DE10058774A1 - Optical transmitter, especially laser transmitter, has amplifier unit dimensioned so permissible load produced by parallel Ohmic resistance, signal line and transmitter unit impedances - Google Patents

Optical transmitter, especially laser transmitter, has amplifier unit dimensioned so permissible load produced by parallel Ohmic resistance, signal line and transmitter unit impedances

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DE10058774A1 DE2000158774 DE10058774A DE10058774A1 DE 10058774 A1 DE10058774 A1 DE 10058774A1 DE 2000158774 DE2000158774 DE 2000158774 DE 10058774 A DE10058774 A DE 10058774A DE 10058774 A1 DE10058774 A1 DE 10058774A1
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    • H04B10/501Structural aspects
    • H04B10/503Laser transmitters
    • H04B10/504Laser transmitters using direct modulation

Abstract

The device has an amplifier unit whose output is connected to a d.c. voltage source via an Ohmic resistance and to the input of an optical transmitter unit whose output is used a modulation signal. The amplifier unit is dimensioned so a permissible load is produced by the parallel Ohmic resistance and signal line and transmitter unit impedances. The resistance is dimensioned to absorb most of the power of a wave reflected by the signal line. The device has an amplifier unit (3) whose output is connected to a d.c. voltage source via an Ohmic resistance (R) and to the input of an optical transmitter unit (9) whose output is used a modulation signal. The amplifier unit is dimensioned so that a permissible load is produced by the parallel Ohmic resistance and the signal line (19) and transmitter unit impedances. The Ohmic resistance is dimensioned so that most of the power of a wave reflected by the signal line is absorbed by the resistance.

Description

Die Erfindung betrifft eine optische Sendeeinrichtung, insbesondere Laser- Sendeeinrichtung, mit den Merkmalen des Oberbegriffs des Patentanspruchs 1.The invention relates to an optical transmission device, in particular laser Transmitting device with the features of the preamble of patent claim 1.

Optische Sendeeinrichtungen finden in vielfältigen Ausgestaltungen, insbesondere zur Datenübertragung über Lichtwellenleiter Verwendung. Bei der Datenübertragung mit hohen Bitraten, insbesondere bei Bitraten höher als ein GHz, treten auf der elektrischen Seite, beispielsweise den Treiberschaltungen für Laserdioden, Probleme infolge der hohen Frequenzen auf. Bei derart hohen Frequenzen ist regelmäßig eine Anpassung der Impedanzen der Laser an die Ausgangsimpedanz einer entsprechenden Treiberschaltung erforderlich. Ist keine ausreichende Anpassung gegeben, so kommt es zu mehrfachen Reflexionen von elektromagnetischen Wellen zwischen der eigentlichen, den Laser umfassenden Sendeeinheit und dem Ausgang der Treibereinheit. Dies führt zu einer Verzerrung des den Laser modulierenden Signals und damit zu einer Beeinträchtigung des Signalstörabstands des über eine nachgeschaltete Übertragungsstrecke zu übertra­ genden Signals.Optical transmission devices can be found in a variety of configurations, in particular for Data transmission via fiber optic use. When transferring data with High bit rates, especially at bit rates higher than one GHz, occur on the electrical Side, such as the driver circuits for laser diodes, problems due to high frequencies. At such high frequencies, the Impedances of the laser to the output impedance of a corresponding driver circuit required. If there is no adequate adjustment, there are several Reflections of electromagnetic waves between the actual laser comprehensive transmitter unit and the output of the driver unit. This leads to a Distortion of the signal modulating the laser and thus impairment the signal-to-noise ratio to be transmitted via a downstream transmission link signal.

Fig. 1 zeigt eine bekannte optische Sendeeinrichtung, wie sie auch von der Anmelderin eingesetzt wurde. Die optische Sendeeinrichtung 1 umfasst eine Verstärkereinheit 3, die weitgehend als integrierter Treiberbaustein ausgebildet sein kann. Die Verstärkereinheit 3 weist einen Ausgang 5 auf, der über eine Induktivität L1 mit der Betriebsspannung Vcc einer nicht näher dargestellten Spannungsquelle verbunden ist. Die Gleichspannung Vcc wird über die Induktivität L1 dem Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 zugeführt und dient als Spannungsversorgung für die Verstärkereinheit 3. Das elektrische Ausgangs­ signal der Verstärkereinheit 3, das am Ausgang 5 anliegt, wird über eine Kapazität C1 dem Eingang 7 einer optischen Sendeeinheit 9 zugeführt. Fig. 1 shows a known optical transmission device, as was also used by the applicant. The optical transmission device 1 comprises an amplifier unit 3 , which can largely be designed as an integrated driver module. The amplifier unit 3 has an output 5 , which is connected via an inductor L 1 to the operating voltage Vcc of a voltage source, not shown. The DC voltage Vcc is fed to the output 5 of the amplifier unit 3 via the inductance L 1 and serves as a voltage supply for the amplifier unit 3 . The electrical output signal of the amplifier unit 3 , which is present at the output 5 , is fed to the input 7 of an optical transmitter unit 9 via a capacitor C 1 .

Die optische Sendeeinheit 9 umfasst eine Laserdiode 11, deren Anode über den Eingang 13 der optischen Sendeeinheit 9 die Spannung VL einer nicht näher dargestellten gere­ gelten Gleichspannungsquelle zugeführt ist. Die Kathode der Laserdiode 11 ist über eine Induktivität L2 mit einem Ausgang 15 der Sendeeinheit 9 verbunden, der an das Massepotential gelegt ist. Die Anode ist weiterhin mit einer Kapazität C2 verbunden, die einen Masseschluss für das hochfrequente Modulationssignal darstellt, falls dieser nicht über den Ausgang der geregelten Gleichspannungsquelle realisiert ist.The optical transmitter unit 9 comprises a laser diode 11 , the anode of which is supplied via the input 13 of the optical transmitter unit 9 with the voltage V L of a DC voltage source, not shown in detail. The cathode of the laser diode 11 is connected via an inductor L 2 to an output 15 of the transmitter unit 9, which is connected to the ground potential. The anode is also connected to a capacitance C2, which represents a short to ground for the high-frequency modulation signal if this is not implemented via the output of the regulated DC voltage source.

Weiterhin ist der Eingang 7 der optischen Sendeeinheit 9 mit einem Anpassungsnetz­ werk 17 verbunden, welches eine möglichst breitbandige Anpassung des Eingangs 7 der optischen Sendeeinheit 9 an den Wellenwiderstand einer Signalleitung 19 gewährleisten soll, die den Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 mit dem Eingang 7 der Sendeeinheit 9 verbindet. Die Signalleitung 19 führt das elektrische Ausgangssignal, das am Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 erzeugt wird, dem Eingang 7 der optischen Sendeeinheit 9 zu. Dieses elektrische Modulationssignal bewirkt eine Modulation des Stroms durch die Laserdiode 11, deren Arbeitspunkt durch die geregelte Spannung VL eingestellt ist. Die Spannung VL erzeugt dabei einen Gleichstrom durch die Laserdiode 11, der über die Induktivität L2 und den Ausgang 15 der Sendeeinheit 9 nach Masse fließt. Für das hoch­ frequente Modulationssignal stellt die Induktivität L2 eine offene Leitung dar.Furthermore, the input 7 of the optical transmission unit 9 is connected to an adaptation network 17 , which is intended to ensure the widest possible adaptation of the input 7 of the optical transmission unit 9 to the characteristic impedance of a signal line 19 which connects the output 5 of the amplifier unit 3 to the input 7 of the transmission unit 9 connects. The signal line 19 leads the electrical output signal, which is generated at the output 5 of the amplifier unit 3 , to the input 7 of the optical transmitter unit 9 . This electrical modulation signal effects a modulation of the current through the laser diode 11 , the operating point of which is set by the regulated voltage V L. The voltage V L generates a direct current through the laser diode 11 , which flows to ground via the inductance L 2 and the output 15 of the transmitter unit 9 . The inductance L 2 represents an open line for the high-frequency modulation signal.

Nachteilig bei dieser bekannten optischen Sendeeinrichtung ist der Aufwand sowohl für die Dimensionierung als auch für die Realisierung des Anpassungsnetzwerks 17. Zudem kann auch ein aufwendiges Anpassungsnetzwerk 17 kaum die gewünschte breitbandige Anpassung der Eingangsimpedanz der optischen Sendeeinheit 9 an den Wellenwider­ stand der Signalleitung 19 zwischen dem Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 und dem Eingang 7 der optischen Sendeeinheit 9 gewährleisten.A disadvantage of this known optical transmission device is the expense both for the dimensioning and for the implementation of the adaptation network 17 . In addition, a complex adaptation network 17 can hardly guarantee the desired broadband adaptation of the input impedance of the optical transmission unit 9 to the wave impedance of the signal line 19 between the output 5 of the amplifier unit 3 and the input 7 of the optical transmission unit 9 .

Darüber hinaus besteht in diesem Zusammenhang das Problem, dass sich die Impedanz der Laserdiode 11 mit dem Modulationsstrom ändert und zudem eine relativ große Streuung zwischen einzelnen Exemplaren desselben Typs der Laserdiode 11 aufweist. In addition, there is the problem in this connection that the impedance of the laser diode 11 changes with the modulation current and also has a relatively large scatter between individual examples of the same type of laser diode 11 .

Infolge praktisch nicht zu vermeidender Fehlanpassungen kommt es daher zu Reflexio­ nen am Eingang 7 der optischen Sendeeinheit 9 bzw. an der Laserdiode 11, wobei die reflektierte elektromagnetische Welle über die Signalleitung 19 in Richtung auf den Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 zurückgeführt wird. Da die Induktivität L1 bezüglich der hochfrequenten elektromagnetischen Welle praktisch eine aufgetrennte Leitung darstellt, läuft die reflektierte Welle in den Eingang 5 der Verstärkereinheit 3 hinein, der jedoch in Bezug auf eine Anpassung ein undefiniertes Verhalten zeigt. Hieraus resultiert eine erneute Reflexion, so dass es durch die Fehlanpassungen auf beiden Seiten der Signalleitung 19 zu Mehrfachreflexionen kommt, die wiederum zu unerwünschten Interferenzen bzw. einer Beeinträchtigung der Signalqualität führen.As a result of practically unavoidable mismatches, reflections therefore occur at the input 7 of the optical transmitter unit 9 or on the laser diode 11 , the reflected electromagnetic wave being returned via the signal line 19 in the direction of the output 5 of the amplifier unit 3 . Since the inductance L 1 with respect to the high-frequency electromagnetic wave is practically a disconnected line, the reflected wave runs into the input 5 of the amplifier unit 3 , which, however, exhibits an undefined behavior in relation to an adaptation. This results in a new reflection, so that the mismatches on both sides of the signal line 19 lead to multiple reflections, which in turn lead to undesired interference or impairment of the signal quality.

Ausgehend von diesem Stand der Technik liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine optische Sendeeinrichtung, insbesondere Laser-Sendeeinrichtung, zu schaffen, bei der auf einfache Weise und mit geringem schaltungstechnischen Aufwand eine hohe Signalqualität des Modulationssignals erreichbar ist, mit dem eine optische Sendeein­ heit der Sendeeinrichtung beaufschlagt wird, und damit eine hohe Qualität (in Bezug auf den Signalstörabstand) des optischen Sendesignals.Starting from this prior art, the invention is based on the object to create an optical transmitter, in particular a laser transmitter which is high in a simple manner and with low circuit complexity Signal quality of the modulation signal can be achieved with which an optical transmission is unit is applied, and thus a high quality (in relation to the signal-to-noise ratio) of the optical transmission signal.

Die Erfindung löst diese Aufgabe mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1.The invention solves this problem with the features of claim 1.

Die Erfindung geht von der Erkenntnis aus, dass eine an der optischen Sendeeinheit reflektierte elektromagnetische Welle mit hohem Wirkungsgrad unterdrückt werden kann, wenn am Ausgang der Verstärkereinheit anstelle einer Induktivität ein ohmscher Widerstand vorgesehen ist, über den der Ausgang der Verstärkereinheit 3 mit einer Gleichspannungsquelle verbunden ist und über den der Verstärkereinheit die Betriebs­ gleichspannung VCC zugeführt wird. Hierdurch wird erreicht, dass der wesentliche An­ teil einer an der optischen Sendeeinheit reflektierten elektromagnetischen Welle über den ohmschen Widerstand abfließt bzw. die Leistung dieser reflektierten elektromagne­ tischen Welle vollkommen vernichtet oder zumindest drastisch reduziert wird. Hier­ durch werden Mehrfachreflexionen bzw. Interferenzen auf der Signalleitung zwischen dem Ausgang der Verstärkereinheit und dem Eingang der optischen Sendeeinheit voll­ kommen unterdrückt bzw. auf ein Minimum reduziert. Überraschenderweise ergibt sich durch diese einfache schaltungstechnische Lösung auch ohne aufwendiges Anpassungs­ netzwerk ein hervorragendes Signalstörabstand, auch wenn keine optimale Anpassung der Impedanzen auf beiden Seiten der Signalleitung gegeben ist.The invention is based on the knowledge that an electromagnetic wave reflected at the optical transmitter unit can be suppressed with high efficiency if an ohmic resistor is provided at the output of the amplifier unit instead of an inductor, via which the output of the amplifier unit 3 is connected to a DC voltage source and via which the DC operating voltage V CC is supplied to the amplifier unit. This ensures that the essential part of an electromagnetic wave reflected at the optical transmitter unit flows through the ohmic resistance or the power of this reflected electromagnetic wave is completely destroyed or at least drastically reduced. In this way, multiple reflections or interferences on the signal line between the output of the amplifier unit and the input of the optical transmission unit are completely suppressed or reduced to a minimum. Surprisingly, this simple circuitry solution results in an excellent signal-to-noise ratio even without a complex adaptation network, even if there is no optimal adaptation of the impedances on both sides of the signal line.

Nach einer Ausführungsform der Erfindung wird der Wellenwiderstand der Signallei­ tung im Wesentlichen gleich der Eingangsimpedanz der optischen Sendeeinheit ge­ wählt. Dies gilt zumindest für eine bestimmte Modulationsfrequenz des Ausgangs­ signals der Verstärkereinheit. Für andere Frequenzen gibt sich zwar eine Fehlanpassung, die zu Reflexionen führt, jedoch werden entsprechend reflektierte elektromagnetische Wellen über den ohmschen Widerstand am Ausgang der Verstärkereinheit ausreichend unterdrückt bzw. gedämpft. Ein Anpassungsnetzwerk, dass eine möglichst breitbandige Anpassung der Eingangsimpedanz der Sendeeinheit an den Wellenwiderstand der Si­ gnalleitung gewährleistet, ist somit entbehrlich. Hierdurch ergibt sich eine kompaktere Bauweise der Sendeeinrichtung, ein einfacheres Design der Schaltung und eine kosten­ günstigere Herstellung.According to one embodiment of the invention, the wave resistance of the signal line device is essentially equal to the input impedance of the optical transmitter unit chooses. This applies at least to a certain modulation frequency of the output signals of the amplifier unit. For other frequencies there is a mismatch, which leads to reflections, however, are accordingly reflected electromagnetic Waves above the ohmic resistance at the output of the amplifier unit are sufficient suppressed or damped. An adaptation network that is as broadband as possible Adaptation of the input impedance of the transmitter unit to the characteristic impedance of the Si Guaranteed signal line is therefore unnecessary. This results in a more compact Construction of the transmitter, a simpler design of the circuit and a cost cheaper manufacturing.

Nach einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann der ohmsche Widerstand am Ausgang der Sendeeinrichtung in einem Bereich von im Wesentlichen dem Einfachen des Realteils des Wellenwiderstands bis zum Dreifachen des Realteils des Wellenwider­ stands der Signalleitung gewählt sein. In diesem Bereich ergibt sich einerseits eine ausreichende Dämpfung von reflektierten elektromagnetischen Wellen und zum anderen eine noch akzeptable Belastung des Ausgangs der Verstärkereinheit durch den ohm­ schen Widerstand. Als guter Kompromiss zwischen einer möglichst guten Anpassung und einer noch akzeptablen Belastung des Ausgangs der Verstärkereinheit hat sich die Wahl des ohmschen Widerstands als in etwa das Doppelte des Realteils des Wellenwi­ derstands der Signalleitung gezeigt. According to a further embodiment of the invention, the ohmic resistance on Output of the transmission device in a range of essentially simple of the real part of the wave resistance up to three times the real part of the wave resistance status of the signal line must be selected. On the one hand, there is one in this area adequate attenuation of reflected electromagnetic waves and on the other an acceptable load on the output of the amplifier unit by the ohm resistance. As a good compromise between the best possible adaptation and a still acceptable load on the output of the amplifier unit Choice of ohmic resistance as approximately twice the real part of the wave wi the status of the signal line shown.  

Nach einer Ausgestaltung der Erfindung kann der nicht mit dem Ausgang verbundene Anschluss des ohmschen Widerstands mit dem Anschluss einer Kapazität verbunden sein, deren anderer Anschluss mit dem Massepotential verbunden ist. Auf diese Weise kann erreicht werden, dass die hochfrequenten reflektierten elektromagnetischen Wellen nach Masse abgeführt werden, wenn der Ausgang der mit dem Widerstand verbundenen Spannungsquelle nicht schon ohnehin einen für hochfrequente Anteile wirkenden Mas­ senschluss darstellt.According to one embodiment of the invention, the one not connected to the output can be used Connection of the ohmic resistor connected to the connection of a capacitance be the other terminal of which is connected to the ground potential. In this way can be achieved that the high-frequency reflected electromagnetic waves to be dissipated to ground when the output is connected to the resistor Power source is not already a Mas for high-frequency components represents closure.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.Further embodiments of the invention result from the subclaims.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausfüh­ rungsbeispiels näher erläutert. In der Zeichnung zeigen:The invention is described below with reference to an embodiment shown in the drawing example explained in more detail. The drawing shows:

Fig. 1 eine schematische Darstellung einer Sendeeinrichtung nach dem Stand der Technik; und Figure 1 is a schematic representation of a transmission device according to the prior art. and

Fig. 2 eine schematische Darstellung einer Sendeeinrichtung nach der Erfindung. Fig. 2 is a schematic representation of a transmission device according to the invention.

Die in Fig. 2 dargestellte optische Sendeeinrichtung 100 weist, ebenso wie die in Fig. 1 dargestellte bekannte Sendeeinrichtung, eine Verstärkereinheit 3 und eine optische Sendeeinheit 9 auf, wobei der Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 über die Signalleitung 19 mit dem Eingang 7 der optischen Sendeeinheit 9 verbunden ist.The optical transmitter 100 shown in FIG. 2, like the known transmitter shown in FIG. 1, has an amplifier unit 3 and an optical transmitter unit 9 , the output 5 of the amplifier unit 3 via the signal line 19 to the input 7 of the optical transmitter unit 9 is connected.

Die Verstärkereinheit 3 und die Sendeeinheit 9 können identisch mit den entsprechen­ den Einheiten der Sendeeinrichtung in Fig. 1 ausgebildet sein. Insgesamt werden im Zusammenhang mit der optischen Sendeeinrichtung nach Fig. 2 identische Bezugszei­ chen für diejenigen Komponenten verwendet, die bereits vorstehend im Zusammenhang mit Fig. 1 beschrieben wurden. The amplifier unit 3 and the transmission unit 9 can be configured identically to the corresponding units of the transmission device in FIG. 1. Overall, identical reference characters are used in connection with the optical transmission device according to FIG. 2 for those components which have already been described above in connection with FIG. 1.

Im Unterschied zur optischen Sendeeinrichtung 1 nach Fig. 1 ist bei der optischen Sen­ deeinrichtung 100 nach Fig. 2 die Gleichspannung Vcc dem Ausgang 5 der Verstär­ kereinheit 3 nicht über eine Induktivität, sondern über einen ohmschen Widerstand R zugeführt. Die Kapazität C1 in der Signalleitung 19 trennt die Verstärkereinheit 3 und die Sendeeinheit 9 gleichstrommäßig. Das am Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 er­ zeugte hochfrequente elektrische Ausgangssignal, das als Modulationssignal für die Laserdiode 11 dient, erzeugt in der Signalleitung 19 einen Teilstrom, der das ge­ wünschte Modulationssignal darstellt. Dieses wird über die Signalleitung 19 und die Kapazität C1 dem Eingang 7 der Verstärkereinheit 3 zugeführt. Darüber hinaus erzeugt die Spannung am Ausgang S der Verstärkereinheit 3 einen weiteren Teilstrom durch den ohmschen Widerstand R, wobei es sich hier zunächst um unerwünschte Verluste han­ delt. Die Verstärkereinheit 3, die beispielsweise als integrierte Treiberschaltung ausge­ bildet sein kann, muss daher entsprechend dimensioniert sein. Falls die mit dem Wider­ stand R verbundene Spannungsquelle hinsichtlich des hochfrequenten Stroms keinen Kurzschluss nach Masse darstellen sollte, ist bei der Ausführungsform nach Fig. 2 eine Kapazität C3 vorgesehen, die einerseits mit dem Widerstand R und andererseits mit dem Massepotential verbunden ist. Die Kapazität C3 ermöglicht daher ein Abfließen des hochfrequenten Teilstroms durch den Widerstand R nach Masse.In contrast to the optical transmitter device 1 according to FIG. 1, in the optical sensor device 100 according to FIG. 2, the DC voltage Vcc is not supplied to the output 5 of the amplifier unit 3 via an inductance but via an ohmic resistor R. The capacitance C 1 in the signal line 19 separates the amplifier unit 3 and the transmitter unit 9 in a direct current manner. The at the output 5 of the amplifier unit 3, he produced high-frequency electrical output signal, which serves as a modulation signal for the laser diode 11 , generates a partial current in the signal line 19 , which represents the desired modulation signal. This is fed via the signal line 19 and the capacitance C 1 to the input 7 of the amplifier unit 3 . In addition, the voltage at the output S of the amplifier unit 3 generates a further partial current through the ohmic resistor R, which initially involves undesirable losses. The amplifier unit 3 , which can be formed, for example, as an integrated driver circuit, must therefore be dimensioned accordingly. If the voltage source connected to the resistor R should not represent a short circuit to ground with regard to the high-frequency current, a capacitor C 3 is provided in the embodiment according to FIG. 2, which is connected on the one hand to the resistor R and on the other hand to the ground potential. The capacitance C 3 therefore allows the high-frequency partial current to flow through the resistor R to ground.

Dieser zunächst in Bezug auf die am Ausgang 5 der Verstärkereinheit 3 erzeugte Si­ gnalspannung unerwünschte Effekt des Erzeugens einer Signal-Verlustleistung im ohm­ schen Widerstand R wird für den Fall einer über die Signalleitung 19 in Richtung auf den Ausgang 5 zurückgeführten reflektierten Welle ausgenutzt, um die reflektierte Welle über den Widerstand R und die Kapazität C3 nach Masse abzuführen. Zu diesem Zweck sollte der ohmsche Widerstand R beziehungsweise die gesamte Last, die sich aus der Parallelschaltung der Ausgangsimpedanz des Ausgangs 5 und aus dem ohmschen Widerstand R zusammensetzt, möglichst mit dem Wellenwiderstand der Signalleitung 19 übereinstimmen. Im Fall einer derartigen vollkommenen Anpassung würde eine am Eingang 7 der Sendeeinheit 9 reflektierte Welle vollkommen unterdrückt beziehungs­ weise nach Masse abgeführt. Da eine derartige Anpassung jedoch nur für eine bestimmte Frequenz möglich ist, kommt es jedoch selbstverständlich zu, allerdings sehr geringen, erneuten Reflexionen.This, initially in relation to the signal voltage generated at the output 5 of the amplifier unit 3 , undesirable effect of generating a signal power loss in the ohmic resistor R is used in the case of a reflected wave returned via the signal line 19 in the direction of the output 5 , in order to dissipate reflected wave through the resistor R and the capacitance C 3 to ground. For this purpose, the ohmic resistance R or the entire load, which is composed of the parallel connection of the output impedance of the output 5 and the ohmic resistance R, should match the characteristic impedance of the signal line 19 as far as possible. In the case of such a perfect adaptation, a wave reflected at the input 7 of the transmission unit 9 would be completely suppressed or dissipated to ground. However, since such an adjustment is only possible for a certain frequency, there are, of course, very few, new reflections.

In der Praxis hat sich gezeigt, dass sich ein hervorragender Signalverlauf des Modulati­ onssignals am Eingang 7 der Verstärkereinheit 3 ergibt, wenn der ohmsche Widerstand R zwischen dem einfachen und dreifachen Realteil des Wellenwiderstands der Signal­ leitung 19 gewählt wird.In practice it has been shown that there is an excellent signal curve of the modulation signal at the input 7 of the amplifier unit 3 if the ohmic resistance R is chosen between the single and triple real parts of the characteristic impedance of the signal line 19 .

Als sehr guter Kompromiss zwischen einer möglichst geringen ohmschen Belastung des Ausgangs 5 der Verstärkereinheit 3 und einer ausreichenden Anpassung an den Wel­ lenwiderstand der Signalleitung 19 hat sich in der Praxis der ca. doppelte Wert des Realteils des Wellenwiderstands der Signalleitung 19 für den ohmschen Widerstand R ergeben.As a very good compromise between the lowest possible ohmic load on the output 5 of the amplifier unit 3 and a sufficient adaptation to the wel resistance of the signal line 19 , there has been approximately twice the value of the real part of the characteristic impedance of the signal line 19 for the ohmic resistance R. ,

Die Treiberschaltung für eine Laserdiode bzw. ein optisches Sendeelement nach Fig. 2 weist somit den Vorteil eines äußerst einfachen schaltungstechnischen Aufbaus auf und besitzt zudem hervorragende Eigenschaften in Bezug auf einen möglichst optimalen Verlauf des Modulationssignals für das optische Sendeelement. Da keinerlei Kompen­ sationsnetzwerk erforderlich ist, kann die optische Sendeeinrichtung nach Fig. 2 mit einer weitaus geringeren Baugröße realisiert werden, als dies bei bekannten Sendeein­ richtungen der Fall ist.The driver circuit for a laser diode or an optical transmission element according to FIG. 2 thus has the advantage of an extremely simple circuit design and also has excellent properties with regard to the optimal possible course of the modulation signal for the optical transmission element. Since no compensation network is required, the optical transmitter device according to FIG. 2 can be realized with a much smaller size than is the case with known transmitter devices.

Claims (6)

1. Optische Sendeeinrichtung, insbesondere Laser-Sendeeinrichtung
  • a) mit einer Verstärkereinheit (3), welche einen Eingang (4) aufweist, dem ein zu verstärkendes und zu sendendes elektrisches Signal zuführbar ist, und welche einen Ausgang (5) aufweist, an dem das verstärkte, dem Eingang (4) zugeführte elektrische Signal als elektrisches Ausgangssignal anliegt,
  • b) wobei der Ausgang (5) der Verstärkereinheit mit einer Gleichspannungs­ quelle verbunden ist, und
  • c) mit einer optischen Sendeeinheit (9), welche einen Eingang (7) aufweist, der über eine Signalleitung (19) mit dem Ausgang (5) der Verstärkereinheit (3) verbunden ist, wobei das elektrische Ausgangssignal der optischen Sende­ einheit (9) als Modulationssignal zugeführt ist, dadurch gekennzeichnet,
  • d) dass die Gleichspannungsquelle über einen ohmschen Widerstand (R) mit dem Ausgang (5) der Verstärkereinheit (3) verbunden ist,
  • e) wobei die Verstärkereinheit (3) so dimensioniert ist, dass sich eine zulässige Belastung des Ausgangs (5) durch den ohmschen Widerstand (R) und die parallel hierzu liegende Impedanz der nachgeschalteten Signalleitung (19) und optischen Sendeeinheit (9) ergibt, und
  • f) dass der ohmsche Widerstand (R) unter Berücksichtigung des Wellenwider­ stands der Signalleitung (19) und der Eingangsimpedanz der optischen Sen­ deeinheit (9) so dimensioniert ist, dass der überwiegende Anteil der Lei­ stung einer über die Signalleitung (19) reflektierten Welle über den ohm­ schen Widerstand (R) vernichtet wird.
1. Optical transmission device, in particular laser transmission device
  • a) with an amplifier unit ( 3 ) which has an input ( 4 ) to which an electrical signal to be amplified and transmitted can be fed, and which has an output ( 5 ) to which the amplified electrical input ( 4 ) is supplied Signal is present as an electrical output signal,
  • b) wherein the output ( 5 ) of the amplifier unit is connected to a DC voltage source, and
  • c) with an optical transmission unit ( 9 ) which has an input ( 7 ) which is connected via a signal line ( 19 ) to the output ( 5 ) of the amplifier unit ( 3 ), the electrical output signal of the optical transmission unit ( 9 ) is supplied as a modulation signal, characterized in that
  • d) the DC voltage source is connected to the output ( 5 ) of the amplifier unit ( 3 ) via an ohmic resistor (R),
  • e) wherein the amplifier unit ( 3 ) is dimensioned such that there is a permissible load on the output ( 5 ) due to the ohmic resistance (R) and the parallel impedance of the downstream signal line ( 19 ) and optical transmitter unit ( 9 ), and
  • f) that the ohmic resistance (R), taking into account the wave resistance of the signal line ( 19 ) and the input impedance of the optical sensor unit ( 9 ), is dimensioned such that the predominant portion of the power is reflected by the signal line ( 19 ) ohmic resistance (R) is destroyed.
2. Sendeeinrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Wellen­ widerstand der Signalleitung (19) im Wesentlichen gleich der Eingangsimpedanz der optischen Sendeeinheit (9) gewählt ist.2. Transmitting device according to claim 1, characterized in that the wave resistance of the signal line ( 19 ) is selected substantially equal to the input impedance of the optical transmitter unit ( 9 ). 3. Sendeeinrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der ohmsche Widerstand (R) in einem Bereich von im Wesentlichen dem Realteil des Wellenwiderstands bis zum Dreifachen des Realteils des Wellenwiderstands der Signalleitung (19) gewählt ist, vorzugsweise gleich dem doppelten des Realteils des Wellenwiderstands.3. Transmitting device according to claim 1 or 2, characterized in that the ohmic resistance (R) is selected in a range from essentially the real part of the wave resistance to three times the real part of the wave resistance of the signal line ( 19 ), preferably equal to twice the real part of the wave resistance. 4. Sendeeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der nicht mit dem Ausgang (5) verbundene Anschluss des ohm­ schen Widerstands (R) mit dem Anschluss einer Kapazität verbunden ist, deren anderer Anschluss mit dem Massepotenzial verbunden ist.4. Transmitting device according to one of the preceding claims, characterized in that the connection of the ohmic resistor (R) which is not connected to the output ( 5 ) is connected to the connection of a capacitance, the other connection of which is connected to the ground potential. 5. Sendeeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass kein Anpassungsnetzwerk für die Anpassung der Eingangsimpe­ danz der Sendeeinheit (9) an den Wellenwiderstand der die Signalleitung (19) vorgesehen ist.5. Transmitting device according to one of the preceding claims, characterized in that no adaptation network for adapting the input impedance of the transmitting unit ( 9 ) to the characteristic impedance of the signal line ( 19 ) is provided. 6. Sendeeinrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekenn­ zeichnet, dass der Ausgang (5) der Verstärkereinheit (3) kapazitiv mit dem Ein­ gang (7) der optischen Sendeeinheit (9) gekoppelt ist.6. Transmitting device according to one of the preceding claims, characterized in that the output ( 5 ) of the amplifier unit ( 3 ) is capacitively coupled to the input ( 7 ) of the optical transmitting unit ( 9 ).
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