DE10046509A1 - Sensor component and method for its production - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Sensorbauteils mit einem umströmbar in einem Kanal ge lagerten, elektrisch leitenden, länglichen Element, bei dem nach Abscheiden einer Isolationsschicht auf eine Tragschicht und einem darauf folgenden Abscheiden einer aus mindestens einer elektrisch leitenden Schicht bestehenden Beschichtung auf die Isolationsschicht die Beschichtung bis auf die zur Bildung des länglichen Elements und dessen Zuleitungen benö tigten Restbereiche unter bereichsweiser Freilegung der Iso lationsschicht weggeätzt wird.The invention relates to a method of manufacture a sensor component with a flow around ge in a channel stored, electrically conductive, elongated element, in which after depositing an insulation layer on a base layer and a subsequent separation of at least an electrically conductive coating on the insulation layer the coating except for the Formation of the elongated element and its supply lines the remaining areas with area-by-area exposure of the Iso layer is etched away.
Ein solches Verfahren ist aus Steiner/Lang "Micromachining applications of porous silicon" (Thin Solid Films, 255 (1995), pages 52-58) bekannt. Bei diesem Verfahren wird ein Hilfssubstrat so vorbereitet, dass es auf einer Seite eine Isolationsschicht aufweist (durch thermische Oxidation aufge bracht). Auf diese Isolationsschicht wird eine mit Phosphor n-dotierte Polysiliziumschicht mittels CVD (Chemical Vapor Deposit) abgelagert. Danach wird auf die Polysiliziumschicht und eine Sandwichstruktur aus NiCr und Gold durch Sputtern abgelagert, wodurch eine elektrisch leitende Beschichtung auf dem Hilfssubstrat vervollständigt ist. In einem ersten photo lithographischen Schritt werden die NiCr- und die Gold schicht, die später die Bondpads bilden, strukturiert und an schließend mittels nasschemischem Ätzen freigeätzt. In einem zweiten photolithographischen Schritt erfolgt das Strukturie ren und Ätzen eines später ein Sensorelement bildenden, läng lichen, elektrisch leitenden Elementes aus der Polysilizium schicht. Allerdings verbleibt ein während der photolithogra phischen Schritte aufgebrachter Photolack weiterhin auf der nunmehr freigeätzten Struktur, um diese im nächsten Prozessschritt so gut wie möglich zu schützen, bei dem in dem Hilfssubstrat eine halbschalenförmige, poröse Siliziumschicht unter dem strukturierten und geätzten länglichen Element er zeugt wird. Nach weiteren Zwischenschritten wird abschließend der kanalartige Hohlraum um das längliche Element geschlos sen, indem ein Deckelteil auf die Anordnung aufgebracht wird. Dieses Deckelteil weist an seiner Oberfläche mindestens eine rinnenartige Vertiefung auf, die derart über dem halbschalen förmigen Hohlraum des Tragkörpers positioniert wird, dass die rinnenartige Vertiefung des Deckelteils zusammen mit einem halbschalenförmigen Hohlraum des Hilfssubstrats einen kanal artigen Hohlraum ergibt, der das längliche Element vollstän dig umschließt.One such method is from Steiner / Lang "micromachining applications of porous silicon "(Thin Solid Films, 255 (1995), pages 52-58). This procedure uses a Auxiliary substrate prepared so that there is one on one side Has insulation layer (opened by thermal oxidation introduced). On top of this insulation layer is one with phosphor n-doped polysilicon layer using CVD (Chemical Vapor Deposit). Then the polysilicon layer and a sandwich structure of NiCr and gold by sputtering deposited, creating an electrically conductive coating the auxiliary substrate is completed. In a first photo lithographic step are the NiCr and the gold layer, which later form the bond pads, structured and on finally etched free using wet chemical etching. In one The second step in the photolithography is the structuring Ren and etching a later forming a sensor element, along Lichen, electrically conductive element made of polysilicon layer. However, one remains during the photolithogra photoresist applied on the now etched structure to this in the next Protect process step as well as possible, in which in the Auxiliary substrate a half-shell, porous silicon layer under the structured and etched elongated element he is fathered. After further intermediate steps will be final the channel-like cavity is closed around the elongated element sen by applying a cover part to the assembly. This cover part has at least one on its surface gutter-like depression that so above the half-shell shaped cavity of the support body is positioned that the groove-like depression of the cover part together with a half-shell-shaped cavity of the auxiliary substrate a channel results in a cavity that completely complements the elongated element dig encloses.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren an zugeben, mit dem ein Sensorbauteil mit einem elektrisch lei tenden, länglichen Element feiner Struktur in einem Kanal vergleichsweise einfach hergestellt werden kann.The invention has for its object a method admit that a sensor component with an electrically lei tendency, elongated element of fine structure in a channel can be manufactured comparatively easily.
Diese Aufgabe wird bei dem oben angegebenen Verfahren dadurch gelöst, dass erfindungsgemäß nach dem Ätzen auf die Beschich tung und die freigelegte Isolationsschicht eine zusätzliche Isolationsschicht abgeschieden wird und nachfolgend in die Isolationsschicht und die zusätzliche Isolationsschicht unter zumindest teilweisem Freilegen des länglichen Elements ein Kanal geätzt wird, so dass das längliche Element lediglich in den durch die Isolationsschichten gebildeten Seitenwänden des Kanals gelagert ist und den Kanal freitragend durchsetzt. Die Beschichtung kann dabei aus mindestens einer Metallschicht, einer leitenden Siliziumschicht oder einer leitenden Kunst stoffschicht bestehen.This accomplishes this in the above procedure solved that according to the invention after the etching on the coating tion and the exposed insulation layer an additional Isolation layer is deposited and subsequently in the Insulation layer and the additional insulation layer under at least partially exposing the elongate member Channel is etched so that the elongated element is only in the sidewalls formed by the insulation layers Channel is stored and penetrates the channel unsupported. The Coating can consist of at least one metal layer, a conductive silicon layer or a conductive art layer of fabric.
Durch das erfindungsgemäße Verfahren vereinfacht sich vor teilhaft die Herstellung eines Sensorbauteils mit einem läng lichen Element feiner Struktur in einem Kanal, weil sich das Sensorbauteil mit relativ wenigen Prozessschritten herstellen lässt. Vorteilhaft ist ferner, dass direkt nach dem Struktu rieren und Ätzen der Beschichtung eine Isolationsschicht auf die Restbereiche der Beschichtung abgeschieden wird, die diese vor chemischen und mechanischen Einflüssen schützt. Durch diesen Schutz lassen sich vergleichsweise deutlich kleinere Elementstrukturen verwirklichen, als dies bei dem oben geschilderten, bekannten Verfahren möglich ist.The method according to the invention simplifies itself partly the manufacture of a sensor component with a length element of fine structure in a channel, because the Manufacture sensor component with relatively few process steps leaves. It is also advantageous that directly after the structure an etching layer on the coating the remaining areas of the coating are deposited, the protects them from chemical and mechanical influences. This protection makes it comparatively clear realize smaller element structures than this with the known method described above is possible.
Bei einer vorteilhaften Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens wird ein Deckelteil auf die zusätzliche Isolati onsschicht aufgebracht. Damit wird einfacher Weise eine an seinen Wandungen überall abgeschlossener Kanal gebildet.In an advantageous embodiment of the invention Procedure is a cover part on the additional Isolati layer applied. This will be a simple way canal formed its walls everywhere.
Dadurch, dass das auf die zusätzliche Isolationsschicht auf gebrachte Deckelteil nicht während des Produktionsprozesses gefertigt werden muss, können vorteilhaft auch vorgefertigte Deckelteile verwendet werden.Because that on the additional insulation layer brought lid part not during the production process Pre-made can also be advantageously manufactured Lid parts are used.
Eine weitere Vereinfachung des erfindungsgemäßen Verfahrens ergibt sich durch die Möglichkeit, als Deckelteil ein Bauteil mit vollkommen planer Oberfläche zu verwenden, da hierdurch eine aufwendige Justage beim Aufbringen des Deckelteils ent fällt. A further simplification of the method according to the invention results from the possibility of a component as a cover part to be used with a completely flat surface because of this a complex adjustment when applying the cover part ent falls.
Zusätzlich kann mit dem erfindungsgemäßen Verfahren vorteil haft auch ein besonders gut durchströmbares Sensorbauteil er stellt werden, indem Bauteile verwendet werden, die an ihren dem länglichen Element zugewandten Flächen rinnenartige Ver tiefungen aufweisen.In addition, the method according to the invention can be advantageous also holds a sensor component that is particularly easy to flow through be made by using components attached to their trough-like ver facing the elongated element have depressions.
Zudem kann das erfindungsgemäße Verfahren deutlich kostenef fizienter gestaltet werden, weil die vorgefertigten Bauteile und Bauelemente auch aus Kunststoff ausgeführt werden können.In addition, the method according to the invention can be significantly cost-effective be made more efficient because the prefabricated components and components can also be made of plastic.
Bei einer weiteren vorteilhaften Ausführungsform des erfin dungsgemäßen Verfahrens wird der Kanal mittels eines Durch gangsätzens durch die Tragschicht gebildet. Hierdurch ergibt sich vorteilhaft ein einfach und ohne Justage herstellbarer, an seinen Wandungen allseits abgeschlossener Kanal, der den horizontalen Schichtenaufbau quer zu dessen Ausrichtung durchdringt. Vorteilhaft kommt ein derartiges Herstellverfah ren vollkommen ohne zusätzliche Bauteile aus.In a further advantageous embodiment of the inventions According to the method of the channel by means of a through gangsätzens formed by the base layer. This gives a simple and easy to produce without adjustment, channel sealed on all sides on its walls, the horizontal layer structure transverse to its orientation penetrates. Such a manufacturing process is advantageous completely without additional components.
Unabhängig von der Orientierung des mit den erfindungsgemäßen Verfahren erstellten Kanals in Bezug auf den Schichtenaufbau ermöglicht das erfindungsgemäße Verfahren gegenüber dem oben beschriebenen, bekannten Verfahren die Herstellung deutlich kleinerer Elementstrukturen, da die in unmittelbarer Nähe des länglichen Elements befindlichen Schichten nicht mit Nassätz verfahren, sondern zum Beispiel durch das längliche Element wesentlich mehr schonende Verfahren wie zum Beispiel Trocken ätzverfahren strukturiert und geätzt werden.Regardless of the orientation of the with the invention Process created channel in relation to the layer structure enables the inventive method compared to the above known processes described the production clearly smaller element structures, since the in the immediate vicinity of the layers located in the elongated element are not wet-etched process, but for example through the elongated element much more gentle processes such as drying etching processes are structured and etched.
Die Erfindung bezieht sich ferner auf ein Sensorbauteil und stellt sich die weitere Aufgabe, ein im Vergleich zu den aus dem oben bezeichneten Aufsatz bekannten Sensorbauteilen rela tiv einfach herstellbares Sensorbauteil mit einem elektrisch leitenden, länglichen Element feiner Struktur zu schaffen.The invention further relates to a sensor component and the other task arises compared to the one the above-mentioned article known sensor components rela tiv easily manufactured sensor component with an electrical creating conductive, elongated element of fine structure.
Eine Lösung der weiteren Aufgabe besteht erfindungsgemäß in einem Sensorbauteil mit einem an seiner einen Seite eine rin nenartige Vertiefung aufweisenden Abdeckteil, bei dem die rinnenartige Vertiefung durch zwei im Abstand nebeneinander verlaufende Tragschienen gebildet ist, einem länglichen Ele ment, das umströmbar, die rinnenartige Vertiefung durchque rend, an den Tragschienen gehalten ist, und mit einem vorge fertigten Deckelteil, das die rinnenartige Vertiefung unter Wahrung eines Abstandes zum länglichen Element unter Bildung eines Kanals abschließt.According to the invention, a further problem is solved in a sensor component with a ring on one side NEN-like recess having cover part, in which the channel-like recess by two spaced apart extending support rails is formed, an elongated Ele ment that flows around, through the channel-like depression rend, is held on the mounting rails, and with a pre Manufactured cover part that the gutter-like depression under Maintaining a distance from the elongated element with formation of a channel.
Mit dem erfindungsgemäßen Sensorbauteil wird ein im Vergleich zu dem bekannten Sensorbauteil wesentlich einfacher herstell bares Sensorbauteil realisiert. Das resultiert im wesentli chen daraus, dass das längliche Element isoliert zwischen zwei Isolationsschichten gelagert ist und dort während des Herstellverfahrens im Vergleich zu der bekannten Ausführung von Sensorbauteilen wesentlich geschützter ist. Weiterhin bietet das Sensorbauteil den Vorteil, dass es nicht nur mit einem vorgefertigten Abdeckteil, sondern auch mit einem vor gefertigten Deckelteil ausgeführt werden kann. Durch die ge genüber dem bekannten Sensorbauteil erhöhte Anzahl an vorge fertigten Bauteilen vereinfacht sich nicht nur die Herstel lung, sondern erhöht sich gleichzeitig auch die Uniformität und die Qualität des erfindungsgemäßen Sensorbauteils.A comparison is made with the sensor component according to the invention to manufacture the known sensor component much easier real sensor component realized. This essentially results from the fact that the elongated element isolates between two layers of insulation is stored and there during the Manufacturing process compared to the known version of sensor components is much more protected. Farther offers the advantage of the sensor component that it is not only with a prefabricated cover, but also with a front manufactured cover part can be executed. By the ge compared to the known sensor component increased number of pre manufactured components not only simplifies the manufacture uniformity increases at the same time and the quality of the sensor component according to the invention.
Bei dem erfindungsgemäßen Sensorbauteil ist das längliche Element isoliert derart zwischen den die beiden Tragschienen bildenden Isolationsschichten gelagert, dass sich allein da durch eine Lagerung des länglichen Elements ergibt, bei der das längliche Element allseitig umströmt werden kann. Deshalb muss die Oberfläche des Deckelteils nicht unbedingt eine rin nenartige Vertiefung aufweisen, sondern kann vorteilhafter Weise auch vollkommen plan als Platte ausgeführt werden.In the sensor component according to the invention, this is elongated Element insulates between the two mounting rails forming insulating layers that are there alone results from a storage of the elongated element in which the elongated element can be flowed around on all sides. Therefore the surface of the lid part does not necessarily have to be a rin NEN-like recess, but can be more advantageous In this way, they can also be executed completely flat as a plate.
Eine andere Lösung der weiteren Aufgabe besteht in einem Sen sorbauteil mit einem schichtweise aus mindestens zwei Isola tionsschichten aufgebauten Tragkörper, der quer zum Schich tenaufbau von einem Kanal durchdrungen wird, und einem läng lichen Element, das, an seinen Enden isoliert zwischen den beiden Isolationsschichten gehalten, freitragend den Kanal durchsetzt.Another solution to the further task is a sen Sorb component with a layer of at least two isolas support layers built up, the transverse to the layer structure is penetrated by a channel and one along lichen element, which, isolated at its ends between the held two insulation layers, cantilever the channel interspersed.
Diese zweite Ausführungsform bietet wie die erste Ausfüh rungsform zunächst den Vorteil, dass das erfindungsgemäße Sensorelement vergleichsweise einfach herstellbar ist. Ein weiterer Vorteil besteht darin, dass der Kanal den Tragkörper quer zu dessen Schichtenaufbau durchdringt, wodurch der in die schon bearbeiteten Isolationsschichten geätzte Teilbe reich des Kanals als Maske für das Ätzen der folgenden Schichten dienen kann, so dass kein zusätzlicher Aufwand für Justage oder Maskenerstellung anfällt. Zusätzlich sind bei dieser zweiten Ausführungsform auch keine weiteren Bauteile notwendig, was die Herstellung deutlich vereinfacht.This second embodiment offers like the first embodiment Form the first advantage that the invention Sensor element is comparatively easy to manufacture. On Another advantage is that the channel is the supporting body penetrates transversely to its layer structure, whereby the in the already processed insulation layers etched parts realm of the channel as a mask for the etching of the following Layers can serve so that no additional effort for Adjustment or mask creation occurs. In addition, at this second embodiment also no further components necessary, which significantly simplifies production.
Bei dieser zweiten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sen sorelements besteht ein weiterer Vorteil darin, dass der Ka nal, der den Tragkörper quer, z. B. orthogonal, zu dessen Schichtenaufbau durchdringt, einen kreisförmigen Querschnitt aufweisen kann, wodurch der Kanal besser von einem Medium durchströmt werden kann.In this second embodiment of the Sen according to the invention Another advantage is that the Ka nal, the support body across, z. B. orthogonal to it Layer structure penetrates, a circular cross section may have, making the channel better from a medium can be flowed through.
Zur weiteren Erläuterung der Erfindung sind in den Figuren die einzelnen Herstellschritte bei dem erfindungsgemäßen Ver fahren zum Erzeugen der beiden Ausführungsformen der erfin dungsgemäßen Sensorbauteile dargestellt. Dabei sind:To further explain the invention are in the figures the individual manufacturing steps in the inventive Ver drive to generate the two embodiments of the inventions shown sensor components. Here are:
in den Fig. 1 bis 7 die einzelnen Herstellschritte zum Er zeugen eines erfindungsgemäßen Sensorbauteils in einer ersten Ausführungsform und;in Figures 1 to 7, the individual manufacturing steps to He testify a sensor component according to the invention in a first embodiment and;
in den Fig. 1 bis 5 sowie 8 bis 9a die einzelnen Herstell schritte des erfindungsgemäßen Verfahrens zum Erzeugen eines erfindungsgemäßen Sensorbauteils in einer zweiten Ausfüh rungsform dargestellt.in FIGS. 1 to 5 and 8 to 9, the individual steps shown producible approximate shape for producing a sensor component according to the invention in a second exporting the inventive method.
Eine durch das erfindungsgemäße Verfahren erstellte erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorbauteils ist:A first created by the inventive method Embodiment of the sensor component according to the invention is:
In Fig. 10, eine zweite Ausführungsform des erfindungsgemä ßen Sensorbauteils;In Fig. 10, a second embodiment of the inventive sensor device SEN;
in Fig. 11 dargestellt. Hierbei geben die Fig. 4a, 6a, 8a und 9a Draufsichten und die übrigen Figuren Schnittdarstel lungen wieder.shown in Fig. 11. Here, 4a 6a enter the Fig., 8a and 9a are top views and the remaining figures Schnittdarstel lungs again.
Als Basis für das erfindungsgemäße Verfahren zum Erzeugen ei nes Sensorbauteils mit einem umströmbar gelagerten, längli chen, elektrisch leitenden Element in einem Kanal dient ein Trägersubstrat 1, auf das in einem ersten Prozessschritt eine Isolationsschicht 2 abgelagert wird (vgl. Fig. 2). Wie in Fig. 3 dargestellt, wird im folgenden Prozessschritt auf die Isolationsschicht 2 eine sandwichartige Beschichtung 3 aufge bracht, die im Falle des dargestellten Ausführungsbeispiels aus einer NiCr-Schicht 4 und einer Au-Schicht 5 besteht und als Basis für die Strukturierung des zur Bildung des längli chen Elements benötigten Bereichs dient. Nach der Ablagerung der beschriebenen, sandwichartigen Beschichtung 3, wird diese derart mit Hilfe von photolithographischen Schritten und Ätz schritten strukturiert und geätzt, dass nur noch die für das längliche Element und dessen Zuleitung benötigten Bereiche 6a und 6b der Beschichtung 3 verbleiben (vgl. Fig. 4 und Drauf sicht gemäß Fig. 4a). Auf die zur Bildung des länglichen Ele ments und dessen Zuleitungen benötigten Bereiche 6a und 6b der Beschichtung 3 und auf die freigelegten Bereiche der Iso lationsschicht 2 wird, wie in Fig. 5 zu erkennen, eine zu sätzliche Isolationsschicht 7 aufgebracht. An diesem Punkt verzweigt sich das erfindungsgemäße Herstellverfahren in zwei unterschiedliche Teilverfahren, mit denen jeweils eine der beiden Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Sensorbauteils hergestellt werden können.A carrier substrate 1 , on which an insulation layer 2 is deposited in a first process step (see FIG. 2) serves as the basis for the method according to the invention for producing a sensor component with a flow-shaped, elongated, electrically conductive element in a channel. As shown in Fig. 3, in the following process step, a sandwich-like coating 3 is applied to the insulation layer 2 , which in the case of the illustrated embodiment consists of a NiCr layer 4 and an Au layer 5 and as the basis for structuring the formation of the elongated element needed area. After the described, sandwich-like coating 3 has been deposited, it is structured and etched with the aid of photolithographic steps and etching such that only the regions 6 a and 6 b of the coating 3 required for the elongate element and its feed line remain (cf. Fig. 4 and top view according to Fig. 4a). On the areas 6 a and 6 b of the coating 3 required for forming the elongated element and its feed lines and on the exposed areas of the insulation layer 2 , as can be seen in FIG. 5, an additional insulation layer 7 is applied. At this point, the manufacturing method according to the invention branches into two different sub-methods, with each of which one of the two embodiments of the sensor component according to the invention can be manufactured.
Zur Herstellung der ersten Ausführungsform des erfindungsge mäßen Sensorbauteils wird, wie in Fig. 6 und in der Drauf sicht in Fig. 6a zu erkennen, die zusätzliche Isolations schicht 7 und die Isolationsschicht 2 derart geätzt, dass sich in beiden Isolationsschichten 2 und 7 ein Kanal 8 bil det, der sicherstellt, dass das längliche Element 9 im Kanal 8 allseitig umströmt werden kann. Anschließend wird, wie in Fig. 7 zu erkennen, auf die zusätzliche Isolationsschicht 7 ein Deckelteil 10 aufgebracht, das den in den vorangegangenen Prozessschritten gebildeten Kanal 8 abschließt. Hierdurch ist die erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorbau teils vollständig erstellt. To produce the first embodiment of the sensor component according to the invention, as can be seen in FIG. 6 and in the top view in FIG. 6a, the additional insulation layer 7 and the insulation layer 2 are etched such that there is a channel in both insulation layers 2 and 7 8 bil det, which ensures that the elongate element 9 in the channel 8 can flow around on all sides. Then, as can be seen in FIG. 7, a cover part 10 is applied to the additional insulation layer 7 , which closes the channel 8 formed in the previous process steps. As a result, the first embodiment of the sensor construction according to the invention is partly completely created.
Zur Herstellung der zweiten Ausführungsform des erfindungsge mäßen Sensorbauteils wird im Anschluss an die bereits oben anhand der Fig. 1 bis 5 beschriebenen Verfahrensschritte ein Kanal 11 in die beiden Isolationsschichten 2 und 7 ge ätzt. Dieser Kanal 11 weist, wie in den Fig. 8 und 8a zu erkennen, vorteilhaft die Form eines Hohlzylinders auf, des sen Längsachse 13 sich idealer Weise orthogonal zur horizon talen Orientierungsebene 14 der Isolationsschichten 2 und 7 erstreckt. In diesem idealer Weise zylinderförmigen Kanal 11 ist das längliche Element 12 derart gelagert, dass es an den Kanalwänden isoliert zwischen den beiden Isolationsschichten 2 und 7 gelagert ist und ansonsten von allen Seiten her frei umströmt werden kann. Um diesen zylinderförmigen Kanal 11 zu einem richtigen Kanal zu erweitern, wird, wie in den Fig. 9 und 9a zu erkennen, in die Tragschicht 1 ein zylindrischer Hohlraum geätzt, der den Kanal 15 komplettiert, dessen Längs achse 16 sich wiederum orthogonal zu der horizontalen Orien tierungsebene 14 der Isolationsschichten 2 und 7 erstreckt. Durch diesen letzten Verfahrensschritt ist die zweite Ausfüh rungsform des erfindungsgemäßen Sensorelementes realisiert.To produce the second embodiment of the sensor component according to the invention, a channel 11 is etched into the two insulation layers 2 and 7 following the method steps already described above with reference to FIGS. 1 to 5. This channel 11 , as can be seen in FIGS. 8 and 8a, advantageously has the shape of a hollow cylinder, the longitudinal axis 13 of which ideally extends orthogonally to the horizontal orientation plane 14 of the insulation layers 2 and 7 . In this ideally cylindrical duct 11 , the elongated element 12 is mounted in such a way that it is mounted on the duct walls in an insulated manner between the two insulation layers 2 and 7 and can otherwise be freely flowed around from all sides. In order to expand this cylindrical channel 11 into a correct channel, as can be seen in FIGS. 9 and 9a, a cylindrical cavity is etched into the base layer 1 , which completes the channel 15 , the longitudinal axis 16 of which in turn is orthogonal to the horizontal Orientation level 14 of the insulation layers 2 and 7 extends. This last method step realizes the second embodiment of the sensor element according to the invention.
Wie in Fig. 10 zu erkennen, besteht die erste Ausführungs form des erfindungsgemäßen Sensorbauteils aus einem an seiner einen Seite eine rinnenartige Vertiefung 8a aufweisenden Ab deckteil 17, bei dem die rinnenartige Vertiefung 8a durch zwei im Abstand nebeneinander verlaufende Tragschienen 18 und 19 gebildet ist. Ferner weist diese erste Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorbauteils ein längliches Element 9 auf, das umströmbar, die rinnenartige Vertiefung 8a durchque rend an den Tragschienen 18 und 19 gehalten ist, und ein vor gefertigtes Deckelteil 10, das die rinnenartige Vertiefung 8a unter Wahrung eines Abstandes zum länglichen Element 9 unter Bildung eines Kanals 8 abschließt. As can be seen in Fig. 10, the first embodiment of the sensor component according to the invention consists of a on one side a groove-like recess 8 a having cover part 17 , in which the groove-like recess 8 a is formed by two spaced apart support rails 18 and 19 is. Furthermore, this first embodiment of the sensor component according to the invention has an elongated element 9 , which can be flowed around, the groove-like depression 8 a is held by the support rails 18 and 19 , and a cover part 10 which is manufactured before, which the groove-like depression 8 a while maintaining a distance to form the elongated element 9 to form a channel 8 .
Die zweite Ausführungsform des erfindungsgemäßen Sensorbau teils besteht, wie in Fig. 11 zu erkennen, aus einem schichtweise aufgebauten Tragkörper 20, der quer zum Schich tenaufbau von einem Kanal 15 durchdrungen wird, und einem länglichen Element 12, das, an seinen Enden isoliert zwischen zwei Isolationsschichten 2 und 7 in der Kanalwandung des ka nalartigen Hohlraums 15 gehalten, freitragend den kanalarti gen Hohlraum 15 durchsetzt. Der Schichtenaufbau setzt sich aus einer Tragschicht 1, einer auf diese Tragschicht 1 aufge brachten Isolationsschicht 2 und einer auf die Isolations schicht 2 aufgebrachten zusätzlichen Isolationsschicht 7 zu sammen.The second embodiment of the sensor assembly according to the invention consists, as can be seen in Fig. 11, of a layered support body 20 , which is penetrated by a channel 15 transversely to the layer structure, and an elongated element 12 , which is isolated at its ends between two Insulation layers 2 and 7 held in the channel wall of the channel-like cavity 15 , cantilevered through the channel-like cavity 15 . The layer structure is composed of a supporting layer 1 to a vapor together on this support layer 1 applied insulating layer 2 and a layer on the insulation 2 applied additional insulation layer. 7
Claims (12)
dadurch gekennzeichnet, dass
nach dem Ätzen auf die Beschichtung (3) und die freigelegte Isolationsschicht (2) eine zusätzliche Isolationsschicht (7) abgeschieden wird und
nachfolgend in die Isolationsschicht (2) und die zusätzli che Isolationsschicht (7) unter zumindest teilweisem Freile gen des länglichen Elements (9) ein Kanal (8) derart geätzt wird, dass das längliche Element (9) lediglich in den durch die Isolationsschichten (2) und (7) gebildeten Seitenwänden des Kanals (8) gelagert ist und den Kanal (8) freitragend durchsetzt.1. A method for producing a sensor component with a flow around in a channel ( 8 ), electrically conduct the elongated element ( 9 ), in which after separating an insulation layer ( 2 ) onto a support layer ( 1 ) and a subsequent separation one at least one electrically conductive layer existing coating ( 3 ) on the insulation layer ( 2 ) the coating ( 3 ) except for the remaining areas ( 6 a) and ( 6 b) required for forming the elongate element ( 9 ) and its leads with area-by-area exposure the insulation layer ( 2 ) is etched away,
characterized in that
after the etching on the coating ( 3 ) and the exposed insulation layer ( 2 ), an additional insulation layer ( 7 ) is deposited and
a channel ( 8 ) is subsequently etched into the insulation layer ( 2 ) and the additional insulation layer ( 7 ) with at least partial exposure of the elongate element ( 9 ) in such a way that the elongate element ( 9 ) only in the through the insulation layers ( 2 ) and ( 7 ) formed side walls of the channel ( 8 ) is supported and penetrates the channel ( 8 ) cantilever.
einem an seiner einen Seite eine rinnenartige Vertiefung (8a) aufweisenden Abdeckteil (17),
bei dem die rinnenartige Vertiefung (8a) durch zwei im Abstand nebeneinander verlaufende Tragschienen (18) und (19) gebildet ist,
einem länglichen, elektrisch leitenden Element (9), das umströmbar, die rinnenartige Vertiefung (8a) durchquerend an den Tragschienen (18) und (19) isoliert gehalten ist, und
einem vorgefertigten Deckelteil (10), das die rinnenartige Vertiefung (8a) unter Wahrung eines Abstandes zum länglichen Element (9) unter Bildung eines Kanals (8) abschließt.9. Sensor component with
a cover part ( 17 ) having a groove-like depression ( 8 a) on one side,
in which the trough-like depression ( 8 a) is formed by two support rails ( 18 ) and ( 19 ) running at a distance from one another,
an elongated, electrically conductive element ( 9 ), which can be flowed around, is kept isolated on the support rails ( 18 ) and ( 19 ) and traverses the groove-like depression ( 8 a), and
a prefabricated cover part ( 10 ) which closes the groove-like recess ( 8 a) while maintaining a distance from the elongate element ( 9 ) to form a channel ( 8 ).
einem schichtweise aus mindestens zwei Isolationsschichten aufgebauten Tragkörper (20), der quer zum Schichtenaufbau von einem Kanal (15) durchdrungen wird, und
einem länglichen Element (12), das, an seinen Enden iso liert zwischen den beiden Isolationsschichten (2) und (7) gehalten, freitragend den Kanal (15) durchsetzt.11. Sensor component with
a support body ( 20 ) built up in layers of at least two insulation layers and penetrated by a channel ( 15 ) transversely to the layer structure, and
an elongated element ( 12 ), which is isolated at its ends between the two insulation layers ( 2 ) and ( 7 ), cantilevered through the channel ( 15 ).
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000146509 DE10046509A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Sensor component and method for its production |
PCT/DE2001/003608 WO2002022495A1 (en) | 2000-09-14 | 2001-09-14 | Sensor component and method for the production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2000146509 DE10046509A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Sensor component and method for its production |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10046509A1 true DE10046509A1 (en) | 2002-04-04 |
Family
ID=7656906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2000146509 Withdrawn DE10046509A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Sensor component and method for its production |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10046509A1 (en) |
WO (1) | WO2002022495A1 (en) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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- 2000-09-14 DE DE2000146509 patent/DE10046509A1/en not_active Withdrawn
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2001
- 2001-09-14 WO PCT/DE2001/003608 patent/WO2002022495A1/en active Application Filing
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Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2002022495A1 (en) | 2002-03-21 |
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