvor erzeugte Dickoxidschicht zusätzlich zueinander beabstandete Erhöhungen ausgebildet werden. Die Ausbildung auch größerer Erhöhungen ist dabei in dem Luftspalt zwischen der sensitiven Gateschicht und der Dünnoxidschicht über dem Kanalbereich in der Regel unproblematisch.

Die Erfindung wird im folgenden anhand der beiliegenden Zeichnungen an einigen Ausführungsformen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 eine Draufsicht auf einen Sensor gemäß einer Ausführungsform der Erfindung;

Fig. 2 einen Schnitt entlang der Linie A-A' von Fig. 1;

Ein Gassensor weist auf einem Substrat 11 eines ersten Ladungsträgertyps, z. B. aus n-dotiertem Silizium, eine Source 2 und eine Drain 3 eines zweiten Ladungsträgertyps, z. B. aus p-dotiertem Silizium auf, die z. B. durch Ionenimplantation ausgebildet sind.

Die Source 2 ist mit einem Sourceanschluss 6, die Drain 3 mit einem Drainanschluss 5 versehen. Zwischen Source 2 und Drain 3 ist in dem Substrat ein Kanalbereich 4 vorgesehen, auf dem eine Dünnoxidschicht 13 ausgebildet ist. Auf der Source 2 und der Drain 3 sind Isolatorschichten, z. B. Dickoxidschichten 14 ausgebildet, auf deren Oberfläche 15 ein Guardring aus einem leitfähigen Material aufgebracht ist, der gemäß der Draufsicht von Fig. 1 um den Kanalbereich 4 herum verläuft und auf ein definiertes Potential gelegt werden kann.

Auf seitlichen Isolatorbereichen 9 ist eine gasssensitive Gateschicht 8 angeordnet, deren Potential von einer umgebenden Gaskonzentration abhängig ist. Zwischen der Gateschicht 8 und der Dünnoxidschicht 13 ist ein Luftspalt 10 ausgebildet. Die Dünnoxidschicht 13 wirkt zusammen mit dem Luftspalt als Gatedielektrikum. Änderungen der Gaskonzentration können somit als Änderungen des Source- Drain-Stromes nachgewiesen werden.

Erfindungsgemäß ist zwischen der Dünnoxidschicht 13 oberhalb des Kanalbereiches 4 und dem Guardring 1 eine Oberflächenprofilierung vorgesehen, die Erhöhungen 7 und dazwischen ausgebildete Vertiefungen 12 aufweist. Die Profilierung der Oberfläche 15 kann insbesondere ausgebildet werden, indem durch entsprechende Depositionsschritte auf der Dickoxidschicht 14 Schichten aufgetragen werden und anschließend in mit Photomasken definierten Ätzschritten die Vertiefungen freigelegt werden.

Ergänzend wird hier darauf verwiesen, dass die Dünnoxidschicht 13 auch als Kapazität realisiert sein kann. Hierzu wird zum Zwecke der Offenbarung vollinhaltlich auf die am gleichen Tag wie die vorliegende Anmeldung beim Deutschen Patent- und Markenamt vom selben Anmelder eingereichte Patentanmeldung mit dem Titel: "Sensor zum Messen einer Ionenkonzentration oder Gaskonzentration" verwiesen.

Bezugszeichenliste

1

Guardring

2

Source

3

Drain

4

Kanalbereich

5

Drainanschluss

6

Sourceanschluss

7

Erhöhungen

8

Gassensitives Gate

9

Isolationsschicht

10

Luftspalt

11

Substrat

12

Vertiefungen

13

Dünnoxidschicht

14

Dickoxidschicht

15

Oberfläche

Claims

1. Sensor zum Messen einer Gaskonzentration oder Ionenkonzentration, der aufweist:
ein Substrat (11) eines ersten Ladungsträgertyps,
eine auf dem Substrat ausgebildete Drain (3) eines zweiten Ladungsträgertyps,
eine auf dem Substrat ausgebildete Source (2) des zweiten Ladungsträgertyps,
einen Kanalbereich (4) des Substrats, der zwischen Drain (3) und Source (2) angeordnet ist,
einen leitfähigen Guardring (1), der außerhalb des Kanalbereichs angeordnet ist,
eine sensitive Gateschicht (8), deren Potential von einer umgebenden Gaskonzentration oder Ionenkonzentration abhängig ist, wobei zwischen der Gateschicht und dem Kanalbereich (4) ein Luftspalt (10) vorgesehen ist,
dadurch gekennzeichnet, dass
zwischen dem Guardring (1) und dem Kanalbereich (4) eine Oberflächenprofilierung (7, 12) ausgebildet ist.

2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberflächenprofilierung Erhöhungen (7) und Vertiefungen (12) aufweist.

3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass auf einer Oberfläche (15) zwischen einer isolierenden Dünnschicht (13) auf dem Kanalbereich (4) und dem Guardring (1) durch Deposition Erhöhungen (7) aufgetragen sind, zwischen denen die Vertiefungen (12) ausgebildet sind.

4. Sensor nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhöhungen (7) als isolierendes Material auf einer oder mehreren Isolatorschichten aufgetragen sind.

5. Sensor nach einem der Ansprüche 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhöhungen (7) im wesentlichen konzentrisch zwischen Kanalbereich (4) und Guardring (1) ausgebildet sind.

6. Sensor nach einem der Ansprüche 2 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Erhöhungen (7) gleichmäßig beabstandet sind.

7. Sensor nach einem der vorherigen Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die sensitive Gateschicht eine gassensitive Gateschicht (8) ist.