DE1001774B

DE1001774B - Electronic contact arrangement

Info

Publication number: DE1001774B
Application number: DES36603A
Authority: DE
Inventors: Dr-Ing Habil Joachim Dosse
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1953-12-03
Filing date: 1953-12-03
Publication date: 1957-01-31

Description

DEUTSCHESGERMAN

Im Hauptpatent ist eine elektronische Schaltanordnung zu Schalt- und Codierungszwecken beschrieben, bei der ein Elektronen- oder Ionenbündel, Lichtstrahl od. dgl. eine Vielzahl von Kontaktstellen der Reihe nach überstreicht und bei der die Kontaktstellen durch steuerbare Halbleiter gebildet sind. Die Erfindung besteht in Weiterbildung des Erfindungsgedankens des Hauptpatents darin, daß als Schaltkontakt eine Transistoranordnung verwendet ist, die derart in äußere Stromkreise eingeschaltet ist, daß sie als Verstärker arbeitet.The main patent describes an electronic circuit arrangement for switching and coding purposes, in which an electron or ion bundle, light beam or the like. A multitude of contact points in the series after brushed over and in which the contact points are formed by controllable semiconductors. The invention is a further development of the inventive concept of the main patent is that as a switching contact a transistor arrangement is used, which is switched into external circuits in such a way that they as Amplifier works.

An Hand der Zeichnung soll die Erfindung näher erläutert werden.The invention is to be explained in more detail with reference to the drawing.

In Fig. 1 ist eine Transistor anordnung nach der Erfindung schematisch veranschaulicht. Dabei zeigt Fig. 1 a einen Transistoraufbau im Schnitt, währendIn Fig. 1 is a transistor arrangement according to the Invention illustrated schematically. Fig. 1 a shows a transistor structure in section, while

Fig. 1 b die Anordnung von oben her gesehen veranschaulicht. Fig. 1b illustrates the arrangement seen from above.

Dabei ist mit 1 ein Halbleiter, der beispielsweise aus Germanium besteht, bezeichnet. Auf der Oberfläche desselben befindet sich eine Emitterelektrode 2, eine Kollektorelektrode 3, während der Basiskontakt mit 4 bezeichnet ist. Die Elektronenströmung 5 fällt senkrecht oder schräg auf die Oberfläche des Halbleiters 1 auf. Mit 6 und 7 sind die zum Emitter und und Kollektor gehörenden formierten Bereiche bezeichnet. In this case, 1 denotes a semiconductor which consists, for example, of germanium. On the surface The same is an emitter electrode 2, a collector electrode 3, while the base contact is denoted by 4. The electron flow 5 falls perpendicularly or obliquely onto the surface of the semiconductor 1 on. The formed areas belonging to the emitter and collector are designated with 6 and 7.

Der Transistor kann bei Auftrennen des Elektronenstrahles, der sich in Pfeilrichtung gemäß Fig. Ib über die Transistoroberfläche bewegen möge, als Verstärker arbeiten, indem der in der Emitterstrecke hervorgerufene Stromimpuls einen verstärkten Stromimpuls im Kollektorkreis hervorruft. Wenn dabei der Elektronenstrahl gleichzeitig auch den Kollektorkontakt überstreicht und dabei ebenfalls unmittelbar den Kollektorstrom bis beispielsweise zum 10⁴fachen Betrag des Strahlstromes ändert, so ist dies kein Nachteil, da diese Stromänderung und die von der Emitterseite hervorgerufene verstärkte Stromänderung im gleichen Sinn verlaufen. Bei genügender Verstärkung, die beispielsweise das Hundertfache oder mehr betragen kann, spielt überdies die unmittelbar durch den Elektronenstrahl hervorgerufene Beeinflussung gegenüber der von der Emitterstrecke hervorgerufene Kollektorstromänderung keine wesentliche Rolle. An die Elektronenstrahlröhre brauchen also hinsichtlich der Elektronenoptik keine besonders hohen Anforderungen gestellt zu werden.The transistor can work as an amplifier when the electron beam is split and may move over the transistor surface in the direction of the arrow according to FIG. If the electron beam simultaneously sweeps over the collector contact and also directly changes the collector current up to, for example, 10 ⁴ times the amount of the beam current, this is not a disadvantage, since this current change and the increased current change caused by the emitter side run in the same direction. With sufficient amplification, which can be, for example, a hundred times or more, the influence directly caused by the electron beam does not play an essential role in relation to the change in collector current caused by the emitter path. In terms of electron optics, therefore, no particularly high requirements need to be placed on the cathode ray tube.

Im Hauptpatent ist bereits beschrieben worden, daß der steuerbare Halbleiter durch äußere Schaltelemente kippfähig gemacht werden kann. Dies läßt sich gemäß weiterer Erfindung auf verschiedene Weise erreichen, sei es, daß der steuerbare Halbleiter durch den Elektronenstrahlimpuls von einem Elektronische KontaktanordnungIn the main patent has already been described that the controllable semiconductor by external switching elements can be made tiltable. According to a further invention, this can be done in various ways Way to achieve, be it that the controllable semiconductor by the electron beam pulse of one Electronic contact arrangement

Zusatz zum Patent 946 727Addendum to patent 946 727

Anmelder:Applicant:

Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
ίο Berlin und München,Siemens & Halske Aktiengesellschaft,
ίο Berlin and Munich,

München 2, Wittelsbacherplatz 4Munich 2, Wittelsbacherplatz 4

Dr.-Ing. habil. Joachim Dosse, München,Dr.-Ing. habil. Joachim Dosse, Munich,

ist als Erfinder genannt wordenhas been named as the inventor

stabilen Arbeitspunkt durch ein Gebiet negativen Widerstandes hindurch in einen anderen stabilen Punkt kippt und dort verbleibt, bis ein weiterer oder anderer Impuls ihn zurückkippen läßt, sei es, daß er nach dem Kippen sofort oder nach einer durch äußere . Schaltelemente bestimmten Zeitkonetante von selbst zum Ausgangspunkt zurückkehrt.stable working point through one area of negative resistance into another stable one Point tilts and remains there until another or another impulse causes it to tilt back, be it that it immediately after tilting or after an external one. Switching elements determine time constants by themselves returns to the starting point.

Die Wirkungsweise einer solchen Kippanordnung ist in Fig. 2 verdeutlicht. Ein stabiler Arbeitspunkt des Transistors sei beispielsweise der Punkt α der Transistorkennlinie, wobei durch den Elektronenstrahlimpuls ein Kippen durch ein Gebiet negativen Widerstandes d hindurch in einen anderen stabilen Punkt c erfolgt. Das Rückkippen von c nach α kann durch äußere Mittel oder durch eine Zeitkonstante von selbst erfolgen.The mode of operation of such a tilting arrangement is illustrated in FIG. A stable operating point of the transistor is, for example, point α of the transistor characteristic, with the electron beam pulse causing a tilting through an area of negative resistance d into another stable point c . The tilting back from c to α can take place automatically by external means or by a time constant.

In Fig. 3 ist ein Schaltungsbeispiel für eine Reihe von Transistoren angegeben. Hierbei sind sämtliche Zuleitungen zu den Emitterelektroden 2,2' usw. im Innern der Röhre an eine gemeinsame Leitung 10 angeschlossen, die nur eine einzige Durchführung durch die Röhrenwandung 12 benötigt. An den Anschlußkontakt 16 werden Speisespannungen angelegt, um den Emitterstrom zu erzeugen. In gleicher Weise können auch die Basisanschlüsse zusammengeschlossen werden. In dem Fall jedoch, daß die Transistoren in Kippschaltung arbeiten sollen, sind sie, wie in Fig. 3 dargestellt ist, mit zusätzlichen Widerständen entweder in jeder einzelnen Zuleitung 8, 8' usw. oder über einen gemeinsamen Widerstand 9 in der gemeinsamen Zuleitung an den Anschluß 15 gelegt. Die Kollektorelektroden 3, 3' usw. sind einzeln über die Belastungswiderstände 13, 13' usw. an die Stromversorgungsklemme 14 angeschlossen. An den Wider-A circuit example for a series of transistors is given in FIG. 3. In this case, all of the supply lines to the emitter electrodes 2, 2 ′ etc. are connected in the interior of the tube to a common line 10, which only requires a single passage through the tube wall 12. Supply voltages are applied to the connection contact 16 in order to generate the emitter current. The base connections can also be connected in the same way. However, in the event that the transistors are to operate in flip-flop, they are, as shown in Fig. 3, with additional resistors either in each individual lead 8, 8 'etc. or via a common resistor 9 in the common lead to the Connection 15 laid. The collector electrodes 3, 3 ', etc. are individually connected to the power supply terminal 14 through the load resistors 13, 13', etc. To the cons

ständen 13,13' usw., die von den Schaltströmen des Kollektorkreises durchflossen werden, können auch Schaltspannungen an den Anschlüssen 17, 18 bzw. 17,18' usw. abgenommen werden.stands 13, 13 'etc., through which the switching currents of the collector circuit flow, can also Switching voltages at the connections 17, 18 or 17, 18 'etc. can be removed.

Claims

5 PATENT CLAIMS:

1. Electronic switching arrangement according to Patent 946 727, characterized in that as a switching contact a tramsistor arrangement is provided, which is switched into external circuits in this way is that it works as an amplifier.

2. Contact arrangement according to claim 1, characterized in that the emitter electrodes are several or all transistors inside the discharge vessel to a common line are connected.

3. Contact arrangement according to claim 1 or 2, characterized in that the base contacts several or all of the transistors inside the discharge vessel directly or via additional ones Resistors inside or outside the discharge vessel to a common line are connected.

4. Contact arrangement according to claim 1 to 3, characterized in that the collector electrodes individually connected to a preferably common supply voltage via load resistors at which switching voltages can be removed.

1 sheet of drawings