DE10110624B4 - Integrated memory with several memory areas - Google Patents
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Abstract
Integrierter Speicher mit den Merkmalen:
ein erster (1) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen dritten (11) Datenbus mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist, und ein zweiter (2) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen vierten Datenbus (12) mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist;
eine Dateneingangsschaltung (10), über die ein Datum an den dritten (11) und vierten (12) Datenbus anlegbar ist;
eine Auswahleinrichtung (14, 15), die eine erste (14) und zweite (15) Auswahlschaltung umfaßt, die Auswahleinrichtung (14, 15) zwischen dem Datenbus (11, 12) und dem ersten (1) und dem zweiten (2) Speicherbereich angeordnet ist, wobei die erste Auswahlschaltung (14) mit dem ersten (1) Speicherbereich und die zweite (15) Auswahlschaltung mit dem zweiten (2) Speicherbereich verbunden sind und in unmittelbarer Nähe zu dem ersten (1) und zweiten (2) Speicherbereich angeordnet sind;
– Treibervorrichtungen (3, 4), die zwischen der ersten (14) und zweiten (15) Auswahlschaltung...Integrated memory with the features:
a first (1) memory area writable via a connected third (11) data bus having a datum to a predetermined address, and a second (2) memory area communicating via a connected fourth databus (12) with a datum to a predetermined address is writable;
a data input circuit (10) via which a data can be applied to the third (11) and fourth (12) data buses;
selecting means (14, 15) comprising first (14) and second (15) selecting circuits, said selecting means (14, 15) between said data bus (11, 12) and said first (1) and second (2) storage areas wherein the first selection circuit (14) is connected to the first (1) memory area and the second (15) selection circuit is connected to the second (2) memory area and arranged in close proximity to the first (1) and second (2) memory areas are;
- Driver devices (3, 4), which between the first (14) and second (15) selection circuit ...
Description
Die Erfindung betrifft einen integrierten Speicher mit einer Auswahlschaltung für mehrere Speicherbereiche.The The invention relates to an integrated memory with a selection circuit for several storage areas.
Integrierte Speicher weisen üblicherweise Speicherzellen auf, die in einer Matrix angeordnet sind und über Zeilen- und Spaltenleitungen angesprochen werden können. Über Zeilenadressen kann auf die Zeilenleitungen und über Spaltenadressen auf die Spaltenleitungen zugegriffen werden. Dazu wird die Spaltenadresse mit Hilfe eines Adressdecoders verarbeitet. Der Adressdecoder wählt diejenigen Spaltenleitungen aus, an denen sich die adressierten Speicherzellen befinden, in die ein angelegtes Datum hineingeschrieben werden soll.integrated Memory usually have memory cells which are arranged in a matrix and via row and column lines can be addressed. About line addresses can on the row lines and over column addresses on the Column lines are accessed. This is the column address processed using an address decoder. The address decoder selects those column lines from where the addressed memory cells are located, in an entered date should be written into it.
Bei besonders schnellen Speicherbausteinen werden Daten zum Schreiben synchron zu einem externen Takt an den Speicher angelegt, wobei Daten mit jeder steigenden und mit jeder fallenden Flanke in den Speicherbaustein übertragen werden. Dadurch kann die Datenrate gegenüber den früher üblichen Verfahren (einer Übertragung von Daten nur bei jeder steigenden bzw. fallenden Flanke) verdoppelt werden (Double-Datarate-Technologie).at especially fast memory devices become data for writing applied to the memory synchronously with an external clock, with data transferred to the memory module with every rising edge and every falling edge become. As a result, the data rate compared to the previously common method (a transmission of data only on each rising or falling edge) become (Double Datarate technology).
Bei diesen schnellen integrierten Speichern ist vorgesehen, Daten mit geraden Adressen, d. h. Adressen bei denen der Adresswert geradzahlig ist, in einen ersten Speicherbereich und Daten mit ungeraden Adressen, d. h. Adressen, bei denen der Adresswert ungeradzahlig ist, in einen zweiten Speicherbereich zu schreiben. Bei einer binären Darstellung der jeweiligen Adresse bestimmt somit das niederwertigste Adressbit, ob es sich um eine gerade oder ungerade Adresse handelt.at This fast integrated memory is provided with data even addresses, d. H. Addresses where the address value is even is, in a first memory area and data with odd addresses, d. H. Addresses in which the address value is odd, into one write second memory area. In a binary representation the respective address thus determines the least significant address bit, whether it is an odd or even address.
Daten und Adressen werden an den integrierten Speicher im Wesentlichen gleichzeitig angelegt, so dass eine anliegende Adresse die Startadresse für das gleichzeitig angelegte Datum oder die Startadresse für mehrere Daten (z. B. bei einem Burst-Zugriff) angibt. Es kommt jedoch vor, dass es zwischen Adressen und Daten einen zeitlichen Versatz gibt. Aus diesem Grunde wird ein interner Takt für den integrierten Speicher vorgesehen, mit dessen Hilfe Adressen und Daten zeitgleich im Speicherbaustein zur Verfügung gestellt werden können. Da Adressen und Daten aufgrund der räumlichen Distanz der externen Anschlüsse an verschiedenen Stellen an den integrierten Speicher angelegt werden, spielen insbesondere bei hohen Datenübertragungsraten die Signallaufzeiten innerhalb der integrierten Schaltung eine wesentliche Rolle.dates and addresses are essentially sent to the integrated memory created simultaneously, so that an appending address is the starting address for the simultaneously created date or the starting address for several Data (eg in case of burst access). It happens, however, that there is a time offset between addresses and data. For this reason, an internal clock for the integrated memory provided, with the help of addresses and data at the same time in the memory module to disposal can be made. Because addresses and data are due to the spatial distance of the external connections be applied to the integrated memory in various places, play the signal propagation times, especially at high data rates within the integrated circuit an essential role.
Es ist Aufgabe der Erfindung, einen integrierten Speicher vorzusehen, bei dem die Auswahl des Speicherbereichs für gerade und ungerade Adressen verbessert wird, insbesondere bei dem der negative Einfluss der Signallaufzeiten innerhalb der integrierten Schaltung reduziert wird.It It is an object of the invention to provide an integrated memory, where the selection of the storage area for even and odd addresses improves is, especially in the case of the negative influence of the signal propagation times is reduced within the integrated circuit.
Diese Aufgabe wird durch den integrierten Speicher nach Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden in den abhängigen Ansprüchen angegeben.These The object is achieved by the integrated memory according to claim 1. Further advantageous embodiments are given in the dependent claims.
Erfindungsgemäß ist ein integrierter Speicher mit einem ersten Speicherbereich und einem zweiten Speicherbereich vorgesehen, die über einen angeschlossenen Datenbus mit einem Datum an einer vorgegebenen Adresse beschreibbar sind. Das Datum kann über eine Dateneingangsschaltung an den Datenbus angelegt werden. Zwischen dem Datenbus und dem ersten Speicherbereich und zwischen dem Datenbus und dem zweiten Speicherbereich ist eine Auswahleinrichtung angeordnet, um jeweils abhängig von der angelegten Adresse das Datum an den ersten oder den zweiten Speicherbereich anzulegen.According to the invention is a integrated memory having a first memory area and a second memory area Memory area provided over a connected data bus with a date at a given Address are writable. The date can be via a data input circuit be created on the data bus. Between the data bus and the first Memory area and between the data bus and the second memory area a selection device is arranged to be dependent on the created address the date to the first or the second Create storage area.
Der Vorteil dieses integrierten Speichers besteht darin, dass mehr Zeit für die Decodierung der Adresse und für die Über tragung der Adresse zu dem jeweiligen Speicherbereich zur Verfügung gestellt werden kann, da die Auswahl, welches Datum in den jeweiligen Speicherbereich geschrieben wird, bei jeder Treibervorrichtung einzeln erfolgt.Of the Advantage of this integrated memory is that more time for the Decode the address and for the transfer the address to the respective memory area are made available can, since the selection, which date in the respective memory area is written individually with each driver device.
Erfindungsgemäß ist weiterhin vorgesehen, dass an der Auswahlschaltung, die die auf dem Datenbus anliegenden Daten dem jeweiligen Speicherbereich zuweist, das niederwertigste Adressbit der Adresse vor den Daten anliegt, damit die Daten korrekt zugeordnet werden können. Da nach der Synchronisation die Daten eine gewisse Laufzeit bis zum jeweiligen Speicherbereich benötigen, werden die Auswahlschaltungen in die Nähe der jeweiligen Speicherbereiche platziert. Auf diese Weise steht den Adresssignalen, insbesondere des niederwertigsten Adressbits, mehr Zeit zur Verfügung, um an die Auswahlschaltung zu gelangen, bevor die der Adresse zugeordneten Daten die Auswahlschaltung erreichen.According to the invention is still provided that at the selection circuit, which is on the data bus Assigning data to the respective memory area, the least significant Address bit of the address before the data is applied, so that the data is correct can be assigned. Since after synchronization the data has a certain runtime until to the respective memory area, the selection circuits in the vicinity placed in the respective memory areas. In this way stands the Address signals, in particular the least significant address bit, more Time available, to get to the selection circuit before the address assigned to the address Data reach the selection circuit.
Erfindungsgemäß ist weiterhin vorgesehen, dass die Auswahleinrichtung Auswahlschaltungen aufweist, die unmittelbar vor einem zugehörigen Speicherbereich angeordnet ist, um zwischen dem Schalten der Auswahlschaltung und dem Schreiben in den Speicherbereich einen möglichst geringen Zeitversatz zu haben.According to the invention is still provided that the selection device has selection circuits, immediately before an associated memory area is arranged to switch between the selection circuit and the writing in the memory area the smallest possible time offset to have.
Beim Anlegen der Daten über die Eingangsschaltung relativ zum externen Taktsignal ist ein zeitlicher Versatz gegeben, d. h. die Daten kommen um bis zu einem Viertel der Taktperiode früher oder später. Die Adresse liegt jedoch immer mit der steigenden Flanke des externen Taktsignals an. Häufig werden Daten in einem sogenannten Burst-Zugriff geschrieben, bei dem eine Startadresse angelegt wird, von der aus beginnend die nachfolgend übertragenen Daten in einen zusammenhängenden Speicherabschnitt geschrieben werden. Im integrierten Speicher werden dann die nacheinander übertragenen Daten in den ersten bzw. zweiten Speicherbereich für die geraden Adressen bzw. die ungeraden Adressen und danach in den zweiten bzw. ersten Speicherbereich für die ungeraden Adressen bzw. geraden Adressen u. s. w. geschrieben.When applying the data via the input circuit relative to the external clock signal, there is a time offset, ie the data comes up to a quarter of the clock period sooner or later. However, the address is always with the rise the edge of the external clock signal. Frequently, data is written in a so-called burst access in which a start address is applied, from which the subsequently transmitted data is written into a contiguous memory section starting from. In the integrated memory, the successively transmitted data are then written in the first and second memory areas for the even addresses and the odd addresses, respectively, and then in the second and first memory areas for the odd addresses and so on.
Versucht man nun direkt mit dem niederwertigsten Adressbit der Adresse, die vorzugsweise mit einer steigenden Flanke des internen Taktes anliegt, die Entscheidung darüber zu treffen, ob das jeweilige Datum in den geraden oder ungeraden Speicherbereich geschrieben werden soll, so entstehen Probleme aufgrund des zeitlichen Versatzes der anliegenden Daten. Insbesondere ist dies dann der Fall, wenn mit aufeinander folgenden Flanken des Taktsignals verschiedene Adressen übergeben werden. Aus diesem Grunde werden die externen Daten zuerst bezüglich einem internen Taktsignal synchronisiert. Nach der Synchronisation stehen Daten und Adresse zwar zueinander synchronisiert zur Verfügung, die Daten und die Adressen liegen jedoch an verschiedenen Stellen in dem integrierten Speicher vor.Tries one now directly with the least significant address bit of the address, the preferably with a rising edge of the internal clock is applied, the Decision about it to make sure that the respective date is in even or odd Memory area should be written, so problems arise due to the temporal offset of the applied data. In particular this is the case when with successive edges of the clock signal different Handing over addresses become. For this reason, the external data is first regarding a internal clock signal synchronized. Stand after the synchronization Although data and address are synchronized to each other, the data is available however, the addresses are in different places in the integrated one Memory in front.
Die Erfindung wird im Folgenden anhand der folgenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The The invention will be explained in more detail below with reference to the following drawings. It demonstrate:
Die
Speicherzellen sind in den Speicherbereichen
Zum
Treiben der Spaltenleitungen sind für den ersten Speicherbereich
Um
die zu schreibenden Daten an die adressierten Spaltenleitungen anzulegen,
ist die erste Treibervorrichtung
Der
integrierte Speicher stellt ein internes Taktsignal zur Verfügung. Die
Eingangsschaltung
Der
dritte Datenbus
Üblicherweise
befinden sich in einem integrierten Speicher eine Vielzahl von Speicherbereichen,
die mit jeweils einer Treibervorrichtung versehen sind. Aufgrund
der Größe der Speicherbereiche liegen
die Treibervorrichtungen mit einiger Entfernung auseinander, so
dass die Datenbusse zum Zuführen
der jeweils zu schreibenden Daten an die Speicherbereiche sehr verzweigt
sind. Das macht es üblicherweise
notwendig, dass die Auswahlschaltung
Ebenso
wie in
Erfindungsgemäß werden
nun der dritte Datenbus
Beträgt der Wert
des Adressbits A0 ”0”, so liegt
die erste Auswahleinrichtung
Der
erste Adressdecoder
Damit
ein Schreibvorgang in die Speicherbereiche
Da
die Auswahlschaltung
Die
erfindungsgemäße Schaltung
sieht nun vor, die zeitliche Bedingung zu entspannen, und die Zeitdauer,
die zur Verfügung
steht, um das niederwertigste Adressbit A0 an die jeweilige Auswahlschaltung
Das
kritische Timing ergibt sich also daraus, dass das niederwertigste
Adressbit vor den Daten an der jeweiligen Auswahlschaltung anzulegen
ist, so dass das jeweils richtige Datum des dritten Datenbusses
- 11
- Speicherbereichstorage area
- 22
- Speicherbereichstorage area
- 33
- erste Treibervorrichtungfirst driving device
- 44
- zweite Treibervorrichtungsecond driving device
- 55
- erster Adressdecoderfirst address decoder
- 66
- zweiter Adressdecodersecond address decoder
- 77
- erster Datenbusfirst bus
- 88th
- zweiter Datenbussecond bus
- 99
- Datenkanaldata channel
- 1010
- Eingangsschaltunginput circuit
- 1111
- dritter Datenbusthird bus
- 1212
- vierter Datenbusfourth bus
- 1313
- Auswahlvorrichtungselector
- 1414
- erste Auswahlvorrichtungfirst selector
- 1515
- zweite Auswahlvorrichtungsecond selector
- 1616
- AdresseingangsschaltungAddress input circuit
- A1–ANA1-AN
- Adressbitsaddress bits
- A1A1
- niederwertigstes Adressbitleast significant address bit
- DQDQ
- Datendates
Claims (3)
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001110624 DE10110624B4 (en) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Integrated memory with several memory areas |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001110624 DE10110624B4 (en) | 2001-03-06 | 2001-03-06 | Integrated memory with several memory areas |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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DE10110624A1 DE10110624A1 (en) | 2002-09-19 |
DE10110624B4 true DE10110624B4 (en) | 2010-04-08 |
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ID=7676410
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Citations (3)
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US4849937A (en) * | 1984-12-14 | 1989-07-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Digital delay unit with interleaved memory |
US5570320A (en) * | 1994-08-16 | 1996-10-29 | Cirrus Logic, Inc. | Dual bank memory system with output multiplexing and methods using the same |
DE69515927T2 (en) * | 1994-05-20 | 2000-11-16 | Samsung Electronics Co Ltd | Broadband semiconductor memory devices |
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2001
- 2001-03-06 DE DE2001110624 patent/DE10110624B4/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
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