DE10115290B4 - Production process for a photomask for an integrated circuit and corresponding photomask - Google Patents

Production process for a photomask for an integrated circuit and corresponding photomask Download PDF

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Abstract

Herstellungsverfahren für eine Photomaske (100''; 100''') für eine integrierte Schaltung mit den Schritten:
Vorsehen von mindestens zwei Maskenbereichen (1, 1; 1a, 1b) eines ersten Transmissionstyps, von denen wenigsten ein erster Maskenbereich (1; 1a) eine längliche Form aufweist;
wobei der zweite Maskenbereich (1; 1b) einem Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) mit einem vorbestimmten Abstand (d) benachbart ist; und
Vorsehen eines nicht-abbildenden kanalförmigen Verbindungsbereichs (2; 2b) des ersten Transmissionstyps, der vom Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) bis zum zweiten Maskenbereich (1; 1b) reicht und eine geringere Breite aufweist als das Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a), zum Verringern des Abstandes (x'; y') zwischen dem zu projizierenden Abbild (3; 3a) des Längsendes des ersten Maskenbereichs (1; 1a) und dem zu projizierenden Abbild (3; 3b) des zweiten Maskenbereichs (1; 1b).A photomask (100 '', 100 ''') integrated circuit fabrication process comprising the steps of:
Providing at least two mask regions (1, 1; 1a, 1b) of a first transmission type, of which at least a first mask region (1; 1a) has an elongated shape;
wherein the second mask region (1; 1b) is adjacent a longitudinal end of the first mask region (1; 1a) at a predetermined distance (d); and
Providing a non-imaging channel-shaped connection region (2; 2b) of the first transmission type, which extends from the longitudinal end of the first mask region (1; 1a) to the second mask region (1; 1b) and has a smaller width than the longitudinal end of the first mask region (1 1a), for reducing the distance (x ', y') between the image (3, 3a) to be projected of the longitudinal end of the first mask region (1, 1a) and the image (3, 3b) to be projected of the second mask region (1 1b).

Figure 00000001
Figure 00000001

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für eine Photomaske für eine integrierte Schaltung und eine entsprechende Photomaske.The The present invention relates to a method of producing a photomask for one integrated circuit and a corresponding photomask.

Aus der DE 197 27 247 A1 ist es bekannt, eine Proxinity-Korrektur durch Strukturen, die unter der Auflösungsgrenze liegen, zusätzlich zu den Layout-Strukturen einer Photomaske vorzunehmen. Beispiele solcher Korrekturstrukturen sind aus JPN. J. Appl. Phys. Vol. 37 (1998), Seiten 6681–6685, bekannt.From the DE 197 27 247 A1 It is known to perform a proximity correction by structures that are below the resolution limit in addition to the layout structures of a photomask. Examples of such correction structures are from JPN. J. Appl. Phys. Vol. 37 (1998), pages 6681-6685.

In der Mikrolithographie für integrierte Schaltungen besteht das Problem, die Abbildung benachbarter Öffnungen im Photolack so zu gestalten, dass der Abstand der erzeugten Strukturen minimal wird. Jede Verkleinerung des Abstandes führt zu einer Verkleinerung der Chipfläche, wodurch die Kosten pro Chip reduziert werden können.In microlithography for integrated circuits, the problem is the image of adjacent openings in the photoresist so that the distance of the generated structures becomes minimal. Any reduction of the distance leads to a reduction the chip area, whereby the costs per chip can be reduced.

Bislang wurden üblicherweise binäre Masken (BIM) oder Halbtonmasken HTPSM mit lithographisch günstigeren Eigenschaften verwendet, meist zur Projektionsbelichtung in einen mit Positivlack beschichteten Wafer.So far were customary binary Masks (BIM) or half-tone masks HTPSM with lithographically more favorable Properties used, mostly for projection exposure in one coated with positive resist wafers.

3 zeigt das Layout einer üblichen Photomaske 100 mit zwei Ketten aus rechteckigen Langlöchern 10 mit simuliertem Umriss des projizierten Abbildes 20. Eine derartige Photomaske besteht aus einem transparenten Trägermaterial und einem darauf geschichteten Maskenmaterial, z.B. Chrom. Die Langlöcher 10 entsprechen transparenten Bereichen, an denen die Chromschicht entfernt ist. In den umliegenden Bereichen 101 wirkt die vorhandene Chromschicht maskierend. Der Minimalabstand zwischen zwei Löchern ist mit d bezeichnet. 3 shows the layout of a conventional photomask 100 with two chains of rectangular slots 10 with simulated outline of the projected image 20 , Such a photomask consists of a transparent carrier material and a layered mask material, eg chromium. The long holes 10 correspond to transparent areas where the chrome layer is removed. In the surrounding areas 101 the existing chrome layer has a masking effect. The minimum distance between two holes is denoted by d.

Das Abbild 20 ist bei einem Positivlack ein Bereich, an dem der Lack belichtet ist und beim Entwickeln aufgelöst wird, um den darunter liegenden Schaltungsbereich freizulegen.The image 20 In the case of a positive resist, it is an area where the resist is exposed and dissolved upon development to expose the underlying circuit area.

Die Abbildungsbedingungen sind beispielsweise HTPSM 6% Transmission, Wellenlänge 248nm, NA = 0.70, zirkulare Beleuchtung mit Inkohärenzgrad 50%, Hochkontrastlack, Maskenmasse 180 × 430nm (1×, maximale Länge), Verkleinerung 4×, Pitch 560nm in Längsrichtung.The Imaging conditions are for example HTPSM 6% transmission, Wave length 248nm, NA = 0.70, circular illumination with incoherence degree 50%, high contrast varnish, Mask mass 180 × 430nm (1 ×, maximum Length), Reduction 4 ×, pitch 560nm in the longitudinal direction.

Deutlich erkennbar in 3 ist, daß bei länglichen Strukturen, wie z.B. den Langlöchern 10, eine Spaltverkürzung auftritt, die bei einer gegenläufigen Kopf-zu-Kopf Lage der Spalte zu einem unerwünschten Vergrößerung des abgebildeten Kopf-zu-Kopf Abstandes x führt. Der Abstand d der Langlöcher 10 auf der Maske 100 kann nicht beliebig verkleinert werden, da bei der Maskenherstellung bzw. -inspektion Minimalmasse eingehalten werden müssen.Clearly visible in 3 is that with elongated structures, such as the oblong holes 10 , a gap shortening occurs, which in an opposite head-to-head position of the column leads to an undesired increase in the imaged head-to-head distance x. The distance d of the slots 10 on the mask 100 can not be reduced arbitrarily, since in the mask production or inspection minimum mass must be complied with.

4 zeigt das Layout einer zweiten üblichen Photomaske mit einem ersten Längsloch 30 und einem dazu senkrecht angeordneten zweiten Längsloch 40 und die dazugehörigen Abbildungen 50 bzw. 60. Der Minimalabstand zwischen zwei Löchern ist mit d bezeichnet. Auch hier beobachtet man einen suboptimalen Abstand y zwischen dem oberen Kopfende der Abbildungen 50 und der unteren Seite der Abbildungen 60. 4 shows the layout of a second conventional photomask with a first longitudinal hole 30 and a vertically disposed second longitudinal hole 40 and the corresponding pictures 50 respectively. 60 , The minimum distance between two holes is denoted by d. Again, one observes a suboptimal distance y between the upper head of the images 50 and the bottom of the pictures 60 ,

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Herstellungsverfahren für eine Photomaske für eine integrierte Schaltung und eine entsprechende Photomaske zu schaffen, womit der Spaltverkürzung bei länglichen Lochstrukturen entgegengewirkt werden kann.It The object of the present invention is a production process for one Photomask for one to create integrated circuit and a corresponding photomask, with which the gap shortening at elongated Hole structures can be counteracted.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch das in Anspruch 1 angegebene Herstellungsverfahren für eine Photomaske für eine integrierte Schaltung und durch die Photomaske nach Anspruch 7 gelöst.According to the invention this Task by the production method specified in claim 1 for one Photomask for an integrated circuit and by the photomask according to claim 7 solved.

Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Idee besteht darin, geeignete Hilfskanäle zur Verlängerung länglicher Strukturen zu schaffen.The The idea underlying the present invention is that suitable auxiliary channels for extension elongated Create structures.

In der vorliegenden Erfindung wird das eingangs erwähnte Problem dadurch gelöst, dass auf den Masken mindestens ein nicht direkt abbildender kanalförmiger Hilfsbereich angebracht wird, der einen Maskenbereich mit einem anderen verbindet, wobei einer der beiden Bereiche eine längliche Form hat und der Hilfskanalbereich von deren Kopfende ausgeht. Dies ist führt zur Verringerung des Abstandes im Bild der Maskenbereiche. Der Hilfskanal ist schmaler als die genannte längliche Form.In According to the present invention, the problem mentioned in the introduction is solved by on the masks at least one not directly imaging channel-shaped auxiliary area attached, which connects a mask area with another, wherein one of the two areas is an elongated one Form and has the auxiliary channel area from the headboard. This is leading to reduce the distance in the image of the mask areas. The auxiliary channel is narrower than the said elongated one Shape.

Hilfskanäle der erfindungsgemäßen Art führen also nicht zu einer Verbindung des Abbildes der benachbarten Bereiche, sondern verlagern das Ende des länglichen Bereichs näher zum benachbarten Bereich.Auxiliary channels of the type according to the invention to lead so not to a connection of the image of the neighboring areas, but shift the end of the oblong Area closer to the neighboring area.

In den Unteransprüchen finden sich vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des jeweiligen Erfindungsgegenstandes.In the dependent claims find advantageous developments and improvements of respective subject of the invention.

Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung weisen der erste und/oder der zweite Maskenbereich eine im wesentlichen rechteckige Form auf und der Verbindungsbereich eine rechteckige Form.According to one preferred development, the first and / or the second mask area a essentially rectangular shape and the connection area a rectangular shape.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist der erste Transmissionstyp transparent und der zweite Transmissionstyp nicht transparent. Das ist der Fall einer Maske für Positivlack.According to one Another preferred embodiment is the first transmission type transparent and the second transmission type not transparent. The is the case of a mask for Positive resist.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung der zweite Transmissionstyp transparent und der erste Transmissionstyp nicht transparent ist. Das ist der Fall einer Maske für Negativlack.According to one Another preferred embodiment of the second transmission type transparent and the first transmission type is not transparent. That's the Case of a mask for Negative resist.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind der erste und der zweite Maskenbereich im wesentlichen gleich große Rechtecke, die parallel in Längsrichtung hintereinander angeordnet sind.According to one Another preferred embodiment is the first and the second Mask area essentially the same size rectangles that are parallel in longitudinal direction arranged one behind the other.

Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung sind der erste und der zweite Maskenbereich Rechtecke, die orthogonal zueinander angeordnet sind.According to one Another preferred embodiment is the first and the second Mask area Rectangles that are orthogonal to each other.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.embodiments The invention is illustrated in the drawings and in the following Description closer explained.

Es zeigen:It demonstrate:

1 das Layout einer Photomaske als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; 1 the layout of a photomask as a first embodiment of the present invention;

2 das Layout einer Photomaske als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; 2 the layout of a photomask as a second embodiment of the present invention;

3 das Layout einer ersten üblichen Photomaske; und 3 the layout of a first conventional photomask; and

4 das Layout einer zweiten üblichen Photomaske. 4 the layout of a second conventional photomask.

In den Figuren bezeichnen gleiche Bezugszeichen gleiche oder funktionsgleiche Bestandteile.In the same reference numerals designate the same or functionally identical Ingredients.

1 zeigt das Layout einer Photomaske als erste Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 1 shows the layout of a photomask as a first embodiment of the present invention.

1 zeigt im Zusammenhang mit 3 das nähere Heranziehen des Abbildes eines Spalt-Endes an ein benachbartes Abbild eines Spalt-Endes mit gegenläufiger Kopf-zu-Kopf Lage. 1 shows in connection with 3 further drawing the image of a gap end to an adjacent image of a gap end with opposite head-to-head attitude.

1 zeigt das Layout einer Photomaske 100'' mit zwei Ketten aus rechteckigen Langlöchern 1 mit simuliertem Umriss des projizierten Abbildes 3. Eine derartige Photomaske 100'' besteht aus einem transparenten Trägermaterial und einem darauf geschichteten Maskenmaterial, z.B. Chrom. Die Langlöcher 1 entsprechen transparenten Bereichen, an denen die Chromschicht entfernt ist. In den umliegenden Bereichen 101 wirkt die vorhandene Chromschicht maskierend. Der Minimalabstand zwischen zwei Löchern ist mit d bezeichnet. 1 shows the layout of a photomask 100 '' with two chains of rectangular slots 1 with simulated outline of the projected image 3 , Such a photomask 100 '' consists of a transparent carrier material and a layered mask material, eg chrome. The long holes 1 correspond to transparent areas where the chrome layer is removed. In the surrounding areas 101 the existing chrome layer has a masking effect. The minimum distance between two holes is denoted by d.

Das Abbild 3 ist bei einem Positivlack ein Bereich, an dem der Lack belichtet ist und beim Entwickeln aufgelöst wird, um den darunter liegenden Schaltungsbereich freizulegen.The image 3 In the case of a positive resist, it is an area where the resist is exposed and dissolved upon development to expose the underlying circuit area.

Vorgesehen zwischen zwei Langlöchern 1, die im wesentlichen gleichgroße Rechtecke sind, die parallel in Längsrichtung hintereinander angeordnet sind, ist jeweils ein nicht-abbildender transparenter Verbindungsbereich 2, der vom Längsende des eines Langlochs 1 bis zum Längsende eines benachbarten Langlochs reicht. Auch zum Maskenrand hin sind entsprechende transparente Verbindungsbereiche 2' vorgesehen.Intended between two slotted holes 1 , which are substantially equal-sized rectangles arranged in parallel in the longitudinal direction one behind the other, is each a non-imaging transparent connection region 2 , the longitudinal end of a long hole 1 extends to the longitudinal end of an adjacent slot. Also towards the mask edge are corresponding transparent connection areas 2 ' intended.

Die Verbindungsbereiche 2 bzw. 2' weisen eine rechteckige Form auf, ihr Längsende weist eine geringere Breite aufweist als das Längsendes des jeweiligen Langlochs 1 und ist bezüglich des Längsendes des jeweiligen Langlochs 1 zentriert vorgesehen. Sie dienen zum Verringern des Abstandes x' zwischen den zu projizierenden Abbildern 3 benachbarter Längsenden jeweiliger Langlöcher 1 gegenüber dem entsprechenden Abstand x in 3.The connection areas 2 respectively. 2 ' have a rectangular shape, their longitudinal end has a smaller width than the longitudinal end of the respective slot 1 and is with respect to the longitudinal end of the respective slot 1 centered provided. They serve to reduce the distance x 'between the images to be projected 3 adjacent longitudinal ends of respective elongated holes 1 opposite the corresponding distance x in 3 ,

2 zeigt das Layout einer Photomaske als zweite Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. 2 shows the layout of a photomask as a second embodiment of the present invention.

2 zeigt im Zusammenhang mit 4 das nähere Heranziehen des Abbildes eines Spalt-Endes an eine ausgedehnte querverlaufende Öffnung. 2 shows in connection with 4 further drawing the image of a gap end to an extended transverse opening.

2 zeigt das Layout einer Photomaske 100''' mit einem ersten Längsloch 1a und einem dazu senkrecht angeordneten zweiten Längsloch 1b und die dazugehörigen 3a bzw. 3b. Die Photomaske 100''' besteht ebenfalls aus einem transparenten Trägermaterial und einem darauf geschichteten Maskenmaterial, z.B. Chrom. Die Langlöcher 1a, b entsprechen transparenten Bereichen, an denen die Chromschicht entfernt ist. In den umliegenden Bereichen 101''' wirkt die vorhandene Chromschicht maskierend. Der Minimalabstand zwischen zwei Löchern ist mit d bezeichnet. 2 shows the layout of a photomask 100 ' with a first longitudinal hole 1a and a vertically disposed second longitudinal hole 1b and the associated ones 3a respectively. 3b , The photomask 100 ' also consists of a transparent carrier material and a layered mask material, eg chrome. The long holes 1a , b correspond to transparent areas where the chrome layer is removed. In the surrounding areas 101 ''' the existing chrome layer has a masking effect. The minimum distance between two holes is denoted by d.

Das Abbild 3a, b ist bei einem Positivlack ein Bereich, an dem der Lack belichtet ist und beim Entwickeln aufgelöst wird, um den darunter liegenden Schaltungsbereich freizulegen.The image 3a For a positive resist, b is an area where the resist is exposed and dissolved upon development to expose the underlying circuit area.

Vorgesehen zwischen den zwei orthogonalen Langlöchern 1a, b die Rechtecke sind, ist ein nicht-abbildender transparenter Verbindungsbereich 2b, der vom Längsende des Langlochs 1a bis zur Breitseite des benachbarten Langlochs 1b reicht.Intended between the two orthogonal slots 1a b are rectangles is a non-imaging transparent connection area 2 B , from the longitudinal end of the slot 1a to the broad side of the adjacent slot 1b enough.

Der Verbindungsbereich 2b weist eine rechteckige Form auf, und sein Längsende weist eine geringere Breite auf als das Längsendes des Langlochs 1a. Er ist bezüglich des Längsendes des Langlochs 1a zentriert vorgesehen.The connection area 2 B has a rectangular shape, and its longitudinal end has a smaller width than the longitudinal end of the slot 1a , He is with respect to the longitudinal end of the slot 1a centered provided.

Auch bei diesem Beispiel bewirkt der Verbindungsbereich 2b eine Verringerung des Abstandes y' zwischen den zu projizierenden Abbildern 3a, b gegenüber dem entsprechenden Abstand y in 4.Also in this example causes the connection area 2 B a reduction of the distance y ' between the images to be projected 3a , b against the corresponding distance y in 4 ,

Anwendungsmäßig funktioniert die beschriebene Methode z.B. bei zwei benachbarten Langlöchern, die im Abbild z.B. zur Er zeugung von Trenches genutzt werden können, die damit im dicht gepackten Array länglicher erzeugt werden können.Application wise the method described e.g. at two adjacent oblong holes, the in the image e.g. can be used for the production of trenches, the so that in the densely packed array elongated can be generated.

Eine andere Anwendungsmöglichkeit ist z.B. das nähere Zusammenrücken von zwei Kontaktlöchern, die auf verschiedenes Potential kontaktieren.A other application possibility is e.g. the closer move closer together from two contact holes, which contact different potential.

Obwohl die vorliegende Erfindung vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben wurde, ist sie darauf nicht beschränkt, sondern auf vielfältige Art und Weise modifizierbar.Even though the present invention above based on preferred embodiments It is not limited to this, but in many ways and modifiable.

Obwohl sich die obigen Beispiele auf Positivlack beziehen, funktioniert die Methode auch mit Negativlack. Hier werden die Maskenöffnungen zu Stegen in Resist abgebildet und dadurch der Abstand von Stegenden wird reduziert. 1 und 2 gelten entsprechend, nur dass transparente Bereiche (Maskenöffnungen) und nicht-transparente Bereiche vertauscht werden müssen.Although the above examples refer to positive resist, the method also works with negative resist. Here, the mask openings are mapped to webs in resist and thereby the distance from web ends is reduced. 1 and 2 apply accordingly, except that transparent areas (mask openings) and non-transparent areas must be reversed.

Auch ist die Erfindung nicht auf die genannten Anwendungsmöglichkeiten beschränkt.Also the invention is not limited to the aforementioned applications limited.

Claims (12)

Herstellungsverfahren für eine Photomaske (100''; 100''') für eine integrierte Schaltung mit den Schritten: Vorsehen von mindestens zwei Maskenbereichen (1, 1; 1a, 1b) eines ersten Transmissionstyps, von denen wenigsten ein erster Maskenbereich (1; 1a) eine längliche Form aufweist; wobei der zweite Maskenbereich (1; 1b) einem Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) mit einem vorbestimmten Abstand (d) benachbart ist; und Vorsehen eines nicht-abbildenden kanalförmigen Verbindungsbereichs (2; 2b) des ersten Transmissionstyps, der vom Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) bis zum zweiten Maskenbereich (1; 1b) reicht und eine geringere Breite aufweist als das Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a), zum Verringern des Abstandes (x'; y') zwischen dem zu projizierenden Abbild (3; 3a) des Längsendes des ersten Maskenbereichs (1; 1a) und dem zu projizierenden Abbild (3; 3b) des zweiten Maskenbereichs (1; 1b).Production method for a photomask ( 100 ''; 100 ' ) for an integrated circuit, comprising the steps of: providing at least two mask areas ( 1 . 1 ; 1a . 1b ) of a first transmission type, of which at least a first mask region ( 1 ; 1a ) has an elongated shape; wherein the second mask area ( 1 ; 1b ) a longitudinal end of the first mask area ( 1 ; 1a ) is adjacent to a predetermined distance (d); and providing a non-imaging channel-shaped connection region ( 2 ; 2 B ) of the first transmission type extending from the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ) to the second mask area ( 1 ; 1b ) and has a smaller width than the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ), to reduce the distance (x ', y') between the image to be projected ( 3 ; 3a ) of the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ) and the image to be projected ( 3 ; 3b ) of the second mask area ( 1 ; 1b ). Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und/oder der zweite Maskenbereich (1, 1; 1a, 1b) sowie der Verbindungsbereich (2; 2b) eine im wesentlichen rechteckige Form aufweisen.Method according to Claim 1, characterized in that the first and / or the second mask area ( 1 . 1 ; 1a . 1b ) as well as the connection area ( 2 ; 2 B ) have a substantially rectangular shape. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transmissionstyp transparent und der zweite Transmissionstyp nicht transparent ist.Method according to claim 1 or 2, characterized that the first transmission type transparent and the second transmission type is not transparent. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transmissionstyp transparent und der erste Transmissionstyp nicht transparent ist.Method according to claim 1 or 2, characterized that the second transmission type transparent and the first transmission type is not transparent. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Maskenbereich (1, 1) im wesentlichen gleichgroße Rechtecke sind, die parallel in Längsrichtung hintereinander angeordnet sind.Method according to one of the preceding claims 1 to 4, characterized in that the first and the second mask area ( 1 . 1 ) are substantially equal rectangles, which are arranged in parallel in the longitudinal direction one behind the other. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Maskenbereich (1, 1) Rechtecke sind, die orthogonal zueinander angeordnet sind.Method according to one of the preceding claims 1 to 4, characterized in that the first and the second mask area ( 1 . 1 ) Are rectangles that are orthogonal to each other. Photomaske (100''; 100''') für eine integrierte Schaltung mit: mindestens zwei Maskenbereichen (1, 1; 1a, 1b) eines ersten Transmissionstyps, von denen wenigsten ein erster Maskenbereich (1; 1a) eine längliche Form aufweist; wobei der zweite Maskenbereich (1; 1b) einem Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) mit einem vorbestimmten Abstand (d) benachbart ist; und einem nicht-abbildenden kanalförmigen Verbindungsbereich (2; 2b) des ersten Transmissionstyps, der vom Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a) bis zum zweiten Maskenbereich (1; 1b) reicht und eine geringere Breite aufweist als das Längsende des ersten Maskenbereichs (1; 1a), zum Verringern des Abstandes (x'; y') zwischen dem zu projizierenden Abbild (3; 3a) des Längsendes des ersten Maskenbereichs (1; 1a) und dem zu projizierenden Abbild (3; 3b) des zweiten Maskenbereichs (1; 1b).Photomask ( 100 ''; 100 ' ) for an integrated circuit comprising: at least two mask areas ( 1 . 1 ; 1a . 1b ) of a first transmission type, of which at least a first mask region ( 1 ; 1a ) has an elongated shape; wherein the second mask area ( 1 ; 1b ) a longitudinal end of the first mask area ( 1 ; 1a ) is adjacent to a predetermined distance (d); and a non-imaging channel-shaped connection region ( 2 ; 2 B ) of the first transmission type extending from the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ) to the second mask area ( 1 ; 1b ) and has a smaller width than the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ), to reduce the distance (x ', y') between the image to be projected ( 3 ; 3a ) of the longitudinal end of the first mask region ( 1 ; 1a ) and the image to be projected ( 3 ; 3b ) of the second mask area ( 1 ; 1b ). Photomaske (100''; 100''') nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und/oder der zweite Maskenbereich (1, 1; 1a, 1b) sowie der Verbindungsbereich (2; 2b) eine im wesentlichen rechteckige Form aufweisen.Photomask ( 100 ''; 100 ' ) according to claim 7, characterized in that the first and / or the second mask area ( 1 . 1 ; 1a . 1b ) as well as the connection area ( 2 ; 2 B ) have a substantially rectangular shape. Photomaske (100''; 100''') nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Transmissionstyp transparent und der zweite Transmissionstyp nicht transparent ist.Photomask ( 100 ''; 100 ' ) according to claim 7 or 8, characterized in that the first transmission type is transparent and the second transmission type is not transparent. Photomaske (100''; 100''') nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Transmissionstyp transparent und der erste Transmissionstyp nicht transparent ist.Photomask ( 100 ''; 100 ' ) according to claim 7 or 8, characterized in that the second transmission type is transparent and the first transmission type is not transparent. Photomaske (100''; 100''') nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Maskenbereich (1, 1) im wesentlichen gleichgroße Rechtecke sind, die parallel in Längsrichtung hintereinander angeordnet sind.Photomask ( 100 ''; 100 ' ) according to one of the preceding claims 7 to 10, characterized in that the first and the second masks Area ( 1 . 1 ) are substantially equal rectangles, which are arranged in parallel in the longitudinal direction one behind the other. Photomaske (100''; 100''') nach einem der vorhergehenden Ansprüche 7 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der erste und der zweite Maskenbereich (1, 1) Rechtecke sind, die orthogonal zueinander angeordnet sind.Photomask ( 100 ''; 100 ' ) according to one of the preceding claims 7 to 10, characterized in that the first and the second mask area ( 1 . 1 ) Are rectangles that are orthogonal to each other.
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