DE10113771A1 - Semiconductor component and process for connection with a conductor plate - Google Patents

Semiconductor component and process for connection with a conductor plate

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Abstract

A semiconductor element comprises a carrier (11) on which is a structured metallization (13) with at least one integrated circuit (12) electrically connected to the metallization. A housing (14) surrounds the integrated circuit and there are external contacts (17) which are made to metal surfaces on the carrier. An Independent claim is also included for a process for forming contacts as above.

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem Träger und einer darauf aufgebrachten strukturierten Metalli­ sierung, mit mindestens einer integrierten Schaltung als Halbleiter-Chip, wie beispielsweise ein Leistungshalbleiter­ chip, die elektrisch mit der strukturierten Metallisierung verbunden ist, mit einer zumindest den Halbleiter-Chip umge­ benden, ein Gehäuse bildenden Umhüllungsmasse sowie mit ex­ ternen Kontakten.The invention relates to a semiconductor component with a Carrier and a structured Metalli applied thereon sation, with at least one integrated circuit as Semiconductor chip, such as a power semiconductor chip that electrically with the structured metallization is connected with an at least the semiconductor chip Benden, forming a casing mass and with ex internal contacts.

Derarte Halbleiterbauelemente sind aus dem Stand der Technik hinlänglich bekannt. Weiterhin sind Halbleiterbauelemente be­ kannt, bei denen die integrierte Schaltung auf einen Leadfra­ me aufgebracht, mit dessen Anschlußbeinchen elektrisch kon­ taktiert und anschließend vollständig mit Kunststoff umman­ telt ist. Die Fertigung derartiger Bauelemente wird gut be­ herrscht, weshalb diese eine hohe Zuverlässigkeit aufweisen. In einer anderen Variante wird der Halbleiterchip auf einem elektrisch isolierenden Substrat, z. B. einer Keramik oder ei­ ner Leiterplatte, aufgebracht. An dem Substrat wird ein Lead­ frame mit elektrisch leitenden Anschlußbeinchen befestigt. Dies kann durch Löten oder Kleben erfolgen. Nach der Herstel­ lung der elektrischen Verbindungen zwischen der integrierten Schaltung und den Anschlußbeinchen (Leads) wird die inte­ grierte Schaltung bzw. das Substrat mit einem Kunststoff um­ mantelt. Es verbleibt eine freie Kontaktfläche, die mit einem Träger kontaktiert werden kann.Such semiconductor devices are from the prior art well known. Furthermore, semiconductor components are knows, where the integrated circuit on a Leadfra me applied, with its connecting legs electrically con clocked and then completely covered with plastic telt is. The manufacture of such components will be good prevails, which is why they are highly reliable. In another variant, the semiconductor chip is on one electrically insulating substrate, e.g. B. a ceramic or egg ner printed circuit board, applied. A lead is placed on the substrate frame fixed with electrically conductive connecting legs. This can be done by soldering or gluing. After the manufacture the electrical connections between the integrated Circuit and the leads (leads) is the inte circuit or the substrate with a plastic mantelt. There remains a free contact area with a Carrier can be contacted.

Diese aus dem Stand der Technik bekannten Varianten weisen als gemeinsames Merkmal auf, daß die externen Kontakte des Halbleiterbauelements durch Anschlußbeinchen eines Leadframes gebildet werden. Zwar weisen diese Halbleiterbauelemente eine hohe Zuverlässigkeit auf, jedoch ist das Herstellungsverfah­ ren arbeits- und somit kostenintensiv.These have variants known from the prior art as a common feature that the external contacts of the Semiconductor component by leadframe of a lead frame be formed. These semiconductor components have a  high reliability, but the manufacturing process labor and therefore costly.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Halbleiterbauelement der oben genannten Art anzugeben, das einfacher und kostengünstiger herstellbar ist. Weiterhin soll ein Verfahren angegeben werden, mit dem dieses Halbleiterbau­ element mit einem Träger kontaktiert werden kann.The object of the present invention is therefore a Specify semiconductor device of the type mentioned above, that is easier and cheaper to manufacture. Furthermore should a method can be specified with which this semiconductor construction element can be contacted with a carrier.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement wird durch die Merkmale des Anspruches 1 wiedergegeben. Das erfindungsgemäße Verfahren zum Herstellen des Halbleiterbauelements ist mit den Merkmalen des Anspruches 11 beschrieben. Vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich jeweils aus den abhängigen An­ sprüchen.The semiconductor device according to the invention is characterized by the Features of claim 1 reproduced. The invention The method for producing the semiconductor component is associated with the features of claim 11 described. advantageous Refinements result from the dependent An claims.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement umfaßt einen Träger und eine darauf aufgebrachte strukturierte Metallisierung, sowie mindestens eine integrierte Schaltung, die elektrisch mit der strukturierten Metallisierung verbunden ist. Weiter­ hin sind eine zumindest die integrierte Schaltung umgebende, ein Gehäuse bildende Umhüllungsmasse sowie externe Kontakte vorgesehen. Erfindungsgemäß sind die externen Kontakte durch auf dem Träger ausgebildete Metallflächen gebildet. Vorzugs­ weise sind die externen Kontakte auf einer der Hauptflächen des Trägers ausgebildet.The semiconductor component according to the invention comprises a carrier and a structured metallization applied to it, as well as at least one integrated circuit that is electrical is associated with the structured metallization. more there are at least one surrounding the integrated circuit, encapsulating compound forming a housing and external contacts intended. According to the external contacts are through metal surfaces formed on the carrier. virtue The external contacts on one of the main areas are wise of the carrier.

Die Erfindung ermöglicht somit ein Halbleiterbauelement, das ohne zusätzliche Anschlußfinger oder Pins auskommt. Ein me­ tallischer Leadframe kann gänzlich entfallen, wodurch sich die Herstellung und die Herstellungskosten wesentlich verein­ fachen bzw. reduzieren. Die Halbleiterbauelemente können auf einem Mehrfachnutzen komplett aufgebaut, vollständig gemessen bzw. getestet und beschriftet werden. Erst nach dieser Funk­ tionsprüfung werden diese vereinzelt. The invention thus enables a semiconductor device that without additional connecting fingers or pins. A me metallic leadframe can be omitted entirely, which makes the manufacture and the manufacturing costs substantially unite fold or reduce. The semiconductor components can a multiple use completely constructed, completely measured or tested and labeled. Only after this radio These are checked individually.  

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement ist insbesondere deshalb einfach und kostengünstig herstellbar, wenn die die externen Kontakte bildenden Metallflächen Teil einer weiteren strukturierten Metallisierung auf der von der zumindest einen integrierten Schaltung abgewandten Hauptfläche sind.The semiconductor component according to the invention is in particular therefore easy and inexpensive to manufacture if the metal contacts forming external contacts are part of another structured metallization on that of the at least one Main circuit facing away from the integrated circuit.

Alternativ oder zusätzlich sieht die Erfindung vor, daß die die externen Kontakte bildenden Metallflächen Teil der struk­ turierten Metallisierung auf der Hauptfläche sind, auf der die integrierte Schaltung gelegen ist, wobei die die externen Kontakte bildenden Metallflächen von der Umhüllungsmasse aus­ gespart sind.Alternatively or additionally, the invention provides that the the external contacts forming metal surfaces part of the struk metallized metallization on the main surface, on the the integrated circuit is located, the external Metal surfaces forming contacts from the coating mass are saved.

Die auf dem Träger aufgebrachte Metallisierung bzw. beidsei­ tig aufgebrachten Metallisierungen, die der Entflechtung der elektrischen Kontakte bzw. Leiterbahnen dienen, werden somit gleichzeitig als externe Kontakte verwendet. Gegebenenfalls ist es vorteilhaft, die die externen Kontakte bildenden Me­ tallflächen gegenüber der Leiterzugstruktur großflächig zu bemessen, so daß eine spätere Kontaktierung mit einer Leiter­ platte leicht zu bewerkstelligen ist. Zur Herstellung der ex­ ternen Kontakte ist kein weiterer Verfahrensschritt notwen­ dig, es genügt, wenn die in der Regel durch Maskierung und Ätzstrukturierung hergestellte Metallisierung entsprechend angepaßt ist.The metallization applied to the carrier or both applied metallizations, which the unbundling of the electrical contacts or conductor tracks are used used as external contacts at the same time. Possibly it is advantageous to measure the external contacts large areas compared to the conductor track structure dimensioned so that later contact with a ladder plate is easy to do. To produce the ex no further procedural step is necessary dig, it suffices if the masking and Metallization produced according to etching structuring is adjusted.

Vorzugsweise sind die die externen Kontakte bildenden Metall­ flächen außenrandseitig des Trägers angeordnet. Hierdurch ist eine besonders einfache Kontaktierung mit einer Leiterplatte möglich.The metals forming the external contacts are preferably surfaces arranged on the outside edge of the carrier. This is a particularly simple contact with a circuit board possible.

In einer Ausgestaltung ist vorgesehen, daß die externen Kon­ takte in mehreren, parallel zueinander orientierten Reihen verlaufen. Hiermit wird ein Halbleiterbauelement geschaffen, das auch mit einer großen Anzahl an externen Kontakten auf einfachste Weise mit einer Leiterplatte kontaktiert werden kann. In one embodiment it is provided that the external con measures in several rows oriented parallel to each other run. This creates a semiconductor device with a large number of external contacts easiest way to be contacted with a circuit board can.  

Es ist weiterhin vorgesehen, daß die Metallflächen der weite­ ren strukturierten Metallisierung, die sich auf der von der zumindest einen integrierten Schaltung abgewandten Hauptflä­ che des Träger befinden, mit der strukturierten Metallisie­ rung auf der Hauptfläche, auf der die integrierte Schaltung gelegen ist, über Durchkontaktierungen verbunden ist.It is also contemplated that the metal surfaces of the wide structured metallization, which is based on that of the at least one main circuit facing away from the integrated circuit surface of the support with the structured metallization tion on the main surface on which the integrated circuit is located, is connected via vias.

Das Vorsehen einer im Zentralbereich des Trägers auf der von der integrierten Schaltung abgewandten Hauptfläche gelegenen großflächig ausgebildeten Metallfläche ermöglicht die Verbin­ dung des Halbleiterbauelements mit einem Wärmeverteiler.The provision of one in the central area of the wearer on that of main surface facing away from the integrated circuit The Verbin enables large-area metal surfaces Formation of the semiconductor device with a heat spreader.

Weiterhin ist es vorteilhaft, wenn auf der von der integrier­ ten Schaltung abgewandten Hauptfläche ein Gußkörper vorgese­ hen ist. Dieser kann, wie aus dem weiter unten beschriebenen Herstellungsverfahren ersichtlich werden wird, als Positio­ nierhilfe beim Einbau des Halbleiterbauelements auf eine Lei­ terplatte verwendet werden.It is also advantageous if on the integrier The main surface facing away from the circuit is a cast body hen is. This can, as described in the below Manufacturing process will be seen as a position nierhilfe when installing the semiconductor device on a Lei terplatte be used.

Vorzugsweise umläuft der Gußkörper die im Zentralbereich ge­ legene großflächige Metallfläche zumindest teilweise.Preferably, the casting runs around the ge in the central area large metal surface at least partially.

Das erfindungsgemäße Verfahren zum Kontaktieren eines nach einem der vorhergehenden Ansprüche ausgestalteten Halbleiter­ bauelements mit einer Leiterplatte umfaßt die nachfolgenden Schritte:
The method according to the invention for contacting a semiconductor component designed according to one of the preceding claims with a printed circuit board comprises the following steps:

  • a) Vorsehen einer Leiterplatte mit einer durchgehenden Öff­ nung sowie mit einer Leiterplattenkontakte aufweisenden strukturierten Metallisierung,a) Providing a circuit board with a continuous opening voltage and with a circuit board contacts structured metallization,
  • b) Aufbringen des Halbleiterbauelements auf die Leiterplat­ te, so daß dessen als Positionierhilfe dienendes Gehäuse oder Gußkörper in die Öffnung ragt und dessen externe Kontakte auf entsprechende Leiterplattenkontakte tref­ fen, b) applying the semiconductor component to the printed circuit board te, so that its serving as a positioning aid or cast body protrudes into the opening and its external Contacts on corresponding PCB contacts fen,  
  • c) Herstellen einer elektrischen und mechanischen Verbin­ dung zwischen dem Halbleiterbauelement und der Leiter­ platte.c) Establishing an electrical and mechanical connection between the semiconductor device and the conductor plate.

Im Gegensatz zu anderen Halbleiterbauelementen aus dem Stand der Technik benötigt das erfindungsgemäße Halbleiterbauele­ ment zum Kontaktieren mit einer Leiterplatte keine weiteren Kontakte wie z. B. Balls. Vielmehr ist es möglich, die aus den Metallflächen gebildeten externen Kontakte direkt mit ent­ sprechend ausgebildeten Leiterplattenkontakten zu kontaktie­ ren.In contrast to other semiconductor components from the prior art The semiconductor device according to the invention requires the technology ment to contact a circuit board no more Contacts such as B. Balls. Rather, it is possible to derive from the External contacts formed metal surfaces directly with ent speaking trained PCB contacts to kontaktie ren.

Das Herstellen der elektrischen und mechanischen Verbindung umfaßt dabei vorzugsweise eine Löt- oder Klebverbindung zwi­ schen den externen Kontakten und den Leiterplattenkontakten. Es versteht sich von selbst, daß bei der Klebverbindung ein Leitkleber verwendet wird, der auch den elektrischen Kontakt zwischen den externen Kontakten und den Leiterplattenkontak­ ten herstellen kann.Establishing the electrical and mechanical connection preferably comprises a solder or adhesive connection between between the external contacts and the circuit board contacts. It goes without saying that the adhesive bond Conductive adhesive is used, which is also the electrical contact between the external contacts and the PCB contact can produce.

Vorzugsweise umfaßt der oben genannte Schritt c) das Vorsehen eines das Halbleiterbauelement gegen die Leiterplatte drüc­ kenden Federelementes. Das Federelement ist vorzugsweise bü­ gelförmig mit zum Innenbereich gebogenen Rändern ausgestal­ tet, wodurch über die Ränder eine Vorspannkraft auf das Halb­ leiterbauelement ausgeübt wird. Das Federelement dient insbe­ sondere zur Herstellung einer festen mechanischen Verbindung zwischen Halbleiterbauelement und der Leiterplatte. Dadurch, daß das Halbleiterbauelement mit seinen externen Kontakten gegen die Leiterplattenkontakte gedrückt wird, ist jedoch auch gleichzeitig sichergestellt, daß ein guter elektrischer Kontakt vorliegt.Preferably, step c) above comprises providing one presses the semiconductor device against the circuit board kenden spring element. The spring element is preferably bü gel-shaped with edges curved towards the inside tet, which causes a biasing force to the half over the edges ladder component is exercised. The spring element serves in particular especially for establishing a firm mechanical connection between the semiconductor device and the circuit board. Thereby, that the semiconductor device with its external contacts is pressed against the circuit board contacts, however also ensured at the same time that a good electrical There is contact.

Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt weiterhin vorzugsweise das Vorsehen eines Wärmeverteilers, der der Leiterplatte von der dem Halbleiterbauelement gegenüber liegenden Hauptseite zugeführt wird und der mit der durch die Öffnung zugänglichen großflächigen Metallfläche in Kontakt gebracht wird. Aufgrund der großflächig ausgebildeten Metallfläche ist das Abführen eines großen Teils der in dem Halbleiterbauelement entstehen­ den Wärme über den Wärmeverteiler möglich.The method according to the invention preferably further comprises the provision of a heat spreader, which the circuit board of the main side opposite the semiconductor component is supplied and that with the accessible through the opening  large metal surface is brought into contact. by virtue of the large-area metal surface is the discharge a large part of which arise in the semiconductor device the heat possible via the heat spreader.

Besonders vorteilhaft ist es, wenn der Wärmeverteiler in den Innenbereich des Federelements eingebracht wird, wodurch die­ ser durch das Federelement gegen die großflächige Metallflä­ che des Halbleiterbauelements gedrückt wird. Hierdurch kann auf eine dauerhafte nicht lösbare, z. B. durch eine Lötverbin­ dung hergestellte, Verbindung des Wärmeverteilers mit der Me­ tallfläche des Halbleiterbauelements verzichtet werden.It when the heat spreader in the Inner area of the spring element is introduced, whereby the by the spring element against the large metal surface surface of the semiconductor component is pressed. This can on a permanent non-detachable, e.g. B. by a solder joint manufactured connection of the heat distributor with the Me tallfläche the semiconductor device can be dispensed with.

Gleichfalls ist es denkbar, daß bei der Verwendung des Fe­ derelements auf die Verwendung einer Löt- oder Klebverbindung zwischen den externen Kontakten des Halbleiterbauelements und der Leiterplatte verzichtet wird. Durch das Lösen des Fe­ derelements kann das Halbleiterbauelement somit jederzeit von der Leiterplatte entfernt und durch ein anderes ersetzt wer­ den.It is also conceivable that when using the Fe derelements on the use of a solder or adhesive connection between the external contacts of the semiconductor component and the circuit board is dispensed with. By loosening the Fe derelements the semiconductor component can therefore at any time from the circuit board removed and replaced by another one the.

Dadurch, daß das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement beid­ seitig des Trägers externe Kontakte aufweisen kann, ist es möglich, daß ein weiteres Bauelement mit den externen Kontak­ ten auf einer Seite des Trägers verbunden wird, während die externen Kontakte auf der anderen Seite des Trägers mit einer Leiterplatte in der vorstehend beschriebenen Weise verbunden werden.Characterized in that the semiconductor device according to the invention both can have external contacts on the side of the carrier, it is possible that another component with the external contact ten on one side of the carrier while the external contacts on the other side of the carrier with a Printed circuit board connected in the manner described above become.

Die Erfindung und deren Vorteile werden anhand der nachfol­ genden Figuren näher erläutert. Es zeigen:The invention and its advantages are based on the foll ing figures explained. Show it:

Fig. 1 ein erstes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemä­ ßen Halbleiterbauelements, Fig. 1 shows a first embodiment of the inventive SEN semiconductor device,

Fig. 2 ein zweites Ausführungsbeispiel des erfindungsgemä­ ßen Halbleiterbauelements, Fig. 2 shows a second embodiment of the inventive SEN semiconductor device,

Fig. 3 ein drittes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemä­ ßen Halbleiterbauelements, Fig. 3 shows a third embodiment of the inventive SEN semiconductor device,

Fig. 4a und b das Verfahren zur Kontaktierung der ersten Ausführungsform mit einer Leiterplatte, FIG. 4a and b the method for contacting the first embodiment with a printed circuit board,

Fig. 5a und b das Verfahren zur Kontaktierung der zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelements mit einer Leiterplatte und FIGS. 5a and b the method for contacting the second embodiment of the semiconductor device according to the invention with a circuit board and

Fig. 6a und b das Verfahren zur Kontaktierung der dritten Ausführungsvariante des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements mit einer Leiterplatte wobei ein weiteres Halbleiterbauelement zur Kontaktierung mit dem erfindungsgemäßen Halb­ leiterbauelement vorgesehen ist. Figs. 6a and the method for contacting the third embodiment of the semiconductor device according to the invention wherein another semiconductor component is conductor device provided for contacting with the inventive half with a circuit board b.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement in seiner ersten Variante gemäß Fig. 1 umfaßt auf einer ersten Hauptfläche I eines Trägers 11 eine Metallisierung 13. Die Metallisierung 13 liegt in strukturierter Form vor und besteht aus Berei­ chen, auf denen integrierte Schaltungen beispielsweise als Halbleiter-Chip 12 aufgebracht sind, aus Bereichen, die über Drahtverbindungen 15 mit dem Halbleiter-Chip 12 oder einem anderen Bereich der Metallisierung 13 verbunden sind sowie aus (in der Figur nicht ersichtlichen) Leiterzugstrukturen. Die strukturierte Metallisierung 13, die integrierten Schal­ tungen 12 sowie die Drahtverbindungen 15 sind vollständig von einer Umhüllungsmasse 14 umgeben, welches das Gehäuse des Halbleiterbauelements 10 darstellt. Die Umhüllungsmasse 14 ist dabei annähernd bis an die Ränder des Trägers 11 geführt.The semiconductor component according to the invention in its first variant according to FIG. 1 comprises a metallization 13 on a first main surface I of a carrier 11 . The metallization 13 is in a structured form and consists of areas on which integrated circuits are applied, for example as a semiconductor chip 12 , from areas which are connected via wire connections 15 to the semiconductor chip 12 or another area of the metallization 13 , and from conductor track structures (not visible in the figure). The structured metallization 13 , the integrated circuits 12 and the wire connections 15 are completely surrounded by a coating compound 14 , which represents the housing of the semiconductor component 10 . The enveloping mass 14 is guided approximately to the edges of the carrier 11 .

Auf einer zweiten Hauptfläche 2 befinden sich externe Kontak­ te 17, die über Durchkontaktierungen 16 mit der strukturier­ ten Metallisierung 13 verbunden sind. Die externen Kontakte 17 kommen im vorliegenden Ausführungsbeispiel gegenüber den­ jenigen Bereichen der strukturierten Metallisierung 13 zu Liegen, die über Drahtverbindungen mit der integrierten Schaltung 12 oder den Chipauflageflächen 13a verbunden sind. Die externen Kontakte 17 verlaufen, wie aus der Schnittan­ sicht der Fig. 1 gut ersichtlich ist in zwei parallel gele­ genen, in die Zeichenebene laufenden Reihen, wobei diese au­ ßenrandseitig des Trägers angeordnet sind. Im Zentralbereich des Trägers 11 ist eine großflächige Metallfläche 19 vorgese­ hen. Diese ist von einem Gußkörper 18 umgeben, der die Me­ tallfläche 19 beispielsweise ringförmig umlaufen kann. Der Grußkörper 18 kann aus dem gleichen Material wie die Umhül­ lungsmasse bestehen. Dies ist jedoch nicht zwangsläufig not­ wendig, er könnte auch aus einem anderen Material, z. B. Me­ tall bestehen. Der Gußkörper 18 dient, wie aus der späteren Beschreibung ersichtlich werden wird, als Positionierhilfe beim Einbau des Halbleiterbauelements in eine Leiterplatte.On a second main surface 2 there are external contacts 17 , which are connected via plated-through holes 16 to the structured metallization 13 . In the present exemplary embodiment, the external contacts 17 come to lie relative to those areas of the structured metallization 13 which are connected to the integrated circuit 12 or the chip contact surfaces 13 a via wire connections. The external contacts 17 run, as can be clearly seen from the sectional view of FIG. 1, in two parallel lines running in the plane of the drawing, these being arranged on the outer edge side of the carrier. In the central area of the carrier 11 , a large-area metal surface 19 is hen vorgese. This is surrounded by a cast body 18 , which can circulate the Me tallfläche 19 for example in a ring. The greeting body 18 can be made of the same material as the enveloping mass. However, this is not necessarily necessary, it could also be made of another material, e.g. B. Me tall exist. The cast body 18 serves, as will become apparent from the later description, as a positioning aid when installing the semiconductor component in a printed circuit board.

Die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiter­ bauelements ist dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kon­ takte 17 auf der den integrierten Schaltungen 12 gegenüber liegenden Hauptfläche II des Trägers zum Liegen kommen. Die externen Kontakte 17 und die Metallfläche 19, die zusammen ebenfalls als strukturierte Metallisierung angesehen werden können, können auf gleiche Weise hergestellt worden sein, wie die strukturierte Metallisierung 13. Zunächst wird ganzflä­ chig eine Metallfolie auf den Träger aufgebracht, die bei­ spielsweise aus Kupfer besteht. Diese wird anschließend der­ art strukturiert, daß lediglich an den gewünschten Stellen die Bereich 13, 13a bzw. 17, 19 übrig bleiben.The first embodiment of the semiconductor device according to the invention is characterized in that the external contacts 17 come to rest on the main surface II of the carrier opposite the integrated circuits 12 . The external contacts 17 and the metal surface 19 , which together can also be regarded as structured metallization, can be produced in the same way as the structured metallization 13 . First, a metal foil is applied to the entire surface, which consists of copper, for example. This is then structured in such a way that the areas 13 , 13 a and 17 , 19 remain only at the desired locations.

Der Träger 11, der in üblicher Weise eine rechteckige Form aufweist, kann entlang aller vier Seitenkanten externe Kon­ takte 17 aufweisen. Diese könnten auch lediglich auf zwei ge­ genüber liegenden Seiten des Trägers vorgesehen sein. Ledig­ lich aus exemplarischen Gründen sind zwei parallel benachbar­ te Reihen von externen Kontakten jeweils eines Außenrandes vorgesehen. Selbstverständlich könnte auch nur eine oder auch mehr als zwei Reihen an externen Kontakten 17 vorgesehen sein.The carrier 11 , which has a rectangular shape in the usual way, can have external contacts 17 along all four side edges. These could also be provided only on two opposite sides of the carrier. For exemplary reasons only, two parallel adjacent rows of external contacts, each with an outer edge, are provided. Of course, only one or more than two rows of external contacts 17 could also be provided.

Das zweite Ausführungsbeispiel gemäß der Fig. 2 unterschei­ det sich von dem Halbleiterbauelement der Fig. 1 dadurch, daß die externen Kontakte 27 nunmehr auf der ersten Hauptflä­ che I gelegen sind. Dies bedeutet, die externen Kontakte 27 sind auf der Seite des Trägers 21 gelegen, auf der sich auch die integrierten Schaltungen 22 befinden. Die externen Kon­ takte 27 sind Teil der strukturierten Metallisierung 23. Aus diesem Grund umschließt die Umhüllungsmasse 24 nicht die ge­ samte strukturierte Metallisierung 23, sondern läßt diejeni­ gen Bereiche der Metallisierung 23 frei, die die externen Kontakte 27 bilden. Auf der zweiten Hauptfläche II ist eine großfläche Metallfläche 29 vorgesehen, die in der zweiten Ausführungsvariante bis an die Ränder des Trägers 21 reichen könnte. Die gesamte, Fläche des Trägers 21 kann somit zur Ver­ bindung mit einem Wärmeverteiler vorgesehen sein.The second exemplary embodiment according to FIG. 2 differs from the semiconductor component of FIG. 1 in that the external contacts 27 are now located on the first main surface I. This means that the external contacts 27 are located on the side of the carrier 21 on which the integrated circuits 22 are also located. The external contacts 27 are part of the structured metallization 23 . For this reason, the encapsulation compound 24 does not enclose the entire structured metallization 23 , but leaves the regions of the metallization 23 that form the external contacts 27 free. A large metal surface 29 is provided on the second main surface II, which in the second embodiment variant could extend as far as the edges of the carrier 21 . The entire surface of the carrier 21 can thus be provided for connection to a heat distributor.

Das in Fig. 3 gezeigte dritte Ausführungsbeispiel des erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements ist eine Kombination der ersten beiden Varianten. Das Halbleiterbauelement 30 weist externe Kontakte sowohl auf der ersten Hauptfläche I als auch auf der zweiten Hauptfläche II auf. Zu diesem Zweck ragen ex­ terne Kontakte 37 auf der ersten Hauptfläche I aus der Umhül­ lung 34 heraus. Auf der zweiten Hauptfläche II befindliche externe Kontakte 37 sind über Durchkontaktierungen 36 mit Be­ reichen der strukturierten Metallisierung 33b verbunden. Die Ausführung des Wärmeverteilers 39 sowie des Gußkörpers 38 entspricht der aus Fig. 1.The third exemplary embodiment of the semiconductor component according to the invention shown in FIG. 3 is a combination of the first two variants. The semiconductor component 30 has external contacts both on the first main area I and on the second main area II. For this purpose, external contacts 37 protrude from the envelope 34 on the first main surface I. External contacts 37 located on the second main surface II are connected via plated-through holes 36 to the structured metallization 33 b. The design of the heat distributor 39 and of the cast body 38 corresponds to that of FIG. 1.

Die Fig. 4a und 4b zeigen das Verfahren zum Kontaktieren des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements 10 in der ersten Ausführungsform gemäß Fig. 1 mit einer Leiterplatte 41. Fig. 4a zeigt die Anordnung dabei vor dem Zusammenfügen der einzelnen Bauteile, während Fig. 4b die Bauteile in ihrer endgültigen Position darstellt. FIGS. 4a and 4b show the method for contacting the semiconductor device 10 according to the invention in the first embodiment shown in FIG. 1 with a circuit board 41. FIG. 4a shows the arrangement of this prior to assembly of the individual components, while illustrating Fig. 4b shows the components in their final position.

Die Leiterplatte 41 weist eine durchgehende Öffnung 42 auf, die in ihren Abmaßen derart bemessen ist, daß sie den Außen­ rändern des Gußkörpers 18 in etwa entspricht. Auf diese Weise kann der Gußkörper 18 als Positionierhilfe bei der Kontaktie­ rung des Halbleiterbauelements 10 mit der Leiterplatte 41 dienen.The circuit board 41 has a through opening 42 which is dimensioned in such a way that it corresponds approximately to the outer edges of the cast body 18 . In this way, the cast body 18 can serve as a positioning aid in the contacting of the semiconductor component 10 with the circuit board 41 .

Die Leiterplatte 41 weist weiterhin Leiterplattenkontakte 43 auf, die den externen Kontakten 17 des Halbleiterbauelements 10 gegenüber liegen. Die elektrische und mechanische Verbin­ dung zwischen den externen Kontakten 17 und den Leiterplat­ tenkontakten 43 wird über Lot oder Leitkleber 44 realisiert.The printed circuit board 41 also has printed circuit board contacts 43 which lie opposite the external contacts 17 of the semiconductor component 10 . The electrical and mechanical connec tion between the external contacts 17 and the printed circuit board contacts 43 is realized via solder or conductive adhesive 44 .

Auf der dem Halbleiterbauelement 10 gegenüber liegenden Seite der Leiterplatte 41 ist ein Wärmeverteiler 45 vorgesehen. Dieser steht nach dem Zusammenbau, wie aus Fig. 4b besser ersichtlich ist, mit der großflächigen Metallfläche 19 des Halbleiterbauelements 10 in Verbindung. Der Wärmeverteiler 45 weist einen gestuften Verlauf auf, so daß ein Bereich durch die Öffnung 42 hindurch reichen kann. Die Randbereiche des Wärmeverteilers 45 stehen über Dämpfungselemente 46, die aus einem elastischen, komprimierbaren Material bestehen, mit der Leiterplatte 41 in Kontakt.A heat distributor 45 is provided on the side of the printed circuit board 41 opposite the semiconductor component 10 . After assembly, as can be seen more clearly from FIG. 4b, the latter is connected to the large-area metal surface 19 of the semiconductor component 10 . The heat spreader 45 has a stepped course, so that an area can extend through the opening 42 . The edge regions of the heat distributor 45 are in contact with the printed circuit board 41 via damping elements 46 , which consist of an elastic, compressible material.

Der Wärmeverteiler 45 benötigt keine dauerhafte feste Verbin­ dung zu der Leiterplatte oder dem Halbleiterbauelement, da die mechanische Fixierung über ein Federelement 47 vorgenom­ men wird. Dieses ist im Querschnitt topfförmig ausgebildet. Die Ränder sind zum Innenbereich gebogen und üben eine Vor­ spannkraft auf den Wärmeverteiler 45 aus. Vorzugsweise ist das Federelement 45 als Bügel ausgeführt. Dieser ist durch entsprechende Öffnungen (in der Figur nicht gezeigt) der Lei­ terplatte 42 hindurchgeführt.The heat spreader 45 does not require a permanent fixed connection to the printed circuit board or the semiconductor component, since the mechanical fixation is carried out via a spring element 47 . This is cup-shaped in cross section. The edges are curved towards the inside and exert a pre-tension on the heat spreader 45 . The spring element 45 is preferably designed as a bracket. This is passed through corresponding openings (not shown in the figure) of the Lei terplatte 42 .

Prinzipiell wäre auch denkbar, daß auf das Lot bzw. den Kle­ ber 44 verzichtet wird, da über das Federelement 47 eine aus­ reichend innige Verbindung zwischen den externen Kontakten 17 und den Leiterplattenkontakten 43 hergestellt wird. Auf diese Weise ist sichergestellt, daß eine gute elektrische Verbin­ dung vorliegt. Ein seitliches Verrutschen des Halbleiterbau­ elements auf der Leiterplatte ist aufgrund des Gußkörpers 18, welcher in die Öffnung 42 hineinragt unmöglich. Eine Fehlkon­ taktierung ist auch auf diese Weise ausgeschlossen.In principle, it would also be conceivable that the solder or adhesive 44 is dispensed with, since a sufficiently intimate connection between the external contacts 17 and the printed circuit board contacts 43 is produced via the spring element 47 . In this way it is ensured that there is a good electrical connec tion. Lateral sliding of the semiconductor device on the circuit board is impossible due to the cast body 18 , which protrudes into the opening 42 . A wrong contact is also excluded in this way.

Die Fig. 5a und 5b zeigen die Kontaktierung der zweiten Ausführungsvariante mit einer Leiterplatte 51. Die Leiter­ platte 51 weist ebenfalls eine Öffnung 52 auf. Diese ist in ihren Abmaßen an die Größe des durch die Umhüllungsmasse 24 gebildeten Gehäuses angepaßt. Somit dient das Gehäuse im vor­ liegenden Ausführungsbeispiel als Positionierhilfe beim Ein­ bau des Halbleiterbauelements in die Leiterplatte 51. Benach­ bart den Rändern der Öffnung 52 sind Leiterplattenkontakte 53 vorgesehen. Diese liegen gegenüber den externen Kontakten 27, die sich nun auf der Seite der integrierten Schaltung des Trägers 21 befinden. Zur elektrischen und mechanischen Fixie­ rung kann gleichfalls ein Lot oder Leitkleber 54 vorgesehen sein. Aufgrund des auch im zweiten Ausführungsbeispiel vor­ handenen Federelementes 58, das über einen Wärmeverteiler 55 das Halbleiterbauelement 20 auf die Leiterplatte 51 drückt, könnte auf diese verzichtet werden. Der Wärmeverteiler 55 wird durch die Ränder 58 des Federelementes gegen die groß­ flächige Metallfläche 29 gepreßt. Im Unterschied zum vorange­ gangenen Beispiel befindet sich der Wärmeverteiler nunmehr auf der Seite der Leiterplatte 51, von der auch das Halblei­ terbauelement 20 den Leiterplattenkontakten 53 zugeführt wird. In entsprechender Weise ist das Federelement 57 als Bü­ gel ausgeführt. Dieser ist durch entsprechend ausgebildete Öffnungen in der Leiterplatte hindurchgeführt, um somit die erforderliche Vorspannkraft auf den Wärmeverteiler auszuüben. FIGS. 5a and 5b show the contacting of the second embodiment with a printed circuit board 51. The circuit board 51 also has an opening 52 . Its dimensions are adapted to the size of the housing formed by the encapsulation compound 24 . Thus, the housing in the exemplary embodiment before serves as a positioning aid when building the semiconductor component into the printed circuit board 51 . After the edges of the opening 52 beard circuit board contacts 53 are provided. These lie opposite the external contacts 27 , which are now on the side of the integrated circuit of the carrier 21 . A solder or conductive adhesive 54 can also be provided for electrical and mechanical fixing. Because of the spring element 58 which is also present in the second exemplary embodiment and which presses the semiconductor component 20 onto the printed circuit board 51 via a heat distributor 55 , this could be dispensed with. The heat spreader 55 is pressed against the large-area metal surface 29 by the edges 58 of the spring element. In contrast to the previous example, the heat spreader is now on the side of the circuit board 51 , from which the semiconductor component 20 is supplied to the circuit board contacts 53 . In a corresponding manner, the spring element 57 is designed as a bracket. This is passed through appropriately designed openings in the printed circuit board so as to exert the required pretensioning force on the heat spreader.

Die dritte Variante des erfindungsgemäßen Halbleiterbauele­ ments 30 wird gemäß der in den Fig. 4a und 4b beschriebe­ nen Weise mit der Leiterplatte 61 kontaktiert. Da das Halb­ leiterbauelement 30 jedoch auch auf der von der Leiterplatte 61 abgewandten Hauptfläche des Trägers 31 externe Kontakte 37 aufweist, ist die elektrische Kontaktierung mit einem weite­ ren Bauelement 300 möglich. Dieses weist auf einem Träger 301 integrierte Schaltungen 302 auf. Diese sind über eine ent­ sprechend ausgebildete Leiterzugstruktur mit elektrischen An­ schlüssen 307 verbunden, die in diesem Ausführungsbeispiels als Pins ausgeführt sind. Es ist nunmehr möglich, die Pins mit den externen Kontakten 37 in elektrischen Kontakt zu bringen, indem diese beispielsweise über eine Steckvorrich­ tung durch das Federelement 47 hindurch gesteckt werden. Das weitere Bauelement 300 könnte beispielsweise integrierte Schaltungen beinhalten, die eine Steuerungsfunktion für die integrierten Schaltungen in dem Halbleiterbauelement 30 über­ nehmen. Bei dem Halbleiterbauelement 30 könnte es sich somit um ein Leistungs-Halbleiterbauelement handeln, das keinerlei interne Steuereinrichtungen aufzuweisen braucht.The third variant of the semiconductor component 30 according to the invention is contacted with the printed circuit board 61 in accordance with the manner described in FIGS . 4a and 4b. However, since the semiconductor component 30 also has external contacts 37 on the main surface of the carrier 31 facing away from the printed circuit board 61 , electrical contacting with a further component 300 is possible. This has integrated circuits 302 on a carrier 301 . These are connected via an appropriately designed conductor structure with electrical connections 307 , which are embodied as pins in this exemplary embodiment. It is now possible to bring the pins into electrical contact with the external contacts 37 by, for example, inserting them through a plug device through the spring element 47 . The further component 300 could, for example, include integrated circuits which take over a control function for the integrated circuits in the semiconductor component 30 . The semiconductor component 30 could thus be a power semiconductor component that does not have to have any internal control devices.

Allen Ausführungsbeispielen ist gemeinsam, daß der Wärmever­ teiler zwar vorteilhaft vorgesehen ist, jedoch nicht zwangs­ läufig vorhanden sein muß. In diesem Fall würden die Ränder des Federelementes direkt auf den Träger des Halbleiterbau­ elements drücken.All embodiments have in common that the heat ver divider is advantageously provided, but not necessarily must be commonly available. In this case, the edges of the spring element directly on the carrier of the semiconductor construction press elements.

Gegenüber den aus dem Stand der Technik bekannten Halbleiter­ bauelementen schlägt die Erfindung ein Halbleiterbauelement vor, das zum einen auf einfache Weise hergestellt werden kann und zum anderen besonders einfach mit einer Leiterplatte kon­ taktiert werden kann. Das Halbleiterbauelement bzw. die An­ ordnung zusammen mit der Leiterplatte zeichnet sich insbeson­ dere durch eine hohe Robustheit aus. Aufgrund der vorgesehe­ nen erfindungsgemäßen Federelementverbindung zwischen dem Halbleiterbauelement und der Leiterplatte kann auf eine dau­ erhafte mechanische Verbindung zwischen Halbleiterbauelement und Leiterplatte, z. B. über Lot oder Kleber, verzichtet wer­ den, wodurch ein einfacher Austausch des Halbleiterbauele­ ments möglich ist. Compared to the semiconductor known from the prior art Components, the invention proposes a semiconductor device before that can be easily produced and on the other hand, especially easily with a printed circuit board can be clocked. The semiconductor device or the An Order together with the circuit board stands out in particular are characterized by a high level of robustness. Due to the provided NEN spring element connection between the Semiconductor component and the circuit board can last for a lifetime enhanced mechanical connection between semiconductor component and circuit board, e.g. B. via solder or glue, who dispenses which, making it easy to replace the semiconductor device is possible.  

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

I Hauptfläche
II Hauptfläche
I main area
II main area

1111

Träger
carrier

1212

integrierte Schaltung
integrated circuit

1313

Metallisierung
metallization

1414

Umhüllungsmasse
encapsulant

1515

Drahtverbindung
wire connection

1616

Durchkontaktierung
via

1717

externer Kontakt
external contact

1818

Gußkörper
castings

1919

Metallfläche
metal surface

2121

Träger
carrier

2222

integrierte Schaltung
integrated circuit

2323

Metallisierung
metallization

2424

Umhüllungsmasse
encapsulant

2525

Drahtverbindung
wire connection

2626

Durchkontaktierung
via

2727

externer Kontakt
external contact

2828

Gußkörper
castings

2929

Metallfläche
metal surface

3131

Träger
carrier

3232

integrierte Schaltung
integrated circuit

3333

Metallisierung
metallization

3434

Umhüllungsmasse
encapsulant

3535

Drahtverbindung
wire connection

3636

Durchkontaktierung
via

3737

externer Kontakt
external contact

3838

Gußkörper
castings

3939

Metallfläche
metal surface

4141

Leiterplatte
circuit board

4242

Öffnung
opening

4343

Leiterplattenkontakt
PCB Contact

4444

Lot/Kleber
Lot / adhesive

4545

Wärmeverteiler
heat spreader

4646

Dämpfungselement
damping element

4747

Federelement
spring element

4848

Ränder
margins

5151

Leiterplatte
circuit board

5252

Öffnung
opening

5353

Leiterplattenkontakt
PCB Contact

5454

Lot/Kleber
Lot / adhesive

5555

Wärmeverteiler
heat spreader

5656

Dämpfungselement
damping element

5757

Federelement
spring element

5858

Ränder
margins

6161

Leiterplatte .
Circuit board.

6262

Öffnung
opening

6363

Leiterplattenkontakt
PCB Contact

6464

Lot/Kleber
Lot / adhesive

6565

Wärmeverteiler
heat spreader

6666

Dämpfungselement
damping element

6767

Federelement
spring element

6868

Ränder
margins

300300

Bauelement
module

301301

Träger
carrier

302302

integrierte Schaltung
integrated circuit

307307

elektrische Anschlüsse
electrical connections

Claims (16)

1. Halbleiterbauelement mit einem Träger (11, 21, 31) und einer darauf aufgebrachten strukturierten Metallisierung (13, 23, 33), mit mindestens einer integrierten Schaltung (12, 22, 32), die elektrisch mit der strukturierten Metallisierung (13, 23, 33) verbunden ist, mit einer zumindest die inte­ grierte Schaltung (12, 22, 32) umgebende, ein Gehäuse bilden­ de Umhüllungsmasse (14, 24, 34) sowie mit externen Kontakten (17, 27, 37) dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kontakte (17, 27, 37) durch auf dem Träger (11, 21, 31) ausgebildete Metallflächen gebildet sind.1. Semiconductor component with a carrier ( 11 , 21 , 31 ) and a structured metallization ( 13 , 23 , 33 ) applied thereon, with at least one integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) that is electrically connected to the structured metallization ( 13 , 23 , 33 ) is connected, with an at least integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) surrounding a housing forming de encapsulation ( 14 , 24 , 34 ) and with external contacts ( 17 , 27 , 37 ), characterized in that the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) are formed by metal surfaces formed on the carrier ( 11 , 21 , 31 ). 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kontakte (17, 27, 37) auf einer der Hauptflächen (I, II) des Trägers (11, 21, 31) ausgebildet sind.2. Semiconductor component according to claim 1, characterized in that the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) on one of the main surfaces (I, II) of the carrier ( 11 , 21 , 31 ) are formed. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die die externen Kontakte (17, 27, 37) bildenden Metallflä­ chen Teil einer weiteren strukturierten Metallisierung auf der von der zumindest integrierten Schaltung (12, 22, 32) ab­ gewandten Hauptfläche (II) sind.3. A semiconductor component according to claim 1 or 2, characterized in that the metal surfaces forming the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) form part of a further structured metallization on the at least integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) facing away from the main surface ( II) are. 4. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kontakte (17, 27, 37) bildenden Metallflächen Teil der strukturierten Metallisierung auf der Hauptfläche (I) sind, auf der integrierte Schaltung (12, 22, 32) gelegen ist, wobei die die externen Kontakte (17, 27, 37) bildenden Metallflächen von der Umhüllungsmasse (14, 24, 34) ausgespart sind. 4. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) forming metal surfaces are part of the structured metallization on the main surface (I), located on the integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) , the metal surfaces forming the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) being left free from the encapsulation compound ( 14 , 24 , 34 ). 5. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die die externen Kontakte (17, 27, 37) bildenden Metallflä­ chen außenrandseitig des Trägers (11, 21, 31) angeordnet sind.5. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) forming the surface of the metal surfaces of the carrier ( 11 , 21 , 31 ) are arranged. 6. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die externen Kontakte (17, 27, 37) in mehreren, parallel zu­ einander orientierten Reihen verlaufen.6. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) run in a plurality of rows oriented parallel to one another. 7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallflächen der weiteren strukturierten Metallisierung mit der strukturierten Metallisierung auf der Hauptfläche (I), auf der die integrierte Schaltung (12, 22, 32) gelegen ist, über Durchkontaktierungen (16, 26, 36) verbunden ist.7. Semiconductor component according to one of claims 3 to 6, characterized in that the metal surfaces of the further structured metallization with the structured metallization on the main surface (I) on which the integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) is located, via vias ( 16 , 26 , 36 ) is connected. 8. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß im Zentralbereich des Trägers (11, 21, 31) auf der von der integrierten Schaltung (12, 22, 32) abgewandten Hauptfläche (II) eine großflächige ausgebildete Metallfläche (19, 29, 39) vorgesehen ist, die zur Verbindung mit einem Wärmeverteiler dient.8. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that in the central region of the carrier ( 11 , 21 , 31 ) on the main surface (II) facing away from the integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) a large-area metal surface ( 19 , 29 , 39 ) is provided, which is used for connection to a heat distributor. 9. Halbleiterbauelement nach einem der vorhergehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß auf der von der integrierten Schaltung (12, 22, 32) abgewand­ ten Hauptfläche (II) ein Gußkörper (18, 28, 38) vorgesehen ist.9. Semiconductor component according to one of the preceding claims, characterized in that on the integrated circuit ( 12 , 22 , 32 ) th main surface (II) a cast body ( 18 , 28 , 38 ) is provided. 10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Gußkörper (18, 28, 38) die im Zentralbereich gelegene großflächige Metallfläche (19, 29, 39) zumindest teilweise umläuft.10. The semiconductor component according to claim 9, characterized in that the cast body ( 18 , 28 , 38 ) at least partially surrounds the large-area metal surface ( 19 , 29 , 39 ) located in the central region. 11. Verfahren zum Kontaktieren eines nach einem der Ansprü­ che 1 bis 10 ausgestalteten Halbleiterbauelement mit einer Leiterplatte mit den nachfolgenden Schritten:
  • a) Vorsehen einer Leiterplatte (41, 51, 61) mit einer durchgehenden Öffnung (42, 52, 62) sowie mit einer Leiter­ plattenkontakte (43, 53, 63) aufweisenden strukturierten Me­ tallisierung,
  • b) Aufbringen des Halbleiterbauelements (10, 20, 30) auf die Leiterplatte (41, 51, 61), so daß dessen als Positionier­ hilfe dienendes Gehäuse oder Gußkörper (18, 28, 38) in die Öffnung (42, 52, 62) ragt und dessen externe Kontakte (17, 27, 37) auf entsprechende Leiterplattenkontakte (43, 53, 63)treffen,
  • c) Herstellen einer elektrischen und mechanischen Verbin­ dung zwischen dem Halbleiterbauelement (10, 20, 30) und der Leiterplatte (41, 51, 61).
11. A method for contacting a semiconductor component designed according to one of claims 1 to 10 with a printed circuit board, with the following steps:
  • a) providing a printed circuit board ( 41 , 51 , 61 ) with a through opening ( 42 , 52 , 62 ) and with a printed circuit board contacts ( 43 , 53 , 63 ) having structured metalization,
  • b) applying the semiconductor component ( 10 , 20 , 30 ) to the printed circuit board ( 41 , 51 , 61 ), so that its housing or cast body ( 18 , 28 , 38 ) serving as positioning aid into the opening ( 42 , 52 , 62 ) protrudes and its external contacts ( 17 , 27 , 37 ) meet corresponding circuit board contacts ( 43 , 53 , 63 ),
  • c) Establishing an electrical and mechanical connec tion between the semiconductor device ( 10 , 20 , 30 ) and the circuit board ( 41 , 51 , 61 ).
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt c) das Herstellen einer Löt- oder Klebverbindung zwi­ schen den externen Kontakten (17, 27, 37) und den Leiterplat­ tenkontakten umfaßt.12. The method according to claim 11, characterized in that step c) comprises the establishment of a solder or adhesive connection between the external contacts ( 17 , 27 , 37 ) and the printed circuit board contacts. 13. Verfahren nach Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß Schritt c) das Vorsehen eines das Halbleiterbauelement (10, 20, 30) gegen die Leiterplatte (41, 51, 61) drückenden Fe­ derelementes (47, 57, 67) umfaßt.13. The method according to claim 11 or 12, characterized in that step c) comprises the provision of a the semiconductor component ( 10 , 20 , 30 ) against the circuit board ( 41 , 51 , 61 ) pressing Fe derelementses ( 47 , 57 , 67 ). 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Federelement bügelförmig mit zum Innenbereich gebogenen Rändern (48, 58, 68) ausgestaltet ist, wodurch die Ränder ei­ ne Vorspannkraft auf das Halbleiterbauelement ausüben.14. The method according to claim 13, characterized in that the spring element is designed in a bow shape with edges bent towards the inner region ( 48 , 58 , 68 ), whereby the edges exert a pretensioning force on the semiconductor component. 15. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß ein Wärmeverteiler (45, 55, 65) vorgesehen wird, der der Lei­ terplatte (41, 51, 61) von der dem Halbleiterbauelement (10, 20, 30) gegenüber liegenden Hauptseite zugeführt wird und der mit der durch die Öffnung (42, 52, 62) zugänglichen großflä­ chigen Metallfläche (19, 29, 39) in Kontakt gebracht wird.15. The method according to any one of the preceding claims, characterized in that a heat distributor ( 45 , 55 , 65 ) is provided which the Lei terplatte ( 41 , 51 , 61 ) from the semiconductor component ( 10 , 20 , 30 ) opposite main side is supplied and is brought into contact with the metal surface ( 19 , 29 , 39 ) accessible through the opening ( 42 , 52 , 62 ). 16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Wärmeverteiler in den Innenbereich des Federelementes (47, 57, 67) eingebracht wird, wodurch dieser gegen die groß­ flächige Metallfläche (19, 29, 39) des Halbleiterbauelements gedrückt wird.16. The method according to claim 15, characterized in that the heat distributor is introduced into the inner region of the spring element ( 47 , 57 , 67 ), whereby it is pressed against the large-area metal surface ( 19 , 29 , 39 ) of the semiconductor component.
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