DE10052198A1

DE10052198A1 - Method and device for production testing of semiconductor wafers comprising microelectronic components by generation of potential contrast images that are then analyzed for the presence of defects

Info

Publication number: DE10052198A1
Application number: DE2000152198
Authority: DE
Inventors: Matthias Brunner
Original assignee: AKT Electron Beam Tech GmbH
Current assignee: AKT Electron Beam Tech GmbH
Priority date: 2000-10-20
Filing date: 2000-10-20
Publication date: 2002-05-02

Abstract

Method for testing microelectronic components (2) with conducting structures and active components, especially wafers (1). Accordingly a large number of microelectronic components are charged and a corresponding potential contrast image produced, with the image determined and analyzed using a corpuscular measurement beam (4a). The polarity of charging of the components is changed during testing. The invention also relates to a device for testing microelectronic circuits with device (3) for simultaneous charging of a large number of electronic components, a device (4) for scanning the microelectronic components using a measurement bean and a controller.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Testen von mi kroelektronischen Komponenten mit leitenden Strukturen und aktiven Elementen sowie eine Vorrichtung zur Durch führung dieses Verfahrens.The invention relates to a method for testing mi microelectronic components with conductive structures and active elements and a device for through implementation of this procedure.

Die Halbleiterfertigung erfordert Techniken zur früh zeitigen Erkennung von Fehlern in der Fertigung. Dazu werden Geräte eingesetzt, die den Wafer zwischen den einzelnen Fertigungsschritten inspizieren und Abwei chungen der Strukturen von den erforderlichen Dimensio nen oder Formen feststellen. Seit vielen Jahren werden hierfür lichtoptische bzw. mikroskopische Verfahren be nutzt. Die Strukturen der neuesten Elektronikkomponen ten sind jedoch so klein, daß elektronenmikroskopische Verfahren eingesetzt werden. Auch kombinierte Verfahren werden benutzt, bei denen die schnelle Komplettinspek tion des Wafers lichtoptisch durchgeführt wird, wobei jedoch nur eine Feststellung der Fehler möglich ist (inspection). Die einzelnen Fehler werden dann an den bereits gefundenen Stellen mit elektronenmikroskopi schen Verfahren verifiziert und analysiert (review). Es gibt jedoch auch Verfahren, die einen Elektronenstrahl zur Komplettinspektion einsetzen.Semiconductor manufacturing requires early technology early detection of manufacturing errors. To devices are used that move the wafer between the inspect individual manufacturing steps and diverge structure of the required dimensions or shape. Have been for many years for this purpose, optical or microscopic processes uses. The structures of the latest electronic components however, are so small that electron microscopic Procedures are used. Combined processes too are used where the quick complete inspection tion of the wafer is carried out optically, wherein however only a determination of the errors is possible (Inspection). The individual errors are then sent to the already found spots with electron microscopy verified and analyzed (review). It However, there are also methods that use an electron beam use for complete inspection.

Die elektronenmikroskopischen Verfahren benutzen aus der Rasterelektronenmikroskopie bekannte Verfahren zur Bilderzeugung. Der Materialkontrast und der Topogra phiekontrast werden üblicherweise sowohl für die In spektion als auch für die Analyse (review) ausgewertet. Neuerdings hat man festgestellt, daß auch der Potenti alkontrast Informationen über Fehler in den Wafern liefert. Der Potentialkontrast entsteht durch unterschied liche elektrische Potentiale einzelner Teile des Wa fers, zum Beispiel einzelner Leitbahnen.The electron microscopic methods make use of the scanning electron microscopy known methods for Imaging. The material contrast and the topogra phy contrast are usually used for both the In inspection as well as for the analysis (review) evaluated. It has recently been found that the potenti alkontrast provides information about defects in the wafers. The potential contrast arises through difference Liche electrical potentials of individual parts of the Wa fers, for example individual interconnects.

Aus der EP-B-0 189 777 ist ein Verfahren zum berüh rungslosen Testen von Leitungsnetzwerken auf Kurz schlüsse und Unterbrechungen bekannt, bei dem Poten tiale mit nur einem Elektronenstrahl an einem zu unter suchenden Leitungsnetzwerk erzeugt und gelesen werden können, ohne die Primärenergie ändern zu müssen. Bei diesem bekannten Korpuskularstrahl-Meßverfahren zum be rührungslosen Testen von Leitungsnetzwerken auf Kurz schlüsse und Unterbrechungen wird zunächst ein Punkt eines ersten Leitungsnetzwerkes innerhalb einer ersten Zeitspanne mit einem Korpuskularstrahl auf ein erstes Potential aufgeladen. Der Korpuskularstrahl wird an schließend auf eine Anzahl weiterer Punkte des ersten oder eines zweiten Leitungsnetzwerkes gerichtet und verbleibt dort für jeweils eine zweite Zeitspanne, so daß die Potentiale der weiteren Punkte durch Nachweis der vom Korpuskularstrahl jeweils ausgelösten Sekundär elektronen bestimmt werden kann, wobei die Energie des Korpuskularstrahls während der ersten und der zweiten Zeitspanne denselben Wert aufweist. Anschließend werden die Potentiale der weiteren Punkte jeweils mit dem er sten Potential verglichen.EP-B-0 189 777 describes a process for the contact effortless testing of line networks for short conclusions and interruptions known to the poten tials with only one electron beam on one below searching network can be generated and read can without having to change the primary energy. at this known corpuscular beam measuring method for be non-contact testing of cable networks for short Conclusions and interruptions first become a point a first line network within a first Time span with a corpuscular beam on a first one Potential charged. The corpuscular beam turns on concluding on a number of other points of the first or a second line network directed and remains there for a second period of time, see above that the potentials of the other points by proof the secondary triggered by the corpuscular beam electrons can be determined, the energy of the Corpuscular beam during the first and the second Time span has the same value. Then be the potentials of the other points with the he most potential compared.

In der EP-B-0 523 594 wird ein Verfahren zur Prüfung von Transistor-Array in der LCD-Fertigung beschrieben. Bei diesem Verfahren wird mit Hilfe eines Ladestrahls zunächst eine Flächenelektrode gezielt aufgeladen, be vor nach einer definierten Wartezeit eine Messung mit Hilfe eines Meßstrahls erfolgt, wobei Ladestrahl und Meßstrahl insbesondere hinsichtlich ihrer Energie un terschiedlich ausgebildet sein können.EP-B-0 523 594 describes a method for testing described by transistor array in LCD manufacturing. In this procedure, using a loading beam first selectively charged a surface electrode, be before taking a measurement after a defined waiting time A measuring beam is used, the charge beam and Measuring beam especially with regard to their energy can be different.

Bei den Testverfahren kommt es zum einen auf die Schnelligkeit, d. h. den Durchsatz, und andererseits auf die Empfindlichkeit, d. h. die Genauigkeit oder Auflö sung, mit der Fehler gefunden und analysiert werden können, an. Beide Merkmale stellen jedoch entgegenge setzte Anforderungen an das Verfahren bzw. die Vorrich tung. Eine Steigerung der Empfindlichkeit geht übli cherweise mit einer Einbuße an Durchsatz einher und um gekehrt.On the one hand, the test procedure depends on Speed, d. H. throughput, and on the other hand the sensitivity, d. H. the accuracy or resolution solution to find and analyze errors can, at. However, both features contrast set requirements for the process and the device tung. An increase in sensitivity is normal associated with a loss in throughput and around versa.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Testen von mikroelektronischen Komponen ten mit leitenden Strukturen und aktiven Elementen an zugeben, das sich durch einen hohen Durchsatz und eine hohe Empfindlichkeit auszeichnet.The invention is therefore based on the object Method for testing microelectronic components with conductive structures and active elements admit that is characterized by a high throughput and a high sensitivity.

Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe durch die Merkmale der Ansprüche 1 und 9 gelöst. Beim erfindungsgemäßen Verfahren zum Testen von mikroelektronischen Komponen ten mit leitenden Strukturen und aktiven Elementen wird zunächst gleichzeitig einer Vielzahl der mikroelektro nischen Komponenten Ladung zugeführt, so daß sich durch die mikroelektronischen Komponenten ein Potentialkon trastbild einstellt. Anschließend wird dieses Potentialkontrastbild mittels eines Korpuskular-Meß strahls ermittelt und ausgewertet.According to the invention, this object is achieved by the features of claims 1 and 9 solved. In the invention Method for testing microelectronic components with conductive structures and active elements initially at the same time a variety of microelectro African components charge, so that by the microelectronic components have a potential con trap image sets. Then this Potential contrast image using a corpuscular measurement rays determined and evaluated.

In einer weiteren Ausgestaltung dieses Verfahrens kann die Art der Aufladung während des Tests verändert wer den, indem beispielsweise die mikroelektronischen Kom ponenten zunächst mit einer ersten Ladung und anschließend mit einer zweiten Ladung beaufschlagt werden. Hierbei können die beiden Ladungen auch unterschiedli che Polaritäten haben.In a further embodiment of this method who changed the type of charging during the test the by, for example, the microelectronic com components first with a first charge and then be loaded with a second charge. The two charges can also be different have polarities.

Die Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens zum Te sten von mikroelektronischen Komponenten enthält Mittel zum gleichzeitigen Zuführen von Ladung auf eine Viel zahl der mikroelektronischen Komponenten, Mittel zum Abtasten der mikroelektronischen Komponenten mittels eines Korpuskular-Meßstrahls sowie Steuermittel zur Synchronisation von Lademitteln und Abtastmitteln. In einer vorteilhaften Ausgestaltung dieser Vorrichtung werden die Mittel zum Zuführen von Ladung durch einen aus Korpuskularteilchen bestehenden Flutstrahl gebil det. Eine weitere Möglichkeit besteht darin, daß die Mittel zum Zuführen von Ladung eine kapazitiv einwir kende Elektrode umfassen.The device for performing the method for Te Most of the microelectronic components contain agents for supplying a lot at the same time number of microelectronic components, means for Scanning the microelectronic components using a corpuscular measuring beam and control means for Synchronization of loading devices and scanning devices. In an advantageous embodiment of this device are the means for supplying cargo through a flood beam consisting of corpuscular particles det. Another possibility is that the Means for supplying a charge capacitively include electrode.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der Unteransprüche.Further refinements of the invention are the subject of subclaims.

Weitere Vorteile und Ausgestaltungen der Erfindung wer den im folgenden anhand der Beschreibung einiger Aus führungsbeispiele und der Zeichnung näher erläutert.Further advantages and refinements of the invention the following based on the description of some Aus management examples and the drawing explained in more detail.

In der Zeichnung zeigenShow in the drawing

Fig. 1 eine allgemeine schematische Darstel lung des erfindungsgemäßen Testverfah rens, Fig. 1 is a general schematic depicting the lung Testverfah invention Rens,

Fig. 2 eine schematische Darstellung des Testverfahrens gemäß einer ersten Va riante, Fig. 2 is a schematic representation of the testing method according to a first VaRIaTIon,

Fig. 3 eine schematische Darstellung des Testverfahrens gemäß einer zweiten Va riante, Figure 3 is a schematic representation riante. The test method according to a second Va,

Fig. 4 eine schematische Darstellung des Testverfahrens gemäß einer dritten Va riante, Fig. 4 is a schematic representation of the testing method according to a third riante Va,

Fig. 5 eine schematische Darstellung des Testverfahrens gemäß einer vierten Va riante, Figure 5 riante. A schematic representation of the testing method according to a fourth Va,

Fig. 6a bis 6c unterschiedliche Potentialkontrastbil der einer mikroelektronischen Kompo nente, Figure 6a to 6c different Potentialkontrastbil of a microelectronic component Comp.,

Fig. 7 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel und Fig. 7 is a schematic representation of a device according to the invention according to a first embodiment and

Fig. 8 eine schematische Darstellung einer erfindungsgemäßen Vorrichtung gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel. Fig. 8 is a schematic representation of an inventive device according to a second embodiment.

In. Fig. 1 ist schematisch ein Wafer 1 mit einer Vielzahl von mikroelektronischen Komponenten 2 dargestellt. Fer ner sind Mittel 3 zum gleichzeitigen Zuführen von La dung auf eine Vielzahl der mikroelektronischen Kompo nenten 2 sowie Mittel 4 zum Abtasten der mikroelektro nischen Komponenten mittels eines Korpuskular-Meß strahls 4a vorgesehen. In. Fig. 1, a wafer 1 is shown with a plurality of microelectronic components 2 schematically. Fer ner means 3 for the simultaneous supply of charge on a plurality of the microelectronic components 2 and means 4 for scanning the microelectronic components by means of a corpuscular measuring beam 4 a are provided.

Die mikroelektronischen Komponenten 2 werden durch die Lademittel 3 gleichzeitig mit Ladung beaufschlagt, wo bei sich durch die mikroelektronischen Komponenten ein Potentialkontrastbild einstellt, das mittels des Kor puskular-Meßstrahls 4a ermittelt und ausgewertet werden kann.The microelectronic components 2 are simultaneously charged by the charging means 3 , where a potential contrast image is set by the microelectronic components, which can be determined and evaluated by means of the corpuscular measuring beam 4 a.

Im folgenden werden anhand der Fig. 2 bis 5 einige Vari anten des Verfahrens näher dargestellt, wobei der Ein fachheit halber der Wafer 1 lediglich ausschnittsweise im Bereich einer mikroelektronischen Komponente gezeigt ist. Erfindungsgemäß ist jedoch auch bei den Varianten gemäß den Fig. 2 bis 5 eine Vielzahl derartiger mikro elektronischer Komponenten vorgesehen, die gleichzeitig mit Ladung beaufschlagt werden.In the following, some variations of the method are shown in more detail with reference to FIGS . 2 to 5, the sake of simplicity, the wafer 1 is only shown in part in the area of a microelectronic component. According to the invention, however, a multiplicity of such microelectronic components are also provided in the variants according to FIGS. 2 to 5, which are simultaneously charged.

Die in Fig. 2 dargestellte mikroelektronische Komponente besteht aus leitenden Strukturen 2a sowie einem aktiven Element 2b, beispielsweise einem Transistor. Die Mittel 3 zum Zuführen von Ladung werden bei dieser Variante durch einen aus Korpuskularteilchen bestehenden Flutstrahl 3a gebildet. Dieser Flutstrahl 3a kann bei spielsweise durch einen Elektronen- oder einen Ionen strahl gebildet werden, der derart auf den Wafer 1 ge richtet ist, daß er einer Vielzahl von mikroelektroni schen Komponenten 2 gleichzeitig Ladung zuführt. Der Korpuskular-Meßstrahl 4a ist gegenüber dem Flutstrahl 3a sehr fein fokussiert und wird derart angesteuert, daß er den Wafer 1 zeilenweise abtastet. Die durch den Korpuskular-Meßstrahl 4a auf dem Wafer ausgelösten Se kundärelektronen werden in an sich bekannter Art und Weise mit Hilfe eines Detektors erfaßt, so daß ein Po tentialkontrastbild der mikroelektronischen Komponenten ermittelt und ausgewertet werden kann. The illustrated in Fig. 2 microelectronic component consists of conductive structures 2 a and 2 b an active element such as a transistor. In this variant, the means 3 for supplying charge are formed by a flood jet 3 a consisting of corpuscular particles. This flood beam 3 a can be formed, for example, by an electron or an ion beam, which is directed onto the wafer 1 in such a way that it simultaneously supplies a plurality of microelectronic components 2 with charge. The corpuscular measuring beam 4 a is very finely focused compared to the flood beam 3 a and is controlled in such a way that it scans the wafer 1 line by line. The triggered by the corpuscular measuring beam 4 a on the wafer Se secondary electrons are detected in a manner known per se with the aid of a detector, so that a potential contrast image of the microelectronic components can be determined and evaluated.

In der in Fig. 3 gezeigten zweiten Variante wird der Korpuskular-Meßstrahl 4a durch einen Photonenstrahl ge bildet. Durch diesen Photonen-Meßstrahl können an den mikroelektronischen Komponenten sogenannte Photoelek tronen ausgelöst werden, die durch einen mit einer Spannung beaufschlagten Kollektor 7 beeinflußt werden können. Werden beispielsweise mehr Sekundärelektronen 6 durch den Korpuskular-Meßstrahl 4a ausgelöst, als Pri märelektronen zugeführt werden, läßt sich der Auflade vorgang durch den Kollektor 7 steuern, der die Sekun därelektronen absaugt. Ist der Kollektor positiv, so werden Sekundärelektronen so lange abgesaugt, bis das bestrahlte Element nahezu die gleiche Spannung hat wie der Kollektor. Eine weitere positive Aufladung wird da durch verhindert, daß die Sekundärelektronen dann vom Kollektor abgestoßen werden. Durch einen negativen Kol lektor kann dadurch auch eine negative Aufladung er zeugt werden. Die Verwendung eines Kollektors zur Be einflussung der Ladung ist jedoch auch bei Verwendung eines Elektronen- bzw. Ionenstrahls als Korpuskular- Meßstrahl 4a möglich. In den beiden Varianten gemäß den Fig. 4 und 5 werden die Mittel 3 zum gleichzeitigen Zu führen von Ladung auf eine Vielzahl der mikroelektroni schen Komponenten 2 durch eine kapazitiv einwirkende Elektrode 5 gebildet. Diese Elektrode 5 kann dabei un ter der Schaltung (Fig. 4) oder über der Schaltung in einem Bereich angeordnet sein, der den Korpuskular-Meß strahl 4a nicht behindert (Fig. 5). Welche Anordnung ge eigneter ist, hängt von der jeweiligen Anwendung ab und kann bei verschiedenen Schaltungen unterschiedlich sein. In the second variant shown in FIG. 3, the corpuscular measuring beam 4 a is formed by a photon beam. Through this photon measuring beam so-called Photoelek trons can be triggered on the microelectronic components, which can be influenced by a voltage applied to the collector 7 . For example, if more secondary electrons 6 are triggered by the corpuscular measuring beam 4 a than primary electrons are supplied, the charging process can be controlled by the collector 7 , which sucks the secondary electrons. If the collector is positive, secondary electrons are sucked off until the irradiated element has almost the same voltage as the collector. A further positive charge is prevented by the secondary electrons then being repelled by the collector. A negative charge can also be generated by a negative collector. However, the use of a collector for influencing the charge is also possible when using an electron or ion beam as a corpuscular measuring beam 4 a. In the two variants according to FIGS. 4 and 5, the means 3 for simultaneously carrying charge to a multiplicity of the microelectronic components 2 are formed by a capacitively acting electrode 5 . This electrode 5 can be arranged below the circuit ( FIG. 4) or above the circuit in an area that does not obstruct the corpuscular measuring beam 4 a ( FIG. 5). Which arrangement is more suitable depends on the respective application and can be different for different circuits.

Mit Hilfe des Korpuskular-Meßstrahls 4a können Potenti alkontrastbilder erzeugt werden, wie sie beispielhaft in den Fig. 6a bis 6c dargestellt sind. Bei einem Poten tialkontrastbild erhält man im wesentlichen ein Abbild der leitenden Strukturen 2a, wobei diese je nach Ladung mit unterschiedlicher Helligkeit dargestellt sind. In Fig. 6a ist eine mikroelektronische Komponente darge stellt, die aus drei leitenden Strukturen 2a besteht, die über ein aktives Element 2b miteinander gekoppelt sind. Wird der gesamten mikroelektronischen Komponente eine bestimmte erste Ladung zugeführt, zeigt sich im Potentialkontrastbild beispielsweise, daß lediglich die linke obere leitende Struktur 2a aufgeladen worden ist, wie das durch die schraffierte Darstellung angedeutet ist. Die beiden anderen leitenden Strukturen sind of fensichtlich nicht aufgeladen worden. Um beispielsweise das Schaltverhalten des aktiven Elements 2b zu über prüfen, wird beispielsweise beim Aufladen der mikro elektronischen Komponenten so viel Ladung zugeführt, daß eine für die mikroelektronische Komponente charak teristische Spannung (Schaltspannung des aktiven Ele ments 2b) überschritten wird, so daß sich ein charakte ristisches Potentialkontrastbild einstellt.With the aid of the corpuscular measuring beam 4 a, potentiocontrast images can be generated, as are exemplarily shown in FIGS . 6a to 6c. In the case of a potential contrast image, an image of the conductive structures 2 a is obtained, these being shown with different brightness depending on the charge. In Fig. 6a, a microelectronic component is Darge, which consists of three conductive structures 2 a, which are coupled to each other via an active element 2 b. If a certain first charge is supplied to the entire microelectronic component, the potential contrast image shows, for example, that only the upper left conductive structure 2 a has been charged, as is indicated by the hatched representation. The other two managerial structures have obviously not been charged. For example, to check the switching behavior of the active element 2 b, so much charge is supplied, for example, when charging the microelectronic components that a characteristic voltage for the microelectronic component (switching voltage of the active element 2 b) is exceeded, so that sets a characteristical potential contrast image.

In Fig. 6b wurde in entsprechender Weise so viel Ladung zugeführt, daß die charakteristische Schaltspannung des aktiven Elements 2b überschritten worden ist. Das Po tentialkontrastbild läßt nun gegenüber dem Potential kontrastbild gemäß Fig. 6a erkennen, daß nunmehr die beiden oberen Bereiche der leitenden Strukturen 2a mit Ladung beaufschlagt sind. Da ein derartiges Potential kontrastbild dem SOLL-Kontrastbild der geprüften mikro elektronischen Komponente entspricht, ist der Test be standen. In Fig. 6b so much charge was supplied in a corresponding manner that the characteristic switching voltage of the active element 2 b has been exceeded. The Po tentialkontrastbild compared to the potential contrast image according to Fig. 6a can now be seen that now the two upper areas of the conductive structures 2 a are charged. Since such a potential contrast image corresponds to the TARGET contrast image of the tested microelectronic component, the test is passed.

In Fig. 6c hingegen, hat die entsprechende Aufladung of fensichtlich nicht zum Schaltvorgang des aktiven Ele ments 2b geführt, da die rechte obere leitende Struktur weiterhin nicht mit Ladung versehen ist. Der Vergleich mit dem SOLL-Kontrastbild zeigt somit eine fehlerhafte mikroelektronische Komponente auf.In Fig. 6c, however, the appropriate charging of fensichtlich has not performed b the switching operation of the active ele ments 2, since the right upper conductive structure is further provided with no charge. The comparison with the TARGET contrast image thus shows a defective microelectronic component.

Je nach Art der zu testenden mikroelektronischen Kompo nenten können entsprechend angepaßte Aufladungen der mikroelektronischen Komponenten vorgenommen werden. So wäre es insbesondere denkbar, die Art der Aufladung während des Testes zu verändern, indem beispielsweise die mikroelektronischen Komponenten zunächst mit einer ersten Ladung und anschließend mit einer zweiten Ladung beaufschlagt werden. Die beiden Ladungen könnten dabei zudem auch unterschiedliche Polaritäten haben.Depending on the type of microelectronic compo to be tested nenten can be adapted charges of the microelectronic components can be made. So it would be conceivable, in particular, the type of charging change during the test, for example by the microelectronic components first with a first load and then with a second load be charged. The two charges could be there also have different polarities.

Für eine andere Anwendung könnte man eine definierte Ladungsmenge zuführen, so daß sich das Potentialkon trastbild im wesentlichen durch die Kapazitäten der mi kroelektronischen Komponente ergibt.For another application, one could use a defined one Apply the amount of charge so that the potential con trastbild essentially through the capacities of mi croelectronic component results.

Schließlich könnte die Aufladung mit einer Polarität erfolgen, die eine bereits vorhandene Aufladung kompen siert und damit die leitende Struktur und/oder das ak tive Element entlädt.Finally, charging could be done with one polarity take place that compensate for an existing charge and thus the leading structure and / or the ak tive element discharges.

Bei einer anderen Anwendung könnte man eine definierte Ladungsmenge zuführen, so daß sich das Potentialkon trastbild im wesentlichen durch die Kapazitäten der mi kroelektronischen Komponente ergibt. With another application you could have a defined one Apply the amount of charge so that the potential con trastbild essentially through the capacities of mi croelectronic component results.

Je nach Anwendungsfall sind aber auch andere Anwen dungsarten denkbar, die sich insbesondere durch die Wirkungsweise des aktiven Elements ergeben.Depending on the application, other applications are also possible types of conceivable, which are particularly characterized by Effect of the active element result.

Bei allen Verfahren wird jedoch zunächst eine Vielzahl von mikroelektronischen Komponenten gleichzeitig mit Ladung beaufschlagt, und dann das sich einstellende Po tentialkontrastbild mit Hilfe eines Korpuskular-Meß strahls zu ermitteln.With all methods, however, there is initially a large number of microelectronic components at the same time Charge applied, and then the buttocks tentialkontrastbild using a corpuscular measurement to determine beam.

Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung einer Vor richtung gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel zur Durchführung des oben beschriebenen Testverfahrens. Sie besteht im wesentlichen aus Mitteln 4 zum Abtasten der mikroelektronischen Komponenten mittels eines Meßkor puskularstrahls 4a. Diese Abtastmittel 4 enthalten ins besondere Mittel zur Erzeugung einer fokussierten Kor puskularstrahlsonde sowie Ablenkmittel. Ferner weist die Vorrichtung Mittel 3 zum gleichzeitigen Zuführen von Ladung auf eine Vielzahl der auf dem Wafer 1 vorge sehenen mikroelektronischen Komponenten 1 auf. Diese Lademittel 3 werden in Fig. 7 durch eine oberhalb des Wafers 1 angeordnete kapazitiv einwirkende Elektrode 5 gebildet. Fig. 7 shows a schematic representation of a device according to a first embodiment for performing the test method described above. It consists essentially of means 4 for scanning the microelectronic components by means of a measuring body 4 a. These scanning means 4 contain in particular means for generating a focused Kor puskularstrahlsonde and deflection means. Furthermore, the device has means 3 for the simultaneous supply of charge to a multiplicity of the microelectronic components 1 provided on the wafer 1 . These charging means 3 are formed in FIG. 7 by a capacitively acting electrode 5 arranged above the wafer 1 .

Die an den mikroelektronischen Komponenten ausgelösten Sekundärelektronen 6 werden mit Hilfe eines Detektors 10 erfaßt, dessen Ausgangssignale von Mitteln 8 ausge wertet werden. Zur Synchronisation der Abtastmittel 4 und der Lademittel 5 sind ferner Steuermittel 9 vorge sehen.The secondary electrons 6 triggered on the microelectronic components are detected with the aid of a detector 10 , the output signals of which are evaluated by means 8 . To synchronize the scanning means 4 and the loading means 5 , control means 9 are also provided.

In Fig. 8 ist eine Vorrichtung gemäß einem zweiten Aus führungsbeispiel dargestellt, die sich gegenüber dem ersten Ausführungsbeispiel im wesentlichen nur durch die Mittel 3 zum gleichzeitigen Zuführen von Ladung auf eine Vielzahl der mikroelektronischen Komponenten un terscheidet. In diesem zweiten Ausführungsbeispiel sind die Lademittel 3 zur Erzeugung eines Korpuskularstrahls 3a, insbesondere eines Flutstrahls 3a ausgebildet.In Fig. 8 shows a device according to a second guidance from, for example, the un only difference to the first embodiment, substantially only through the means 3 for simultaneously supplying charge to a plurality of microelectronic components. In this second embodiment, the charging means 3 for generating a particle beam 3 a, in particular a flood beam 3 a are formed.

Claims

1. A method for testing microelectronic components ( 2 ) with conductive structures ( 2 a) and active elements ( 2 b), in particular for testing wafers ( 1 ), wherein
charge is simultaneously supplied to a large number of the microelectronic components,
a potential contrast image is created by the microelectronic components
and the potential contrast image is determined and evaluated using a cor puscular measuring beam ( 4 a).

2. The method according to claim 1, characterized in that that the type of charging changes during the test is changed.

3. The method according to claim 1, characterized in that the type of charging is changed during the test by the microelectronic components ( 2 ) are initially acted on with a first charge and then with a second charge.

4. The method according to claim 1, characterized in that the type of charging is changed during the test by the microelectronic components ( 2 ) are initially acted on with a first charge and then with a second charge, the two charges different Pola have rity.

5. The method of claim 1, wherein the charging of microelectronic components and the determination the potential contrast image synchronized with each other are based.

6. The method of claim 1, wherein the charging with of a polarity that is an existing one Charge compensates and thus the conductive structure tur and / or the active element discharges.

7. The method according to claim 1, wherein one supplies so much charge that a characteristic for the microelectronic compo nent 2 voltage is exceeded, so that a characteristic Potentialkon contrast image arises.

8. The method according to claim 1, wherein a defined load amount is fed so that the potenti alkontrastbild results from the capacities of the microelectronic component 2 .

9. Device for performing the method according to one or more of claims 1 to 8, containing

Means ( 3 ) for simultaneously supplying charge to a plurality of the microelectric components,
- Means ( 4 ) for scanning the microelectronic components by means of a corpuscular measuring beam
- And control means ( 9 ) for synchronizing loading means and scanning means.

10. The device according to claim 9, characterized in that the means ( 3 ) for supplying charge are formed by a flood beam consisting of corpuscular particles ( 3 a).

11. The device according to claim 9, characterized in that the means ( 3 ) for supplying charge comprise a capacitively acting electrode ( 5 ).