DE10111752A1

DE10111752A1 - Structure for testing semiconductor components has a testing device with connectors to feed in a voltage supply and a semiconductor component fitted with a casing and coupled to the testing device.

Info

Publication number: DE10111752A1
Application number: DE2001111752
Authority: DE
Inventors: Frank Adler; Guido Angenendt; Thomas Huber
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Infineon Technologies AG
Priority date: 2001-03-12
Filing date: 2001-03-12
Publication date: 2002-10-02

Abstract

A contact terminal (4) and a testing device (3) both couple to a semiconductor component (1). A safe contact can be monitored e.g. via a contacting wire (13) with a measurement device (6) that connects to the testing device and the contact terminal. A safe contact is set up for a semiconductor component e.g. on a microchip pad (12). An Independent claim is also included for a method for setting up contacts for a semiconductor component for testing purposes.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Anordnung mit einem Halbleiter-Bauelement und einer Testvorrichtung sowie ein Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes zu Testzwecken.The present invention relates to an arrangement with a Semiconductor component and a test device and a Method for contacting a semiconductor component Testing.

Halbleiter-Bauelemente, insbesondere integrierte Halbleiter- Bauelemente, werden normalerweise sowohl während oder nach der Fertigung als auch nach der Montage in Anwendungen gete stet. Diese Tests können der Qualitätssicherung dienen, aber auch entwicklungsbegleitend sein.Semiconductor components, in particular integrated semiconductor Components are usually used both during or after manufacturing as well as after assembly in applications stet. These tests can serve quality assurance, however also be accompanying development.

Bei derartigen Tests ist es oft wünschenswert, an internen Kontaktstellen des Halbleiter-Bauteils, welche als Pad be zeichnet werden, entweder im Betrieb ein internes Signal ab zugreifen und zu beobachten (Monitoring) oder eine Spannung oder einen Strom von außen einzuprägen. Hierzu ist es be kannt, das Halbleiter-Bauteil zu öffnen, indem ein beispiels weise mit umspritztem Kunststoff gebildetes Gehäuse großflä chig weggeätzt wird. In speziell eingerichteten Testappara ten, sogenannten Bench-Testern, werden Pads des Halbleiter- Bauteils, respektive eines Silizium-Plättchens im Halbleiter- Bauteil, mit herkömmlichen Kontaktierspitzen kontaktiert. Zum Zweck einer Kontaktierung eines in einer Applikation einge bauten Halbleiter-Bauteils oder in Testvorrichtungen in der Fertigung ist die herkömmlich angewandte, beschriebene Metho de jedoch nicht anwendbar. Zudem ist, wenn sich in der Ferti gung das Halbleiter-Bauteil noch auf einer Trägerplatte be findet, eine exakte Positionsbestimmung der zu kontaktieren den Kontaktstelle schwierig. In such tests, it is often desirable to use internal Contact points of the semiconductor component, which be as a pad an internal signal either during operation access and observe (monitoring) or a tension or impress a current from the outside. For this it is be knows to open the semiconductor device by an example wise housing molded with molded plastic is etched away. In specially designed test equipment so-called bench testers, pads of the semiconductor Component, or a silicon wafer in the semiconductor Component, contacted with conventional contact tips. To the Purpose of contacting one in an application built semiconductor component or in test devices in the Manufacturing is the conventionally used, described method de not applicable. In addition, if the Ferti supply the semiconductor component still on a carrier plate finds an exact position to contact the the contact point difficult.

Das großflächige Öffnen des Halbleiter-Bauteils durch groß flächiges Entfernen des Gehäuses des Halbleiter-Bauteils, welches als Chip bezeichnet werden kann, hat den Nachteil, daß hierdurch die dielektrischen Eigenschaften des Halblei ter-Bauteils, und damit insbesondere auch die elektrischen Eigenschaften der darin integrierten Schaltungen verändert sein können. Dies wirkt sich nachteilig auf praxisnahe, an wendungsbezogene und exakte Messungen aus.The large-scale opening of the semiconductor component by large flat removal of the housing of the semiconductor component, which can be called a chip has the disadvantage that thereby the dielectric properties of the semi-lead ter component, and thus in particular the electrical Properties of the integrated circuits changed could be. This has a disadvantageous effect on practical application-related and exact measurements.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, eine Anordnung mit einem Halbleiter-Bauelement und einer Testvorrichtung sowie ein Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes zu Testzwecken anzugeben, welche eine sichere Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes und ein Testen des Halbleiter- Bauteiles unter praxisnahen Bedingungen ermöglichen.The object of the present invention is to provide an arrangement with a semiconductor device and a test device and a method for contacting a semiconductor device to indicate for test purposes which a safe contact a semiconductor component and testing the semiconductor Enable component under practical conditions.

Bezüglich des Verfahrens wird die Aufgabe mit einer Anordnung mit einem Halbleiter-Bauelement und einer Testvorrichtung ge löst, aufweisend
With regard to the method, the object is achieved with an arrangement having a semiconductor component and a test device

- The test device, the connections for feeding a ver supply voltage,
- The semiconductor device, which is a housing with a housing has the opening and is coupled to the test device,
- A contact terminal that befe on the semiconductor device Stigt and a connection for electrical contact the contact terminal with the semiconductor device through the Ge has opening of the housing through, and
- A measuring device with a connection to the test device device and with another connection with the contact terminal connected is.

Mit der beschriebenen Anordnung ist ein dauerhaftes und me chanisch belastbares Kontaktieren einer Kontaktstelle eines Halbleiter-Bauelementes möglich. Mit dem Meßgerät kann sowohl während des Kontaktierens als auch nach dem Kontaktiervorgang die Zuverlässigkeit des Kontaktes überwacht und gewährleistet sein. With the arrangement described is a permanent and me cananically contact a contact point of a Semiconductor component possible. With the measuring device can both during contacting as well as after the contacting process monitors and guarantees the reliability of the contact his.

Die beschriebene Anordnung ermöglicht weiterhin, in einem Halbleiter-Bauelement, welches ein Gehäuse hat, eine Gehäuse öffnung, beispielsweise ein zylindrisches Loch, herzustellen, durch das hindurch eine Kontaktstelle des Halbleiter- Bauelementes, beispielsweise mit einem Kontaktierdraht, kon taktierbar ist. Die Gehäuseöffnung kann je nach Herstellungs verfahren sehr klein ausgeführt sein und einen Öffnungsquer schnitt haben, welcher der Fläche eines üblicherweise vorge sehenen Pads auf einem Halbleiterplättchen entspricht.The arrangement described further enables in one Semiconductor component, which has a package, a package to produce an opening, for example a cylindrical hole, through which a contact point of the semiconductor Component, for example with a contact wire, con is tactable. The housing opening can vary depending on the manufacturing be very small and an opening cross have cut, which is usually the area of a corresponds to the pads seen on a semiconductor chip.

Diese kleine Gehäuseöffnung, mit der das Halbleiter-Bau element nur lokal geöffnet ist, ermöglicht weiterhin, daß die dielektrischen Eigenschaften des Halbleiter-Bauelementes, insbesondere eines Halbleiterplättchens im Halbleiter-Bau element, erhalten bleiben oder weitgehend erhalten bleiben. Selbst wenn es, um eine Kontaktstelle auf dem Halbleiter plättchen zu kontaktieren, erforderlich sein sollte, außer dem Gehäuse weitere Schichten, wie beispielsweise Passivie rungsschichten, abzutragen, so kann dies mit der beschriebe nen Anordnung besonders kleinflächig erfolgen.This small case opening, with which the semiconductor construction element is only open locally, still allows the dielectric properties of the semiconductor component, especially a semiconductor chip in semiconductor construction element, be preserved or largely preserved. Even when it comes to a contact point on the semiconductor contacting platelets should be required, except the housing further layers, such as passive layers of material to be removed, this can be done with the description NEN arrangement are particularly small.

Die Kontaktklemme, an die beispielsweise ein freies Ende ei nes Kontaktierdrahtes befestigbar ist, gewährleistet ein si cheres mechanisches Verbinden der Kontaktstelle mit einem Kontaktierdraht. Zudem kann das mit der Kontaktklemme verse hene Halbleiter-Bauelement mit geringem Aufwand und ohne be sondere Vorsichtsmaßnahmen bezüglich der Kontaktsicherheit von einer Testvorrichtung zu einer anderen transportiert und dort eingesetzt werden.The contact terminal to which, for example, a free end nes contact wire is attachable, ensures a si Mechanical connection of the contact point with a Bonding wire. This can also be done with the contact clamp hene semiconductor device with little effort and without be special precautions regarding contact security transported from one test device to another and be used there.

Die Testvorrichtung kann mit dem Halbleiter-Bauelement mecha nisch verbunden sein.The test device can be mecha with the semiconductor component be connected.

Die Testvorrichtung kann mit dem Halbleiter-Bauelement elek trisch gekoppelt sein, dabei können mittels der Testvorrich tung verschiedene Test-Betriebsarten des Halbleiter-Bauelementes aktiviert oder programmiert sein. Zudem ermöglicht die Testvorrichtung das Zuführen der Versorgungsspannung zum Halbleiter-Bauelement.The test device can elek with the semiconductor component be coupled trically, using the test device different test modes of the semiconductor device activated or programmed. In addition, the Test device feeding the supply voltage to the Semiconductor device.

In einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfin dung umfaßt das Halbleiter-Bauelement ein Halbleiterplättchen und ein Gehäuse. Das Halbleiterplättchen kann dabei zur Bil dung des Gehäuses beispielsweise mit einem Kunststoff um spritzt sein. Ein derartiges Halbleiter-Bauelement mit Gehäu se wird üblicherweise als Chip bezeichnet.In a preferred embodiment of the present invention The semiconductor component comprises a semiconductor die and a housing. The semiconductor chip can be used for bil extension of the housing, for example with a plastic be splashed. Such a semiconductor device with a housing se is commonly referred to as a chip.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleiterplättchen eine Kontaktstelle auf. Derar tige Kontaktstellen von Halbleiterplättchen werden auch als Pad oder Chip-Pad bezeichnet.In a further preferred embodiment of the invention the semiconductor die has a contact point. Derar term contact points of semiconductor chips are also called Pad or chip pad.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Gehäuse eine Öffnung auf, welche eine elektrische Kontaktierung der Kontaktstelle mit der Kontaktklemme ermög licht. Beispielsweise mit einem Kontaktierdraht, welcher ein dünnes Drähtchen sein kann, kann die Kontaktklemme elektrisch mit der Kontaktstelle verbunden sein. Die Gehäuseöffnung kann zylindrisch ausgeführt sein und einen geringen Durchmesser von beispielsweise 80 bis 100 µm haben. Mit dem Meßgerät der Anordnung kann trotz einer derart kleinen Gehäuseöffnung eine sichere elektrische Kontaktierung der Kontaktstelle gewähr leistet sein, auch dann, wenn die beispielsweise zylindrische Gehäuseöffnung in axialer Richtung eine große Ausdehnung auf weist.In a further preferred embodiment of the invention the housing has an opening which is electrical Contacting the contact point with the contact terminal enables light. For example, with a contact wire, which a can be thin wire, the contact terminal can be electrical be connected to the contact point. The housing opening can be cylindrical and have a small diameter of, for example, 80 to 100 µm. With the measuring device In spite of such a small housing opening, an arrangement can ensure safe electrical contacting of the contact point achieves, even if, for example, the cylindrical Housing opening in the axial direction to a large extent has.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist die Gehäuseöffnung einen Durchmesser auf, welcher klei ner oder gleich 115 µm ist.In a further preferred embodiment of the invention the housing opening has a diameter which is small is or equal to 115 µm.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist das Meßgerät ein Spannungsmeßgerät. Über die Testvorrich tung kann das Spannungsmeßgerät mit einer Versorgungsspannung verbunden sein. Über die Testvorrichtung kann weiterhin das Halbleiter-Bauelement mit einer Versorgungsspannung verbunden sein. Über Kontaktstelle und/oder Kontaktklemme kann das Meß gerät mit dem Halbleiter-Bauelement verbunden sein. Folglich kann mit dem Meßgerät die Kontaktierung der Kontaktstelle be ziehungsweise des Halbleiter-Bauelementes überwacht werden.In a further preferred embodiment of the invention the measuring device is a voltage measuring device. About the test device device can the voltage measuring device with a supply voltage be connected. About the test device can continue Semiconductor component connected to a supply voltage his. The measurement can be made via the contact point and / or contact terminal device to be connected to the semiconductor device. consequently can be the contacting of the contact point with the measuring device or the semiconductor component are monitored.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weist das Halbleiter-Bauelement einen Anschluß auf, der zur Zuführung der Versorgungsspannung mit der Testvorrichtung ge koppelt ist. Das Halbleiter-Bauelement kann beispielsweise Anschlußbeinchen haben, welche auf einer Trägerplatte oder Platine befestigt und elektrisch kontaktiert sind.In a further preferred embodiment of the invention the semiconductor component has a connection which leads to Supply of the supply voltage with the test device ge is coupled. The semiconductor component can, for example Have connection legs, which on a carrier plate or Board attached and electrically contacted.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist eine Trägerplatte vorgesehen, an der das Halbleiter- Bauelement befestigt ist und die an der Testvorrichtung befe stigt ist. Die Trägerplatte kann ein Modulträger sein, wie er in der Chipherstellung üblicherweise verwendet wird. Die Trä gerplatte kann eine Leiterplatte, beispielsweise ein PCB (Printed Circuit Board) sein. Das Halbleiter-Bauelement kann großflächig auf der Trägerplatte befestigt sein. Die Träger platte kann in eine Aufnahmevorrichtung der Testvorrichtung eingeschoben sein.In a further preferred embodiment of the invention a carrier plate is provided on which the semiconductor Component is attached and befe on the test device is increasing. The carrier plate can be a module carrier as he is commonly used in chip manufacturing. The tears The circuit board can be a printed circuit board, for example a PCB (Printed Circuit Board). The semiconductor component can be attached to the support plate over a large area. The bearers plate can be in a receiving device of the test device be inserted.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung weisen Testvorrichtung und Trägerplatte je eine einander zu geordnete Komponente einer elektrischen Steckverbindung auf. Beispielsweise kann die Trägerplatte Steckkontakte und die Testvorrichtung Steckbuchsen einer Steckverbindung aufweisen. Über diese Steckverbindung können beispielsweise Test- Betriebsarten des Halbleiter-Bauelementes programmierbar sein. Mittels der Steckverbindung kann beispielsweise die Versorgungsspannung dem Halbleiter-Bauelement zuführbar sein. In a further preferred embodiment of the invention assign test device and carrier plate one to the other ordered component of an electrical connector. For example, the carrier plate and the plug contacts Have test device sockets of a connector. This connector can be used, for example, for test Modes of operation of the semiconductor component programmable his. By means of the plug connection, for example Supply voltage can be supplied to the semiconductor device.

Bezüglich des Verfahrens wird die Aufgabe mit einem Verfahren zur Kontaktierung eines Halbleiter-Bauelementes zu Testzwec ken gelöst, mit folgenden Verfahrensschritten:
With regard to the method, the object is achieved with a method for contacting a semiconductor component for test purposes, with the following method steps:

- Attaching a connection of a contact wire to a Contact point of the semiconductor component and producing egg electrical contacting and
- Monitoring the contact with a measuring device.

Das Meßgerät kann beispielsweise zwischen der Kontaktstelle, welche auch als Pad bezeichnet wird, und einem definierten elektrischen Potential, beispielsweise einem Anschluß der Testvorrichtung, angeschlossen werden.The measuring device can, for example, between the contact point, which is also called a pad, and a defined one electrical potential, for example a connection of the Test device.

Besonders bei einer kleinen Öffnung eines Gehäuses des Halb leiter-Bauelementes zur elektrischen Kontaktierung der Kon taktstelle ist die Überwachung der Kontaktierung mit dem Meß gerät vorteilhaft, da so eine sichere elektrische Kontaktie rung der Kontaktstelle mit dem Kontaktdraht gewährleistet werden kann. Die Möglichkeit, eine kleine Gehäuseöffnung vor zusehen, ermöglicht wiederum ein besonderes realitätsnahes Messen, Testen oder Prüfen der Funktionalität des Halbleiter- Bauelementes beispielsweise nach dessen Einbau in ein System eines Anwenders, da mit der Größe der Gehäuseöffnung die Ver fälschung der dielektrischen Eigenschaften des Halbleiter- Bauelementes zunimmt.Especially with a small opening of a housing of the half conductor component for electrical contacting of the con The clock is the monitoring of the contact with the measurement device advantageous, because such a safe electrical contact guaranteed the contact point with the contact wire can be. The possibility of a small housing opening in front watching, in turn, enables a particularly realistic approach Measuring, testing or checking the functionality of the semiconductor Component, for example, after its installation in a system of a user, since with the size of the housing opening the Ver falsification of the dielectric properties of the semiconductor Component increases.

Die Überwachung der Kontaktierung mit dem Meßgerät ist dann besonders wichtig, wenn zur Kontaktierung Führungshilfen oder Führungsvorrichtungen zum Führen des Kontaktdrahtes verwendet werden, was ein rein visuelles Überprüfen der Kontaktierung ausschließt.The monitoring of the contact with the measuring device is then particularly important if contact aids or contacts Guide devices used for guiding the contact wire be what a purely visual check of contacting excludes.

In einer vorteilhaften Ausführungsform der Erfindung wird ei ne Kontaktklemme an dem Halbleiter-Bauelement befestigt und ein weiterer Anschluß des Kontaktdrahtes wird an der Kontakt klemme angeschlossen. Je nach Anwendungsfall kann der Kon taktdraht zuerst mit der Kontaktstelle oder zuerst mit der Kontaktklemme und anschließend mit der jeweils anderen Kon taktseite kontaktiert werden. In jedem Fall ergibt sich durch die fest mit dem Halbleiter-Bauelement verbindbare Kontakt klemme eine dauerhafte und mechanisch belastbare Kontaktie rung der Kontaktstelle des Halbleiter-Bauelementes. Diese si chere Kontaktierung ist auch dann gewährleistet, wenn das Halbleiter-Bauelement mitsamt Kontaktklemme von einer Test vorrichtung in eine andere bewegt wird.In an advantageous embodiment of the invention, ei ne contact terminal attached to the semiconductor device and Another connection of the contact wire is made to the contact terminal connected. Depending on the application, the con contact wire first with the contact point or first with the Contact terminal and then with the other con can be contacted. In any case it results from the contact that can be firmly connected to the semiconductor component clamp a permanent and mechanically resilient contact tion of the contact point of the semiconductor device. This si Chere contacting is guaranteed even if that Semiconductor component together with contact clamp from a test device is moved into another.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des erfin dungsgemäßen Verfahrens wird in einem Gehäuse des Halbleiter- Bauelementes eine Gehäuseöffnung hergestellt. Selbstverständ lich erfolgt das Herstellen einer Gehäuseöffnung vor der Kon taktierung der Kontaktstelle, welche der Gehäuseöffnung zuge ordnet ist. Die Gehäuseöffnung kann beispielsweise zylin drisch ausgeführt sein und senkrecht zu dem Halbleiterplätt chen angeordnet sein. Falls zwischen der Kontaktstelle des Halbleiterplättchens und dem Gehäuse, beispielsweise einem Kunststoffgehäuse, weiterer Schichten wie beispielsweise Pas sivierungsschichten vorgesehen sind, so können diese eben falls entfernt werden.In a further preferred embodiment of the invented The inventive method is in a housing of the semiconductor Component manufactured a housing opening. Selbstverständ Lich creates a housing opening in front of the con clocking the contact point, which the housing opening is arranged. The housing opening can, for example, zylin drisch be executed and perpendicular to the semiconductor die Chen be arranged. If between the contact point of the Semiconductor wafer and the housing, for example one Plastic housing, other layers such as Pas sivierungsschichten are provided, they can just if removed.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird eine Führungsvorrichtung zum Führen des Kontaktdrahtes in die Gehäuseöffnung des Halbleiter-Bauelementes eingeführt. Die Führungsvorrichtung kann beispielsweise ein Röhrchen zur Aufnahme des Kontaktdrahtes sein. Die Überwachung der Kontak tierung mit dem Meßgerät kann bereits während des Einführens des Kontaktdrahtes in die Gehäuseöffnung mittels der Füh rungsvorrichtung erfolgen. Nach der überwachten, erfolgrei chen Kontaktierung des Kontaktdrahtes mit der Kontaktstelle kann die Führungsvorrichtung wieder entfernt werden.In a further preferred embodiment of the method becomes a guide device for guiding the contact wire inserted into the housing opening of the semiconductor device. The guide device can, for example, be a tube Take up the contact wire. Monitoring the contact tation with the measuring device can already during insertion of the contact wire in the housing opening by means of the guide tion device. After the monitored, successful Chen contacting the contact wire with the contact point the guide device can be removed again.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird der Kontaktdraht nach Herstellung der elektrischen Kon taktierung an der Kontaktstelle mit einem Klebstoff fixiert. Der Klebstoff kann ein isolierender Klebstoff sein. Mit dem Klebstoff kann der Kontaktdraht beispielsweise in der Gehäu seöffnung oder am Gehäuse fixiert werden.In a further preferred embodiment of the method the contact wire after the electrical con tacting fixed at the contact point with an adhesive. The adhesive can be an insulating adhesive. With the The contact wire can glue, for example, in the housing or the housing.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird eine Positionsbestimmung zur Erfassung der Position der Kontaktstelle des Halbleiter-Bauelementes durchgeführt. Das bereits beschriebene Öffnen des Gehäuses kann nach Bestimmung der Position der zu kontaktierenden Kontaktstelle erfolgen.In a further preferred embodiment of the invention will determine the position of the position of the Contact point of the semiconductor device performed. The opening of the housing already described can be determined the position of the contact point to be contacted.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird das Halbleiter-Bauelement auf einer Trägerplatte befe stigt. Die Trägerplatte kann beispielsweise ein Trägermodul sein, wie es in Fertigungsprozessen vorgesehen ist, oder bei spielsweise eine gedruckte Leiterplatte sein.In a further preferred embodiment of the method the semiconductor component is mounted on a carrier plate Stigt. The carrier plate can, for example, be a carrier module be as intended in manufacturing processes, or at for example, a printed circuit board.

In einer weiteren, bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wird die Trägerplatte an einer Testvorrichtung befestigt. Da bei können zugleich ein oder mehrere elektrische Kontakte, beispielsweise zum Zuführen einer Referenzspannung oder zum Programmieren von Test-Betriebsarten, kontaktiert werden.In a further preferred embodiment of the method the carrier plate is attached to a test device. because with one or more electrical contacts, for example for supplying a reference voltage or for Programming test modes, can be contacted.

Weitere Einzelheiten der Erfindung sind in den Unteransprü chen angegeben.Further details of the invention are in the dependent claims Chen specified.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand von Ausführungsbeispie len an mehreren Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The invention is described below with reference to exemplary embodiments len explained in more detail in several drawings. Show it:

Fig. 1 eine schematische Ansicht einer beispielhaften Aus führungsform der Anordnung und Fig. 1 is a schematic view of an exemplary embodiment of the arrangement and

Fig. 2 einen Ausschnitt aus der Anordnung gemäß Fig. 1 mit einer Führungsvorrichtung. Fig. 2 shows a section of the arrangement of FIG. 1 with a guide device.

Fig. 1 zeigt ein Halbleiter-Bauelement 1, welches auf einer Trägerplatte 2 angeordnet ist. Die Trägerplatte 2 ist an ei ner Testvorrichtung 3 befestigt. Weiterhin ist an dem Halb leiter-Bauelement 1 und der Trägerplatte 2 eine Kontaktklemme 4 an der der Testvorrichtung 3 gegenüberliegenden Seite der Trägerplatte 2 befestigt. Zwischen einem Anschluß 5 der Kontaktklemme 4 und der Testvorrichtung 3 ist ein Spannungs- Meßgerät 6 angeschlossen. Zur Zuführung einer Versorgungs spannung weist die Testvorrichtung 3 Versorgungsspannungsan schlüsse 7, 8 auf. Fig. 1 shows a semiconductor device 1, which is arranged on a support plate 2. The carrier plate 2 is attached to a test device 3 . Furthermore, a contact terminal 4 is attached to the semiconductor device 1 and the carrier plate 2 on the opposite side of the test device 3 of the carrier plate 2 . A voltage measuring device 6 is connected between a connection 5 of the contact terminal 4 and the test device 3 . To supply a supply voltage, the test device has 3 supply voltage connections 7 , 8 .

Das Halbleiter-Bauelement 1 umfaßt ein Halbleiterplättchen 9, welches von einem Kunststoff-Gehäuse 10 umschlossen ist. Das Gehäuse 10 weist eine Gehäuseöffnung 11 auf, welche eine Kon taktstelle 12 des Halbleiterplättchens 9 von außen zugänglich macht. Zwischen Kontaktstelle 12 und Kontaktklemme 4 ist ein Kontaktierdraht 13 angeschlossen. Der Kontaktierdraht 13 ist mit einem isolierenden Klebstoff 14 am Gehäuse 10 fixiert.The semiconductor component 1 comprises a semiconductor chip 9 , which is enclosed by a plastic housing 10 . The housing 10 has a housing opening 11 , which makes a contact point 12 of the semiconductor die 9 accessible from the outside. A contact wire 13 is connected between contact point 12 and contact terminal 4 . The contact wire 13 is fixed to the housing 10 with an insulating adhesive 14 .

Mit der Kontaktklemme 4, welche mit einem Anschluß des Kon taktierdrahtes 13 verbunden ist, ist gewährleistet, daß die Kontaktstelle 12 dauerhaft und mechanisch belastbar kontak tiert ist. Somit ist es möglich, das mit Kontaktklemme 4 ver bundene Halbleiter-Bauelement 1 von einer Testvorrichtung 3 in eine andere umzustecken.With the contact terminal 4 , which is connected to a connection of the contact wire 13 , it is ensured that the contact point 12 is permanently and mechanically resiliently contact. It is thus possible to connect the semiconductor component 1 connected to contact terminal 4 from one test device 3 to another.

Das Gehäuse 10 des Halbleiter-Bauelementes 1 ist nur lokal an der Kontaktstelle 12 geöffnet, wobei die Gehäuseöffnung 11, welche zylindrisch ausgeführt ist, einen Durchmesser von 100 µm aufweist. Hierdurch ist sichergestellt, daß die die lektrischen Eigenschaften des Halbleiter-Bauelementes beson ders realitätsnah sind. Ein zum nachträglichen Kontaktieren von Pads übliches, großflächiges Abtragen des Gehäuses mit den damit verbundenen Nachteilen der Veränderung der dielek trischen Eigenschaften des Halbleiter-Bauelementes ist dabei vermieden.The housing 10 of the semiconductor component 1 is only opened locally at the contact point 12 , the housing opening 11 , which is cylindrical, has a diameter of 100 μm. This ensures that the dielectric properties of the semiconductor component are particularly realistic. A usual subsequent contact of pads, large-scale removal of the housing with the associated disadvantages of changing the dielectric properties of the semiconductor device is avoided.

Mit einem isolierenden Klebstoff 14, der als Epoxidharz aus geführt ist, ist die Kontaktierung des Kontaktdrahtes 13 fi xiert. Diese Kontaktierung kann mit dem Meßgerät 6 überwacht werden, wobei zum Schließen eines Stromkreises in üblicher Weise eine Kontaktierung zwischen Trägerplatte 2 und Testvor richtung 3 vorgesehen ist.With an insulating adhesive 14 , which is performed as an epoxy resin, the contacting of the contact wire 13 is fi xed. This contacting can be monitored with the measuring device 6 , contacting between the carrier plate 2 and Testvor device 3 being provided in the usual way for closing a circuit.

Somit ist das Meßgerät 6 mit einem Anschluß über Kontaktklem me 4 und Kontaktierdraht 13 mit der zu kontaktierenden Kon taktstelle 12 und mit einem weiteren Anschluß über die Test vorrichtung 3 und die Trägerplatte 2 mit einer festgelegten Spannung an dem Halbleiter-Bauelement 1 verbunden, beispiels weise positive oder negative Versorgungsspannung. Die be schriebene Anordnung ermöglicht ein sicheres Kontaktieren der Kontaktstelle 12 des Halbleiter-Bauelementes 1 sowie eine Überwachung der sicheren Kontaktierung während des Kontaktie rens selbst sowie während eines Fixierens mit Klebestoff 14. Im Anschluß an die Kontaktierung können mit der Testvorrich tung 3 beispielsweise verschiedene Test-Betriebsarten pro grammiert werden. Dabei kann an der Kontaktstelle 12 entweder mit Kontaktierdraht 13 eine gewünschte Spannung oder ein ge wünschter Strom eingeprägt werden oder es können an der Kon taktstelle 12 Spannungspegel oder Signalverläufe überwacht werden, wenn beispielsweise zuvor das Halbleiter-Bauelement 1 beziehungsweise dessen auf dem Halbleiterplättchen 9 inte grierte Schaltung mit der Testvorrichtung 3 in bestimmte, Test-Betriebsarten versetzt ist.Thus, the measuring device 6 with a connection via Kontaktklem me 4 and contact wire 13 with the contact point 12 to be contacted Kon and with a further connection via the test device 3 and the carrier plate 2 with a fixed voltage on the semiconductor component 1 , for example, connected positive or negative supply voltage. The described arrangement enables a safe contacting of the contact point 12 of the semiconductor component 1 and a monitoring of the safe contacting during the contacting itself and also during a fixing with adhesive 14 . Following the contacting can be programmed with the Testvorrich device 3, for example, different test modes. In this case, a desired voltage or a ge wünschter current can be impressed at the contact point 12 with either bonding wire 13 or it may timing location 12 voltage levels or waveforms are monitored at the Kon, when, for example before the semiconductor device 1 or its inte on the semiconductor wafer 9 grated Circuit with the test device 3 is set in certain test modes.

Insgesamt ermöglicht die beschriebene Vorrichtung eine siche re Kontaktierung eines internen Anschlusses eines Chips zum Testen des Chips oder Halbleiter-Bauelementes unter reali tätsnahen Bedingungen.Overall, the device described enables a safe re contacting an internal connection of a chip to the Testing the chip or semiconductor device under reali realistic conditions.

Fig. 2 zeigt einen Ausschnitt aus Fig. 1 in einem Verfah rensschritt, bei dem der Kontaktierdraht 13 mit einer als Röhrchen ausgebildeten Führungsvorrichtung 15 in eine Gehäu seöffnung 11 des Halbleiter-Bauelementes mit Gehäuse 10 und Halbleiterplättchen 9 eingesetzt wird. Das Röhrchen 15 dient dabei zur Stabilisierung des dünnen Kontaktierdrähtchens 13. Bei der in Fig. 2 gezeigten Anordnung ist über der Kontakt stelle 12 bereits das Gehäuse entfernt, das heißt eine Gehäuseöffnung 11 gebildet. Diese ist zylindrisch ausgeführt. Die Führungsvorrichtung 15, in die der Kontaktdraht 13 bereits eingesetzt ist, wird nun so in die Gehäuseöffnung 11 einge führt, daß ein elektrischer Kontakt zwischen Kontaktierdraht 13 und Kontaktstelle 12 hergestellt wird. Hierfür ist, wie in Fig. 1 bereits gezeigt, ein weiterer Anschluß des Kontak tierdrahtes 13 mit Kontaktklemme 4 verbunden. Diese ist über Meßgerät 6 mit einer externen Referenzspannungsquelle (nicht eingezeichnet) verbunden, welche beispielsweise an die Ver sorgungsspannungsanschlüsse 7, 8 der Testvorrichtung 3 ange schlossen sein kann. Mit dem Meßgerät 6 ist während des in Fig. 2 gezeigten Kontaktiervorgangs ein Überprüfen eines si cheren Kontaktes zwischen Kontaktierdraht 13 und Kontaktstel le 12 möglich. Nachdem ein Kontakt zwischen Kontaktier draht 13 und Kontaktstelle 12 hergestellt ist und mit dem Meßgerät 6 überprüft ist, wird die Führungsvorrichtung 15 ab gehoben, während zugleich unter Zuhilfenahme des Meßgerätes 6 darauf geachtet, daß zwischen Kontaktierdraht 13 und Kontakt stelle 12 ein elektrischer Kontakt bestehen bleibt. Anschlie ßend kann mit einem isolierenden Klebstoff 14 der Kontaktier draht 13 in der Gehäuseöffnung 11 und damit elektrisch an der Kontaktstelle 12 fixiert werden. Auch hierbei kann ständig, mit Meßgerät 6 die zuverlässige Kontaktierung überwacht wer den. Nach Verfestigung des Klebstoffes 14 kann die Führungs vorrichtung 15 entfernt werden. Das in Fig. 2 nicht darge stellte weitere, freie Ende des Kontaktierdrahtes 13 wird an schließend elektrisch und mechanisch mit Kontaktklemme 4, beispielsweise in einem Lötvorgang, verbunden. Die Kontakt klemme 4 kann dabei beispielsweise elektrisch isoliert an Trägerplatte 2 oder dem Halbleiter-Bauteil 1 befestigt sein, beispielsweise durch mechanisches Anklemmen oder in einem Klebevorgang. Nach diesem Verfahrensschritt können an Kon taktklemme 4 weitere Geräte, wie beispielsweise Meßgerät 6 angeschlossen und auch ausgewechselt werden, ohne die Kontak tierung zwischen Kontaktierdraht 13 und Kontaktstelle 12 zu beanspruchen oder zu gefährden. Fig. 2 shows a section of Fig. 1 in a procedural step, in which the contact wire 13 is used with a guide device 15 designed as a tube in a housing seöffnung 11 of the semiconductor device with housing 10 and semiconductor die 9 is used. The tube 15 serves to stabilize the thin contact wire 13 . In the arrangement shown in FIG. 2, the housing is already removed via the contact 12 , that is to say a housing opening 11 is formed. This is cylindrical. The guide device 15 , in which the contact wire 13 is already inserted, is now inserted into the housing opening 11 in such a way that an electrical contact is made between the contact wire 13 and the contact point 12 . For this, as already shown in Fig. 1, a further connection of the contact animal wire 13 is connected to the contact terminal 4 . This is connected via measuring device 6 to an external reference voltage source (not shown) which, for example, can be connected to the supply voltage connections 7 , 8 of the test device 3 . With the measuring device 6 during the contacting process shown in FIG. 2, a check of a safe contact between the contacting wire 13 and the contact point 12 is possible. After contact between contactor wire 13 and contact point 12 is made and is checked with the measuring device 6, the guiding device 15 is lifted, while at the same time with the aid of the measuring device 6 taken that point between the bonding wire 13 and contact 12 remains in electrical contact , Subsequently, the contact wire 13 can be fixed in the housing opening 11 and thus electrically at the contact point 12 with an insulating adhesive 14 . Here too, reliable contacting can be monitored with measuring device 6 . After the adhesive 14 has solidified, the guide device 15 can be removed. The not shown in Fig. 2 presented further, free end of the contact wire 13 is finally electrically and mechanically connected to contact terminal 4 , for example in a soldering process. The contact terminal 4 can be fastened, for example, in an electrically insulated manner to the carrier plate 2 or the semiconductor component 1 , for example by mechanical clamping or in an adhesive operation. After this step of the method, further devices such as measuring device 6 can be connected to contact terminal 4 and also replaced without stressing or endangering the contact between contact wire 13 and contact point 12 .

Es liegt im Rahmen der Erfindung, je nach Anwendungsfall die im Ausführungsbeispiel beschriebene Reihenfolge der Verfah rensschritte an die jeweiligen Erfordernisse anzupassen.It is within the scope of the invention, depending on the application order of the procedure described in the exemplary embodiment adapt the steps to the respective requirements.

Mit der beschriebenen Anordnung und dem beschriebenen Verfah ren ist auch bei kleinen Gehäuseöffnungen 11, welche ledig lich einen lokalen Zugang zu einer Kontaktstelle 12, und da mit eine realitätsnahe Prüfung ermöglichen, ohne die dielek trischen Eigenschaften des Halbleiter-Bauelementes stark zu verändern, ein sicheres Kontaktieren gewährleistet. Dabei kann mit einem Meßgerät 6 ständig oder nur während, vor oder nach einzelnen Verfahrensschritten der sichere Kontakt zwi schen Kontaktierdraht 13 und Kontaktstelle 12 überwacht wer den.With the arrangement described and the procedure described, even with small housing openings 11 , which only provide local access to a contact point 12 , and thus enable realistic testing without greatly changing the dielectric properties of the semiconductor component, it is a safe one Contact guaranteed. It can be monitored with a measuring device 6 constantly or only during, before or after individual process steps, the secure contact between contact wire 13 and contact point 12 who the.

Claims

1. Arrangement with a semiconductor component ( 1 ) and a test device ( 3 ), comprising
the test device ( 3 ), which has connections for supplying a supply voltage ( 7 , 8 ),
the semiconductor component ( 1 ), which has a housing ( 10 ) with a housing opening ( 11 ) and is coupled to the test device ( 3 ),
a contact terminal ( 4 ) which is attached to the semiconductor component ( 1 ) and a connection for electrical contact tion of the contact terminal ( 4 ) with the semiconductor component ( 1 ) through the housing opening ( 11 ) of the housing ( 10 ) , and
a measuring device ( 6 ) which is connected with a connection with the Testvor direction ( 3 ) and with a further connection with the contact terminal ( 4 ).

2. Arrangement according to claim 1, characterized in that the semiconductor component ( 1 ) comprises a semiconductor chip ( 9 ), which is enclosed by the housing ( 10 ).

3. Arrangement according to claim 2, characterized in that the semiconductor chip ( 9 ) has a contact point ( 12 ).

4. Arrangement according to claim 3, characterized in that the housing opening ( 11 ) enables electrical contacting of the contact point ( 12 ) with the contact terminal ( 4 ) by means of a contact wire ( 13 ).

5. Arrangement according to claim 4, characterized in that the housing opening ( 11 ) has a diameter which is ner or equal to 115 microns.

6. Arrangement according to one of claims 1 to 5, characterized in that the measuring device ( 6 ) is a voltage measuring device.

7. Arrangement according to one of claims 1 to 6, characterized in that the semiconductor component ( 1 ) has a connection which is coupled to the supply device with the test device ( 3 ) for supplying the supply voltage.

8. Arrangement according to one of claims 1 to 7, characterized in that a carrier plate ( 2 ) is provided on which the semiconductor component ( 1 ) is attached and which is attached to the test device ( 3 ).

9. Arrangement according to claim 8, characterized in that the test device ( 3 ) and the carrier plate ( 2 ) each have a differently assigned component of an electrical plug connection ( 16 ).

10. Method for contacting a semiconductor component ( 1 ) for test purposes, with the following method steps:

- Attaching a connection of a contact wire ( 13 ) to a contact point ( 12 ) of the semiconductor component ( 1 ) and producing an electrical contact and
- Monitoring the contact with a measuring device ( 6 ).

11. The method according to claim 10, characterized in that a contact terminal ( 4 ) on the semiconductor component ( 1 ) BEFE Stigt and a further connection of the contact wire ( 13 ) to the contact terminal ( 4 ) is connected.

12. The method according to claim 10 or 11, characterized in that a housing opening ( 11 ) is produced in a housing ( 10 ) of the semiconductor component ( 1 ).

13. The method according to claim 12, characterized in that a guide device ( 15 ) is inserted into the housing opening ( 11 ) of the semiconductor component ( 1 ) for guiding the contact wire ( 13 ).

14. The method according to any one of claims 10 to 13, characterized in that the contact wire ( 13 ) is fixed after manufacture of the electrical contacting Kon at the contact point ( 12 ) with an adhesive ( 14 ).

15. The method according to any one of claims 10 to 14, characterized in that a position determination for detecting the position of the contact point ( 12 ) of the semiconductor component ( 1 ) is carried out.

16. The method according to any one of claims 10 to 15, characterized in that the semiconductor component ( 1 ) on a carrier plate ( 2 ) be fastened.

17. The method according to claim 16, characterized in that the carrier plate ( 2 ) is attached to a test device ( 3 ).