DD64047A1 - Verfahren zur herstellung von hochreinem, insbesondere phosphorarmem silicium - Google Patents
Verfahren zur herstellung von hochreinem, insbesondere phosphorarmem siliciumInfo
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DD12736867A DD64047A1 (de) | 1967-09-25 | 1967-09-25 | Verfahren zur herstellung von hochreinem, insbesondere phosphorarmem silicium |
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013204730A1 (de) | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
DE102015200070A1 (de) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Wacker Chemie Ag | Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
EP3476803A4 (de) * | 2016-06-23 | 2020-02-19 | Mitsubishi Materials Corporation | Polykristalliner siliziumstab und verfahren zur herstellung davon |
-
1967
- 1967-09-25 DD DD12736867A patent/DD64047A1/de unknown
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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DE102013204730A1 (de) | 2013-03-18 | 2014-09-18 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
WO2014146876A1 (de) | 2013-03-18 | 2014-09-25 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur abscheidung von polykristallinem silicium |
US9738530B2 (en) | 2013-03-18 | 2017-08-22 | Wacker Chemie Ag | Polycrystalline silicon deposition method |
DE102015200070A1 (de) | 2015-01-07 | 2016-07-07 | Wacker Chemie Ag | Reaktor zur Abscheidung von polykristallinem Silicium |
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