DE10058767A1 - Production of a predetermined gas pressure in a first chamber used in a cathode sputtering device comprises simultaneously introducing a gas into the first chamber and into a second transport chamber - Google Patents

Production of a predetermined gas pressure in a first chamber used in a cathode sputtering device comprises simultaneously introducing a gas into the first chamber and into a second transport chamber

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Abstract

Production of a predetermined gas pressure in a first chamber (1) comprises simultaneously introducing a gas into the first chamber and into a second transport chamber (2), in which the gas is present at a higher pressure than the predetermined gas pressure. The second chamber is connected to the first chamber for a predetermined time. Preferred Features: Process gas is introduced into the transport chamber so that a higher pressure can be adjusted in the transport chamber for a predetermined time before positioning the substrate (3). Process gas can be continuously or discontinuously into the transport chamber.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum beschleunigten Erzeugen eines vorbestimmten Gasdruckes in einer Kammer, insbesondere einer Vakuum-Prozeßkammer. In einer bevorzugten Ausführungsform betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Zünden eines Plasmas in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage.The invention relates to a method for the accelerated generation of a predetermined Gas pressure in a chamber, especially a vacuum process chamber. In a preferred embodiment, the invention relates to a method for igniting a Plasma in a cathode sputtering system.

Für das Zünden eines Plasmas ist ein Mindestdruck für das das Plasma bildende Gas erforderlich. Die Homogenität der Schichtabscheidung in einer Kathoden- Zerstäubungsanlage ist jedoch bei niedrigeren Gasdrücken besser als bei höheren Gasdrücken. Bekannt ist ein Verfahren, als Zündhilfe kurzfristig den Fluß des Prozeß­ gases in die Prozeßkammer zu erhöhen und damit ein zuverlässiges Zünden des Plas­ mas zu erreichen. Der Nachteil im Stand der Technik besteht darin, daß die Ausbildung des erforderlichen Druckes in der Prozeßkammer, bedingt durch den Widerstand ent­ sprechender Einlaßventile, zeitlich verzögert ist. Das ist zum Beispiel am Druckverlauf A und B des Prozeßgases (ohne bzw. mit vorstehend erwähnter Zündhilfe (Erhöhung des Prozeßgasflusses in die Prozeßkammer)) in Fig. 3 nach dem Gaseinlaß, beginnend zur Zeit t1 sichtbar.A minimum pressure for the gas forming the plasma is required to ignite a plasma. However, the homogeneity of the layer deposition in a cathode sputtering system is better at lower gas pressures than at higher gas pressures. A method is known as a short-term ignition aid to increase the flow of the process gas into the process chamber and thus to achieve reliable ignition of the plasma. The disadvantage in the prior art is that the formation of the required pressure in the process chamber is delayed due to the resistance of corresponding intake valves. This can be seen, for example, from the pressure curve A and B of the process gas (without or with the above-mentioned ignition aid (increasing the process gas flow into the process chamber)) in FIG. 3 after the gas inlet, starting at time t 1 .

Generell ist es auch erwünscht, daß ein vorbestimmter Gasdruck, zum Beispiel nach Schließen der Prozeßkammer, möglichst schnell erreicht wird, um zeitliche Verzöge­ rungen des Prozesses zu eliminieren.In general, it is also desirable that a predetermined gas pressure, for example after Closing the process chamber, achieved as quickly as possible, due to time delays eliminating the process.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum beschleunigten Erzeugen eines vorbestimmten Gasdruckes zur Verfügung zu stellen, bei dem die Zeit zum Aus­ bilden des vorbestimmten Gasdruckes gegenüber den herkömmlichen Verfahren ver­ kürzt wird, insbesondere als Zündhilfe zum Erzeugen eines Plasmas. The invention has for its object a method for accelerated generation to provide a predetermined gas pressure at which the time to turn off form the predetermined gas pressure compared to the conventional methods is shortened, in particular as an ignition aid for generating a plasma.  

Die Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.The object is achieved with the features of the claims.

Bei der Lösung geht die Erfindung von folgenden Grundgedanken aus.In the solution, the invention is based on the following basic ideas.

Gleichzeitig mit dem Einlassen eines Gases zum Erzeugen eines vorbestimmten Gas­ druckes in eine erste Kammer wird eine zweite Kammer, in der sich Gas für die erste Kammer mit einem höheren Druck als der für die erste Kammer vorbestimmte Gasdruck befindet, für eine vorbestimmte Zeit mit der ersten Kammer verbunden. Durch das aus der zweiten Kammer in die erste Kammer einströmende Gas erhöht sich der Druck in der ersten Kammer kurzzeitig, d. h. man erhält einen schnellen bzw. beschleunigten Druckanstieg des Gases in der ersten Kammer. Durch ein entsprechend hohes Gasvo­ lumen in der zweiten Kammer läßt sich in der ersten Kammer ein sehr schneller Druck­ anstieg erreichen.Simultaneously with the admission of a gas to generate a predetermined gas pressure in a first chamber becomes a second chamber in which gas for the first Chamber with a higher pressure than the gas pressure predetermined for the first chamber is connected to the first chamber for a predetermined time. Through that In the second chamber, gas flowing into the first chamber increases the pressure in the first chamber briefly, d. H. you get a fast or accelerated Pressure increase of the gas in the first chamber. With a correspondingly high gas volume lumen in the second chamber, a very fast pressure can be achieved in the first chamber reach rise.

In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird in einer Prozeßkammer einer Kathoden-Zerstäubungsanlage während der Übergabe eines Substratträgers mit einem Substrat von einer Transportkammer in eine Prozeßkammer ein temporäres Druckmaximum in der Prozeßkammer erzeugt, das durch einströmen­ des Prozeßgas aus der Transportkammer mit höherem Druck als der erforderliche Druck des Prozeßgases in der Prozeßkammer entsteht. Dieses Druckmaximum weist einen für die Bildung eines Plasmas in der Prozeßkammer erforderlichen Druck auf und ermöglicht die Zündung des Plasmas im wesentlichen zeitgleich mit dem vakuumtech­ nischen Trennen von Transport- und Prozeßkammer nach dem Verschließen der Pro­ zeßkammer durch den Substratträger, wobei ein Automatismus zwischen der Übergabe eines Substrats an die Prozeßkammer und dem Einstellen des erforderlichen Zünd­ drucks erreicht wird, so daß sofort das Zünden des Plasmas mit anschließender Be­ schichtung ausgelöst werden kann. Nach dem vakuumtechnischen Trennen von Trans­ port- und Prozeßkammern und dem Zünden des Plasmas wird das Druckmaximum durch Abpumpen abgebaut und gleichzeitig Prozeßgas bei einem niedrigen Druck, der eine homogene Beschichtung des Substrates ermöglicht, in die Prozeßkammern ein­ gelassen.In a preferred embodiment of the method according to the invention, in a Process chamber of a cathode sputtering system during the transfer of a Substrate carrier with a substrate from a transport chamber into a process chamber generates a temporary pressure maximum in the process chamber, which flows through the process gas from the transport chamber with higher pressure than the required Pressure of the process gas in the process chamber arises. This pressure maximum points a pressure required for the formation of a plasma in the process chamber at and enables the ignition of the plasma essentially at the same time as the vacuum tech African separation of transport and process chamber after closing the Pro zeßkammer by the substrate carrier, with an automatism between the transfer a substrate to the process chamber and setting the required ignition pressure is reached, so that immediately igniting the plasma with subsequent loading stratification can be triggered. After the vacuum separation of Trans port and process chambers and the ignition of the plasma becomes the maximum pressure degraded by pumping and at the same time process gas at a low pressure, the enables a homogeneous coating of the substrate into the process chambers calmly.

Die Vorteile der Erfindung liegen in einem schnellen und vereinfachten Verfahren zum Erzeugen eines vorbestimmten Druckes in einer Kammer, wobei der vorbestimmte Druck schneller als bei herkömmlichen Verfahren erreicht wird. Beim Einsatz des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens als Zündhilfe in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage kann die Zuverlässigkeit der Zündung verbessert werden, das Plasma eher gezündet werden und die Zeitspanne, während der der Prozeßgasdruck von dem optimalen Druck zur Beschichtung abweicht, minimiert werden, wobei eine verbesserte Homogenität der Be­ schichtung eines Substrats erreicht wird.The advantages of the invention lie in a quick and simplified method for Generating a predetermined pressure in a chamber, the predetermined  Pressure is achieved faster than with conventional methods. When using the invent method according to the invention as an ignition aid in a cathode sputtering system the reliability of the ignition can be improved, the plasma is more likely to be ignited and the time period during which the process gas pressure from the optimal pressure to Coating deviates, are minimized, with an improved homogeneity of the Be layering of a substrate is achieved.

Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:The invention is explained in more detail below with reference to the drawings. Show it:

Fig. 1 ein Prinzipbild einer Vakuum-Prozeßkammer und einer Vakuum- Transportkammer für die Durchführung einer Ausführungsform des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens, Fig. 1 is a schematic diagram of a vacuum processing chamber and a vacuum transport chamber for carrying out an embodiment of the method according OF INVENTION dung,

Fig. 2 eine Vorrichtung für einen diskontinuierlichen Gaseinlaß, und Fig. 2 shows a device for a discontinuous gas inlet, and

Fig. 3 ein Gasdruck/Zeitdiagramm einer erfindungsgemäßen Ausführungsform. Fig. 3 is a gas pressure / time diagram of an embodiment of the invention.

Fig. 1 zeigt eine Prozeßkammer 1 und eine Transportkammer 2 einer Kathoden- Zerstäubungsanlage, in der in einer bevorzugten Ausführungsform das erfindungsge­ mäße Verfahren zum Einsatz kommt. Ein Substrat 3 wird auf einem Substratträger 4 in der von der Prozeßkammer (Beschichtungskammer) 1 getrennten Transportkammer 2 zur Prozeßkammer 1 transportiert, wo der Substratträger an der Öffnung 1a der Pro­ zeßkammer vakuumdicht befestigt wird. Die Oberseite des Substrats 3 wird mit Hilfe eines Targets (nicht dargestellt), das durch ein Plasma zerstäubt wird, beschichtet. Eine entsprechende Prozeßkammer einer Kathoden-Zerstäubungsanlage ist in der DE-C1- 196 54 000 näher beschrieben. Nach der Beschichtung wird der Substratträger 4 von der Prozeßkammer 1 entfernt und durch einen neuen Substratträger 4 mit einem neuen Substrat 3 ausgetauscht. Während dieser Zeit sind die Prozeßkammer 1 und die Trans­ portkammer 2 vakuumtechnisch miteinander verbunden. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird eine vorbestimmte Zeit vor dem Austausch des Substratträgers an der Öffnung 1a der Prozeßkammer 1 Prozeßgas mit einem höheren Druck als der des Pro­ zeßgases, der in der Prozeßkammer benötigt wird, in die Transportkammer 2 eingelas­ sen. Das geschieht gemäß Fig. 1 über einen Flußregler 5a und ein Ventil 6a im konti­ nuierlichen Betrieb. Beim Austausch des Substratträgers 4 an der Öffnung 1a strömt Prozeßgas mit höherem Druck aus der Transportkammer 2 in die Prozeßkammer 1, in die gleichzeitig über einen Flußregler 5b und ein Ventil 6b Prozeßgas einströmt, das in der Prozeßkammer einen für die Beschichtung günstigen vorbestimmten Gasdruck ausbilden soll. Während des Austauschs des Substratträgers 4 kommt es zu einem be­ schleunigtem, erhöhten Druckaufbau in der Prozeßkammer, der den für das Zünden des Plasmas erforderlichen Druck liefert. Nach Schließen des Eingangs 1a durch den Substratträger 4 wird das Plasma gezündet. Der erhöhte Prozeßgasdruck wird durch Pumpen reduziert, und ein günstiger niedrigerer Prozeßgasdruck wird über den Fluß­ regler 5b und das Ventil 6b in die Prozeßkammer 1 eingestellt. Fig. 1 shows a process chamber 1 and a transport chamber 2 of a cathode sputtering system, in which the method according to the invention is used in a preferred embodiment. A substrate 3 is conveyed on a substrate carrier 4 in the process from the chamber (deposition chamber) separate transport chamber to the process chamber 2 1 1, where the substrate support is mounted in vacuum-tight process chamber at the opening 1a of Pro. The top of the substrate 3 is coated with the aid of a target (not shown) that is atomized by a plasma. A corresponding process chamber of a cathode sputtering system is described in more detail in DE-C1-196 54 000. After coating the substrate carrier 4 is removed from the process chamber 1 and replaced with a new substrate carrier 4 with a new substrate. 3 During this time, the process chamber 1 and the trans port chamber 2 are connected to one another by vacuum technology. In the inventive method, a predetermined time before the exchange of the substrate carrier at the opening 1 a of the process chamber 1 process gas with a higher pressure than that of the process gas, which is required in the process chamber, is let into the transport chamber 2 . This is done as shown in FIG. 1 via a flow regulator and a valve 5 a 6 a continu ous in operation. When replacing the substrate carrier 4 at the opening 1 a, process gas flows at a higher pressure from the transport chamber 2 into the process chamber 1 , into which process gas flows simultaneously via a flow regulator 5 b and a valve 6 b, which in the process chamber has a predetermined predetermined value for the coating Should develop gas pressure. During the exchange of the substrate carrier 4 there is an accelerated, increased pressure build-up in the process chamber, which provides the pressure required for igniting the plasma. After the input 1 a is closed by the substrate carrier 4 , the plasma is ignited. The increased process gas pressure is reduced by pumping, and a more favorable lower process gas pressure is set via the flow regulator 5 b and the valve 6 b in the process chamber 1 .

Bei dem mit Bezug auf Fig. 1 durchgeführten Verfahren erfolgt ein kontinuierlicher Pro­ zeßgaseinlaß über die Flußregler 5a und 5b und die Ventile 6a und 6b.In the process carried out with reference to FIG. 1, a continuous process takes place via the flow regulators 5 a and 5 b and the valves 6 a and 6 b.

In Fig. 2 ist eine Vorrichtung für einen diskontinuierlichen Gaseinlaß dargestellt. Die Vorrichtung besteht aus einem Maßvolumenbehälter 7 für das Prozeßgas mit einem vorgeschalteten Ventil 8 und einem nachgeschalteten Ventil 9, das das Prozeßgas, das sich im Maßvolumenbehälter befindet, in die Transportkammer einläßt. Danach wird das Ventil 9 wieder geschlossen und über das Ventil 8 das Maßvolumen wieder mit Prozeßgas gefüllt und im nächsten Schritt wieder durch das Ventil 9 der Transport­ kammer 2 zugeführt. Mittels der Ausführungsform gemäß Fig. 2 kann der Gasverbrauch gesenkt werden.In Fig. 2 an apparatus for a discontinuous gas inlet is shown. The device consists of a measuring volume container 7 for the process gas with an upstream valve 8 and a downstream valve 9 which lets the process gas, which is located in the measuring volume container, into the transport chamber. Then the valve 9 is closed again and the measuring volume is filled again with process gas via the valve 8 and in the next step again through the valve 9 to the transport chamber 2 . The gas consumption can be reduced by means of the embodiment according to FIG. 2.

Fig. 3 stellt den zeitlichen Verlauf des Prozeßgasdruckes in der Transportkammer 2 und der Prozeßkammer 1 dar. Während des Zeitraums von t0 bis t1 vor dem Schließen der Prozeßkammer 1 durch den Träger 4 hat das Prozeßgas in der Transportkammer einen Druck p1, der höher ist als der Druck p2 während der Beschichtung in der Prozeßkam­ mer, und das Gas aus der Transportkammer dringt in die Prozeßkammer ein, wie dies durch den Druckverlauf C des Prozeßgases in der Prozeßkammer beim Schließen der Prozeßkammer zum Zeitpunkt t1 in Fig. 3 dargestellt ist. Nach dem Schließen des Ein­ gangs 1a wird das Plasma bei dem Druck p1 (oder geringfügig darunter) gezündet. Nach dem Schließen des Einlasses 1a wird der Überdruck des eingeströmten Prozeß­ gases durch Abpumpen reduziert; durch gesteuertes Einleiten von Prozeßgas in die Prozeßkammer wird dann dort der erforderliche Prozeßdruck eingestellt. Fig. 3 shows the time course of the process gas pressure in the transport chamber 2 and the process chamber 1. During the period from t 0 to t 1 before the process chamber 1 is closed by the carrier 4 , the process gas in the transport chamber has a pressure p 1 which is higher than the pressure p 2 during coating in the process chamber, and the gas from the transport chamber penetrates into the process chamber, as is caused by the pressure curve C of the process gas in the process chamber when the process chamber is closed at time t 1 in FIG. 3 is shown. After closing the input 1 a, the plasma is ignited at the pressure p1 (or slightly below). After closing the inlet 1 a, the excess pressure of the inflowing process gas is reduced by pumping; the required process pressure is then set by controlled introduction of process gas into the process chamber.

Unter dem Einfluß des Druckes des aus der Transportkammer eingeströmten Gases bildet sich ein Druckmaximum sofort aus. Auf diese Weise kann nahezu gleichzeitig mit dem Befestigen des Substratträgers 4 mit dem Substrat 3 an der Prozeßkammer 1 das Plasma gezündet werden und das Beschichten beginnen. Nach dem Beschichten wird der Prozeßgasdruck p2 in der Prozeßkammer 1 auf den Druck p0 abgesenkt.A pressure maximum is formed immediately under the influence of the pressure of the gas flowing in from the transport chamber. In this way, the plasma can be ignited and the coating can begin almost simultaneously with the attachment of the substrate carrier 4 to the substrate 3 on the process chamber 1 . After coating, the process gas pressure p 2 in the process chamber 1 is reduced to the pressure p 0 .

Vorteilhafterweise wird auf diese Weise ein Automatismus zwischen dem Zuführen des Substrats und dem Beschichten erreicht. Vorteilhafterweise wird der erhöhte Prozeß­ gasdruck p1 in der Transportkammer 2 nur kurzzeitig vor der Positionierung des Sub­ stratträgers an der Prozeßkammer 1 eingestellt. Eine entsprechende vorbestimmte Zeit kann 0,5 bis 5 Sekunden oder weniger betragen.In this way, an automatism between the feeding of the substrate and the coating is advantageously achieved. Advantageously, the increased process gas pressure p 1 in the transport chamber 2 is set only briefly before the positioning of the substrate carrier on the process chamber 1 . A corresponding predetermined time may be 0.5 to 5 seconds or less.

Die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Zünden des Plasmas in einer Kathoden-Zerstäubungsanlage gewährleistet ein zuverlässiges Zünden, und es wird erreicht, daß die Zeitspanne verringert wird, während der Prozeßgasdruck von dem op­ timalen Druck zur Beschichtung, der kleiner ist als der Zünddruck, abweicht. Auf diese Weise wird eine optimale Homogenität der Beschichtung des Substrats erreicht.The application of the inventive method for igniting the plasma in a Cathode sputtering system ensures reliable ignition, and it will achieved that the period of time is reduced while the process gas pressure from the op maximum pressure for coating, which is less than the ignition pressure, deviates. To this Optimal homogeneity of the coating of the substrate is achieved in this way.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist nicht auf die Funktion einer Zündhilfe beschränkt, sondern kann in allen Fällen, wo ein konstanter Gasdruck nach Schließen einer Kam­ mer möglichst schnell erreicht werden soll, eingesetzt werden.The method according to the invention is not limited to the function of an ignition aid, but can be used in all cases where a constant gas pressure after closing a chamber should be reached as quickly as possible.

Eine weitere Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es, daß durch einen Überdruck in der Transportkammer beim Austauschen zum Beispiel eines Substrats an einer Kammer mit reaktiven Prozeßgasen das Eindringen der reaktiven Prozeßgase in die Transportkammer verhindert wird, indem in die Transportkammer kurzfristig nicht- reaktives Gas mit höherem Druck eingeleitet wird.Another application of the method according to the invention is that by a Overpressure in the transport chamber when replacing a substrate, for example a chamber with reactive process gases the penetration of the reactive process gases into the transport chamber is prevented by not temporarily reactive gas is introduced at a higher pressure.

Claims (12)

1. Verfahren zum beschleunigten Erzeugen eines vorbestimmten Gasdruckes in ei­ ner ersten Kammer (1), wobei gleichzeitig mit dem Einleiten eines Gases in die er­ ste Kammer (1) eine zweite Kammer (2), in der sich das Gas mit einem höheren Druck als der vorbestimmte Gasdruck befindet, für eine vorbestimmte Zeit mit der ersten Kammer (1) verbunden wird.1. A method for accelerated generating a predetermined gas pressure in egg ner first chamber (1), wherein simultaneously with the introduction of a gas in which it ste chamber (1) a second chamber (2), in which the gas at a higher pressure to be the predetermined gas pressure is connected to the first chamber ( 1 ) for a predetermined time. 2. Verfahren nach Anspruch 1 zum beschleunigten Erzeugen eines vorbestimmten Prozeßgasdruckes in einer Prozeßkammer (1) für mindestens ein Substrat (3) mit einer vorgeschalteten Transportkammer (2) für das Substrat (3), wobei in die von der Prozeßkammer (1) vakuumtechnisch getrennte Transportkammer (2) so viel Prozeßgas eingeleitet wird, daß in ihr ein vorbestimmter höherer Gasdruck als in der Prozeßkammer (1) eingestellt wird und beim Transport des Substrats (3) aus der Transportkammer (2) in die Prozeßkammer (1) Prozeßgas mit dem höheren Druck aus der Transportkammer (2) in die Prozeßkammer (1) eingeleitet wird.2. The method according to claim 1 for the accelerated generation of a predetermined process gas pressure in a process chamber ( 1 ) for at least one substrate ( 3 ) with an upstream transport chamber ( 2 ) for the substrate ( 3 ), wherein in the process chamber ( 1 ) vacuum-technically separated Transport chamber ( 2 ) is introduced so much process gas that a predetermined higher gas pressure than in the process chamber ( 1 ) is set and during the transport of the substrate ( 3 ) from the transport chamber ( 2 ) into the process chamber ( 1 ) process gas with the higher Pressure from the transport chamber ( 2 ) is introduced into the process chamber ( 1 ). 3. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Einleiten des Prozeßgases in die Trans­ portkammer (2) so erfolgt, daß sich in ihr der höhere Druck eine vorbestimmte Zeit (t0 bis t1) vor einer Positionierung des Substrats (3) in der Transportkammer (1) einstellt.3. The method according to claim 2, wherein the introduction of the process gas into the trans port chamber ( 2 ) is such that the higher pressure in it a predetermined time (t 0 to t 1 ) before positioning the substrate ( 3 ) in the transport chamber ( 1 ) sets. 4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die vorbestimmte Zeit 0,3 bis 5 Sekunden be­ trägt.4. The method of claim 3, wherein the predetermined time is 0.3 to 5 seconds wearing. 5. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 4, wobei der Einlaß des Prozeßgases in die Transportkammer (2) kontinuierlich oder diskontinuierlich erfolgt.5. The method according to any one of claims 2 to 4, wherein the inlet of the process gas into the transport chamber ( 2 ) takes place continuously or discontinuously. 6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der kontinuierliche Einlaß des Prozeßgases mittels eines Flußreglers (5a bzw. 5b) und eines nachgeschalteten Ventils (6a bzw. 6b) erfolgt. 6. The method according to claim 5, wherein the continuous inlet of the process gas by means of a flow controller ( 5 a or 5 b) and a downstream valve ( 6 a or 6 b). 7. Verfahren nach Anspruch 5, wobei der diskontinuierliche Einlaß des Prozeßgases mittels eines Maßvolumenbehälters (7) für das Prozeßgas mit vor- und nachge­ schalteten Ventilen (8 bzw. 9) erfolgt.7. The method according to claim 5, wherein the discontinuous inlet of the process gas by means of a measuring volume container ( 7 ) for the process gas with upstream and downstream valves ( 8 and 9 ). 8. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 7 mit den Schritten:
  • a) Einleiten eines Prozeßgases in die Transportkammer (2), in der sich minde­ stens ein erstes Substrat (3) auf einem ersten Substratträger (4) und ein zweites Substrat (3) auf einem zweiten Substratträger (4) befindet, der an ei­ nem Eingang (1a) der Prozeßkammer (1) positioniert ist und die Prozeß­ kammer vakuumtechnisch verschließt, bis der vorbestimmte höhere Druck (p1) in der Transportkammer (2) erreicht ist,
  • b) Entfernen des zweiten Substratträgers (4) von der Prozeßkammer (1) und Positionieren des ersten Substratträgers (4) mit dem ersten Substrat (3) an der Prozeßkammer (1), wobei während des Substratträgerwechsels Prozeß­ gas mit dem vorbestimmten höheren Druck aus der Transportkammer (2) in die Prozeßkammer (1) eindringt, und
  • c) Gleichzeitiges Einleiten von Prozeßgas bis zu einem vorbestimmten Druck (p2) in die Prozeßkammer (1).
8. The method according to any one of claims 2 to 7 with the steps:
  • a) introducing a process gas into the transport chamber ( 2 ), in which there is at least a first substrate ( 3 ) on a first substrate carrier ( 4 ) and a second substrate ( 3 ) on a second substrate carrier ( 4 ), which on a egg Entrance ( 1 a) of the process chamber ( 1 ) is positioned and the process chamber is vacuum-sealed until the predetermined higher pressure (p 1 ) in the transport chamber ( 2 ) is reached,
  • b) Removing the second substrate carrier ( 4 ) from the process chamber ( 1 ) and positioning the first substrate carrier ( 4 ) with the first substrate ( 3 ) on the process chamber ( 1 ), wherein during the substrate carrier process gas with the predetermined higher pressure from the transport chamber (2) penetrates into the process chamber (1), and
  • c) Simultaneous introduction of process gas up to a predetermined pressure (p 2 ) in the process chamber ( 1 ).
9. Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 2 bis 8 in einer Kathoden- Zerstäubungsanlage.9. Application of the method according to one of claims 2 to 8 in a cathode Atomization. 10. Anwendung nach Anspruch 9 bei der Zündung eines Plasmas, wobei der vorbe­ stimmte höhere Druck (p1) des Prozeßgases (C) in der Transportkammer (2) so eingestellt wird, daß es nach dem vakuumtechnischen Verschließen der Prozeß­ kammer (1) durch den Substratträger (4) in der Prozeßkammer (1) ein temporäres Druckmaximum bildet, das oberhalb des vorbestimmten Prozeßgasdruckes (p2) liegt und ausreichend für die Zündung des Plasmas ist, wobei der vorbestimmte Prozeßgasdruck (p2) zum Zünden des Plasmas nicht ausreichend ist. 10. Application according to claim 9 in the ignition of a plasma, wherein the predetermined higher pressure (p 1 ) of the process gas (C) in the transport chamber ( 2 ) is set so that it after the vacuum sealing of the process chamber ( 1 ) by the substrate carrier ( 4 ) in the process chamber ( 1 ) forms a temporary pressure maximum which is above the predetermined process gas pressure (p 2 ) and is sufficient for igniting the plasma, the predetermined process gas pressure (p 2 ) being insufficient for igniting the plasma , 11. Anwendung nach Anspruch 9 zum beschleunigten Einstellen eines Prozeßgas­ druckes, wobei der vorbestimmte höhere Druck (p1) des Prozeßgases in der Transportkammer (2) so eingestellt wird, daß nach dem vakuumtechnischen Ver­ schließen der Prozeßkammer (1) durch den Substratträger (4) zusammen mit dem in die Prozeßkammer (1) eingeleiteten Prozeßgas der vorbestimmte Prozeßgas­ druck (p2) eher als durch Einleiten des Prozeßgases in die Prozeßkammer allein erreicht wird.11. Application according to claim 9 for the accelerated setting of a process gas pressure, the predetermined higher pressure (p 1 ) of the process gas in the transport chamber ( 2 ) being set such that after the vacuum-technical closing of the process chamber ( 1 ) by the substrate carrier ( 4th ) together with the process gas introduced into the process chamber ( 1 ) the predetermined process gas pressure (p 2 ) is achieved rather than by introducing the process gas into the process chamber alone. 12. Anwendung nach Anspruch 9 beim Einsatz eines reaktiven Prozeßgases, wobei in die Transportkammer (2) ein nichtreaktives Gas mit höherem Druck als der des reaktiven Prozeßgases eingeleitet wird, um das Eindringen von reaktiven Prozeß­ gasen in die Transportkammer (2) aus der Prozeßkammer (1) zu verhindern.12. Application according to claim 9 when using a reactive process gas, wherein in the transport chamber ( 2 ) a non-reactive gas with a higher pressure than that of the reactive process gas is introduced to prevent the penetration of reactive process gases into the transport chamber ( 2 ) from the process chamber ( 1 ) to prevent.
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