DE10110624B4 - Integrated memory with several memory areas - Google Patents

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Abstract

Integrierter Speicher mit den Merkmalen:
ein erster (1) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen dritten (11) Datenbus mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist, und ein zweiter (2) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen vierten Datenbus (12) mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist;
eine Dateneingangsschaltung (10), über die ein Datum an den dritten (11) und vierten (12) Datenbus anlegbar ist;
eine Auswahleinrichtung (14, 15), die eine erste (14) und zweite (15) Auswahlschaltung umfaßt, die Auswahleinrichtung (14, 15) zwischen dem Datenbus (11, 12) und dem ersten (1) und dem zweiten (2) Speicherbereich angeordnet ist, wobei die erste Auswahlschaltung (14) mit dem ersten (1) Speicherbereich und die zweite (15) Auswahlschaltung mit dem zweiten (2) Speicherbereich verbunden sind und in unmittelbarer Nähe zu dem ersten (1) und zweiten (2) Speicherbereich angeordnet sind;
– Treibervorrichtungen (3, 4), die zwischen der ersten (14) und zweiten (15) Auswahlschaltung...
Integrated memory with the features:
a first (1) memory area writable via a connected third (11) data bus having a datum to a predetermined address, and a second (2) memory area communicating via a connected fourth databus (12) with a datum to a predetermined address is writable;
a data input circuit (10) via which a data can be applied to the third (11) and fourth (12) data buses;
selecting means (14, 15) comprising first (14) and second (15) selecting circuits, said selecting means (14, 15) between said data bus (11, 12) and said first (1) and second (2) storage areas wherein the first selection circuit (14) is connected to the first (1) memory area and the second (15) selection circuit is connected to the second (2) memory area and arranged in close proximity to the first (1) and second (2) memory areas are;
- Driver devices (3, 4), which between the first (14) and second (15) selection circuit ...

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Figure 00000001

Description

Die Erfindung betrifft einen integrierten Speicher mit einer Auswahlschaltung für mehrere Speicherbereiche.The The invention relates to an integrated memory with a selection circuit for several storage areas.

Integrierte Speicher weisen üblicherweise Speicherzellen auf, die in einer Matrix angeordnet sind und über Zeilen- und Spaltenleitungen angesprochen werden können. Über Zeilenadressen kann auf die Zeilenleitungen und über Spaltenadressen auf die Spaltenleitungen zugegriffen werden. Dazu wird die Spaltenadresse mit Hilfe eines Adressdecoders verarbeitet. Der Adressdecoder wählt diejenigen Spaltenleitungen aus, an denen sich die adressierten Speicherzellen befinden, in die ein angelegtes Datum hineingeschrieben werden soll.integrated Memory usually have memory cells which are arranged in a matrix and via row and column lines can be addressed. About line addresses can on the row lines and over column addresses on the Column lines are accessed. This is the column address processed using an address decoder. The address decoder selects those column lines from where the addressed memory cells are located, in an entered date should be written into it.

Bei besonders schnellen Speicherbausteinen werden Daten zum Schreiben synchron zu einem externen Takt an den Speicher angelegt, wobei Daten mit jeder steigenden und mit jeder fallenden Flanke in den Speicherbaustein übertragen werden. Dadurch kann die Datenrate gegenüber den früher üblichen Verfahren (einer Übertragung von Daten nur bei jeder steigenden bzw. fallenden Flanke) verdoppelt werden (Double-Datarate-Technologie).at especially fast memory devices become data for writing applied to the memory synchronously with an external clock, with data transferred to the memory module with every rising edge and every falling edge become. As a result, the data rate compared to the previously common method (a transmission of data only on each rising or falling edge) become (Double Datarate technology).

Bei diesen schnellen integrierten Speichern ist vorgesehen, Daten mit geraden Adressen, d. h. Adressen bei denen der Adresswert geradzahlig ist, in einen ersten Speicherbereich und Daten mit ungeraden Adressen, d. h. Adressen, bei denen der Adresswert ungeradzahlig ist, in einen zweiten Speicherbereich zu schreiben. Bei einer binären Darstellung der jeweiligen Adresse bestimmt somit das niederwertigste Adressbit, ob es sich um eine gerade oder ungerade Adresse handelt.at This fast integrated memory is provided with data even addresses, d. H. Addresses where the address value is even is, in a first memory area and data with odd addresses, d. H. Addresses in which the address value is odd, into one write second memory area. In a binary representation the respective address thus determines the least significant address bit, whether it is an odd or even address.

Daten und Adressen werden an den integrierten Speicher im Wesentlichen gleichzeitig angelegt, so dass eine anliegende Adresse die Startadresse für das gleichzeitig angelegte Datum oder die Startadresse für mehrere Daten (z. B. bei einem Burst-Zugriff) angibt. Es kommt jedoch vor, dass es zwischen Adressen und Daten einen zeitlichen Versatz gibt. Aus diesem Grunde wird ein interner Takt für den integrierten Speicher vorgesehen, mit dessen Hilfe Adressen und Daten zeitgleich im Speicherbaustein zur Verfügung gestellt werden können. Da Adressen und Daten aufgrund der räumlichen Distanz der externen Anschlüsse an verschiedenen Stellen an den integrierten Speicher angelegt werden, spielen insbesondere bei hohen Datenübertragungsraten die Signallaufzeiten innerhalb der integrierten Schaltung eine wesentliche Rolle.dates and addresses are essentially sent to the integrated memory created simultaneously, so that an appending address is the starting address for the simultaneously created date or the starting address for several Data (eg in case of burst access). It happens, however, that there is a time offset between addresses and data. For this reason, an internal clock for the integrated memory provided, with the help of addresses and data at the same time in the memory module to disposal can be made. Because addresses and data are due to the spatial distance of the external connections be applied to the integrated memory in various places, play the signal propagation times, especially at high data rates within the integrated circuit an essential role.

Es ist Aufgabe der Erfindung, einen integrierten Speicher vorzusehen, bei dem die Auswahl des Speicherbereichs für gerade und ungerade Adressen verbessert wird, insbesondere bei dem der negative Einfluss der Signallaufzeiten innerhalb der integrierten Schaltung reduziert wird.It It is an object of the invention to provide an integrated memory, where the selection of the storage area for even and odd addresses improves is, especially in the case of the negative influence of the signal propagation times is reduced within the integrated circuit.

Diese Aufgabe wird durch den integrierten Speicher nach Anspruch 1 gelöst. Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen werden in den abhängigen Ansprüchen angegeben.These The object is achieved by the integrated memory according to claim 1. Further advantageous embodiments are given in the dependent claims.

Erfindungsgemäß ist ein integrierter Speicher mit einem ersten Speicherbereich und einem zweiten Speicherbereich vorgesehen, die über einen angeschlossenen Datenbus mit einem Datum an einer vorgegebenen Adresse beschreibbar sind. Das Datum kann über eine Dateneingangsschaltung an den Datenbus angelegt werden. Zwischen dem Datenbus und dem ersten Speicherbereich und zwischen dem Datenbus und dem zweiten Speicherbereich ist eine Auswahleinrichtung angeordnet, um jeweils abhängig von der angelegten Adresse das Datum an den ersten oder den zweiten Speicherbereich anzulegen.According to the invention is a integrated memory having a first memory area and a second memory area Memory area provided over a connected data bus with a date at a given Address are writable. The date can be via a data input circuit be created on the data bus. Between the data bus and the first Memory area and between the data bus and the second memory area a selection device is arranged to be dependent on the created address the date to the first or the second Create storage area.

Der Vorteil dieses integrierten Speichers besteht darin, dass mehr Zeit für die Decodierung der Adresse und für die Über tragung der Adresse zu dem jeweiligen Speicherbereich zur Verfügung gestellt werden kann, da die Auswahl, welches Datum in den jeweiligen Speicherbereich geschrieben wird, bei jeder Treibervorrichtung einzeln erfolgt.Of the Advantage of this integrated memory is that more time for the Decode the address and for the transfer the address to the respective memory area are made available can, since the selection, which date in the respective memory area is written individually with each driver device.

Erfindungsgemäß ist weiterhin vorgesehen, dass an der Auswahlschaltung, die die auf dem Datenbus anliegenden Daten dem jeweiligen Speicherbereich zuweist, das niederwertigste Adressbit der Adresse vor den Daten anliegt, damit die Daten korrekt zugeordnet werden können. Da nach der Synchronisation die Daten eine gewisse Laufzeit bis zum jeweiligen Speicherbereich benötigen, werden die Auswahlschaltungen in die Nähe der jeweiligen Speicherbereiche platziert. Auf diese Weise steht den Adresssignalen, insbesondere des niederwertigsten Adressbits, mehr Zeit zur Verfügung, um an die Auswahlschaltung zu gelangen, bevor die der Adresse zugeordneten Daten die Auswahlschaltung erreichen.According to the invention is still provided that at the selection circuit, which is on the data bus Assigning data to the respective memory area, the least significant Address bit of the address before the data is applied, so that the data is correct can be assigned. Since after synchronization the data has a certain runtime until to the respective memory area, the selection circuits in the vicinity placed in the respective memory areas. In this way stands the Address signals, in particular the least significant address bit, more Time available, to get to the selection circuit before the address assigned to the address Data reach the selection circuit.

Erfindungsgemäß ist weiterhin vorgesehen, dass die Auswahleinrichtung Auswahlschaltungen aufweist, die unmittelbar vor einem zugehörigen Speicherbereich angeordnet ist, um zwischen dem Schalten der Auswahlschaltung und dem Schreiben in den Speicherbereich einen möglichst geringen Zeitversatz zu haben.According to the invention is still provided that the selection device has selection circuits, immediately before an associated memory area is arranged to switch between the selection circuit and the writing in the memory area the smallest possible time offset to have.

Beim Anlegen der Daten über die Eingangsschaltung relativ zum externen Taktsignal ist ein zeitlicher Versatz gegeben, d. h. die Daten kommen um bis zu einem Viertel der Taktperiode früher oder später. Die Adresse liegt jedoch immer mit der steigenden Flanke des externen Taktsignals an. Häufig werden Daten in einem sogenannten Burst-Zugriff geschrieben, bei dem eine Startadresse angelegt wird, von der aus beginnend die nachfolgend übertragenen Daten in einen zusammenhängenden Speicherabschnitt geschrieben werden. Im integrierten Speicher werden dann die nacheinander übertragenen Daten in den ersten bzw. zweiten Speicherbereich für die geraden Adressen bzw. die ungeraden Adressen und danach in den zweiten bzw. ersten Speicherbereich für die ungeraden Adressen bzw. geraden Adressen u. s. w. geschrieben.When applying the data via the input circuit relative to the external clock signal, there is a time offset, ie the data comes up to a quarter of the clock period sooner or later. However, the address is always with the rise the edge of the external clock signal. Frequently, data is written in a so-called burst access in which a start address is applied, from which the subsequently transmitted data is written into a contiguous memory section starting from. In the integrated memory, the successively transmitted data are then written in the first and second memory areas for the even addresses and the odd addresses, respectively, and then in the second and first memory areas for the odd addresses and so on.

Versucht man nun direkt mit dem niederwertigsten Adressbit der Adresse, die vorzugsweise mit einer steigenden Flanke des internen Taktes anliegt, die Entscheidung darüber zu treffen, ob das jeweilige Datum in den geraden oder ungeraden Speicherbereich geschrieben werden soll, so entstehen Probleme aufgrund des zeitlichen Versatzes der anliegenden Daten. Insbesondere ist dies dann der Fall, wenn mit aufeinander folgenden Flanken des Taktsignals verschiedene Adressen übergeben werden. Aus diesem Grunde werden die externen Daten zuerst bezüglich einem internen Taktsignal synchronisiert. Nach der Synchronisation stehen Daten und Adresse zwar zueinander synchronisiert zur Verfügung, die Daten und die Adressen liegen jedoch an verschiedenen Stellen in dem integrierten Speicher vor.Tries one now directly with the least significant address bit of the address, the preferably with a rising edge of the internal clock is applied, the Decision about it to make sure that the respective date is in even or odd Memory area should be written, so problems arise due to the temporal offset of the applied data. In particular this is the case when with successive edges of the clock signal different Handing over addresses become. For this reason, the external data is first regarding a internal clock signal synchronized. Stand after the synchronization Although data and address are synchronized to each other, the data is available however, the addresses are in different places in the integrated one Memory in front.

Die Erfindung wird im Folgenden anhand der folgenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The The invention will be explained in more detail below with reference to the following drawings. It demonstrate:

1 einen integrierten Speicher mit einer Auswahlschaltung gemäß dem Stand der Technik; und 1 an integrated memory with a selection circuit according to the prior art; and

2 ein integrierter Speicher mit einer Auswahlschaltung nach einer Ausführungsform der Erfindung. 2 an integrated memory with a selection circuit according to an embodiment of the invention.

1 zeigt einen integrierten Speicher mit einem ersten Speicherbereich 1 für Daten mit geraden Adressen und einem zweiten Speicherbereich 2 für Daten mit ungeraden Adressen. Aufeinander folgende Adressen werden nicht in einem Speicherbereich mit zusammenhängend adressierbaren Speicherzellen, sondern in nach Geradzahligkeit oder Ungeradzahligkeit des Adresswertes unterschiedenen Speicherbereichen gespeichert. Der Grund hierfür besteht darin, dass die Schreib- und Lesegeschwindigkeit des Speichers erhöht werden kann, insbesondere, wenn Daten in aufeinander folgende Adressen geschrieben oder ausgelesen werden sollen. 1 shows an integrated memory with a first memory area 1 for data with even addresses and a second memory area 2 for data with odd addresses. Successive addresses are not stored in a memory area with contiguous addressable memory cells, but in memory areas distinguished according to the evenness or oddness of the address value. The reason for this is that the writing and reading speed of the memory can be increased, in particular when data is to be written or read out into successive addresses.

Die Speicherzellen sind in den Speicherbereichen 1, 2 so angeordnet, dass sie durch Zeilenleitungen und Spaltenleitungen adressiert werden. Die Daten werden dabei üblicherweise an die adressierte Spaltenleitung angelegt, an der sich die zu adressierende Speicherzelle befindet. Das Datum wird dann geschrieben, wenn die entsprechende Zeilenleitung aktiviert ist.The memory cells are in the memory areas 1 . 2 arranged so that they are addressed by row lines and column lines. The data is usually applied to the addressed column line at which the memory cell to be addressed is located. The date is written when the corresponding row line is activated.

Zum Treiben der Spaltenleitungen sind für den ersten Speicherbereich 1 eine erste Treibervorrichtung 3 und zum Treiben der Spaltenleitungen des zweiten Speicherbereiches 2 eine zweite Treibervorrichtung vorgesehen. Die erste und die zweite Treibervorrichtung 3, 4 sind mit einer ersten Adressdecoderschaltung 5 und einer zweiten Adressdecoderschaltung 6 verbunden. Die erste und die zweite Adressdecoderschaltung 5, 6 wählen gemäß einer Adresse A die Spaltenleitungen aus, auf denen das zu schreibende Datum anliegen soll. An dem ersten und zweiten Adressdecoder 5, 6 liegen jeweils über die Adressleitungen A1–AN die Adresse an, in die die angelegten Daten geschrieben werden sollen. Die Adressleitungen A1–AN sind mit einer Adresseingangsschaltung 16 verbunden, an der die externe Adresse A anliegt. Die erste Adressdecoderschaltung 5 und die zweite Adressdecoderschaltung 6 können auch in einer gemeinsamen Adressdecoderschaltung realisiert werden.To drive the column lines are for the first memory area 1 a first driver device 3 and driving the column lines of the second memory area 2 a second driver device is provided. The first and second driver devices 3 . 4 are with a first address decoder circuit 5 and a second address decoder circuit 6 connected. The first and second address decoder circuits 5 . 6 select according to an address A, the column lines on which the date to be written is to rest. At the first and second address decoders 5 . 6 are in each case via the address lines A1-AN to the address in which the data is to be written. The address lines A1-AN are connected to an address input circuit 16 connected to the external address A is applied. The first address decoder circuit 5 and the second address decoder circuit 6 can also be implemented in a common address decoder circuit.

Um die zu schreibenden Daten an die adressierten Spaltenleitungen anzulegen, ist die erste Treibervorrichtung 3 mit einem ersten Datenbus 7 und die zweite Treibervorrichtung 4 mit einem zweiten Datenbus 8 verbunden. Über einen Datenkanal 9 werden Datenpakete von externer Quelle an eine Eingangsschaltung 10 angelegt und Daten mit jeder steigenden und fallenden Flanke übertragen. In der Eingangsschaltung 10 werden jeweils zwei Daten, die mit der steigenden und der darauffolgenden fallenden Flanke des externen Taktsignals empfangen wurden, parallelisiert. Die Eingangsschaltung 10 legt die Daten, die bei der steigenden Flanke des Taktsignals anlie gen, auf einen dritten Datenbus 11 und die Daten, die bei einer fallenden Flanke anliegen, auf einen vierten Datenbus 12.To apply the data to be written to the addressed column lines is the first driver device 3 with a first data bus 7 and the second driver device 4 with a second data bus 8th connected. Via a data channel 9 are data packets from external source to an input circuit 10 created and transmitted data with each rising and falling edge. In the input circuit 10 In each case, two data received with the rising and the following falling edge of the external clock signal are parallelized. The input circuit 10 sets the data present at the rising edge of the clock signal to a third data bus 11 and the data present on a falling edge on a fourth data bus 12 ,

Der integrierte Speicher stellt ein internes Taktsignal zur Verfügung. Die Eingangsschaltung 10 synchronisiert die über den Datenkanal 9 empfangenen Daten zu dem internen Taktsignal. Die Adresseingangsschaltung synchronisiert die extern anliegende Adresse A ebenfalls auf den internen Takt, so dass Daten und Adressen jeweils synchron zu dem internen Taktsignal jedoch an verschiedenen Stellen des integrierten Speichers vorliegen.The integrated memory provides an internal clock signal. The input circuit 10 synchronizes over the data channel 9 received data to the internal clock signal. The address input circuit also synchronizes the externally applied address A to the internal clock, so that data and addresses are in synchronism with the internal clock signal but at different locations of the integrated memory.

Der dritte Datenbus 11 und der vierte Datenbus 12 sind mit einer Auswahlschaltung 13 verbunden. Die Auswahlschaltung hat als einen Eingang eine mit der Adresseingangsschaltung 16 verbundene Adressleitung A0, an der jeweils das niederwertigste Adressbit der aus mehreren Bits bestehenden Adresse A anliegt. Je nach Wert des niederwertigsten Adressbits werden entweder die Daten auf dem dritten Datenbus 11 auf den ersten Datenbus 7 und die Daten auf dem vierten Datenbus 12 auf den zweiten Datenbus 8 gelegt oder die Daten auf dem dritten Datenbus 11 auf den zweiten Datenbus 8 und die Daten auf dem vierten Datenbus 12 auf den ersten Datenbus 7 gelegt.The third data bus 11 and the fourth data bus 12 are with a selection circuit 13 connected. The selection circuit has as an input one with the address input circuit 16 connected address line A0, to each of which the least significant address bit of the multi-bit address A is present. Depending on the value of the least significant address bit, either the data on the third data bus 11 on the first data bus 7 and the data on the fourth data bus 12 on the second data bus 8th placed or the data on the third data bus 11 on the second data bus 8th and the data on the fourth data bus 12 on the first data bus 7 placed.

Üblicherweise befinden sich in einem integrierten Speicher eine Vielzahl von Speicherbereichen, die mit jeweils einer Treibervorrichtung versehen sind. Aufgrund der Größe der Speicherbereiche liegen die Treibervorrichtungen mit einiger Entfernung auseinander, so dass die Datenbusse zum Zuführen der jeweils zu schreibenden Daten an die Speicherbereiche sehr verzweigt sind. Das macht es üblicherweise notwendig, dass die Auswahlschaltung 13 in der Nahe der Eingangsschaltung 10 angeordnet sein muss, damit die Verzweigung der Datenbusse 7, 8 möglichst effizient durchgeführt werden kann.Usually located in an integrated memory, a plurality of memory areas, which are each provided with a driver device. Due to the size of the memory areas, the driver devices are located at some distance apart so that the data buses for supplying the respective data to be written to the memory areas are very branched. This usually makes it necessary for the selection circuit 13 near the input circuit 10 must be arranged so that the branching of the data buses 7 . 8th as efficiently as possible.

2 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen integrierten Speichers, wobei gleiche Elemente mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. 2 shows an embodiment of the integrated memory according to the invention, wherein like elements are provided with the same reference numerals.

Ebenso wie in 1 gezeigt, weist der integrierte Speicher in 2 einen ersten Speicherbereich 1 und einen zweiten Speicherbereich 2 auf. Erster und zweiter Speicherbereich 1, 2 sind mit der ersten Treibervorrichtung 3 und der zweiten Treibervorrichtung 4 verbunden. Die erste und zweite Treibervorrichtung 3, 4 sind jeweils mit einem Adressdecoder 5, 6 verbunden, an die die externe Spaltenadresse über die Adressleitungen A1–AN angelegt ist. Die in die Speicherbereiche 1, 2 zu schreibenden Daten werden über den Datenkanal 9 von der Eingangsschaltung 10 empfangen und auf den dritten Datenbus 11 und den vierten Datenbus 12 gelegt, so dass die mit der steigenden Flanke des externen Taktsignals empfangenen Daten auf dem dritten Datenbus 11 und die mit der fallenden Flanke empfangenen Daten auf den vierten Datenbus 12 gelegt werden.As well as in 1 shown, the integrated memory points in 2 a first storage area 1 and a second storage area 2 on. First and second memory area 1 . 2 are with the first driver device 3 and the second driver device 4 connected. The first and second driver devices 3 . 4 are each with an address decoder 5 . 6 to which the external column address is applied via the address lines A1-AN. The in the storage areas 1 . 2 Data to be written is via the data channel 9 from the input circuit 10 received and on the third data bus 11 and the fourth data bus 12 placed so that the data received with the rising edge of the external clock signal on the third data bus 11 and the data received with the falling edge on the fourth data bus 12 be placed.

Erfindungsgemäß werden nun der dritte Datenbus 11 und der vierte Datenbus 12 über die integrierte Speicherschaltung so verteilt, dass sie an jeder der Treiberschaltungen 3, 4 zur Verfügung stehen. Weiterhin ist nun anstelle einer gemeinsamen Auswahlschaltung 13 an der ersten Treibervorrichtung 3 eine erste Auswahlschaltung 14 und an der zweiten Treibervorrichtung 4 eine zweite Auswahlschaltung 15 vorgesehen. Die erste und die zweite Auswahlschaltung 14, 15 sind in dem integrierten Speicher sehr dicht an den jeweiligen Treibervorrichtungen 3, 4 angeordnet, so dass die Daten von den Auswahleinrichtungen 14, 15 nur mit einer geringen zeitlichen Verzögerung zu der jeweiligen Treibervorrichtung 3, 4 gelangen können. Die erste Auswahleinrichtung 14 und die zweite Auswahleinrichtung 15 sind durch das niederwertigste Adressbit auf der dafür vorgesehenen Adressleitung A0 gesteuert.According to the invention now the third data bus 11 and the fourth data bus 12 distributed over the integrated memory circuit so that it connects to each of the driver circuits 3 . 4 be available. Furthermore, instead of a common selection circuit 13 at the first driver device 3 a first selection circuit 14 and at the second driver device 4 a second selection circuit 15 intended. The first and the second selection circuit 14 . 15 are very close to the respective driver devices in the integrated memory 3 . 4 arranged so that the data from the selection devices 14 . 15 only with a slight delay to the respective driver device 3 . 4 can reach. The first selection device 14 and the second selector 15 are controlled by the least significant address bit on the designated address line A0.

Beträgt der Wert des Adressbits A0 ”0”, so liegt die erste Auswahleinrichtung 14 dem dritten Datenbus 11 an die Treiber vorrichtung 3 an und die zweite Auswahleinrichtung 15 die Daten auf den vierten Datenbus 12 an die zweite Treibervorrichtung 4 an. Beträgt der Wert des Adressbits A0 ”1”, so werden die Daten auf dem vierten Datenbus 12 über die erste Auswahleinrichtung 13 an die erste Treibervorrichtung 3 angelegt. Die Daten an dem dritten Datenbus 11 werden dann über die zweite Auswahleinrichtung 14 an die zweite Treibervorrichtung 4 angelegt. Auf diese Weise wird erreicht, dass aufeinander folgende Daten auf dem Datenkanal 9 in die beiden verschiedenen Speicherbereiche 1, 2 hineingeschrieben werden.If the value of the address bit A0 is "0", then the first selection device is located 14 the third data bus 11 to the driver device 3 on and the second selection device 15 the data on the fourth data bus 12 to the second driver device 4 at. If the value of the address bit A0 is "1", the data on the fourth data bus becomes 12 over the first selection device 13 to the first driver device 3 created. The data on the third data bus 11 are then via the second selection device 14 to the second driver device 4 created. In this way it is achieved that consecutive data on the data channel 9 in the two different memory areas 1 . 2 be written into it.

Der erste Adressdecoder 5 und der zweite Adressdecoder 6 werden über die übrigen Adressbits auf den Adressleitungen A1–A0 so angesteuert, dass gemäß einer vorbestimmten Funktion das zuerst übertragene Datum in eine durch die Adressbits angegebene Adresse entweder in den ersten Speicherbereich 1 oder den zweiten Speicherbereich 2 geschrieben wird und das darauf folgende Datum, das auf dem vierten Datenbus 12 anliegt, entweder in die logisch darauf folgende Speicheradresse oder die logisch darunter liegende Speicheradresse geschrieben wird.The first address decoder 5 and the second address decoder 6 are controlled via the remaining address bits on the address lines A1-A0 so that according to a predetermined function, the first transmitted data in an address specified by the address bits either in the first memory area 1 or the second memory area 2 is written and the following date, that on the fourth data bus 12 is present, either in the logically subsequent memory address or the logically underlying memory address is written.

Damit ein Schreibvorgang in die Speicherbereiche 1, 2 durchgeführt werden kann, müssen die Spaltenleitungen durch die jeweiligen Treibervorrichtungen 3, 4 über die entsprechenden Adressdecoder 5, 6 angesteuert werden, bevor das in dieser Speicherzelle zu speichernde Datum an der jeweiligen Treibervorrichtung 3, 4 anliegt. Dies stellt insbesondere ein Problem dar, da gemäß der Spezifikation (z. B. der Double-Datarate-Technologie) die durch die Eingangsschaltung 10 empfangenen Daten synchron zu einem externen Taktsignal empfangen werden, während die dazugehörige Adressinformation gegenüber dem externen Taktsignal um bis zu einem Viertel der Taktperiode früher oder später anliegen darf. Vor dem Hintergrund, dass in dem integrierten Speicher die externen Signale an verschiedenen Stellen zur Verfügung gestellt werden, kommt es aufgrund der dadurch notwendigen Leitungslängen zu Signallaufzeiten, die nicht vernachlässigbar sind. Damit die jewei lige Auswahlschaltung 14, 15 stets die Daten in korrekter Zuordnung auf dem durch das Adressbit A0 ausgewählten Datenbus 11, 12 an die Treibervorrichtung 3, 4 anlegt, muss das niederwertigste Adressbit A0 vor dem Eintreffen der Daten anliegen. Dies ist insbesondere dann schwierig zu realisieren, wenn die Eingangsschaltung 10 zum Empfang der externen Daten unmittelbar in der Nähe der Anschlüsse für die externen Daten angeordnet ist und aufgrund der notwendigen Verzweigungen der Datenbusse, wie in Zusammenhang mit 1 erläutert, die gemeinsame Auswahlschaltung 13 vor den notwendigen Verzweigungen in der Nähe der jeweiligen Eingangsschaltung 10 angeordnet ist. In diesem Fall muss das niederwertigste Adressbit von dem an einer anderen Stelle des integrierten Speichers angeordneten Adresseingangs über die entsprechende Adressleitung A0 zu der Auswahlschaltung 13 geführt werden, was die Laufzeit T1 benötigt. Bisher werden aus diesem Grunde die empfangenen Daten entweder in der Eingangsschaltung 10 oder kurz danach künstlich verzögert, um zu gewährleisten, dass die Auswahlschaltung 13 mit Hilfe des anliegenden niederwertigsten Adressbits so angesteuert wird, dass die Daten, die mit der steigenden Taktflanke empfangen wurden und die Daten, die mit der fallenden Taktflanke empfangen wurden, jeweils dem adressierten Speicherbereich 1, 2 zugeordnet werden.So a write to the memory areas 1 . 2 can be performed, the column lines through the respective driver devices 3 . 4 via the corresponding address decoder 5 . 6 be driven before the date to be stored in this memory cell at the respective driver device 3 . 4 is applied. In particular, this presents a problem because, according to the specification (eg, the double-data rate technology), that caused by the input circuit 10 received data in synchronism with an external clock signal, while the associated address information may be compared to the external clock signal by up to a quarter of the clock period earlier or later. Due to the fact that the external signals are made available in different places in the integrated memory, signal propagation times which are not negligible occur due to the line lengths required thereby. So that jewei time selection circuit 14 . 15 always the data in the correct assignment on the data bus selected by the address bit A0 11 . 12 to the driver device 3 . 4 applies, the least significant address bit A0 must be present before the arrival of the data. This is particularly difficult to realize when the input circuit 10 arranged to receive the external data immediately in the vicinity of the terminals for the external data and due to the necessary branches of the data buses, as related to 1 explains the common selection circuit 13 in front of the necessary branches in the vicinity of the respective input circuit 10 is arranged. In this case, the least significant address bit from the address input located at another location of the integrated memory must be supplied via the corresponding address line A0 to the selection circuit 13 be guided, which requires the term T1. So far, for this reason, the received data either in the input circuit 10 or artificially delayed shortly thereafter, to ensure that the selection circuit 13 is driven with the aid of the applied least significant address bit so that the data received with the rising clock edge and the data received with the falling clock edge, respectively the addressed memory area 1 . 2 be assigned.

Da die Auswahlschaltung 13 bei 1 in der Nähe der Eingangsschaltung 10 angeordnet ist, weisen der erste Datenbus 7 und der zweite Datenbus 8 (1) eine nicht zu vernachlässigende Länge auf, die eine bestimmte Laufzeit T2 bedingt. Frühestens liegen also die Daten an der jeweiligen Treibervorrichtung 3, 4 nach einer Zeitdauer von T1 + T2 an. Es steht dem jeweiligen Adressdecoder 5, 6 dann diese Zeitdauer T1 + T2 zur Verfügung, um die anliegenden Spaltenadressen zu decodieren und über die jeweilige Treibervorrichtung 3, 4 die entsprechenden Spaltenleitungen zu adressieren. Die Adressdecoder 5, 6 und die daran angeschlossenen Adressleitungen A1–AN haben eine Laufzeit von T3. Es ist also vorzusehen, dass die Adressdaten, insbesondere das niederwertigste Adressbit A0 an der Auswahlschaltung 13 anliegt, bevor die Daten die Eingangsschaltung 10 sowie den dritten Datenbus 11 und den vierten Datenbus 12 passiert haben. Dies ist zeitkritisch und macht es aus diesem Grunde notwendig, eine Zeitverzögerung einzuführen, mit die Daten vor Erreichen der Auswahlschaltung 13 verzögert werden können. Die zeitliche Verzögerung muss dabei mindestens T1 betragen, damit das niederwertigste Adressbit die Auswahlschaltung 13 vor den jeweiligen Daten erreicht.Because the selection circuit 13 at 1 near the input circuit 10 is arranged, the first data bus 7 and the second data bus 8th ( 1 ) has a non-negligible length, which requires a certain transit time T2. At the earliest, therefore, the data are at the respective driver device 3 . 4 after a period of T1 + T2. It is the respective address decoder 5 . 6 then this time duration T1 + T2 is available to decode the applied column addresses and via the respective driver device 3 . 4 to address the corresponding column lines. The address decoder 5 . 6 and the address lines A1-AN connected thereto have a transit time of T3. It is therefore to be provided that the address data, in particular the least significant address bit A0, is connected to the selection circuit 13 is present before the data is the input circuit 10 as well as the third data bus 11 and the fourth data bus 12 have happened. This is time critical and for this reason makes it necessary to introduce a time delay with the data before reaching the selection circuit 13 can be delayed. The time delay must be at least T1, so that the least significant address bit, the selection circuit 13 reached before the respective data.

Die erfindungsgemäße Schaltung sieht nun vor, die zeitliche Bedingung zu entspannen, und die Zeitdauer, die zur Verfügung steht, um das niederwertigste Adressbit A0 an die jeweilige Auswahlschaltung 14, 15 anzulegen, zu vergrößern. Dadurch, dass die jeweiligen Auswahlschaltungen 14, 15 in die Nähe der Treibervorrichtung 3, 4 angeordnet werden, beträgt die Laufzeit der Datensignale über den dritten Datenbus 11 und den vierten Datenbus 12 sowie durch die Eingangsschaltung 10 T2, wodurch dem Adressbit A0 mehr Zeit zur Verfügung steht, die jeweilige Auswahlschaltung 14, 15 zu erreichen. Auf eine künstliche Verzögerung der Daten z. B. in der Eingangsschaltung 10 kann u. U. sogar gänzlich verzichtet werden, wenn T2 größer als T1 ist. Es ist lediglich vorzusehen, dass anstelle einer gemeinsamen Auswahlschaltung 13, die in der Nähe der Eingangsschaltung 13 angeordnet ist, jeweils eine Auswahlschaltung 14, 15 an jeder Treibervorrichtung 3, 4 angeordnet ist.The circuit according to the invention now provides to relax the temporal condition, and the time period which is available to the least significant address bit A0 to the respective selection circuit 14 . 15 create, enlarge. Due to the fact that the respective selection circuits 14 . 15 near the driver device 3 . 4 are arranged, the transit time of the data signals over the third data bus 11 and the fourth data bus 12 as well as through the input circuit 10 T2, whereby the address bit A0 more time available, the respective selection circuit 14 . 15 to reach. On an artificial delay of the data z. B. in the input circuit 10 can u. May even be omitted entirely if T2 is greater than T1. It is only necessary to provide that instead of a common selection circuit 13 near the input circuit 13 is arranged, in each case a selection circuit 14 . 15 at each driver device 3 . 4 is arranged.

Das kritische Timing ergibt sich also daraus, dass das niederwertigste Adressbit vor den Daten an der jeweiligen Auswahlschaltung anzulegen ist, so dass das jeweils richtige Datum des dritten Datenbusses 11 und des vierten Datenbusses 12 an den entsprechenden Speicherbereich 1, 2 weitergegeben wird. Die Auswahleinrichtungen 14, 15 sind also erfindungsgemäß weiter in Richtung des Datenempfängers, d. h. des Speicherbereichs 1, 2, verschoben. Die Laufzeit der Daten wird dadurch nicht verändert, da die absolute Leitungslänge unver ändert bleibt. Insbesondere wenn die Adresssignale mit einer geringen zeitlichen Verschiebung kleiner als einem Viertel der Taktperiode später als die Datensignale anliegen, ist eine solche Anordnung vorteilhaft.The critical timing thus results from the fact that the least significant address bit is to be applied before the data at the respective selection circuit, so that the respective correct date of the third data bus 11 and the fourth data bus 12 to the corresponding memory area 1 . 2 is passed on. The selection devices 14 . 15 Thus, according to the invention, they continue in the direction of the data receiver, ie the memory area 1 . 2 , postponed. The runtime of the data is not changed as the absolute cable length remains unchanged. In particular, when the address signals are applied with a small time shift less than a quarter of the clock period later than the data signals, such an arrangement is advantageous.

11
Speicherbereichstorage area
22
Speicherbereichstorage area
33
erste Treibervorrichtungfirst driving device
44
zweite Treibervorrichtungsecond driving device
55
erster Adressdecoderfirst address decoder
66
zweiter Adressdecodersecond address decoder
77
erster Datenbusfirst bus
88th
zweiter Datenbussecond bus
99
Datenkanaldata channel
1010
Eingangsschaltunginput circuit
1111
dritter Datenbusthird bus
1212
vierter Datenbusfourth bus
1313
Auswahlvorrichtungselector
1414
erste Auswahlvorrichtungfirst selector
1515
zweite Auswahlvorrichtungsecond selector
1616
AdresseingangsschaltungAddress input circuit
A1–ANA1-AN
Adressbitsaddress bits
A1A1
niederwertigstes Adressbitleast significant address bit
DQDQ
Datendates

Claims (3)

Integrierter Speicher mit den Merkmalen: ein erster (1) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen dritten (11) Datenbus mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist, und ein zweiter (2) Speicherbereich, der über einen angeschlossenen vierten Datenbus (12) mit einem Datum an eine vorgegebene Adresse beschreibbar ist; eine Dateneingangsschaltung (10), über die ein Datum an den dritten (11) und vierten (12) Datenbus anlegbar ist; eine Auswahleinrichtung (14, 15), die eine erste (14) und zweite (15) Auswahlschaltung umfaßt, die Auswahleinrichtung (14, 15) zwischen dem Datenbus (11, 12) und dem ersten (1) und dem zweiten (2) Speicherbereich angeordnet ist, wobei die erste Auswahlschaltung (14) mit dem ersten (1) Speicherbereich und die zweite (15) Auswahlschaltung mit dem zweiten (2) Speicherbereich verbunden sind und in unmittelbarer Nähe zu dem ersten (1) und zweiten (2) Speicherbereich angeordnet sind; – Treibervorrichtungen (3, 4), die zwischen der ersten (14) und zweiten (15) Auswahlschaltung (14, 15) und dem ersten (1) und zweiten (2) Speicherbereich angeordnet sind; – Ein dritter (11) Datenbus, der zwischen der Dateneingangsschaltung (10) und der Auswahlschaltung (14) angeordnet ist, und ein vierter (12) Datenbus, der zwischen der Dateneingangsschaltung (10) und der Auswahlschaltung (15) angeordnet ist, wobei ein Datum von der Dateneingangsschaltung (10) bis zu einer der Auswahlschaltungen (14, 15) eine zweite Zeit (T2) benötigt; – Ein Adressbus (A), der zwischen der Adresseingangsschaltung (16) und der Auswahleinrichtung (14, 15) angeordnet ist, wobei ein Adressdatum innerhalb einer ersten Zeit (T1) von der Adresseingangsschaltung (16) bis zu der Auswahleinrichtung (14, 15) benötigt und daß die Länge des Datenbusses (11, 12) und die Länge des Adressbusses (A) in der Weise gewählt sind, daß die zweite Zeit (T2) größer als die erste Zeit (T1) ist.Integrated memory with the features: a first ( 1 ) Memory area connected via a third ( 11 ) Data bus with a date to a given address is writable, and a second ( 2 ) Memory area which is connected via a connected fourth data bus ( 12 ) is writable with a date to a given address; a data input circuit ( 10 ), on which a date is sent to the third ( 11 ) and fourth ( 12 ) Data bus can be applied; a selection device ( 14 . 15 ), which is a first ( 14 ) and second ( 15 ) Selection circuit, the off dialing device ( 14 . 15 ) between the data bus ( 11 . 12 ) and the first ( 1 ) and the second ( 2 ) Memory area is arranged, wherein the first selection circuit ( 14 ) with the first ( 1 ) Memory area and the second ( 15 ) Selection circuit with the second ( 2 ) Storage area are connected and in close proximity to the first ( 1 ) and second ( 2 ) Memory area are arranged; Driver devices ( 3 . 4 ), which between the first ( 14 ) and second ( 15 ) Selection circuit ( 14 . 15 ) and the first ( 1 ) and second ( 2 ) Memory area are arranged; - a third one ( 11 ) Data bus which is connected between the data input circuit ( 10 ) and the selection circuit ( 14 ), and a fourth ( 12 ) Data bus which is connected between the data input circuit ( 10 ) and the selection circuit ( 15 ), wherein a datum from the data input circuit ( 10 ) to one of the selection circuits ( 14 . 15 ) requires a second time (T2); An address bus (A) connected between the address input circuit ( 16 ) and the selection device ( 14 . 15 ), wherein an address data within a first time (T1) from the address input circuit ( 16 ) to the selector ( 14 . 15 ) and that the length of the data bus ( 11 . 12 ) and the length of the address bus (A) are selected such that the second time (T2) is greater than the first time (T1). Integrierter Speicher nach Anspruch 1, wobei die Adresse mehrere Adressbits aufweist, und wobei die jeweiligen Auswahlschaltungen (14, 15) abhängig von dem niederwertigsten Adressbit das Datum das Datum an den ersten und zweiten Speicherbereich anlegt.The integrated memory of claim 1, wherein the address has a plurality of address bits, and wherein the respective select circuits ( 14 . 15 ) the date sets the date to the first and second memory area depending on the least significant address bit. Integrierte Schaltung nach einem der Ansprüche 1 bis 2, wobei auf dem Datenbus (11, 12) ein erstes Datum und ein zweites Datum zur Verfügung gestellt wird, wobei die Auswahleinrichtung (14, 15) abhängig von der angelegten Adresse das erste Datum an den einen Speicherbereich und das zweite Datum an den anderen Speicherbereich anlegt.Integrated circuit according to one of claims 1 to 2, wherein on the data bus ( 11 . 12 ), a first date and a second date are provided, the selection means ( 14 . 15 ) applies the first date to one memory area and the second date to the other memory area, depending on the address applied.
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