DE10026236A1 - Organic electroluminescent device - Google Patents
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Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung, die eine Anode, eine Kathode und eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der Kathode hat, wobei die organische Schichtstruktur mindestens eine organische Schicht aufweist, worin, wenn die organische Schichtstruktur eine Dicke "n" von weniger als 2000 Angström hat, die Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die Gleichung gegeben ist: DOLLAR A 400 AngströmF 6 L 6 n x 0,8 AngströmF, und, DOLLAR A wenn die organische Schichtstruktur eine Dicke "n" von nicht weniger als 2000 Angström hat, hat die Kathode eine Dicke "L", die durch die Gleichung gegeben ist: DOLLAR A 400 AngströmF 6 L 6 n x 3 AngströmF.The present invention relates to an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein when the organic layer structure has a thickness "n" of less than 2000 angstroms, the cathode has a thickness "L" given by the equation: DOLLAR A 400 angstroms F 6 L 6 nx 0.8 angstroms F, and, DOLLAR A if the organic layer structure has a thickness "n" of not less than 2000 angstroms, the cathode has a thickness "L" given by the equation: DOLLAR A 400 angstroms F 6 L 6 nx 3 angstroms F.
Description
Die vorliegende Erfindung betrifft eine organische Elektrolu mineszenzvorrichtung und insbesondere eine organische Elektrolu mineszenzvorrichtung, die einen anomalen Strom unterdrücken kann.The present invention relates to an organic electrol minescence device and in particular an organic electrol minescent device that suppress an abnormal current can.
Die organische Elektrolumineszenzvorrichtung verwendet ein Licht emissionsphänomen, nämlich dass Löcher durch eine Anode inji ziert werden, während Elektronen durch eine Kathode derart inji ziert werden, dass Rekombinationen von Löchern und Elektronen in einer lumineszierenden Schicht mit einer fluoreszierenden Akti vität verursacht werden, wodurch eine Deaktivierung aus einem erregtem Zustand heraus verursacht wird, um Licht abzustrahlen oder zu emittieren. Die Forschung und Entwicklung der organi schen Elektrolumineszenzvorrichtung hat ihren Ursprung in der Tatsache, dass organische Verbindungen hohe fluoreszierende Aus beuten aufweisen und verschiedene Auslegungen ihrer Molekular struktur ermöglichen. Die anfängliche oder herkömmliche organi sche Elektrolumineszenzvorrichtung ist ärmer und schwächer an Lumineszenz und Lumineszenzwirkungsgrad als die tatsächlich in der Praxis erforderlichen Werte. Die anfängliche oder herkömmli che organische Elektrolumineszenzvorrichtung hat eine einfache Sandwichstruktur bzw. Mehrlagenstruktur, bei der eine Lumi neszenzschicht zwischen einer Anode und einer Kathode sandwi chartig angeordnet ist.The organic electroluminescent device uses a light emission phenomenon, namely that holes are injected through an anode are decorated while electrons are injected through a cathode be decorated that recombinations of holes and electrons in a luminescent layer with a fluorescent acti vity caused by a deactivation from a excited state is caused to emit light or to emit. The research and development of the organi electroluminescent device has its origin in the Fact that organic compounds have high fluorescent levels have booties and different interpretations of their molecular enable structure. The initial or traditional organi electroluminescent device is poorer and weaker Luminescence and luminescence efficiency than that actually in values required in practice. The initial or conventional The organic electroluminescent device has a simple one Sandwich structure or multi-layer structure in which a Lumi nescent layer between an anode and a cathode sandwi is arranged in a chart.
In Applied Physics Letter, Vol. 51, Seite 913, 1987 wird von Tang usw. offenbart, dass die vorstehende, einfache Sandwich struktur derart verbessert wurde, dass eine Lochtransport schicht, die überlegen im Transport der Löcher ist, in einer Schichtstruktur verwendet wird. Danach hat sich die Forschung und die Entwicklung von organischen Elektrolumineszenzvorrich tungen auf verschiedene Mehrschichtstrukturen konzentriert, die verschiedenen bzw. mehrere und unterschiedliche, funktionale Schichten haben, z. B. eine Lochinjektionsschicht zum Injizieren von Löchern und eine Elektronentransportschicht zum Transpor tieren oder Befördern von Elektronen. Einzelne organische Mate rialien sind auch in den Eigenschaften verbessert worden. Unter diesen Umständen stieg das Interesse an der praktischen Verwen dung einer organischen Elektrolumineszenzvorrichtung als Anzei gevorrichtung an. In den letzten Jahren wurde eine Vollfarbenan zeige in drei Primärfarben, z. B. Blau, Grün und Rot, mit einer hohen Luminanz und einem hohen Luminanzwirkungsgrad realisiert, in der einzelne Ladungsträger-Transportmaterialien geeignet aus gewählt sind.In Applied Physics Letter, Vol. 51, page 913, 1987 by Tang etc. revealed that the above, simple sandwich structure was improved so that a hole transport layer that is superior in transporting the holes in one Layer structure is used. After that, the research and the development of organic electroluminescent devices focused on various multilayer structures that different or several and different, functional Have layers, e.g. B. a hole injection layer for injection of holes and an electron transport layer for transport animals or transporting electrons. Single organic mate Materials have also been improved in properties. Under Under these circumstances, interest in practical use increased an organic electroluminescent device as a display device. A full color has been introduced in recent years show in three primary colors, e.g. B. Blue, Green and Red, with one high luminance and high luminance efficiency, suitable in the individual load carrier transport materials are selected.
Die organische Elektrolumineszenzvorrichtung wird als Einheiten oder Pixel bzw. Bildelemente für Anzeigevorrichtungen verwendet. Verfügbare Antriebsverfahren zum Antreiben bzw. Ansteuern der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung können Verfahren zum Betreiben von Flüssigkristallanzeigen sein, z. B. ein Passivma trix-Ansteuerverfahren, das auf der Multiplexeigenschaft der Vorrichtung beruht, und ein Aktivmatrix-Ansteuerverfahren, das Schaltvorrichtungen für jedes Pixel ansteuert.The organic electroluminescent device is called units or pixels or picture elements are used for display devices. Available drive methods for driving or controlling the Organic electroluminescent device can use methods for Operating liquid crystal displays, e.g. B. a passive measure trix control method, which is based on the multiplex property of the Device based, and an active matrix driving method that Controls switching devices for each pixel.
Die organische Elektrolumineszenzvorrichtung zeigt eine Lumi neszenz durch Anlegen eines Stromes an die Vorrichtung, weshalb elektrische Eigenschaften besonders wichtig für die organische Elektrolumineszenzvorrichtung sind.The organic electroluminescent device shows a Lumi nescence by applying a current to the device, why electrical properties particularly important for organic Are electroluminescent device.
Fig. 1 ist ein Diagramm, das ein Energiebandprofil der organi schen Elektrolumineszenzvorrichtung erläutert. Eine organische Mehrschichtstruktur 1 ist zwischen einer Anode und einer Kathode vorgesehen. Die organische Mehrschichtstruktur 1 umfasst eine Lochinjektionsschicht 2, eine Lochtransportschicht 3, eine Lumi neszenzschicht 4 und eine Elektronentransportschicht 5. Löcher werden von der Anode injiziert, während Elektronen von der Ka thode aus injiziert werden. Die injizierten Löcher und Elek tronen überwinden Potentialbarrieren der organischen Schichten, um in die Lumineszenzschicht 4 für die Rekombination von Elek tronen mit Löchern einzutreten. Das Energiebandprofil, das in Fig. 1 gezeigt ist, ist ein ideales Energiebandprofil. Tat sächlich sind jedoch die einzelnen organischen Schichten extrem dünn, z. B. in einem Bereich von einigen zehn Angström bis eini gen hundert Angström. Grenzschichten der einzelnen organischen Schichten haben unregelmäßige Potentialprofile, die unterschied lich zu den idealen Profilen sind. Die unterschiedlichen Po tentialprofile verursachen anomale bzw. unregelmäßige Ströme oder Leckströme. Fig. 1 is a diagram explaining an energy band profile of the organic electroluminescent device. An organic multilayer structure 1 is provided between an anode and a cathode. The organic multilayer structure 1 comprises a hole injection layer 2 , a hole transport layer 3 , a luminescent layer 4 and an electron transport layer 5 . Holes are injected from the anode, while electrons are injected from the cathode. The injected holes and electrons overcome potential barriers of the organic layers in order to enter the luminescent layer 4 for the recombination of electrons with holes. The energy band profile shown in Figure 1 is an ideal energy band profile. In fact, however, the individual organic layers are extremely thin, e.g. B. in a range from a few tens of angstroms to a few hundred angstroms. Boundary layers of the individual organic layers have irregular potential profiles that differ from the ideal profiles. The different potential profiles cause anomalous or irregular currents or leakage currents.
Aus dem gleichen Grund wird ein anomaler Strom durch eine An steuerung in Sperrpolung der organischen Elektrolumineszenzvor richtung verursacht. Wenn ein Feld an die organische Elektrolu mineszenzvorrichtung angelegt wird, bedeutet dies, dass der ano male Strom unabhängig davon verursacht wird, ob sich die organi sche Elektrolumineszenzvorrichtung in einem Lumineszenzzustand oder einem Nicht-Lumineszenzzustand befindet. Dieser anomale Strom verursacht eine erhebliche Verschlechterung in der Quali tät der organische Elektrolumineszenzvorrichtung als Anzeigevor richtung.For the same reason, an abnormal current is passed through an An Control in reverse polarity of the organic electroluminescence direction caused. If a field to the organic electrol minescence device is applied, this means that the ano male electricity is caused regardless of whether the organi cal electroluminescent device in a luminescent state or a non-luminescent state. This abnormal Electricity causes a significant deterioration in quality the organic electroluminescent device as a display device direction.
In der offengelegten, japanischen Patentveröffentlichung Nr. 9-102395 ist es offenbart, dass Aluminium für die Kathodenelek trode verwendet wird, um eine Unterdrückung des anomalen Stroms zu verursachen. Der tatsächlich erreichte Unterdrückungseffekt für den anomalen Strom ist jedoch unzureichend.In Japanese Laid-Open Patent Publication No. 9-102395 it is disclosed that aluminum is used for the cathode electr trode is used to suppress the abnormal current to cause. The suppression effect actually achieved for the abnormal current, however, is insufficient.
In der offengelegten, japanischen Patentveröffentlichung Nr. 9-245965 ist es offenbart, dass die Anode eine reduzierte Ober flächenrauhigkeit von nicht mehr als fünfzig Angström hat. Diese herkömmliche Technik benötigt einen Poliervorgang zum Polieren bzw. Schleifen einer Oberfläche der Anode. Dieser zusätzliche Prozess für das Polieren der Anodenoberfläche erhöht die Her stellungskosten. Die Reproduzierbarkeit der Anode ist tat sächlich gering.In Japanese Laid-Open Patent Publication No. 9-245965 it is disclosed that the anode has a reduced upper surface roughness of no more than fifty angstroms. This conventional technology requires a polishing process for polishing or grinding a surface of the anode. This additional Process for polishing the anode surface increases the fro service costs. The anode is reproducible really low.
Unter diesen Umständen ist es deshalb erforderlich, eine neuar tige, organische Elektrolumineszenzvorrichtung zu entwickeln, die frei von den vorstehenden Problemen ist. Under these circumstances it is therefore necessary to re-new to develop organic electroluminescent device, which is free from the above problems.
Es ist demnach eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung eine neu artige, organische Elektrolumineszenzvorrichtung bereitzustel len, die frei von den vorstehenden Problemen ist.It is accordingly an object of the present invention to provide like organic electroluminescent device len that is free from the above problems.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine neuartige, organische Elektrolumineszenzvorrichtung bereitzu stellen, die einen anomalen Strom unterdrücken kann.It is another object of the present invention, one novel organic electroluminescent device places that can suppress an abnormal current.
Die vorliegende Erfindung stellt eine organische Elektrolu
mineszenzvorrichtung bereit, die eine Anode, eine Kathode und
eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der Ka
thode aufweist, wobei die organische Schichtstruktur mindestens
eine organische Schicht aufweist, wobei, wenn die organische
Schichtstruktur eine Dicke "n" von weniger als 2000 Angström,
die Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die Gleichung gegeben
ist:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström],
und wobei, wenn die organische Schichtstruktur eine Dicke "n"
von nicht weniger als 2000 Angström hat, die Kathode eine Dicke
"L" hat, die durch die Gleichung gegeben ist: 400 [Angström] ≦ L
≦ n × 3 [Angström].The present invention provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein when the organic layer structure has a thickness "n" of less than 2000 angstroms, the cathode has a thickness "L" given by the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms],
and where the organic layer structure has a thickness "n" of not less than 2000 angstroms, the cathode has a thickness "L" given by the equation: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms].
Vorteilhafte Weiterbildungen der vorliegenden Erfindung sind den Unteransprüchen zu entnehmen. Die vorstehenden und weitere Auf gaben, Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der nachfolgenden Beschreibung ersichtlich.Advantageous developments of the present invention are See subclaims. The above and others on gave, features and advantages of the present invention can be seen from the description below.
Bevorzugte Ausführungsformen gemäß der vorliegenden Erfindung werden im Detail mit Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen nachfolgend beschrieben.Preferred embodiments according to the present invention are in detail with reference to the accompanying drawings described below.
Fig. 1 ist ein Diagramm, das ein Energiebandprofil der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung zeigt; und Fig. 1 is a diagram showing an energy band profile of the organic electroluminescent device; and
Fig. 2 ist eine Ansicht, die eine thermische Belastung von einer Kathode aus zeigt. Fig. 2 is a view showing thermal stress from a cathode.
Die erste, vorliegende Erfindung stellt eine organische Elektro
lumineszenzvorrichtung bereit, die eine Anode, eine Kathode und
eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der Ka
thode aufweist, wobei die organische Schichtstruktur mindestens
eine organische Schicht aufweist, worin die organische Schicht
struktur eine Dicke "n" von weniger als 2000 Angström und die
Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die folgende Gleichung ge
geben ist:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8[Angström].The first, present invention provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n "of less than 2000 angstroms and the cathode has a thickness" L "given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms].
Die zweite, vorliegende Erfindung stellt eine organische Elek
trolumineszenzvorrichtung bereit, die eine Anode, eine Kathode
und eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der
Kathode aufweist, wobei die organische Schichtstruktur minde
stens eine organische Schicht aufweist, worin die organische
Schichtstruktur eine Dicke "n" von nicht weniger als 2000 Ang
ström hat und die Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die
nachfolgende Gleichung gegeben ist:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström].The second, present invention provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n" of not less than 2000 angstroms and the cathode has a thickness "L" given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms].
Die meisten organischen Materialien für die organischen Schich ten der organische Elektrolumineszenzvorrichtung sind in der thermischen Stabilität schlechter als die anorganischen Materia lien. Zudem ist die Mehrschichtstruktur aus organischen Materia lien extrem dünn, z. B. im Bereich von einigen zehn Angström bis einigen tausend Angström, so dass die Struktur durch einen ex ternen Faktor wie z. B. von außen zugeführte Wärme wahrscheinlich verformt wird. Most organic materials for the organic layer th of the organic electroluminescent device are in the thermal stability worse than the inorganic materia lien. In addition, the multilayer structure is made of organic matter lien extremely thin, e.g. B. in the range of a few tens of angstroms to several thousand angstroms, so that the structure by an ex ternal factor such as B. external heat likely is deformed.
Insbesondere hat ein Metall für die Kathode einen hohen Schmelz- bzw. Siedepunkt im Bereich von einigen hundert °C bis einigen tausend °C. Bei einem Prozess mit einer frei werdenden bzw. ab gestrahlten Wärme, z. B. einer Verdampfung durch Widerstandswär me, empfängt die organische Mehrschichtstruktur als eine Basis oder ein Substrat direkt die Wärme bei einer hohen Temperatur. Verdampfte Metallteilchen sammeln sich über dem Substrat an und bilden einen dünnen Film, während eine thermische Belastung auf die organische Mehrschichtstruktur ausgeübt wird, was eine ther mische Diffusion der Metallteilchen verursacht, die eine gewisse Beschädigung der organischen Vielfachschichtstruktur erzeugt.In particular, a metal for the cathode has a high melting or boiling point in the range of a few hundred ° C to a few thousand ° C. In a process with a vacant or starting radiated heat, e.g. B. evaporation by resistance heat me, receives the organic multilayer structure as a base or a substrate directly the heat at a high temperature. Evaporated metal particles accumulate over the substrate and form a thin film during thermal stress the organic multilayer structure is exerted, which is an ther mixed diffusion of the metal particles caused a certain Damage to the organic multilayer structure generated.
Der Einfluss auf die organische Elektrolumineszenzvorrichtung durch die abgestrahlte Wärme hängt von einem Abstand des Sub strats von einer Verdampfungsquelle ab. Ist nämlich der Abstand des Substrats von einer Verdampfungsquelle groß, ist dieser Ein fluss auf die organische Elektrolumineszenzvorrichtung durch die abgestrahlte Wärme klein. In diesem Fall ist es jedoch notwen dig, einen Wärmekoeffizient des Verdampfungsmaterials oder eine Menge des Verdampfungsmaterials, die in einer Vakuumkammer zum Abscheiden eines Films gesetzt wird, in Abhängigkeit von der Zu nahme des Abstands von dem Substrat gegenüber der Verdampfungs quelle zu erhöhen. Unter diesem Gesichtspunkt ist das Heraufset zen des Abstands des Substrats von einer Verdampfungsquelle keine sehr effektive Maßnahme.The influence on the organic electroluminescent device by the radiated heat depends on a distance of the sub strats from an evaporation source. It is the distance of the substrate from a source of evaporation is large flow on the organic electroluminescent device through the radiated heat small. In this case, however, it is necessary dig, a heat coefficient of the vaporization material or a Amount of evaporation material that is used in a vacuum chamber Deposition of a film is set depending on the To increasing the distance from the substrate to the evaporation increase source. From this point of view, the upset is zen the distance of the substrate from an evaporation source not a very effective measure.
Fig. 2 ist eine Ansicht, die eine thermische Belastung von einer Kathode aus zeigt. Die allgemein verwendeten Materialien für die Kathode können eine thermische Belastung über dem Substrat er zeugen. Die Stärke der thermischen Belastung, die von der Katho de erzeugt wird, hängt von der Dicke bzw. Stärke der Kathode ab. Wenn die Dicke der Kathode groß ist, ist der Wert der thermi schen Belastung groß. Insbesondere, wie in Fig. 2 gezeigt ist, weist die Kathode einen mit dünnem Indiumzinnoxid (= ITO = In dium Tin Oxide) strukturierten Film auf. Die Flanken bzw. Kanten des mit dünnem Indiumzinnoxid (ITO) strukturierten Films als Ka thode erzeugen eine starke thermische Belastung bzw. thermische Spannungen, die an der organischen Schicht 1a neben den Kanten des mit dünnem Indiumoxid (ITO) strukturierten Films anliegen. Diese thermische Belastung kann anomale Ströme wie z. B. einen Kurzschlussstrom zwischen der Anode und der Kathode und einen Leckstrom verursachen. Fig. 2 is a view showing thermal stress from a cathode. The commonly used materials for the cathode can generate a thermal load on the substrate. The strength of the thermal load generated by the cathode depends on the thickness or strength of the cathode. If the thickness of the cathode is large, the value of the thermal load is large. In particular, as shown in FIG. 2, the cathode has a film structured with thin indium tin oxide (= ITO = indium tin oxide). The flanks or edges of the film structured with thin indium tin oxide (ITO) as the cathode generate a strong thermal load or thermal stresses which are present on the organic layer 1 a next to the edges of the film structured with thin indium oxide (ITO). This thermal load can cause abnormal currents such as e.g. B. cause a short circuit current between the anode and the cathode and a leakage current.
Die erste, vorliegende Erfindung stellt eine organische Elektro
lumineszenzvorrichtung bereit, die eine Anode, eine Kathode und
eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der Ka
thode aufweist, wobei die organische Schichtstruktur mindestens
eine organische Schicht aufweist, worin die organische Schicht
struktur eine Dicke "n" von weniger als 2000 Angström hat und
die Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die folgende Gleichung
gegeben ist:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström].The first, present invention provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n "of less than 2000 angstroms and the cathode has a thickness" L "given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms].
Die organische Schichtstruktur ist extrem dünn oder hat eine Stärke von weniger als 2000 Angström, weshalb die neuartige, or ganische Elektrolumineszenzvorrichtung fast frei von Einflüssen aufgrund abgestrahlter Wärme in dem Verdampfungsprozess zum Aus bilden der Kathode und aufgrund der Wärmediffusion des Kathoden materials wegen der anliegenden thermischen Belastung ist. Diese neuartige Struktur unterdrückt eine Temperaturerhöhung innerhalb ungefähr 20°C über dem Substrat.The organic layer structure is extremely thin or has one Strength of less than 2000 angstroms, which is why the novel, or ganic electroluminescent device almost free of influences due to radiated heat in the evaporation process form the cathode and due to the heat diffusion of the cathode materials because of the applied thermal load. This novel structure suppresses an increase in temperature inside about 20 ° C above the substrate.
Da die Stärke der organischen Schichtstruktur kleiner als 2000 Angström und die Dicke der Kathode durch die vorstehende Glei chung definiert ist, ist eine Wahrscheinlichkeit für die Unter brechung der Verbindung gering und der Einfluss auf die organi sche Schichtstruktur durch die thermische Belastung in dem Me tallverdampfungsprozess ist auch gering.Because the thickness of the organic layer structure is less than 2000 Angstrom and the thickness of the cathode through the above slide chung is a probability for the sub breakage of the connection low and the influence on the organi layer structure due to the thermal load in the me tall evaporation process is also low.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung sind die Stär ke der organischen Schichtstruktur zwischen der Anode und der Kathode und die Dicke der Kathode derart bestimmt, dass sie die vorstehenden Bedingungen einhalten, so dass die organische Schichtstruktur im wesentlichen frei von den Einflüssen aufgrund einer abgestrahlten Wärme in dem Verdampfungsprozess zum Ausbil den der Kathode und der angelegten Wärmebelastung ist. Die orga nische Elektrolumineszenzvorrichtung kann anomale Ströme wie einen Leckstrom und einen Kurzschlussstrom unterdrücken. Wenn die neuartige, organische Elektrolumineszenzvorrichtung in einer Anzeigevorrichtung vom einfachen Matrixtyp verwendet wird, ist diese Anzeigevorrichtung frei von einem Leuchten unausgewählter Pixel, wodurch ein Kontrast der Anzeigevorrichtung verbessert wird.In accordance with the present invention, the starches ke the organic layer structure between the anode and the Cathode and the thickness of the cathode determined so that they the Comply with the above conditions so that the organic Layer structure essentially free from the influences due to radiated heat in the evaporation process for training that of the cathode and the applied thermal load. The orga African electroluminescent device can abnormal currents such as suppress leakage current and short-circuit current. If the new organic electroluminescent device in one Simple matrix type display device is used this display device free from a glow of unselected Pixels, thereby improving contrast of the display device becomes.
Die zweite, vorliegende Erfindung stellt eine organische Elek
trolumineszenzvorrichtung bereit, die eine Anode, eine Kathode
und eine organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der
Kathode aufweist, wobei die organische Schichtstruktur minde
stens eine organische Schicht aufweist, worin die organische
Schichtstruktur eine Dicke "n" von nicht weniger als 2000 Ang
ström hat und die Kathode eine Dicke "L" hat, die durch die fol
gende Gleichung gegeben ist:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström].The second, present invention provides an organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n" of not less than 2000 angstroms and the cathode has a thickness "L" given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms].
Die organische Schichtstruktur ist extrem dünn und hat die Dicke von nicht weniger als 2000 Angström, weshalb die organische Schichtstruktur auch gegenüber thermischer Belastung aufgrund des Verdampfungsprozesses zum Ausbilden der Kathode beständig ist.The organic layer structure is extremely thin and has the thickness of not less than 2000 angstroms, which is why the organic Layer structure also due to thermal stress of the evaporation process to form the cathode is.
Da die Dicke der organischen Schichtstruktur nicht weniger als 2000 Angström beträgt und die Dicke der Kathode durch die vor stehende Gleichung definiert ist, ist die Wahrscheinlichkeit für eine Unterbrechung der Verbindung gering und der Einfluss auf die organische Schichtstruktur durch die thermische Belastung in dem Metallverdampfungsprozess ist auch gering.Since the thickness of the organic layer structure is not less than Is 2000 angstroms and the thickness of the cathode through the front is the probability for an interruption in the connection is minor and the impact on the organic layer structure due to the thermal load in the metal evaporation process is also low.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung sind die Dicken der organische Schichtstruktur zwischen der Anode und der Kathode und die Dicke der Kathode derart festgelegt, dass die vorstehenden Bedingungen eingehalten sind, so dass die organi sche Schichtstruktur im wesentlichen frei von Einflüssen auf grund von abgestrahlter bzw. freiwerdender Wärme in dem Verdamp fungsprozess zum Ausbilden der Kathode und aufgrund der angeleg ten thermischen Belastung ist. Die organische Elektrolu mineszenzvorrichtung ist deshalb in der Lage, anomale Ströme wie z. B. einen Leckstrom und einen Kurzschlussstrom zu unterdrücken. Wenn die organische Elektrolumineszenzvorrichtung der Erfindung in einer Anzeigevorrichtung vom einfachen Matrixtyp angewendet wird, ist diese Anzeigevorrichtung deshalb frei von einem licht aktiven Zustand eines unausgewählten Pixels, wodurch der Kon trast der Anzeigevorrichtung verbessert wird.In accordance with the present invention, the Thickness of the organic layer structure between the anode and the Cathode and the thickness of the cathode set such that the the above conditions are met, so that the organi cal layer structure essentially free of influences due to radiated or released heat in the evaporator Formation process for forming the cathode and due to the applied is thermal load. The organic electrol minescent device is therefore able to handle anomalous currents e.g. B. suppress a leakage current and a short-circuit current. When the organic electroluminescent device of the invention applied in a simple matrix type display device this display device is therefore free of light active state of an unselected pixel, whereby the Kon trast the display device is improved.
Die vorstehenden organische Schichtstruktur umfasst mindestens eine organische Schicht, aber die nachfolgend erwähnten organi schen Mehrschichtstrukturen sind beispielsweise in der neuarti gen organische Elektrolumineszenzvorrichtung verwendbar.The above organic layer structure comprises at least an organic layer, but the organi mentioned below Multilayer structures are, for example, in the Neuarti usable organic electroluminescent device.
Die erste organische Mehrschichtstruktur weist Schichten aus einer Anode, einer Lumineszenzschicht und einer Kathode auf.The first organic multilayer structure has layers an anode, a luminescent layer and a cathode.
Die zweite organische Mehrschichtstruktur weist Schichtungen aus einer Anode, einer Lochtransportschicht, einer Lumineszenz schicht und einer Kathode auf.The second organic multilayer structure shows layers an anode, a hole transport layer, a luminescence layer and a cathode.
Die dritte organische Mehrschichtstruktur weist Schichten aus einer Anode, einer Lochinjektionsschicht, einer Lumineszenz schicht und einer Kathode auf.The third organic multilayer structure has layers an anode, a hole injection layer, a luminescence layer and a cathode.
Die vierte organische Mehrschichtstruktur weist Schichtungen aus einer Anode, einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransport schicht, einer Lumineszenzschicht und einer Kathode auf.The fourth organic multilayer structure shows layers an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a luminescent layer and a cathode.
Die fünfte organische Mehrschichtstruktur weist Schichten aus einer Anode, einer Lumineszenzschicht, einer Elektronentrans portschicht und einer Kathode auf. The fifth organic multilayer structure has layers an anode, a luminescent layer, an electron trans port layer and a cathode.
Die sechste organische Mehrschichtstruktur weist Schichten aus einer Anode, einer Lochinjektionsschicht, einer Lumineszenz schicht, einer Elektronentransportschicht und einer Kathode auf.The sixth organic multilayer structure has layers an anode, a hole injection layer, a luminescence layer, an electron transport layer and a cathode.
Die siebte organische Mehrschichtstruktur weist Schichtungen aus einer Anode, einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransport schicht, einer Lumineszenzschicht, einer Elektronentransport schicht und einer Kathode auf.The seventh organic multilayer structure shows layers an anode, a hole injection layer, a hole transport layer, a luminescent layer, an electron transport layer and a cathode.
Die Lumineszenzschicht, die Lochinjektionsschicht, die Loch transportschicht und die Elektronentransportschicht können je weils als einzelne Schicht oder als Vielfachschicht aufgebaut sein. Weiterhin kann als Modifikation der vorstehenden Struk turen eine weitere organische Schicht optional in einer Grenz schicht zwischen den vorstehenden, organischen Schichten einge fügt sein.The luminescent layer, the hole injection layer, the hole transport layer and the electron transport layer can each because built up as a single layer or as a multiple layer his. Furthermore, as a modification of the above structure ture another organic layer optionally in a border layer between the above organic layers adds his.
Verfügbare Materialien für die Lochtransportschicht in der orga nische Elektrolumineszenzvorrichtung der vorliegenden, vorste henden Erfindung sind nicht auf spezielle organische Materialien beschränkt. Die Verbindungen, die als Lochtransportschichtma terial bekannt sind, und neuartige Materialien sind verwendbar bzw. verfügbar, z. B. Bis-(Di(p-Tolyl)Aminophenyl)-1,1-Sycrohexthan, N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Methylphenyl)-1,1'-Biphenyl-4,4'-Diamin, N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin.Available materials for the hole transport layer in the orga African electroluminescent device of the present, vorste Invention are not based on special organic materials limited. The connections that act as hole transport layers are known, and novel materials can be used or available, e.g. B. Bis- (di (p-tolyl) aminophenyl) -1,1-sycrohexthane, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-methylphenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine, N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine.
Verfügbare Materialien für die Lumineszenzschicht können die be kannten lumineszierenden Materialien, z. B. Anthrazen, Pyren, Tri(8-Quinolinolato) Aluminium-Komplex und Derivate davon sein. Weiterhin sind verwendbar Bis-Styryl-Anthrazen-Derivate, Tetra phenyl-Butadien-Derivate, Cumann-Derivate, Oxadiazol-Derivate, Di-Styryl-Benzol-Derivate, Pyrrolopyridin-Derivate, Perinon-De rivate, Zyklo-pentadien-Derivate, Oxazol-Derivate, Thiadiazolo pyridin-derivate und Perylen-Derivate. Polymere sind auch ver wendbar, z. B. Polyphenylen-Vinylen-Derivate, Polyparaphenylen- Derivate und Polythiophen-Derivate. Available materials for the luminescent layer can be knew luminescent materials, e.g. B. anthracene, pyrene, Tri (8-quinolinolato) aluminum complex and derivatives thereof. Bis-styryl-anthracene derivatives, tetra, can also be used phenyl butadiene derivatives, cumann derivatives, oxadiazole derivatives, Di-styryl-benzene derivatives, pyrrolopyridine derivatives, Perinon-De derivatives, cyclopentadiene derivatives, oxazole derivatives, thiadiazolo pyridine derivatives and perylene derivatives. Polymers are also ver reversible, e.g. B. polyphenylene-vinylene derivatives, polyparaphenylene Derivatives and polythiophene derivatives.
Es ist auch möglich, kleine Mengen einer Verunreinigung der Lu mineszenzschicht absichtlich hinzuzufügen, um den Lichtwirkungs grad zu verbessern und die Leuchtlebensdauer auszudehnen. Ver fügbare und anwendbare Verunreinigungen sind z. B. Rubren, Quina cridon-Derivate, Phenoxazon 660, Dicyanomethylenstyrylpyran-De rivate, Perinon, Perylen, Cumarin-Derivate, Dimethylaminopyra zincarbonitril, Pyrazindicarbonitril-Derivate, Nile Red und Rho damin-Derivate.It is also possible to remove small amounts of Lu contamination intentionally add minescent layer to the lighting effect degrees and to extend the luminous life. Ver available and applicable impurities are e.g. B. Rubren, Quina cridone derivatives, phenoxazone 660, dicyanomethylene styryl pyran de derivatives, perinone, perylene, coumarin derivatives, dimethylaminopyra zincarbonitril, pyrazine dicarbonitrile derivatives, Nile Red and Rho damine derivatives.
Die Elektronentransportschicht ist erforderlich für den Trans port der Elektronen, die von der Kathode wirksam injiziert wer den, weshalb das Material für die Elektronentransportschicht da nach ausgewählt ist, dass es eine hohe Elektronenbeweglichkeit und eine hohe Elektronenaffinität hat und dass es überlegen in der Formbarkeit bzw. Herstellbarkeit ist. Verfügbare und ver wendbare organische Materialien für die Elektronentransport schicht sind z. B. Oxynkomplexe wie Tri(8-Quinolinolato) Alu miniumkomplex, Perylen-Derivate, Perinon-Derivate, Naphtalen-De rivate, Cumarin-Derivate, Oxadiazol-Derivate und Phenanthrolin- Derivate.The electron transport layer is required for the trans port of the electrons that are effectively injected from the cathode which is why the material for the electron transport layer is there after is selected that there is high electron mobility and has high electron affinity and that it is superior in the formability or manufacturability. Available and ver reversible organic materials for electron transport layer are z. B. oxyn complexes such as tri (8-quinolinolato) aluminum minium complex, perylene derivatives, perinone derivatives, Naphtalen-De derivatives, coumarin derivatives, oxadiazole derivatives and phenanthroline Derivatives.
Die vorstehenden, organischen Schichten können durch ein Vakuum- Verdampfungsverfahren ausgebildet werden. Zudem ist ein Elek tronenstrahlverdampfungsverfahren, ein Sputterverfahren, eine Molekularschichtungsverfahren, ein Beschichtungsverfahren aus einem Lösungsmittel verwendbar. Das organische Material wird ge löst oder in dem Lösungsmittel verteilt, und zwar zusammen mit irgendeinem der ringöffnenden Polymere aus Polyvinylchlorid, Po lycarbonat, Polystyren, Poly(N-Vinylcarbazol), Polymethylmetha crylat, Polybutylmethacrylat, Norboren-Derivate und auch Poly ester, Polysulfon, Polyphenylenoxid, Polybutadien, Kohlenwasser stoff-Harze, Keton-Harze, Phenoxy-Harze, Polyamid, Ethylzellu lose, ABS-Harze, Phenol-Harze, Silikon-Harze und Epoxid-Harze.The above organic layers can be vacuum Evaporation processes are formed. There is also an elec electron beam evaporation process, a sputtering process, a Molecular layering process, a coating process usable with a solvent. The organic material is ge dissolves or distributed in the solvent, together with any of the ring opening polymers of polyvinyl chloride, Po lycarbonate, polystyrene, poly (N-vinylcarbazole), polymethylmetha crylate, polybutyl methacrylate, norborene derivatives and also poly ester, polysulfone, polyphenylene oxide, polybutadiene, hydrocarbon fabric resins, ketone resins, phenoxy resins, polyamide, ethyl cell loose, ABS resins, phenolic resins, silicone resins and epoxy resins.
Die Anode muss transparent sein, damit Licht durch die Anode hindurch treten kann. Verwendbare Materialien für die Anode sind z. B. Oxide von leitenden Metallen wie Zinnoxid, Indiumoxid und Indiumzinnoxid (ITO), Metalle wie Gold, Silber, Chrom und Alu minium, Schichtungen aus diesen Metallen und Indiumzinnoxid (ITO), anorganische, leitende Materialien wie Kupferiodit und Kupfersulfit, leitende Polymere wie Polythiophen, Polypyrrol, Polyanylin, Polyphenylenvenylen, Polyphenylen, Polyäthylen und diese Polymere mit einem leitenden Dotierungsmittel dotiert und Schichtungen aus diesen leitenden Polymeren und Indiumzinnoxid (ITO). Ein Indiumzinnoxidglas oder ein Nesaglas werden bevor zugt. Weiterhin wird bevorzugt, dass der Widerstand der Anode wegen der möglichen Reduzierung des Stromverbrauchs niedrig ist.The anode must be transparent to allow light through the anode can step through. Usable materials for the anode are e.g. B. oxides of conductive metals such as tin oxide, indium oxide and Indium tin oxide (ITO), metals such as gold, silver, chrome and aluminum minium, layers of these metals and indium tin oxide (ITO), inorganic, conductive materials such as copper iodite and Copper sulfite, conductive polymers such as polythiophene, polypyrrole, Polyanylin, polyphenylene venylene, polyphenylene, polyethylene and doped these polymers with a conductive dopant and Layers of these conductive polymers and indium tin oxide (ITO). An indium tin oxide glass or a Nesa glass are before moves. It is further preferred that the resistance of the anode because of the possible reduction in electricity consumption is low.
Die Kathode muss Elektronen der Lumineszenzschicht wirksam zu führen. Das Material der Kathode sollte wegen der Haftung an einem Material, das benachbart zu der Kathode ist, und einem io nisierenden Potential ausgewählt werden. Das Material muss auch in der Atmosphäre stabil sein, damit es konstante Eigenschaften und ein stabiles Betriebsverhalten für eine lange Zeit beibehal ten kann. Wenn jedoch ein Passivierungsfilm oder ein Schutzfilm oder ein Scalingrein optional verwendet werden, müssen diese Ma terialien nicht die vorstehenden Erfordernisse einhalten. Ver wendbare Materialien für die Kathode sind z. B. Indium, Gold, Silber, Aluminium, Blei, Magnesium, Seltenerdeelemente, Alkali metalle und Legierungen davon.The cathode must be effective to electrons the luminescent layer to lead. The material of the cathode should be adhered to a material that is adjacent to the cathode and an io potential potential. The material must also be stable in the atmosphere so it has constant properties and maintain stable performance for a long time can. However, if a passivation film or a protective film or a scaling rein can be used optionally, these dimensions materials do not meet the above requirements. Ver reversible materials for the cathode are e.g. B. indium, gold, Silver, aluminum, lead, magnesium, rare earth elements, alkali metals and alloys thereof.
Die abgestrahlte Wärme, die von dem Verdampfungsprozess zum Aus bilden der Kathode erzeugt wird, und die thermische Belastung variieren in Abhängigkeit von der Dicke der Kathode. Die Stabi lität der organischen Schicht gegenüber der abgestrahlten bzw. freigesetzten Wärme und der Wärmebelastung variiert in Abhängig keit von der Dicke der organischen Schicht.The radiated heat from the evaporation process to the end form the cathode is generated, and the thermal load vary depending on the thickness of the cathode. The stabilizer the organic layer compared to the emitted or Released heat and the heat load varies depending on the thickness of the organic layer.
Die abgestrahlte oder auftretende Wärme, die in dem Verdamp fungsprozess zum Ausbilden der Kathode erzeugt wird, und die Wärmebelastung nehmen nämlich zu, wenn die Kathode in der Dicke zunimmt. Wenn die Dicke der organischen Schicht kleiner als 2000 Angström ist, ist es unwahrscheinlich, dass die organische Schicht dem Einfluss einer thermischen Diffusion des Kathodenma terials aufgrund der abgestrahlten Wärme, die in dem Verdamp fungsprozess zum Ausbilden der Kathode erzeugt wird, und auf grund der Wärmebelastung ausgesetzt ist. Wenn jedoch die Dicke der organischen Schicht nicht kleiner als 2000 Angström ist, ist die organische Schicht gegenüber der thermischen Belastung be ständig bzw. stabil, die in dem Verdampfungsprozess zum Ausbil den der Kathode erzeugt wird.The radiated or occurring heat that is in the evaporator Formation process for forming the cathode is generated, and the Namely, heat stress increase when the cathode is thick increases. If the thickness of the organic layer is less than 2000 Angstroms is unlikely to be organic Layer under the influence of thermal diffusion of the cathode dimension terials due to the radiated heat in the evaporator Formation process for forming the cathode is generated, and on exposed to heat. However, if the thickness the organic layer is not less than 2000 angstroms the organic layer against the thermal load be constant or stable, which in the evaporation process for training which the cathode is generated.
Wenn die Dicke der organischen Schicht kleiner als 2000 Angström
ist, um nämlich den Einfluss der thermischen Diffusion des Ka
thodenmaterials aufgrund der abgestrahlten Wärme, die in dem
Verdampfungsprozess zum Ausbilden der Kathode erzeugt wird, und
der thermischen Belastung zu vermeiden, ist die Dicke "L" der
Kathode durch die Gleichung gegeben:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" die Dicke der
organischen Schicht ist. Wenn die Dicke "L" der Kathode kleiner
als 400 Angström ist, ist es wahrscheinlich, dass die Kathode
dann einer Trennungswirkung der Verbindung ausgesetzt ist. Wenn
die Dicke "L" der Kathode n × 0,8 Angström überschreitet, ist
der Einfluss auf die organische Schicht aufgrund der thermischen
Belastung, die in dem Metallabscheidungsprozess erzeugt wird,
groß, wodurch ein anomaler Strom wahrscheinlich verursacht wird.If the thickness of the organic layer is less than 2000 angstroms to avoid the influence of the thermal diffusion of the cathode material due to the radiated heat generated in the evaporation process for forming the cathode and the thermal stress, the thickness "L "given to the cathode by the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is the thickness of the organic layer. If the thickness "L" of the cathode is less than 400 angstroms, then the cathode is likely to be subjected to a disconnection effect of the connection. If the thickness "L" of the cathode exceeds n × 0.8 angstroms, the influence on the organic layer is large due to the thermal stress generated in the metal deposition process, which is likely to cause an abnormal current.
Wenn die Dicke der organischen Schicht kleiner als 2000 Angström
ist, ist die Dicke "L" der Kathode durch die Gleichung gegeben:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" die Dicke der
organischen Schicht ist, so dass die organische Schicht frei von
dem Einfluss oder der Beschädigung durch die abgestrahlte Wärme,
die in dem Verdampfungsprozess zum Ausbilden der Kathode erzeugt
wird, und von der thermischen Belastung ist, wodurch der Leck
strom und der Kurzschlussstrom reduziert werden.If the thickness of the organic layer is less than 2000 angstroms, the thickness "L" of the cathode is given by the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is the thickness of the organic layer, so that the organic layer is free from the influence or damage from the radiated heat to be formed in the evaporation process the cathode is generated, and is off the thermal load, thereby reducing the leakage current and the short-circuit current.
Wenn die Dicke der organischen Schicht nicht kleiner als 2000
Angström ist, ist die Dicke "L" der Kathode durch die Gleichung
gegeben:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], wobei "n" die Dicke der
organischen Schicht ist.If the thickness of the organic layer is not less than 2000 angstroms, the thickness "L" of the cathode is given by the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms], where "n" is the thickness of the organic layer.
Wenn die Dicke "L" der Kathode kleiner als 400 Angström ist, ist es wahrscheinlich, dass die Kathode einem Trennungseinfluss der Verbindung ausgesetzt ist. Wenn die Dicke "L" der Kathode n × 3 Angström überschreitet, ist ein Einfluss auf die organische Schicht aufgrund der thermischen Belastung, die in dem Metallab scheidungsprozess erzeugt wird, groß, wodurch der anomale Strom wahrscheinlich verursacht wird.When the cathode thickness "L" is less than 400 angstroms it is likely that the cathode will be affected by the separation Connection is suspended. If the thickness "L" of the cathode is n × 3 Angstroms is an influence on the organic Layer due to the thermal stress in the metal divorce process is generated, causing the abnormal current probably caused.
Wenn die Dicke der organischen Schicht nicht kleiner als 2000 Angström ist, ist die Dicke "L" der Kathode durch die Gleichung gegeben: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], wobei "n" die Dicke der organischen Schicht ist, so dass die organische Schicht frei von einem Einfluss oder einer Beschädigung aufgrund der abgestrahlten Wärme, die in dem Verdampfungsprozess zum Aus bilden der Kathode erzeugt wird, und aufgrund der thermischen Belastung ist, wobei der Leckstrom und der Kurzschlussstrom re duziert werden.If the thickness of the organic layer is not less than 2000 Angstroms is the thickness "L" of the cathode through the equation given: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], where "n" is the Thickness of the organic layer is so that the organic Layer free from any influence or damage due to the radiated heat that comes to an end in the evaporation process form the cathode is generated, and due to the thermal Load, the leakage current and the short-circuit current re be reduced.
Ein Indiumzinnoxidfilm mit einer Dicke von 1000 Angström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sputterverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand der Indiumzinn oxidschicht betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxidfilm wur de dann einem Ätzen zum Ausbilden einer Struktur bzw. eines Mu sters aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassub strat unterzogen, wodurch das transparente Glassubstrat mit der Indiumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung durch reines Wasser und einer IPA- und nachfolgenden UV-Ozon-Reinigung ausgesetzt, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen.An indium tin oxide film with a thickness of 1000 angstroms was made on a transparent glass substrate by a sputtering process deposited. A measured sheet resistance of the indium tin oxide layer was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was de then an etching to form a structure or a Mu sters from the indium tin oxide film on the transparent glass sub strat, whereby the transparent glass substrate with the Indium tin oxide structure was made. The substrate was then a cleaning with pure water and an IPA and subsequent UV ozone cleaning exposed to the surface to clean the substrate.
Als Material der Lochtransportschicht wurden 100 mg von Alpha- NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Dia min) auf einer Molybdän-Platte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Aluminiumkomplex) auf einer weiteren Molybdän-Platte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer eines Vakuum-Verdamp fungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungs quellen waren. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkam mer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Ver dampfungssystem wurde bis zu einem Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdän-Platte mit Alpha-NPD erwärmt wur de. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass sich eine Ver dampfungsrate von Alpha-NPD mit 3 Angström/sec konstant ein stellte. Danach wurde ein Verschluss (shutter), der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Ablagerung bzw. Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss geschlossen. Auf die gleiche Weise wurde die Molybdän-Platte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 konstant mit 3 Angström/sec eingehalten wurde. Danach wurde ein Ver schluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss geschlossen, wodurch Schichtungen der orga nischen Schichten ausgebildet wurden. Eine gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.The material of the hole transport layer was 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-dia min) on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) aluminum complex) on another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of a vacuum evaporator System used in such a way that they separate evaporation were swell. The above substrate was put in the vacuum of the vacuum evaporation system. The vacuum ver steaming system was up to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with alpha NPD de. The temperature was controlled so that a ver vaporization rate of alpha NPD at 3 angstroms / sec posed. Then a shutter was attached to a upper section of the system was intended to be opened to the Deposition or deposition of alpha NPD to start. After this the alpha NPD film was deposited with a thickness of 500 angstroms the shutter was closed. In the same way the molybdenum plate was heated with Alq3. The temperature was controlled such that an evaporation rate of Alq3 is constant at 3 angstroms / sec. Then a ver conclusion, which is provided at an upper portion of the system was open to start Alq3 deposition. After this the Alq3 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the clasp was closed, causing stratification of the orga African layers were formed. A measured total thickness the organic layer was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet wurde, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehend erwähnten Platten wurden herausgenommen. Vor Ort wurde 1 g Aluminium auf einer Wolfram platte präpariert. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuumverdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass sich eine konstante Verdampfungsrate von Aluminium mit 4 Angström/sec einstellte. Danach wurde der Ver schluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Ablagerung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Lumineszenzvorrichtung mit einer Mehrschicht struktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/Al hergestellt, wobei der ITO- Film als eine Anode dient, während der Aluminiumfilm als eine Kathode dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die die Gleichung einhält: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wo bei "n" die Gesamtdicke des Alpha-NPD/Alq3-Films mit 1100 Ang ström ist.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The plates mentioned above were taken out. 1 g of aluminum was placed on a tungsten prepared plate. The plate was then placed in the vacuum chamber of the Evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the Tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled such that a constant evaporation rate of Set aluminum at 4 angstroms / sec. Then the Ver conclusion, which was provided on the upper section of the system, opened to start the deposition of aluminum. After this the aluminum film is deposited with a thickness of 600 angstroms the lock was closed again. As a result an organic luminescent device with a multilayer Structure made of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / Al, the ITO Film serves as an anode, while the aluminum film serves as one Serves cathode and the aluminum film has a thickness "L" that the Equation adheres to: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms] where at "n" the total thickness of the alpha NPD / Alq3 film with 1100 angstroms is current.
Eine Spannung im Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 2000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 200 pA verursacht wurde. Fast kein Leckstrom wurde beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, creating a current of 2000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode where was caused by a current of 200 pA. Almost no leakage current was observed. A rectification ratio at 15 V was 1 × 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer Struktur aus Indiumzinnoxid hergestellt wurde. Das Substrat wur de dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgenden UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with a Structure made from indium tin oxide. The substrate was de then cleaning with pure water and an IPA and subjected to subsequent UV ozone cleaning to the surface to clean the substrate.
Als Material der Lochtransportschicht wurden 100 mg von Alpha- NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Dia min) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lochinjekti onsschicht-Material wurden 100 mg von Kupferphthalocyanin auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Als Material der Lu mineszenzschicht wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Aluminiumkomplex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte her gestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuumverdamp fungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungs quellen darstellten. Das vorstehende Substrat wurde in die Vaku umkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum- Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Kupfer-Phthalocyanin er wärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Kupfer-Phthalocyanin bei konstant 3 Ang ström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Kupfer-Phthalocyanin zu starten. Nachdem der Kupferphthalocyanin-Film mit einer Dicke von 300 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alpha- NPD erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec ein gestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen aus den organi schen Schichten ausgebildet wurden. In der gleichen Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Alq3 mit 3 Angström/sec konstant eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 700 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen aus den organi schen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1600 Angström.The material of the hole transport layer was 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-dia min) made on a molybdenum plate. As a hole injection onsichtmaterial were 100 mg of copper phthalocyanine manufactured another molybdenum plate. As material of the Lu mescent layer were 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) aluminum complex) on yet another molybdenum plate posed. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporator System used in such a way that they separate evaporation sources represented. The above substrate was put in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system. The vacuum Evaporation system was at a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate with copper phthalocyanine was warmed. The temperature was controlled so that a Evaporation rate of copper phthalocyanine at a constant 3 ang flow / sec was set. After that, a clasp that was intended at an upper portion of the system, opened, to start the deposition of copper phthalocyanine. After this the copper phthalocyanine film with a thickness of 300 angstroms was closed, the lock was closed again. In In the same way, the molybdenum plate with alpha NPD warmed. The temperature was controlled so that a Evaporation rate of alpha NPD at a constant 3 angstroms / sec was asked. After that, a fastener was attached to the top Section of the system was intended to be open to the Abbei start from Alpha NPD. After the alpha NPD film with a thickness of 550 angstroms, the ver finally closed again, resulting in stratifications from the organi layers were formed. In the same way the molybdenum plate is heated with Alq3. The temperature became like this controlled that the evaporation rate of Alq3 was 3 angstroms / sec was set constant. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of Alq3. After the Alq3 film with 700 Angstroms thick, the Ver finally closed again, resulting in stratifications from the organi layers were formed. The measured total thickness the organic layers were 1600 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte prä
pariert. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium mit 4 Ang
ström/sec konstant eingestellt wurde. Danach wurde ein Ver
schluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Ab
scheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm
mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der
Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Vielschicht struktur aus
ITO/Kupferphthalocyanin/Alpha-NPD/Alq3/Al hergestellt, worin der
ITO-Film als Anode dient, während der Aluminiumfilm als Kathode
dient und die Aluminiumschicht eine Dicke "L" hat, die der Glei
chung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei. "n" 1600 Angström
als Gesamtdicke der Kupferphthalocyanin/Alpha-NPD/Alq3-Filme be
trägt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of aluminum was prepared on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constantly set at 4 angstroms / sec. A lock was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum. After the aluminum film was deposited with a thickness of 1000 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multilayer structure was made of ITO / copper phthalocyanine / alpha-NPD / Alq3 / Al, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum film serves as a cathode and the aluminum layer has a thickness "L" that the equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where. "n" is 1600 angstroms as the total thickness of the copper phthalocyanine / alpha NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1800 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 100 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,8 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, creating a current of 1800 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode where was generated by a current of 100 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.8 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Indiumkomplex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuumverdampfungs systems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquel len darstellten. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuum kammer des Vakuumverdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuumver dampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa eva kuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsra te von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha- NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder ge schlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplat te mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 mit konstant 3 Angström/sec ein gestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) indium complex) on yet another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of vacuum evaporation systems used in such a way that they separate evaporation sources len represented. The above substrate was put in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system used. The vacuum ver steaming system was evac. to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled so that an evaporation room te of alpha NPD was set at a constant 3 angstroms / sec. After that, a fastener was attached to an upper portion of the System was intended to open the deposition of alpha To start NPD. After the alpha NPD film with a thickness of 500 angstroms had been separated, the closure was closed again closed. In the same way, the molybdenum plate heated with Alq3. The temperature was controlled in such a way that an evaporation rate of Alq3 with a constant 3 angstroms / sec was asked. After that, a fastener was attached to the top Section of the system was intended to be open to the Abbei start of Alq3. After the Alq3 film with a thickness was separated from 550 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte präpariert. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssy stems eingesetzt. Das Vakuumverdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Indium mit 4 Angström/sec kon stant eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu starten. Nachdem der Indiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/In hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Aluminium als Kathode dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke des Alpha-NPD/Alq3-Films 1100 Angström be trägt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g of indium was prepared on a tungsten plate. The plate was then placed in the evaporation system vacuum chamber stems used. The vacuum evaporation system was switched on Vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa evacuated before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled that an evaporation rate of indium with 4 angstroms / sec was set stant. After that, a closure was on the top Section of the system opened to allow the deposition of indium start. After the indium film with a thickness of 600 angstroms was closed, the lock was closed again. in the The result was using an organic electroluminescent device a multi-layer structure made of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / In, where the ITO film serves as the anode, while the aluminum as Serves cathode and the aluminum film has a thickness "L" that the Equation follows: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 film is 1100 angstroms wearing.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 700 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 300 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 2,3 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the in cathode applied, creating a current of 700 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 300 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 2.3 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen der UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Material der Lumi neszenzschicht wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Alu miniumlithiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungs systems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquel len darstellen. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkam mer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Ver dampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa eva kuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsra te von Alpha-NPD mit konstant 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha- NPD zu starten. Nachdem das Alpha-NPD mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlos sen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 mit konstant 3 Angström/sec einge stellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Ab schnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder ge schlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausge bildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schich ten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As material of the Lumi 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinolato) Alu minium lithium complex) on another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of vacuum evaporation systems used in such a way that they separate evaporation sources represent len. The above substrate was put in the vacuum of the vacuum evaporation system. The vacuum ver steaming system was evac. to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled so that an evaporation room alpha-NPD was set at a constant 3 angstroms / sec. After that, a fastener was attached to an upper portion of the System was intended to open the deposition of alpha To start NPD. After the alpha NPD with a thickness of 500 Angström was separated, the lock was closed again sen. In the same way, the molybdenum plate was made with Alq3 warmed. The temperature was controlled so that a Evaporation rate of Alq3 at a constant 3 angstroms / sec was put. After that, a fastener was attached to the upper Ab The system's cut was intended to open to the deposition to start from Alq3. After the Alq3 film with a thickness of 550 Angstrom was separated, the closure was again closed, resulting in stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic layer ten was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Auch 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte
präpariert. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Ver
dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde
auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wol
framplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde de
rart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4
Angström/sec konstant gegeben war. Die Wolframplatte mit Lithium
wurde erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine
Verdampfungsrate von Lithium mit 2 Angström/sec konstant einge
stellt wurde. Danach wurde ein Verschluss an einem oberen Ab
schnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium
lithium zu starten. Nachdem der Aluminiumlithiumfilm mit einer
Dicke von 600 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss
wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolu
mineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/Al
pha-NPD/Alq3/AlLi hergestellt, worin der ITO-Film als Anode
dient, während der Aluminiumlithiumfilm als Kathode dient und
der Aluminiumlithiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung
folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei, "n" 1100 Angström
als Gesamtdicke des Alpha-NPD/Alq3-Films beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was also prepared on a further tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled in such a way that an evaporation rate of lithium with 2 angstroms / sec was constantly set. A shutter was then opened at an upper section of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum-lithium film with a thickness of 600 angstroms was deposited, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multilayer structure was made of ITO / Al-pha-NPD / Alq3 / AlLi, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum lithium film serves as a cathode and the aluminum lithium film has a thickness "L" that Equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where, "n" is 1100 angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 film.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 2000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 60 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 3,3 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 2000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 60 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 3.3 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Mag nesiumsilberkomplex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte her gestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdamp fungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Ver dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Mo lybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate des Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec gegeben war. Danach wurde ein Ver schluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström ab geschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 er wärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdamp fungsrate von Alq3 konstant bei 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vor gesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abge schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen aus organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Ang ström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) Mag nesium silver complex) on yet another molybdenum plate posed. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporator system used as separate evaporation sources. The the above substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum ver damping system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the Mo lybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled such that an evaporation rate of the alpha NPD at constant 3 angstroms / sec was given. Then a ver conclusion, which is provided at an upper portion of the system was open to start the deposition of alpha NPD. After the alpha NPD film with a thickness of 500 angstroms was divorced, the lock was closed again. In the same way, the molybdenum plate with Alq3 he warms. The temperature was controlled so that the evaporator The rate of formation of Alq3 was constant at 3 angstroms / sec. After that was a closure that is on an upper section of the system was opened to start Alq3 deposition. After the Alq3 film was stripped to a thickness of 550 angstroms divorced, the lock was closed again, causing Layers of organic layers were formed. The total measured thickness of the organic layers was 1100 Ang stream
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Magnesium wurde auf einer Wolframplatte präpariert. Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g of magnesium was prepared on a tungsten plate.
Auch 1 g Silber wurde auf einer Wolframplatte präpariert. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vaku umdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte mit Magnesium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde auf eine konstante Verdampfungsrate des Magnesiums von 7 Angström/sec eingestellt. Die Wolframplatte mit Silber wurde erwärmt. Die Temperatur wurde auf eine konstante Verdampfungsrate des Silbers von 4 Ang ström/sec eingestellt. Danach wurde ein Verschluss am oberen Ab schnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Mag nesiumsilber zu starten. Nachdem der Magnesiumsilberfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Mehrschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/MgAg hergestellt, worin der ITO-Film als Ano de dient, während der Magnesiumsilberfilm als Kathode dient und der Magnesiumsilberfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" 1100 Angström als Gesamtdicke des Alpha-NPD/Alq3-Films beträgt.1 g of silver was also prepared on a tungsten plate. The Plates were then placed in the evaporation system vacuum chamber used. The vacuum evaporation system was on a vacuum transfer pressure of 4 × 10-4 Pa evacuated before using the tungsten plate Magnesium was warmed. The temperature was at a constant Evaporation rate of magnesium set at 7 angstroms / sec. The tungsten plate with silver was heated. The temperature was to a constant evaporation rate of silver of 4 angstroms flow / sec set. Then a closure on the upper Ab cut the system open to the deposition of Mag to start sodium silver. After the magnesium silver film with 600 angstroms thick, the Ver closed again. As a result, an organic Electroluminescent device with a multilayer structure ITO / Alpha-NPD / Alq3 / MgAg, in which the ITO film as Ano de serves, while the magnesium silver film serves as a cathode and the magnesium silver film has a thickness "L" that of the equation follows: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1100 Angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 film.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1100 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 100 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,0 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the MgAg cathode applied, creating a current of 1100 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the MgAg cathode where was generated by a current of 100 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.0 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Aluminiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungs systems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vor stehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdamp fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdän platte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec gegeben war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD- Film mit einer Dicke von 800 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec eingehalten wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtun gen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Eine gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1800 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) aluminum complex) on another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of vacuum evaporation systems used as separate evaporation sources. That before Standing substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporator system used. The vacuum evaporation system was on evacuated a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of alpha NPD at constant 3 angstroms / sec was given. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of alpha NPD. After the Alpha NPD Film with a thickness of 800 angstroms was deposited the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled so that an evaporation rate of alpha NPD at a constant 3 angstroms / sec. After that was a Closure provided on the upper section of the system was open to start Alq3 deposition. After this the Alq3 film is deposited with a thickness of 1000 angstroms the shutter was closed again, causing stratification were formed against the organic layers. A measured one Total organic layer thickness was 1800 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium mit 4 Ang ström/sec konstant eingestellt wurde. Danach wurde ein Ver schluss an einem oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 1300 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Mehrschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/Al hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Aluminium als Kathode dient und der Alu miniumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" 1800 Angström als Gesamtdicke des Alpha-NPD/Alq3-Schichten beträgt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g of aluminum was prepared on a tungsten plate poses. The plate was then placed in the vacuum chamber of the evaporator system used. The vacuum evaporation system was on evacuated a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of aluminum with 4 ang flow / sec was set constant. Then a ver open at an upper section of the system to the Start depositing aluminum. After the aluminum film was deposited with a thickness of 1300 angstroms, the Closure closed again. As a result, an organic Electroluminescent device with a multilayer structure ITO / Alpha-NPD / Alq3 / Al manufactured, in which the ITO film as an anode serves while the aluminum serves as the cathode and the aluminum minium film has a thickness "L" that follows the equation: 400 [Angstrom] ≦ L ≦ n × 0.8 [Angstrom], where "n" is 1800 Angstrom as Total thickness of the alpha NPD / Alq3 layers is.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 200 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 60 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtungsverhältnis bei 15 V betrug 3,3 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 200 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 60 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 3.3 x 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen. An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Indiumkom plex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart ein gesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen darstellten. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuumver dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuumverdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Mo lybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate des Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Ver schluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 800 Angström ab geschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 er wärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdamp fungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec eingehalten wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Al pha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. In der gleichen Art und Weise wurde die Molyb dänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteu ert, dass die Verdampfungsrate von Alq3 konstant auf 3 Ang ström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der or ganischen Schichten betrug 1800 Angström. As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) indium com plex) on another molybdenum plate. they were into a vacuum chamber of the vacuum evaporation system set that they were separate sources of evaporation. The the above substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum ver damping system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the Mo lybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled such that an evaporation rate of the alpha NPD at constant 3 angstroms / sec. Then a ver conclusion, which is provided at an upper portion of the system was open to start the deposition of alpha NPD. After the alpha NPD film has a thickness of 800 angstroms was divorced, the lock was closed again. In the same way, the molybdenum plate with Alq3 he warms. The temperature was controlled so that an evaporator rate of alpha NPD at a constant 3 angstroms / sec has been. After that, a clasp was attached to the top section the system was designed to open the deposition of Al to start pha-NPD. After the alpha NPD film with a thickness was separated from 550 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. In the same way the Molyb the heating plate is heated with Alq3. The temperature was so controlled found that the evaporation rate of Alq3 was constant at 3 Ang flow / sec was set. After that, a closure of the an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of Alq3. After the Alq3 film with a thickness of 1000 angstroms, the Ver closed again, creating layers of organic Layers were formed. The measured total thickness of the or ganic strata was 1800 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte hergestellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssy stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Indium auf konstant 4 Ang ström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss an einem oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu starten. Nachdem der Indiumfilm mit einer Dicke von 1300 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolu mineszenzvorrichtung mit einer Mehrschichtstruktur aus ITO/Al pha-NPD/Alq3/Tn hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Indiumfilm als Kathode dient und der Indiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" 1800 Angström als Gesamtdicke der Al pha-NPD/Alq3-Schichten beträgt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g of indium was produced on a tungsten plate. The plate was then placed in the evaporation system vacuum chamber stems used. The vacuum evaporation system was switched on Vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa evacuated before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled that an evaporation rate from indium to a constant 4 ang flow / sec was set. After that, a fastener was put on an upper section of the system opened to the deposition to start from indium. After the indium film with a thickness was separated from 1300 angstroms, the breech was closed again closed. As a result, an organic electrol Minescent device with a multilayer structure made of ITO / Al pha-NPD / Alq3 / Tn, in which the ITO film serves as an anode, while the indium film serves as the cathode and the indium film serves as a Thickness "L" that follows the equation: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [Angstrom], where "n" is 1800 Angstrom as the total thickness of the Al pha-NPD / Alq3 layers.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 100 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 200 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 2,0 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the in cathode applied, causing a current of 100 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 200 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 2.0 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächen widerstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured area resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als ein Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha- NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Dia min) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Aluminiumlithiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdamp fungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungs quellen darstellten. Das vorgenannte Substrat wurde in die Vaku umkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum- Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsra te von Alpha-NPD auf konstant 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha- NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 800 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder ge schlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplat te mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Alq3 auf konstant 3 Angström/sec einge stellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1800 Angström.As a hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-dia min) made on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) aluminum-lithium complex) on another molybdenum plate manufactured. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporator System used in such a way that they separate evaporation sources represented. The above substrate was put into the vacuum chamber of the vacuum evaporation system. The vacuum Evaporation system was at a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled so that an evaporation room was set to a constant 3 angstroms / sec from alpha NPD. After that, a fastener was attached to an upper portion of the System was intended to open the deposition of alpha To start NPD. After the alpha NPD film with a thickness of 800 Angstrom was separated, the shutter was closed again closed. In the same way, the molybdenum plate heated with Alq3. The temperature was controlled in such a way that the evaporation rate of Alq3 turned to a constant 3 angstroms / sec was put. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start of Alq3. After the Alq3 film with a thickness was separated from 1000 angstroms, the breech closed again closed, creating layers of organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 1800 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorgenannten Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Auch 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte
hergestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des
Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuumverdampfungssystem
wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die
Wolframplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde
derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4
Angström/sec konstant eingestellt war. Die Wolframplatte mit Li
thium wurde erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass
eine Verdampfungsrate von Lithium auf konstant 2 Angström/sec
eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss am oberen Ab
schnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium
lithium zu starten. Nachdem der Aluminiumlithiumfilm mit einer
Dicke von 1300 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss
wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolu
mineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/Al
pha-NPD/Alq3/AlLi hergestellt, worin der ITO-Film als Anode
dient, während der Aluminiumlithiumfilm als Kathode dient und
der Aluminiumlithiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung
entspricht:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" 1800 Angström
als Gesamtdicke der Alpha-NPD/Alq3-Filme beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The aforementioned plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was also produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constantly set at 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled in such a way that an evaporation rate of lithium was set to a constant 2 angstroms / sec. A lock was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum lithium film was deposited to a thickness of 1300 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multilayer structure was made of ITO / Al-pha-NPD / Alq3 / AlLi, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum lithium film serves as a cathode and the aluminum lithium film has a thickness "L" that Equation corresponds to:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1800 angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 60 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,7 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 1000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 60 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.7 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als ein Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha- NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Dia min) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Aluminiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungs systems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquel len darstellten. Das vorgenannte Substrat wurde in die Vakuum kammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum- Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Eine Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungs rate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vor gesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu star ten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 1000 Ang ström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Ver dampfungsrate von Alq3 konstant bei 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu star ten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 2000 Angström ab geschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 3000 Ang ström.As a hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-dia min) made on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) aluminum complex) on another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of vacuum evaporation systems used in such a way that they separate evaporation sources len represented. The aforementioned substrate was put in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system used. The vacuum Evaporation system was at a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. A temperature was controlled so that evaporation rate of alpha NPD was constant at 3 angstroms / sec. After that was a closure that is on an upper section of the system was opened to star deposition of alpha NPD ten. After the alpha NPD film with a thickness of 1000 Ang was closed, the closure was closed again. In the same way, the molybdenum plate with Alq3 warmed up. The temperature was controlled so that the ver Alq3 vaporization rate was constant at 3 angstroms / sec. After that was a clasp that attached to an upper section of the system It was intended to open to the separation of Alq3 After the Alq3 film with a thickness of 2000 angstroms was divorced, the closure was closed again, causing Layers of organic layers were formed. The total measured thickness of the organic layers was 3000 angstroms stream
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorgenannten Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium auf 4 Ang
ström/sec konstant eingestellt wurde. Danach wurde ein Ver
schluss an einem oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die
Abscheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm
mit einer Dicke von 5000 Angström abgeschieden war, wurde der
Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus
ITO/Alpha-NPD/Alq3/Al hergestellt, worin der ITO-Film als Anode
dient, während der Aluminium als Kathode dient und der Alu
miniumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], wobei "n" 3000 Angström
als Gesamtstärke des Alpha-NPD/Alq3-Films beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The aforementioned plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constantly set at 4 angstroms / sec. Then a shutter was opened at an upper section of the system to start the deposition of aluminum. After the aluminum film 5,000 angstroms thick was deposited, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure was made of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / Al, wherein the ITO film serves as an anode, while the aluminum serves as a cathode and the aluminum film has a thickness "L" that corresponds to the equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms], where "n" is 3000 angstroms as the total strength of the alpha NPD / Alq3 film.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 10 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 60 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,7 × 105.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 10 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 60 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.7 × 105.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und einer nach folgenden UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then one cleaning with pure water and one IPA and one after subjected to following UV ozone cleaning to the surface of the To clean the substrate.
Als Material der Lochtransportschicht, wurden 100 mg von Alpha- NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Dia min) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als ein Lumineszenz schicht-Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinola to)Indiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorgenannte Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssy stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Eine Temperatur wurde derart ge steuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD mit konstant 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha- NPD-Film mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Alq3 kon stant bei 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 2000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtun gen von organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 3000 Angström.As the material of the hole transport layer, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-dia min) made on a molybdenum plate. As a luminescence Layer material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-Quinolinola to) indium complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used as separate evaporation sources. The above Substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system stems used. The vacuum evaporation system was switched on Vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with alpha NPD. A temperature was such controls that an evaporation rate of alpha NPD is constant at 3 Angstrom / sec was set. After that, a clasp that was intended at an upper portion of the system, opened, to start the deposition of alpha NPD. After the alpha NPD film was deposited with a thickness of 1000 angstroms, the shutter was closed again. In the same way and The molybdenum plate was heated with Alq3. The temperature was controlled so that the evaporation rate of Alq3 kon was constantly set at 3 angstroms / sec. After that was a Closure provided on an upper section of the system was open to start Alq3 deposition. After this the Alq3 film deposited with a thickness of 2000 angstroms the shutter was closed again, causing stratification conditions of organic layers were formed. The measured Total organic layer thickness was 3000 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte präpariert.
Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssy
stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen
Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte
mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert,
dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Angström/sec kon
stant eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss am oberen
Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu
starten. Nachdem der Indiumfilm mit einer Dicke von 5000 Ang
ström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen.
Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung
mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/in herge
stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Indium
film als Kathode dient und der Indiumfilm eine Dicke "L" hat,
die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], wobei "n" die Gesamtdicke
der Alpha-NPD/Alq3-Films mit 3000 Angström ist.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of indium was prepared on a tungsten plate. The plate was then inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 x 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constantly set at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of indium. After the indium film was 5000 Angstroms thick, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / in was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the indium film serves as a cathode and the indium film has a thickness "L" that the Equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms], where "n" is the total thickness of the alpha-NPD / Alq3 film at 3000 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 10 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,0 × 105.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the In cathode applied, causing a current of 1 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 10 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.0 × 105.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen der UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Aluminiumli thiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuumverdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorgenannte Sub strat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vaku umdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Ang ström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 2000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 3000 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum li thium complex) on another molybdenum plate. she were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system separate evaporation sources used. The aforementioned sub strat was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was on a vacuum transfer pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before using the molybdenum plate Alpha NPD was warmed up. The temperature was controlled that an evaporation rate of alpha NPD at a constant 3 ang flow / sec. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start from Alpha NPD. After the alpha NPD film with a thickness of 1000 angstroms, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with Alq3. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of Alq3 at constant 3 Angstroms / sec. After that, a fastener was attached to the top Section of the system was intended to be open to the Abbei start of Alq3. After the Alq3 film with a thickness was separated from 2000 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 3000 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Auch 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte
hergestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des
Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem
wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die
Wolframplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde
derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium auf 4
Angström/sec konstant eingestellt wurde. Die Wolframplatte mit
Lithium wurde erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert,
dass eine Verdampfungsrate von Lithium auf 2 Angström/sec kon
stant eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss am oberen
Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Alu
miniumlithium zu starten. Nachdem der Aluminiumlithiumfilm mit
einer Dicke von 5000 Angström abgeschieden war, wurde der Ver
schluss wieder geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische
Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus
ITO/Alpha-NPD/Alq3/AlLi hergestellt, worin der ITO-Film als Ano
de dient, während der Aluminiumlithium-Film als Kathode dient
und der Aluminiumlithium-Film eine Dicke "L" hat, die der Glei
chung entspricht:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke
der Alpha-NPD/Alq3-Filme 3000 Angström ist.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was also produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constantly set to 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of lithium was set constant at 2 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum-lithium film with a thickness of 5000 angstroms had been deposited, the closure was closed again. As a result, an ITL / Alpha-NPD / Alq3 / AlLi multilayer structure organic electroluminescent device was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum-lithium film serves as a cathode and the aluminum-lithium film has a thickness "L" which corresponds to the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms], where "n" as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films is 3000 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 500 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 45 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,1 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 500 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 45 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.1 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und einer nach folgenden UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen. An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then one cleaning with pure water and one IPA and one after subjected to following UV ozone cleaning to the surface of the To clean the substrate.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von MTDATA (4-4'-4"-Tris(N-(3-Methylphenyl)-N-Phenylamino)Triphenylamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorgenannte Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssy stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit MTDATA erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von MTDATA bei konstant 3 Ang ström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von MTDATA zu starten. Nachdem der MTDATA-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Mo lybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organi schen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of MTDATA was used as the hole transport layer material (4-4'-4 "tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used as separate evaporation sources. The above Substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system stems used. The vacuum evaporation system was switched on Vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with MTDATA. The temperature was controlled that an evaporation rate of MTDATA at a constant 3 ang flow / sec. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start of MTDATA. After the MTDATA film with a Thickness of 500 angstroms was deposited, the closure was closed again. In the same way the Mo Lybdenum plate heated with Zn (oxz) 2. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at constant 3 angstroms / sec. After that, a fastener was attached to a upper section of the system was intended to be opened to the Start to deposit Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the Closure closes again, causing stratification of the organi layers were formed. The measured total thickness the organic layer was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Aluminium auf einer Wolframplatte hergestellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vaku umdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, das eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Angström/sec kon stant war. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abge schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergeb nis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/MTDATA/Zn(oxz)2/Al herge stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Alu miniumfilm als Kathode dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke der MTDATA/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g aluminum made on a tungsten plate. The The plate was then placed in the vacuum chamber of the evaporation system used. The vacuum evaporation system was on a vacuum transfer pressure of 4 × 10-4 Pa evacuated before using the tungsten plate Aluminum was heated. The temperature was controlled an aluminum evaporation rate at 4 angstroms / sec was constant. After that, a closure was placed on the upper section of the Systems opened to start the deposition of aluminum. After the aluminum film with a thickness of 600 angstroms was closed, the lock was closed again. In the result An organic electroluminescent device was not used a multi-layer structure made of ITO / MTDATA / Zn (oxz) 2 / Al herge in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum minium film serves as the cathode and the aluminum film has a thickness "L", which follows the equation: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [Angstrom], where "n" is the total thickness of the MTDATA / Zn (oxz) 2 films Is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 650 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 220 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 3,0 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, creating a current of 650 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 220 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 3.0 × 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Phenyl)-1,1'-Biphenyl-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Material wur den 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxazolzinkkom plex auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrenn te Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorgenannte Substrat wur de in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems ein gesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuum druck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit TPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von TPD bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von TPD zu starten. Nachdem der TPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Ver dampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec lag. Da nach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Sy stems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlos sen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten be trug 1100 Angström.100 mg of TPD were used as the hole transport layer material (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-4,4'-diamine) on one Molybdenum plate made. As luminescent layer material the 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxazolzinkkom plex on another molybdenum plate. they were into a vacuum chamber of the vacuum evaporation system as separate te evaporation sources used. The aforementioned substrate was de into the vacuum chamber of the vacuum evaporation system set. The vacuum evaporation system was placed on a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before using the molybdenum plate TPD was warmed up. The temperature was controlled in such a way that an evaporation rate of TPD was constant at 3 angstroms / sec. After that, a fastener was attached to an upper portion of the The system was intended to open to the deposition of TPD start. After the TPD film with a thickness of 500 angstroms was closed, the lock was closed again. In In the same way, the molybdenum plate was covered with Zn (oxz) 2 warmed up. The temperature was controlled so that a ver vaporization rate of Zn (oxz) 2 was constant at 3 angstroms / sec. There after a closure was attached to an upper section of the Sy stems was intended to open the deposition of Zn (oxz) 2 to start. After the Zn (oxz) 2 film with a thickness of 550 Angström was separated, the lock was closed again sen, whereby layers of the organic layers are formed were. The measured total thickness of the organic layers carried 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorgenannten Platten wurden heraus genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Ang ström/sec konstant lag. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlos sen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvor richtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/TPD/Zn(oxz)2/Al hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Aluminiumfilm als Kathode dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke der TPD/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The aforementioned plates have been removed taken. 1 g of aluminum was prepared on a tungsten plate poses. The plate was then placed in the vacuum chamber of the evaporator system used. The vacuum evaporation system was on evacuated a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of aluminum at 4 ang current / sec was constant. After that, a closure was on the top Section of the system opened to the deposition of aluminum to start. After the aluminum film with a thickness of 600 Angström was separated, the lock was closed again sen. As a result, organic electroluminescence was obtained direction with a multilayer structure made of ITO / TPD / Zn (oxz) 2 / Al manufactured, in which the ITO film serves as an anode, during the Aluminum film serves as the cathode and the aluminum film has a thickness "L", which follows the equation: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [Angstrom], where "n" is the total thickness of the TPD / Zn (oxz) 2 films Is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 600 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 180 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 3, 3 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 600 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 180 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 3.3 × 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von MTDATA (4-4'-4"-Tris(N-(3-Methylphenyl)-N-Phenylamino)Triphenylamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lochinjektionsschicht- Material wurden 100 mg von Kupferphthalocyanin auf einer wei teren Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Mate rial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxazol zinkkomplex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorgenannte Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungs systems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdän platte mit Kupferphthalocyanin erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Kupferph thalocyanin auf konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung vom Kupferphthalocyanin zu starten. Nachdem der Kupferphthalocyanin-Film mit einer Dicke von 300 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdän platte mit MTDATA erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteu ert, dass eine Verdampfungsrate von MTDATA bei konstant 3 Ang ström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von MTDATA zu starten. Nachdem der MTDATA-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schich ten ausgebildet wurden. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 konstant bei 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem obe ren Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Ab scheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 700 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der or ganischen Schichten betrug 1600 Angström.100 mg of MTDATA was used as the hole transport layer material (4-4'-4 "tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine) made on a molybdenum plate. As a hole injection layer Material was 100 mg of copper phthalocyanine on a white molybdenum plate. As a luminescent layer mate 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxazole zinc complex) produced on yet another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used as separate evaporation sources. The above Substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation systems used. The vacuum evaporation system was on evacuated a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the molybdenum plate was heated with copper phthalocyanine. The temperature was controlled so that an evaporation rate of copper ph thalocyanine was constant at 3 angstroms / sec. After that was a Closure provided on an upper section of the system was open to deposit copper phthalocyanine start. After the copper phthalocyanine film with a thickness was separated from 300 angstroms, the breech closed again closed. In the same way the molybdenum was made plate heated with MTDATA. The temperature was so controlled that an evaporation rate of MTDATA at a constant 3 Ang was current / sec. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start of MTDATA. After the MTDATA film with a Thickness of 550 angstroms was deposited, the closure was closed again, causing stratification of the organic layer ten were trained. In the same way the Molybdenum plate heated with Zn (oxz) 2. The temperature became like this controlled that the evaporation rate of Zn (oxz) 2 constant at 3 Angstroms / sec. After that, a closure was attached to one of the above Ren section of the system was intended to open to the Ab to start the separation of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film with 700 Angstroms thick, the Ver closed again, creating layers of organic Layers were formed. The measured total thickness of the or ganic strata was 1600 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Ang
ström/sec konstant war. Danach wurde ein Verschluss an einem
oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von
Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke
von 1000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder
geschlossen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolu
mineszenzvorrichtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO-Kup
ferphthalocyanin/MTDATA/Zn(oxz)2/Al hergestellt, worin der ITO-
Film als Anode dient, während der Aluminiumfilm als Kathode
dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Glei
chung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der Kupferphthalocyanin/MTDATA/Zn(oxz)2-Filme 1600 Ang
ström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened on an upper section of the system to start the deposition of aluminum. After the aluminum film was deposited with a thickness of 1000 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO copper phthalocyanine / MTDATA / Zn (oxz) 2 / Al was manufactured, wherein the ITO film serves as an anode, while the aluminum film serves as a cathode and the aluminum film has a thickness "L" that follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the copper phthalocyanine / MTDATA / Zn (oxz) 2 films is 1600 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 800 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 130 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 6,2 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, creating a current of 800 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 130 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 6.2 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Phenyl)-1,1'-Biphenyl-Biphenyl-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Material der Lochin jektionsschicht wurden 100 mg von Kupferphthalocyanin auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte herge stellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungs systems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vor stehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum- Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Kupferphthalocyanin erwärmt wurde. Die Tem peratur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Kupferphthalocyanin bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wur de ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Kupferphthalo cyanin zu starten. Nachdem der Kupferphthalocyanin-Film mit einer Dicke von 300 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit TPD erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von TPD bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem obe ren Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Ab scheidung von TPD zu starten. Nachdem der TPD-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schich ten ausgebildet wurden. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 konstant bei 3 Angström/sec eingestellt wurde. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 700 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Ge samtdicke der organischen Schichten betrug 1600 Angström. 100 mg of TPD were used as the hole transport layer material (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-biphenyl-4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As material of the Lochin 100 mg of copper phthalocyanine were placed on a jection layer manufactured another molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on yet another molybdenum plate poses. They were placed in a vacuum chamber of vacuum evaporation systems used as separate evaporation sources. That before standing substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum Evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the Molybdenum plate was heated with copper phthalocyanine. The tem temperature was controlled so that an evaporation rate of Copper phthalocyanine was a constant 3 angstroms / sec. After that was de a closure that is attached to an upper section of the system was intended to open the deposition of copper phthalos to start cyanine. After using the copper phthalocyanine film 300 Angstrom thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with TPD. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of TPD at constant 3 Angstroms / sec. After that, a closure was attached to one of the above Ren section of the system was intended to open to the Ab to start divorce from TPD. After the TPD film with a Thickness of 550 angstroms was deposited, the closure was closed again, causing stratification of the organic layer ten were trained. In the same way the Molybdenum plate heated with Zn (oxz) 2. The temperature became like this controlled that the evaporation rate of Zn (oxz) 2 constant at 3 Angstrom / sec was set. After that, a clasp that was intended at an upper portion of the system, opened, to start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 700 angstroms, the clasp was closed again, causing stratification of organic layers were formed. The measured Ge the total thickness of the organic layers was 1600 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorgenannten Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Ang
ström/sec konstant war. Danach wurde ein Verschluss am oberen
Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium
zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 1000
Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlos
sen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvor
richtung mit einer Mehrschichtstruktur aus ITO-Kupferphthalo
cyanin/TPD/Zn(oxz)2/Al hergestellt, worin der ITO-Film als Anode
dient, während der Aluminiumfilm als Kathode dient und der Alu
miniumfilm eine Dicke "L" hät, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke
der Kupferphthalocyanin/TPD/Zn(oxz)2-Filme 1600 Angström be
trägt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The aforementioned plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum. After the aluminum film was deposited with a thickness of 1000 angstroms, the closure was closed again. As a result, an organic electroluminescent device with a multilayer structure of ITO copper phthalocyanine / TPD / Zn (oxz) 2 / Al was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum film serves as a cathode and the aluminum film has a thickness "L "which follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], "n" being 1600 angstroms as the total thickness of the copper phthalocyanine / TPD / Zn (oxz) 2 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 400 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 90 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 4,4 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 400 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 90 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 4.4 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von MTDATA (4-4'-4"-Tris(N-(3-Methylphenyl)-N-Phenylamino)Triphenylamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen dar stellen. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungs system wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit MTDATA erwärmt wurde. Die Tempera tur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von MTDATA bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von MTDATA zu starten. Nachdem der MTDATA-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Ge samtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of MTDATA was used as the hole transport layer material (4-4'-4 "tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used such that they are separate sources of evaporation put. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa, before the molybdenum plate was heated with MTDATA. The tempera was controlled so that an evaporation rate of MTDATA at a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure that was provided on an upper portion of the system net to start the deposition of MTDATA. After the MTDATA film with a thickness of 500 angstroms was deposited the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate was heated with Zn (oxz) 2. The temperature was controlled so that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure which was provided on the upper section of the system net to start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the clasp was closed again, causing stratification of organic layers were formed. The measured Ge the total organic layer thickness was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus genommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte hergestellt. Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The above plates were removed taken. 1 g of indium was produced on a tungsten plate.
Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssy
stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen
Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte
mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert,
dass eine Verdampfungsrate von Indium konstant bei 4 Ang
ström/sec war. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt
des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu starten.
Nachdem der Indiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abge
schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergeb
nis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/MTDATA/Zn(oxz)2/In herge
stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Indium
film als Kathode dient und der Indiumfilm eine Dicke "L" hat,
die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der MTDATA/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström beträgt.The plate was then inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 x 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of indium was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of indium. After the indium film was deposited with a thickness of 600 angstroms, the closure was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / MTDATA / Zn (oxz) 2 / In was produced, in which the ITO film serves as an anode, while the indium film serves as a cathode and the indium film has a thickness "L" that follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the MTDATA / Zn (oxz) 2 films is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 20 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 10 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 2,0 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the in cathode applied, causing a current of 20 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 10 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 2.0 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und einer nach folgenden UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen. An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumoxide structure was produced. The substrate was then one cleaning with pure water and one IPA and one after subjected to following UV ozone cleaning to the surface of the To clean the substrate.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Phenyl)-1,1'-Biphenyl-Biphenyl-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das obenstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssy stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit TPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von TPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von TPD zu starten. Nachdem der TPD-Film mit einer Dicke von 500 Ang ström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of TPD were used as the hole transport layer material (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-biphenyl-4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used as separate evaporation sources. The above Substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system stems used. The vacuum evaporation system was switched on Vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before the molybdenum plate was heated with TPD. The temperature was controlled that an evaporation rate of TPD at a constant 3 angstroms / sec was. After that, a clasp was attached to an upper section The system was designed to open the deposition of TPD to start. After the TPD film with a thickness of 500 ang was closed, the closure was closed again. In the same way, the molybdenum plate was made with Zn (oxz) 2 heated. The temperature was controlled in such a way that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at a constant 3 angstroms / sec was. After that, a clasp was attached to an upper section The system was designed to open the deposition of Zn (oxz) 2 to start. After the Zn (oxz) 2 film with a thickness was separated from 550 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart ge
steuert, das eine Verdampfungsrate von Indium konstant bei 4
Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss an einem oberen
Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu
starten. Nachdem der 40135 00070 552 001000280000000200012000285914002400040 0002010026236 00004 40016Indiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström
abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im
Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/TPD/Zn(oxz)2/In hergestellt,
worin der ITO-Film als Anode dient, während der Indiumfilm als
Kathode dient und der Indiumfilm eine Dicke "L" hat, die der
Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke TPD/Zn(oxz)2-Filme mit 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of indium was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled such that an evaporation rate of indium was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened on an upper section of the system to start the deposition of indium. After the 40135 00070 552 001000280000000200012000285914002400040 0002010026236 00004 40016 indium film with a thickness of 600 angstroms had been deposited, the closure was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / TPD / Zn (oxz) 2 / In was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the indium film serves as a cathode and the indium film has a thickness "L" that the Equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as a total thick TPD / Zn (oxz) is 2 films with 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 12 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 10 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,2 × 106.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the in cathode applied, causing a current of 12 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 10 pA was generated. There was almost no leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.2 × 106.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und einer nach folgenden UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Substrats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then one cleaning with pure water and one IPA and one after subjected to following UV ozone cleaning to the surface of the To clean the substrate.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von MTDATA (4-4'-4"-Tris(N-(3-Methylphenyl)-N-Phenylamino)Triphenylamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen dar stellen. Das obenstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungs system wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit MTDATA erwärmt wurde. Die Tempera tur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von MTDATA bei konstant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von MTDATA zu starten. Nachdem der MTDATA-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise würde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Eine gemessene Ge samtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of MTDATA was used as the hole transport layer material (4-4'-4 "tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used such that they are separate sources of evaporation put. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa, before the molybdenum plate was heated with MTDATA. The tempera was controlled so that an evaporation rate of MTDATA was a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure that was provided on an upper portion of the system net to start the deposition of MTDATA. After the MTDATA film with a thickness of 500 angstroms was deposited the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate would be heated with Zn (oxz) 2. The temperature was controlled so that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure which was provided on the upper section of the system net to start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the clasp was closed again, causing stratification of organic layers were formed. A measured Ge the total organic layer thickness was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte her
gestellt. 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte her
gestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Ver
dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde
auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wol
framplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde der
art gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4
Angström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Lithium wurde
erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Ver
dampfungsrate von Lithium bei 2 Angström/sec konstant war. Da
nach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöff
net, um die Abscheidung von Aluminiumlithium zu starten. Nachdem
der Aluminiumlithiumfilm mit einer Dicke von 600 Angström abge
schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergeb
nis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/MTDATA/Zn(oxz)2/AlLi herge
stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Alu
miniumlithiumfilm als Kathode dient und der Aluminiumlithiumfilm
eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der MTDATA/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of lithium was constant at 2 angstroms / sec. A lock was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum-lithium film was deposited with a thickness of 600 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / MTDATA / Zn (oxz) 2 / AlLi was manufactured, wherein the ITO film serves as an anode, while the aluminum lithium film serves as a cathode and the aluminum lithium film has a thickness "L" that follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the MTDATA / Zn (oxz) 2 films is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 2000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 130 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V beträgt 6,7 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 2000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 130 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V is 6.7 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Phenyl)-1,1'-Biphenyl-Biphenyl-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen dar stellen. Das obenstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungs system wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit TPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von TPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von TPD zu starten. Nachdem der TPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 kon stant bei 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Eine gemessene Ge samtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of TPD were used as the hole transport layer material (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-biphenyl-4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used such that they are separate sources of evaporation put. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa, before the molybdenum plate was heated with TPD. The temperature was controlled so that an evaporation rate of TPD at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of TPD. After using the TPD film 500 Angstroms thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with Zn (oxz) 2. The temperature was controlled such that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 kon was constant at 3 angstroms / sec. After that, a clasp that was intended at an upper portion of the system, opened, to start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the clasp was closed again, causing stratification of organic layers were formed. A measured Ge the total organic layer thickness was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte her
gestellt. 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte her
gestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Ver
dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde
auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wol
framplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde de
rart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4
Angström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Lithium wurde
erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine
Verdampfungsrate von Lithium bei 2 Angström/sec konstant war.
Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems ge
öffnet, um die Abscheidung von Aluminiumlithium zu starten.
Nachdem der Aluminiumlithiumfilm mit einer Dicke von 600 Ang
ström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen.
Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung
mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/TPD/Zn(oxz)2/AlLi herge
stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Alu
miniumlithium-Film als Kathode dient und der Aluminiumlithium-
Film eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der TPD/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of lithium was constant at 2 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum-lithium film with a thickness of 600 angstroms was deposited, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / TPD / Zn (oxz) 2 / AlLi was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the aluminum lithium film serves as cathode and the aluminum lithium film has a thickness " L "which follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the TPD / Zn (oxz) 2 films is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 4000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 230 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 3,1 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 4000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 230 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 3.1 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von MTDATA (4-4'-4"-Tris(N-(3-Methylphenyl)-N-Phenylamino)Triphenylamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuumverdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen dar stellten. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungs system wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit MTDATA erwärmt wurde. Die Tempera tur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von MTDATA bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von MTDATA zu starten. Nachdem der MTDATA-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöff net, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Ge samtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of MTDATA was used as the hole transport layer material (4-4'-4 "tris (N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used such that they are separate sources of evaporation posed. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa, before the molybdenum plate was heated with MTDATA. The tempera was controlled so that an evaporation rate of MTDATA at a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure that was provided on an upper portion of the system net to start the deposition of MTDATA. After the MTDATA film with a thickness of 500 angstroms was deposited the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate was heated with Zn (oxz) 2. The temperature was controlled so that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at a constant 3 angstroms / sec. After that, a closure which was provided on the upper section of the system net to start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms, the clasp was closed again, causing stratification of organic layers were formed. The measured Ge the total organic layer thickness was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Magnesium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. 1 g Silber wurde auf einer weiteren Wolframplatte herge
stellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Magnesium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Magnesium bei 7 Ang
ström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Silber wurde er
wärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdamp
fungsrate von Silber bei 4 Angström/sec konstant war. Danach
wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet,
um die Abscheidung von Magnesiumsilber zu starten. Nachdem der
Magnesiumsilberfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschie
den war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis
wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer
Vielschichtstruktur aus ITO/MTDATA/Zn(oxz)2/MgAg hergestellt,
worin der ITO-Film als Anode dient, während der Magnesiumsilber-
Film als Kathode dient und der Magnesiumsilber-Film eine Dicke
"L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der MTDATA/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström ist.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of magnesium was produced on a tungsten plate. 1 g of silver was produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with magnesium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of magnesium was constant at 7 angstroms / sec. The tungsten plate with silver was warmed. The temperature was controlled so that an evaporation rate of silver was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of magnesium silver. After the magnesium silver film was deposited with a thickness of 600 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / MTDATA / Zn (oxz) 2 / MgAg was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the magnesium silver film serves as a cathode and the magnesium silver film has a thickness "L" that follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the MTDATA / Zn (oxz) 2 films is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 90 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 1,1 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the MgAg cathode applied, creating a current of 1000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the MgAg cathode where was generated by a current of 90 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 1.1 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von TPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(3-Phenyl)-1,1'-Biphenyl-Biphenyl-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Zn(oxz)2 (2-(o-Hydroxyphenyl)Benzoaxa zolzinkkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen dar stellen. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungs system wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit TPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von TPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von TPD zu starten. Nachdem der TPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Zn(oxz)2 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Zn(oxz)2 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Zn(oxz)2 zu starten. Nachdem der Zn(oxz)2-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der or ganischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamt dicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.100 mg of TPD were used as the hole transport layer material (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (3-phenyl) -1,1'-biphenyl-biphenyl-4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Zn (oxz) 2 (2- (o-hydroxyphenyl) benzoaxa zinc zinc complex) on another molybdenum plate. They were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used such that they are separate sources of evaporation put. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa, before the molybdenum plate was heated with TPD. The temperature was controlled so that an evaporation rate of TPD at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of TPD. After using the TPD film 500 Angstroms thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with Zn (oxz) 2. The temperature was controlled such that an evaporation rate of Zn (oxz) 2 at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached the upper section of the system was intended to open start the deposition of Zn (oxz) 2. After the Zn (oxz) 2 film was deposited with a thickness of 550 angstroms the closure is closed again, which means that layers of the ganic layers were formed. The measured total thickness of the organic layers was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Magnesium wurde auf einer Wolframplatte her
gestellt. Auch 1 g Silber wurde auf einer weiteren Wolframplatte
hergestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des
Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem
wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die
Wolframplatte mit Magnesium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde
derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Magnesium bei 7
Angström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Silber wurde
erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Ver
dampfungsrate von Silber bei 4 Angström/sec konstant war. Danach
wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet,
um die Abscheidung von Magnesiumsilber zu starten. Nachdem der
Magnesiumsilberfilm mit einer Dicke von 600 Angström abgeschie
den war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis
wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer
Vielschichtstruktur aus ITO/TPD/Zn(oxz)2/MgAg hergestellt, worin
der ITO-Film als Anode dient, während der Magnesiumsilber-Film
als Kathode dient und der Magnesiumsilberfilm eine Dicke "L"
hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der TPD/Zn(oxz)2-Filme 1100 Angström ist.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of magnesium was produced on a tungsten plate. 1 g of silver was also produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 x 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with magnesium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of magnesium was constant at 7 angstroms / sec. The tungsten plate with silver was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of silver was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of magnesium silver. After the magnesium silver film was deposited with a thickness of 600 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / TPD / Zn (oxz) 2 / MgAg was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the magnesium silver film serves as a cathode and the magnesium silver film has a thickness "L", which follows the equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" as the total thickness of the TPD / Zn (oxz) 2 films is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 2200 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 100 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 2,2 × 107.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the MgAg cathode applied, creating a current of 2200 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the MgAg cathode where was generated by a current of 100 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 2.2 x 107.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht- Material wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Aluminium komplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wur den in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen darstellten. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum- Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD- Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 bei kon stant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der or ganischen Schichten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Material was 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum complex) on another molybdenum plate. She was in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system used that they were separate sources of evaporation. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum Evaporation system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the Molybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled such that an evaporation rate of alpha NPD at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of alpha NPD. After the Alpha NPD Film with a thickness of 500 angstroms was deposited the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate was heated with Alq3. The temperature was controlled such that an evaporation rate of Alq3 at con was 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached the upper section of the system was intended to open start the deposition of Alq3. After the Alq3 film with a thickness of 550 angstroms, the ver closed again, creating stratifications of organic Layers were formed. The measured total thickness of the or ganic strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden herausgenommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte her gestellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Ang ström/sec konstant war. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium zu starten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 2000 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlos sen. Im Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvor richtung mit einer Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/Al hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Aluminiumfilm als Kathode dient und der Aluminiumfilm eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt: 400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamtdicke der Alpha-NPD/Alq3-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate with the organic layer was formed, again in the vacuum chamber of the evaporator system used. The plates above were taken out. 1 g of aluminum was made on a tungsten plate posed. The plate was then placed in the vacuum chamber of the evaporator system used. The vacuum evaporation system was on evacuated a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of aluminum at 4 ang current / sec was constant. After that, a closure was on the top Section of the system opened to the deposition of aluminum to start. After the aluminum film with a thickness of 2000 Angström was separated, the lock was closed again sen. As a result, organic electroluminescence was obtained direction with a multi-layer structure made of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / Al manufactured, in which the ITO film serves as an anode, during the Aluminum film serves as the cathode and the aluminum film has a thickness "L", which follows the equation: 400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [Angstrom], where "n" is the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films Is 1100 angstroms.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 14 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1000 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leck strom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 14.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 14 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 1000 pA was generated. There was almost no leak stream observed. A rectification ratio at 15 V was 14.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lochinjektionsschicht- Material wurden 100 mg von Kupferphthalocyanin auf einer wei teren Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Mate rial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Aluminiumkom plex) auf noch einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems de rart eingesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen darstel len. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Va kuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuumverdampfungssy stem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, be vor die Molybdänplatte mit Kupferphthalocyanin erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsra te von Kupferphthalocyanin bei konstant 3 Angström/sec war. Da nach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Sy stems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Kupferph thalocyanin zu starten. Nachdem der Kupferphthalocyanin-Film mit einer Dicke von 300 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD- Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der or ganischen Schichten ausgebildet wurden. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass die Verdampfungsrate von Alq3 kon stant bei 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 700 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen von organi schen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1600 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a hole injection layer Material was 100 mg of copper phthalocyanine on a white molybdenum plate. As a luminescent layer mate 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum com plex) on yet another molybdenum plate. she were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system rart used that they represent separate sources of evaporation len. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the Va vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system stem was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the molybdenum plate was heated with copper phthalocyanine. The temperature was controlled so that an evaporation room te of copper phthalocyanine was constant at 3 angstroms / sec. There after a closure was attached to an upper section of the Sy stems was intended to open the deposition of copper ph to start thalocyanine. After using the copper phthalocyanine film 300 Angstrom thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with alpha NPD. The temperature was controlled such that an evaporation rate of alpha NPD at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached the upper section of the system was intended to open start the deposition of alpha NPD. After the Alpha NPD Film with a thickness of 550 angstroms was deposited the closure is closed again, which leads to layers of the or ganic layers were formed. In the same way and The molybdenum plate was heated with Alq3. The temperature was controlled so that the evaporation rate of Alq3 kon was constant at 3 angstroms / sec. After that, a clasp that was intended at an upper portion of the system, opened, to start Alq3 deposition. After the Alq3 film was deposited with a thickness of 700 angstroms, the Closure closed again, resulting in layers of organic layers were formed. The measured total thickness the organic layers were 1600 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte herge
stellt. Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf
einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolfram
platte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart
gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4 Ang
ström/sec war. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt
des Systems geöffnet, um die Abscheidung von Aluminium zu star
ten. Nachdem der Aluminiumfilm mit einer Dicke von 2000 Angström
abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im
Ergebnis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/Kupferphthalocyanin/Alpha-NPD/Alq3/Al
hergestellt, worin der ITO-Film als Anode dient,
während der Aluminiumfilm als Kathode dient und der Aluminium
film eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der Kupferphthalocyanin/Alpha-NPD/Alq3-Filme 1600 Angström
beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the evaporation system vacuum chamber. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was 4 angstroms / sec. Thereafter, a shutter was opened at the upper portion of the system to start the deposition of aluminum. After the aluminum film was deposited with a thickness of 2000 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multilayer structure was made of ITO / copper phthalocyanine / alpha-NPD / Alq3 / Al, wherein the ITO film serves as an anode, while the aluminum film serves as a cathode and the aluminum film has a thickness "L" which the equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1,600 angstroms as the total thickness of the copper phthalocyanine / alpha-NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 16 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der Al-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1000 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leck strom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 16.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the Al cathode applied, causing a current of 16 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the Al cathode, whereby a current of 1000 pA was generated. There was almost no leak stream observed. A rectification ratio at 15 V was 16.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial Wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Indiumkom plex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems derart ein gesetzt, dass sie getrennte Verdampfungsquellen darstellen. Das obenstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Ver dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuumdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Mo lybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 bei kon stant 3 Angström/sec lag. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abscheidung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten ausgebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der or ganischen Schichten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) indium com plex) on another molybdenum plate. they were into a vacuum chamber of the vacuum evaporation system set that they are separate sources of evaporation. The The above substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum ver damping system used. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa before the Mo lybdenum plate was heated with alpha NPD. The temperature was controlled such that an evaporation rate of alpha NPD at was constant 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached an upper section of the system was intended to be opened to start the deposition of alpha NPD. After the alpha NPD film 500 angstroms thick the clasp closed again. In the same way the molybdenum plate was heated with Alq3. The temperature was controlled such that an evaporation rate of Alq3 at con was 3 angstroms / sec. After that, a clasp was attached the upper section of the system was intended to open start the deposition of Alq3. After the Alq3 film with a thickness of 550 angstroms, the ver closed again, creating stratifications of organic Layers were formed. The measured total thickness of the or ganic strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die vorstehenden Platten wurden heraus
genommen. 1 g Indium wurde auf einer Wolframplatte hergestellt.
Die Platte wurde dann in die Vakuumkammer des Verdampfungssy
stems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen
Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wolframplatte
mit Indium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert,
dass eine Verdampfungsrate von Indium bei 4 Angström/sec kon
stant war. Danach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des
Systems geöffnet, um die Abscheidung von Indium zu starten.
Nachdem der Indiumfilm mit einer Dicke von 2000 Angström abge
schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergeb
nis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/In hergestellt,
worin der ITO-Film als Anode dient, während der Indiumfilm als
Kathode dient und der Indiumfilm eine Dicke "L" hat, die der
Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der Alpha-NPD/Alq3-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates were taken out. 1 g of indium was produced on a tungsten plate. The plate was then inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 x 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with indium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of indium was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of indium. After the indium film with a thickness of 2000 angstroms had been deposited, the closure was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multi-layer structure of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / In was manufactured, in which the ITO film serves as an anode, while the indium film serves as a cathode and the indium film has a thickness "L" that corresponds to the equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1100 angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 720 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der In-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 2000 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leck strom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 360.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the in-cathode applied, creating a current of 720 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the in cathode, thereby a current of 2000 pA was generated. There was almost no leak stream observed. A rectification ratio at 15 V was 360.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wässer und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Aluminiumli thiumkomplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wurden in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als getrennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das obenstehende Sub strat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vaku umdruck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Ang ström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum li thium complex) on another molybdenum plate. she were placed in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system separate evaporation sources used. The sub above strat was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system used. The vacuum evaporation system was on a vacuum transfer pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before using the molybdenum plate Alpha NPD was warmed up. The temperature was controlled that an evaporation rate of alpha NPD at a constant 3 ang was current / sec. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start from Alpha NPD. After the alpha NPD film with 500 Angstroms thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with Alq3. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of Alq3 at constant 3 Angstroms / sec. After that, a fastener was attached to the top Section of the system was intended to be open to the Abbei start of Alq3. After the Alq3 film with a thickness was separated from 550 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Aluminium wurde auf einer Wolframplatte her
gestellt. 1 g Lithium wurde auf einer weiteren Wolframplatte her
gestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Ver
dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde
auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wol
framplatte mit Aluminium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde de
rart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Aluminium bei 4
Angström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Lithium wurde
erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Ver
dampfungsrate von Lithium bei 2 Angström/sec konstant war. Da
nach wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöff
net, um die Abscheidung von Aluminiumlithium zu starten. Nachdem
der Aluminiumlithiumfilm mit einer Dicke von 2000 Angström abge
schieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergeb
nis wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit
einer Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/AlLi herge
stellt, worin der ITO-Film als Anode dient, während der Alu
miniumlithiumfilm als Kathode dient und der Aluminiumlithiumfilm
eine Dicke "L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der Alpha-NPD/Alq3-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of aluminum was produced on a tungsten plate. 1 g of lithium was produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with aluminum. The temperature was controlled so that an evaporation rate of aluminum was constant at 4 angstroms / sec. The tungsten plate with lithium was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of lithium was constant at 2 angstroms / sec. A lock was then opened at the top of the system to start the deposition of aluminum lithium. After the aluminum-lithium film was deposited with a thickness of 2000 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device having a multilayer structure of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / AlLi was manufactured, wherein the ITO film serves as an anode, while the aluminum lithium film serves as a cathode and the aluminum lithium film has a thickness "L" that the equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1100 angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 4000 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der AlLi-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 2000 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 2,0 × 103.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the AlLi cathode applied, creating a current of 4000 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the AlLi cathode where was generated by a current of 2000 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 2.0 x 103.
Ein Indiumzinnoxidfilm (ITO-Film) mit einer Dicke von 1000 Ang ström wurde auf einem transparenten Glassubstrat durch ein Sput terverfahren abgeschieden. Ein gemessener Flächenwiderstand des Indiumzinnoxidfilms betrug 10 Ohm/Angström. Der Indiumzinnoxid film wurde dann einem Ätzvorgang ausgesetzt, um eine Struktur aus dem Indiumzinnoxidfilm auf dem transparenten Glassubstrat auszubilden, wodurch das transparente Glassubstrat mit einer In diumzinnoxid-Struktur hergestellt wurde. Das Substrat wurde dann einer Reinigung mit reinem Wasser und einer IPA- und nachfolgen den UV-Ozon-Reinigung unterzogen, um die Oberfläche des Sub strats zu reinigen.An indium tin oxide (ITO) film with a thickness of 1000 angstroms flowed through a sput on a transparent glass substrate process separated. A measured surface resistance of the Indium tin oxide film was 10 ohms / angstrom. The indium tin oxide film was then subjected to an etch to a structure from the indium tin oxide film on the transparent glass substrate form, whereby the transparent glass substrate with an In diumtin oxide structure was produced. The substrate was then cleaning with pure water and an IPA and follow subjected to UV ozone cleaning to the surface of the sub to clean strats.
Als Lochtransportschicht-Material wurden 100 mg von Alpha-NPD (N,N'-Diphenyl-N,N'-Bis(1-Naphtyl)-(1,1'-Biphenyl)-4,4'-Diamin) auf einer Molybdänplatte hergestellt. Als Lumineszenzschicht-Ma terial wurden 100 mg von Alq3 (Tris(8-Quinolinolato)Aluminium komplex) auf einer weiteren Molybdänplatte hergestellt. Sie wur den in eine Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems als ge trennte Verdampfungsquellen eingesetzt. Das vorstehende Substrat wurde in die Vakuumkammer des Vakuum-Verdampfungssystems ein gesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde auf einen Vakuum druck von 2 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Molybdänplatte mit Alpha-NPD erwärmt wurde. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alpha-NPD bei konstant 3 Ang ström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an einem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alpha-NPD zu starten. Nachdem der Alpha-NPD-Film mit einer Dicke von 500 Angström abgeschieden war, wurde der Ver schluss wieder geschlossen. In der gleichen Art und Weise wurde die Molybdänplatte mit Alq3 erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Alq3 bei konstant 3 Angström/sec war. Danach wurde ein Verschluss, der an dem oberen Abschnitt des Systems vorgesehen war, geöffnet, um die Abschei dung von Alq3 zu starten. Nachdem der Alq3-Film mit einer Dicke von 550 Angström abgeschieden war, wurde der Verschluss wieder geschlossen, wodurch Schichtungen der organischen Schichten aus gebildet wurden. Die gemessene Gesamtdicke der organischen Schichten betrug 1100 Angström.As the hole transport layer material, 100 mg of alpha NPD (N, N'-diphenyl-N, N'-bis (1-naphthyl) - (1,1'-biphenyl) -4,4'-diamine) made on a molybdenum plate. As a luminescent layer Ma 100 mg of Alq3 (Tris (8-quinolinolato) aluminum complex) on another molybdenum plate. She was in a vacuum chamber of the vacuum evaporation system as ge separate evaporation sources are used. The above substrate was placed in the vacuum chamber of the vacuum evaporation system set. The vacuum evaporation system was placed on a vacuum pressure of 2 × 10-4 Pa evacuated before using the molybdenum plate Alpha NPD was warmed up. The temperature was controlled that an evaporation rate of alpha NPD at a constant 3 ang was current / sec. After that, a clasp was attached to an upper one Section of the system was intended to be open to the Abbei start from Alpha NPD. After the alpha NPD film with 500 Angstroms thick, the Ver closed again. In the same way it was the molybdenum plate is heated with Alq3. The temperature became like this controlled that an evaporation rate of Alq3 at constant 3 Angstroms / sec. After that, a fastener was attached to the top Section of the system was intended to be open to the Abbei start of Alq3. After the Alq3 film with a thickness was separated from 550 angstroms, the breech closed again closed, causing stratifications of the organic layers were formed. The measured total thickness of the organic Strata was 1100 angstroms.
Nachfolgend wurde das Substrat, das mit den organischen Schich
ten ausgebildet war, wiederum in die Vakuumkammer des Verdamp
fungssystems eingesetzt. Die obenstehenden Platten wurden
herausgenommen. 1 g Magnesium wurde auf einer Wolframplatte her
gestellt. 1 g Silber wurde auf einer weiteren Wolframplatte her
gestellt. Die Platten wurden dann in die Vakuumkammer des Ver
dampfungssystems eingesetzt. Das Vakuum-Verdampfungssystem wurde
auf einen Vakuumdruck von 4 × 10-4 Pa evakuiert, bevor die Wol
framplatte mit Magnesium erwärmt wurde. Die Temperatur wurde der
art gesteuert, dass eine Verdampfungsrate von Magnesium bei 7
Angström/sec konstant war. Die Wolframplatte mit Silber wurde
erwärmt. Die Temperatur wurde derart gesteuert, dass eine Ver
dampfungsrate von Silber bei 4 Angström/sec konstant war. Danach
wurde ein Verschluss am oberen Abschnitt des Systems geöffnet,
um die Abscheidung von Magnesiumsilber zu starten. Nachdem der
Magnesiumsilberfilm mit einer Dicke von 2000 Angström abgeschie
den war, wurde der Verschluss wieder geschlossen. Im Ergebnis
wurde eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung mit einer
Vielschichtstruktur aus ITO/Alpha-NPD/Alq3/MgAg hergestellt, wo
rin der ITO-Film als Anode dient, während der Magnesiumsilber
film als Kathode dient und der Magnesiumsilberfilm eine Dicke
"L" hat, die der Gleichung folgt:
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström], wobei "n" als Gesamt
dicke der Alpha-NPD/Alq3-Filme 1100 Angström beträgt.Subsequently, the substrate formed with the organic layers was again inserted into the vacuum chamber of the evaporation system. The above plates have been removed. 1 g of magnesium was produced on a tungsten plate. 1 g of silver was produced on another tungsten plate. The plates were then placed in the vacuum chamber of the evaporation system. The vacuum evaporation system was evacuated to a vacuum pressure of 4 × 10-4 Pa before the tungsten plate was heated with magnesium. The temperature was controlled so that an evaporation rate of magnesium was constant at 7 angstroms / sec. The tungsten plate with silver was heated. The temperature was controlled so that an evaporation rate of silver was constant at 4 angstroms / sec. A shutter was then opened at the top of the system to start the deposition of magnesium silver. After the magnesium silver film was deposited with a thickness of 2000 angstroms, the shutter was closed again. As a result, an organic electroluminescent device with a multi-layer structure was made of ITO / Alpha-NPD / Alq3 / MgAg, where the ITO film serves as an anode, while the magnesium silver film serves as a cathode and the magnesium silver film has a thickness "L" that Equation follows:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms], where "n" is 1100 angstroms as the total thickness of the alpha NPD / Alq3 films.
Eine Spannung in Durchlassrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wodurch ein Strom von 1400 µA verursacht wurde. Eine Spannung in Sperrrichtung von 15 V wurde entlang der ITO-Anode und der MgAg-Kathode angelegt, wo durch ein Strom von 6000 pA erzeugt wurde. Es wurde fast kein Leckstrom beobachtet. Ein Gleichrichtverhältnis bei 15 V betrug 200.A forward voltage of 15 V was measured along the ITO anode and the MgAg cathode applied, creating a current of 1400 µA was caused. A reverse voltage of 15 V. was applied along the ITO anode and the MgAg cathode where was generated by a current of 6000 pA. It was almost none Leakage current observed. A rectification ratio at 15 V was 200.
Da Modifikation der vorliegenden Erfindung für Fachleute auf diesem Gebiet, zu dem die Erfindung gehört, möglich erscheinen, wird darauf hingewiesen, dass die gezeigten und beschriebenen Ausführungsformen der Erfindung unter keinen Umständen in einem beschränkenden Sinne verstanden werden dürfen. Dementsprechend ist es beabsichtigt, alle Modifikationen durch die Ansprüche ab zudecken, die in den Bereich der vorliegenden Erfindung fallen.The modification of the present invention to those skilled in the art appear possible in this field to which the invention belongs, it is pointed out that the shown and described Embodiments of the invention under no circumstances in one restrictive sense may be understood. Accordingly it is intended to be modified by the claims cover that fall within the scope of the present invention.
Claims (2)
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 0,8 [Angström].1. An organic electroluminescent device comprising an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n" of less than 2000 angstroms and the cathode has a thickness "L" given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 0.8 [angstroms].
400 [Angström] ≦ L ≦ n × 3 [Angström].2. An organic electroluminescent device having an anode, a cathode and an organic layer structure between the anode and the cathode, the organic layer structure having at least one organic layer, wherein the organic layer structure has a thickness "n" of not less than 2000 angstroms and wherein the cathode has a thickness "L" given by the following equation:
400 [angstroms] ≦ L ≦ n × 3 [angstroms].
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| WO2004055897A2 (en) * | 2002-12-18 | 2004-07-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Exposing apparatus and image forming apparatus using organic electroluminescence element |
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- 2000-06-05 KR KR1020000030845A patent/KR20010020955A/en not_active Application Discontinuation
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| US7158161B2 (en) | 2002-09-20 | 2007-01-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and an exposure unit and image-forming apparatus both using the element |
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