DE10045565A1 - Mixer circuit for HF data transmission system has emitter-follower device coupled to its signal input - Google Patents
Mixer circuit for HF data transmission system has emitter-follower device coupled to its signal inputInfo
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft eine Mischerschaltungsanordnung.The invention relates to a mixer circuit arrangement.
Eine Mischerschaltungsanordnung wird vor allem in der Hochfrequenztechnik, zum Beispiel in einem HF- Datenübertragungssystem, zur Frequenzumsetzung benötigt.A mixer circuit arrangement is mainly used in the Radio frequency technology, for example in an HF Data transmission system required for frequency conversion.
Um der Nachfrage bei einem solchen Datenübertragungssystem nach immer mehr Handbreite gerecht zu werden, weicht man in immer höhere Frequenzbänder aus. Eine der Schlüsselkomponenten bei einem solchen Datenübertragungssystem stellt daher eine Mischerschaltung dar, welche im Sender zur Frequenzumsetzung in diese hohen Bänder und im Empfänger zur Rücktransformation bis ins Basisband benötigt werden.To meet the demand for such a data transmission system to meet after more and more hand width, you give way to ever higher frequency bands. One of the Key components in such Data transmission system therefore represents a mixer circuit represents which in the transmitter for frequency conversion in these high Bands and in the receiver for back transformation into Baseband are needed.
Eine bekannte Mischerschaltung kann eine passive Mischerschaltung mit Dioden oder anderen passiven Bauelementen sein. Alternativ kann eine bekannte Mischerschaltung eine aktive Mischerschaltung mit Transistoren sein.A known mixer circuit can be a passive one Mixer circuit with diodes or other passive Components. Alternatively, a known one Mixer circuit with an active mixer circuit Transistors.
In Anwendungen in Datenübertragungssystemen sind aktive Mischer weitverbreitet. Für die detaillierte Schaltungsform sind hierbei zahlreiche unterschiedliche Ausgestaltungen bekannt.In applications in data transmission systems are active Mixer widely used. For the detailed circuit form are numerous different configurations known.
Eine bekannte, sehr einfach aufgebaute aktive Mischerschaltung ist die additive Mischerschaltung, die in Fig. 1 dargestellt ist. Ein erstes Signal Ue mit einer ersten Frequenz fe wird über einen ersten Eingang 102 in die Mischerschaltung 101 eingegeben. Ein zweites Signal U0 mit einer zweiten Frequenz f0 wird über einen zweiten Eingang 103 in die Mischerschaltung 101 eingegeben. In der Mischerschaltung 101 werden Mischsignale mit unterschiedlichen Differenzfrequenzen fmij, d. h. fm11 = |fe - f0|, fm21 = |2fe - f0|, fm12 = |fe - 2f0| etc. erzeugt. Die Mischsignale werden am Ausgang 104 der Mischerschaltung 101 ausgegeben.A known, very simple active mixer circuit is the additive mixer circuit, which is shown in FIG. 1. A first signal U e with a first frequency f e is input into the mixer circuit 101 via a first input 102 . A second signal U 0 with a second frequency f 0 is input into the mixer circuit 101 via a second input 103 . In the mixer circuit 101 , mixed signals with different differential frequencies f mij , ie f m11 = | f e - f 0 |, f m21 = | 2f e - f 0 |, f m12 = | f e - 2f 0 | etc. generated. The mixed signals are output at the output 104 of the mixer circuit 101 .
Eine bekannte, bei Anwendungen, zum Beispiel in der Datenübertragung, weitverbreitete aktive Mischerschaltung ist die nach Barrie Gilbert benannte Gilbertzelle, deren Aufbau in Fig. 2 veranschaulicht ist.A known active mixer circuit which is widely used in applications, for example in data transmission, is the Gilbert cell named after Barrie Gilbert, the structure of which is illustrated in FIG. 2.
Die Gilbertzelle weist eine Mischerschaltung 201, einen Signaleingang mit einem ersten Signalanschluss RF 202 und einem zweiten Signalanschluss RFN 203, einen Lokaloszillatoreingang mit einem ersten Lokaloszillatoranschluss LO 204 und einem zweiten Lokaloszillatoranschluss LON 205 und einen Zwischenfrequenzausgang mit einem ersten Zwischenfrequenzanschluss ZF 206 und einem zweiten Zwischenfrequenzanschluss ZFN 207 auf.The Gilbert cell has a mixer circuit 201 , a signal input with a first signal connection RF 202 and a second signal connection RFN 203 , a local oscillator input with a first local oscillator connection LO 204 and a second local oscillator connection LON 205 and an intermediate frequency output with a first intermediate frequency connection ZF 206 and a second intermediate frequency connection ZFN 207 on.
Die Mischerschaltung 201 weist eine Eingangsteilschaltung 214 mit einem ersten Transistor 208 und einem zweiten Transistor 209 und eine Lokaloszillatorteilschaltung 215 mit einem dritten Transistor 216, einem vierten Transistor 217, einem fünften Transistor 218 und einem sechsten Transistor 219 auf. Der erste Transistor 208 und der zweite Transistor 209 sind an ihren Emittern miteinander elektrisch gekoppelt. Der Kollektor des ersten Transistors 208 ist mit dem Emitter des fünften Transistors 218 und mit dem Emitter des vierten Transistors 217 elektrisch gekoppelt. Der Kollektor des zweiten Transistors 209 ist mit dem Emitter des dritten Transistors 216 und mit dem Emitter des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The mixer circuit 201 has an input subcircuit 214 with a first transistor 208 and a second transistor 209 and a local oscillator subcircuit 215 with a third transistor 216 , a fourth transistor 217 , a fifth transistor 218 and a sixth transistor 219 . The first transistor 208 and the second transistor 209 are electrically coupled to one another at their emitters. The collector of the first transistor 208 is electrically coupled to the emitter of the fifth transistor 218 and to the emitter of the fourth transistor 217 . The collector of the second transistor 209 is electrically coupled to the emitter of the third transistor 216 and to the emitter of the sixth transistor 219 .
Der erste Signalanschluss RF 202 ist mit der Basis 210 des ersten Transistors 208 elektrisch gekoppelt. Der zweite Signalanschluss RF 203 ist mit der Basis 211 des zweiten Transistors 209 elektrisch gekoppelt.The first signal connection RF 202 is electrically coupled to the base 210 of the first transistor 208 . The second signal connection RF 203 is electrically coupled to the base 211 of the second transistor 209 .
Der erste Lokaloszillatoranschluss LO 204 ist mit der Basis des dritten Transistors 216 und mit der Basis des fünften Transistors 218 elektrisch gekoppelt. Der zweite Lokaloszillatoranschluss LON 205 ist mit der Basis des vierten Transistors 217 und mit der Basis des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The first local oscillator terminal LO 204 is electrically coupled to the base of the third transistor 216 and to the base of the fifth transistor 218 . The second local oscillator connection LON 205 is electrically coupled to the base of the fourth transistor 217 and to the base of the sixth transistor 219 .
Der erste Zwischenfrequenzanschluss ZF 206 ist mit dem Kollektor des dritten Transistors 216 und dem Kollektor des vierten Transistors 217 elektrisch gekoppelt. Der zweite Zwischenfrequenzanschluss ZFN 207 ist mit dem Kollektor des fünften Transistors 218 und dem Kollektor des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The first intermediate frequency connection ZF 206 is electrically coupled to the collector of the third transistor 216 and the collector of the fourth transistor 217 . The second intermediate frequency connection ZFN 207 is electrically coupled to the collector of the fifth transistor 218 and the collector of the sixth transistor 219 .
Zum ersten Signalanschluss RF 202 parallelgeschaltet ist ein erster Eingangswiderstand 212, über den zum Einstellen des Arbeitspunkts des ersten Transistors 208 eine Vorspannung VBias an den ersten Transistor 208 anlegbar ist. Zum zweiten Signalanschluss RFN 203 parallelgeschaltet ist ein zweiter Eingangswiderstand 213, über den zum Einstellen des Arbeitspunkts des zweiten Transistors 209 eine Vorspannung VBias an den zweiten Transistor 209 anlegbar ist.A first input resistor 212 is connected in parallel with the first signal connection RF 202 , via which a bias voltage VBias can be applied to the first transistor 208 in order to set the operating point of the first transistor 208 . A second input resistor 213 is connected in parallel to the second signal connection RFN 203 , via which a bias voltage VBias can be applied to the second transistor 209 to set the operating point of the second transistor 209 .
Als Eingangswiderstand 212 kann entweder ein gesonderter Widerstand oder der Innenwiderstand einer Spannungsquelle verwendet werden, die die Vorspannung VBias liefert. Als Eingangswiderstand 213 kann entweder ein gesonderter Widerstand oder der Innenwiderstand einer ersten Spannungsquelle 220 verwendet werden, die die Vorspannung VBias liefert.Either a separate resistor or the internal resistance of a voltage source which supplies the bias voltage VBias can be used as input resistor 212 . Either a separate resistor or the internal resistance of a first voltage source 220 , which supplies the bias voltage VBias, can be used as input resistor 213 .
Über die beiden Signalanschlüsse RF 202 und RFN 203 wird ein hochfrequentes Eingangssignal VRF mit einer Signalfrequenz fRF, je nach Polarität des hochfrequenten Eingangssignals, in die Basis 210 des ersten Transistors 208 bzw. in die Basis 211 des zweiten Transistors 209 der Mischerschaltung eingegeben.Via the two signal connections RF 202 and RFN 203 , a high-frequency input signal VRF with a signal frequency f RF , depending on the polarity of the high-frequency input signal, is input into the base 210 of the first transistor 208 or into the base 211 of the second transistor 209 of the mixer circuit.
Über die beiden Lokaloszillatoranschlüsse LO 204 und LON 205 wird ein Lokaloszillatorsignal VLO mit einer Lokaloszillatorfrequenz fLO in, je nach Polarität des Lokaloszillatorsignals, in die Basis des dritten Transistors 216 und in die Basis des fünften Transistors 218 bzw. in die Basis des vierten Transistors 217 und in die Basis des sechsten Transistors 219 der Mischerschaltung 201 eingegeben. An den Kollektor des dritten Transistors 216 und an den Kollektor des vierten Transistors 217, bzw. an den Kollektor des fünften Transistors 218 und an den Kollektor des sechsten Transistors 219 wird außerdem über Lastwiderstände eine Versorgungsspannung Vcc einer zweiten Spannungsquelle 221 angelegt.Via the two local oscillator connections LO 204 and LON 205 , a local oscillator signal VLO with a local oscillator frequency f LO in is, depending on the polarity of the local oscillator signal, in the base of the third transistor 216 and in the base of the fifth transistor 218 or in the base of the fourth transistor 217 and input into the base of the sixth transistor 219 of the mixer circuit 201 . A supply voltage Vcc of a second voltage source 221 is also applied to the collector of the third transistor 216 and to the collector of the fourth transistor 217 , or to the collector of the fifth transistor 218 and to the collector of the sixth transistor 219 , via load resistors.
In der Mischerschaltung 201 wird, wie bei der additiven Mischerschaltung, aus dem hochfrequenten Eingangssignal VRF und dem Lokaloszillatorsignal VLO ein Mischsignal Um erzeugt, das über den Kollektor des dritten Transistors 216 und über den Kollektor des vierten Transistors 217 am ersten Zwischenfrequenzanschluss ZF 206 des Zwischenfrequenzausgangs ausgebbar ist und über den Kollektor des vierten Transistors 218 und über den Kollektor des sechsten Transistors 219 am zweiten Zwischenfrequenzanschluss ZFN 207 des Zwischenfrequenzausgangs ausgebbar ist.In the mixer circuit 201 , as in the additive mixer circuit, a high-frequency input signal U m is generated from the high-frequency input signal VRF and the local oscillator signal VLO, which via the collector of the third transistor 216 and the collector of the fourth transistor 217 at the first intermediate frequency connection ZF 206 of the intermediate frequency output can be output and can be output via the collector of the fourth transistor 218 and via the collector of the sixth transistor 219 at the second intermediate frequency connection ZFN 207 of the intermediate frequency output.
Das erwünschte Nutzsignal im Mischsignal ist meistens das
Zwischenfrequenzsignal VZF mit der Frequenz
The desired useful signal in the mixed signal is usually the intermediate frequency signal VZF with the frequency
fZF = |fRF - fLO|.f ZF = | f RF - f LO |.
Als Gewinn G der Mischerschaltung für das Zwischenfrequenzsignal wird das logarithmische Spannungsverhältnis von Zwischenfrequenzsignal VZF und Eingangssignal VRF bezeichnet. Der Gewinn G der Mischerschaltung ist frequenzabhängig.As a gain G of the mixer circuit for that The intermediate frequency signal becomes the logarithmic Voltage ratio of intermediate frequency signal VZF and Designated input signal VRF. The profit G the Mixer circuit is frequency dependent.
Der Frequenz-Arbeitsbereich ist der Frequenzbereich, in dem die Mischerschaltung einen zu ihrem sinnvollen Betrieb ausreichenden Gewinn G erzielt. Die (obere) 3 dB-Grenzfrequenz der Mischerschaltung ist die Frequenz, bei der das logarithmische Spannungsverhältnis zwischen dem Ausgangssignal Um oder VZF und dem Eingangssignal VRF -3 dB beträgt, und gibt einen Anhaltspunkt für den Frequenz- Arbeitsbereich.The frequency operating range is the frequency range in which the mixer circuit achieves a profit G sufficient for its meaningful operation. The (upper) 3 dB cutoff frequency of the mixer circuit is the frequency at which the logarithmic voltage ratio between the output signal U m or VZF and the input signal VRF is -3 dB, and gives an indication of the frequency working range.
Am Arbeitspunkt der Mischerschaltung hat der Gewinn G bei einer Maximalfrequenz fmax innerhalb des Frequenz- Arbeitsbereichs einen Maximalwert Gmax.At the operating point of the mixer circuit, the gain G has a maximum value G max at a maximum frequency fmax within the frequency working range.
Der Frequenz-Arbeitsbereich und der Arbeitspunkt, d. h. die Maximalfrequenz fmax, sind durch das Schaltungslayout begrenzt einstellbar.The frequency working range and the operating point, ie the maximum frequency f max , can be set to a limited extent by the circuit layout.
Bei einer herkömmlichen Mischerschaltung ist der Arbeitspunkt unter anderem durch parasitäre Kapazitäten der Mischerschaltung aufgrund von anderen Bauteilen und von Zuleitungen nach oben hin begrenzt.In a conventional mixer circuit, the operating point is among other things by parasitic capacities of the Mixer circuit due to other components and Cables limited upwards.
Für zukünftige Anwendungen ist jedoch eine Mischerschaltung erforderlich, die ihren Arbeitspunkt bei einer hohen Frequenz hat, zum Beispiel bei 3,5 GHz, 10,5 GHz, 24 GHz oder 26 GHz für eine Punkt-zu-Multipunktverbindung, oder bei 28 GHz oder 38 GHz für LMDS (Local Multipoint Distribution Services).However, a mixer circuit is for future applications required its operating point at a high frequency has, for example at 3.5 GHz, 10.5 GHz, 24 GHz or 26 GHz for a point-to-multipoint connection, or at 28 GHz or 38 GHz for LMDS (Local Multipoint Distribution Services).
Mit einer herkömmlichen Mischerschaltung ist ein Arbeitspunkt bei einer so hohen Frequenz nicht oder zumindest nur mit sehr großem Aufwand zu erzielen.With a conventional mixer circuit is an operating point at such a high frequency not, or at least only very much to achieve great effort.
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine Mischerschaltung anzugeben, die ihren Arbeitspunkt bei einer hohen Frequenz hat, zum Beispiel bei 3,5 GHz, 10,5 GHz, 24 GHz oder 26 GHz, wie er für eine Punkt zu Multipunktverbindung erforderlich ist, oder bei 28 GHz oder 38 GHz, wie er für LMDS erforderlich ist.The invention is based on the problem of a Specify mixer circuit that its operating point at a has high frequency, for example at 3.5 GHz, 10.5 GHz, 24 GHz or 26 GHz as it is for a point too Multipoint connection is required, or at 28 GHz or 38 GHz, as required for LMDS.
Das Problem wird gelöst durch eine Mischerschaltungsanordnung mit den Merkmalen gemäß dem unabhängigen Patentanspruch.The problem is solved by a mixer circuit arrangement with the features according to the independent claim.
Eine Mischerschaltungsanordnung weist auf:
A mixer circuit arrangement has:
- - eine Mischerschaltung zum Mischen eines Eingangssignals VRF mit einer Eingangsfrequenz fRF und eines Lokaloszillatorsignals VLO mit einer Lokaloszillatorfrequenz fLO zur Erzeugung eines Zwischenfrequenzsignals ZF mit einer Zwischenfrequenz fZF,a mixer circuit for mixing an input signal VRF with an input frequency f RF and a local oscillator signal VLO with a local oscillator frequency f LO for generating an intermediate frequency signal ZF with an intermediate frequency f ZF ,
- - einen zum Eingeben des Eingangssignals VRF in die Mischerschaltung mit der Mischerschaltung elektrisch gekoppelten Signaleingang,- One for entering the input signal VRF in the Mixer circuit with the mixer circuit electrical coupled signal input,
- - einen zum Eingeben des Lokaloszillatorsignals VLO in die Mischerschaltung mit der Mischerschaltung elektrisch gekoppelten Lokaloszillatoreingang, und- One for entering the local oscillator signal VLO in the Mixer circuit with the mixer circuit electrical coupled local oscillator input, and
- - einen zum Ausgeben des Zwischenfrequenzsignals VZF aus der Mischerschaltung mit der Mischerschaltung elektrisch gekoppelten Zwischenfrequenzausgang,- One for outputting the intermediate frequency signal VZF the mixer circuit with the mixer circuit electrically coupled intermediate frequency output,
- - wobei die Mischerschaltung an ihrem Signaleingang eine mit dem Signaleingang elektrisch gekoppelte Emitterfolger-Anordnung mit zumindest einem Emitterfolger aufweist.- The mixer circuit at its signal input one electrically coupled to the signal input Emitter follower arrangement with at least one Has emitter follower.
Die Emitterfolgeranordnung bewirkt eine zumindest teilweise Kompensation parasitärer Kapazitäten der Mischerschaltungsanordnung und damit eine Erhöhung der Maximalfrequenz fmax, bei der die Mischerschaltungsanordnung ihren maximalen Gewinn Gmax erzielt. The emitter follower arrangement effects at least partial compensation for parasitic capacitances of the mixer circuit arrangement and thus an increase in the maximum frequency f max at which the mixer circuit arrangement achieves its maximum gain G max .
Die erfindungsgemäße Mischerschaltungsanordnung hat zudem den Vorteil, dass sie einfach, zuverlässig und leistungsfähig ist.The mixer circuit arrangement according to the invention also has the Advantage that they are simple, reliable and powerful is.
Es hat sich bei einer erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung mit zumindest einem Ermitterfolger am Signaleingang herausgestellt, dass im Vergleich zu einer Mischerschaltungsanordnung ohne Ermitterfolger die Maximalfrequenz und die 3 dB-Grenzfrequenz zu höheren Frequenzen verschoben sind.It has been found in an inventive Mixer circuit arrangement with at least one emitter follower at the signal input showed that compared to a Mixer circuitry with no followers Maximum frequency and the 3 dB cutoff frequency to higher Frequencies are shifted.
Die der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung zugrundeliegende Mischerschaltung kann eine bekannte einfache Mischerschaltung wie die in Fig. 1 gezeigte Schaltung des additiven Mischers sein.The mixer circuit on which the mixer circuit arrangement according to the invention is based can be a known simple mixer circuit such as the circuit of the additive mixer shown in FIG. 1.
Bevorzugt wird eine Mischerschaltung eingesetzt, bei der
A mixer circuit is preferably used in which
- - der Signaleingang einen ersten und einen zweiten Signalanschluss aufweist,- The signal input a first and a second Has signal connection,
- - der Lokaloszillatoreingang einen ersten und einen zweiten Lokaloszillatoranschluss aufweist,- The local oscillator input a first and one has a second local oscillator connection,
- - der Zwischenfrequenzausgang einen ersten und einen zweiten Zwischenfrequenzanschluss aufweist, und- The intermediate frequency output a first and one has second intermediate frequency connection, and
- - der erste und der zweite Signalanschluss je eine Emitterfolger-Anordnung aufweisen.- The first and the second signal connection one each Have emitter follower arrangement.
Jede Emitterfolger-Anordnung kann mehrere Emitterfolger aufweisen. Die Verwendung mehrerer ausgewählter Emitterfolger erlaubt mit einfachen Mitteln eine maßgeschneiderte Einstellung des Arbeitspunkts und des Frequenz- Arbeitsbereichs der Mischerschaltungsanordnung. Jedoch ist die Mischerschaltungsanordnung umso störanfälliger, je größer die Anzahl von darin verwendeten Schaltungskomponenten ist.Each emitter follower arrangement can have several emitter followers exhibit. The use of several selected emitter followers allows a tailor-made with simple means Setting the working point and the frequency Working range of the mixer circuit arrangement. However is the larger the mixer circuit arrangement, the more susceptible to faults is the number of circuit components used therein.
Vorzugweise weist daher die Mischerschaltungsanordnung genau einen Emitterfolger auf, der so gestaltet ist, dass eine gewünschte Charakteristik der Mischerschaltung erzielt wird. The mixer circuit arrangement therefore preferably has precise information an emitter follower that is designed so that a desired characteristic of the mixer circuit is achieved.
Bei einer Mischerschaltung mit einem Signaleingang mit einem ersten Signalanschluss und einem zweiten Signalanschluss weist dabei jeder der beiden Signalanschlüsse einen mit dem Signalanschluss elektrisch gekoppelten Emitterfolger auf.With a mixer circuit with a signal input with a first signal connection and a second signal connection each of the two signal connections has one with the Signal connection electrically coupled emitter follower.
Die Mischerschaltungsanordnung weist vorzugsweise weiter eine zum Signaleingang parallelgeschaltete Eingangswiderstands- Anordnung auf, über die eine Biasspannung VBias zum Einstellen des Arbeitspunktes der Mischerschaltung anlegbar ist. Die Eingangswiderstandsanordnung kann mehrere in Serie oder parallelgeschaltete Widerstände aufweisen. Jedoch ist die Störanfälligkeit umso größer, je größer die Anzahl und die Komplexität der Komponenten in der Mischerschaltungsanordnung ist.The mixer circuit arrangement preferably also has one Input resistance connected in parallel to the signal input Arrangement on which a bias voltage VBias to Setting the operating point of the mixer circuit can be applied is. The input resistor arrangement can be several in series or have resistors connected in parallel. However is the greater the number and the greater the susceptibility to faults the complexity of the components in the Mixer circuitry is.
Bevorzugt ist daher, soweit keine Gründe für eine komplexere Anordnung sprechen, eine einfache Eingangswiderstands- Anordnung mit genau einem Eingangswiderstand. Bei einer Mischerschaltung mit einem Signaleingang mit einem ersten und einem zweiten Signalanschluss ist dabei jedem der beiden Signalanschlüsse ein Eingangswiderstand zugeschaltet.It is therefore preferred unless there are reasons for a more complex one Arrangement speak a simple input resistance Arrangement with exactly one input resistance. At a Mixer circuit with a signal input with a first and Each of the two has a second signal connection Signal connections an input resistor switched on.
Als Eingangswiderstands-Anordnung kann eine Anordnung mit Einzelwiderständen vorgesehen sein. Alternativ ist kein gesonderter Eingangswiderstand vorgesehen, sondern der Innenwiderstand einer Spannungsquelle, zum Beispiel der Spannungsquelle, die die Vorspannung VBias zum Einstellen des Arbeitspunkts der Mischerschaltung liefert, wird als Eingangswiderstands-Anordnung verwendet.An arrangement with individual resistors can be provided as the input resistance arrangement. Alternatively, no separate input resistance is provided, but the internal resistance of a voltage source, for example the voltage source which supplies the bias voltage V bias for setting the operating point of the mixer circuit, is used as the input resistance arrangement.
Der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung kann eine passive Mischerschaltung mit Dioden zugrunde liegen.The mixer circuit arrangement according to the invention can be a based on passive mixer circuit with diodes.
Bei Datenübertragungsanwendungen weiterverbreitet als die passive Mischerschaltung ist die aktive Mischerschaltung mit Transistoren. Bevorzugt wird daher eine aktive Mischerschaltung verwendet, dabei bevorzugt eine Gilbertzelle, die als leistungsfähige Mischerschaltung weithin akzeptiert und verbreitet ist. Jedoch sind auch andere aktive und passive Mischerschaltungen möglich.Widely used in data transmission applications than that passive mixer circuit is the active mixer circuit with Transistors. An active one is therefore preferred Mixer circuit used, preferably one Gilbert cell, which acts as a powerful mixer circuit is widely accepted and widespread. However, too other active and passive mixer circuits possible.
Wird eine aktive Mischerschaltung verwendet, so ist die Art der Transistoren der gewünschten Anwendung entsprechend wählbar. Von den Transistoren können zumindest ein Teil Bipolartransistoren sein, außerdem können zumindest ein Teil davon MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) sein.If an active mixer circuit is used, then Art of the transistors according to the desired application selectable. At least some of the transistors can Be bipolar transistors, in addition, at least some of which MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).
Die erfindungsgemäße Emitterfolger-Anordnung, die Mischerschaltung mit ihren Dioden oder/und Transistoren und ggf. sonstigen Bauelementen und ggf. die Eingangswiderstands- Anordnung können als gehäuste oder ungehäuste Einzelbauteile vorgesehen sein, die zum Beispiel auf einer Platine so verlötet sind, dass die Mischerschaltungsanordnung ausgebildet ist.The emitter follower arrangement according to the invention, the Mixer circuit with its diodes and / or transistors and possibly other components and possibly the input resistance Arrangement can be as housed or unhoused individual components be provided, for example on a circuit board are soldered to the mixer circuitry is trained.
Bevorzugt ist die erfindungsgemäße Mischerschaltungsanordnung zumindest teilweise als monolithisch hochintegrierte Schaltung ausgebildet. Diese Ausbildungsform hat den Vorteil, dass der Platzbedarf und die Leistungsaufnahme der Mischerschaltungsanordnung verringert sind.The mixer circuit arrangement according to the invention is preferred at least partially as monolithically highly integrated Circuit trained. This type of training has the advantage that the space requirement and power consumption of the Mixer circuitry are reduced.
Als der monolithisch hochintegrierten Schaltung zugrundeliegende Technologie(n) sind grundsätzlich beliebige Technologien möglich. Die Mischerschaltungsanordnung kann zum Beispiel zumindest teilweise auf Silizium basieren, oder sie kann zumindest teilweise auf einem Verbindungshalbleiter, zum Beispiel mit einem III-V-Halbleiter wie GaAs, InP, InSb oder einem oder mehreren anderen bekannten III-V-Halbleitern, oder auf einem II-VI-Halbleiter, oder auf SiGe basieren. BiCMOS, CMOS oder sonstige bekannte Technologien sind mögliche Technologien zur Verwirklichung der Schaltungsanordnung.As the monolithically highly integrated circuit underlying technology (s) are basically any Technologies possible. The mixer circuit arrangement can Example based at least in part on silicon, or them can at least partially on a compound semiconductor to Example with a III-V semiconductor such as GaAs, InP, InSb or one or more other known III-V semiconductors, or based on a II-VI semiconductor, or on SiGe. BiCMOS, CMOS or other known technologies are possible Technologies for implementing the circuit arrangement.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Figuren dargestellt und werden im Weiteren näher erläutert.Embodiments of the invention are in the figures are shown and are explained in more detail below.
Es zeigenShow it
Fig. 1 ein Schaltbild einer additiven Mischerschaltung nach dem Stand der Technik; Fig. 1 is a diagram of an additive mixer circuit according to the prior art;
Fig. 2 ein Schaltbild einer Gilbertzelle nach dem Stand der Technik; Fig. 2 is a diagram of a Gilbert cell according to the prior art;
Fig. 3 ein Schaltbild der bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung; Fig. 3 is a circuit diagram of the preferred embodiment of the mixer circuit arrangement according to the invention;
Fig. 4 ein Schaltbild einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung. Fig. 4 is a circuit diagram of a further embodiment of the mixer circuit arrangement according to the invention.
Fig. 3 zeigt ein Schaltbild der bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung. Fig. 3 shows a diagram of the preferred embodiment of the mixer circuit arrangement according to the invention.
Die bevorzugte Mischerschaltungsanordnung verwendet als Mischerschaltung eine Gilbertzelle, wie sie in Fig. 2 gezeigt ist.The preferred mixer circuit arrangement uses a Gilbert cell as the mixer circuit, as shown in FIG. 2.
Bei einem Transistor in einer Figur der Zeichnung ist im allgemeinen der Emitteranschluss durch einen Pfeil gekennzeichnet.With a transistor in a figure of the drawing is in generally the emitter connection by an arrow characterized.
Die Gilbertzelle weist eine Mischerschaltung 201, einen Signaleingang mit einem ersten Signalanschluss RF 202 und einem zweiten Signalanschluss RFN 203, einen Lokaloszillatoreingang mit einem ersten Lokaloszillatoranschluss LO 204 und einem zweiten Lokaloszillatoranschluss LON 205 und einen Zwischenfrequenzausgang mit einem ersten Zwischenfrequenzanschluss ZF 206 und einem zweiten Zwischenfrequenzanschluss ZFN 207 auf. The Gilbert cell has a mixer circuit 201 , a signal input with a first signal connection RF 202 and a second signal connection RFN 203 , a local oscillator input with a first local oscillator connection LO 204 and a second local oscillator connection LON 205 and an intermediate frequency output with a first intermediate frequency connection ZF 206 and a second intermediate frequency connection ZFN 207 on.
Die Mischerschaltung 201 weist eine Eingangsteilschaltung 214 mit einem ersten Transistor 208 und einem zweiten Transistor 209 und eine Lokaloszillatorteilschaltung 215 mit einem dritten Transistor 216, einem vierten Transistor 217, einem fünften Transistor 218 und einem sechsten Transistor 219 auf. Der erste Transistor 208 und der zweite Transistor 209 sind an ihren Emittern miteinander elektrisch gekoppelt. Der Kollektor des ersten Transistors 208 ist mit dem Emitter des fünften Transistors 218 und mit dem Emitter des vierten Transistors 217 elektrisch gekoppelt. Der Kollektor des zweiten Transistors 209 ist mit dem Emitter des dritten Transistors 216 und mit dem Emitter des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The mixer circuit 201 has an input subcircuit 214 with a first transistor 208 and a second transistor 209 and a local oscillator subcircuit 215 with a third transistor 216 , a fourth transistor 217 , a fifth transistor 218 and a sixth transistor 219 . The first transistor 208 and the second transistor 209 are electrically coupled to one another at their emitters. The collector of the first transistor 208 is electrically coupled to the emitter of the fifth transistor 218 and to the emitter of the fourth transistor 217 . The collector of the second transistor 209 is electrically coupled to the emitter of the third transistor 216 and to the emitter of the sixth transistor 219 .
Der erste Signalanschluss RF 202 ist mit der Basis des ersten Emitterfolger-Transistors 3 elektrisch gekoppelt. Der zweite Signalanschluss RFN 203 ist mit der Basis des zweiten Emitterfolger-Transistors 5 elektrisch gekoppelt.The first signal connection RF 202 is electrically coupled to the base of the first emitter follower transistor 3 . The second signal connection RFN 203 is electrically coupled to the base of the second emitter follower transistor 5 .
Der erste Lokaloszillatoranschluss LO 204 ist mit der Basis des dritten Transistors 216 und mit der Basis des fünften Transistors 218 elektrisch gekoppelt. Der zweite Lokaloszillatoranschluss LON 205 ist mit der Basis des vierten Transistors 217 und mit der Basis des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The first local oscillator terminal LO 204 is electrically coupled to the base of the third transistor 216 and to the base of the fifth transistor 218 . The second local oscillator connection LON 205 is electrically coupled to the base of the fourth transistor 217 and to the base of the sixth transistor 219 .
Der erste Zwischenfrequenzanschluss ZF 206 ist mit dem Kollektor des dritten Transistors 216 und dem Kollektor des vierten Transistors 217 elektrisch gekoppelt. Der zweite Zwischenfrequenzanschluss ZF 207 ist mit dem Kollektor des fünften Transistors 218 und dem Kollektor des sechsten Transistors 219 elektrisch gekoppelt.The first intermediate frequency connection ZF 206 is electrically coupled to the collector of the third transistor 216 and the collector of the fourth transistor 217 . The second intermediate frequency connection ZF 207 is electrically coupled to the collector of the fifth transistor 218 and the collector of the sixth transistor 219 .
Zum ersten Signalanschluss RF 202 parallelgeschaltet ist ein erster Eingangswiderstand 212, über den zum Einstellen des Arbeitspunkts des ersten Emitterfolger-Transistors 3 eine Vorspannung VBias an den ersten Emitterfolger-Transistor 3 anlegbar ist. Zum zweiten Signalanschluss RFN 203 parallelgeschaltet ist ein zweiter Eingangswiderstand 213, über den zum Einstellen des Arbeitspunkts des zweiten Emitterfolger-Transistors 5 eine Vorspannung VBias an den zweiten Emitterfolger-Transistor 5 anlegbar ist.A first input resistor 212 is connected in parallel with the first signal connection RF 202 , via which a bias voltage VBias can be applied to the first emitter follower transistor 3 in order to set the operating point of the first emitter follower transistor 3 . A second input resistor 213 is connected in parallel to the second signal connection RFN 203 , via which a bias voltage VBias can be applied to the second emitter follower transistor 5 in order to set the operating point of the second emitter follower transistor 5 .
Als Eingangswiderstand 212 kann entweder ein gesonderter Widerstand oder der Innenwiderstand einer Spannungsquelle verwendet werden, die die Vorspannung VBias liefert. Als Eingangswiderstand 213 kann entweder ein gesonderter Widerstand oder der Innenwiderstand einer ersten Spannungsquelle 220 verwendet werden, die die Vorspannung VBias liefert.Either a separate resistor or the internal resistance of a voltage source which supplies the bias voltage VBias can be used as input resistor 212 . Either a separate resistor or the internal resistance of a first voltage source 220 , which supplies the bias voltage V bias , can be used as the input resistor 213 .
Der erste Emitterfolger 1 weist einen ersten Emitterfolger- Transistor 3 und eine ersten Emitterfolger-Widerstand 4 auf. Der zweite Emitterfolger 2 weist einen zweiten Emitterfolger- Transistor 5 und eine zweiten Emitterfolger-Widerstand 6 auf.The first emitter follower 1 has a first emitter follower transistor 3 and a first emitter follower resistor 4 . The second emitter follower 2 has a second emitter follower transistor 5 and a second emitter follower resistor 6 .
Die Basis des ersten Emitterfolger-Transistors 3 ist mit dem ersten Signalanschluss RF 202 elektrisch gekoppelt. Der Emitter des ersten Emitterfolger-Transistors 3 ist mit der Basis 210 des ersten Transistors 208 und mit dem einen Anschluss des ersten Emitterfolger-Widerstands 4 elektrisch gekoppelt, dessen anderer Anschluss mit den gekoppelten Emittern des ersten Transistors 208 und des zweiten Transistors 209 über eine Stromquelle 7 elektrisch gekoppelt ist. Der Kollektor des ersten Emitterfolger-Transistors 3 ist auf das Potential der Versorgungsspannung Vcc gelegt.The base of the first emitter follower transistor 3 is electrically coupled to the first signal connection RF 202 . The emitter of the first emitter follower transistor 3 is electrically coupled to the base 210 of the first transistor 208 and to one terminal of the first emitter follower resistor 4 , the other terminal of which is connected to the coupled emitters of the first transistor 208 and the second transistor 209 via a current source 7 is electrically coupled. The collector of the first emitter follower transistor 3 is connected to the potential of the supply voltage Vcc.
Die Basis des zweiten Emitterfolger-Transistors 5 ist mit dem zweiten Signalanschluss RFN 203 elektrisch gekoppelt. Der Emitter des zweiten Emitterfolger-Transistors 5 ist mit der Basis 211 des zweiten Transistors 209 und mit dem einen Anschluss des zweiten Emitterfolger-Widerstands 6 elektrisch gekoppelt, dessen anderer Anschluss mit den gekoppelten Emittern des ersten Transistors 208 und des zweiten Transistors 209 über eine Stromquelle 7 elektrisch gekoppelt ist. Der Kollektor des zweiten Emitterfolger-Transistors 5 ist auf das Potential der Versorgungsspannung VCC gelegt.The base of the second emitter follower transistor 5 is electrically coupled to the second signal connection RFN 203 . The emitter of the second emitter follower transistor 5 is electrically coupled to the base 211 of the second transistor 209 and to one connection of the second emitter follower resistor 6 , the other connection of which is connected to the coupled emitters of the first transistor 208 and the second transistor 209 via a current source 7 is electrically coupled. The collector of the second emitter follower transistor 5 is connected to the potential of the supply voltage V CC .
Dem ersten Signalanschluss RF 202 ist vor dem ersten Emitterfolger 1 der erste Eingangswiderstand 212 parallelgeschaltet. Dem zweiten Signalanschluss RF 203 ist vor dem zweiten Emitterfolger 2 der zweite Eingangswiderstand 213 parallelgeschaltet. Eine Biasspannung VBias wird, in dieser Reihenfolge, über den ersten Eingangswiderstand 212 und den ersten Emitterfolger 1 an die Basis 210 des ersten Transistors 208 angelegt.The first input resistor 212 is connected in parallel with the first signal connection RF 202 in front of the first emitter follower 1 . The second input resistor 213 is connected in parallel to the second signal connection RF 203 before the second emitter follower 2 . A bias voltage V bias is applied in this order to the base 210 of the first transistor 208 via the first input resistor 212 and the first emitter follower 1 .
Die Biasspannung VBias wird, in dieser Reihenfolge, über den zweiten Eingangswiderstand 213 und den zweiten Emitterfolger 2 an die Basis 211 des zweiten Transistors 209 angelegt.The bias voltage V bias is applied in this order to the base 211 of the second transistor 209 via the second input resistor 213 and the second emitter follower 2 .
Ein am ersten Signalanschluss 202 eintreffendes Eingangssignal VRF wird über den ersten Emitterfolger 1 an die Basis 210 des ersten Transistors 208 angelegt. Das Eingangssignal VRF wird über den zweiten Emitterfolger 2 an die Basis 211 des zweiten Transistors 209 angelegt.An input signal VRF arriving at the first signal connection 202 is applied to the base 210 of the first transistor 208 via the first emitter follower 1 . The input signal VRF is applied to the base 211 of the second transistor 209 via the second emitter follower 2 .
Der Widerstandswert der beiden Eingangswiderstände 212 und 213 beträgt je 50 Ohm. Bei einer alternativen Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung beträgt der Widerstandswert der beiden Eingangswiderstände 212 und 213 je 200 Ohm, bei einer weiteren Ausführungsform je 300 Ohm.The resistance value of the two input resistors 212 and 213 is 50 ohms each. In an alternative embodiment of the mixer circuit arrangement according to the invention, the resistance value of the two input resistors 212 and 213 is 200 ohms each, in a further embodiment 300 ohms each.
Bei einer Mischerschaltungsanordnung hat sich gezeigt, dass die Maximalfrequenz gegenüber einer herkömmlichen Mischerschaltungsanordnung ohne Emitterfolger von ca. 11 GHz auf ca. 26 GHz erhöht ist. Die 3 dB-Grenzfrequenz ist von 18 GHz auf 28 GHz erhöht. Darüber hinaus ist der Gewinn um 7 dB erhöht. With a mixer circuit arrangement, it has been shown that the maximum frequency compared to a conventional one Mixer circuit arrangement without emitter follower of approx. 11 GHz is increased to approximately 26 GHz. The 3 dB cutoff frequency is from 18 GHz increased to 28 GHz. In addition, the profit is around 7 dB increased.
Weitere, unterschiedliche erhöhte Werte für die Maximalfrequenz fmax und die 3 dB-Grenzfrequenz lassen sich durch alternative Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung erzielen, die auf einer unterschiedlich dimensionierten Gilbertzelle basieren und bei denen unterschiedlich dimensionierte Emitterfolger verwendet werden.Further, different increased values for the maximum frequency f max and the 3 dB cut-off frequency can be achieved by alternative embodiments of the mixer circuit arrangement according to the invention, which are based on a differently dimensioned Gilbert cell and in which differently dimensioned emitter followers are used.
Fig. 4 zeigt eine alternative Ausführungsform der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung, die die in Fig. 1 gezeigte additive Mischerschaltung verwendet. FIG. 4 shows an alternative embodiment of the mixer circuit arrangement according to the invention, which uses the additive mixer circuit shown in FIG. 1.
Die Mischerschaltungsanordnung aus Fig. 4 weist eine Mischerschaltung 101 mit einem Mischertransistor 105, einen ersten Eingang 102 zum Eingeben eines ersten Signals Ue mit einer ersten Frequenz fe, einen zweiten Eingang 103 zum Eingeben eines zweiten Signals U0 mit einer zweiten Frequenz f0, einen Ausgang 104 zum Ausgeben von Mischsignalen, insbesondere eines Zwischenfrequenzsignals UZF mit einer Zwischenfrequenz fZF, eine Biasspannungsquelle zum Anlegen einer Biasspannung UB an den Mischer-Transistor 105 und einen Emitterfolger 401 mit einem Emitterfolger-Transistor 402 und einem Emitterfolger-Widerstand 403 auf.The mixer circuit arrangement from FIG. 4 has a mixer circuit 101 with a mixer transistor 105 , a first input 102 for inputting a first signal U e with a first frequency f e , a second input 103 for inputting a second signal U 0 with a second frequency f 0 , an output 104 for outputting mixed signals, in particular an intermediate frequency signal UZF with an intermediate frequency f IF , a bias voltage source for applying a bias voltage U B to the mixer transistor 105 and an emitter follower 401 with an emitter follower transistor 402 and an emitter follower resistor 403 ,
Der erste Signaleingang 102 ist mit der Basis 404 des Emitterfolger-Transistors 402 elektrisch gekoppelt. Der zweite Signaleingang 103 ist mit dem Emitter 107 des Mischer- Transistors 105 elektrisch gekoppelt. Der Ausgang 104 ist mit dem Kollektor 108 des Mischer-Transistors 105 elektrisch gekoppelt.The first signal input 102 is electrically coupled to the base 404 of the emitter follower transistor 402 . The second signal input 103 is electrically coupled to the emitter 107 of the mixer transistor 105 . The output 104 is electrically coupled to the collector 108 of the mixer transistor 105 .
Der Emitter 405 des Emitterfolger-Transistors 402 ist über den Emitterfolger-Widerstand 403 mit der Basis 106 des Mischer-Transistors 105 elektrisch gekoppelt. Der Kollektor 406 des Emitterfolger-Transistors 402 ist auf das Potential der Biasspannung UB gelegt. The emitter 405 of the emitter follower transistor 402 is electrically coupled to the base 106 of the mixer transistor 105 via the emitter follower resistor 403 . The collector 406 of the emitter follower transistor 402 is connected to the potential of the bias voltage U B.
Die Biasspannung UB wird über einen ersten Widerstand an die Basis 404 des Emitterfolger-Transistors 402 angelegt. Bei der herkömmlichen additiven Mischerschaltung aus Fig. 1 wird die Biasspannung UB über einen Widerstand direkt an die Basis 106 des Mischer-Transistors 105 angelegt.The bias voltage U B is applied to the base 404 of the emitter follower transistor 402 via a first resistor. In the conventional additive mixer circuit from FIG. 1, the bias voltage U B is applied directly to the base 106 of the mixer transistor 105 via a resistor.
Bei der Mischerschaltungsanordnung aus Fig. 4 wird das erste Signal Ue mit der ersten Frequenz fe in die Basis 404 des Emitterfolger-Transistors 402 eingegeben.In the mixer circuit arrangement in FIG. 4, the first signal U e is at the first frequency f e in the base 404 of the emitter-follower transistor 402 entered.
Ein zweites Signal U0 mit einer zweiten Frequenz f0 wird über einen zweiten Eingang 103 in den Emitter des Mischer- Transistors 105 der Mischerschaltung 101 eingegeben.A second signal U 0 with a second frequency f 0 is input via a second input 103 into the emitter of the mixer transistor 105 of the mixer circuit 101 .
In der Mischerschaltung 101 werden Mischsignale mit unterschiedlichen Differenzfrequenzen fmij, d. h. fm11 = |fe - f0|, fm21 = |2fe - f0|, fm12 = |fe - 2f0| etc. erzeugt, insbesondere das Zwischenfrequenzsignal UZF.In the mixer circuit 101 , mixed signals with different differential frequencies f mij , ie f m11 = | f e - f 0 |, f m21 = | 2f e - f 0 |, f m12 = | f e - 2f 0 | etc. generated, in particular the intermediate frequency signal UZF.
Das Zwischenfrequenzsignal UZF wird über den Kollektor des Mischer-Transistors 105 am Ausgang 104 der Mischerschaltung 101 ausgegeben.The intermediate frequency signal UZF is output via the collector of the mixer transistor 105 at the output 104 of the mixer circuit 101 .
Zusammenfassend sind bei der erfindungsgemäßen Mischerschaltungsanordnung mit Emitterfolgern die Maximalfrequenz fmax und die 3 dB-Grenzfrequenz sowie auch der Gewinn gegenüber einer herkömmlichen Mischerschaltung erhöht.In summary, the invention Mixer circuit arrangement with emitter followers Maximum frequency fmax and the 3 dB cutoff frequency as well as the Gain increased over a conventional mixer circuit.
Die Erhöhung von Maximalfrequenz fmax, 3 dB-Grenzfrequenz und Gewinn wird durch einen oder mehrere Emitterfolger am Signaleingang auf sehr einfache Weise erzielt.The increase in maximum frequency f max , 3 dB cutoff frequency and gain is achieved in a very simple manner by one or more emitter followers at the signal input.
Dadurch ist die erfindungsgemäße Mischerschaltungsanordnung aufgrund der geringen Anzahl an zusätzlichen Komponenten in der Mischerschaltungsanordnung zum einen kostengünstig und zum anderen wenig störanfällig und somit sehr zuverlässig. As a result, the mixer circuit arrangement according to the invention due to the small number of additional components in the mixer circuit arrangement on the one hand inexpensive and on the other hand, not very susceptible to faults and therefore very reliable.
101101
Mischerschaltung
mixer circuit
102102
Erster Eingang
First entrance
103103
Zweiter Eingang
Second entrance
104104
Ausgang
output
105105
Mischer-Transistor
Mixer transistor
106106
Basis
Base
107107
Emitter
emitter
108108
Kollektor
collector
201201
Mischerschaltung
mixer circuit
202202
Erster Signalanschluss RF
First signal connection RF
203203
Zweiter Signalanschluss RFN
Second signal connection RFN
204204
Erster Lokaloszillatoranschluss LO
First local oscillator connection LO
205205
Zweiter Lokaloszillatoranschluss LON
Second local oscillator connection LON
206206
Erster Zwischenfrequenzanschluss ZF
First intermediate frequency connection ZF
207207
Zweiter Zwischenfrequenzanschluss ZFN
Second intermediate frequency connection ZFN
208208
Erster Transistor
First transistor
209209
Zweiter Transistor
Second transistor
210210
Basis des ersten Transistors
Base of the first transistor
211211
Basis des zweiten Transistors
Base of the second transistor
212212
Erster Eingangswiderstand
First input resistance
213213
Zweiter Eingangswiderstand
Second input resistance
214214
Eingangsteilschaltung
Input subcircuit
215215
Lokaloszillatorteilschaltung
Local oscillator subcircuit
216216
Dritter Transistor
Third transistor
217217
Vierter Transistor
Fourth transistor
218218
Fünfter Transistor
Fifth transistor
219219
Sechster Transistor
Sixth transistor
220220
Erste Spannungsquelle
First voltage source
221221
Zweite Spannungsquelle
Second voltage source
11
Erster Emitterfolger
First emitter follower
22
Zweiter Emitterfolger
Second emitter follower
33
Erster Emitterfolger-Transistor
First emitter follower transistor
44
Erster Emitterfolger-Widerstand
First emitter follower resistance
55
Zweiter Emitterfolger-Transistor
Second emitter follower transistor
66
Zweiter Emitterfolger-Widerstand
Second emitter follower resistor
77
Stromquelle
power source
401401
Emitterfolger
emitter follower
402402
Emitterfolger-Transistor
Emitter follower transistor
403403
Emitterfolger-Widerstand
Emitter follower resistor
404404
Basis des Emitterfolger-Transistors
Base of the emitter follower transistor
405405
Emitter des Emitterfolger-Transistors
Emitter of the emitter follower transistor
406406
Kollektor des Emitterfolger-Transistors
Collector of the emitter follower transistor
Claims (14)
mit einer Mischerschaltung (201) zum Mischen eines Eingangssignals (VRF) mit einer Eingangsfrequenz (fRF) und eines Lokaloszillatorsignals (VLO) mit einer Lokaloszillatorfrequenz (fLO) zur Erzeugung eines Zwischenfrequenzsignals (ZF) mit einer Zwischenfrequenz (fZF),
mit einem zum Eingeben des Eingangssignals (VRF) in die Mischerschaltung (201) mit der Mischerschaltung (201) elektrisch gekoppelten Signaleingang,
mit einem zum Eingeben des Lokaloszillatorsignals (VLO) in die Mischerschaltung (201) mit der Mischerschaltung (201) elektrisch gekoppelten Lokaloszillatoreingang, und
mit einem zum Ausgeben des Zwischenfrequenzsignals (VZF) aus der Mischerschaltung (201) mit der Mischerschaltung (201) elektrisch gekoppelten Zwischenfrequenzausgang,
wobei die Mischerschaltung an ihrem Signaleingang eine mit dem Signaleingang elektrisch gekoppelte Emitterfolger-Anordnung mit zumindest einem Emitterfolger aufweist.1. Mixer circuit arrangement
with a mixer circuit ( 201 ) for mixing an input signal (VRF) with an input frequency (fRF) and a local oscillator signal (VLO) with a local oscillator frequency (fLO) for generating an intermediate frequency signal (ZF) with an intermediate frequency (fZF),
with a for inputting the input signal (VRF) in the mixer circuit (201) having the mixer circuit (201) electrically coupled signal input,
with a for inputting the local oscillator signal (VLO) to the mixer circuit (201) having the mixer circuit (201) electrically coupled to local oscillator input, and
with a for outputting the intermediate frequency signal (VIF) from the mixer circuit (201) having the mixer circuit (201) electrically coupled intermediate frequency output,
wherein the mixer circuit has at its signal input an electrically coupled to the signal input emitter follower arrangement with at least one emitter follower.
der Signaleingang einen ersten und einen zweiten Signalanschluss (RF 202, RFN 203) aufweist,
der Lokaloszillatoreingang einen ersten und einen zweiten Lokaloszillatoranschluss (LO 204, LON 205) aufweist,
der Zwischenfrequenzausgang einen ersten und einen zweiten Zwischenfrequenzanschluss (ZF 206, ZFN 207) aufweist, und
der erste und der zweite Signalanschluss (RF 202, RFN 203) je eine Emitterfolger-Anordnung aufweisen.2. Mixer circuit arrangement according to claim 1, wherein
the signal input has a first and a second signal connection (RF 202 , RFN 203 ),
the local oscillator input has a first and a second local oscillator connection (LO 204 , LON 205 ),
the intermediate frequency output has a first and a second intermediate frequency connection (ZF 206 , ZFN 207 ), and
the first and the second signal connection (RF 202 , RFN 203 ) each have an emitter follower arrangement.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10045565A DE10045565A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Mixer circuit for HF data transmission system has emitter-follower device coupled to its signal input |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10045565A DE10045565A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Mixer circuit for HF data transmission system has emitter-follower device coupled to its signal input |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE10045565A1 true DE10045565A1 (en) | 2002-04-04 |
Family
ID=7656242
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|---|---|---|---|
| DE10045565A Withdrawn DE10045565A1 (en) | 2000-09-14 | 2000-09-14 | Mixer circuit for HF data transmission system has emitter-follower device coupled to its signal input |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2365059C2 (en) * | 1972-12-29 | 1984-02-02 | Sony Corp., Tokyo | Push-pull modulator circuit |
| DE4425336C1 (en) * | 1994-07-18 | 1995-09-07 | Siemens Ag | IF sampling circuit for mobile communications receiver |
-
2000
- 2000-09-14 DE DE10045565A patent/DE10045565A1/en not_active Withdrawn
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