DE10064865A1 - Production of nanowires used in the miniaturization of electronic components comprises growing wires by chemically reacting in a liquid solution to a specified length, and contacting one end to a solid body - Google Patents

Production of nanowires used in the miniaturization of electronic components comprises growing wires by chemically reacting in a liquid solution to a specified length, and contacting one end to a solid body

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Abstract

Production of nanowires comprises growing wires by chemically reacting in a liquid solution to a length which corresponds to two hundred times their diameter; and contacting one end to a solid body. An Independent claim is also included for a device for making visible and manipulating wires in the sub-micron region. Preferred Features: The wires are freely oscillated in the solution during growing. The solution is a citrate compound.

Description

Im Rahmen der allgemeinen Miniaturisierung von elektronischen Bauelementen, treten, je weiter man in den Submikrometerbereich vorstößt, immer stärker Eigenschaften der betreffenden Bauteile auf, die sich zum Teil erheblich von denen des kompakten festen Körpers des gleichen Materials unterscheiden. Zur Anwendung kommen bisher Nanopartikel, die in drei Raumrichtungen Abmessungen im Nanometerbereich haben und dünne Schichten, deren Abmessungen in einer Raumrichtung im Nanometerbereich liegen.As part of the general miniaturization of electronic components, occur further into the submicrometer range, properties of the relevant components, which are sometimes significantly different from those of the compact solid body of the same material. So far, nanoparticles have been used, which are divided into three Spatial dimensions have dimensions in the nanometer range and thin layers whose Dimensions in a spatial direction are in the nanometer range.

Im Zuge der ständigen Bemühungen zur Verkleinerung elektronischer Bauelemente, z. B. für die Informationstechnologie nimmt auch der Bedarf an Drähten mit Dicken im Submikrometerbereich zu.In the course of constant efforts to downsize electronic components, e.g. B. for Information technology also takes up the need for wires with thicknesses Submicrometer range too.

So können z. B. bei Schaltkreisen unter 100 nm Verbindungsstellen in der Größenordnung. unter 50 nm erforderlich sein.So z. B. in circuits below 100 nm junctions in the order of magnitude. below 50 nm may be required.

Bisherige Verfahren zur Erzeugung von Nanodrähten bestehen darin, daß an Stufenversetzungen Metallatome angelagert werden, oder daß ultradünne Proteinfäden metallisiert werden.Previous methods for producing nanowires consist in that Step dislocations are attached to metal atoms, or that ultra-thin protein threads be metallized.

Dabei ist zu erwarten, daß die Spezifische Leitfähigkeit sich signifikant von der des massiven Drahtes unterscheidet. Neuartige Leitfähigkeitsmechanismen hat man beispielsweise aus Experimenten an Kohlenstoflnanotube-Drähten bereits gefunden.It can be expected that the specific conductivity differs significantly from that of the massive Wire is different. One has, for example, innovative conductivity mechanisms Experiments on carbon nanotube wires have already been found.

Ziel der Erfindung ist es annähernd eindimensionale metallische Körper zu schaffen, die sich aufgrund ihrer geringen Abmessungen in Bezug auf ihre spezifische Leitfähigkeit und elektrischen Eigenschaften deutlich von der des massiven Körpers aus dem gleichen Material unterscheiden.The aim of the invention is to create approximately one-dimensional metallic bodies that are due to their small dimensions in terms of their specific conductivity and electrical properties significantly different from that of the solid body made of the same material differ.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß durch eine chemische Reaktion von Metallionen in einer Lösung Keime gebildet werden, die im weiteren Verlauf der Reaktion zu Drähten anwachsen. Die sich bildenden metallischen Drähte weisen Durchmesser im Nanometerbereich auf und ein Verhältnis von Länge zu Durchmesser größer als 200.According to the invention this object is achieved in that a chemical reaction of Metal ions are formed in a solution germs, which further increase in the course of the reaction Growing wires. The forming metallic wires have a diameter in Nanometer range and a length to diameter ratio greater than 200.

Weitere Ziele der Erfindung sind die Anwendung dieser kleinen Drähte für eine elektrische Kontaktierung von elektronischen Bauelementen, so wie optoelektronischen Bauelementen. Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung zur Herstellung von Nanodrähten, besteht darin, daß so viel Silbernitrat in einen Liter destilliertem Wasser gelöst wird, daß die Menge der Silberionen 7,5 mg beträgt. Anschließende wird hierin noch 30 mg Natriumcitrat aufgelöst und noch 1 ml einer 2% NH3-Lösung hinzugegeben. Darauf wird die Lösung so lange bei 100°C gekocht, bis eine Trübung einsetzt. Nach Abschluß der Reaktion befinden sich in der verbleibenden Flüssigkeit Drähte aus Silber mit einem Durchmesser um 20 nm und einer Länge von bis zu 1000 nm, zusätzlich werden dabei kugelähnliche Nanopartikel erzeugt.Further objects of the invention are the use of these small wires for electrical contacting of electronic components, such as optoelectronic components. An embodiment of the invention for the production of nanowires is that so much silver nitrate is dissolved in one liter of distilled water that the amount of silver ions is 7.5 mg. Then 30 mg of sodium citrate is dissolved in it and 1 ml of a 2% NH 3 solution is added. The solution is then boiled at 100 ° C. until turbidity sets in. After the reaction has ended, there are wires made of silver with a diameter of around 20 nm and a length of up to 1000 nm in the remaining liquid, in addition ball-like nanoparticles are produced.

Durch einen Filter können nun die Nanodrähte von den rundlichen Nanopartickeln separiet werden. Der Filtersatz, hauptsächlich bestehend aus Nanodrähten wird nun in Wasser eingebracht und die Flüssigkeit wieder bis zum sieden erhitzt. Durch langsames Zutropfen einer Silbernitratlösung und der entsprechenden Menge an Natrtiumcitrat, läßt man die Nanodrähte wachsen.The nanowires can now be separated from the rounded nanoparticles by a filter become. The filter set, consisting mainly of nanowires, is now in water introduced and the liquid heated to boiling again. By slowly dropping one Silver nitrate solution and the corresponding amount of sodium citrate, let the nanowires to grow.

Vorteilhaft für das Wachstum der Nanodrähte ist, die Konzentration der Metallione um die wachsenden Enden der Nanodrähte zu erhöhen. Dies geschieht Erfindungsgemäß dadurch, daß sich die Drähte in einem Elektrischen Feld befinden. Durch die Potentialdifferenz auf der Länge eines Drahtes wirkt das Ende des Drahtes, das dem Pluspol zugewandt ist stärker Anziehend auf die Metallione.An advantage for the growth of the nanowires is the concentration of the metal ions around the increasing growing ends of the nanowires. This happens according to the invention in that the wires are in an electrical field. Due to the potential difference on the length The end of a wire facing the positive pole of a wire is more attractive on the metal ions.

Besonders forteilhaft ist, wenn die Drahtenden elektrisch mit dem Minuspol einer Stromquelle kontaktiert sind. Am freien Ende des Nanodrahtes kann so unter Zuhilfenahme des elektrischen Stromes der Draht wachsen. It is particularly advantageous if the wire ends are electrically connected to the negative pole of a power source are contacted. At the free end of the nanowire, the electrical Stream of wire growing.  

Da die Nanodrähte in einem Durchmesserbereich liegen, der wesentlich kleiner ist, als die Wellenlänge des Lichtes, können diese mit den üblichen Lichtmikroskopen im Auflicht oder Durchlicht nicht detektiert werden.Because the nanowires are in a diameter range that is significantly smaller than that Wavelength of light, this can be done with the usual light microscope in reflected light or Transmitted light cannot be detected.

Erfindungsgemäß erfolgt die Sichtbarmachung der Nanodrähte durch Streulicht. Als Ausführung hierzu werden die Nanodrähte Fig. 1; 4, die sich auf einem Objektträger 1 eines Lichtmikroskopes 2 befinden mit einer Dunkelfelddbeläuchtung 3 im Durchlicht betrachtet. Durch die seitliche Dunkelfeldbeläuchtung 3 geht vom Nonodraht 4 Streulicht 5 aus, was mit Hilfe eines Lichtmikroskopes 2 beobachtet wird. Dadurch kann der Nanodraht 4 mit Hilfe eines Drahthakens 6 der sich zwischen dem Objektiv des Lichtmikroskopes 2 und dem Objektträger 1 befindet, auf dem Objektträger verschoben werden.According to the invention, the nanowires are made visible by scattered light. As an embodiment of this, the nanowires Fig. 1; 4 , which are located on a slide 1 of a light microscope 2 with dark field illumination 3 viewed in transmitted light. Stray light 5 emanates from the nono wire 4 through the lateral dark field illumination 3 , which is observed with the aid of a light microscope 2 . As a result, the nanowire 4 can be moved on the slide with the aid of a wire hook 6 which is located between the objective of the light microscope 2 and the slide 1 .

Auch läßt sich ein Draht mit geringem Durchmesser als Leiter für Plasmonen nutzen.A wire with a small diameter can also be used as a conductor for plasmons.

Fallen auf einen metallischen Festkörper Photonen, so werden in diesem Plasmonen, erzeugt. Diese sind Anregungen der Elektronen in einem metallischen Festkörper, wobei sich diese Störung dann als Plasmonen fortpflanzen kann. Jedoch ist in massiven Festkörpern die Dämpfung für Plasmonen derartig groß, daß deren Reichweite praktisch gegen Null geht. Bekannt ist, daß je kleiner die Strukturen werden, desto geringer die Dämpfung für Plasmonen wird.If photons fall on a metallic solid, plasmons are generated in it. These are excitations of the electrons in a metallic solid Disorder can then propagate as plasmons. However, in solid solids it is Damping for plasmons is so great that their range is practically zero. It is known that the smaller the structures, the lower the attenuation for plasmons becomes.

Durch die Erfindung soll die Aufgabe gelöst werden, Strukturen zu schaffen, die es erlauben Plasmonen zu leiten.The object of the invention is to create structures that allow it To conduct plasmons.

Erfindungsgemäß wird dies dadurch gelöst, daß für die Plasmonenleitung ein Nanodraht verwendet wird. Vorteilhaft sollte dieser Draht frei sein, oder zumindest nur von einem Nichtleiter umgeben sein.According to the invention, this is achieved in that a nanowire is used for the plasmon conduction is used. This wire should advantageously be free, or at least only one Be surrounded by non-conductors.

Ein Ausführungsbeispiel um Plasmonen zu leiten, besteht darin, daß hierzu ein Nanodraht mit anregungsbereich und Austritsbereich und einem Mittel zur Anregung eines Plasmons versehen wird.An exemplary embodiment for guiding plasmons is that a nanowire is used for this excitation area and exit area and a means for excitation of a plasmon becomes.

Ein Nanodraht Fig. 2; 1 wird an seinem Ende 2 mit Laserlicht 3 bestrahlt. Hierdurch werden Plasmonen im Nanodraht 1 erzeugt, die sich aufgrund der geringen Dämpfung im Nanodraht bis zu seinem anderen Ende fortpflanzen und hier wieder Photonen, die abgestrahlt werden, erzeugt. Diese Photonen werden mit herkömmlichen Mitteln detektiert.A nanowire Fig. 2; 1 is irradiated with laser light 3 at its end 2 . As a result, plasmons are generated in the nanowire 1 , which propagate to the other end due to the low attenuation in the nanowire and again generate photons that are emitted. These photons are detected using conventional means.

Claims (25)

1. Verfahren zum Herstellen von Nanodrähten, dadurch gekennzeichnet, daß die Drähte aufgrund einer chemischen Reaktion in einer flüssigen Lösung auf eine Länge anwachsen, die mindestens dem zweihundertfachen ihres Durchmessers entspricht und während Ihres Wachstumsprozesses an höchstens einem Ende einen Kontakt zu einem Festkörper haben.1. A method for producing nanowires, characterized in that the wires grow due to a chemical reaction in a liquid solution to a length which is at least two hundred times their diameter and have contact with a solid at one end during your growth process. 2. Verfahren zum Herstellen von Nanodrähten, dadurch gekennzeichnet, daß Metallatome in einer Lösung an einem in der Lösung zumindest mit einem Ende befindlichen Nanodraht angelagert werden.2. A method for producing nanowires, characterized in that metal atoms in a solution on a nanowire located in the solution with at least one end be attached. 3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Drähte während ihres Wachstumsprozesses in der flüssigen Lösung frei schwebend sind.3. The method according to claim 1 and 2, characterized in that the wires during their Growth process in the liquid solution are free floating. 4. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Drähte auf mindestens eine Länge anwachsen, die dem tausendfachen ihres Durchmessers entspricht.4. The method according to claim 1 and 2 and 3, characterized in that the wires on grow at least a length that corresponds to a thousand times its diameter. 5. Verfahren nach bisherigen Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der flüssigen Lösung um eine wässrige Lösung handelt.5. The method according to previous claims, characterized in that it is in the liquid solution is an aqueous solution. 6. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich in während des Abscheideprozesses eine Moleküleinheit -COO- befindet.6. The method according to claim 1 and 2 and 3, characterized in that there is a molecular unit -COO - during the deposition process. 7. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich in während des Abscheideprozesses eine Moleküleinheit
befindet7. The method according to claim 1 and 2 and 3, characterized in that there is a molecular unit in during the deposition process
is 8. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich in während des Abscheideprozesses eine Moleküleinheit
befindet.8. The method according to claim 1 and 2 and 3, characterized in that there is a molecular unit during the deposition process
located. 9. Verfahren nach Anspruch 1 und 2 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich während des Abscheideprozesses eine Citratverbindung in der Lösung befindet.9. The method according to claim 1 and 2 and 3, characterized in that during the Deposition process a citrate compound is in the solution. 10. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, das die Reaktion unter Zuhilfenahme eines Energeieintrages in die Lösung erfolgt,10. The method according to claim 1 and 2, characterized in that the reaction under Using an energy entry in the solution, 11. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es sich bei der chemischen Abscheidung um eine Fällungsreaktion handelt.11. The method according to claim 1 and 2, characterized in that it is in the chemical Deposition is a precipitation reaction. 12. Verfahren nach vorgenannten Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß die Drähte an speziellen in die flüssige Lösung eingebrachten Keimen wachsen.12. The method according to the preceding claims, characterized in that the wires on grow special germs introduced into the liquid solution. 13. Verfahren nach vorgenannten Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, daß der Abscheidevorgang unter mindestens einer Beteiligung des elektrischen Stromes erfolgt.13. The method according to the preceding claims, characterized in that the Separation process takes place with at least a participation of the electric current. 14. Vorrichtung mit gegenüber einem makroskopischen metallenen Festkörper geänderten spezifischen Eigenschaften, dadurch gekennzeichnet, daß es sich um einen Drahtartigen freien Körper handelt, mit einem Durchmesser von höchstens 50 nm und einer Länge, die mindestens dem 200 fachen seines Durchmessers entspricht.14. Device with a modified compared to a macroscopic metal solid specific properties, characterized in that it is a wire-like free body, with a maximum diameter of 50 nm and a length that corresponds to at least 200 times its diameter. 15. Vorrichtung nach Anspruch 13 und 22 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß der drahtartige Körper außer an seinen Enden, auf seiner Oberfläche nur eine Rauhigkeit aufweist, die kleiner ist als der zwanzigste Teil seines Durchmessers.15. The apparatus according to claim 13 and 22 and 23, characterized in that the wire-like body except for its ends, only a roughness on its surface which is smaller than the twentieth part of its diameter. 16. Verfahren und Vorrichtung nach vorgenannten Ansprüchen und Anspruch 22 und 23, dadurch gekennzeichnet, daß der erzeugte Nanodraht aus einem Edelmetall besteht.16. The method and device according to the preceding claims and claims 22 and 23, characterized in that the nanowire produced consists of a noble metal. 17. Verfahren und Vorrichtung nach den vorgenannten Ansprüchen und Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der erzeugte Nanodraht rund ist.17. The method and device according to the preceding claims and claim 21, characterized characterized in that the nanowire produced is round. 18. Vorrichtung zur Kontaktierung von elektronischen Bauteilen Strukturen, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktierung durch freie Drähte erfolgt, deren Durchmesser höchstens 50 Nanometer betragen.18. Device for contacting electronic component structures, thereby characterized in that the contact is made by free wires, their diameter be at most 50 nanometers. 19. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß mit dem Draht leitfähige Strukturen kontaktiert werden.19. The apparatus according to claim 17, characterized in that conductive with the wire Structures to be contacted. 20. Vorrichtung zur Leitung von elektrischen Ladungen, dadurch gekennzeichnet, daß hierfür ein freier Draht mit einem Durchmesser von höchstens 30 nm verwandt wird. 20. Device for conducting electrical charges, characterized in that for this a free wire with a diameter of at most 30 nm is used.   21. Verfahren zum Sichtbarmachen und räumlichen manipulieren von Drähten im Submikrometerbereich, dadurch gekennzeichnet, daß die Drähte unter einer optischen Vergrößerungseinrichtung beobachtet werden, wobei Licht seitlich zu der Beobachtungsachse auf die Drähte fällt und dort Streuung verursacht und dieses beobachtet wird und die Nanodrähte unter Beobachtung räumlich manipuliert werden.21. Process for making wires visible and manipulating them in space Submicrometer range, characterized in that the wires under an optical Magnifying device can be observed, with light laterally to the Observation axis falls on the wires and causes scattering there and this is observed and the nanowires are spatially manipulated under observation. 22. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Nanodrähte mechanisch manipuleit werden.22. The method according to claim 20, characterized in that the nanowires mechanically become manipulative. 23. Vorrichtung zur Leitung von Plasmonen, dadurch gekennzeichnet, daß hierfür ein metallischer Draht verwandt wird, der einen Durchmesser von höchstens 40 nm aufweist.23. Device for guiding plasmons, characterized in that a metallic wire is used, which has a diameter of at most 40 nm. 24. Vorrichtung nach Anspruch 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht frei ist und sich nicht auf einem Substrat befindet.24. The device according to claim 21, characterized in that the wire is free and itself not on a substrate. 25. Vorrichtung nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß hierfür ein metallischer Draht verwandt wird, der einen Durchmesser von höchstens 30 nm aufweist.25. The device according to claim 22, characterized in that for this purpose a metallic wire is used, which has a diameter of at most 30 nm.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7303723B2 (en) 2002-10-04 2007-12-04 The Ohio State University Research Foundation Method of forming nanostructures on ceramics

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244354C2 (en) * 1991-12-28 1995-06-14 Hidefumi Hirai Process for producing a non-aqueous dispersion of particles of a metal and / or a metal compound
DE10013013A1 (en) * 1999-03-29 2000-10-26 Hewlett Packard Co Chemical synthesized components, intersects pair of crossing conductors which form crossing which has function for measurement in nanometer range

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4244354C2 (en) * 1991-12-28 1995-06-14 Hidefumi Hirai Process for producing a non-aqueous dispersion of particles of a metal and / or a metal compound
DE10013013A1 (en) * 1999-03-29 2000-10-26 Hewlett Packard Co Chemical synthesized components, intersects pair of crossing conductors which form crossing which has function for measurement in nanometer range

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Dickson R.M *
Unidirectional plama propagartion in metallic nano wives. J.Phys. Chem. B. July 2000, Vol. 104, Nr. 26, S. 6095-98 (abstract) INSPE online (rech. am 19.,07. in EPOQUE) *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7303723B2 (en) 2002-10-04 2007-12-04 The Ohio State University Research Foundation Method of forming nanostructures on ceramics

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