DE10104731A1 - Functionalized polymer coating used for trapping toxic semiconductor material species, has a chemical functionality with an antidote function covalently bound to a polymer matrix which is anchored to a solid body surface - Google Patents
Functionalized polymer coating used for trapping toxic semiconductor material species, has a chemical functionality with an antidote function covalently bound to a polymer matrix which is anchored to a solid body surfaceInfo
- Publication number
- DE10104731A1 DE10104731A1 DE2001104731 DE10104731A DE10104731A1 DE 10104731 A1 DE10104731 A1 DE 10104731A1 DE 2001104731 DE2001104731 DE 2001104731 DE 10104731 A DE10104731 A DE 10104731A DE 10104731 A1 DE10104731 A1 DE 10104731A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- polymer matrix
- coupling layer
- solid surface
- adhesion
- polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000729 antidote Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 title claims description 14
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 22
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 22
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 13
- 229920000867 polyelectrolyte Polymers 0.000 claims description 12
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims description 9
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 8
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 6
- 230000007774 longterm Effects 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- -1 trimethoxysilyl unit Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 claims description 4
- INOAASCWQMFJQA-UHFFFAOYSA-N 16-sulfanylhexadecanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCS INOAASCWQMFJQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001412 amines Chemical group 0.000 claims description 3
- PCGDBWLKAYKBTN-UHFFFAOYSA-N 1,2-dithiole Chemical group C1SSC=C1 PCGDBWLKAYKBTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 claims description 2
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 claims description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 2
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 claims description 2
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 claims 4
- 229920000075 poly(4-vinylpyridine) Polymers 0.000 claims 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims 1
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 claims 1
- 229920000885 poly(2-vinylpyridine) Polymers 0.000 claims 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 12
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 10
- OWTFKEBRIAXSMO-UHFFFAOYSA-N arsenite(3-) Chemical compound [O-][As]([O-])[O-] OWTFKEBRIAXSMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 8
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 241000894007 species Species 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 210000002950 fibroblast Anatomy 0.000 description 3
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 3
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 3
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229940075522 antidotes Drugs 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 description 2
- 238000001784 detoxification Methods 0.000 description 2
- WQABCVAJNWAXTE-UHFFFAOYSA-N dimercaprol Chemical compound OCC(S)CS WQABCVAJNWAXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000007306 functionalization reaction Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 2
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 2
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 2
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- YOJKKXRJMXIKSR-UHFFFAOYSA-N 1-nitro-2-phenylbenzene Chemical group [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 YOJKKXRJMXIKSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 1
- LAISNASYKAIAIK-UHFFFAOYSA-N [S].[As] Chemical compound [S].[As] LAISNASYKAIAIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005903 acid hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002099 adlayer Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 210000004102 animal cell Anatomy 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N arsenic(3+) Chemical compound [As+3] LULLIKNODDLMDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940006020 arsenite ion Drugs 0.000 description 1
- 238000010945 base-catalyzed hydrolysis reactiony Methods 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004113 cell culture Methods 0.000 description 1
- 238000012832 cell culture technique Methods 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001851 cinnamic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 231100000433 cytotoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000001472 cytotoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006735 deficit Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000003651 drinking water Substances 0.000 description 1
- 235000020188 drinking water Nutrition 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000009881 electrostatic interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 238000001215 fluorescent labelling Methods 0.000 description 1
- 238000010528 free radical solution polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- 210000002569 neuron Anatomy 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004375 physisorption Methods 0.000 description 1
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 1
- 229920000447 polyanionic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical class S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical class Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D201/00—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds
- C09D201/02—Coating compositions based on unspecified macromolecular compounds characterised by the presence of specified groups, e.g. terminal or pendant functional groups
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D179/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
- C09D179/02—Polyamines
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
- H01L23/293—Organic, e.g. plastic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12044—OLED
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
Abstract
Description
Feste Halbleitersubstrate geben bei langzeitigem Kontakt mit Flüssigkeiten metallhaltige Ionen durch Hydrolyse und Diffusion an das Medium ab, was in doppelter Hinsicht nachteilig ist. Zum einen werden die Oberflächeneigenschaften des Halbleiters verändert, insbesondere stellt aber vor allem der Austritt toxischer Verbindungen eine bedeutende Problematik bei der Realisierung medizinischer und biologischer Applikationen dar, die auf dem direkt Kontakt von Halbleitermaterialien mit lebenden Systemen beruhen, wie z. B. bei Biosensoren. Dies ist insbesondere bei arsenhaltigen Halbleitersubstraten (z. B. Galliumarsenid, Indiumarsenid) der Fall, bei denen durch Hydrolyse hochtoxische arsen(III)-haltige Verbindungen (z. B. Arsenit- Ionen) gebildet werden. Es wird hier ein Konzept vorgeschlagen, welches unter Verwendung dünner funktionalisierter Polymerbeschichtungen erlaubt, die Freisetzung metall-, insbesondere arsenhaltiger Spezies aus dem Substrat spezifisch und damit effizienter zu unterbinden. Der Zweck der hier beschriebenen Erfindung lässt sich damit leicht am Beispiel eines Biosensors auf Galliumarsenidbasis verdeutlichen, bei dem mit einer Halbleiterelektronik Signale adhärenter Zellen gemessen werden. [1, 2, 3] Werden durch den Kontakt mit dem Medium, im Falle des hier beschriebenen Sensors vorwiegend eine physiologische NaCl-Lösung, Metallionen aus der Sensoroberfläche freigesetzt, werden dadurch zum einen die elektrischen Eigenschaften des Sensors veraendert ("Drift"), und zum anderen können die darauf adhärierenden Zellen "vergiftet" werden.Solid semiconductor substrates give metal-containing ions upon long-term contact with liquids by hydrolysis and diffusion to the medium, which is disadvantageous in two respects. To the on the one hand, the surface properties of the semiconductor are changed, but in particular it does Above all, the emergence of toxic compounds is an important problem in the implementation medical and biological applications that are based on the direct contact of Semiconductor materials with living systems are based, such as. B. in biosensors. This is especially in the case of arsenic-containing semiconductor substrates (e.g. gallium arsenide, indium arsenide) Case in which highly toxic arsenic (III) -containing compounds (e.g. arsenite- Ions) are formed. A concept is proposed here which is used Thin functionalized polymer coatings allowed the release of metal, in particular to prevent arsenic-containing species from the substrate specifically and thus more efficiently. The The purpose of the invention described here can easily be based on the example of a biosensor To clarify the gallium arsenide base, in which signals are more adherent with semiconductor electronics Cells are measured. [1, 2, 3] Are due to contact with the medium, in the case of here described sensor mainly a physiological NaCl solution, metal ions from the Released sensor surface, on the one hand, the electrical properties of the Sensor changes ("drift"), and secondly, the cells adhering to it be "poisoned".
Zum Abfangen der freigesetzten arsenhaltigen Ionen besteht zum einen die Möglichkeit metallbindende Moleküle in Lösung zuzusetzen, wodurch aber die Abgabe der toxischen Komponenten an das Medium selbst nicht wirklich verhindert wird. [4, 5] Dies kann andererseits durch die Verwendung von Beschichtungen erreicht werden, welche als physikalische Diffusionsbarriere wirken. Solche Beschichtungen können aus polymeren und anorganischen Verbindungen bestehen, die durch eine Vielzahl von Techniken auf das Halbleitersubstrat aufgebracht werden können. Eine wirkungsvolle Unterbindung der Freisetzung jeglicher Ionen kann hierbei durch aufgeschleuderte Polymerschichten erreicht werden, die jedoch vergleichsweise dick sind (Dicke < 50 nm). [1] Bei dieser Technik ist man ausserdem auf flache Substrate beschränkt. Eine zweite Möglichkeit besteht im Aufsputtern homogener und defektfreier dünner anorganischer Oxidschichten was jedoch technologisch sehr aufwendig ist. Insbesondere ist aber mit all diesen Strategien noch keine Spezifität hinsichtlich einer bestimmten Verbindungsklasse erreicht, wie dies z. B. im Fall des genannten Biosensors auf Galliumarsenidbasis gegenüber Arsenit-Ionen gewünscht ist. Auch würde der in vielen Fällen notwendige Stoffaustausch zwischen Substrat und Medium, im Falle des Biosensors z. B. von Protonen, zusammen mit der Diffusion der toxischen Spezies vollkommen unterbunden werden.On the one hand, there is the possibility of trapping the released arsenic-containing ions add metal-binding molecules in solution, but thereby the release of the toxic Components to the medium itself is not really prevented. [4, 5] On the other hand, this can can be achieved through the use of coatings, which are called physical Diffusion barrier act. Such coatings can consist of polymeric and inorganic Connections exist through a variety of techniques on the semiconductor substrate can be applied. An effective prevention of the release of any ions can be achieved by spin-on polymer layers, however are comparatively thick (thickness <50 nm). [1] This technique is also flat Limited substrates. A second possibility is to sputter and homogenous defect-free thin inorganic oxide layers, which is technologically very complex. In particular, with all of these strategies there is still no specificity with regard to one certain connection class achieved, as z. B. in the case of said biosensor Gallium arsenide base versus arsenite ions is desired. In many cases, too necessary mass transfer between substrate and medium, in the case of the biosensor z. B. from Protons, along with the diffusion of the toxic species, are completely prevented.
Eine technisch einfache Realisierung von dünnen und homogenen Polymerbeschichtungen, die einen selektiven Stofftransport ermöglichen, ist mit Hilfe von Polyelektrolyten möglich. Besondere Bedeutung finden z. B. die Ionenaustauscher, welche meist aus polymeren Harzen aufgebaut sind, und die typischerweise zur Aufreinigung metallhaltiger Lösungen bei der Herstellung deionisierten Wassers oder bei der Trinkwasseraufbereitung eingesetzt werden. In dem hier vorgeschlagenen Ansatz soll in umgekehrter Weise schon die Abgabe metallischer Verbindungen aus dem Halbleitersubstrat an das flüssige Medium verhindert werden.A technically simple realization of thin and homogeneous polymer coatings that A selective mass transfer is possible with the help of polyelectrolytes. Find special meaning z. B. the ion exchanger, which is usually made of polymeric resins are built up, and typically for the purification of metal-containing solutions in the Production of deionized water or used in drinking water treatment. In the approach proposed here is intended in the reverse way to deliver metallic Connections from the semiconductor substrate to the liquid medium can be prevented.
Das Ziel ist das Abfangen toxischer metallhaltiger Verbindungen, die von dem Halbleitersubstrat (z. B. durch Oxidation und Hydrolyse) abgegeben werden und die eine Vergiftung oder allgemeine Qualitätsminderung eines umgebenden flüssigen Mediums verursachen. In der vorgeschlagenen Strategie wird dies durch die Kombination einer vernetzen Polymerschicht mit daran kovalent verankerten metall-bindenden Entgiftermolekülen ("Antidote") erreicht, die wiederum selbst kovalent an eine substratgekoppelte Polymerschicht gebunden sind. Damit werden zwei entscheidende Vorteile realisiert. Einerseits wird durch die unmittelbare Nähe der metall-bindenden Einheiten zum Substrat die Effizienz der Entgiftung erhöht, womit nur eine geringe Menge des Antidots benötigt wird. Andererseits wird auch die oft toxische Wirkung niedermolekularer Antidote selbst durch deren Anbindung an das Substrat eingeschränkt, da dadurch ihre freie Diffusion im Medium vermindert bzw. vollständig unterdrückt ist. Als Kopplungsschicht für die optimierte Anbindung der antidotbeladenen Polymere an die Halbleiteroberfläche werden aus Lösung adsorbierte Monoschichten geeigneter organischer Verbindungen eingesetzt. Diese erlauben eine Funktionalisierung der Substratoberfläche mit geeigneten chemischen Gruppen, die für eine stabile Verankerung der Polymerbeschichtung notwendig ist. Ihre weitere Bedeutung liegt in der Funktion als diffusionshemmende Barriere von geringer Schichtdicke (1-2 nm), welche die Abgabe der toxischen Verbindungen durch das Substrat herabsetzt. Diese Wirkung als diffusionshemmende Barriere kann durch die Einführung quervernetzbarer Struktureinheiten in die Kopplungsschicht optimiert werden.The goal is to trap toxic metal-containing compounds from the semiconductor substrate (e.g. by oxidation and hydrolysis) and which are poisoning or cause a general deterioration in the quality of the surrounding liquid medium. In the The proposed strategy does this by combining a cross-linked polymer layer with metal-binding detoxifier molecules ("antidotes") covalently anchored to it, which are themselves covalently bound to a substrate-coupled polymer layer. In order to two decisive advantages are realized. On the one hand, the close proximity of the metal-binding units to the substrate increases the efficiency of detoxification, with which only one small amount of the antidote is needed. On the other hand, the often toxic effect low molecular weight antidotes even limited by their binding to the substrate, because thereby their free diffusion in the medium is reduced or completely suppressed. As Coupling layer for the optimized connection of the antidote-loaded polymers to the Semiconductor surfaces become more suitable organic layers adsorbed from solution Connections used. These also allow the substrate surface to be functionalized suitable chemical groups necessary for stable anchoring of the polymer coating necessary is. Their further importance lies in the function as a diffusion-inhibiting barrier of small layer thickness (1-2 nm), which the release of the toxic compounds by the Lowers substrate. This effect as an anti-diffusion barrier can be introduced cross-linkable structural units can be optimized in the coupling layer.
Die Polymerschicht kann je nach molekularer Struktur des Monomers durch elektrostatische Wechselwirkung oder durch kovalente Verankerung direkt auf dem Substrat fixiert werden (Abb. 1). Zum Beispiel kann auf eine negativ geladene Oberfläche eine entgegengesetzt geladene (kationische) Polyelektrolytschicht aus Lösung adsorbiert werden ("dip-coating"). Eine folgende alternierende Adsorption von Polyanionen und Polykationen ermöglicht daraufhin den Aufbau von Polyelektrolytmultischichten, [6, 7] wodurch die Konzentration des Antidots in der Beschichtung sowie die Gesamtdicke der Polymerschicht (etwa im gewünschten Bereich von 2-30 nm) kontrolliert werden können. Die Adsorption von Polyelektrolyten aus Lösung ist nicht auf planare Substrate beschränkt. Im Fall eines kugelförmigen Substrates wird so ein zwiebelförmig aufgebautes Konstrukt, [8] im Fall planarer Substrate ein lamellenartig aufgebautes Konstrukt erzeugt. [7] Depending on the molecular structure of the monomer, the polymer layer can be fixed directly on the substrate by electrostatic interaction or by covalent anchoring ( Fig. 1). For example, an oppositely charged (cationic) polyelectrolyte layer can be adsorbed from solution onto a negatively charged surface (“dip coating”). A subsequent alternating adsorption of polyanions and polycations then enables the formation of polyelectrolyte multilayers, [6, 7] whereby the concentration of the antidote in the coating and the total thickness of the polymer layer (approximately in the desired range of 2-30 nm) can be controlled. The adsorption of polyelectrolytes from solution is not limited to planar substrates. In the case of a spherical substrate, an onion-shaped construct is produced, [8] in the case of planar substrates, a lamellar construct. [7]
Neben der elektrostatischen Adsorption (Physisorption) ist prinzipiell auch eine Anbindung der Polymeren durch chemische Reaktion mit der Oberfläche denkbar. Eine direkte kovalente Bindung von Polyelektrolyten an das Halbleitersubstrat ist jedoch in vielen Fällen nicht möglich und muss dann über eine Zwischenschicht ("Kopplungsschicht") erfolgen. Diese kann z. B. durch die Adsorption geeigneter funktionalisierter, langkettiger Kohlenwasserstoffe realisiert werden, die eine spezifische Wechselwirkung mit der Metalloberfläche eingehen können, und so in einer dicht gepackten Monoschicht auf dem Halbleitersubstrat verankert werden ("self-assembled monolayers, SAM"). [9, 10] Solche adsorbierte Monoschichten langer Kohlenwasserstoffketten stellen dabei bereits eine effektive Diffusionsbarriere mit einer minimalen Dicke von nur 1-2 nm dar. Auch wird die Korrosion (Hydrolyse, Oxidation) des Halbleitersubstrats durch den passivierenden Effekt der Monoschicht, und damit die Freisetzung der vergiftenden metallhaltigen Moleküle verzögert.In addition to electrostatic adsorption (physisorption), a connection of the Polymers by chemical reaction with the surface conceivable. A direct covalent In many cases, however, it is not possible to bind polyelectrolytes to the semiconductor substrate and must then take place via an intermediate layer ("coupling layer"). This can e.g. B. by the adsorption of suitable functionalized, long-chain hydrocarbons can be realized, which can have a specific interaction with the metal surface, and so in one tightly packed monolayer to be anchored on the semiconductor substrate ("self-assembled monolayers, SAM "). [9, 10] Such adsorbed monolayers of long hydrocarbon chains already provide an effective diffusion barrier with a minimum thickness of only 1-2 nm The corrosion (hydrolysis, oxidation) of the semiconductor substrate is also caused by the passivating effect of the monolayer, and thus the release of the poisoning metal-containing molecules delayed.
Als Materialien für selbstadsorbierende Monoschichten auf Halbleiteroberflächen sind insbesondere organische Thiolverbindungen geeignet, bei denen die Stärke der Wechselwirkung mit dem Substrat aufgrund der hohen Affinität von Schwefel zu vielen Metallen und Halbmetallen (Gold, Arsen, Antimon, Bismut, Cadmium, Quecksilber u. a.) an die Stabilität kovalenter Bindungen heranreicht. [9, 10, 11] Ebenfalls geeignet erscheinen z. B. Amine, Phosphine und Phosphinoxide, von denen letztere eine feste Anbindung der Kopplungsschicht z. B. auf Cadmiumselenid, Zinksulfid, Cadmiumsulfid oder Indiumphosphid erlauben. [12, 13, 14]As materials for self-adsorbing monolayers on semiconductor surfaces particularly suitable organic thiol compounds where the strength of the interaction with the substrate due to the high affinity of sulfur for many metals and Semi-metals (gold, arsenic, antimony, bismuth, cadmium, mercury, etc.) to the stability covalent bonds. [9, 10, 11] Also appear suitable, for. B. amines, Phosphines and phosphine oxides, the latter of which have a fixed connection to the coupling layer z. B. on cadmium selenide, zinc sulfide, cadmium sulfide or indium phosphide. [12, 13, 14]
Die für Verankerung der Polyelektrolytschicht notwendige chemische Funktionalisierung der Kopplungsschicht gelingt leicht durch die Verwendung α,ω-bifunktioneller organischer Verbindungen, z. B. 16-Mercaptohexadecansäure, welche neben der für die Adsorption notwendige Thiolgruppierung eine Carboxylfunktionalität an der Oberfläche einführt. Die Carboxylfunktion ermöglicht einerseits eine starke ionische Wechselwirkung mit Polyelektrolyten, bzw. andererseits nach entsprechender Aktivierung die kovalente Anbindung von Aminen, Alkoholen oder anderen nucleophilen funktionellen Gruppen des Polymers. Dies kann für die Verankerung der antidotbeladenen Beschichtung ausgenutzt werden (Abb. 2). The chemical functionalization of the coupling layer necessary for anchoring the polyelectrolyte layer is easily achieved by using α, ω-bifunctional organic compounds, e.g. B. 16-mercaptohexadecanoic acid, which introduces a carboxyl functionality on the surface in addition to the thiol grouping necessary for the adsorption. The carboxyl function enables on the one hand a strong ionic interaction with polyelectrolytes, and on the other hand, after appropriate activation, the covalent attachment of amines, alcohols or other nucleophilic functional groups of the polymer. This can be used to anchor the antidote-laden coating ( Fig. 2).
Die Bedeutung von adsorbierten Monoschichten langkettiger Thiole zur Oberflächen passivierung von Galliumarsenid wurde in der Fachliteratur bereits diskutiert. [15, 16, 17] Ausserdem wurde deren Verwendung als diffusionshemmende Barriere zur Verzögerung der Arsenit-Freisetzung aus Halbleitersubstraten bereits für den speziellen Fall der Kultivierung von NRK-Fibroblasten auf Galliumarsenid getestet. [18] Zunächst wurden dabei Monoschichten aus 16-Mercaptohexadecansäure durch Adsorption aus Lösung auf das Substrat aufgebracht, wodurch eine hydrophile und adhäsionsfördernde Substratoberfläche erzeugt wurde. Die Freisetzung cytotoxischer Ionen konnte durch diese Thiolmonoschicht bereits für einige Stunden ausreichend unterdrückt werden, so dass NRK-Fibroblasten auf den beschichteten Substraten anwuchsen. Der Zusatz geringer Mengen des Arsenantidots British Anti-Lewisit (BAL, 2,3- dimercaptopropanol, Abb. 4) zum flüssigen Medium verlängerte die Lebensdauer des Zellrasens durch das Abfangen der an das Medium abgegebenen zellvergiftenden arsenhaltigen Ionen (hier Arsenit, AsO3 -) von 20 Stunden auf fünf Tage. [18]The importance of adsorbed monolayers of long-chain thiols for the surface passivation of gallium arsenide has already been discussed in the specialist literature. [15, 16, 17] In addition, their use as a diffusion-inhibiting barrier to delay the release of arsenite from semiconductor substrates has already been tested for gallium arsenide in the special case of the cultivation of NRK fibroblasts. [18] First, monolayers of 16-mercaptohexadecanoic acid were applied to the substrate by adsorption from solution, which created a hydrophilic and adhesion-promoting substrate surface. The release of cytotoxic ions could be sufficiently suppressed by this thiol monolayer for a few hours, so that NRK fibroblasts grew on the coated substrates. The addition of small amounts of the arsenic antidote British Anti-Lewisite (BAL, 2,3-dimercaptopropanol, Fig. 4) to the liquid medium extended the lifespan of the cell lawn by trapping the cell-poisoning arsenic-containing ions released to the medium (here arsenite, AsO 3 - ) from 20 hours to five days. [18]
Während die geringe Langzeitstabilität der Monoschichten niedermolekularer organischer Thiole in biologischen Medien deren Effektivität als Diffusionsbarriere begrenzt, kann eine deutliche Optimierung dieser diffusionshemmenden Wirkung der Kopplungsschicht unter Verwendung von polymerisierbaren Thiol-Verbindungen erreicht werden. Dabei sind verschiedene chemische Funktionalitäten denkbar, welche die Quervernetzung der organischen Thiole auf der Substratoberfläche gewährleisten (Abb. 3). Dazu gehören z. B. folgende chemische Gruppierungen: Diacetylen, Zimtsäureester, Trialkoxy- bzw. Trichlorsilane, oder auch Nitrobiphenyl. Die ersten beiden Struktureinheiten führen photochemisch zu einer lateralen Vernetzung, [34] während Thiopropyltrimethoxysilan bereits als naßchemisch polymerisierbares Thiol zur Passivierung von Galliumarsenid beschrieben wurde. [35] im Hinblick die Möglichkeit zur sauer oder basisch katalysierten Hydrolyse mit anschließender Bildung eine Polysiloxannetzwerks ermöglichen, zu einem Letzteres erlaubt unter Bestrahlung mit energiearmen Elektronenstrahlen neben der Vernetzung auch die Umwandlung der endständigen Nitro- in eine Aminofunktion. [36] While the low long-term stability of the monolayers of low molecular weight organic thiols in biological media limits their effectiveness as a diffusion barrier, a significant optimization of this diffusion-inhibiting effect of the coupling layer can be achieved using polymerizable thiol compounds. Various chemical functionalities are conceivable that ensure the cross-linking of the organic thiols on the substrate surface ( Fig. 3). These include e.g. B. the following chemical groups: diacetylene, cinnamic acid esters, trialkoxy or trichlorosilanes, or nitrobiphenyl. The first two structural units photochemically lead to lateral crosslinking, [34] while thiopropyltrimethoxysilane has already been described as a wet-chemically polymerizable thiol for the passivation of gallium arsenide. [35] With regard to the possibility of acid or base-catalyzed hydrolysis with subsequent formation, a polysiloxane network is possible. For the latter, irradiation with low-energy electron beams enables cross-linking as well as the conversion of the terminal nitro into an amino function. [36]
Das Konzept des Aufbaus einer polymerisierten Kopplungsschicht durch Lösungspolymerisation von Mercaptosilanen konnte bereits unter Verwendung von 3-Mercaptopropyl-trimethoxysilans verifiziert werden, und es zeigte sich, dass durch die Quervernetzung zu polymeren Multischichten die Freisetzung des toxischen Arsenits aus einem Arsenitwafer (~80 mm2) in wässriges Medium (1 ml) über einen Zeitraum von 14 Tagen unterhalb von 1 µM gehalten werden konnte.The concept of building a polymerized coupling layer by solution polymerization of mercaptosilanes could already be verified using 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, and it was shown that the crosslinking to polymeric multilayers released the toxic arsenite from an arsenite wafer (~ 80 mm 2 ) could be kept below 1 µM in aqueous medium (1 ml) over a period of 14 days.
Dies ist zum einen auf die verbesserte Stabilität der Kopplungsschicht, insbesondere aber auf die Behinderung der Arsenit-Ionen-Diffusion durch die Thiolschicht zurückzuführen. Die Durchlässigkeit der Thiolsilanschicht gegenüber diffundierenden Ionen durch die Polymerisation wird dabei einerseits durch die verringerte Porengrösse, andererseits durch die Affinität der Mercaptoeinheiten zu Arsen (spezifisches Abfangen) deutlich herabgesetzt.On the one hand, this is due to the improved stability of the coupling layer, but in particular to the Impairment of arsenite ion diffusion due to the thiol layer. The Permeability of the thiolsilane layer to diffusing ions through the polymerization is on the one hand due to the reduced pore size, on the other hand through the affinity of the Mercapto units to arsenic (specific trapping) significantly reduced.
Während die damit bisher erreichte und nahezu vollständige Unterbindung der Arsenit freisetzung sich über einen Zeitraum von zwei Wochen zwar für die Kultivierung von NRK- Fibroblasten als voll ausreichend erwiesen hat, können andere Zelltypen (insbesondere Neuronen) noch wesentlich empfindlicher sein. Die Bioverträglichkeit des Halbleitersubstrats kann dann durch die zusätzliche Verwendung der im folgenden Abschnitt genauer beschriebenen antidot-funktionalisierten Polymerbeschichtungen noch weiter optimiert werden.While the arsenite has been almost completely eliminated so far release over a period of two weeks for the cultivation of NRK Fibroblasts have been shown to be fully adequate, other cell types (in particular Neurons) are even more sensitive. The biocompatibility of the semiconductor substrate can then be achieved through the additional use of those described in more detail in the following section antidote-functionalized polymer coatings can be further optimized.
Diese bei geringeren Konzentrationen und über kurze Zeiträume (einige Tage) nachweislich erfolgreiche Verwendung des Antidots zur Entgiftung des Mediums bildet die Grundlage für die praktische Realisierung antidotfunktionalisierter Polymerbeschichtungen. Der Erfolg der einfachen Beimischung eines niedermolekularen Entgifters ist nämlich lediglich durch einen wesentlichen Faktor begrenzt: das Antidot wird durch Diffusion über das gesamte Medium verteilt, und kann seinerseits toxisch wirken - im genannten Beispiel BAL bei Konzentrationen < 10 µM. Die kovalente Anbindung des Antidots in der polymeren Oberflächenbeschichtung unterbindet dieses Problem. This can be demonstrated at lower concentrations and over short periods (a few days) successful use of the antidote for detoxification of the medium forms the basis for the practical implementation of antidote-functionalized polymer coatings. The success of simple admixture of a low molecular weight detoxifier is namely only by one essential factor limited: the antidote is diffused over the entire medium distributed, and in turn can have a toxic effect - in the example mentioned BAL at concentrations <10 µM. The covalent attachment of the antidote in the polymer surface coating prevents this problem.
Im Fall der unter a) beschriebenen Funktionalisierung der Halbleiteroberfläche mit negativ geladenen Carboxylgruppen, kann die präparativ einfache Polyelektrolytadsorption zum Mono- und Multischichtaufbau herangezogen werden. Die Verwendung von chemisch funktionalisier baren Polyaminen, wie zum Beispiel Polyethylenimin, Polylysin oder Polyvinylpyridin, als Polykationen erlaubt darüber hinaus die kovalente Verankerung an die Oberflächen carboxylfunktion, welche zur Optimierung der Polymeranbindung von Bedeutung ist. Die Quellbarkeit der wasserlöslichen antidotbeladenen Polyelektrolyte erlaubt dabei einen Stofftransport aus dem Medium bis zur Oberfläche der Kopplungsschicht hin, ermöglicht es aber gleichzeitig in spezifischer Weise die aus dem Halbleiter austretende toxische Spezies abzufangen (Abb. 2). Ein weiterer Vorteil liegt in allgemein bekannten zelladhäsionsfördernden Eigenschaften von Polyelektrolytbeschichtungen. [37-41]In the case of the functionalization of the semiconductor surface with negatively charged carboxyl groups described under a), the preparatively simple polyelectrolyte adsorption can be used for the monolayer and multilayer structure. The use of chemically functionalizable polyamines, such as, for example, polyethyleneimine, polylysine or polyvinylpyridine, as polycations also allows covalent anchoring to the surface carboxyl function, which is important for optimizing the polymer bond. The swellability of the water-soluble antidote-loaded polyelectrolytes permits mass transport from the medium to the surface of the coupling layer, but at the same time enables the toxic species emerging from the semiconductor to be intercepted in a specific manner ( Fig. 2). Another advantage lies in the generally known cell adhesion-promoting properties of polyelectrolyte coatings. [37-41]
Die vorgeschlagenen Polykationen können synthetisch mit geeigneten metallionenfangenden Gruppierungen funktionalisiert werden, z. B. im genannten Falle des Arsens mit der vicinalen 1,2-Dithiolgruppierung (Abb. 5). Wie bei dem unter a) erwähnten niedermolekularen Antidot BAL ermöglicht dies unter Ausbildung eines stabilen Schwefel-Arsen-Fünfringes die kovalente Anbindung von Arsenit-Ionen (und anderer toxischer As(III)-Verbindungen), und damit deren effektives Abfangen direkt in der substratverankerten Polymerbeschichtung. The proposed polycations can be functionalized synthetically with suitable metal ion-trapping groups, e.g. B. in the case of arsenic with the vicinal 1,2-dithiol grouping ( Fig. 5). As with the low-molecular-weight antidote BAL mentioned under a), this enables the covalent attachment of arsenite ions (and other toxic As (III) compounds) with the formation of a stable sulfur-arsenic five-membered ring, and thus their effective trapping directly in the substrate-anchored polymer coating ,
Der vorgeschlagene Ansatz bietet eine einfache Methode zur Verankerung ionenbindender Funktionalitäten auf einer Metalloberflächen, die allgemein zur Toxizitätsminderung von Halbleitersubstraten ausgenutzt werden kann, die im Kontakt mit biologischen Medien stehen.The proposed approach offers a simple method for anchoring ion-binding Functionalities on a metal surface that are generally used to reduce toxicity Semiconductor substrates can be used that are in contact with biological media.
Viele in wässriger Lösung arbeitende chemische oder biologische Sensoren funktionieren nach dem Prinzip eines Oberflaechenpotential-Sensors, wie z. B. ISFETs/CHEMFETs, [19, 20, 21] der LAPS, [22, 23, 24] der FAPS, [1, 3] oder der MOCSER: [25] die Oberflächenladung des Sensors wird durch einen äußeren Stimulus verändert, was von der Sensorelektronik detektiert wird. Ein solcher Stimulus kann z. B. eine chemische Reaktion als Folge der Anbindung eines Molküls sein, oder ein elektrisches Signal welches durch eine lebende Zelle erzeugt wird. Üblicherweise sind solche Sensoren auf Siliciumbasis aufgebaut, wie z. B. die Mehrzahl von ISFETs bzw. CHEMFETs [19, 20, 21] oder der LAPS. [22, 23, 24] Durch die natürliche Oxidschicht des Siliziums ist die Oberfläche derartiger Sensoren relativ inert, so daß lebende Zellen normalerweise ohne Probleme auf der Oberfläche solcher Sensoren kultiviert werden können. [26, 27, 28] Andererseits bieten andere Halbleitermaterialen, wie z. B. Galliumarsenid, aufgrund günstigerer elektrischer Eigenschaften (z. B. einer erhöhten Ladungsträgerbeweglichkeit) die Option zur Entwicklung neuartiger Biosensoren mit verbesserter Sensitivität. Auf Gallium arsenidbasis liegen mit dem FAPS [1, 2, 3], dem MOCSER [25] und Mikroelektroden [17] bereits konkrete Konzepte für eine Realisierung vor. Galliumarsenid hat aber den entscheidenden Nachteil, daß es in Kontakt mit wässriger Lösung arsenhaltige Verbindungen, insbesondere Arsenit-Ionen absondert, die toxisch auf biologische Zellen wirken. [4, 5, 18] Mit der hier vorgestellten Beschichtung würde eine derartige Freisetzung verhindert werden, was unerlässlich für einen Einsatz von Galliumarsenid in langzeitstabilen biologischen Sensoren ist. Generell ist die hier vorgestellte Methode auch für andere Halbleitermaterialien anwendbar. Damit wäre zum Beispiel der Aufbau eines Biosensors nach dem Prinzip des LAPS auf Indiumphosphid-Basis möglich, [29] wobei dabei die Ankopplung der Kopplungsschicht mit Phosphinoxid- anstelle von Thiol-Gruppen erfolgen wuerde. [12]Many chemical or biological sensors working in aqueous solution function afterwards the principle of a surface potential sensor, such as B. ISFETs / CHEMFETs, [19, 20, 21] the LAPS, [22, 23, 24] the FAPS, [1, 3] or the MOCSER: [25] the surface charge of the sensor is changed by an external stimulus, which is detected by the sensor electronics. On such stimulus can e.g. B. a chemical reaction as a result of the attachment of a molecule or an electrical signal generated by a living cell. Usually are such silicon-based sensors, such as. B. the majority of ISFETs or CHEMFETs [19, 20, 21] or the LAPS. [22, 23, 24] Due to the natural oxide layer of the Silicon, the surface of such sensors is relatively inert, so that living cells can normally be cultivated without problems on the surface of such sensors. [26, 27, 28] On the other hand, other semiconductor materials, such as. B. gallium arsenide, due more favorable electrical properties (e.g. increased mobility of the charge carriers) Option to develop new biosensors with improved sensitivity. On gallium The arsenide basis already exists with the FAPS [1, 2, 3], the MOCSER [25] and microelectrodes [17] concrete concepts for a realization. Gallium arsenide has the decisive one Disadvantage that it is in contact with aqueous solution containing arsenic compounds, in particular Secretes arsenite ions that are toxic to biological cells. [4, 5, 18] With this one Such coating would prevent such a release, which is essential for the use of gallium arsenide in long-term stable biological sensors. Generally is the method presented here can also be used for other semiconductor materials. That would be Example of the construction of a biosensor based on the principle of LAPS based on indium phosphide possible, [29] whereby the coupling of the coupling layer with phosphine oxide instead of Thiol groups would take place. [12]
Halbleiterkolloide haben in letzter Zeit Anwendung als biologischer Fluoreszenzlabel gefunden. [30, 31, 32] Um Halbleiterkolloide fuer derartige Anwendungen wasserlöslich zu machen, werden diese mit einer Molekülschicht überzogen. Diese Molekülschicht besteht üblicherweise auf der der Kolloidoberfläche zugewandten Seite aus einer Thiolgruppe zur Anbindung an den Halbleiter und an der der Lösung zugewandten Seite aus einer hydrophilen Gruppe, wie z. B. einer Carboxygruppe. [30, 33] Durch Umhüllung solcher Kolloide mit der hier vorgestellten Schutzschicht könnte eine Abgabe von Ionen aus dem Halbleitermaterial an die wässrige Lösung unterbunden werden, was einer erhöhten Biokompatibilität, etwa für Fluoreszenzmarkierungs experimente in Zellen, führen würde. Semiconductor colloids have recently found use as biological fluorescent labels. [30, 31, 32] In order to make semiconductor colloids water-soluble for such applications these are covered with a molecular layer. This molecular layer usually consists of the side facing the colloid surface from a thiol group for connection to the Semiconductors and on the side facing the solution from a hydrophilic group, such as. B. a carboxy group. [30, 33] By enveloping such colloids with the one presented here Protective layer could release ions from the semiconductor material to the aqueous solution be prevented, which is an increased biocompatibility, for example for fluorescent labeling experiments in cells.
[1] W. J. Parak, M. George, H. E. Gaub, S. Böhm, A. Lorke, Sensors and Actuators B 58, 497
(1999).
[2] S. Böhm, W. J. Parak, M. George, H. E. Gaub, A. Lorke, Sensors and Actuators B, 68, 266
(2000).
[3] A. Lorke, S. Böhm, J. Kotthaus, W. Parak, M. George, Ortsaufgelöster Potential-Sensor und
-Stimulator auf Halbleiterbasis (Patent), Deutsches Patentamt (1999).
[4] H. V. Aposhian in Reviews in biochemical toxicology, E. Hodgson, J. R. Bend and R. M.
Philpot (Hrsg.), Amsterdam, Elsevier. 10, 265 (1989).
[5] B. Liebl, Vicinale Dithiole als Arsenantidota - Vergleichende funktionelle und kinetische
Untersuchungen in Zellkulturen, Habilitationsschrift, Ludwig-Maximilians-Universität (1997).
[6] G. Decher, J. Schmitt, Progr. Colloid Polym. Sci. 89, 160 (1992).
[7] G. Decher, Science 277, 1232 (1997).
[8] G. B. Sukhorukov, E. Donath, H. Möhwald, e. al. Polymers for Adv. Technol. 9, 759 (1998).
[9] A. Ulman, An introduction to ultrathin organic films. Boston, Academic Press (1991).
[10] A. Ulman, Chem. Rev. 96, 1533, and references herein (1996).
[11] M. Grandbois, M. Beyer, M. Rief, H. Clausen-Schaumann, H. E. Gaub, Science 283, 1727
(1999).
[12] X. Peng, J. Wickham, e. al. J. Am. Chem. Soc. 120, 5343 (1998).
[13] C. B. Murray, D. J. Norris, M. G. Bawendi, J. Am. Chem. Soc. 115, 8706 (1993).
[14] M. A. Olshavsky, P. A. Alivisatos, Preparation of III-V semiconductor nanocrystals, US
patent 5,505,928 (1994).
[15] C. W. Sheen, J. X. Shi, J. Martenson, A. N. Prikh, D. J. Allara, J. Am. Chem. Soc. 114, 1514
(1992).
[16] T. Baum, S. Ye, K. Uosaki, Langmuir 15, 8577 (1999).
[17] K. Adlkofer, M. Tanaka, H. Hillebrandt, G. Wiegand, E. Sackmann, T. Bolom, R.
Deutschmann, G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 76, 3313 (2000).
[18] C. Kirchner, M. George, W. J. Parak, B. Stein, H. Gaub, M. Seitz, unveröffentliche Daten.
[19] C. C. Johnson, D. S. Moss, Selective chemical sensitive FET transducers, US Patent
4,020,830 (1975).
[20] J. F. Schenck, Field effect transistor for detection of biological reactions, US Patent
4,238,757 (1976).
[21] P. Bergveld, Sensors and Actuators B 4, 125 (1991).
[22] D. Hafeman, J. W. Parce, e. al. Device having photoresponsive electrode for determining
analytes including ligands and antibodies, US Patent 4,591,550 (1986).
[23] J. W. Parce, H. M. McConnell, G. M. Humphries, K. M. Kersco, J. C. Owicki, J. E. Kersco,
Methods and apparatus for detecting the effect of cell affecting agents on living cells, US Patent
5,278,048 (1990).
[24] J. C. Owicki, L. Bousse, D. Hafeman, G. L. Kirk, J. D. Olson, H. G. Wada, J. W. Parce,
Ann. Rev. Biophys. Biomol. Struct. 23, 87 (1994).
[25] K. Gartsman, D. Cahen, A. Kadyshevitch, J. Libman, T. Moav, R. Naaman, A. Shanzer, V.
Umansky, A. Vilan, Chem. Phys. Lett. 283, 301 (1998).
[26] P. Fromherz, A. Offenhäusser, T. Vetter, J. Weis, Science 252, 1290 (1991).
[27] S. Vassanelli, P. Fromherz, J. Neurosci. 19, 6767 (1999).
[28] W. J. Parak, M. George, M. Kudera, H. E. Gaub, J. C. Behrends, Eur. Biophys. J., im Druck
(2000).
[29] M. Madheswaran, P. Chakrabarti, Solid-State Electronics 42, 795 (1998).
[30] M. J. Bruchez, M. Moronne, P. Gin, S. Weiss, A. P. Alivisatos, Science 281, 2013 (1998).
[31] W. C. W. Chan, S. Nie, Science 281, 2016 (1998).
[32] S. Weiss, e. al. Organo luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological
applications and process for making and using such probes, US patent 5,990,479 (1997).
[33] R. C. Mucic, J. J. Storhoff, C. A. Mirkin, R. L. Letsinger, J. Am. Chem. Soc. 120, 12674
(1998).
[34] D. N. Batchelder, S. D. Evans, T. L. Freeman, L. Häussling, H. Ringsdorf, H. Wolf, J. Am.
Chem. Soc. 116, 1050 (1994)
[35] T. Hou, C. M. Greenlief, S. W. Keller, L. Nelen, J. F. Kauffman, Chem. Mater. 9, 3181
(1997).
[36] a) W. Geyer, V. Stadler, W. Eck, M. Zhamikov, A. Gölzhäuser, M. Grunze, Appl. Phys.
Lett. 75, 2401 (1999), b) W. Eck, V. Stadler, W. Geyer, M. Zharnikov, A. Gölzhauser, M.
Grunze, Adv. Mater. 12, 805 (2000).
[37] a) R. I. Freshney (Hrsg.), Animal Cell Culture - A Practical Approach, 2. Ausgabe, Oxford
University Press, New York, USA (1992), b) A. A. Boulton, G. B. Baker, W. Walz, Practical
Cell Culture Techniques, Humana Press, Totowa, New Jersey/USA (1992).
[38] B. D. Ratner, A. S. Hoffman, F. J. Schoen, J. E. Lemons, Biomaterials Science, Academic
Press, San Diego/USA (1996).
[39] a) A. H. Sawheny, J. A. Hubbell, Biomaterials 13, 865 (1992), b) D. L. Elbert, J. A.
Hubbell, Chem. Biol. 5, 177 (1998), c) D. L. Elbert, C. B. Herbert, J. A. Hubbell Langmuir 15,
5355 (1999).
[40] K. Isihara, H. Inoue, K. Kurita, N. Nakabayashi, J. Biomat. Mater. Res. 28, 1347 (1994).
[41] M. Sittinger, B. Lukanoff, G. R. Burmester, H. Dautzenberg, Biomaterials 17, 1049 (1996). [1] WJ Parak, M. George, HE Gaub, S. Böhm, A. Lorke, Sensors and Actuators B 58, 497 (1999).
[2] S. Böhm, WJ Parak, M. George, HE Gaub, A. Lorke, Sensors and Actuators B, 68, 266 (2000).
[3] A. Lorke, S. Böhm, J. Kotthaus, W. Parak, M. George, spatially resolved semiconductor-based potential sensor and stimulator (patent), German Patent Office (1999).
[4] HV Aposhian in Reviews in biochemical toxicology, E. Hodgson, JR Bend and RM Philpot (ed.), Amsterdam, Elsevier. 10, 265 (1989).
[5] B. Liebl, Vicinale Dithiole as Arsenantidota - Comparative Functional and Kinetic Investigations in Cell Cultures, Habilitation thesis, Ludwig Maximilians University (1997).
[6] G. Decher, J. Schmitt, Progr. Colloid Polym. Sci. 89, 160 (1992).
[7] G. Decher, Science 277, 1232 (1997).
[8] GB Sukhorukov, E. Donath, H. Möhwald, e. al. Polymers for Adv. Technol. 9, 759 (1998).
[9] A. Ulman, An introduction to ultrathin organic films. Boston, Academic Press (1991).
[10] A. Ulman, Chem. Rev. 96, 1533, and references in (1996).
[11] M. Grandbois, M. Beyer, M. Rief, H. Clausen-Schaumann, HE Gaub, Science 283, 1727 (1999).
[12] X. Peng, J. Wickham, e. al. J. Am. Chem. Soc. 120, 5343 (1998).
[13] CB Murray, DJ Norris, MG Bawendi, J. Am. Chem. Soc. 115, 8706 (1993).
[14] MA Olshavsky, PA Alivisatos, Preparation of III-V semiconductor nanocrystals, US patent 5,505,928 (1994).
[15] CW Sheen, JX Shi, J. Martenson, AN Prikh, DJ Allara, J. Am. Chem. Soc. 114, 1514 (1992).
[16] T. Baum, S. Ye, K. Uosaki, Langmuir 15, 8577 (1999).
[17] K. Adlkofer, M. Tanaka, H. Hillebrandt, G. Wiegand, E. Sackmann, T. Bolom, R. Deutschmann, G. Abstreiter, Appl. Phys. Lett. 76, 3313 (2000).
[18] C. Kirchner, M. George, WJ Parak, B. Stein, H. Gaub, M. Seitz, unpublished data.
[19] CC Johnson, DS Moss, Selective chemical sensitive FET transducers, US Patent 4,020,830 (1975).
[20] JF Schenck, Field effect transistor for detection of biological reactions, US Patent 4,238,757 (1976).
[21] P. Bergveld, Sensors and Actuators B 4, 125 (1991).
[22] D. Hafeman, JW Parce, e. al. Device having photoresponsive electrode for determining analytes including ligands and antibodies, US Patent 4,591,550 (1986).
[23] JW Parce, HM McConnell, GM Humphries, KM Kersco, JC Owicki, JE Kersco, Methods and apparatus for detecting the effect of cell affecting agents on living cells, US Patent 5,278,048 (1990).
[24] JC Owicki, L. Bousse, D. Hafeman, GL Kirk, JD Olson, HG Wada, JW Parce, Ann. Rev. Biophys. Biomol. Struct. 23, 87 (1994).
[25] K. Gartsman, D. Cahen, A. Kadyshevitch, J. Libman, T. Moav, R. Naaman, A. Shanzer, V. Umansky, A. Vilan, Chem. Phys. Lett. 283, 301 (1998).
[26] P. Fromherz, A. Offenhäusser, T. Vetter, J. Weis, Science 252, 1290 (1991).
[27] S. Vassanelli, P. Fromherz, J. Neurosci. 19, 6767 (1999).
[28] WJ Parak, M. George, M. Kudera, HE Gaub, JC Behrends, Eur. Biophys. J., in press (2000).
[29] M. Madheswaran, P. Chakrabarti, Solid-State Electronics 42, 795 (1998).
[30] MJ Bruchez, M. Moronne, P. Gin, S. Weiss, AP Alivisatos, Science 281, 2013 (1998).
[31] WCW Chan, S. Nie, Science 281, 2016 (1998).
[32] S. Weiss, e. al. Organo luminescent semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes, US patent 5,990,479 (1997).
[33] RC Mucic, JJ Storhoff, CA Mirkin, RL Letsinger, J. Am. Chem. Soc. 120, 12674 (1998).
[34] DN Batchelder, SD Evans, TL Freeman, L. Häussling, H. Ringsdorf, H. Wolf, J. Am. Chem. Soc. 116, 1050 (1994)
[35] T. Hou, CM Greenlief, SW Keller, L. Nelen, JF Kauffman, Chem. Mater. 9, 3181 (1997).
[36] a) W. Geyer, V. Stadler, W. Eck, M. Zhamikov, A. Gölzhäuser, M. Grunze, Appl. Phys. Lett. 75, 2401 (1999), b) W. Eck, V. Stadler, W. Geyer, M. Zharnikov, A. Gölzhauser, M. Grunze, Adv. Mater. 12, 805 (2000). [37] a) RI Freshney (ed.), Animal Cell Culture - A Practical Approach, 2nd edition, Oxford University Press, New York, USA (1992), b) AA Boulton, GB Baker, W. Walz, Practical Cell Culture Techniques, Humana Press, Totowa, New Jersey / USA (1992).
[38] BD Ratner, AS Hoffman, FJ Schoen, JE Lemons, Biomaterials Science, Academic Press, San Diego / USA (1996).
[39] a) AH Sawheny, JA Hubbell, Biomaterials 13, 865 (1992), b) DL Elbert, JA Hubbell, Chem. Biol. 5, 177 (1998), c) DL Elbert, CB Herbert, JA Hubbell Langmuir 15 , 5355 (1999).
[40] K. Isihara, H. Inoue, K. Kurita, N. Nakabayashi, J. Biomat. Mater. Res. 28, 1347 (1994).
[41] M. Sittinger, B. Lukanoff, GR Burmester, H. Dautzenberg, Biomaterials 17, 1049 (1996).
11
Festkörperoberfläche
Solid surface
22
Polymermatrix
polymer matrix
33
chemische Funktionalität zur Substratanbindung
chemical functionality for substrate binding
44
chemische Funktionalität mit Antidotfunktion
chemical functionality with antidote function
55
toxische Spezies
toxic species
66
selbstadsorbierte Monoschicht als Kopplungsschicht und Diffusionsbarriere
self-adsorbed monolayer as coupling layer and diffusion barrier
77
haftvermittelnde Gruppe
adhesion-promoting group
88th
polymerisierbare Einheit zur Quervernetzung der Kopplungsschicht
polymerizable unit for cross-linking the coupling layer
99
Vernetzungspunkt in Kopplungsschicht
Networking point in the coupling layer
Claims (15)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001104731 DE10104731B4 (en) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | Functionalized polymer coating and its use |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2001104731 DE10104731B4 (en) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | Functionalized polymer coating and its use |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10104731A1 true DE10104731A1 (en) | 2002-08-14 |
DE10104731B4 DE10104731B4 (en) | 2008-02-07 |
Family
ID=7672637
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2001104731 Expired - Fee Related DE10104731B4 (en) | 2001-02-02 | 2001-02-02 | Functionalized polymer coating and its use |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10104731B4 (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE6941775U (en) * | 1969-10-27 | 1970-03-12 | Georg Jun Hoecker | WORK DESK |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9318550D0 (en) * | 1993-09-07 | 1993-10-20 | Nycomed Salutar Inc | Chelants |
-
2001
- 2001-02-02 DE DE2001104731 patent/DE10104731B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE6941775U (en) * | 1969-10-27 | 1970-03-12 | Georg Jun Hoecker | WORK DESK |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
A. Ulman, Chem. Rev. 96 (1996) 1533-1554 * |
G. Decher, J. Schmitt, Prog. Colloid. Polym. Sci. 89 (1992) 160-164 * |
G. Decher, Science 277 (1997) 1232-1237 * |
H.V. Aposhian in: Reviens in biochemical toxi- cology, E. Hodgson, J.R. Bend and R.M. Philpot (Hrsg.) Amsterdam, Elsevier. 10 (1989) 265-299 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10104731B4 (en) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Cheng et al. | Permselectivity, sensitivity, and amperometric pH sensing at thioctic acid monolayer microelectrodes | |
Mistry et al. | A review on amperometric-type immunosensors based on screen-printed electrodes | |
Pingarrón et al. | Gold nanoparticle-based electrochemical biosensors | |
EP0562372B1 (en) | Biosensor | |
Negm et al. | Performance of chitosan polymer as platform during sensors fabrication and sensing applications | |
EP2252410B1 (en) | Surface modification | |
DE10036907A1 (en) | Coating for various types of substrates and processes for their production | |
Ahuja et al. | Immobilization of uricase enzyme on self-assembled gold nanoparticles for application in uric acid biosensor | |
DE10049901A1 (en) | Device and method for electrically accelerated immobilization and for the detection of molecules | |
Lin et al. | Facile development of Au-ring microelectrode for in vivo analysis using non-toxic polydopamine as multifunctional material | |
US20110033917A1 (en) | Sensor with long-term stability for bioprocesses | |
KR20100107963A (en) | Electrochemical hydrogen peroxide biosensor based on ag nanowires modified electrode and the preparation method for the same | |
DE10104731B4 (en) | Functionalized polymer coating and its use | |
ES2230716T3 (en) | SPECIFIC CAPACITIVE AFFINITY SENSOR OF METAL IONS. | |
DE19856294A1 (en) | Chemical field effect transistor with carbon gate electrode | |
EP0546032A1 (en) | Immobilization of organic macromolecules or biopolymers in a polymer membrane. | |
Jia et al. | Direct electrochemistry and electrocatalysis of hemoglobin immobilized in an amphiphilic diblock copolymer film | |
Kurniawan et al. | Analytical applications of electrodes modified by gold nanoparticles: dopamine detection | |
Morais et al. | Hybrid Layer‐by‐Layer Film of Polyelectrolytes‐Embedded Catalytic CoFe2O4 Nanocrystals as Sensing Units in Capacitive Electrolyte‐Insulator‐Semiconductor Devices | |
KR100726963B1 (en) | A method for preparing a urease immobilization layer for biosensor | |
DE4212910C2 (en) | Process for coating sensors with selectively permeable polymer membranes | |
Crulhas et al. | Fabrication and characterization of ferrocenece containing hydrogel for glucose biosensor application | |
DE102007005472A1 (en) | Preparing a molecular film with a set density comprises forming a molecular film containing molecules on a conductive substrate; and adjusting the molecular density of the molecular film by desorption of a part of the molecule | |
Soylemez et al. | Biosensing devices: conjugated polymer based scaffolds | |
Yang et al. | Enzyme electrodes with glucose oxidase immobilized on Stöber glass beads |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee | ||
8170 | Reinstatement of the former position | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: KIRCHNER, CHRISTIAN, 82049 PULLACH, DE |
|
8120 | Willingness to grant licenses paragraph 23 | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |