DE10026030B4 - Etching process, its application and etching agents - Google Patents
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Abstract
Verfahren zum Ätzen bei der Metall- oder Glasverarbeitung oder in der Elektronikindustrie, insbesondere von Schichten, wie sie in der Halbleiterfertigung eingesetzt werden, wobei man Ätzlösungen in Form von homogenen Mischungen von Fluorwasserstoff und polyfluorierten Kohlenwasserstoffverbindungen mit 2 bis 7 Kohlenstoffatomen einsetzt, wobei in der Ätzlösung zusätzlich mindestens ein protisches Lösungsmittel enthalten ist.Process for etching in metal or glass processing or in the electronics industry, in particular of layers such as those used in semiconductor production, using etching solutions in the form of homogeneous mixtures of hydrogen fluoride and polyfluorinated hydrocarbon compounds with 2 to 7 carbon atoms, in the etching solution additionally contains at least one protic solvent.
Description
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Ätzen von Metallen, Glas und Halbleitersubstraten in der Metalloder Glasverarbeitung oder in der Elektronikindustrie, die Anwendung zum Ätzen von Halbleiterbauelementen sowie ein dafür brauchbares Ätzmittel.The invention relates to a Etching process of metals, glass and semiconductor substrates in metal or glass processing or in the electronics industry, the application for etching Semiconductor components and a suitable etchant.
Die Herstellung von Halbleiterbauelementen, als wichtigstem Beispiel für mikroelektronische, kommerziell genutzte Vorrichtungen, wird in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5. Auflage, Bd. A13, Seiten 637–649 beschrieben. Insbesondere auf den Seiten 644 und 645 wird Aufbau und Herstellung eines integrierten Schaltkreises beschrieben. Ein integrierter Schaltkreis besteht aus einer dreidimensionalen Struktur elektrisch unterschiedlich leitfähiger Regionen auf der Oberfläche einer Siliciumscheibe. Zu ihrer Herstellung wird die Siliciumscheibe unter anderem mit einer Oberflächenschicht von Siliciumdioxid belegt, beispielsweise durch Oxidation des Siliciums oder durch Abscheidung von Siliciumdioxid nach dem chemischen Dampfphasenabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren). Anschließend wird ein Muster zur Erzeugung der Schaltkreise von einer Maske via Photolack auf die Scheibe übertragen (Strukturierung). Der Photolack wird dabei nach dem Aufbringen durch die Maske belichtet und entwickelt. Nicht geschützte Bereiche der darunterliegenden Schicht können anschließend geätzt werden.The manufacture of semiconductor devices, as the main example of microelectronic, commercially used devices is described in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th edition, vol. A13, pages 637-649. In particular, on pages 644 and 645, construction and manufacture of an integrated circuit. An integrated circuit consists of a three-dimensional structure electrically different conductive Regions on the surface a silicon wafer. The silicon wafer is used to manufacture it including a surface layer occupied by silicon dioxide, for example by oxidation of the silicon or by silicon dioxide deposition using the chemical vapor deposition method (CVD method). Subsequently will create a pattern for creating the circuits from a mask via Transfer photoresist to the window (Structuring). The photoresist is then applied through the mask exposed and developed. Unprotected areas of the underlying layer can subsequently etched become.
Dabei gibt es verschiedene Klassen von Photolacken (ein Photolack wird auch "Photoresist" genannt), siehe bei Ullmann's, insbesondere die Seiten 637 – 642.There are different classes of photoresists (a photoresist is also called "photoresist"), see Ullmann's, especially the Pages 637 - 642.
Das Ätzen kann nach einem Trockenätzverfahren erfolgen, beispielsweise unter Verwendung eines Plasmas, das mit der Oberfläche des zu ätzenden Substrats flüchtige Produkte erzeugt, oder indem die Oberfläche "fortgesputtert" wird. Die Kombination beider Verfahren kann als "reaktives Ionenätzen" bezeichnet werden. Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf die andere Methode, nämlich das sogenannte Naßätzen. Informationen über das Ätzen und Ätzmittel findet sich in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5. Auflage, Bd. A9, insbesondere Seiten 276 – 283. Beispielsweise wird erwähnt, daß Fluorwasserstoff als Ätzmittel verwendbar ist (Seite 277). Auch andere Werkstoffe wie Metall oder Glas werden zur Veränderung der Oberflächeneigenschaften geätzt.The etching can be carried out using a dry etching process take place, for example using a plasma that with the surface of the to be etched Volatile substrate Products created, or by "sputtering" the surface. The combination of both methods can be called "reactive Ion etching ". The present invention relates to the other method, namely that so-called wet etching. Information about the etching and etchant can be found in Ullmann's Encyclopedia of Industrial Chemistry, 5th edition, Vol. A9, in particular Pages 276-283. For example, it is mentioned that hydrogen fluoride usable as an etchant (page 277). Other materials such as metal or glass are also used to change the surface properties etched.
Die WO 99/16110 offenbart ein Plasmaverfahren zum selektiven Ätzen von Oxidschichten unter Verwendung von Fluoropropan oder Fluorpropylen als Ätzgas in Anwesenheit einer wesentlichen Menge eines inaktiven Gases wie Argon.WO 99/16110 discloses a plasma process for selective etching of oxide layers using fluoropropane or fluoropropylene as an etching gas in the presence of a substantial amount of an inactive gas such as Argon.
Die WO 98/00381 offenbart azeotropähnliche Zusammensetzungen von Pentafluorpropan und Fluorwasserstoff. Diese Zusammensetzungen sind brauchbar zur Entfernung von Oxidschichten auf der Oberfläche von Metallen.WO 98/00381 discloses azeotrope-like Compositions of pentafluoropropane and hydrogen fluoride. This Compositions are useful for removing oxide layers on the surface of Metals.
Die
Aufgabe der vorliegenden Verbindung ist es, ein verbessertes Verfahren zum Ätzen insbesondere von Halbleiterbauelementen zur Verfügung zu stellen. Weitere Aufgabe ist die Zurverfügungstellung verbesserter Ätzmittel. Diese und weitere Aufgaben werden durch die vorliegende Erfindung gelöst.Task of the present connection is an improved method for etching semiconductor devices in particular to disposal to deliver. Another task is to provide improved etchants. These and other objects are achieved by the present invention solved.
Das erfindungsgemäße Verfahren zum Ätzen von Metall, Glas und insbesondere von Halbleiterbauelementen sieht vor, daß man homogene Mischungen von Fluorwasserstoff und polyfluorierten Kohlenwasserstoffverbindungen mit 2 bis 7 Kohlenstoffatomen als Ätzmittel einsetzt, wobei zusätzlich mindestens ein protisches Lösungsmittel enthalten ist.The inventive method for etching Metal, glass and in particular semiconductor components provides that he homogeneous mixtures of hydrogen fluoride and polyfluorinated hydrocarbon compounds with 2 to 7 carbon atoms as an etchant, at least additionally a protic solvent is included.
Der Begriff "polyfluoriert" im Rahmen der vorliegenden Erfindung bedeutet, daß mindestens zwei, vorzugsweise mindestens die Hälfte der Wasserstoffatome des entsprechenden Kohlenwasserstoffs durch Fluoratome ersetzt ist, aber nicht alle. Besonders bevorzugt sind polyfluorierte Propane und polyfluorierte Butane, insbesondere Pentafluorpropan, Hexafluorpropan, Heptafluorpropan und Pentafluorbutan. Natürlich kann man auch deren Gemische einsetzen. Besonders bevorzugt ist 1,1,1,3,3-Pentafluorpropan, 1,1,1,3,3,3-Hexafluorpropan, 1,1,1,2,3,3,3-Heptafluorpropan und 1,1,1,3,3-Pentafluorbutan. Das letztgenannte Pentafluorbutan (HFC-365mfc) ist ganz besonders bevorzugt. Homogene Bereiche der Mischungen können durch einfache Handversuche ermittelt werden.The term "polyfluorinated" in the context of the present invention means that at least two, preferably at least half of the hydrogen atoms of the corresponding hydrocarbon is replaced by fluorine atoms, but not all. Polyfluorinated propanes are particularly preferred and polyfluorinated butanes, in particular pentafluoropropane, hexafluoropropane, Heptafluoropropane and pentafluorobutane. Of course you can also use their mixtures deploy. 1,1,1,3,3-pentafluoropropane, 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane is particularly preferred, 1,1,1,2,3,3,3-heptafluoropropane and 1,1,1,3,3-pentafluorobutane. The the latter pentafluorobutane (HFC-365mfc) is very particularly preferred. Homogeneous areas of the mixtures can be determined by simple manual tests be determined.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann generell in der Elektroindustrie, aber auch bei der Metallverarbeitung oder in der Glasindustrie eingesetzt werden. Bevorzugt wendet man es bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, insbesondere mit Siliciumscheiben als Träger und SiO2 als zu ätzender Schicht an. Anhand dieser bevorzugten Variante wird das Verfahren weiter erläutert.The method according to the invention can generally be used in the electrical industry, but also in metal processing or in the glass industry. It is preferably used in the production of semiconductor components, in particular with silicon wafers as the carrier and SiO 2 as the layer to be etched. The method is explained further on the basis of this preferred variant.
Gegenüber der bekannten Verwendung wäßriger Flußsäure weisen derartige Ätzmittel den Vorteil auf, daß die HF-Konzentration geringer ist. Compared to the known use have aqueous hydrofluoric acid such etchants the advantage that the HF concentration is lower.
Die erfindungsgemäßen Ätzmittel mit sehr hoher Ätzgeschwindigkeit enthalten zusätzlich zu den polyfluorierten Kohlenwasserstoffverbindungen und Fluorwasserstoff protische Lösungsmittel. Unter "protischen Lösungsmitteln" werden solche organischen Verbindungen, beispielsweise Alkohole oder Ketone, aber auch Wasser verstanden, die mit den vorgenannten Bestandteilen homogene Lösungen ergeben. Bevorzugte protische Lösungsmittel sind Wasser, Aceton und Alkohole mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen. Brauchbar sind auch entsprechende halogenierte Alkohole, insbesondere polyfluorierte Alkohole. Sehr gute Resultate werden erzielt, wenn man als Ätzmittel homogene Mischungen von Fluorwasserstoff, einem oder mehreren polyfluorierten Kohlenstoffverbindungen und mindestens einen Alkohol einer Kettenlänge von 1 bis 4 Kohlenstoffatomen und/oder Aceton einsetzt. Besonders bevorzugt ist es auch, zusätzlich noch Wasser einzusetzen.In addition to the polyfluorinated hydrocarbon compounds and hydrogen fluoride, the etching agents according to the invention with a very high etching speed contain protic solvents. "Protic solvents" are understood to mean those organic compounds, for example alcohols or ketones, but also water, which give homogeneous solutions with the abovementioned constituents. Preferred pro Table solvents are water, acetone and alcohols with 1 to 4 carbon atoms. Corresponding halogenated alcohols, in particular polyfluorinated alcohols, can also be used. Very good results are achieved if homogeneous mixtures of hydrogen fluoride, one or more polyfluorinated carbon compounds and at least one alcohol with a chain length of 1 to 4 carbon atoms and / or acetone are used as the etchant. It is also particularly preferred to additionally use water.
Fluorwasserstoff ist bevorzugt in einer Menge von 1 bis 30 Gew.-%, insbesondere 3 bis 10 Gew.-% im Ätzmittel enthalten. Die polyfluorierte Kohlenwasserstoffverbindung ist vorteilhaft in einer Menge von 30 bis 99 Gew.-%, insbesondere 50 bis 90 Gew.-% im Ätzmittel enthalten. Wenn Wasser im Ätzmittel enthalten ist, so liegt der Gehalt im Ätzmittel bis hin zu 10 Gew.-%. Einen etwaigen Rest auf 100 Gew.-% stellt das organische protische Lösungsmittel dar.Hydrogen fluoride is preferred in an amount of 1 to 30 wt .-%, in particular 3 to 10 wt .-% in the etchant contain. The polyfluorinated hydrocarbon compound is advantageous in an amount of 30 to 99% by weight, in particular 50 to 90% by weight in the etchant contain. If there is water in the etchant is contained, the content in the etchant is up to 10 wt .-%. The organic protic represents a possible remainder to 100% by weight solvent represents.
Versuche haben gezeigt, daß bereits mit einem Gehalt von 5 bis 7 Gew.-% Fluorwasserstoff im Ätzmittel sehr gute Ätzraten erzielt werden. Man kann zwar auch weitaus höhere Gehalte an Fluorwasserstoff, beispielsweise bis hin zu 25 Gew.-% und mehr vorsehen, die Ätzrate verändert sich aber nur unwesentlich. Bei Anwendung von Ätzmitteln, die Wasser enthalten, wurde festgestellt, daß Ätzmittel aus HFC-365mfc, Ethanol, Wasser und Fluorwasserstoff eine besonders hohe Ätzrate aufweisen, während bei der Verwendung von Ätzmitteln ohne Wasser festgestellt wurde, daß Ätzmittel aus HFC-365mfc, Aceton oder Isopropanol und Fluorwasserstoff besonders hohe Ätzraten aufweisen.Experiments have shown that already with a content of 5 to 7 wt .-% hydrogen fluoride in the etchant very good etching rates be achieved. You can also use much higher levels of hydrogen fluoride, provide up to 25% by weight and more, for example, the etching rate changes but only marginally. When using etchants that contain water, it was found that caustic A special one made from HFC-365mfc, ethanol, water and hydrogen fluoride high etching rate have while when using caustic agents Without water it was found that HFC-365mfc, acetone or isopropanol and hydrogen fluoride particularly high etching rates exhibit.
Vorzugsweise wird das Ätzen bei Temperaturen im Bereich von 10 bis 30 °C durchgeführt. Es kann vorteilhaft sein, HFKWs einzusetzen, die bei Normaldruck bei der anzuwendenden Temperatur und Umgebungsdruck flüssig sind. Die geätzten Halbleiterbauelemente wiesen bei manchen Versuchen nach dem Ätzen kleine, schwerflüchtige Tropfen auf der Scheibe auf, die beispielsweise durch Tauchen in geeignete Lösemittel wie Ether, Aceton oder Trifluoraceton entfernt werden können. Es wird dann eine schnelltrocknende, homogene Oberfläche erhalten. Auch die mechanische Entfernung der Tropfen (z. B. Abschleudern) ist möglich.Preferably the etching is done at Temperatures in the range of 10 to 30 ° C. It can be beneficial HFCs to be used at normal pressure at the temperature to be used and ambient pressure fluid are. The etched In some experiments, semiconductor components showed small, low volatility Drops on the disc, which can be caused by diving in suitable solvents such as Ether, acetone or trifluoroacetone can be removed. It a quick-drying, homogeneous surface is then obtained. The mechanical removal of the drops (e.g. spinning off) is possible.
Ein weiterer Gegenstand der Erfindung sind als Ätzmittel im erfindungsgemäßen Verfahren brauchbare Gemische. Diese homogenen Ätzmittelgemische, enthalten a) 30 bis 98 Gew.-% einer polyfluorierten Kohlenwasserstoffverbindung mit 2 bis 7 Kohlenstoffatomen, b) 1 bis 30 Gew.-% Fluorwasserstoff und c) mindestens ein erotisches Lösungsmittel, oder sie bestehen daraus.Another object of the invention are as an etchant in the method according to the invention usable mixtures. These homogeneous etchant mixtures contain a) 30 to 98 wt .-% of a polyfluorinated hydrocarbon compound with 2 to 7 carbon atoms, b) 1 to 30% by weight of hydrogen fluoride and c) at least one erotic solvent, or they exist it.
Bevorzugte Gemische zeichnen sich dadurch aus, daß sie a) 50 bis 90 Gew.-% der polyfluorierten Kohlenwasserstoffverbindungen, b) 3 bis 10 Gew.-% Fluorwasserstoff und c) Wasser, Aceton und/oder einen Alkohol mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen enthalten oder daraus bestehen. Wasser ist bevorzugt in einer Menge von 0 bis 10 Gew.-% enthalten, Aceton bzw. Alkohol stellen den Rest auf 100 Gew.-% dar.Preferred mixtures stand out in that they a) 50 to 90% by weight of the polyfluorinated hydrocarbon compounds, b) 3 to 10 wt .-% hydrogen fluoride and c) water, acetone and / or contain or contain an alcohol having 1 to 4 carbon atoms consist. Water is preferred in an amount of 0 to 10% by weight contain, acetone or alcohol represent the rest to 100 wt .-%.
Besonders bevorzugte Gemische umfassen HFC-365mfc, Ethanol, Wasser und Fluorwasserstoff oder HFC-365mfc, Aceton oder Isopropanol und Fluorwasserstoff, oder sie bestehen aus den angegebenen Substanzen.Particularly preferred mixtures include HFC-365mfc, ethanol, water and hydrogen fluoride or HFC-365mfc, Acetone or isopropanol and hydrogen fluoride, or they exist from the specified substances.
Für die Herstellung der Gemische vermischt man die Ausgangskomponenten. Zweckmäßig legt man die polyfluorierte Kohlenwasserstoffverbindung und das protische Läsungsmittel vor und kondensiert HF in dieses möglichst gekühlte Gemisch.For the preparation of the mixtures is mixed with the starting components. Appropriately sets the polyfluorinated hydrocarbon compound and the protic one Läsungsmittel before and HF condenses into this cooled mixture.
Die Erfindung weist den Vorteil auf, daß Ätzlösungen mit sehr geringer Konzentration an Fluorwasserstoff eingesetzt werden können. Entsprechend gering ist etwaige Korrosion an verwendeten Geräten. Bei Zusatz von Wasser, nicht durch Halogen substituierten Alkoholen oder Aceton ist nicht einmal das durch ausgasenden Fluorwasserstoff verursachte Rauchen zu sehen.The invention has the advantage that etching solutions with very low concentration of hydrogen fluoride can be used can. Any corrosion on the equipment used is correspondingly low. at Addition of water, alcohols not substituted by halogen or acetone is not even that from the hydrogen fluoride to see caused smoking.
Ein weiterer Vorteil ist, daß das Verfahren bezüglich der Ätzrate sehr gut gesteuert werden kann. Durch Auswahl der Bestandteile der Ätzmittellösungen und der Ätzzeit kann der Umfang der Ätzung vorherbestimmt werden. Bislang wurde Flußsäure eingesetzt und die Ätzgeschwindigkeit über die Temperatur und Zeitdauer geregelt. Heiße Fluflsäure verursacht große Korrosionsprobleme. Das erfindungsgemäße Verfahren hingegen wird bevorzugt bei 10 bis 30 °C, insbesondere bei Umgebungstemperatur (ca. 18 bis 22 °C) durchgeführt.Another advantage is that the process in terms of the etching rate can be controlled very well. By selecting the components of the etchant solutions and the etching time can be the extent of the etching be predetermined. So far, hydrofluoric acid has been used and the etching rate over the Temperature and duration regulated. Hot hydrofluoric acid causes major corrosion problems. The method according to the invention however, preference is given to 10 to 30 ° C, especially at ambient temperature (approx. 18 to 22 ° C) carried out.
Ein besonderer Vorteil tritt dann ein, wenn man das Ätzverfahren mit einem vorgeschalteten Verfahren zur Entfernung nicht fixierter Bereiche des Photolacks kombiniert. Dies kann mit den gleichen Gemischen geschehen, die man auch als Ätzmittel einsetzt. Die Anwesenheit von Fluorwasserstoff oder Wasser ist dabei nicht notwendig. Fluorierte Alkohole verwendet man in diesem Fall nicht. Wenn die nicht fixierten Bereiche des Photolacks, beispielsweise mit einer Mischung von HFC-365mfc und Alkoholen mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen oder Aceton abgelöst worden ist, gehört entweder Fluorwasserstoff zugegeben, oder man taucht die zu ätzenden Gegenstände in ein entsprechendes Ätzmittelbad. Wenn man Ablösemittel für den Photolack einsetzt, die auch Fluorwasserstoff enthalten, ist simultan ein Ätzen möglich. Vorteil ist hier, daß das im Ablösemittelbad und im Ätzmittelbad gleiche Komponenten verwendet werden können mit entsprechend verringerten Problemen bezüglich des Einschleppens von Verunreinigungen. Ein Recycling ist möglich.A special advantage then arises a when you look at the etching process with an upstream procedure to remove unfixed Areas of the photoresist combined. This can be done with the same mixtures happen, which is also called an etchant starts. The presence of hydrogen fluoride or water is not necessary. Fluorinated alcohols are not used in this case. If the non-fixed areas of the photoresist, for example with a mixture of HFC-365mfc and alcohols with 1 to 4 carbon atoms or Detached acetone has been heard either added hydrogen fluoride, or one immerses the ones to be etched objects in an appropriate caustic bath. If you have a release agent for the Using photoresist that also contain hydrogen fluoride is simultaneous an etching possible. The advantage here is that in the solvent bath and in the caustic bath same components can be used with correspondingly reduced Problems regarding the introduction of impurities. Recycling is possible.
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung weiter erläutern, ohne sie in ihrem Umfang einzuschränken.The following examples are intended to Further explain the invention, without restricting their scope.
Beispiel 1:Example 1:
Herstellung von Ätz-Lösungen mit HFC-365mfcManufacture of etching solutions with HFC-365mfc
Durchführung:Execution:
Das HFC-365mfc wurde mit Wasser und dem Cosolvens gemischt, die genauen Massen wurden mittels einer Waage bestimmt. Fluorwasserstoff wurde gasförmig in die gekühlten Lösungen eingeleitet. Über eine Waage wurde die Masse an Fluorwasserstoff ermittelt. In der Tabelle A sind die genauen Zusammensetzungen der Test-Lösungen zusammengestellt.The HFC-365mfc was made with water and mixed with the cosolvent, the exact masses were determined using a Libra determined. Hydrogen fluoride was introduced into the cooled solutions in gaseous form. About a scale the mass of hydrogen fluoride was determined. In Table A the exact compositions of the test solutions are compiled.
Tabelle
A: 
Beispiel 2 (Vergleichsbeispiel) Example 2 (comparative example)
Ätzen einer Siliciumscheibe mittels HFC-365mfcEtching a silicon wafer using HFC-365mfc
Eingesetzt als Ätzmittel wurde eine Mischung aus 5 Gew.-% HF und 45 Gew.-% HFC-365mfc.A mixture was used as the etchant from 5% by weight HF and 45% by weight HFC-365mfc.
Eine Monitor-Siliciumscheibe (150 mm, p-Si, <100>) wurde vorgereinigt. In einem Ofen wurde dann in H2/O2-Atmosphäre ein Oxid der Dicke 518 ± 1 nm erzeugt. Die Scheibe wurde in vier gleiche Teile zerbrochen und in das in einem PP-Becherglas befindliche Ätzmittel getaucht. Die Scheibe wurde dann bei Raumtemperatur an der Luft getrocknet und die Dicke der verbleibenden Schicht mittels Ellipsometrie bestimmt. Tabelle 1 gibt die Ergebnisse wieder. Zum Vergleich: ein 49 % HF in entionisiertem Wasser enthaltendes Ätzmittel weist eine Rate von 1 – 2 μm/min bei 50 °C auf.A monitor silicon wafer (150 mm, p-Si, <100>) was pre-cleaned. An oxide with a thickness of 518 ± 1 nm was then produced in a furnace in an H 2 / O 2 atmosphere. The disc was broken into four equal parts and immersed in the etchant contained in a PP beaker. The disk was then air-dried at room temperature and the thickness of the remaining layer was determined by means of ellipsometry. Table 1 shows the results. For comparison: an etchant containing 49% HF in deionized water has a rate of 1 - 2 μm / min at 50 ° C.
Tabelle
1: 
Beispiel 3•Example 3 •
Verwendung von Ätzmitteln aus HFC-365mfc, HF, organischen erotischen Lösungsmitteln und gegebenenfalls WasserUse of etchants from HFC-365mfc, HF, organic erotic solvents and optionally water
Es wurden wieder Monitor-Siliciumscheiben wie im Beispiel 2 verwendet und auf ihnen ein Oxid der Dicke 520 ± 4 nm erzeugt. Die Scheiben wurden dann zerbrochen und in die Ätzmittelmischungen in PP-Bechergläsern gestellt. Zum Erhalt einer schnelltrocknenden, homogeneren Oberfläche wurden die Scheiben der Beispiele 2 – 4 bzw. 2 – 7 nach dem Ätzen sofort in ein Aceton-Bad getaucht und dann getrocknet. In Tabelle 2 sind die Ätzraten und andere Daten zusammengestellt.There were monitor silicon wafers again as used in Example 2 and on them an oxide of thickness 520 ± 4 nm generated. The slices were then broken and placed in the etchant mixes in PP beakers posed. To obtain a fast drying, more homogeneous surface the discs of Examples 2-4 or 2 - 7 after the etching immediately immersed in an acetone bath and then dried. In Table 2 are the etch rates and other data compiled.
Tabelle
2: Ätzraten
der getesteten HF-haltigen Mischungen mit zugesetzten erotischen
Lösungsmitteln1) 
Die Ätzraten sind 100-fach höher als ohne erotisches Lösungsmittel und mit derzeit üblichen Ätzlösungen mindestens vergleichbar in der Ätzrate. Je nach Mittel und Zeitdauer kann die Ätzrate vorbestimmt werden.The etching rates are 100 times higher than without erotic solvent and at least with currently customary etching solutions comparable in the etching rate. The etching rate can be predetermined depending on the mean and duration.
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| WO1998000381A1 (en) * | 1996-07-03 | 1998-01-08 | Alliedsignal Inc. | Azeotrope-like composition of 1,1,1,3,3-pentafluoropropane and hydrogen fluoride |
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